JP6921600B2 - インプリント装置、制御データの生成方法、及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置、制御データの生成方法、及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイス等の製造のために基板上に微細なパターンを形成するための装置として、インプリント装置が知られている。インプリント装置は、基板上のインプリント材と、パターンが形成された部分であるパターン部を有する型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、基板上に硬化したインプリント材のパターンを形成する装置である。

特許文献１には、型のパターン部の形状と被処理領域の形状との差に基づいて型のパターン部と被処理領域とを変形させることと並行して、型と基板との水平方向の位置ずれ検出のために被処理領域に設けられたアライメントマークを照明することが記載されている。

特開２０１６−０６３０５４

インプリント装置において重ね合わせ精度を向上するために、型のパターン部と被処理領域とのアライメントを精度良く行うことが期待されている。そのためには型のパターン部や被処理領域に設けられたアライメントマークを精度良く検出する必要がある。本願発明者らは、アライメントマークの検出精度向上に向けてアライメントマークを照明する照明光の高輝度化の検討を進めるうちに、当該照明光によっても被処理領域が変形しうることを新たに見出した。

本発明は上記気付きに鑑みなされたものであり、基板上に予め存在する被処理領域とその上に新たに形成されるインプリント材のパターンとの重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。

本発明は、型を用いて、基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板に設けられたマークを照明光により照明し、前記照明光により照明されたマークからの光を検出するマーク検出系と、加熱により前記被処理領域を変形させる変形手段と、を有し、前記変形手段は、前記型のパターン部の形状と前記被処理領域の形状との差と、前記マークを照明したときの前記基板における前記照明光の熱量分布とに基づいて、前記パターン部の形状と前記被処理領域の形状との差が低減するように前記被処理領域を変形させることを特徴とする。

本発明によれば、基板側に既に形成されている被処理領域と基板上に形成されるインプリント材のパターンとの重ね合わせ精度を向上できる。

第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。 変形機構の構成を示す図である。 加熱機構の構成を示す図である。 パターン領域付近の様子を示す第１図である。 インプリント処理を示すフローチャートである。 アライメント光による熱量分布情報を示す図である。 加熱機構による仮熱量分布情報を示す図である。 加熱機構による熱量分布情報を示す図である。 パターン領域付近の様子を示す第２図である。 ＤＭＤによる変形不良領域を示す図である。 アライメント光の照明位置の変更を説明する図である。 物品の製造方法を示す図である。

［第１実施形態］
（インプリント装置の構成）
図１〜図４を用いてインプリント装置１の構成を説明する。なお、本明細書において同一の部材には同一の符号を付し、重複する詳細な説明は省略する。鉛直方向の軸をＺ軸、当該Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する２軸をＸ軸及びＹ軸としている。

図１は、第１実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す図である。インプリント装置１は、基板９のパターン領域９ａの上（被処理領域上）に供給された光硬化性のインプリント材１５と、モールド７（型）とを接触させた状態でインプリント材１５を硬化させ、硬化したインプリント材１５とモールド７とを引き離す。これにより基板９の上にインプリント材１５のパターンを形成する。これらのインプリント材１５のパターン形成のための処理をインプリント処理という。

照射部２は、基板９上のインプリント材１５に照射するためにインプリント材１５を硬化させるための紫外光（硬化光）２ａを射出する。照射部２から射出された紫外光２ａは、光学素子（例えばダイクロイックミラー）２９で鉛直下方に反射され、モールド７を透過してインプリント材１５に照射される。

モールド７は、基板９と対向する側の面に３次元状のパターンが形成されたパターン部１０を有する。１回のインプリント処理で、パターン部１０と同程度の大きさのインプリント材１５のパターンが基板９の上に形成される。

本実施形態では、被処理領域であるパターン領域９ａがショット領域と同じ大きさの場合を例に説明するが、パターン領域９ａは複数ショット領域分の大きさであってもよい。ショット領域とは露光装置等により既にパターンを形成し終えた下地層の単位領域である。１つのショット領域のサイズは、例えば、２６ｍｍ×３３ｍｍ程度である。１つのショット領域にはユーザが希望するチップサイズのパターンが１つ又は複数形成される。

モールド７の外周形状は矩形形状であり、基板９と反対側には円柱状の凹部を有する。当該凹部、モールド７を保持するモールドチャック１６の開口部１２、透明部材１４によって、密閉された空間１３が形成されている。パターン部１０とインプリント材１５とを接触させる際に圧力調整装置（不図示）により空間１３の圧力を調整しパターン部１０を下に凸に変形させた状態にすることで、パターン部１０の中心部からインプリント材１５に接触させる。これにより、パターン部１０とインプリント材１５との間に気泡が混入することを抑制し、パターン部１０の凹部にインプリント材１５を充填させやすくしている。

本実施形態のようにインプリント材１５が光硬化性材料の場合は、モールド７及び透明部材１４は紫外光２ａが透過可能な材料でなければならない。さらに、後述の加熱機構（変形手段）２４から射出される加熱光２４ａを透過可能な材料でなければならない。例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類を用いてもよい。モールドの材料は、サファイアや窒化ガリウム、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレンなどの樹脂でもよい。あるいはこれらの任意の積層材でもよい。

モールドステージ３は、真空吸着力や静電気力によりモールド７を保持するモールドチャック１６と、モールドチャック１６と共にモールド７を移動させる駆動機構１７と、パターン部１０を変形させる変形機構（変形手段）１８とを有する。モールドチャック１６及び駆動機構１７は、照射部２からの紫外光２ａが基板９に到達するように、中心部に開口部１２を有する。

駆動機構１７は、モールド７をＺ軸方向に移動させる。これにより、モールド７とインプリント材１５とを接触させる動作（押型動作）及びモールド７とインプリント材１５とを引き離す動作（離型動作）を行う。駆動機構１７のアクチュエータとして、例えば、リニアモータ又はエアシリンダがある。駆動機構１７は、粗動駆動系や微動駆動系など、複数の駆動系から構成されていてもよい。また、Ｚ軸方向だけでなく、モールド７をＸ軸方向及びＹ軸方向、及び各軸周りの回転方向への動かすための駆動機構を備えていてもよい。これにより、モールド７の高精度な位置決めが可能となる。

基板ステージ４は、真空吸着力や静電気力により基板９を保持するチャック（不図示）と、当該チャックが載置された天板１９と、天板１９ごと基板９をＸＹ平面内で位置決めするための駆動機構２０とを有する。

駆動機構２０にアクチュエータとして、例えば、リニアモータ又はエアシリンダがある。駆動機構２０は、粗動駆動系や微動駆動系など、複数の駆動系を備えていてもよい。また、Ｘ軸方向及びＹ軸方向だけでなく、基板９をＺ軸方向、及び各軸周りの回転方向への動かすための駆動機構を備えていてもよい。これにより、基板９の高精度な位置決めが可能となる。天板１９の位置は、天板１９の側面に設けられたミラー３０と干渉計３１によって計測される。

天板１９に設けられている基準マーク２１は、保持されたモールド７の水平方向の位置又は、天板１９に対する基板９の水平方向の位置を計測するために利用される。

天板１９に設けられている照度計３７は、照射部２からの紫外光２ａを受光して照度を計測する。

パターン領域９ａの上にインプリント材１５のパターンを形成する形成手段は、少なくとも押型動作、インプリント材１５の硬化、離型動作等を行うための手段を有する。本実施形態において形成手段は、少なくとも駆動機構１７、照射部２、供給部５を含む。

供給部５は、１回のインプリント処理で必要となる量の未硬化状態のインプリント材１５をパターン領域９ａに供給する。つまり、基板ステージ４は、インプリント処理を終えるごとに、モールド７の下方位置と供給部５の下方位置との間で基板９を往復移動させる。

パターン領域９ａに既に形成されたパターンと新たに形成されるインプリント材１５のパターンとの重ね合わせ精度を向上させるためには、パターン部１０及びパターン領域９ａとの水平方向の位置ずれ低減と、これらの形状の差の低減とが必要となる。

まず、パターン部１０及びパターン領域９ａとの水平方向の位置ずれを低減させるための構成について説明する。

インプリント装置１は、パターン部１０及びパターン領域９ａとの水平方向の位置ずれを低減するために、パターン部１０及びパターン領域９ａとの位置ずれ量を精度良く求めるための、アライメント系（マーク検出系）２６及び制御部１００を備えている。

アライメント系２６は、基板９にアライメント光（照明光）を照明し、基板９に設けられアライメント光が照明されたアライメントマーク３３（以下、マーク３３という）からの光を検出する。アライメント系２６は、光源１１、スコープ２２、駆動機構２３、及び光学系２５を有する。光源１１はスコープ２２を介してモールド７及び基板９にアライメント光を照明する。

本実施形態では、パターン部１０に設けられたアライメントマーク３２（以下、マーク３２という）及びパターン領域９ａに設けられたマーク３３は、例えば互いに異なるピッチの縞模様で構成された回折格子である。アライメント光により照明されたマーク３２からの回折光及びマーク３３からの回折光を干渉させてスコープ２２の像面でモアレ縞が形成される。光学系２５はマーク３２からの回折光及びマーク３３からの回折光を導光するための光学素子を含み、駆動機構２３はスコープ２２の像面に配置された撮像素子（不図示）の撮像視野内にモアレ縞が収まるようにスコープ２２を水平方向に駆動する。

制御部１００が当該撮像素子のモアレ縞の検出結果（撮像結果）を解析することで１つのスコープ２２の検出結果あたり１対のマーク３２とマーク３３との位置ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）が検出される。図１では図示を省略しているが、本実施形態ではインプリント装置１は、マーク３２及びマーク３３の対の数だけスコープ２２、駆動機構２３、光学系２５を有する。そして制御部１００はこれらの複数のスコープ２２による検出結果に基づいて、パターン部１０とパターン領域９ａとの位置ずれ量（ΔＸ、ΔＹ、ΔωＺ）を算出する。

アライメント光は、インプリント材１５を硬化させない波長の光である。基板９のプロセスの影響による検出誤差を受けにくくするために、アライメント光は４００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長帯域のうち、連続的又は離散的な波長帯域を含む光であればよい。

なお、本実施形態ではアライメント系２６は、マーク３２及びマーク３３によって形成されたモアレ縞を検出対象としているが、アライメント系２６の検出対象はこれに限られない。例えば、マーク３２及びマーク３３は重ね合わせ検査用のマーク（Ｂｏｘ ｉｎ Ｂｏｘ等）が検出対象でもよい。

アライメント系２６はマーク３２からの光およびマーク３３からの光を同時に検出することも必須ではなく、アライメント光が照明されたマーク３２及びマーク３３からの光を個別に検出してもよい。この場合、マーク３２の位置及びマーク３３の位置の差分を位置ずれ量として検出してもよい。

インプリント装置１は、マーク３２、３３からの回折光により形成されるモアレ縞の検出及びモールド７と基板９との位置合わせを、インプリント材１５を所定のタイミングから硬化させる直前まで行う。モールド７とインプリント材１５とを接触させる前から当該位置合わせを行う場合は、インプリント材１５と接触させる前後で検出対象とするマークを変更してもよい。

次に、パターン部１０及びパターン領域９ａの各形状を補正して、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差を低減させるための構成について説明する。たとえパターン部１０の基板９と対向する側の面の外周形状は設計通りの形状であったとしても、パターン領域９ａの形状は半導体プロセスの影響で様々な形状に変形してしまうことが多い。倍率成分のような単純な成分だけでなく、平行四辺形成分、台形成分等の高次成分を含む形状に変形していることもある。インプリント装置１は、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差を低減させるために変形機構１８及び加熱機構２４を有する。

変形機構１８は、モールド７の側面を取り囲むように配置された押圧部１８ａ〜１８ｐ（図２に図示）を有し、押圧部１８ａ〜１８ｐでモールド７の側面に対して水平方向に力を付与する。押圧部１８ａ〜１８ｐを用いて付与する力を個別に制御することにより、パターン部１０の形状を補正する。押圧部１８ａ〜１８ｐはリニアモータやピエゾアクチュエータ等である。変形機構１８は後述の制御部１０３によって決定された制御量を示す制御データに従って押圧部１８を駆動する。押圧部１８ａ〜１９ｐのための制御量は、押圧部１８ａ〜１８ｐの先端の目標位置又は押圧部１８ａ〜１８ｐで与える目標の力、に対応する電流指令値である。

加熱機構２４は、加熱光２４ａの照度分布を制御しながらパターン領域９ａを加熱することによってパターン領域９ａの形状を補正する。

加熱機構２４の詳細な構成について、図３を用いて説明する。なお、図３では説明を簡易化するため、図１のミラー３８による光路の折り曲げを省略している。

光源６１は加熱用の光を射出する。加熱用の光は、未硬化のインプリント材１５が硬化せず、かつ基板９で熱として吸収されやすい波長の光が好ましい。例えば、４００ｎｍ〜２０００ｎｍである。光源６１からの光は光ファイバ６２及び光学系６３を介してＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏ−ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）６４に入射する。ＤＭＤ６４で選択的に反射された光（以下、加熱光２４ａという）だけが、加熱光２４ａをパターン領域９ａに導くための投影光学系６５を介して基板９上に照射される。

光源６１には、例えば、高出力半導体レーザが用いられる。光学系６３には、光源６１から射出された光を集光させる集光光学系（不図示）、集光光学系からの光の強度を均一化してＤＭＤ６４を照明するための均一照明光学系（不図示）を含む。均一照明光学系は、例えばＭＬＡ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｅｎｓ Ａｒｒａｙ）（不図示）等の光学素子を含む。

ＤＭＤ６４は２次元に配列された複数のマイクロミラー（不図示）を含む。ＤＭＤ６４は、照射制御部６６の指示に基づいて、各マイクロミラーをマイクロミラーの配列面に対して−１２度（ＯＮ状態）、あるいは＋１２度（ＯＦＦ状態）の角度で傾ける。

ＯＮ状態のマイクロミラーで反射された光は、加熱光２４ａとしてＤＭＤ６４と基板９とを光学的に共役関係にする投影光学系６５により基板９上に結像される。ＯＦＦ状態のマイクロミラーで反射された光は、基板９に到達しない方向に反射される。

照射制御部６６はＣＰＵを有し、後述する制御部（生成部、取得部）１０３から指示された制御量に基づいてＤＭＤ６４を制御する。加熱機構２４に対する制御データは各マイクロミラーのＯＮ状態又はＯＦＦ状態の駆動指令を示す照度プロファイルである。パターン領域９ａでは加熱光２４ａの光エネルギーが熱エネルギーに変換されることで、加熱機構２４はパターン領域９ａに照度プロファイルに応じた熱量分布を生じさせ、パターン領域９ａの形状を所望の形状に熱変形させることができる。

モールド７は一方向に力を加えると他方向に延伸する性質がある。そのため、高い重ね合わせ精度が要求されている場合やパターン領域９ａが高次成分を含む形状に変形している場合には、変形機構１８だけでなく加熱機構２４も用いて微小な形状差の低減を図っている。

図４は、マーク３３、加熱機構２４による照明領域３５、パターン領域９ａとの関係を示す図である。パターン領域９ａに６つのチップ領域３４を設けた場合を図示しており、チップ領域３４と重ならない部分であって、パターン領域９ａの四隅付近にそれぞれマーク３３が形成されている。また、加熱機構２４によって加熱する最大の領域である照明領域３５は、パターン領域９ａの内側及びパターン領域９ａの外側でパターン領域９ａと隣接する領域３６も含む。

パターン領域９ａの内部しか加熱しない場合にパターン領域９ａの外周付近の形状を精度良く補正できなくなるところ、領域３６も加熱可能にすることでパターン領域９ａの形状を精度良く補正する。

なお、ＤＭＤ６４と同じように、パターン領域９ａに対して分布をもたせて変形させることができる素子であれば、ＤＭＤ６４以外の素子を使用してもよい。例えば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）でもよい。

制御部１０５は、照射部２、加熱機構２４、モールドステージ３、基板ステージ４、供給部５、アライメント系２６、干渉計３１、記憶部１０６と通信回線を介して接続されている。

制御部１０５は、ＣＰＵやメモリ等を含み、記憶部１０６に格納されている後述の図５のフローチャートに示すプログラムを読み出し、制御部１０５と接続されている前述の制御対象物を制御することで実行する。また、制御部１０５は、制御対象物の制御に必要な変数を記憶部１０６から読み出し又は記憶部１０６に書き込みをする。

制御部１０５の、主な機能を実行する部分を、制御部１００、１０１、１０３、で図示している。制御部１００、１０１、１０３は互いに出力の授受が可能となっている。

制御部１００はアライメント系２６の検出結果から、パターン部１０とパターン領域９ａの位置ずれを算出する。制御部１０１は、制御部１００の算出結果及び干渉計３１の計測結果に基づいて、基板ステージ４を制御する。

制御部１０３は、アライメント系２６がモアレ縞を検出するときのアライメント光の熱量分布情報と、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差と、に基づいて、パターン部１０及びパターン領域９ａの形状補正量を算出する。ここで、熱量分布情報は、少なくとも照明領域３５を含む領域における熱量の分布を示す情報である。熱量分布情報は、例えば、照明領域３５のうちの微小領域の位置と当該微小領域で生じる熱量に対応する画素値とを対応付けた情報の集合でありうる。そして制御部１０３は、算出した当該形状補正量に基づいて加熱機構２４及び変形機構１８を制御するための制御データを加熱機構２４及び変形機構１８のそれぞれについて生成する。

照度プロファイルは、パターン領域９ａの所望の形状補正量に対応する熱量分布情報から生成される（図７〜８参照）。図面において、熱量分布情報の一区画の微小領域（単位領域）は複数のマイクロミラーによって加熱光２４ａが照射される領域に対応しており、各区画で生じさせるべき熱量の温度から各区画に対応するマイクロミラーの使用率［％］から算出される。使用率に応じて、各マイクロミラーをＯＮ状態とする時間、及び、同じタイミングで当該複数のマイクロミラーのうちのＯＮ状態とするミラーとＯＦＦ状態とするマイクロミラーとの分布、を変える。

照度プロファイルは、パターン領域９ａに付与したい熱量が大きいほど、同じタイミングでＯＮ状態のマイクロミラーが多く、また、加熱光２４ａの照射時間が長くなるように生成される。

変形機構１８は生成された制御データが示す電流指令値に基づいてパターン部１０の形状を補正し、加熱機構２４は生成された制御データが示す照度プロファイルに基づいてＤＭＤ６４を制御する。

制御部１０５は、インプリント装置１の他の構成要素と共通の筐体内に設置されてもよいし、筐体外に設置されてもよい。制御部１０５は機能ごとに異なる制御基板で構成されていて制御部１０５がその集合体であってもよいし、複数の機能を含む同一の制御基板で構成されていてもよい。

記憶部１０６は、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状と差に関する形状差情報、光源１１によるアライメント光の熱量分布情報、図５のフローチャートのプログラム、制御部１０３が照度プロファイルを生成する際に必要な情報が記憶されている。形状差情報は、例えば、パターン部１０の下面の面内のある第１位置と、それに対応するパターン領域９ａの面内の第２位置との差のデータの集合でありうる。差のデータは、第１位置から第２位置に向かうベクトル（Δｘ、Δｙ）の成分であったり、当該ベクトル（Δｘ、Δｙ）の大きさであったりしうる。

パターン部１０とパターン領域９ａとの形状差情報は、（ｉ）インプリント装置１の外部の装置から自動で入力された、又は（ｉｉ）ユーザからインターフェースを介して入力される情報である。

例えば（ｉ）の場合に記憶部１０６に入力される情報は、インプリント処理の対象の基板９と同じプロセスを経た基板９に対して、パターン部１０及びパターン領域９ａの形状補正をせずにインプリント処理をした後の重ね合わせ検査装置による検査結果である。例えば（ｉｉ）の場合、形状差情報は、パターン部１０の設計形状とパターン領域９ａの形状との差の情報であったり、外部計測器でパターン部１０及びパターン領域９ａの形状をそれぞれ計測した結果の差分の情報である。

照度プロファイルの生成に必要な情報は、パターン領域９ａの大きさ、単位熱量あたりの基板９の変形量、加熱光２４ａの輝度、加熱光２４ａの照度と基板９の温度との関係、アライメント光の照度と基板９の温度との関係などである。

（インプリント方法）
次に、本実施形態に係るインプリント方法について図５に示すフローチャートを用いて説明する。加熱機構２４が、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差だけでなく、アライメント光の熱量分布にも基づいて、パターン領域９ａの形状を補正する。

Ｓ１０１では、搬送機構（不図示）が基板９をインプリント装置１に搬入する。

Ｓ１０２では、制御部１０３が記憶部１０６からパターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状差情報を取得する。

Ｓ１０３では、制御部１０３が記憶部１０６に記憶されている、アライメント光の熱量分布情報を取得する。本実施形態に係るアライメント光の熱量分布情報を図６に示す。図６はパターン領域９ａの４箇所のマーク３３に対してアライメント光を照明した場合に、加熱光の照明領域３５に生じる熱量分布を示す図である。各格子は、照明領域３５の単位領域である。図６では色の濃い領域（領域ａ）〜薄い領域（領域ｇ）の順に大きな熱量が生じることを示している。つまり、マーク３３付近はその他の領域よりも熱が生じることを示している。

Ｓ１０４では、制御部１０３が、Ｓ１０２及びＳ１０３で取得した情報に基づいてパターン部１０及びパターン領域９ａの形状補正量を決定する。つまり、パターン部１０内及びパターン領域９ａ内の各位置を、ＸＹ方向にどの程度ずらすべきなのかを算出する。形状補正量は、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差がゼロに近づくように（形状差が低減するように）決定される。

例えば、理想的な矩形形状に対する形状補正後のパターン部１０内の各位置のずれ量（Δｄ１、Δｄ２、・・・）と、理想的な矩形形状に対する形状補正後のパターン領域９ａ内の各位値のずれ量（Δｄ１’、Δｄ２’、・・・）との差
｛（Δｄ１−Δｄ１’）、（Δｄ２−Δｄ２’）、・・・｝・・・（１）
をまず算出する。そして、式（１）の各項の２乗和が最小となるような、（Δｄ１、Δｄ２、・・・）及び（Δｄ１’、Δｄ２’、・・・）を算出する。制御部１０３は、算出結果から、形状補正前後のパターン部１０の形状の差、及び形状補正前後のパターン領域９ａの形状の差を、それぞれの形状補正量として算出する。

Ｓ１０５では、制御部１０３が、Ｓ１０４で決定された形状補正量に基づいて、パターン部１０及びパターン領域９ａの形状補正のために必要な制御データを生成する。

このとき、制御部１０３は、Ｓ１０４で算出したパターン部１０の形状補正量に対応する押圧部１８ａ〜１９ｐのための制御量を決定する。

さらに、制御部１０３は、照度プロファイルの決定前に、まず、Ｓ１０４で算出したパターン領域９ａの形状補正量に対応する熱量分布情報を決定する。この段階で得られる熱量分布情報は、パターン部１０とパターン領域９ａの形状差情報のみに基づいて得られる仮の熱量分布情報である。当該仮の熱量分布情報を図７に示す。右側から左側にかけて大きな熱量を与えることを示す熱量分布情報である。

しかし、図７に示す仮の熱量分布情報に対応する照度プロファイルに基づいて加熱光２４ａを付与すると、マーク３３の付近にはアライメント光の照明により生じる熱も加わるため、マーク３３の付近が過剰に温まり熱変形してしまう。そこで、加熱光２４ａが付与する熱量が、図７に示す仮の熱量分布情報から図６に示すアライメント光の熱量分布情報を差し引いた分となるように、制御部１０３は熱量分布情報を補正する。

つまり、各区画において、図７と図６との同じ位置に対応する区画同士の熱量を差し引くことで、図８に示すような熱量分布情報を生成し、補正した熱量分布情報に基づいて照度プロファイルを決定する。補正後の熱量分布情報は、マーク３３の付近に関して仮の熱量分布情報よりも少ない熱量でパターン領域９ａを加熱することを示す情報となる。

Ｓ１０６では、供給部５がパターン領域９ａにインプリント材１５を供給する。

Ｓ１０７では、基板ステージ４が、インプリント材１５が供給されたパターン領域９ａがモールド７と対向する位置まで基板９を移動させ、モールドステージ３がモールド７を下降させてパターン部１０ａとインプリント材１５とを接触させる（押型動作）。

Ｓ１０８では、Ｓ１０５で制御部１０３が決定した制御量に基づいて変形機構１８がパターン部１０の、Ｓ１０５で制御部１０３が決定した照度プロファイルに基づいて加熱機構２４がパターン領域９ａの形状補正を開始する。これにより、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差が低減する。なお、形状補正動作はインプリント材１５を硬化するまで継続して行う。

Ｓ１０９では、アライメント系２６がマーク３２、３３にアライメント光を照明して、モアレ縞マークを検出する。そして、制御部１００が検出結果に基づいて水平方向の位置ずれ量を算出し、当該位置ずれを相殺するように基板ステージ４が基板９を移動させる。アライメント光の照明により、マーク３３付近は微小に変形し、Ｓ１０８の段階よりもさらにパターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差が低減する。

Ｓ１１０では、パターン部１０の凹部にインプリント材１５が充填し終えたタイミングで、照射部２が紫外光２ａを射出しインプリント材１５を硬化させる。

Ｓ１１１では、モールドステージ３がモールド７を上昇させてパターン部１０ａとインプリント材１５とを引き離す（離型動作）。アライメント系２６はアライメント光の照明を終了し、加熱機構２４は加熱光２４ａの照射を終了する。

Ｓ１１２では、制御部１０５が硬化したインプリント材１５のパターンを形成していないパターン領域９ａがあるかどうかを判断し、ある場合はＳ１０６〜Ｓ１１２の処理を繰り返す。Ｓ１１２でインプリント材１５のパターンを形成していないパターン領域９ａが無いと判断した場合は、プログラムを終了する。

加熱機構２４が、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差と、基板９におけるアライメント光の熱量分布に基づいてパターン領域９ａを変形させる。より具体的には、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差に基づいて生成された熱量分布を、アライメント光の熱量分布に基づいて補正した情報に基づいて生成された照度プロファイルに基づいてパターン領域９ａを変形させる。

形状差情報のみに基づいてパターン領域９ａを変形させた場合に比べて、マーク３３付近が過剰に変形することを抑制することができる。これにより、パターン領域９ａと基板９上に新たに形成されるインプリント材１５のパターンとの重ね合わせ精度を向上できる。

なお、Ｓ１０４は形状の差から得られた熱量分布情報からアライメント光の熱量分布情報を差し引いた場合を示したが、補正後の照度プロファイルの算出方法はこれに限られない。例えば、形状の差から得られた熱量分布情報の各区画でのマイクロミラーの使用率から、アライメント光の熱量分布情報に対応する各区画でのマイクロミラーの使用率を差し引いた結果に基づいて、照度プロファイルを決定してもよい。

Ｓ１０４で式（１）の形状の差が最も小さくなる場合の一例として各項の２乗和が最小となる場合を挙げたが、本発明の適用範囲はこれに限られない。式（１）の各項の和が最小になる場合や代表的な領域に対応する位置ずれ量が最小になる場合であってもよい。或いは、式（１）の各項に重みづけをしてもよい。

Ｓ１０２〜Ｓ１０５の工程は、インプリント対象の基板９がインプリント装置１に搬入される前に行ってもおいてもよい。

Ｓ１０２とＳ１０３の工程はどちらが先に行われてもよい。Ｓ１０８及びＳ１０９の工程はどちらが先に行われてもよい。

［第２実施形態］
第２実施形態に係るインプリント装置１は、前述のインプリント処理のＳ１０４及びＳ１０５において制御部１０３で行う処理内容以外は第１実施形態と同様である。

第１実施形態ではアライメント光の熱量分布に起因するパターン領域９ａの形状変化を、形状補正の誤差を加熱機構２４のみで補正する実施形態であったが、本実施形態ではこれを変形機構１８の制御量及び加熱機構２４の照度プロファイルで補正する。

Ｓ１０４の代わりに行う処理内容について説明する。まず、制御部１０３は、基板９におけるアライメント光の熱量分布情報に基づいて、アライメント光が照明されることによるパターン領域９ａの形状変化量を算出する。次に、Ｓ１０２で取得した形状差情報からをアライメント光による熱量分布によって生じるパターン領域９ａの形状変化量を差し引くことで、形状差情報を補正する。その後、補正後の形状差情報に基づいて第１実施形態と同様にしてパターン部１０及びパターン領域９ａの形状補正量をそれぞれ決定する。

Ｓ１０５の代わりに行う処理内容について説明する。制御部１０３が、Ｓ１０４で決定されたパターン部１０及びパターン領域９ａの形状補正量に基づいて、パターン部１０及びパターン領域９ａの形状補正のために必要な制御量をそれぞれ決定する。既にアライメント光の熱量分布によるパターン領域９ａの形状変化が加味されているため、制御部１０３は加熱機構２４の照度プロファイルを決定するに際して新たにＳ１０５のようなアライメント光の熱量分布に基づく補正は行わない。

これにより、加熱機構２４はアライメント系２６の熱量分布を考慮しない場合に比べてアライメント光が照明される領域に対して加熱光２４ａの照度が低減されるようにパターン領域９ａの形状を補正する。また、変形機構１８はアライメント系２６の熱量分布を考慮しない場合に比べて膨張した形状にパターン部１０の形状を補正する。

このように、本実施形態では、変形機構１８及び加熱機構２４が、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差と、基板９におけるアライメント光の熱量分布に基づいてパターン領域９ａを変形させる。これによりパターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差が低減し、パターン領域９ａと基板９上に新たに形成されるインプリント材１５のパターンとの重ね合わせ精度を向上できる。

［第３実施形態］
第３実施形態に係るインプリント装置１は、基板９におけるアライメント光の熱量分布によって生じるパターン領域９ａの形状変化を、変形機構１８のみで補正する点で第１、第２実施形態と異なる。説明を簡易にするため、インプリント装置１が加熱機構２４を有しないものとして以下説明する。

このとき、制御部１０３は、前述のインプリント処理のＳ１０４では、パターン部１０とパターン領域９ａの形状差情報とアライメント光の熱量分布情報とに基づいてパターン部１０の形状補正量を決定する。具体的には、Ｓ１０３で取得されたアライメント光による熱量分布情報に基づいて、当該熱量分布によって生じるパターン領域９ａの形状変化量を算出する。そして、パターン部１０とパターン領域９ａとの形状差情報から算出されたアライメント光による形状変化量を差し引いてパターン部１０の形状補正量を決定する。制御部１０３は、Ｓ１０８で、得られた形状補正量でパターン部１０の形状補正に必要な押圧部１８ａ〜１８ｐの制御量を決定する。

図６に示したようなアライメント光の熱量分布では、パターン領域９ａの四隅がその外側に向かって延伸しやすくなる。そこで、制御部１０３は押圧部１８ａ、１８ｄ、１８ｅ、１８ｈ、１８ｉ、１８ｌ、１８ｍ、１８ｐからモールド７に付与する力を、アライメント光の熱量分布を考慮しない場合よりも低減させる。変形機構１８がパターン部１０の四隅がその外側に向かって延伸させることで、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差を低減させることができる。

このように、第３実施形態では変形機構１８が、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差と、基板９におけるアライメント光の熱量分布に基づいてパターン領域９ａを変形させる。これにより、アライメント光の熱量分布を考慮しないでパターン部１０の形状補正をした場合に比べて、パターン領域９ａと基板９上に新たに形成されるインプリント材１５のパターンとの重ね合わせ精度を向上できる。

なお、本実施形態に係るインプリント装置１が加熱機構２４を有していてもよい。この場合、加熱機構２４はアライメント光の熱量分布情報は考慮せずにパターン部１０とパターン領域９ａの形状差情報に基づいて生成された照度プロファイルに従ってパターン領域９ａを加熱するとよい。

［第４実施形態］
基板９におけるアライメント光の熱量分布によってパターン領域９ａの位置が基板９のＸＹ平面内で位置ずれする場合がある。ＸＹ平面内での位置ずれは、並進ずれ及び回転ずれの少なくとも一方を含む。例えば、図９に示すように、パターン領域９ａの縦横方向に線対称でなくマーク３３が配置されている場合は、パターン領域９ａが回転ずれする場合が起こりうる。

マーク３２及びマーク３３からの回折光により形成されるモアレ縞がスコープ２２の撮像素子の撮像視野に入らないほどパターン領域９ａがずれてしまうと、モアレ縞を検出できる位置を探索するために基板ステージ４が基板９を移動させる必要が生じる。そのため、インプリント処理のＳ１０９の工程に時間がかかりすぎてしまう。

そこで、第４実施形態に係るインプリント装置１は、基板ステージ４が、基板９におけるアライメント光の熱量分布情報に基づいて、パターン部１０とパターン領域９ａの基板９に沿う方向（ＸＹ平面方向）の相対位置を補正する補正手段として機能する。

前述のインプリント処理のＳ１０２で、制御部１０３は、アライメント光の熱量分布情報を取得した時にその熱量分布情報からパターン領域９ａのＸＹ平面内で位置ずれが生じるかどうかを判断する。位置ずれが生じる場合は、制御部１０３は、パターン領域９ａのずれる方向及び位置ずれ量を算出する。算出結果に基づいて、制御部１０１は基板ステージ４に基板９におけるアライメント光の熱量分布によって生じるパターン部１０とパターン領域９ａとの相対位置ずれを低減する方向（相殺する方向）に基板９を移動させる。

なお、基板ステージ４の代わりに、又は基板ステージ４と共に、モールドステージ３をパターン部１０とパターン領域９ａの基板９に沿う方向（ＸＹ平面方向）の相対位置を補正する補正手段として用いてもよい。

これにより、パターン領域９ａと基板９上に新たに形成されるインプリント材１５のパターンとの重ね合わせ精度を向上できる。さらに、アライメント光の入熱によってパターン領域９ａの位置ずれが生じる場合であっても、パターン部１０とパターン領域９ａとの位置合わせを迅速に行うことができる。

基板９におけるアライメント光の熱量分布に起因してパターン領域９ａの形状変化も生じる場合には、第１〜第３実施形態のいずれかを実施することによりパターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差を低減することが好ましい。

［第５実施形態］
ＤＭＤ６４の一部のマイクロミラーが故障してミラーをＯＮ状態にできなくなった場合、図１０に示す領域４０のように一部の領域だけ加熱をできない場合が起こりうる。

そこで、本実施形態では、アライメント系２６が、加熱機構２４による変形不良を補償する。具体的には、アライメント系２６は、加熱機構２４によって変形が不良になる位置を示す情報に基づいて、アライメント光の、照度分布、照明範囲、輝度、及び照明領域の位置、の少なくとも１つを変更することにより、加熱機構２４による変形不良を補償する。なお、本明細書において「変形が不良」とは、パターン領域９ａを全く変形させることができない場合だけを意味するのではなく、パターン領域９ａの少なくとも一部の領域を加熱機構２４が正常に動作するときと同程度に変形させることができない場合も含む。

図１１は、アライメント光の照明位置の変更を説明する図である。例えば、ＤＭＤ６４が領域４０を加熱できない場合は、照明領域を領域４１から領域４２に変更する。つまり照明領域の中心位置を加熱機構２４で加熱できない位置に近づけることで、加熱機構２４による変形不良を補償する。なお、照明領域を領域４２に変更しても、そのマーク３３が照明領域に含まれているのでアライメント系２６はマーク３３によって生じるモアレ縞を観察することは可能である。

アライメント系２６が互いに輝度の異なる光源１１を複数備えている場合は、アライメント系２６は、単なるモアレ縞の観察のためだけにアライメント光を照明する場合よりも輝度の高い光源１１に切り替えることで加熱機構２４の変形不良を補償してもよい。光源１１を切り替えない場合に比べて精度良く領域４０に与えるべき熱量を補償することができる。

アライメント系２６が、アライメント光の光路中にＤＭＤ（不図示）等の照度分布を変更可能な手段を備えている場合は、加熱機構２４の変形不良となる領域にアライメント光が照射されるようにその照度分布を変更してもよい。

アライメント系２６は、加熱機構２４で加熱できない領域４０を含むように照明範囲を拡大して加熱機構２４の変形不良を補償してもよい。アライメント系２６は、アライメント光の、照度分布の変更、照明範囲の変更、輝度の変更、及び照明領域の位置の変更、を組み合わせて行うことで、加熱機構２４の変形不良を補償してもよい。

制御部１０３は、変更後のアライメント光の照度分布、照明範囲、輝度、照明領域の位置によって基板９に生じる熱量分布に基づいて照度プロファイルを生成する。

なお、加熱機構２４が加熱できない領域４０がマーク３３から離れた位置で発生する場合であってパターン領域９ａを余熱により変形させ続けることが可能な場合は、アライメント系２６は一時的にマーク３３からの光の検出を停止してもよい。アライメント系２６は、加熱機構２４で加熱する場合と同程度又はそれ以上に領域４０を加熱したあとでマーク３３からの光を検出すればよい。

［第６実施形態］
本実施形態に係るインプリント装置は、アライメント系２６が、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差に基づいてアライメント光の照度分布を制御する。つまり、制御部１０３が取得したパターン部１０とパターン領域９ａとの形状差情報に基づいて、制御部１０３がアライメント光の照明時刻と照明領域との関係を決定し、決定した結果に基づいてアライメント系２６が基板９を照明する。アライメント系２６は、パターン領域９ａの変形及びマーク３３の照明を、順次、又は交互に行う。基板９が蓄熱しやすい材料の場合、一度照明したときの余熱でパターン領域９ａは変形したままの状態となる。

アライメント系２６は、パターン領域９ａの外側にアライメント光の照明領域の中心位置を配置してパターン領域９ａを収縮させるような形状補正をしてもよい。又は、アライメント系２６は、パターン領域９ａの外側にアライメント光の照明領域の中心位置を配置してパターン領域９ａを膨張させるような形状補正をしてもよい。

これにより、アライメント系２６を用いてパターン領域９ａを変形してパターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差を低減しつつ、マーク３２及びマーク３３からの光で形成されるモアレ縞の検出できる。したがって、パターン部１０及びパターン領域９ａとの水平方向の位置ずれ低減と、これらの形状差の低減とが達成され、パターン領域９ａとインプリント処理によって形成されるインプリント材１５のパターンとの重ね合わせ精度を向上できる。

アライメント系２６は互いに輝度の異なる光源１１を複数備えていてもよい。この場合、アライメント系２６が、単なるモアレ縞の検出のためにアライメント光を照明する場合と、パターン領域９ａの形状補正のためにアライメント光を照明する場合とで、光源１１を変更してもよい。アライメント系２６が、単なるモアレ縞の検出のためにアライメント光を照明する場合と、パターン領域９ａの形状補正のためにアライメント光を照明する場合とで、照明範囲を変更してもよい。

本実施形態は、アライメント系２６を加熱機構２４の代わりに用いた実施形態で実施形態である。インプリント装置１の構成及び機能のうち、加熱機構２４に関すること以外は前述の他の実施形態と同様である。変形機構１８は備えていてもいなくてもよい。パターン領域９ａの形状補正量が比較的少ない場合に有利な実施形態である。

［第７実施形態］
アライメント光の光源１１が経時的に劣化して、アライメント光の照明領域内での照度の低下や照度分布の変化が起こりうる。これに伴い、基板９におけるアライメント光の熱量分布が変化する場合がある。

そこで、第７実施形態に係るインプリント装置１は、照度計（計測部）３７が定期的にアライメント光を受光してアライメント光の照度分布を計測し、計測結果に基づいて制御部１０５が記憶部１０６に記憶されるアライメント光の熱量分布を更新する。アライメント系２６が互いに輝度の異なる光源１１を複数備えている場合は、それぞれの光源１１の照度分布を計測し、対応する熱量分布を生成する。

インプリント装置１は、所定のタイミングでアライメント光の照度分布を計測する。計測は、基板ステージ４が照度計３７にアライメント光が照射されるように基板９を移動させることにより行う。照度計３７が一度に計測可能な範囲がパターン領域９ａよりも狭い場合は、複数回に分けてアライメント光の照明領域内の異なる領域の照度計測をした結果を統合することでアライメント光の照度分布を得てもよい。前述の所定のタイミングは、所定枚数の基板を処理した後、所定の期間の経過後、モールド７を交換する時、インプリント装置１のメンテナンス時、等である。

本実施形態は、前述の第１〜第６実施形態のいずれとも組み合わせて実施してもよい。

これにより、光源１１の劣化に起因して基板９におけるアライメント光の熱量分布が変化する場合であっても、パターン部１０の形状とパターン領域９ａの形状との差を精度良く低減することができるようになる。よって、パターン領域９ａと基板９上に新たに形成されるインプリント材１５のパターンとの重ね合わせ精度を向上できる。

［その他の実施形態］
加熱機構２４は、加熱光２４ａによる光エネルギーを用いてパターン領域９ａを変形させるものでなくてもよい。ヒーター等を用いて基板９の裏面（インプリント材１５のパターンが形成される面と反対側の面）から生じる熱エネルギーで加熱することによって、パターン領域９ａを変形させてもよい。

インプリント材１５として、前述の光硬化性の組成物に限らず、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外光などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型動作剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材１５は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。

［物品の製造方法］
インプリント装置１を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１２（ａ）は前述の工程Ｓ１０６に対応しており、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板９を用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材１５を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材１５が基板上に付与された様子を示している。

図１２（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド７を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材１５に向け、対向させる。図１２（ｃ）は前述の工程Ｓ１０７に対応しており、インプリント材１５が付与された基板９とモールド７ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材１５はモールド７ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとしてモールド７ｚを透過するように光を照射すると、インプリント材１５は硬化する。

図１２（ｄ）は前述の工程Ｓ１１０に対応し、インプリント材１５を硬化させた後、モールド７ｚと基板９を引き離すと、基板９上にインプリント材１５の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材１５にモールド７ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１２（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとして加工工程としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１２（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

基板９の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。加工工程はさらに、他の周知の処理工程（現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含んでもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

７ モールド
９ 基板
９ａ パターン領域（被処理領域）
１０ パターン部
１５ インプリント材
２４ 加熱機構（加熱手段）
２６ アライメント系
３２、３３ マーク

Claims (16)

1. 型を用いて、基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記基板に設けられたマークを照明光により照明し、前記照明光により照明されたマークからの光を検出するマーク検出系と、
   加熱により前記被処理領域を変形させる変形手段と、を有し、
   前記変形手段は、前記型のパターン部の形状と前記被処理領域の形状との差と、前記マークを照明したときの前記基板における前記照明光の熱量分布とに基づいて、前記パターン部の形状と前記被処理領域の形状との差が低減するように前記被処理領域を変形させることを特徴とするインプリント装置。
2. 前記マーク検出系が前記照明光を照明している間に、前記変形手段は前記被処理領域を変形させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記変形手段は、前記照明光の熱量分布に基づかずに前記被処理領域を変形させる場合よりも、前記照明光が照明される領域に対して少ない熱量で前記被処理領域を加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
4. 前記変形手段は、前記被処理領域に付与すべき熱量分布に関する熱量分布情報に基づいて前記被処理領域を加熱し、
   前記熱量分布情報は、前記形状差に基づいて生成された仮の熱量分布情報を、前記照明光の熱量分布に基づいて補正した情報であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記変形手段は第１変形手段であって、前記型のパターン部を変形させる第２変形手段を有し、
   前記第２変形手段は、前記パターン部の形状と前記被処理領域の形状との差と、前記マークを照明したときの前記基板における前記照明光の熱量分布に基づいて前記パターン部を変形させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記変形手段は前記被処理領域に加熱光を照射することにより前記被処理領域を変形させ、
   前記加熱光の波長帯域は、前記インプリント材を硬化させるための硬化光の波長帯域と異なることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記マーク検出系は、前記変形手段による前記被処理領域の変形が不良になる位置を示す情報に基づいて、照明光の、照度分布、照明範囲、輝度、及び照明領域の位置、の少なくとも１つを変更することにより前記変形手段による変形不良を補償すること特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 型を用いて、基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記基板に設けられたマークに照明光を照明し、前記基板に設けられ前記照明光が照明されたマークからの光を検出するマーク検出系と、
   前記型のパターン部を変形させる変形手段と、を有し、
   前記変形手段は、前記パターン部の形状と前記被処理領域の形状との差と、前記基板における前記照明光の熱量分布とに基づいて前記パターン部を変形させて、前記パターン部の形状と前記被処理領域の形状との差を低減させることを特徴とするインプリント装置。
9. 前記パターン部と前記被処理領域との前記基板に沿う方向の相対位置を補正する補正手段を有し、
   前記補正手段は、前記基板における前記照明光の熱量分布に基づいて、前記照明光の熱により生じる前記相対位置のずれを低減するように前記相対位置を補正することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 型を用いて、基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板に設けられたマークに照明光を照明し、前記照明光が照明されたマークからの光を検出するマーク検出系と、
    前記型のパターン部と前記被処理領域との前記基板に沿う方向の相対位置を補正する補正手段と、を有し、
    前記補正手段は、前記基板における前記照明光の熱量分布に基づいて、前記照明光の熱により生じる前記相対位置のずれを低減するように前記相対位置を補正することを特徴とするインプリント装置。
11. 前記照明光の照度分布を計測する計測部をさらに有し、
    前記計測部の計測結果に基づいて前記基板における前記照明光の熱量分布を更新することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
12. 型を用いて、基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板に設けられたマークを照明光により照明し、前記照明光が照明されたマークからの光を検出するマーク検出系を有し、
    前記マーク検出系は、前記型のパターン部の形状と前記被処理領域の形状との差に基づいて前記照明光の照度分布を制御することを特徴とするインプリント装置。
13. 前記マーク検出系は、前記被処理領域のうち前記マークが設けられていない領域に前記照明光を照明するときに、前記形状差に基づく前記照度分布の制御をすることを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。
14. 前記インプリント材を硬化する硬化光を照射する照射手段を有し、
    前記照明光の波長帯域は、前記硬化光の波長帯域と異なることを特徴とする請求項１乃至１３に記載のインプリント装置。
15. 型を用いて基板の被処理領域上にインプリント材のパターンを形成し、前記型のパターン部と基板上の被処理領域との少なくとも一方の形状を変形させる変形機構と前記基板に照明光を照明し前記基板に設けられ前記照明光が照明されたマークからの光を検出するマーク検出系とを備えたインプリント装置で使用される、前記変形機構を制御するための制御データの生成方法であって、
    前記パターン部の形状と前記被処理領域の形状との差に関する形状差情報と、前記基板における前記照明光の熱量分布情報と、を取得する工程と、
    前記工程で取得された、前記形状差情報及び前記熱量分布情報に基づいて、前記制御データを生成する工程と、
    を有することを特徴とする制御データの生成方法。
16. 請求項１乃至１５に記載のインプリント装置を用いて基板の被処理領域上にパターンを形成する工程と、
    前記工程でパターンの形成された基板を処理する処理工程と、を有し、
    前記処理した基板の少なくとも一部を含む物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

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