JP2016042498A - インプリント装置および物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 重ね合わせ精度の点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】 インプリント装置は、基板におけるインプリント処理を行うインプリント領域を加熱して前記インプリント領域の形状を変更する加熱機構を備える。前記加熱機構は、光軸に垂直な第1方向および第2方向に長さを有する光束を出射する第1光学系と、該第1光学系から出射された光束の前記第1方向および前記第2方向の幅の比を変更する変更機構と、前記比が変更された光束の強度分布を調整する第2光学系と、を含み、前記第2光学系からの光束で前記インプリント領域を照射することによって前記インプリント領域を加熱する。【選択図】 図2
Description
本発明は、インプリント装置および物品製造方法に関する。
半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化樹脂をモールド(型)で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の1つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショットに紫外線硬化樹脂を塗布する。次に、未硬化の樹脂をモールドにより成形する。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえでモールドを樹脂から引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。インプリント装置は、従来の光ステッパ、光スキャナ、EUV露光装置に比べて、レチクルのパターンを基板に縮小投影する投影光学系が必要ないことから、より低コストを実現できる半導体製造装置と言える。
インプリント処理が施される基板は、一連のデバイス製造工程において、例えばスパッタリングなどの成膜工程での加熱処理を経ることで、基板が拡大または縮小し、平面内で直交する2軸方向でパターンの形状(またはサイズ)が変化する場合がある。したがって、インプリント装置では、モールドと基板上の樹脂とを接触するに際し、基板上に予め形成されている基板側パターンの形状と、モールドに形成されている型側パターン部の形状とを合わせる必要がある。
特許文献1には、基板側パターンの形状とモールドのパターン部の形状とを合わせるために、基板側パターンを加熱する加熱機構を備えたインプリント装置が記載されている。特許文献1記載の加熱機構は、基板側パターンの平面領域に光量分布を形成する空間光変調素子として液晶素子アレイやデジタルミラーデバイスを含んでいる。
特許文献1では、空間光変調素子としてマトリクス状に配置されたデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)やマトリクス状に配置された液晶素子を使用し、任意のマイクロミラーを所定角度だけ傾斜させるようにして照度を制御している。特許文献1には記載されていないが、DMDに照射する光をトップフラットで均一な強度分布にするために、一般的にマイクロレンズアレイ(MLA)などが使用される。ウエハのショットサイズは通常33×26mmと矩形形状としており、光源のコストを下げるために、より低出力の光源を使用することを考えると光学系の高効率化が必要である。そのため、DMDへの照明光の照明幅はショットサイズと相似形にすることが求められる。しかしながら、特許文献1には、DMDへの照明光の照明幅はショットサイズと相似形にすることが開示されていない。
DMDへの照明光の形状を正方形から長方形(矩形)に変える従来技術として、実施されている方法について、図4を用いて説明する。図4において、MLAのレンズ配列ピッチをP、2枚のMLAの合成焦点距離をf1、フーリエ変換レンズの焦点距離をf2とすると、DMD面への照明幅Dは、D=P×(f2/f1)から求めることが出来る。同式から、DMDへの照明光をショットサイズと相似形にするのは、MLAのピッチPをX方向とY方向とで変えるか、または、MLAの焦点距離をX方向とY方向とで変える必要がある。この場合、特殊なMLAを製作する必要があるため、光学系のコストが高くなる。一方、光学系のコストを抑えた結果として光学系の効率が低下すると、光源の高出力化が必要となり、光源のコストが高くなる。このように、パターンを熱変形させて重ね合わせ精度を向上させる方式をインプリント装置に適用しようとするとコストが高くなり、インプリント装置の1つの利点である低コスト化に反することになる。
よって、本発明は、重ね合わせ精度の点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
本発明の1側面は、基板のインプリント材とモールドのパターンとを接触させて前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板における前記インプリント処理を行うインプリント領域を加熱して前記インプリント領域の形状を変更する加熱機構を備え、前記加熱機構は、光軸に垂直な第1方向および第2方向に長さを有する光束を出射する第1光学系と、該第1光学系から出射された光束の前記第1方向および前記第2方向の幅の比を変更する変更機構と、前記比が変更された光束の強度分布を調整する第2光学系と、を含み、前記第2光学系からの光束で前記インプリント領域を照射することによって前記インプリント領域を加熱することを特徴とする。
本発明によれば、重ね合わせ精度の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面等を参照して説明する。
[インプリント装置]
本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。インプリント装置は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、ウエハ(基板)の未硬化の樹脂(インプリント材)にモールド(型)を押し付けて接触させることで成形し、基板上に樹脂のパターンを形成する。本実施形態では、光硬化法を採用したインプリント装置とする。図1において、基板の表面に直交する方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。
本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。インプリント装置は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、ウエハ(基板)の未硬化の樹脂(インプリント材)にモールド(型)を押し付けて接触させることで成形し、基板上に樹脂のパターンを形成する。本実施形態では、光硬化法を採用したインプリント装置とする。図1において、基板の表面に直交する方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。
インプリント装置1は、照射部2と、モールド保持部3と、ウエハステージ(基板ステージ)4と、塗布部(ディスペンサ)5と、加熱機構(照明光学系)6と、制御部7と、アライメント計測器(位置ずれ検出器)22とを含む。照射部2は、インプリント処理の際に、樹脂を硬化する紫外線9をモールド8に向けて照射する。照射部2は、不図示であるが、光源と、この光源から照射された紫外線9をインプリントに適切な光に調整するための光学素子とを含む。なお、本実施形態では光硬化法を採用するために照射部2を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、照射部2に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することとなる。
モールド8は、外周形状が角形であり、基板11側の面に3次元状に形成されたパターン部8aを含む。パターン部8aは、例えば、回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンである。モールド8の材質は、石英など紫外線9を透過させることが可能な材料である。さらに、モールド8は、照射部2の側に、モールド8の変形を容易とするためのキャビティ(凹部)8bを有していてもよい。キャビティ8bは、円形の平面形状を有し、厚み(深さ)は、モールド8の大きさや材質により設定される。後述するモールド保持部3内の開口領域17に、この開口領域17の一部とキャビティ8bとで囲まれる空間12を密閉空間とする光透過部材13を設置し、不図示の圧力調整部により空間12内の圧力を制御する構成としてもよい。例えば、モールド8と基板11上の樹脂14との押し付けに際し、圧力調整部により空間12内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部8aは、基板11に向かい凸形に撓み、樹脂14に対してパターン部8aの中心部から接触する。これにより、パターン部8aと樹脂14との間に気体(空気)が閉じ込められるのを抑え、パターン部8aの凹凸に樹脂14を隅々まで充填させることができる。
モールド保持部3は、真空吸着力や静電力によりモールド8を引き付けて保持するモールドチャック15と、このモールドチャック15を保持して、モールド8(モールドチャック15)を移動させるモールド駆動部16とを有する。モールドチャック15およびモールド駆動部16は、照射部2の光源から照射された紫外線9が基板11に向けて照射されるように、中心部(内側)に開口領域17を有する。モールド保持部3は、モールドチャック15におけるモールド8の保持側に、モールド8の側面に外力または変位を与えることによりモールド8(パターン部8a)の形状を補正するモールド補正機構18を有する。モールド補正機構18は、モールド8の形状を変形させることで、基板11上に予め形成されている基板側パターン11aの形状に対してモールド8に形成されているパターン部8aの形状を合わせることができる。
モールド駆動部16は、モールド8と基板11上の樹脂14との押し付け、または引き離しを選択的に行うようにモールド8をZ方向に移動させる。このモールド駆動部16に採用可能なアクチュエータとしては、例えばボイスコイルアクチェータ、リニアモータまたはエアシリンダ等がある。また、モールド8の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。モールド駆動部16は、Z方向だけでなく、X方向やY方向、またはθ(Z軸周りの回転)方向の位置調整機能や、モールド8の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。インプリント装置1における押し付けおよび引き離し動作は、上述のようにモールド8をZ方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ4をZ方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。
基板11は、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板を含み、この被処理面には、モールド8に形成されたパターン部8aにより成形される紫外線硬化性の樹脂14が塗布される。基板ステージ4は、基板11を保持し、モールド8と基板11の樹脂14との押し付けに際し、モールド8と樹脂14との位置合わせを実施する。基板ステージ4は、基板11を、吸着力により保持するウエハチャック19と、このウエハチャック19を機械的に保持し、XY平面内で移動可能とするステージ駆動部20とを有する。特に、本実施形態のウエハチャック19は、不図示であるが、基板11の裏面を複数の領域で吸着保持可能とする複数の吸着部を備える。これらの吸着部は、それぞれ上記とは別の圧力調整部に接続されている。
圧力調整部は、基板11と吸着部との間の圧力を減圧するよう調整し吸着力を発生させることで基板11をチャック面上に保持しつつ、さらに、各吸着部にてそれぞれ独立して圧力値(吸着力)を変更可能とする。なお、吸着部の分割数(設置数)は、特に限定するものではなく、任意の数でよい。また、基板ステージ4は、その表面上にモールド8をアライメントする際に利用する基準マーク21を有する。ステージ駆動部20は、アクチュエータとして、例えばリニアモータを採用し得る。ステージ駆動部20も、X方向およびY方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、ステージ駆動部20は、Z方向の位置調整のための駆動系や、基板11のθ方向の位置調整機能、または基板11の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。基板ステージ4はモールド8に対して基板11をアライメントする。
塗布部5は、基板11に未硬化の樹脂14を塗布する。樹脂14は、紫外線9により硬化する樹脂(インプリント材)であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。また、塗布部5の吐出ノズルから吐出される樹脂14の量も、基板11上に形成される樹脂14の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。加熱機構6は、基板ステージ4上に載置された基板11の形状、具体的には、インプリント装置1に搬入された基板11上に予め形成されている基板側パターン11aの形状を補正するために、基板11を照射して加熱する。加熱機構6の光源が照射する光は、光硬化性を有する樹脂が感光(硬化)せず、基板11に吸収される特定の波長帯域に波長が存在する光である。照射部2からの紫外線と加熱機構6からの光はダイクロイックミラー25により合成され、基板11に入射する。加熱機構6の構成については、後述する。
制御部7は、インプリント装置1の各構成要素の動作および調整などを制御する。制御部7は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の制御を実行する。なお、制御部7は、インプリント装置1の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成してもよいし、インプリント装置1の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成してもよい。
インプリント装置1は、開口領域17内にアライメント計測器(検出器)22を備える。このアライメント計測器22は、例えば基板ライメントとして、基板11上に形成されたアライメントマークと、モールド8に形成されたアライメントマークとのX方向およびY方向の位置ずれを計測する。インプリント装置1は、基板ステージ4を載置するベース定盤24と、モールド保持部3を固定するブリッジ定盤と、ベース定盤24から延設され、ブリッジ定盤を支持するための支柱26とを備える。さらに、インプリント装置1は、共に不図示であるが、モールド8を装置外部からモールド保持部3へ搬送するモールド搬送機構と、基板11を装置外部から基板ステージ4へ搬送する基板搬送機構とを備える。以上が本発明のインプリント装置の構成の説明である。
[加熱機構]
加熱機構6の詳細について、図2を用いて説明する。図2(A)に示されるように、加熱用の光源部30からの光は光ファイバ31を使用して、インプリント装置1を囲むチャンバ内に導光される。光源部30は高出力のレーザ光源40を含み、発熱が大きいため、インプリント装置1から離れた場所に設置されている。光源部30は、図2(B)に示されるように、市販されている出力1.3〜1.6Wで435〜455nmの波長の青色LD(レーザ光源)40を数個〜数十個使用することで、出力10〜60Wの出力を得るようにしている。複数の青色LD40からの光は、それぞれコリメータレンズ41により概略平行光にされた後に、レンズ42により光ファイバ31のコア部に集束される。光ファイバ31は、コア径が800μm〜1.6mm、NAが0.22程度のものを使用し得る。光ファイバ31のコア径とNAの選択は青色LD40からの光を効率良くファイバにカップリング出来ること、更には、後に説明する光の強度分布を均一にする光学系(ホモジナイザ)を構成するMLA(マイクロレンズアレイ)33の仕様とから決定される。MLA33は、2次元に配列された複数のマイクロレンズから構成されている。光ファイバ31にから出射した光は拡大光学系32によりビーム径を広げて、MLA33を照射する。本実施形態で使用するMLAを構成するマイクロレンズは、X方向(第1方向)およびY方向(第2方向)に同一の焦点距離を有し、X方向およびY方向に同一のピッチで配列されている。光源部30、光ファイバ31、拡大光学系32及びMLA33は、光軸に垂直な第1方向および第2方向に長さを有する光束を出射する第1光学系を構成している。
加熱機構6の詳細について、図2を用いて説明する。図2(A)に示されるように、加熱用の光源部30からの光は光ファイバ31を使用して、インプリント装置1を囲むチャンバ内に導光される。光源部30は高出力のレーザ光源40を含み、発熱が大きいため、インプリント装置1から離れた場所に設置されている。光源部30は、図2(B)に示されるように、市販されている出力1.3〜1.6Wで435〜455nmの波長の青色LD(レーザ光源)40を数個〜数十個使用することで、出力10〜60Wの出力を得るようにしている。複数の青色LD40からの光は、それぞれコリメータレンズ41により概略平行光にされた後に、レンズ42により光ファイバ31のコア部に集束される。光ファイバ31は、コア径が800μm〜1.6mm、NAが0.22程度のものを使用し得る。光ファイバ31のコア径とNAの選択は青色LD40からの光を効率良くファイバにカップリング出来ること、更には、後に説明する光の強度分布を均一にする光学系(ホモジナイザ)を構成するMLA(マイクロレンズアレイ)33の仕様とから決定される。MLA33は、2次元に配列された複数のマイクロレンズから構成されている。光ファイバ31にから出射した光は拡大光学系32によりビーム径を広げて、MLA33を照射する。本実施形態で使用するMLAを構成するマイクロレンズは、X方向(第1方向)およびY方向(第2方向)に同一の焦点距離を有し、X方向およびY方向に同一のピッチで配列されている。光源部30、光ファイバ31、拡大光学系32及びMLA33は、光軸に垂直な第1方向および第2方向に長さを有する光束を出射する第1光学系を構成している。
コア径φ0.8mm、NA0.22の光ファイバ、12.25倍の拡大光学系32を使用し、φ9.8mmでMLA33をクリティカル照明する。MLA33は、外形10mm、焦点距離13.8mm、アレイピッチ0.5mm(XY共に)の仕様のものを2枚使用する。2枚のMLA33は概略焦点距離だけ間隔をおいて配置している。この時、一段目のMLA33には最大で0.22/12.25=0.0180ラジアン傾いた光が入射する。一段目のMLA33のレンズの中心と、二段目のMLA33の隣のレンズの端までの角度は0.25/13.8=0.0181ラジアンであるため、最大角度で傾いた光が二段目のMLA33に入射する際、隣のMLA33に入射することは無い。隣のレンズに入射する条件では、デジタルミラーデバイス(DMD)36の面での照明にゴースト光が発生し、利用効率の低下、ゴースト光による迷光が発生するなどの問題が発生するので、隣のレンズに入射しないように設計する注意が必要である。DMDは、複数のミラー素子を含み該複数のミラー素子の面方向を個別に制御することで光の強度分布を調整する。光の強度分布を調整するために、DMDに代えて、複数の液晶素子を含み該複数の液晶素子に対する電圧を個別に制御することで前記強度分布を調整する液晶装置を使用することができる。なお、X方向とY方向が同じピッチのMLA33は、SUSS MicroOptics社から標準品として販売されており、低コストで使用できる。
MLA33を通った光はフーリエ変換レンズ34に入射して、強度分布が均一化された、形状が矩形の光束を出射する。DMD36に入射する光強度分布が均一でない、例えば、ガウシャン分布である場合、DMD36の周辺領域における光強度が低下する。この強度分布が均一化された形状が矩形の光は、シリンドリカルレンズ35(紙面垂直方向に凸レンズのパワーがある)、リレーレンズ39を通って、DMD36に斜入射する。DMD36は、例えば1000×700のマイクロミラーから構成され、各マイクロミラーを±12度変化させことで、各マイクロミラーでの反射光が基板11上への照射量を制御する。DMD36への入射角をマイクロミラーの偏向方向の面を入射面として、24度とすることで、DMD36のチップ面に対して垂直に反射するように出来る。フーリエ変換レンズ34とシリンドリカルレンズ35およびリレーレンズ39の配置については、後述する。DMD36は、シリンドリカルレンズ35によって第1方向および第2方向の幅の比が変更された光束の強度分布を調整する第2光学系を構成している。
DMD36で反射した形状が矩形の光は、レンズ37とレンズ38で構成される投影光学系(第3光学系)により、モールド8および基板11に拡大投影される。なお、光路中にあるダイクロイックミラー25は、青色レーザ40からの光を透過し、照射部(紫外線の光源)2からの光を反射させるために設置されている。レンズ37とレンズ38で構成される投影光学系に関して、DMD36と基板11とは共役関係となっており、基板11のショットサイズとDMD36の有効使用エリアの比を考慮した拡大倍率を有している。
[インプリント処理]
以下、インプリント装置1によるインプリント処理に関して、図6に示すフローチャートを用いて説明する。まず、基板11上のインプリント領域であるショット領域に樹脂14が塗布される。その後、基板11はステージ駆動部20により、モールド8下に搬送される(S1)。次にアライメント計測系(検出器)22の検出結果により、モールド側パターン8aの形状と基板側パターン11aの形状とが取得される(S2)。モールド側パターン8aの形状と基板側パターン11aの形状との計測を、インプリントプロセス前に計測しておき、その結果を用いても構わない。それら計測結果が制御部7に入力され、基板側パターン11aに含まれている変形成分が分析される(S3)。分析結果から、モールド側パターン8aのモールド補正量と、基板側パターン11aの基板補正量が、制御部7によって算出される(S4)。
以下、インプリント装置1によるインプリント処理に関して、図6に示すフローチャートを用いて説明する。まず、基板11上のインプリント領域であるショット領域に樹脂14が塗布される。その後、基板11はステージ駆動部20により、モールド8下に搬送される(S1)。次にアライメント計測系(検出器)22の検出結果により、モールド側パターン8aの形状と基板側パターン11aの形状とが取得される(S2)。モールド側パターン8aの形状と基板側パターン11aの形状との計測を、インプリントプロセス前に計測しておき、その結果を用いても構わない。それら計測結果が制御部7に入力され、基板側パターン11aに含まれている変形成分が分析される(S3)。分析結果から、モールド側パターン8aのモールド補正量と、基板側パターン11aの基板補正量が、制御部7によって算出される(S4)。
次に、基板補正量に基づき、制御部7で照射量分布が決定され、空間光変調素子であるDMD36により照射量分布が形成された光を基板11上に照射する。基板11上には、照射量分布に対応した温度分布が形成され、基板側パターン11aが熱変形することにより、基板側パターン11aの形状が補正される(S5)。制御部7は、決定した照射量分布を指標として加熱用の光源部30とDMD36との動作を制御する。また、モールド補正量に基づき、モールド補正機構18により、モールド8に力が加えられ、モールド側パターン8aの形状が補正される(S6)。モールド側パターン8aと基板側パターン11aの形状補正が完了すると、樹脂14を介してモールド8と基板11とを接触させる押印動作を行う(S7)。
押型動作(S7)では、モールド駆動部16を駆動させ、基板11の樹脂14にモールド8を押し付ける。この押し付けにより、樹脂14は、モールド側パターン8aの凹凸部に充填される。この状態で、硬化工程として、照射部2から照射した紫外線9により樹脂14を硬化させる(S8)。そして、樹脂14が硬化した後に、離型工程として、モールド駆動部16を再駆動させ、モールド8を樹脂14から引き離す(S9)。これにより、基板側パターン11aの表面には、モールド側パターン8aの凹凸部に倣った3次元形状の樹脂14のパターン(層)が成形される。その後、次の押印位置に樹脂14を塗布するために基板ステージ4を駆動させる(S10)。このような一連のインプリント処理を基板ステージ4の駆動によりインプリント領域を変更しつつ順次実施することで、1枚の基板11上に複数のパターンを成形することができる。以上説明したように、本発明は、照明形状変更機構を有する加熱機構を用いることで、加熱用の光を有効に利用し、低コスト、広ストローク化を実現できる。また、モールド8および基板11上のパターン形状を精度よく補正することができ、高精度な重ね合わせを実現することが出来る。
[照明形状の変更機構]
加熱機構(照明光学系)6のDMD36に入射する光の矩形形状を変更する変更機構を構成するシリンドリカルレンズ35の配置の実施例について図3を用いて説明する。
加熱機構(照明光学系)6のDMD36に入射する光の矩形形状を変更する変更機構を構成するシリンドリカルレンズ35の配置の実施例について図3を用いて説明する。
実施例1
DMD36に入射する光の矩形形状の変更機構の実施例1を図3(A)、図3(A’)を用いて説明する。フーリエ変換レンズ34の焦点距離がfで、リレーレンズ39は2枚のレンズで構成され、共にその焦点距離がf3である。図3(A)において、2枚のMLA33の合成焦点位置であるa面と、フーリエ変換レンズ34の前側焦点位置が一致するように、フーリエ変換レンズ34を配置する。続いて、紙面垂直方向に凸レンズのパワーを持つシリンドリカルレンズ35を、フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bより前方に配置し、焦点位置bでの紙面垂直方向のビーム幅を紙面内のビーム幅に比べて小さくするようにしている。また、フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bからf3離れた位置に1枚目のリレーレンズ39を配置し、そこからさらに2f3離れた位置に2枚目のリレーレンズ39を配置している。更に、リレーレンズ39からf3離れた位置にDMD36を配置している。
DMD36に入射する光の矩形形状の変更機構の実施例1を図3(A)、図3(A’)を用いて説明する。フーリエ変換レンズ34の焦点距離がfで、リレーレンズ39は2枚のレンズで構成され、共にその焦点距離がf3である。図3(A)において、2枚のMLA33の合成焦点位置であるa面と、フーリエ変換レンズ34の前側焦点位置が一致するように、フーリエ変換レンズ34を配置する。続いて、紙面垂直方向に凸レンズのパワーを持つシリンドリカルレンズ35を、フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bより前方に配置し、焦点位置bでの紙面垂直方向のビーム幅を紙面内のビーム幅に比べて小さくするようにしている。また、フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bからf3離れた位置に1枚目のリレーレンズ39を配置し、そこからさらに2f3離れた位置に2枚目のリレーレンズ39を配置している。更に、リレーレンズ39からf3離れた位置にDMD36を配置している。
MLA33とフーリエ変換レンズ34により、トップフラットで均一な光強度分布をb面に形成することが出来る。紙面垂直方向では、シリンドリカルレンズ35により厳密には、b面からピントが外れてデフォーカスしているが、b面に入射する光のNAが元々小さいため、デフォーカスによるビームエッジ部のボケ量は小さい。なお、b面に入射する光のNAは、MLAへの照明光のビームサイズをφとして、フーリエ変換レンズ34の焦点距離fを使用して、φ/(2f)から算出される。フーリエ変換レンズ34の焦点距離fを300mmとすると、NAは9.8/2/3000=0.016であり、角度にすると約1度と小さい値である。
リレーレンズ39により、b面はDMD面であるd面と共役な関係であるため、b面での強度分布がそのまま、DMD36に投影される。図3(A’)には、DMD36を照明光学系の光軸方向から見た、DMD36の照明範囲の図を示している。この照明範囲は、照明光学系の光軸に垂直な断面における、リレーレンズ39からDMD36に入射する照明光の形状(照明形状)を表している。シリンドリカルレンズ35を挿入しない場合には、破線で示すように、正方形の照明形状である。これに対し、照明形状を変更する機構としての凸面(正のパワー)を有する凸シリンドリカルレンズ35を挿入することにより、照明形状の矩形の2辺の長さの比を変更し、斜線で示す長方形の照明形状を得ることが出来る。図5には、このような矩形形状を変更する機構として凸シリンドリカルレンズを使用して、長辺Lと短辺Sからなる長方形の照明形状で、トップフラットな光強度分布が形成されている様子を示す。実施例1では、シリンドリカルレンズ35が無い場合には、照明形状の正方形の一辺の幅(照明幅)がLだったものを、シリンドリカルレンズ35を使用して、その一辺の幅をS(L>S)に変更している。
照明形状の幅(照明幅)の定義は図5で示すようにトップフラットな領域での幅であり、例えばピーク光強度を1としたときに光強度が0.9以上となる幅を照明幅と定義する。この値は、照度ムラの仕様により変更可能であり、例えば光強度が0.95以上としても良い。このLとSの比がショットサイズである33mmと26mmの比と同じとなり、相似形になるように設計してあり、更に、図2に示すレンズ37とレンズ38で構成される投影光学系の倍率をその相似比と同じとしている。これにより、トップフラットな領域の光がDMD36で基板11のショットサイズ全域に照明されることになり、効率良く光を使用することが出来る。正方形の照明形状でDMD36を照明する場合、ショットサイズである33mmと26mmの比と同じにするために、正方形で照明された範囲のDMD36のミラーエレメントの一部をオフ(−12度偏向)させて、基板11に照射されないように制御する。したがって、全体で{(33−26)/33}×100=21%もの光を損失することになる。実施例1では、この光の損失を無くし、高効率化を達成している。また、別の見方をすると、同じ出力の光源を使用した時に、基板11の変形量を21%増加させることができるので、パターン形状の補正のストロークを増加させる効果もある。その上、X方向とY方向が同じピッチの標準品のMLA33を使用し、シリンドリカルレンズ35とリレーレンズ39を追加するだけなので、コストを抑えることができる。
リレーレンズ39は、図2(A)において、DMD36に斜入射する際に、フーリエ変換レンズ34やシリンドリカルレンズ35が投影光学系のレンズ37に空間的に干渉する場合があるので、それを回避するために設けたものである。したがって、光学系の設計値によっては、リレーレンズ39を省略し、図3(A)で示すb面にDMD36を配置する構成も可能である。DMD36の多数のミラーにより照射量を制御することで、基板11の照射面内において照射量分布を形成することができる。この照射量分布により、基板11上に任意の温度分布を形成することが可能である。本実施例1では、空間光変調素子としてDMDを使用した。しかし、空間変調素子として液晶素子アレイを使用して、基板11上に照度分布を形成することで任意の温度分布を形成するようにしても良い。
基板11上のパターン形状は、半導体プロセスの過程によって僅かに変形しており、パターン形状の変形は、倍率成分、平行四辺形成分、台形成分、弓型、樽型に大きく分類され、それらの組み合わせで構成されていることが多い。それぞれの変形成分を補正するには、基板11のショット内にそれぞれ必要な補正量を得るための温度分布を形成する必要がある。アライメント計測結果から基板11のショット形状の補正量が算出され、パターンの形状を補正するために必要な温度分布、照射量が算出され、加熱機構6が制御部7により制御される。
実施例2
実施例2のDMD36に入射する光の矩形形状を変形する機構について図3(B)、図3(B’)を用いて説明する。MLA33を通った光はフーリエ変換レンズ34に入射し、紙面内方向に凸レンズのパワー(正のパワー)をもつ凸シリンドリカルレンズ35、リレーレンズ39を通って、DMD36に斜入射する。フーリエ変換レンズ34の焦点距離がfで、リレーレンズ39は2枚のレンズで構成され、共に焦点距離がf3である。図3(B)において、2枚のMLA33の合成焦点位置であるa面と、フーリエ変換レンズ34の前側焦点位置とが一致するように、フーリエ変換レンズ34を配置する。続いて、紙面水平方向に凸レンズのパワーを持つ凸シリンドリカルレンズ35を、フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bより後方に配置している。フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bからf3離れた位置に1枚目のリレーレンズ39を配置し、そこから2f3の距離の位置にもう1枚のリレーレンズ39を配置している。さらに、リレーレンズ39からf3離れた位置にDMD36を配置している。図3(B)において、紙面と垂直方向には、b面の強度分布がリレーレンズ39でDMD面に等倍結像される。
実施例2のDMD36に入射する光の矩形形状を変形する機構について図3(B)、図3(B’)を用いて説明する。MLA33を通った光はフーリエ変換レンズ34に入射し、紙面内方向に凸レンズのパワー(正のパワー)をもつ凸シリンドリカルレンズ35、リレーレンズ39を通って、DMD36に斜入射する。フーリエ変換レンズ34の焦点距離がfで、リレーレンズ39は2枚のレンズで構成され、共に焦点距離がf3である。図3(B)において、2枚のMLA33の合成焦点位置であるa面と、フーリエ変換レンズ34の前側焦点位置とが一致するように、フーリエ変換レンズ34を配置する。続いて、紙面水平方向に凸レンズのパワーを持つ凸シリンドリカルレンズ35を、フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bより後方に配置している。フーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bからf3離れた位置に1枚目のリレーレンズ39を配置し、そこから2f3の距離の位置にもう1枚のリレーレンズ39を配置している。さらに、リレーレンズ39からf3離れた位置にDMD36を配置している。図3(B)において、紙面と垂直方向には、b面の強度分布がリレーレンズ39でDMD面に等倍結像される。
一方、紙面内方向には、b面より後方に配置している凸のパワーを持つシリンドリカルレンズ35により、b面での照明幅が拡大されて照明される。図3(B’)に示すように、シリンドリカルレンズ35を挿入する前は正方形の照明形状であるのに対し、矩形形状を変更する機構としてのシリンドリカルレンズ35を挿入することにより、照明形状の縦横寸法の比を変更し、斜線で示す長方形の照明形状を得ている。照明形状の長辺を基板11のショットの長辺(33mm)に合わせ、照明形状の短辺をショットの短辺に合わせるようにする。本実施例では、駆動機構35aでシリンドリカルレンズ35を光軸方向に駆動することで、照明形状の長辺側の照明幅を変更させることができる。このように、駆動機構35aの駆動量を制御することでDMD36への照明幅の変更が可能なので、基板11のショットサイズが変更になった場合においても、光の強度を減少させること無く効率的に使用することが可能である。なお、図3(A’)、図3(B’)でシリンドリカルレンズ35を挿入する前の点線で示す範囲が異なる。図4を用いた先の説明から分かるように、MLA33の焦点距離や配列ピッチ、または、フーリエ変換レンズ34の焦点距離fを変更することで容易に構成することが出来る。
基板11のショットレイアウトは、ショットサイズで決まり、ショットサイズは半導体デバイスのチップサイズから決まり、基板11を有効に使用するショットレイアウトになる。光スキャナ露光装置では、走査距離を変えて走査方向のサイズを変更することが可能である。本発明のインプリント装置が光スキャナ露光装置とのMix and Matchで使用される場合、走査方向の走査距離を変えて変更されたショットサイズに柔軟に対応することが可能となる。
実施例3
実施例3のDMD36に入射する光の矩形形状を変形する機構について図3(C)、図3(C’)を用いて説明する。実施例2では、紙面に平行な方向に凸面を有する凸シリンドリカルレンズ35をフーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bより後ろに配置した。これに対して、実施例3では、図3(C)に示すように、矩形形状を変更する機構として、紙面に平行な方向に凹面(負のパワー)を有する凹シリンドリカルレンズ35を焦点位置bより前方に配置した点が特徴である。この構成により、実施例3では、駆動機構35aでシリンドリカルレンズ35を光軸方向に駆動することで、照明形状の長辺側の照明幅を変更させることができる。このように、照明形状の照明幅の変更が可能なので、基板11のショットサイズが変更になった場合においても、光の強度を減少させること無く効率的に使用することが可能である。図3(C’)で示すように、凹シリンドリカルレンズ35を挿入する前は正方形の照明形状であるのに対し、凹シリンドリカルレンズ35を挿入することにより、照明形状の縦横寸法の比を変更し、斜線で示す長方形の照明形状を得ている。
実施例3のDMD36に入射する光の矩形形状を変形する機構について図3(C)、図3(C’)を用いて説明する。実施例2では、紙面に平行な方向に凸面を有する凸シリンドリカルレンズ35をフーリエ変換レンズ34の後側焦点位置bより後ろに配置した。これに対して、実施例3では、図3(C)に示すように、矩形形状を変更する機構として、紙面に平行な方向に凹面(負のパワー)を有する凹シリンドリカルレンズ35を焦点位置bより前方に配置した点が特徴である。この構成により、実施例3では、駆動機構35aでシリンドリカルレンズ35を光軸方向に駆動することで、照明形状の長辺側の照明幅を変更させることができる。このように、照明形状の照明幅の変更が可能なので、基板11のショットサイズが変更になった場合においても、光の強度を減少させること無く効率的に使用することが可能である。図3(C’)で示すように、凹シリンドリカルレンズ35を挿入する前は正方形の照明形状であるのに対し、凹シリンドリカルレンズ35を挿入することにより、照明形状の縦横寸法の比を変更し、斜線で示す長方形の照明形状を得ている。
[物品製造方法]
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
1:インプリント装置。6:加熱機構。7:制御部。8:モールド。8a:モールドパターン部。11:基板。11a:基板パターン部。14:樹脂。22:アライメント計測系(検出器)。30:光源部。33:MLA。34:フーリエ変換レンズ。35:シリンドリカルレンズ(空間変調素子)。35a:駆動機構。36:DMD。
Claims (16)
- 基板のインプリント材とモールドのパターンとを接触させて前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板における前記インプリント処理を行うインプリント領域を加熱して前記インプリント領域の形状を変更する加熱機構を備え、
前記加熱機構は、光軸に垂直な第1方向および第2方向に長さを有する光束を出射する第1光学系と、該第1光学系から出射された光束の前記第1方向および前記第2方向の幅の比を変更する変更機構と、前記比が変更された光束の強度分布を調整する第2光学系と、を含み、前記第2光学系からの光束で前記インプリント領域を照射することによって前記インプリント領域を加熱することを特徴とするインプリント装置。 - 前記第1光学系は、矩形の光束を出射し、前記変更機構は、前記第1光学系から出射された矩形の光束の縦横寸法の比を変更することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記第1光学系は、光源部と、該光源部から出射された光の強度分布を均一化する光学系と、を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のインプリント装置。
- 前記光の強度分布を均一化する光学系は、2次元に複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイと、フーリエ変換レンズと、を含み、
前記変更機構は、前記フーリエ変換レンズと前記第2光学系との間の光路中に配置されたシリンドリカルレンズを含むことを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。 - 前記シリンドリカルレンズは、正のパワーを有して前記フーリエ変換レンズの後ろ側焦点位置より前記光源部の側に配置されることを特徴とする請求項4のインプリント装置。
- 前記シリンドリカルレンズは、正のパワーを有して前記フーリエ変換レンズの後ろ側焦点位置より前記第2光学系の側に配置されることを特徴とする請求項4のインプリント装置。
- 前記シリンドリカルレンズは、負のパワーを有して前記フーリエ変換レンズの後ろ側焦点位置より前記光源部の側に配置されることを特徴とする請求項4のインプリント装置。
- 前記変更機構は、前記シリンドリカルレンズを光軸方向に沿って駆動する駆動機構を含むことを特徴とする請求項4ないし7のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記インプリント領域に形成されたマークを検出する検出器と、
前記検出器の検出結果に基づいて前記インプリント領域の形状を取得し、該取得された形状に基づいて前記駆動機構の駆動量を制御する制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載のインプリント装置。 - 前記複数のマイクロレンズは、前記第1方向および前記第2方向に同一の焦点距離を有し、前記複数のマイクロレンズは、前記第1方向および前記第2方向に同一のピッチで配列されていること特徴とする請求項4ないし9のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記光源部は、複数のレーザ光源と、該複数のレーザ光源からの光を集束して1つのファイバに導光する光学素子とを含むことを特徴とする請求項3ないし10のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記第2光学系は、複数の液晶素子を含み該複数の液晶素子に対する電圧を個別に制御することで前記強度分布を調整する液晶装置、または、複数のミラー素子を含み該複数のミラー素子の面方向を個別に制御することで前記強度分布を調整するデジタルミラーデバイスを含むことを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記加熱機構は、前記第2光学系によって強度分布が調整された光束を前記インプリント領域に投影する第3光学系を含むことを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記モールドに力を加えて前記モールドの形状を補正するモールド補正機構をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 請求項1ないし14のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 - 光軸に垂直な第1方向および第2方向に長さを有する光束を出射する第1光学系と、該第1光学系から出射された光束の前記第1方向および前記第2方向の幅の比を変更する変更機構と、前記比が変更された光束の強度分布を調整する第2光学系と、を含み、
前記第1光学系は、光源からの光の強度分布を均一化する、2次元に複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイを含み、
前記変更機構は、前記マイクロレンズアレイと前記第2光学系との間の光路中に配置されたシリンドリカルレンズを含み、前記シリンドリカルレンズにより前記幅の比が変更されることを特徴とする照明光学系。
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