JP6993782B2 - インプリント装置および物品製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置および物品製造方法に関する。

基板の上にパターンを形成するリソグラフィ技術としてインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板の上に配置されたインプリント材と型（モールドあるいはテンプレートとも呼ばれる）とを接触させインプリント材を硬化させることによって基板の上にパターンを形成する技術である。インプリント技術において、基板と型とを高精度に位置合わせすることが重要である。特許文献１には、基板とテンプレート（型）との間にギャップが形成されるように両者を位置決めし、基板のアライメントマークとテンプレートのアライメントマークとを検出することが記載されている。

インプリント技術に関するものではないが、特許文献２には、基板とレチクルとを位置合わせするための観察装置を有する露光装置が記載されている。特許文献２には、照明光としてレーザ光を使用する場合に生じうるスペックルの問題を解決するために、高周波信号が重畳された駆動信号で半導体レーザ素子を駆動することが記載されている。このような駆動信号を用いることによって、空間コヒーレンスが良く、かつ時間コヒーレンスが悪い照明光を発生させることができ、これによってスペックルの問題が解決される。

米国特許第６６９６２２０号明細書 特開平９－３０６８１３号公報

インプリント装置において、基板の上のインプリント材と型とを接触させた状態で基板と型との位置合わせがなされうる。このために、基板の上のインプリント材と型とを接触させた状態で基板のマークと型のマークとの相対位置が検出部によって検出されうる。ここで、検出部による最適な検出条件は、マークの材質、構造、寸法、インプリント材の種類、厚さ、インプリント材と型との接触から検出部による撮像を行うまでの時間等の様々な要因によって異なりうる。基板の上のインプリント材と型とを接触させた状態で、検出条件を変更しながら検出部によって相対位置を検出する動作を繰り返すことによって最適な検出条件を探索する方法では、検出の度にインプリント材の状態が変わりうる。これは、基板の上にインプリント材が配置されてからの経過時間によって、インプリント材が揮発することによってその体積が減少したリ、環境光によってインプリント材の粘性が変化したりしうるからである。そこで、基板の上にインプリント材が配置されてからの経過時間を統一して最適な検出条件を探索しようとすると、基板の上へのインプリント材の配置および検出部による検出を繰り替えして行う必要がある。このような方法では、最適な検出条件を決定するための長時間を要することになる。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、基板の上のインプリント材と型とが接触した状態で基板のマークと型のマークとの相対位置を検出するための検出条件を効率的に決定する技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、型を使って基板の上にパターンを形成するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記基板のマークと前記型のマークとの相対位置を検出する検出部と、前記検出部よる前記相対位置の検出条件を決定する制御部と、を備え、前記制御部は、前記検出条件を決定するキャリブレーションを実行するかどうかを示すキャリブレーション制御情報に基づいて、前記キャリブレーションを実行するかどうかを判断し、前記キャリブレーションを実行すると判断した場合、前記制御部は、基板保持部によって保持された前記基板の上のインプリント材と型保持部によって保持された前記型とを接触させ該インプリント材を硬化させ、前記基板保持部によって保持された前記基板と前記型保持部によって保持された前記型とが硬化した該インプリント材によって結合された状態で、該インプリント材を硬化させた後の任意のタイミングにおける前記基板と前記型との相対位置に基づいて前記相対位置を維持させる制御を行いつつ、前記検出部を制御するパラメータを変更しながら前記検出部によって得られる情報に基づいて前記キャリブレーションを実行する。

本発明によれば、基板の上のインプリント材と型とが接触した状態で基板のマークと型のマークとの相対位置を検出するための検出条件を効率的に決定する技術が提供される。

本発明の一実施形態のインプリント装置の構成を示す図。 基板のマークと型のマークとの相対位置を検出する検出部の構成例を示す図。 基板のマークと型のマークとの相対位置を検出する検出部の他の構成例を示す図。 光源部の構成例を示す図。 光源部の他の構成例を示す図。 検出部の瞳を示す図。 モアレ縞による相対位置の検出を説明する図。 マークを例示する図。 検出部の撮像部の視野内のマークの配置例を示す図。 波長と回折効率との関係を例示する図。 高周波の重畳による検出精度の改善を例示する図。 インプリント装置の動作が例示する図。 基板と型との相対位置を制御する相対位置制御系の構成例を示す図。 物品製造方法を例示する図。 物品製造方法を例示する図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。

図１には、本発明の一実施形態のインプリント装置１が記載されている。インプリント装置１は、型７を使って基板８の上にパターンを形成する。より具体的には、インプリント装置１は、基板８の上に配置されたインプリント材９と型７（のパターン領域ＰＲ）とを接触させてインプリント材９を硬化させることによって、基板８の上に、硬化したインプリント材９からなるパターンを形成する。

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。

本明細書および添付図面では、基板８の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。

位置合わせに関して、インプリント装置１は、基板８と型７との相対位置を制御する相対駆動機構６０を備えうる。相対駆動機構６０は、基板８を保持し駆動する基板駆動機構５と、型７を保持し駆動する型駆動機構４とを含む。基板駆動機構５および型駆動機構４は、基板８と型７との相対位置が調整されるように基板８および型７の少なくとも一方を駆動する。相対駆動機構６０による相対位置の調整は、基板８の上のインプリント材９と型７との接触、および、硬化したインプリント材９（硬化物のパターン）と型７との分離のための駆動を含む。基板駆動機構５は、基板８を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。型駆動機構４は、型７を複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。基板駆動機構５は、基板８を保持する基板保持部５０１と、基板保持部５０１を駆動することによって基板８を駆動する駆動部５０２とを含みうる。駆動部５０２は、複数のアクチュエータを含みうる。型駆動機構４は、型７を保持する型保持部４０１と、型保持部４０１を駆動することによって型７を駆動する駆動部４０２とを含みうる。駆動部４０２は、複数のアクチュエータを含みうる。

インプリント装置１は、その他、基板８のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置を検出する１又は複数の検出部３（アライメントスコープ）を備えうる。各検出部３は、基板８のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置を検出するように構成されうる。また、インプリント装置１は、基板８の上にインプリント材９を配置するディスペンサ６（供給部）、および、基板８の上のインプリント材９を硬化させるエネルギー（例えば、光）をインプリント材９に照射してインプリント材９を硬化させる硬化部２を備えうる。

また、インプリント装置１は、相対駆動機構６０（基板駆動機構５、型駆動機構４）、検出部３、ディスペンサ６および硬化部２を制御する制御部７０を備えうる。制御部７０は、キャリブレーションを行うためのキャリブレーションモードにおいて、検出部３によって基板８と型７との相対位置を検出するための検出条件を決定する。

また、制御部７０は、物品を製造するための製造モードにおいて、型７を使って基板８の上にパターンを形成するパターン形成処理を制御する。パターン形成処理は、基板８へのインプリント材９の供給動作、インプリント材９と型７との接触動作、基板８と型７との位置合わせ動作、硬化動作、硬化したインプリント材９と型７とを分離する分離動作等を含みうる。

基板８へのインプリント材９の供給動作は、基板駆動機構５によって基板８を駆動しながらディスペンサ６からインプリント材９を吐出する動作を含みうる。接触動作は、相対駆動機構６０によってインプリント材９と型７とを接触させる動作を含みうる。位置合わせ動作は、検出部３を使って基板８のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置を検出しながら相対駆動機構６０によって基板８と型７とを位置合わせする動作を含みうる。硬化動作は、硬化部２によって硬化用のエネルギーをインプリント材９に与えてインプリント材９を硬化させる動作を含みうる。分離動作は、相対駆動機構６０によって、硬化したインプリント材９（硬化物からなるパターン）と型７とを分離させる動作を含みうる。

インプリント装置１は、型７および基板８の少なくとも一方を変形させる変形機構を備えてもよく、位置合わせ動作は、変形機構によって型７および基板８の少なくとも一方を変形させる動作を含んでもよい。変形機構は、例えば、型７の側面に力を加えることによって型７を変形させる型変形機構、および、基板８を光の照射などによって加熱することによって基板８を変形させる基板変形機構を含みうる。

図２には、検出部３の構成例が示されている。検出部３は、基板８のマーク１１および型７のマーク１０によって形成される像を撮像する撮像部２１と、撮像部２１の撮像視野（マーク１０、１１）を照明光で照明する照明部２２とを含みうる。照明部２２は、光源部２３と、光源部２３を駆動する駆動回路２０と、光学系８１とを含みうる。光源部２３は、例えば、レーザ（例えば、半導体レーザ）、ハロゲンランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、高圧水銀ランプおよびメタルハライドランプの少なくとも１つを含みうるが、好ましくは、レーザを含む。光源部２３が発生する照明光の波長は、インプリント材９を硬化させない波長である。駆動回路２０は、例えば、交流成分を含む駆動信号を光源部２３に供給して光源部２３を駆動する。

検出部３は、照明部２２および撮像部２１によって共有される光学系として、プリズム２４と、光学系８３とを含みうる。光源部２３からの照明光は、プリズム２４および光学系８３を介して、撮像部２１の撮像視野を照明しうる。これにより、基板８のマーク１１および型７のマーク１０が照明光によって照明されうる。

撮像部２１は、撮像素子（イメージセンサ）２５と、光学系８２とを含みうる。照明部２２によって照明された基板８のマーク１１および型７のマーク１０からの光は、光学系８３およびプリズム２４を介して撮像素子２５に入射しうる。撮像素子２５は、基板８のマーク１１および型７のマーク１０によって撮像素子２５の撮像面に形成される像を撮像素子２５によって撮像し、撮像によって得られた画像データを出力する。照明部２２の瞳面および撮像部２１の瞳面が同一面に配置され、プリズム２４の反射面は、当該瞳面またはその近傍に配置されうる。

一例において、マーク１０、１１は回折格子で構成され、照明光で照明されたマーク１０からの回折光とマーク１１からの回折光とによる像、即ち干渉縞（モアレ縞）が撮像素子２５の撮像面に形成される。干渉縞の光量は、型７および基板８（より具体的には、マーク１０、１１）の回折効率に依存する。回折効率は、波長に対して周期的に変化するため、干渉縞を効率よく形成することができる波長と、干渉縞を形成しにくい波長とがある。干渉縞の形成が困難な波長の光は、ノイズとなりうる。

一例において、プリズム２４は、２つの光学部材を貼り合わせて構成され、貼り合わせ面に反射膜２４ａが配置される。反射膜２４ａは、照明部２２の瞳における周辺領域の光を反射する。また、反射膜２４ａは、撮像部２１の瞳の大きさ（あるいは検出ＮＡ：ＮＡｏ）を規定する開口絞りとして機能する開口を有する。プリズム２４は、貼り合せ面に半透膜を有するハーフプリズムであってもよい。あるいは、プリズム２４に代えて、表面に反射膜を有する板状の光学素子が採用されてもよい。

図２に示された構成に代えて、照明部２２の瞳における中央領域の光を反射し、周辺領域の光を透過させるように反射膜２４ａを構成し、照明部２２と撮像部２１とを入れ替えてもよい。

図３には、図２に示された検出部３の変形例が示されている。図３に示された変形例では、照明部２２の瞳がプリズム２４の反射面から離れた位置に配置され、照明部２２の瞳に絞り２７が配置されている。また、撮像部２１の瞳がプリズム２４の反射面から離れた位置に配置され、撮像部２１の瞳に絞り２６が配置されている。プリズム２４は、２つの光学部材を貼り合わせて構成され、貼り合わせ面に半透膜が配置されたハーフプリズムでありうる。

図４には、光源部２３の詳細な構成例が示されている。光源部２３は、複数の光源３０ａ～３０ｄを有しうる。複数の光源３０ａ～３０ｄは、レーザ（例えば、半導体レーザ）で構成されうる。しかしながら、複数の光源３０ａ～３０ｄは、レーザ、ハロゲンランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、高圧水銀ランプおよびメタルハライドランプ等の複数種類の光源から選択される少なくとも２種類の光源を含んでもよい。駆動回路２０は、複数の光源３０ａ～３０ｄをそれぞれ駆動する複数の駆動素子を含みうる。

光源部２３は、複数の光源３０ａ～３０ｄにそれぞれ対応する複数の光学系３１ａ～３１ｄを含みうる。複数の光学系３１ａ～３１ｄの各々は、例えば、１又は複数のレンズで構成されうる。複数の光源３０ａ～３０ｄから出射された光は、複数の光学系３１ａ～３１ｄを通過した後に、複数の光学素子３２ａ～３２ｄで合成される。一例において、光学素子３２ａはミラーであり、光学素子３２ｂ～３２ｄはダイクロイックミラーまたはハーフミラーである。光源３０ａ～３０ｄが発生する光の波長帯域が、例えば５０ｎｍ程度以上異なる場合、ダイクロイックミラーを用いて合成することができる。光源３０ａ～３０ｄが発生する光の波長が同じまたは近傍で、ダイクロイックミラーで効率よく合成できない場合は、ハーフミラーを用いて合成することができる。図４に示された構成では、複数の光源３０ａ～３０ｄからの光が１つずつ合成されているが、例えば、複数の光源３０ａ～３０ｄからの光が２つずつ合成されて複数の合成光が生成された後に、複数の合成光が１つずつ合成されてもよい。

複数の光学素子３２ａ～３２ｄによって合成された光は、ＮＤフィルタ３４ａによって強度が調整されうる。ＮＤフィルタ３４ａは、通過させる光の強度を調整可能な素子であり、例えば、石英に付与した金属膜の種類および厚さによってＮＤフィルタ３４ａの透過率が決定されうる。透過率が互いに異なる複数のＮＤフィルタ３４ａを備え、それらから選択される１つのＮＤフィルタ３４ａを光路に配置することによって透過率が調整されてもよい。あるいは、１つのＮＤフィルタ３４ａが光の通過位置に応じて透過率が異なる構成を有していて、目的とする光強度に応じて光の通過位置が変更されてもよい。光源部２３から出射される光の強度は、ＮＤフィルタ３４ａによる変更に代えて、複数の光源３０ａ～３０ｄの駆動電流を調整することによって調整されてもよい。あるいは、光源部２３から出射される光の強度は、ＮＤフィルタ３４ａによる変更と複数の光源３０ａ～３０ｄの駆動電流の調整との組み合わせによって調整されてもよい。

ＮＤフィルタ３４ａを通過した光は、拡散板３５ａを通過した後にファイバー３６ａに供給されうる。半導体レーザ等のレーザが発生する光は、波長帯域が数ｎｍと狭く、ベクトルが揃ったコヒーレンスが光を発生する高い光源であるため、干渉によって観察される像にノイズ（スペックルノイズ）が発生する場合がある。拡散板３５ａを回転させて時間的に波形の状態を変化させることによって、観察されるスペックルノイズが低減される。ファイバー３６ａから射出される光は、光源部２３から射出される光を構成する。

図４に示された例では、１本のファイバー３６ａからのみ光が射出される。このような例に代えて、図５に例示されるように、光路にハーフミラー３３ａ～３３ｃを配置することによって光が分割され、複数のファイバー３６ａ～３６ｄを介して複数本の光が射出されるように構成されてもよい。

図６には、図３および図４に例示された検出部３の照明部２２の瞳強度分布（ＩＬ１乃至ＩＬ４）と、撮像部２１の開口数ＮＡｏとの関係が例示されている。図６の例では、照明部２２の瞳強度分布は、第１極ＩＬ１と、第２極ＩＬ２と、第３極ＩＬ３と、第４極ＩＬ４とを含む。照明部２２は、マーク１０、１１を構成するパターンが配列された第１方向に対して垂直に入射する光と、第１方向に対して平行に入射する光とによって、マーク１０、１１を照明する。開口絞りとして機能する反射膜２４ａを照明部２２の瞳面に配置することで、１つの光源部２３から複数の極（第１極ＩＬ１～第４極ＩＬ４）を形成することができる。複数の極（ピーク）を有する瞳強度分布を形成する場合には、複数の光源部を必要としないため、検出部３を簡略化又は小型化することができる。

図７（ａ）乃至（ｄ）を参照しながら、マーク１０、１１からの回折光によるモアレ縞（干渉縞）の発生の原理、及び、モアレ縞を用いて型７のマーク１０と基板８のマーク１１との相対位置を検出する原理について説明する。図７（ａ）、（ｂ）に示されるように、型７のマーク１０を構成する回折格子（第１回折格子）４１と、基板８のマーク１１を構成する回折格子（第２回折格子）４２とは、計測方向（Ｘ方向）におけるパターン（格子）の配列の周期が僅かに異なっている。格子の周期が互いに異なる２つの回折格子を重ねると、２つの回折格子からの回折光同士の干渉によって、回折格子間の周期差を反映した周期を有するパターンであるモアレ縞が現れる。回折格子同士の相対位置によってモアレ縞の位相が変化するため、モアレ縞を検出することでマーク１０とマーク１１との相対位置、即ち、型７と基板８との相対位置を求めることができる。

具体的には、周期が僅かに異なる回折格子４１と回折格子４２とを重ねると、回折格子４１の回折光と回折格子４２からの回折光とが重なり合うことで、図７（ｃ）に示すように、周期の差を反映した周期を有するモアレ縞が発生する。モアレ縞は、上述したように、回折格子４１と回折格子４２との相対位置によって明暗の位置（縞の位相）が変化する。例えば、回折格子４１及び４２のうち一方の回折格子をＸ方向にずらすと、図７（ｃ）に示すモアレ縞は、図７（ｄ）に示すモアレ縞に変化する。モアレ縞は、回折格子４１と回折格子４２との間の実際の位置ずれ量を拡大し、大きな周期の縞として発生するため、撮像部２１の解像力が低くても、回折格子４１と回折格子４２との相対位置を高精度に検出することができる。

ここで、モアレ縞を検出するために、回折格子４１及び４２を明視野で検出する（回折格子４１及び４２を垂直方向から照明し、回折格子４１及び４２で垂直方向に回折される回折光を検出する）場合を考える。この場合、撮像部２１は、回折格子４１及び４２からの０次光も検出してしまう。０次光は、モアレ縞のコントラストを低下させる要因となるため、検出部３は、０次光を検出しない（即ち、回折格子４１及び４２を斜入射で照明する）構成、即ち回折格子４１及び４２を暗視野で検出する構成を有することが好ましい。暗視野の構成でもモアレ縞を検出できるように、回折格子４１及び４２のうち、一方の回折格子を図８（ａ）に示すようなチェッカーボード状の回折格子とし、他方の回折格子を図８（ｂ）に示すような回折格子とすることが好ましい。図８（ａ）に示す回折格子は、計測方向（第１方向）に周期的に配列されたパターンと、計測方向に直交する方向（第２方向）に周期的に配列されたパターンとを含む。

図６、図８（ａ）及び図８（ｂ）を参照するに、第１極ＩＬ１及び第２極ＩＬ２からの光は、回折格子に照射され、チェッカーボード状の回折格子によってＹ方向に回折するとともにＸ方向にも回折する。さらに、周期が僅かに異なる回折格子によってＸ方向に回折した光は、Ｘ方向の相対位置情報を有して撮像部２１の瞳上の検出領域（ＮＡｏ）に入射し、撮像素子２５で検出される。これを用いて、２つの回折格子の相対位置を求めることができる。

図６に示す瞳強度分布と図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す回折格子との関係においては、第３極ＩＬ３及び第４極ＩＬ４からの光は、回折格子の相対位置の検出には使用されない。但し、図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示す回折格子の相対位置を検出する場合には、第３極ＩＬ３及び第４極ＩＬ４からの光を回折格子の相対位置の検出に使用し、第１極ＩＬ１及び第２極ＩＬ２からの光を回折格子の相対位置の検出に使用しない。また、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す回折格子の組と、図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示す回折格子の組とを、撮像部２１の同一視野内に配置して同時に２つの方向の相対位置を検出する場合には、図６に示す瞳強度分布は有用である。

図９には、マーク１０、１１の他の例が示されている。図９における外枠の範囲内を検出部３で一度に観察することが可能であるものとする。型７のマーク１０は、マーク５１ａ－１、５１ａ－２、５１ａ－２’を含み、基板８のマーク１１は、マーク５２ａ－１、５２ａ－２、５２ａ－２’を含む。型７のマーク５１ａ－１の幾何学的な中心位置と基板８のマーク５２ａ－１の幾何的な中心位置との相対位置Ｄ１に基づいて、型７と基板８との相対的な位置ずれを求めることができる。マーク５１ａ－１とマーク５２ａ－１は小型化できるため、専有領域の小さいマークを用いた粗い位置合わせが可能となる。マーク５１ａ－１の反射率とマーク５２ａ－１の反射率との違いによって撮像されるマーク画像に強度比が生じうる。強度比が大きいと、強度が弱いマーク画像が適正な強度を有するように照明光の強度を調整すると、強度が強いマーク画像が飽和してしまい計測誤差が生じうる。そのため、２つのマーク画像の間の強度比を抑えるべきである。

次に、型７のマーク５１ａ－２と基板８のマーク５２ａ－２とによって形成されるモアレ縞（左側のモアレ縞）について説明する。マーク５１ａ－２およびマーク５２ａ－２は、図８（ｃ）または（ｄ）に示す周期的なパターンで構成され、計測方向の周期が互いに微小に異なるため、重ね合わせるとＹ方向にモアレ縞が形成される。また、マーク５１ａ－２の周囲とマーク５２ａ－２の周期との違いによって、相対位置が変化したときのモアレ縞のシフト方向が異なる。例えば、型７のマーク５１ａ－２の周期の方が基板８のマーク５２ａ－２の周期よりも微小に大きい場合、基板８が相対的に＋Ｙ方向へシフトすると、モアレ縞も＋Ｙ方向へシフトする。逆に、型７のマーク５１ａ－２の周期の方が基板８のマーク５２ａ－２の周期よりも微小に小さい場合、基板８が相対的に＋Ｙ方向へシフトすると、モアレ縞は－Ｙ方向へシフトする。

次に、型７のマーク５１ａ－２’と基板８のマーク５２ａ－２’とによって形成されるモアレ縞（右側のモアレ縞）について説明する。型７のマーク５１ａ－２’および基板８のマーク５２ａ－２’は、型７のマーク５１ａ－２および基板８のマーク５２ａ－２の計測方向の周期を入れ替えたものである。そのため、相対位置が変化する、左側のモアレ縞および右側のモアレ縞の位置は、互いに反対方向に変化する。２つのモアレ縞の相対的な位置ずれＤ２から、型７と基板８との相対的な位置ずれＤ３を求めることができる。

なお、型７のマークの周期と基板８のマークの周期とが１周期分ずれていても、その１周期分のずれが存在することを検出することはできない。そのため検出精度が低いマーク５１ａ－１およびマーク５２ａ－１を用いて、型７と基板８との間の１周期分の相対的な位置ずれがないことが確認される。マーク５１ａ－１およびマーク５２ａ－１は、１周期分の位置誤差を生じないピッチであれば、モアレ縞を発生するマークであってもよい。

型７および基板８に設けられたマークの反射率は、マークを構成する材料、マークを構成するパターンの形状、マークの厚さ、下地の構造等によって波長ごとに異なりうる。図１０には、基板の１次回折効率のシミュレーション結果が例示されている。ここでは、マークを構成する層の上に、新たにパターンを形成するための層Ｓが配置された構造を有する基板を想定した。マークを構成する層の上に層Ｓがあるため、層Ｓを通過してマークで反射、更に層Ｓを通過した光が検出部３の撮像部２１で検出される。図１０の例では、波長５００ｎｍ付近において回折効率が低く、波長７５０ｎｍ付近で回折効率が高い。この結果には、層Ｓを構成する物質による光の吸収、層Ｓの厚さが寄与している。そのため、この基板を観察するためには、波長７５０ｎｍまたはこれ以上の波長の光を用いると有利である。

しかし、光強度（光量）の増加に伴ってスペックルノイズの影響が大きくなる。そこで、制御部７０は、検出部３による型７と基板８との相対位置を検出しながら、それによって得られる検出結果（マークによって形成される像の撮像結果）に基づいて検出部３による検出条件を決定する。制御部７０は、基板８の上のインプリント材９と型７とを接触させインプリント材９を硬化させた状態で、検出部３を制御するパラメータを変更しながら検出部３によって得られる情報に基づいて検出条件を決定する決定処理を実行する。基板８の上のインプリント材９と型７とを接触させる動作は、制御部７０が相対駆動機構６０を制御することによってなされうる。インプリント材９を硬化させる動作は、制御部７０が硬化部２を制御することによってなされうる。

検出部３を制御するパラメータは、検出部３の照明部２２を制御する照明制御パラメータを含みうる。検出条件を決定するキャリブレーション（決定処理）は、インプリント材９を硬化させた状態で、照明制御パラメータを変更しながら検出部３の撮像部２１によって得られる画像に基づいて検出条件を決定する処理を含みうる。照明部２２は、前述のように、光源部２３と、交流成分を含む駆動信号を光源部２３に供給して光源部２３を駆動する駆動回路２０とを含みうる。光源部２３は、一例において、レーザである。

照明制御パラメータは、該交流成分の振幅、波形および周波数の少なくとも１つを特定するパラメータでありうる。駆動信号は、直流成分に交流成分を重畳した信号でありうる。一例において、駆動信号は、直流成分に対して、該直流成分の２０％以上の振幅および１ｋＨｚ以上の周波数を有する交流成分を重畳した信号でありうる。直流成分に対して交流成分を重畳した駆動信号を用いることで、光源部２３（光源３０ａ～３０ｄ）が発生する光の輝度は、交流成分に応じて変化する。これにより、交流成分の振幅に応じて光源部２３としてのレーザが多モード化してコヒーレンスが低下し、撮像部２１によって撮像される画像に現れるスペックルノイズが低減される。

図１１には、高周波の重畳による検出精度の改善が例示されている。駆動電流［Ａ］は、駆動回路２０が出力する駆動信号である。高周波重畳［Ａ］は、駆動回路２０が直流成分に重畳させる交流成分の振幅である。例えば、駆動電流［Ａ］が「４±１」の検出条件は、直流成分が４［Ａ］、交流成分が１［Ａ］であることを意味する。検出再現性［ｎｍ］は、検出結果のばらつきであり、値が小さいほど良い。より具体的には、検出再現性［ｎｍ］は、基板８の上のインプリント材９と型７とを接触させてインプリント材９を硬化させた状態で検出部３によって複数回にわたってマーク１１とマーク１０との相対位置を検出した結果のばらつきである。

駆動電流［Ａ］が４Ａの検出条件では、検出再現性が４．９ｎｍであり、他の検出条件における検出再現性と比べて大きい。次に、駆動電流［Ａ］が４±１Ａの検出条件では、検出再現性が１．９ｎｍであり、他と比べて最も良い。一方、駆動電流［Ａ］が４．５±１Ａの検出条件および駆動電流［Ａ］が４±１．３Ａの検出条件では、検出再現性が２ｎｍ以上であり、駆動電流［Ａ］が４±１Ａの検出条件における検出再現性より悪い。

図１２には、インプリント装置１の動作が例示されている。この動作は、制御部７０によって制御される。工程Ｓ１２０１では、型７が不図示の型搬送機構によって型駆動機構４の型保持部４０１に搬送され、型保持部４０１によって保持される。工程Ｓ１２０２では、基板８が不図示の基板搬送機構によって基板駆動機構５の基板保持部５０１に搬送され、基板保持部５０１によって保持される。

工程Ｓ１２０３では、基板８の複数のショット領域のうち選択されたショット領域にディスペンサ６によってインプリント材９が配置される。例えば、基板駆動機構５によって基板８を駆動しながらディスペンサ６がインプリント材９を吐出することによってショット領域の上にインプリント材９が配置されうる。工程Ｓ１２０４では、基板８のショット領域の上のインプリント材９と型７（のパターン領域ＰＲ）とが接触するように相対駆動機構６０によって基板８と型７との相対位置が調整される。

工程Ｓ１２０５では、検出部３によって基板８のショット領域のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置を検出しながら、相対位置の検出結果に基づいて、相対駆動機構６０によって基板８のショット領域と型７とが位置合わせされる。ここで、後述のキャリブレーション（工程Ｓ１２０８）が未だ実行されていない場合には、検出部３は、例えば、デフォルトの検出条件で基板８のショット領域のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置を検出する。一方、既に後述のキャリブレーション（工程Ｓ１２０８）が未だ実行されている場合には、検出部３は、キャリブレーションで決定された検出条件で基板８のショット領域のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置を検出する。工程Ｓ１２０６では、基板８のショット領域の上のインプリント材９が硬化部２によって硬化される。

工程Ｓ１２０７では、制御部７０は、キャリブレーション制御情報に従って、キャリブレーションを実行するかどうかを判断する。キャリブレーション制御情報は、例えば、複数の基板８からなるロットの処理を制御するためのレシピファイルに含まれうる。キャリブレーション制御情報は、例えば、ロットの先頭の基板８における先頭のショット領域の処理においてキャリブレーションを実行することを指示しうる。あるいは、キャリブレーション制御情報は、所定枚数の基板を処理する度にキャリブレーションを実行することを指示しうる。工程Ｓ１２０７において、制御部７０が、キャリブレーションを実行すると判断した場合には工程Ｓ１２０８に進み、キャリブレーションを実行しないと判断した場合には工程Ｓ１２０９に進む。

キャリブレーション（工程Ｓ１２０８）は、キャリブレーションモードにおいて実行され、製造モードでは実行されない。工程Ｓ１２０８では、制御部７０は、キャリブレーションとして、検出部３による検出条件を決定する処理を実行する。キャリブレーションは、基板８の上のインプリント材９と型７（のパターン領域ＰＲ）とが接触しインプリント材９が硬化した状態でなされる。よって、キャリブレーションは、基板８のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置が固定された状態でなされる。このような方法によれば、検出部３を制御するパラメータを変更しながら検出部３によって得られる情報（撮像部２１によって撮像される画像）に基づいて検出条件を決定する際に発生しうる誤差要因を低減することができる。誤差要因は、例えば、インプリント材９が未硬化の状態でキャリブレーションを実行する場合、時間の経過によってインプリント材９が揮発してその体積が減少したリ、環境光によってインプリント材の粘性が変化したりする場合に大きくなりうる。あるいは、誤差要因は、インプリント材が未硬化である場合、外乱等によって基板８と型７との相対位置が変動することによって生じうる。

キャリブレーションでは、前述のように、検出部３を制御するパラメータ、例えば、照明制御パラメータが決定されうる。照明制御パラメータは、駆動信号に含まれうる交流成分の振幅、波形および周波数の少なくとも１つを特定するパラメータでありうる。また、検出部３を制御するパラメータ（照明制御パラメータ）は、光源部２３の複数の光源３０ａ～３０ｄの点灯個数の指定を含んでもよい。また、検出部３を制御するパラメータ（照明制御パラメータ）は、ＮＤフィルタ３４ａによって照明光の強度の調整するための情報を含んでもよい。

照明光の強度（光量）の調整では、型７のマーク１０および基板８のマーク１１の画像の強度比が規格値以内、かつマーク１０、１１の画像の強度が微弱でないように光源３０ａ～ｄが個別に調整されうる。マーク１０、１１の画像の強度比の規格値は、例えば、型７のマーク１０と基板８のマーク１１との光量比が４倍以内である。また、マーク１０、１１の画像の強度が微弱でない範囲とは、例えば、撮像素子２５が検出可能な最大光量の４０％以上である。

照明光の強度を調整する方法としては、複数の光源３０ａ～３０ｄのうち、撮像部２１による撮像によって得られるマーク画像に対する寄与率が高い光源を優先的に調整する方法がある。例えば、複数の光源３０ａ～３０ｄを個別に点灯させて、撮像部２１によって撮像されたマーク画像の輝度を検出することによって寄与率を取得することができる。

また、基板８および型７の種類によって、撮像部２１による撮像によって得られるマーク画像の輝度が異なりうる。そこで、このような特性をデータベース化しておき、基板８および型７の種類に基づいてデータベースを参照して照明制御パラメータの初期値を決定してもよい。

上記の他、検出部３を制御するパラメータは、例えば、撮像部２１による撮像条件、例えば、蓄積期間（露光期間）を指定する情報を含んでもよい。

キャリブレーションの実行時は、相対駆動機構６０は、基板８と型７との相対位置が変化しないように基板８の位置および型７の位置を制御することが好ましい。これは、硬化したインプリント材９を介して基板８と型７とが結合されている状態で相対駆動機構６０が基板８と型７との相対位置を変化させようとすると、硬化したインプリント材９、基板８および型７で応力が発生するからである。そこで、キャリブレーションでは、基板８の上のインプリント材９と型７とが接触しインプリント材９が硬化した状態において、相対駆動機構６０に基板８と型７との相対位置が維持されうる。このような制御の実現方法については、後述する。

工程Ｓ１２０７において、キャリブレーションを実行すると制御部７０が判断した場合、または、工程Ｓ１２０８が終了した後に、工程Ｓ１２０９が実行される。工程Ｓ１２０９では、基板８のショット領域の上の硬化したインプリント材９と型７とが分離されるように相対駆動機構６０によって基板８と型７との相対位置が調整される。

工程Ｓ１２１０では、制御部７０は、次の処理すべきショット領域があるかどうかを判断し、次に処理すべきショット領域がある場合には、そのショット領域を処理対象のショット領域として選択して工程Ｓ１２０３～Ｓ１２１０を実行する。一方、処理すべき全てのショット領域の処理が終了した場合には、工程Ｓ１２１１に進み、基板８は、不図示の基板搬送機構によって基板保持部５０１から所定の搬送先に搬送される。工程Ｓ１２１２では、制御部７０は、次に処理すべき基板８があるかどうかを判断し、次に処理すべき基板がある場合には、その基板について工程Ｓ１２０２～Ｓ１２１１を実行する。一方、処理すべき全ての基板８の処理が終了した場合には、工程Ｓ１２１２において、型７は、不図示の型搬送機構によって型保持部４０１から所定の搬送先に搬送される。

図１３には、基板８と型７との相対位置を制御する相対位置制御系１３０の構成例が示されている。相対位置制御系１３０は、型７の位置を制御する型位置制御系１３１と、基板８の位置を制御する基板位置制御系１３２とを含みうる。

まず、基板８の上のインプリント材９と型とが接触する前における型位置制御系１３１および基板位置制御系１３２の動作を説明する。型位置制御系１３１は、目標指令器１０１、演算器１０２、補償器１０３、分配器１０４、型駆動機構４および計測器１０７を含みうる。目標指令器１０１は、型７の目標位置（以下の説明では、「目標位置」は目標姿勢を含みうる）を生成する。演算器１０２は、目標指令器１０１によって生成された目標位置と計測器１０７によって計測された型７の位置（以下の説明では、「位置」は姿勢を含みうる）との偏差を演算する。補償器１０３は、演算器１０２によって演算された偏差に基づいて、型７の位置を制御するための推力を演算する。分配器１０４は、補償器１０３によって演算された推力を型駆動機構４の駆動部４０２を構成する複数のアクチュエータに分配する。型駆動機構４では、型駆動機構４の駆動部４０２を構成する複数のアクチュエータが、分配器１０４によって分配された推力に基づいて型７（型保持部４０１）を駆動する。これによって型７が駆動され、型７の位置が計測器１０７によって計測され、その計測によって得られた位置の情報は、演算器１０２にフィードバックされる。

基板位置制御系１３２は、目標指令器１２１、演算器１２２、補償器１２３、分配器１２４、基板駆動機構５および計測器１２７を含みうる。目標指令器１２１は、基板８の目標位置を生成する。演算器１２２は、目標指令器１２１によって生成された目標位置と計測器１２７によって計測された基板８の位置との偏差を演算する。補償器１２３は、演算器１２２によって演算された偏差に基づいて、基板８の位置を制御するための推力を演算する。分配器１２４は、補償器１２３によって演算された推力を基板駆動機構５の駆動部５０２を構成する複数のアクチュエータに分配する。基板駆動機構５では、基板駆動機構５の駆動部５０２を構成する複数のアクチュエータが、分配器１２４によって分配された推力に基づいて基板８（基板保持部５０１）を駆動する。これによって基板８が駆動され、基板８の位置が計測器１２７によって計測され、その計測によって得られた位置の情報は、演算器１２２にフィードバックされる。

以下、基板８の上のインプリント材９と型７とが接触した状態で基板８のショット領域と型７とが位置合わせされる期間における型位置制御系１３１および基板位置制御系１３２の動作を説明する。この期間では、検出部３によって基板８のマーク１１と型７のマーク１０との相対位置が検出され、この相対位置と目標相対位置とに基づいて目標指令器１２１によって基板８の目標位置が生成される。目標指令器１２１によって生成された目標位置に基づく基板８の位置の制御は、上記と同様である。このような動作において、基板８（のショット領域）と型７との相対位置が目標相対位置に一致する。

その後、製造モードにおいては、基板８の上のインプリント材９が硬化され、硬化したインプリント材９と型７とが分離される。一方、キャリブレーションモードでは、相対位置制御系１３０は、基板８の上のインプリント材９と型７とが接触しインプリント材９が硬化した状態において、基板８と型７との相対位置を維持する。このような動作のために、相対位置制御系１３０は、メモリ１４０を含みうる。そして、検出部３によって検出された基板８と型７との相対位置情報がメモリ１４０に保持された後、目標指令器１２１は、メモリ１４０に保持された相対位置情報に基づいて、基板８と型７との相対位置が維持されるように目標位置を生成する。これにより、キャリブレーションにおいて、メモリ１４０に保持された相対位置情報の取得時における基板８と型７との相対位置が維持される。ここで、相対位置情報がメモリ１４０に保持されるタイミングは、例えば、インプリント材９が硬化部２によって硬化された後の任意のタイミングでありうるが、好ましくは、検出部３が最初の検査条件（パラメータ）の設定で検査を開始する前のタイミングである。

あるいは、キャリブレーションにおいて、相対位置制御系１３０における基板８および７型の一方の位置制御が停止されてもよい。

あるいは、基板駆動機構５がインプリント材９を介して型駆動機構４から受ける力または型駆動機構４がインプリント材９を介して基板駆動機構５から受ける力を検出するセンサが設けられてもよい。そして、このセンサの出力に基づいて、当該力が相殺されるように型７および基板８の少なくも一方が駆動されてもよい。

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。光学素子としては、マイクロレンズ、導光体、導波路、反射防止膜、回折格子、偏光素子、カラーフィルタ、発光素子、ディスプレイ、太陽電池等が挙げられる。ＭＥＭＳとしては、ＤＭＤ、マイクロ流路、電気機械変換素子等が挙げられる。記録素子としては、ＣＤ、ＤＶＤのような光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気ヘッド等が挙げられる。センサとしては、磁気センサ、光センサ、ジャイロセンサ等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図１４（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１４（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１４（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１４（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１４（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１４（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

次に、物品製造方法の他の例について説明する。図１５（ａ）に示すように、石英ガラス等の基板１ｙを用意し、続いて、インクジェット法等により、基板１ｙの表面にインプリント材３ｙを付与する。必要に応じて、基板１ｙの表面に金属や金属化合物等の別の材料の層を設けても良い。

図１５（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｙを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｙに向け、対向させる。図１５（ｃ）に示すように、インプリント材３ｙが付与された基板１ｙと型４ｙとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｙは型４ｙと基板１ｙとの隙間に充填される。この状態で光を型４ｙを透して照射すると、インプリント材３は硬化する。

図１５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｙを硬化させた後、型４ｙと基板１ｙを引き離すと、基板１ｙ上にインプリント材３ｙの硬化物のパターンが形成される。こうして硬化物のパターンを構成部材として有する物品が得られる。なお、図１５（ｄ）の状態で硬化物のパターンをマスクとして、基板１ｙをエッチング加工すれば、型４ｙに対して凹部と凸部が反転した物品、例えば、インプリント用の型を得ることもできる。

１：インプリント装置、２：硬化部、３：検出部、４：型駆動機構、６：ディスペンサ、７：型、８：基板、９：インプリント材、１０：マーク、１１：マーク、２１：撮像部２２：照明部、

Claims (8)

1. 型を使って基板の上にパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記基板のマークと前記型のマークとの相対位置を検出する検出部と、
   前記検出部よる前記相対位置の検出条件を決定する制御部と、を備え、
   前記制御部は、前記検出条件を決定するキャリブレーションを実行するかどうかを示すキャリブレーション制御情報に基づいて、前記キャリブレーションを実行するかどうかを判断し、
   前記キャリブレーションを実行すると判断した場合、前記制御部は、基板保持部によって保持された前記基板の上のインプリント材と型保持部によって保持された前記型とを接触させ該インプリント材を硬化させ、前記基板保持部によって保持された前記基板と前記型保持部によって保持された前記型とが硬化した該インプリント材によって結合された状態で、該インプリント材を硬化させた後の任意のタイミングにおける前記基板と前記型との相対位置に基づいて前記相対位置を維持させる制御を行いつつ、前記検出部を制御するパラメータを変更しながら前記検出部によって得られる情報に基づいて前記キャリブレーションを実行する、
   ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記検出部は、前記基板のマークおよび前記型のマークによって形成される像を撮像する撮像部および前記撮像部の撮像視野を照明する照明部を含み、前記パラメータは、前記照明部を制御する照明制御パラメータを含み、
   前記キャリブレーションは、前記状態で、前記照明制御パラメータを変更しながら前記撮像部によって得られる画像に基づいて前記検出条件を決定する処理を含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記照明部は、光源部と、交流成分を含む駆動信号を前記光源部に供給して前記光源部を駆動する駆動回路とを含み、
   前記照明制御パラメータは、前記交流成分の振幅、波形および周波数の少なくとも１つを特定するパラメータである、
   ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記光源部は、レーザを含む、
   ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
5. 前記基板と前記型との相対位置を制御する相対位置制御系を更に備え、
   前記キャリブレーションにおいて、前記相対位置制御系は、前記基板と前記型との相対位置を維持する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記キャリブレーションにおいて、前記インプリント材が硬化した後の前記任意のタイミングにおける前記基板と前記型との相対位置を示す相対位置情報がメモリに保持された後、前記メモリに保持された前記相対位置情報に基づいて前記基板と前記型との相対位置が維持される、
   ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
7. 前記キャリブレーションにおいて、前記相対位置制御系における前記基板および前記型の一方の位置制御が停止される、
   ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
8. 請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
   前記工程において前記パターンを形成された基板の処理を行う工程と、
   を含み、前記処理を行われた基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

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