TWI651762B - 對位裝置，對位方法，光蝕刻裝置，及物品製造方法 - Google Patents

對位裝置，對位方法，光蝕刻裝置，及物品製造方法 Download PDF

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Abstract

在對位裝置中，量測部包含照明：配置於底版或底版保持部的粗略量測用的第1底版側標記及精密量測用的第2底版側標記、及配置於基板或基板保持部的粗略量測用的第1基板側標記及精密量測用的第2基板側標記的照明部。量測部，以第1條件使照明部照明，基於來自第1底版側標記及第1基板側標記的光來進行粗略量測；量測部，以第2條件使照明部照明，基於來自第2底版側標記及第2基板側標記的光來進行精密量測。

Description

對位裝置，對位方法，光蝕刻裝置，及物品製造方法
[0001] 本發明係有關於對位裝置、對位方法、光蝕刻裝置、及物品製造方法。
[0002] 作為將底版的圖案轉印至基板的光蝕刻裝置，例如，可以舉出曝光裝置及壓印裝置。曝光裝置藉由在塗佈有感光材的基板上通過投影光學系統而投影底版的圖案，藉此在感光材上形成對應底版圖案的潛像圖案。壓印裝置，以使配置於基板之上的壓印材接觸底版(模具)的狀態而使壓印材硬化，藉此將壓印材形成對應底版的圖案的圖案。 　　[0003] 在光蝕刻裝置，底版與基板的對位是必要的。專利文獻1揭示了關於壓印裝置，使模與基板以隔著壓印材的狀態接觸，而進行對位的方法。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] [專利文獻1]日本特開2011-181944號公報
[發明所欲解決的問題] 　　[0005] 作為用於對位的對準標記，會有使用量測範圍與量測精度相互不同的複數種類的標記的情形。此時，標記的材質、圖案形狀或厚度等會所不同。或者，因為在標記上形成製程層等，而標記的反射率會有所不同。當標記的反射率不同時，來自複數種類的標記的光的各檢出光量會產生差異。因為該原因，會使底版與基板的相對位置的量測精度降低，無法進行高精度的對位。 　　[0006] 本發明例如提供一種有利於底版與基板的對位的高精度化的技術。 [解決問題的手段] 　　[0007] 根據本發明的一側面，提供一種使底版與基板的位置一致的對位裝置，具有：保持前述底版的底版保持部；保持前述基板的基板保持部；包含照明：配置於前述底版或前述底版保持部的粗略量測用的第1底版側標記及精密量測用的第2底版側標記、及配置於前述基板或前述基板保持部的粗略量測用的第1基板側標記及精密量測用的第2基板側標記的照明部，且量測前述底版與前述基板的位置偏移的量測部；其中，前述量測部，以第1條件使前述照明部照明，基於來自前述第1底版側標記及前述第1基板側標記的光來進行粗略量測；前述量測部，以第2條件使前述照明部照明，基於來自前述第2底版側標記及前述第2基板側標記的光來進行精密量測。 [發明的效果] 　　[0008] 根據本發明，例如能提供一種有利於底版與基板的對位的高精度化的技術。 　　[0009] 本發明的其他特徵及優點，根據參照附加圖式的以下說明能更加明確。此外，在附加圖式中，相同或同樣的構成會附加相同參照編號。
[實施形態] 　　[0011] 以下，根據附加圖式詳細說明本發明的實施形態。本發明的對位裝置雖可適用於壓印裝置及曝光裝置等的光蝕刻裝置中的底版與基板的對位裝置，但也可以適用於加工裝置、檢查裝置、顯微鏡等其他裝置。以下，說明本發明的對位裝置適用於壓印裝置之例。 　　[0012] [第1實施形態] 　　首先，說明關於第1實施形態的壓印裝置的構成。圖1為表示本實施形態的壓印裝置1的代表的構成的圖。壓印裝置1為一種使被供應至基板上的壓印材與模接觸，藉由對壓印材施予硬化用的能量，將轉印有模的凹凸圖案的硬化物的圖案形成於基板上的裝置。 　　[0013] 壓印材係使用因賦予硬化用的能量而硬化的硬化性組成物(也稱為未硬化狀態的樹脂)。作為硬化用的能量，可以使用電磁波、熱等。作為電磁波，例如，為該波長從10nm以上1mm以下的範圍內所選擇出的紅外線、可見光線、紫外線等光。 　　[0014] 硬化性組成物為藉由光的照射，或者藉由加熱而硬化的組成物。此時，因光而硬化的光硬化性組成物，至少含有聚合性化合物及光聚合起始劑，因應必要也可以含有非聚合性化合物或者溶劑。非聚合性化合物為：增感劑、氫供應體、內添型離型劑、界面活性劑、抗氧化劑、聚合物成份等的群中所選出的至少一種。 　　[0015] 壓印材係藉由旋塗機或狹縫塗佈機在基板上被賦予成膜狀。或著藉由液體噴射頭，以成為液滴狀、或著複數液滴連結起來的島狀或膜狀的方式被賦予在基板上也可以。壓印材的黏度(25℃時的黏度)為例如1mP(a)・s以上100mP(a)・s以下。 　　[0016] 基板可以使用玻璃、陶瓷、金屬、半導體、樹脂等，因應必要，在該表面以與基板不同的其他材料所構成的構件來形成也可以。作為基板，具體上是矽基板、化合物半導體基板、石英玻璃等。 　　[0017] 此外，本實施形態的壓印裝置採用光硬化法。又，在圖1中，在基板面取在平行的面內相互垂直的X軸及Y軸，而將垂直X軸與Y軸的方向取為Z軸。壓印裝置1具備：照射光的照射部2、進行為了底版即模(模具)與基板的對位之量測的量測部3、將模保持的模保持部4、將基板保持的基板載台5、供應壓印材的供應部6、控制部12。 　　[0018] 照射部2在使模7與基板8上的壓印材接觸的壓模處理之後，為了使壓印材硬化，而對模7及壓印材照射紫外光。照射部2可以具有：出射紫外光的光源、用以將從該光源射出的紫外光對模7及壓印材以預定的形狀均勻地照射的複數光學元件。例如，照射部2的光照射區域(照射範圍)，可以是與模7的凹凸圖案7a的表面積為相同程度、或是比凹凸圖案7a的表面積還大一點的面積。這是因為藉由將照射區域控制在必要最小限度內，能抑制因照射而伴隨的熱使得模7或基板8膨漲在壓印材的圖案產生位置偏差及應變。而且，也因為能防止因為由基板8等反射的紫外光到達供應部6而使殘留在供應部6內的壓印材硬化，在供應部所進行的後續動作產生異常。作為光源，例如，可以採用高壓水銀燈管、各種激元燈、準分子雷射或發光二極體等。此外，該光源雖然可以因應被受光體壓印材的特性而適宜地選擇，但不因光源的種類、數或波長等而有所限定。 　　[0019] 在模7的相對於基板8的面，以三維狀形成預定的圖案(例如，電路圖案等凹凸圖案7a)。此外，模7的材質為能夠使紫外線透過的石英等。 　　[0020] 模保持部4為藉由真空吸附力或静電力來將模7吸引保持的底版保持部。該模保持部4包含：將模7吸附保持的夾盤、使該夾持在Z軸方向驅動的模驅動機構、使模7在X軸方向及Y軸方向變形而補正壓印材的圖案的應變的倍率補正機構。模驅動機構為了使模7接觸被供應至基板8上的壓印材而設置。此外，壓印裝置1中的壓附及離型的各動作，雖可藉由這樣使模7在Z軸方向上移動來實現，但例如也可以藉由使基板載台5(亦即基板8)在Z軸方向上移動而實現，或者，使兩者移動也可以。 　　[0021] 基板載台5為將基板8藉由例如真空吸附來保持，且在XY平面內移動可能的基板保持部。在這裡，基板8例如是由單晶矽所形成的被處理體，在該被處理面，供應由模7所成形的壓印材9。 　　[0022] 進行用以使基板8與模7的相對位置一致的量測的量測部3，光學地檢出配置於模7或模保持部4的標記10、與配置於基板8或基板載台5的標記11，而量測標記間的相對位置。以下，說明將標記10配置於模7，將標記11配置基板者。量測部3，以使配置於模7或基板8的標記位置一致的方式，在X軸方向及Y軸方向以驅動可能的方式構成。又，量測部3，為了使標記的位置對焦，在Z軸方向也以驅動可能的方式構成。 　　[0023] 控制部12電連接至照射部2、量測部3、模保持部4、基板載台5、及供應部6，分別對其發送控制指令，或從其等分別取得資訊。例如，控制部12取得量測部3所量測到的標記間的相對位置資訊，基於該資訊而控制基板載台5與包含模保持部4的模倍率補正機構的驅動部之驅動。關於量測部3與標記10及11將於之後詳述。本實施形態中的對位裝置，例如，包含：模保持部4、基板載台5、量測部3、控制部12。 　　[0024] 供應部6供應壓印材9至基板8上。該壓印材9為具有藉由接受紫外線而硬化的性質的光硬化性的壓印材，可以因應半導體裝置的種類而適宜選擇。此外，在圖1中，雖在壓印裝置1的內部有供應部6，但不將供應部6設置於壓印裝置1的內部而設於壓印裝置1的外部也可以。將供應部6設於外部的情形，將藉由供應部6預先供應壓印材的基板8導入至壓印裝置1的內部而構成。根據該構成，因為在壓印裝置1的內部沒有了將壓印材供應至基板8上的工程，在壓印裝置1的處理可以迅速化。 　　[0025] 接著，說明壓印裝置1的壓印處理。首先，由未圖示的基板搬送部將基板8搬送至基板載台5上，將基板8載置及固定。接著，使基板載台5向供應部6供應壓印材的位置移動，之後，供應部6對基板8的壓印對象即射擊區域供應壓印材9(供應工程)。接著，使基板載台5移動而使基板8的射擊區域位於模7的正下方。接著，使模驅動機構驅動，使模7接觸基板8上的壓印材9(壓模工程)。藉此壓印材9沿著形成於模7的凹凸圖案7a而流動。之後，藉由量測部3分別檢出配置於模7及基板8的標記10及11，實施因基板載台5的驅動造成的模7的圖案面與基板8的射擊區域的對位、及因倍率補正機造成的模7的倍率補正等。使得壓印材9的向凹凸圖案7a的流動、模7與基板8的對位及模的倍率補正等成為充足的狀態。在該狀態下，照射部2從模7的背面(上面)照射紫外光，藉由透過模7的紫外光來使壓印材9硬化(硬化工程)。此時，量測部3配置於不遮蔽紫外光的光路的位置。接著，使模驅動機構再驅動，將模7從硬化的壓印材9上拉離(離型工程)。根據以上的工程，模7的凹凸圖案7a被轉印至基板8上的壓印材9。 　　[0026] 接著，說明量測部3、和分別配置於模7及基板8的對位用標記10及11(對準標記)的詳細。圖2表示本實施形態的量測部3的構成的一例的圖。量測部3具有：檢出光學系統21(檢出部)、照明光學系統22(照明部)、處理部26、及控制部37。照明光學系統22將來自光源部23的光，利用稜鏡24等來導向與檢出光學系統21相同的光軸上，照明標記10及11。光源部23使用例如鹵素燈及LED、半導體雷射(LD)、高壓水銀燈管、金屬鹵化物燈管，以照射未含有使壓印材硬化的紫外光的可見光線及紅外光來構成。控制部37控制光源部23的驅動。檢出光學系統21與照明光學系統22以共有構成該等的光學構件的一部分的方式來構成，稜鏡24配置於檢出光學系統21與照明光學系統22的瞳面或其附近。標記10及11，例如具有繞射格子，檢出光學系統21將藉由來自被照明光學系統22照明的標記10與11的繞射光之間的干涉所產生的干涉紋(疊紋moire)成像於攝像元件25(攝像部)上。攝像元件25使用CCD及CMOS等。處理部26取得攝像元件25所攝像的影像資料並處理。因為由模7及基板8上的標記的繞射光而產生干涉紋(疊紋)，因模7及基板8的繞射效率所得到的疊紋的光量會改變。特別是因為繞射效率會對波長而產生周期變化，會存在無法有效率地檢出疊紋的波長以及難以檢出疊紋的波長。其中，難以檢出疊紋的波長的光，可能會對攝像元件25檢出的量測信號成為雜訊。處理部26例如是控制部12的一部分，取得攝像元件25所攝像的影像資訊，基於該影像，能藉由計算求出標記10與標記11的相對位置。量測部3的控制部12基於求出的相對位置進行對位部的控制，至少使包含標記10與標記11的區域的相對位置偏移變小的方式進行對位。藉此，能夠以高精度地進行基板的圖案與模的圖案的重合。 　　[0027] 稜鏡24在其貼合面，構成用以反射照明光學系統的瞳面的周邊部分的光的反射膜24a。又，反射膜24a也作為限制檢出光學系統21的瞳的大小或檢出NA的開口光圈來作用。其中，稜鏡24可以在貼合面具有半透膜的半反射稜鏡、或不限於稜鏡而是在表面形成反射膜的板狀光學元件等。此外，在稜鏡24的周邊將某反射膜24a的區域作為透過部，將稜鏡24的中心部分作為反射部而構成，也就是說交換光源部23與攝像元件25的位置的構成也可以。 　　[0028] 又，在本實施形態的照明光學系統的瞳面的光強度分佈、及決定檢出光學系統的檢出NA的位置，不一定是稜鏡24的位置也可以。例如，如圖3所示，檢出光學系統21與照明光學系統22可以分別具有個別的開口光圈27及28。在該構成中，藉由開口光圈27的開口形狀來決定檢出光學系統的檢出NA，藉由開口光圈28的開口形狀來決定照明光學系統的瞳面的光強度分佈。又，稜鏡24可以使用在其貼合面具有半透膜的半反射稜鏡等。 　　[0029] 接著說明有關光源部23。圖4為表示光源部23的詳細構成的圖。光源部23具有複數的光源30a、30b、30c、30d(30a～d)。複數光源30a～d例如雖然可以使用半導體雷射(LD)，但並不限於此，可以使用LED、鹵素燈、金屬鹵化物燈管、高壓水銀燈管及鈉燈管，使用該等的組合的光源也可以。又，複數光源30a～d的各個射出的光的波長相互不同。例如，第1光源30a射出第1波長的光、第2光源30b射出與第1波長不同的第2波長的光。又，第1光源30a射出第1波長頻帶的光、第2光源30b射出與第1波長頻帶不同的第2波長頻帶的光。但是為了提升特定波長(頻帶)的光量，以特定的複數光源來射出相同波長(頻帶)也可以。此外，光源與波長(頻帶)之數不限於4個。 　　[0030] 光學系統31a、31b、31c、31d(31a～d)例如為透鏡，對應複數光源30a～d的各個而設置。光學系統31a～d的各個使從複數光源30a～d的各個所放出的光成形成所期望的狀態(形狀)。通過光學系統31a～d的光由光學元件32a、32b、32c、32d(32a～d)反射或透過，合成為1個光束。光學元件32a～d例如是分光鏡及半反射鏡等。用於合成的複數光源30a～d的各個波長頻帶，例如在50nm程度以上相異時，可以利用分光鏡來合成。為了使用於合成的複數光源的波長為相同或在附近，當以分光鏡無法有效率地合成時，使用半反射鏡來合成。圖4中，雖將複數光源30a～d以串列合成，但將2個並列合成也可以。可以考慮光源30a～d的種類或波長、及空間而撰擇合成的方式。複數光源30a～d連接有驅動各光源的控制部37。控制部37藉由變更複數光源30a～d的驅動電流及施加電壓，能夠個別地變更各光源的輸出能量(來自光源的光量)。此外，1個光源可以設1個控制部。 　　[0031] 藉由光學元件32a～d所合成的光，通過ND濾波器34而進行光量調整。ND濾波器34為可調整通過光強度的元件，例如藉由賦予給石英的金屬膜的種類及膜厚來改變透過光量。為了調整光源部23的光量，作為ND濾波器34準備透過率相互不同的複數種類的濾波器，因應必要的光量而切換濾波器並插入光路內。又，在濾波器中採用藉由光通過的位置而透過率連續變化的方式的濾波器也可以。ND濾波器34調整來自光源30a～d的光所合成的光的光量。 　　[0032] 通過ND濾波器34的光會通過擴散板35並被導向光纖36。半導體雷射因為波長頻帶為數nm而很窄，因為干涉而在觀察的像中會產生雜訊(散斑雜訊)。因此，藉由使擴散板35旋轉而時間性地改變波形的狀態，來降低觀察到的散斑雜訊。來自光纖36的射出光成為從光源部23射出的光。 　　[0033] 此外，對應複數光源30a～d的各個，在從各光源射出的光與其他光合成之前的各光路內，也可以設置能變更透過光量的ND濾波器(變更部)。作為該ND濾波器，可以採用在濾波器中因光通過的位置而透過率連續變化的方式的濾波器。又，準備使透過率相互不同的波長的光透過的複數波長濾波器，具備將從該等之中選擇出的波長濾波器配置於光源與模7之間的光路的波長選擇部也可以。又，將由光學元件32a～d所合成的光以繞射格子來分光，對被分光的光的光量分佈，以因應場所而透過光量產生變化的ND濾波器等來調整光量分佈，進行調整各波長的光量也可以。 　　[0034] 圖5表示量測部3的照明光學系統22的瞳面中的光強度分佈(IL1、IL2、IL3、IL4)、與檢出光學系統21的瞳面中的檢出開口NA0 的關係的圖。在圖5中，將照明光學系統22的瞳面(開口光圈28)、與檢出光學系統21的瞳面的開口(開口光圈27)重合表示。在本實施形態中，照明光學系統22的瞳面中的光強度分佈包含：圓形狀的光強度分佈即第1極IL1、第2極IL2、第3極IL3、第4極IL4。各極在各極內具有光強度的峰值。照明光學系統22以該等的極，藉由從相對於標記10及標記11的繞射格子的周期方向(第1方向)垂直的方向斜向入射的光、與從與相關的周期方向平行的方向斜向入射的光，來照明標記10及標記11。如同上述，藉由將開口光圈28配置於照明光學系統22的瞳面，能夠形成來自1個光源部23的複數極，亦即能夠形成第1極IL1至第4極IL4。因此，在由1個光源的光來形成具有複數極(峰值)的光強度分佈時，能夠將量測部3簡略化或小型化。 　　[0035] 參照圖6，說明關於由來自繞射格子標記的繞射光而使疊紋產生的原理、及利用相關疊紋的標記間(模7與基板8)的相對位置的量測。繞射格子41相當於標記10，為設於模7的繞射格子。繞射格子42相當於標記11，為設於基板8的繞射格子。繞射格子41與繞射格子42其周期圖案(格子)的周期(格子間距)僅有微差異。使格子間距相互不同的2個繞射格子接近並重疊的話，因為來自2個繞射格子的繞射光之間的干涉，會出現反應繞射格子間的周期差的具有周期的圖案，即所謂的疊紋。此時，因為繞射格子之間的相對位置疊紋的相位會發生變化，藉由檢出疊紋能求出繞射格子41與繞射格子42的相對位置，亦即能求出模7與基板8的相對位置。 　　[0036] 具體來說，將格子間距僅有些微差異的繞射格子41與繞射格子42重疊後，因為來自繞射格子41及42的繞射光重合，會產生反映周期差的具有周期的疊紋43。疊紋如同上述，因為繞射格子41與繞射格子42的相對位置而使得明暗的位置(紋的相位)發生變化。例如，將繞射格子41及42之中一者的繞射格子向X方向偏移的話，疊紋43變化成疊紋44。因為疊紋將繞射格子41與繞射格子42之間的實際的位置偏移量擴大，而作為大周期的紋而產生，即便檢出光學系統21的解析度降低，也能夠高精度地檢出繞射格子41與繞射格子42的相對位置。 　　[0037] 為了檢出這種疊紋，考慮到將繞射格子41及42以明視野檢出(從垂直方向照明繞射格子41及42，檢出由繞射格子41及42在垂直方向繞射的繞射光)的情形。此時，檢出光學系統21也會檢出來自繞射格子41及42的0次光。0次光成為使疊紋的對比降低的原因。因此，量測部3不檢出0次光，亦即成為將繞射格子41及42以斜向入射來照明的暗視野的構成。 　　[0038] 在本實施形態中，為了也能夠檢出暗視野的構成的疊紋，將標記10及標記11之中的一者作為圖7所示的那種棋盤狀的第1繞射格子71、並將另一者作為圖7所示的第2繞射格子72。第1繞射格子71為在X方向(第1方向)、與X方向垂直的Y方向(第2方向)分別具有周期的繞射格子。第2繞射格子72為在X方向(第1方向)具有周期、而具有與第1繞射格子的X方向的周期不同的周期的繞射格子。此外，第1方向及第2方向不限於垂直，互相不同的話也可以量測。 　　[0039] 來自圖5所示的第1極IL1及第2極IL2的光，以從Y方向側斜向入射而照射第1繞射格子，藉由第1繞射格子也在Y方向及X方向繞射，藉由周期(格子間距)僅有些微差異的第2繞射格子來在X方向繞射。這樣被繞射的光，具有第1繞射格子與第2繞射格子的X方向的相對位置資訊，入射至圖5所示的檢出光學系統21的瞳上的檢出區域(NAO )，被由攝像元件25作為疊紋檢出。處理部26從由攝像元件25攝像的疊紋的影像，能夠求出X方向(量測方向)中的2個繞射格子的相對位置。 　　[0040] 來自圖5所示的第3極IL3及第4極IL4的光，不會使用於圖7所示的繞射格子71與繞射格子72之間的相對位置的量測。但是，在檢出圖7所示的繞射格子73與繞射格子74之間的相對位置時，利用來自第3極IL3及第4極IL4的光。圖7所示的棋盤狀的第3繞射格子73為在X方向、與X方向垂直的Y方向分別具有周期的繞射格子。如圖7所示的第4繞射格子74為在Y方向具有周期，而具有與第3繞射格子73的Y方向的周期不同的周期的繞射格子。來自第3極IL3及第4極IL4的光，以從X方向側斜向入射而照射第3繞射格子73，藉由第3繞射格子73也在Y方向及X方向繞射，藉由周期僅有些微差異的第4繞射格子74來在Y方向繞射。這樣被繞射的光，具有第3繞射格子73與第4繞射格子74的Y方向的相對位置資訊，入射至圖5所示的檢出光學系統21的瞳上的檢出區域(NAO )，被由攝像元件25作為疊紋檢出。處理部26從由攝像元件25攝像的疊紋的影像，能夠求出Y方向(量測方向)中的第3繞射格子73與第4繞射格子74的相對位置。此外，來自第1極IL1及第2極IL2的光，不會使用於第3繞射格子73與第4繞射格子74的相對位置的量測。在本實施形態中，將繞射格子71及72的組、及繞射格子73及74的組配置於檢出光學系統21(攝像元件25)的相同視野內同時檢出2個方向(X、Y)的相對位置。此時，以圖5所示的照明光學系統的瞳面中的光強度分佈，來照明該等4個繞射格子是非常有效的。 　　[0041] 接著，說明關於用以量測模7與基板8的相對位置的對準標記的詳細。圖8為將模7與基板8接近時所量測到的對準標記的像以模式地表示的圖。在本實施形態中，除了形成疊紋的繞射格子的精密量測用的標記以外，也使用粗略量測用的第1底版側標記51a-1及第1基板側標記52a-1。作為標記10包含第1底版側標記51a-1、作為標記11包含第1基板側標記52a-1。 　　[0042] 量測部3能夠將圖8的外框的範圍內以攝像元件25的攝像面進行一次的量測(攝像)。亦即，攝像部即攝像元件25，能夠將圖8的外框的範圍內所存在的複數標記收於視野內而攝像。但是，攝像元件不限於1個，也可以使用複數個。量測部3的處理部26取得由攝像元件25所攝像的第1底版側標記51a-1及第1基板側標記52a-1的影像。接著，處理部26基於該影像，將第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1各自的幾何中心位置作為基準，求出第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1(模7與基板8)的位置偏移量D1。因為第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1僅以預先設定的基準距離遠離Y方向而設計，該基準距離與位置偏移量D1的差，成為第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1的相對位置的偏移。以此方式利用第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1來進行粗略量測。 　　[0043] 此外，因為能夠將第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1小型化，標記的專有區域縮小即可。另一方面，利用第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1的相對位置的量測精度，比量測繞射格子產生的疊紋所得到的相對位置的量測精度還低。又，藉由第1底版側標記51a-1及第1基板側標記52a-1的反射率之差而檢出的標記的光量會產生差異。因為光量差越大的話就照射能檢出光量小的標記的程度的亮度的光，光量大的標記的信號會飽和而產生量測誤差。因此，有抑制來自標記的光量差的必要。 　　[0044] 又，第1底版側標記51a-1及第1基板側標記52a-1設有種類(材質、形狀或厚度等)不同的對準標記。這是精密量測用的第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2。藉由使第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2重合而能看見疊紋。第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2其一者為圖7所示的具有周期圖案的第3繞射格子73，另一者為圖7所示的具有周期圖案的第4繞射格子。因為2個圖案的量測方向(Y方向)的周期僅有微差異，生成在Y方向光量發生變化的疊紋。繞射格子間的相對位置發生變化的話疊紋雖會移動，但疊紋的移動量比繞射格子間的相對位置的變化量還大。因此，相較於利用第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1的相對位置的量測精度，能以高精度量測繞射格子間的相對位置。 　　[0045] 又，因為第2底版側標記與第2基板側標記的繞射格子的周期的大小關係，繞射格子間的相對位置發生變化時的疊紋(光量分佈)的移動方向不同。例如，當第2底版側標記的周期比第2基板側標記的周期還大時，基板8向+Y方向相對偏移後，疊紋也向+Y方向偏移。相反地，當第2底版側標記的周期比第2基板側標記的周期還小時，基板8向+Y方向相對偏移後，疊紋會向-Y方向偏移。因此，基於疊紋的偏移方向、第2底版側標記與第2基板側標記的周期的大小關係，能明白繞射格子間的相對位置偏移的方向。
又，設置再1組的繞射格子即第2底版側標記51a-2'與第2基板側標記52a-2'，量測方向的周期的大小關係取代第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2的關係。因此，改變模7與基板8的相對位置的話，因2組的繞射格子生成的2個疊紋互相在相反方向移動。因此，藉由求出該等2個疊紋的位置偏移量D2，能高精度地量測繞射格子間的相對位置。
但是，因為疊紋隨著第2底版側標記與第2基板側標記的相對位置偏移量變大而呈現周期相同的光量分佈，相對位置的量測範圍會在1周期分的範圍內縮小。因此，利用量測範圍更廣的第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1，能夠在型7與基板8以比該1周期分還大的範圍確認相對的位置偏移。也就是說，藉由利用上述複數種類對準標記來量測，能夠量測在攝像元件25所攝像的區域內，模7的部分與基板8的部分的相對的位置偏移。此外，第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1，若藉由檢出來自各自的標記的光而求得的相對位置偏移未產生上述1周期分的位置誤差的話，作為產生疊紋的別的繞射格子也可以。但是，該繞射格子也可以是材質、形狀或厚度等不同者。
接著，說明關於照明上述對準標記的照明光。設於模7與基板8的對準標記的反射率因為材質及圖案 形狀、厚度、基板的製程構造等而有所不同，又因波長也有所不同。
圖9表示設於基板的標記的1次繞射效率的一例。該例表示想定成在用以製程形成的已形成的圖案之上形成材料S的層的構造的基板的標記的模擬結果。因為材料S的層在標記的圖案面之上，通過材料S而被標記的圖案面反射，再通過材料S的光作為1次繞射光而檢出。在該例中，在波長500nm附近繞射效率低，在波長750nm附近繞射效率高。這是因為材料S造成的光的吸收與材料S的厚度的影響。因此，觀察該基板的標記時利用波長750nm附近的光是有利的。
圖10表示，來自第1底版側標記51a-1的光的光量、來自第1基板側標記52a-1的光的光量、及因第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2所生成的疊紋的光量之例。縱軸的光量表示將各標記以相同光量照明時的來自各標記的光量，疊紋的光量表示疊紋中的最大光量。此外，疊紋為具有繞射格子間的相對位置的資訊的光量分佈，不包含在繞射格子的端部所產生的雜訊光。在圖10，著目於第1底版側標記51a-1的話，在波長540nm附近光量變高，在波長780nm附近光量變小。第1基板側標記52a-1的話，可明白在波長540nm附近光量變小，在波長780nm附近光量變大。關於疊紋也一樣，可明白在波長540nm附近光量變小，在波長780nm附近光量變最大。
在波長540nm，來自第1底版側標記51a-1的光的光量雖大，但來自第1基板側標記52a-1的光與疊紋的光量相對地小。因此，來自第1基板側標記52a-1的光與疊紋的對比(S／N比)低，攝像元件25檢出時檢出精度會有降低的可能。因此，在照明該等對準標記時，在照明光之中期望將波長540nm附近的光縮小。因此，在複數光源30a～d之中，將射出波長540nm附近的光的射出光源的輸出能量(光量)縮小。 　　[0052] 接著，進行調整使得攝像元件25檢出的來自第1底版側標記51a-1的光量與來自第1基板側標記52a-1的光量與疊紋的光量的相對值在預定的範圍內。在該調整中，期望調整從光源部23射出的複數波長(第1波長與第2波長)的光的光量的相對量。其中，預定的範圍例如為同程度的光量。為什麼呢？因為若標記間的光量差大的話，以攝像元件25檢出各標記時，某種類的標記的量測信號飽和了，就無法檢出別的種類的標記的量測信號，而難以高精度量測標記間的相對位置。又，在單一波長的照明光而標記間的光量差大時，藉由加上利用別的波長的照明光時的標記間的光量差，能夠降低標記間的光量差。特別是調整第1波長的光量與第2波長的光量的相對量，而使攝像元件25檢出的來自第1底版側標記51a-1的光量或來自第1基板側標記52a-1的光量、與疊紋的光量的相對值在預定的範圍內較佳。當光源30a～d使用波長頻帶不同的光源時，以標記間的檢出光量差變小的方式，藉由控制部37(調整部)來個別地調整從各光源射出的光量(輸出能量)，而調整光源部23的複數波長的相對光量。根據情況，將某波長的光源輸出停止也可以。也就是說，期望調整從第1光源射出的第1波長的光量、與從第2光源射出的第2波長的光量的相對量。又，如同上述，使用設於各光源的各光路內的ND濾波器(調整部)，來調整從第1光源射出的第1波長的光量、與從第2光源射出的第2波長的光量的相對量也可以。其中，光量的相對量表示光量差及光量比等光量的相對差異。此外，僅欲將來自模側及基板側的各標記的光量以同等的量變更時，藉由配置於合成複數波長的光的光路的ND濾波器34來控制成所期望的光量也可以。又，控制光源30a～d及ND濾光片34的兩者來進行光量調整也可以。 　　[0053] 接著，說明有關來自光源部23的光量的調整方法。圖11表示來自光源部23的光量的調整方法的流程圖。因為根據設於模及基板的複數標記的種類或該等的組合，各標記間的光量差會有所不同，對應設於模及基板的標記進行光量調整。 　　[0054] 首先，將複數光源30a～d之中的1個光源以外設為OFF、或將來自1個光源的光以外遮光。接著，僅以來自1個光源的第1波長的光來照明設於模及基板的複數種類的標記，藉由攝像元件25來檢出分別來自複數種類的標記的光的光量(S1)。接著，將攝像元件25檢出的複數種類的標記的各個的光量的資料，記憶於連接至攝像元件25的處理部26的記憶體(S2)。接著，將S1及S2的工程針對其他光源，例如，與第1波長不同的第2波長來進行(S3)。藉此，能夠得知以所有的光源30a~d(複數波長)來照明各標記時所檢出的來自各標記的光的光量之中，各波長的貢獻率。因此，基於記憶於記憶體的資料，特定出欲抑制檢出光量的標記，決定對檢出光量的貢獻率大的波長(S4)。接著，控制部37控制光源部23，使決定的波長的光量變低(S5)。其中，調整射出光量的光源，可以從對檢出光量的貢獻率高的光源開始依序調整。此外，將S1~S5的工程藉由控制部12來自動控制也可以。
光量調整中的目標，例如，使模側及基板側的各標記的光量差設於預先決定的規格值(容許範圍)以內。又，將各標記的光量不微弱設為追加目標也可以。各標記的光量差的規格值，例如，第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1的光量比設於4倍以內。又，來自各標記的光量不微弱的範圍指的是，攝像元件25的檢出範圍，例如，攝像元件25能夠檢出的最大光量的40%以上。也就是說，在S4及S5中，決定第1波長、第2波長的目標光量。目標光量決定成使攝像元件檢出的來自繞射格子51a-2及52a-2的光的檢出光量、及來自第1底版側標記51a-1及第1基板側標記52a-1的光的檢出光量的相對值收於預定的範圍內。又，目標光量基於攝像元件25能夠檢出的最大光量來決定。接著，以成為決定的目標光量的方式，調整第1波長的光的光量及第2波長的光的光量。
各標記的光量差根據設於模7及基板8的標記的種類及組合來決定。因此，對每個模7及基板8的種類， 取得複數種類的標記的各自的光量資料、或來自各標記的光量之中的各波長的貢獻率，作為預定的資料庫記憶於記憶體中也可以。在實際量測時，基於模7及基板8的種類、及該資料庫，以使各標記間的檢出光量的相對值在預定的範圍內的方式，調整光源部23的複數的波長的相對光量。此外，作為資料庫，預先記憶模7及基板8的種類、及光源部23的複數波長的相對光量間的關係也可以。
在上述光量調整之後，利用來自被調整光量的光源的光照明複數種類的標記，藉由攝像元件來檢出複數種類的標記，基於檢出結果求出各標記的相對位置偏移(S6)。
此外，如圖10所示，根據標記的種類而來自標記的光量的波長特性有所不同。因此，可以明白在量測部3中，以適合各標記的波長的光來進行照明或檢出是好的。關於疊紋，在波長720nm及780nm的光量大。因此，關於生成疊紋的繞射格子51a-2及52a-2，可以檢出光量大的波長720~780nm附近的光。量測部3也可以僅用波長720~780nm附近的光來照明繞射格子51a-2及52a-2、或者用更寬頻帶的波長的光來照明而僅檢出來自繞射格子51a-2及52a-2的波長720~780nm附近的光也可以。又，著目於第1底版側標記51a-1的話，隨著波長540nm變成波長780nm，光量會變小。第1基板側標記52a-1在波長540nm附近光量變小，在波長720nm附近光量變成最大。因此，因為關於第1底版側標記51a-1及第1基板側標記52a-1，將兩者以同等的光量檢出，而檢出比720～780nm還小的600～660nm的波長的光即可。量測部3也可以僅將波長600～660nm的光照明第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2。或者，量測部3也可以以更寬頻帶的波長的光來照明，而僅檢出來自第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2的波長600～660nm的光。 　　[0059] 又，著目於雜訊光的情形也一樣，可以說是以相對位置的粗略量測與精密量測其適切的波長不同。因此，作為光源的各波長的光量調整時的目標，採用雜訊光的大小也可以。雖然期望沒有雜訊光，但根據照明光的波長，可能會有相較於來自各標記的量測信號(S)，雜訊(N)較多的波長存在。因為在雜訊容易發生的狀態下，標記間的相對位置的量測會產生誤差，調整光量而降低雜訊。以下，詳細地說明。 　　[0060] 說明關於未使用於圖7所示的第1繞射格子71與第2繞射格子72之間的相對位置的量測的極的光的影響。例如，相對於第1繞射格子71及第2繞射格子72的組，如圖5所示的來自第3極IL3及第4極IL4的光，在繞射格子的周期方向的端部(繞射格子的圖案的兩端)引起散射及繞射。在從第1極IL1到第4極IL4照明該等繞射格子時，在能想到的模與基板的條件中，由光學模擬所求得的包含疊紋的來自繞射格子的光的量測信號示於圖12。圖12中，示出以波長540nm、660nm、780nm分別照明繞射格子時的包含疊紋的來自繞射格子的光的光量分佈。橫軸表示繞射格子上的位置，從中央遠離的周邊位置相當於繞射格子的周期方向的端部。縱軸表示以相同光量的各波長照明繞射格子時，來自繞射格子的光的光量。以波長540nm照明時，在繞射格子圖案的兩端附近存在有光量高的峰值。又，也產生微小的次峰值。這可能是因為繞射格子的連續圖案(格子條件)在端部中斷而產生的光。此外，該種現象，雖然在明視野檢出繞射格子時也會發生，但在暗視野檢出繞射格子時能特地被顯著地確認。在這樣的繞射格子的圖案的兩端產生的光及次峰值的光混入疊紋信號的話，具有繞射格子間的相對位置的資訊的疊紋信號的檢出中變得會有誤差產生。此外，可以明白在波長540nm中，具有繞射格子間的相對位置的資訊的疊紋的凹凸波形幾乎沒有產生。也就是說，因為波長540nm的光僅作為雜訊作用，在檢出疊紋時不要使用較佳。以波長660nm的光照明繞射格子時也一樣，在繞射格子的端部雖成為高光量，但能確認疊紋信號的凹凸(明暗)。此外，以波長780nm的光照明繞射格子時，能明白在繞射格子的端部存在有比疊紋信號的光量還低的光量。因此，量測繞射格子間的相對位置時來自繞射格子的光的光量分佈會因波長而有所不同，雜訊成分的大小也會因波長而有所不同。 　　[0061] 在這裡，控制部37控制光源部23，使得照明繞射格子的光之中使雜訊光產生的波長540nm的光的光量變小，降低來自繞射格子的雜訊光。確保來自第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1的光以及疊紋的檢出光量，且在該等標記的光量比例如不產生4倍以上的範圍內，調整各波長的光量，使得繞射格子端的雜訊光減少也可以。 　　[0062] 作為光量調整時的目標，除了各標記的檢出光量以外，藉由也將繞射格子端的雜訊光量的資料先記憶於記憶體，基於記憶的資料而調整上述光量成為可能。在這裡，以使雜訊光量縮小的方式將特定波長的光量減小的話，疊紋的光量應該也會變小。只要雜訊光量變小，疊紋的光量變小的話量測誤差會有增加的情形。簡單來說，繞射格子端的光量成為疊紋的光量的2倍以上時，假設在繞射格子端存在有光量的峰值，因為繞射格子端的光量＝疊紋造成的光量+雜訊光量，繞射格子端的雜訊光量變得比疊紋的光量還大。因此，調整光源的各波長的光量，使得來自檢出的繞射格子的端部的光的檢出光量變得比來自繞射格子的中央部的光的檢出光量的倍數還小。因此，藉由將對疊紋的光量的影響比對雜訊光的影響還大的波長的光量減小，能夠將標記間的相對位置的量測誤差減小。 　　[0063] 根據以上的處理，來自繞射格子端的雜訊光的影響被降低，粗略量測用的標記間的檢出光量、與精密量測用的標記間的檢出光量的相對量降低，能夠以高精度來求出標記間的相對位置。 　　[0064] 以下，說明量測部3中的光源的控制之例。量測部3將從照明光學系統22射出的光的波長的條件作為第1條件而照明至照明光學系統22。具體來說，作為第1條件，在複數光源30a～d之中至少將射光波長600～660nm的光的光源的輸出設為ON並照明。藉由以該第1條件來照明，量測部3將來自第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1的光以攝像元件25來檢出，求出第1底版側標記51a-1與第1基板側標記52a-1的相對位置。以這樣藉由量測部3來進行粗略量測。接著，量測部3將從照明光學系統22射出的光的波長的條件變更成第2條件而照明至照明光學系統22。具體來說，作為第2條件，在複數光源30a～d之中僅將射光波長720～780nm的光的光源的輸出設為ON並照明。藉由以該第2條件來照明，量測部3將來自第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2的疊紋以攝像元件25來檢出，求出第2底版側標記51a-2與第2基板側標記52a-2(亦即模與基板)的相對位置。以這樣藉由量測部3進行精密量測。 　　[0065] 參照圖13說明向各標記的照明的時機。首先，量測部3將射出波長600～660nm的光的光源、及射出波長720～780nm的光的光源的兩者設為ON(以第1條件的照明)。量測部3，基於以該第1條件的照明所得到的來自第1底版側標記51a-1及第1基板側標52a-1記的像，進行粗略量測。控制部12控制基板載台5與包含模保持部4的模倍率補正機構的驅動部的驅動，使得由該粗略量測所量測到的位置偏移降低。量測部3當粗略量測的結果顯示出位置偏移在精密量測的量測範圍內時，能夠移行至精密量測。在圖13的例中，量測部3當粗略量測所量測的位置偏移成為精密量測的量測範圍(疊紋1周期分的量測範圍)內的充分小的閾值以下時，移行至精密量測。移行至精密量測時，量測部3將射出波長600～660nm的光的光源設為OFF(以第2條件的照明)。此時，來自各標記的光的檢出也與其一致而設為ON、OFF。控制部12控制基板載台5與包含模保持部4的模倍率補正機構的驅動部的驅動，使得由該精密量測所量測到的位置偏移降低。 　　[0066] 如以上所述，根據本實施形態，因為檢出的標記間的光量的相對值在預定的範圍內，可以從複數種類的標記的檢出結果以高精度求出標記間的相對位置。 　　[0067] 此外，在上述中，作為光量調整，雖說明在光源部23內調整從光源部23射出的各波長的光量的例子，但不限於此，在檢出部側進行光量調整也可以。例如，在檢出部側設置色濾波器來調整感測器所檢出的各波長的檢出光量的相對值也可以。又，將來自標記的光以分光鏡根據每個波長而分岐，通過ND濾波器而使光入射複數感測器，以各感測器來檢出各波長的光也可以。接著，藉由變更ND濾波器的透過光量來調整感測器所檢出的各波長的檢出光量的相對值也可以。 　　[0068] [第2實施形態] 　　在上述第1實施形態中，示出了對1個量測部3從1個光源部23的1條光纖36將光射出的構成。在本實施形態中，對複數量測部3從1個光源部230通過複數條光纖而將光射出。光源部230如圖14所示，在光路內配置半反射鏡33a、33b、33c而將光路分岐，藉由使被分岐的各光入射至光纖36a、36b、36c、36d，生成4個光源光束。例如，能夠將從光纖36a射出的光作為第1量測裝置的光源部23的光來使用，將從光纖36b射出的光作為別的量測裝置的光源的光來使用。在半反射鏡33b與光纖36a之間的光路內配置ND濾波器34a與擴散板35a，在半反射鏡33c與光纖36b之間的光路內配置ND濾波器34b與擴散板35b。又，在半反射鏡33b與光纖36c之間的光路內配置ND濾波器34c與擴散板35c，在半反射鏡33c與光纖36d之間的光路內配置ND濾波器34d與擴散板35d。藉此，能夠進行各光源用的光的光量調整、及散斑雜訊的降低。 　　[0069] 因此，為了量測基板與模的相對位置而使用複數量測裝置的話，能夠在位置遠離的複數位置，例如，能夠在基板的射擊區域的4個角落(4個區域)，量測標記間的相對位置。因此，能夠從該量測結果求出模及基板的旋轉、和倍率等的應變。又，在4個區域的各個之中，以使標記間的相對位置偏移變小的方式進行對位，藉此能夠在1個射擊區域的全體中，進行高精度的基板的圖案與模的圖案的重合。此外，在圖14中，雖使用3個光路分岐要素(半反射鏡33a、33b、33c)，但光路分岐要素之數並不限定於此。 　　[0070] [物品製造方法的實施形態] 　　利用壓印裝置而形成的硬化物的圖案，在各種物品的至少一部為恒久地被使用，或是在製造各種物品時被暫時地使用。所謂物品，係指：電路元件、光學元件、MEMS、記錄元件、感測器、或模等。作為電路元件，可以是：DRAM、SRAM、快閃記憶體、MRAM的這種揮發性或非揮發性的半導體記憶體、或是LSI、CCD、影像感測器、FPGA的這種半導體元件等。作為模，可以是壓印用的模。 　　[0071] 硬化物的圖案作為上述物品的至少一部的構成構件，可以原封不動地被使用、或是作為光阻遮罩暫時地被使用。在基板的加工工程中，進行蝕刻或離子注入等後，將光阻遮罩除去。 　　[0072] 接著，參照圖15說明有關物品的具體製造方法。在步驟SA中，準備將絕緣體等的被加工材2z形成於表面的矽基板等的基板1z，接著，藉由噴墨法等，供應壓印材3z至被加工材2z表面。在這裡，示出成為複數液滴狀的壓印材3z供應至基板上的樣子。 　　[0073] 在步驟SB中，將壓印用的模4z的形成凹凸圖案之側面向於基板上的壓印材3z，使之對向。在步驟SC中，使供應壓印材3z的基板1與模4z接觸，並施加壓力。壓印材3z被填充於模4z與被加工材2z之間的間隙。在該狀態下，作為硬化用的能量，將光透過模4z而照射後，壓印材3z硬化。 　　[0074] 在步驟SD中，使壓印材3z硬化後，將模4z與基板1z分離後，在基板1z上形成壓印材3z的硬化物的圖案。該硬化物的圖案成為模的凹部對應硬化物的凸部、模的凹部對應硬化物的凸部的形狀，亦即，在壓印材3z轉印模4z的凹凸圖案。 　　[0075] 在步驟SE中，將硬化物的圖案作為耐蝕刻遮罩而進行蝕刻後，被加工材2z的表面中，無硬化物或殘留的薄狀部分被除去，成為溝5z。在步驟SF中，將硬化物的圖案除去後，可以得到被加工材2z的表面形成有溝5z的物品。在這裡雖將硬化物的圖案除去，但加工後也不除去，例如，作為半導體元件等裡含有的層間絕緣用的膜，也就是作為物品的構成構件利用也可以。 　　[0076] ＜其他的實施形態＞ 　　本發明也可以藉由以下方式實現：將實現上述實施形態的1個以上的機能的程式，通過網路或記憶媒體提供給系統或裝置，該系統或裝置的電腦中的1個以上的處理器將程式讀出並執行的處理。又，也可以藉由實現1個以上的機能的電路(例如，ASIC)來實現。 　　[0077] 本發明並不限於上述實施形態，在不脫離本發明的精神及範圍內，可以進行各種變更及變形。接著，為了將本發明的範圍公開，添附以下的請求項。
[0078]
1‧‧‧壓印裝置
2‧‧‧照射部
3‧‧‧量測部
4‧‧‧模保持部
5‧‧‧基板載台
6‧‧‧供應部
12‧‧‧控制部
8‧‧‧基板
7‧‧‧模
9‧‧‧壓印材
11‧‧‧標記
21‧‧‧光學系統
22‧‧‧照明光學系統
26‧‧‧處理部
37‧‧‧及控制部
23‧‧‧光源部
24‧‧‧稜鏡
25‧‧‧攝像元件
30‧‧‧光源
31‧‧‧光學系統
32‧‧‧光學元件
37‧‧‧控制部
28‧‧‧開口光圈
27‧‧‧開口光圈
IL1‧‧‧第1極
IL2‧‧‧第2極
IL3‧‧‧第3極
IL4‧‧‧第4極
41、42‧‧‧繞射格子
43、44‧‧‧疊紋
71～74‧‧‧繞射格子
34‧‧‧ND濾波器
35‧‧‧擴散板
36‧‧‧光纖
33‧‧‧半反射鏡
[0010] 附加圖式包含於說明書中而構成其一部分，顯示本發明的實施形態，用於與該記述一同說明本發明的原理。 　　[圖1]表示實施形態的壓印裝置的構成的圖。 　　[圖2]表示量測部的構成的一例的圖。 　　[圖3]表示量測部的構成的變形例的圖。 　　[圖4]表示量測部中的光源部的構成例的圖。 　　[圖5]表示量測部中的照明光學系統的瞳面中的光強度分佈的圖。 　　[圖6]說明利用疊紋的繞射格子間的相對位置的檢出原理的圖。 　　[圖7]表示用以在XY這兩個方向檢出相對位置的標記之例的圖。 　　[圖8]表示在實施形態中所使用的標記的構成的圖。 　　[圖9]表示設於基板的標記的繞射效率的一例的圖。 　　[圖10]表示來自各標記的波長的各自光量的一例的圖。 　　[圖11]表示來自光源的光量的調整方法的流程圖。 　　[圖12]表示來自繞射格子的光量的模擬波形的圖。 　　[圖13]說明光源的切換時機之例的圖。 　　[圖14]表示光源的構成的變形例的圖。 　　[圖15]說明物品製造方法的圖。

Claims (12)

  1. 一種使底版與基板的位置一致的對位裝置，具有： 　　保持前述底版的底版保持部； 　　保持前述基板的基板保持部； 　　包含照明：配置於前述底版或前述底版保持部的粗略量測用的第1底版側標記及精密量測用的第2底版側標記、及配置於前述基板或前述基板保持部的粗略量測用的第1基板側標記及精密量測用的第2基板側標記的照明部，且量測前述底版與前述基板的位置偏移的量測部； 　　其中， 　　前述量測部，以第1條件使前述照明部照明，基於來自前述第1底版側標記及前述第1基板側標記的光來進行粗略量測；前述量測部，以第2條件使前述照明部照明，基於來自前述第2底版側標記及前述第2基板側標記的光來進行精密量測。
  2. 如請求項1所記載的對位裝置，其中，前述量測部當前述粗略量測的結果顯示出前述位置偏移在前述精密量測的量測範圍內時，移行至前述精密量測。
  3. 如請求項1所記載的對位裝置，其中，前述第1條件及前述第2條件，為從前述照明部射出的光的波長的條件。
  4. 如請求項3所記載的對位裝置，其中，前述照明部包含：射出的光的波長相互不同的複數光源； 　　前述量測部藉由分別調整前述複數光源的輸出，來進行前述第1條件與第2條件的切換。
  5. 如請求項4所記載的對位裝置，其中，前述複數光源包含：輸出相互不同的波長的光的複數半導體雷射。
  6. 如請求項3所記載的對位裝置，其中，前述照明部包含：光源、及將從透過相互不同的波長的光的複數波長濾波器之中所選擇出的波長濾波器配置於前述光源與前述底版之間的光路的波長選擇部； 　　前述量測部藉由選擇前述複數波長濾波器，來進行前述第1條件與第2條件的切換。
  7. 如請求項1所記載的對位裝置，其中，前述量測部包含：將前述第1底版側標記、前述第1基板側標記、前述第2底版側標記、以及前述第2基板側標記收於視野內而攝像的攝像部，並基於由該攝像部的攝像所得到的影像進行前述粗略量測及前述精密量測。
  8. 如請求項1所記載的對位裝置，其中，前述粗略量測為基於前述第1底版側標記與前述第1基板側標記的距離之前述底版與前述基板的相對位置的量測。
  9. 如請求項8所記載的對位裝置，其中，前述第2底版側標記及前述第2基板側標記包含：具有格子間距相互不同的格子圖案的繞射格子； 　　前述粗略量測為利用因前述第2底版側標記與前述第2基板側標記重合而產生的疊紋(moire)的前述相對位置的量測。
  10. 一種使保持於底版保持部的底版與保持於基板保持部的基板的位置一致的對位方法，具有： 　　以第1條件來照明：配置於前述底版或前述底版保持部的粗略量測用的第1底版側標記及精密量測用的第2底版側標記、及配置於前述基板或前述基板保持部的粗略量測用的第1基板側標記及精密量測用的第2基板側標記的工程； 　　基於由前述第1條件的照明所得到的來自前述第1底版側標記及前述第1基板側標記的光，進行前述底版與前述基板的位置偏移的粗略量測的工程； 　　前述粗略量測之後，將前述第1條件變更成第2條件而進行照明的工程； 　　基於由前述第2條件的照明所得到的來自前述第2底版側標記及前述第2基板側標記的光，進行前述位置偏移的精密量測的工程。
  11. 一種光蝕刻裝置，具備：如請求項1至9中任1項所記載的對位裝置； 　　將由前述底版保持部所保持的底版的圖案轉印至由前述對位裝置的前述基板保持部所保持的基板。
  12. 一種物品製造方法，包含：利用請求項11所記載的光蝕刻裝置將圖案轉印至基板的工程； 　　將轉印有前述圖案的前述基板作處理的工程； 　　從前述經處理的基板來製造物品。
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