JP6884515B2 - 位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
インプリント技術は、基板上に供給されたインプリント材にモールドを用いてパターンを形成することができる技術である。インプリント技術は、半導体デバイスや磁気記憶媒体などの量産用リソグラフィ技術の１つとして提案されている。インプリント装置は、基板の上に供給されたインプリント材にモールドを用いてパターンを形成する。インプリント装置は、モールドとインプリント材を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上にインプリント材のパターンを形成する。
インプリント装置では、モールドとインプリント材を接触させる際に、モールドと基板とを正確に位置合わせ（アライメント）する必要がある。インプリント装置では位置合わせの方式として、例えば、ダイバイダイアライメント方式が採用されている。ダイバイダイアライメント方式とは、基板のショット領域に形成されたマークとモールドに形成されたマークを検出することによって位置合わせを行う方式である。このようなモールドと基板との位置合わせに関する技術は、従来から提案されている（特許文献１）。
特許文献１には、モールドと基板との位置合わせに用いるマークを検出するマーク検出装置を有するインプリント装置が提案されている。特許文献１では、モールドと基板との位置合わせに用いるマークとして、モールド及び基板のそれぞれに回折格子が設けられている。モールド及び基板に形成された回折格子は、モールドと基板の相対位置を求める方向（計測方向）に周期を有する回折格子である。さらに、モールド及び基板に形成された回折格子の少なくとも一方の回折格子は、計測方向に交わる方向（非計測方向）に周期を有する回折格子であり、例えばチェッカーボード状の回折格子である。
位置検出装置は、基板側の回折格子とモールド側の回折格子とで生じるモアレを検出する。位置検出装置は、回折格子を照明する照明光学系と、回折格子からの回折光（モアレ縞など）を検出する検出光学系が含まれる。特許文献１には、照明光学系の瞳面に複数の極を形成し、複数の計測方向に対応した回折格子が形成され、複数の方向に対するモールドと基板の相対位置計測を行う技術が提案されている。
特開２０１３−０３０７５７号公報
しかしながら、従来技術では、モールド側の回折格子や基板側の回折格子の非計測方向の端から、マークの検出に関係しない回折光や散乱光（不要光）が発生する。そのため、位置検出装置で検出される検出信号に不要光が混入することで、マークの検出に騙され（誤差）が発生してしまう。その結果、モールドと基板との位置合わせ精度（重ね合わせ精度）が低下する恐れがある。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールド側の回折格子や基板側の回折格子の非計測方向の端から発生する回折光や散乱光を低減することを目的とする。
本発明の位置検出装置は、第１方向に配列された第１パターンを含む第１回折格子と、第１方向に配列された第２パターンを含む第２回折格子からの光を検出する検出部と、検出部が検出した光に基づいて、第１回折格子と第２回折格子の相対位置を求める制御部と、を有し、第１回折格子の第１パターンの第１方向とは異なる第２方向の端部に、第１方向における第１回折格子の第１パターンの幅よりも小さい幅の第３パターンを有することを特徴とする。
本発明によれば、モールド側の回折格子や基板側の回折格子の非計測方向の端から発生する回折光や散乱光を低減することができる。
第１実施形態のインプリント装置の構成を示す図である。 第１実施形態のインプリント方法、及び被加工物を加工する方法を示す図である。 第１実施形態の検出部の構成を示す図である。 第１実施形態の検出部の構成を示す図である。 第１実施形態の検出部の瞳における照明光の分布を示す図である。 モアレが発生する位置合わせマークを示す図である。 第１実施形態のＸ方向のアライメントマークを示す図である。 第１実施形態のＹ方向のアライメントマークを示す図である。 モアレが発生する回折格子における非計測方向の位置と回折格子からの光の光量を示す図である。 実施例１の回折格子の端部に配置されたパターンを示す図である。 第１実施形態の回折格子における非計測方向の位置と回折格子からの光の光量を示す図である。 実施例２の回折格子の端部に配置されたパターンを示す図である。 実施例３の回折格子の端部に配置されたパターンを示す図である。 実施例４の回折格子の端部に配置されたパターンを示す図である。 実施例５の回折格子の端部に配置されたパターンを示す図である。 実施例６乃至８の回折格子の端部に配置されたパターンを示す図である。 第２実施形態の回折格子の端部に配置されたパターンを示す図である。 回折格子の計測方向の端部に配置されたパターンを示す図である。
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）
（インプリント装置について）
図１を用いて、本発明のインプリント装置について説明する。図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置は、基板８上に供給されたインプリント材９をモールド７と接触させ、インプリント材９に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えばインプリント装置は、半導体デバイスなどのデバイス製造に使用される。図１に示すように、以下の図面では基板およびモールドの平行な面内に、互いに直交するＸ軸およびＹ軸をとり、Ｘ軸とＹ軸に直交する方向をＺ軸として説明する。インプリント装置１は、凹凸状のパターン７ａが形成されたモールド７を用いて基板８上にパターンを形成する。インプリント装置１は、基板８に供給されたインプリント材９とモールド７を接触させた状態で、インプリント材９を硬化させる。そして、硬化したインプリント材９からモールド７を引き離すことによって、基板８上にインプリント材のパターンを形成することができる。
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント装置１は、光照射部２と、位置検出装置３、モールド保持部４、基板ステージ５、塗布機構６、制御部１２を備える。本発明のインプリント装置１は、インプリント材を硬化させる方法として、紫外線などの光の照射によって基板上のインプリント材を硬化させる光硬化法が採用されている。
光照射部２は、インプリント材９を硬化させるために、光を照射する照射装置である。光照射部２は光源（不図示）を備えている。光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、各種エキシマランプ、エキシマレーザーまたは発光ダイオード（ＬＥＤ）など用いることができる。また、光照射部２は光源から射出される光を基板上のインプリント材に対して所定の形状で均一に照射するための複数の光学素子を備えていても良い。光照射部２から照射された光の基板上の照射領域（照射範囲）は、モールド７のパターン７ａが形成されている領域の面積と同程度、または、わずかに大きいことが望ましい。これは、照射領域を必要最小限とすることで、光の照射に伴う熱に起因してモールド７または基板８が膨張し、インプリント材９に形成されるパターンに位置ズレや歪みが発生することを低減することができる。加えて、基板８などで反射した光がインプリント材を塗布（供給）する塗布機構６（供給機構）に到達し、塗布機構６の吐出口に残留したインプリント材が硬化してしまうことを低減することができる。
検出部３はモールド７と基板８の相対的な位置合わせのためにマークの検出を行う。具体的には、検出部３はモールド７に形成されたモールド側マーク１０と基板８に形成された基板側マーク１１を検出することで、モールド７と基板８の相対的な位置を求めることができる。また、検出部３は後述するようにモールド側マーク１０と基板側マーク１１からの回折光によって生じるモアレを検出することで、モールド７と基板８の相対的な位置を求めることができる。検出部３の光軸はモールド７または基板８に対して鉛直方向になるように配置されている。また、検出部３には駆動機構が設けられていてもよく、検出部３はモールド側マーク１０と基板側マーク１１の位置に合わせて、モールド７と基板８の面に沿って移動することができる。さらには、検出部３の光学系の焦点をマークの位置に合わせるためにモールド７と基板８の面に垂直な方向（Ｚ方向）に移動してもよい。インプリント装置１の制御部１２は、モールド７と基板８の相対的な位置に基づいてモールド保持部４や基板ステージ５や後述の形状補正機構を制御する。また、制御部１２はインプリント装置１に設けてもよいし、インプリント装置１とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。
モールド保持部４（型保持部）は、真空吸着力や静電力によりモールド７を保持するモールドチャック機構を含む。モールド保持部４は、パターン７ａが形成されている面が基板８に対向するようにモールド７を保持する。光照射部２はモールド７を介して光（硬化光）をインプリント材９に照射するため、モールド７は光を透過する材料（例えば石英）で作られている。また、モールド保持部４は、基板８上のインプリント材９とモールド７を接触させるためにモールド７を移動させるためのモールド駆動機構（不図示）を含んでいる。モールド駆動機構はモールド７を基板８に近づけたり離したりする方向（Ｚ方向）に動かすことができる。さらにモールド保持部４には、モールド７を変形させるための形状補正機構１３を含む。形状補正機構１３としては、例えば、モールド７の側面から力を加えることによって、モールド７を変形させるものがある。
基板ステージ５（基板保持部）は、真空吸着力や静電力により基板８を保持する基板チャック機構と、基板８をＸＹ面内の方向に移動させるための基板駆動機構（不図示）を含んでいる。なお、インプリント装置１では、モールド保持部４（モールド７）がＺ方向に移動することで、モールド７とインプリント材９を接触させたり（押印）引き離したり（離型）しているが、基板ステージ５（基板８）がＺ方向に移動してもよい。また、モールド保持部４と基板ステージ５の両方を移動させてもよい。基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
塗布機構６（ディスペンサ）は、基板８上にインプリント材９を供給する供給装置である。塗布機構６は、インプリント材９を供給するための吐出口（ノズル）を備えている。インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。このため、塗布機構６は、インプリント装置１の内部に備えていなくてもよい。例えば、インプリント装置１の外部に設けられた塗布機構により予めインプリント材が供給された基板８をインプリント装置１に搬入する形態もあり得る。
（インプリント方法について）
インプリント装置１によるインプリント方法について説明する。まず、基板搬送部（不図示）は基板８をインプリント装置１に搬送し、基板８を基板ステージ５に載置する。基板ステージ５に保持された基板８は、その表面に塗布機構６を用いてインプリント材９を塗布するために塗布位置へ移動する。その後、塗布機構６は基板８上の所定のショット領域（インプリント領域）にインプリント材９を供給する（塗布工程）。例えば、図２（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材１４が表面に形成されたシリコンウエハ等の基板８を用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材１４の表面にインプリント材９を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材９が基板８上に付与された様子を示している。
次に、インプリント材９が供給されたショット領域が、モールド７（パターン７ａ）の直下に移動する。図２（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド７を、その凹凸パターンが形成された側を基板８上のインプリント材９に向け、対向させる。
次に、基板８上に供給されたインプリント材９にモールド７を接触させる（押印工程）。このとき、インプリント材９は、パターン７ａの凹部に充填される。さらにこの状態で、検出部３がモールド側マーク１０および基板側マーク１１を検出する。インプリント装置１は、検出部３の検出結果に基づいて、モールド７と基板８の位置合わせや形状補正機構１３によるモールド７の形状補正などを実施する。インプリント材９のパターン７ａへの充填と、モールド７と基板８との位置合わせおよびモールド７の形状補正などが十分になされた段階で、光照射部２は光を照射しインプリント材９を硬化させる（硬化工程）。例えば、図２（ｃ）に示すように、インプリント材９が付与された基板８に対して、モールド７を押し当て、圧力を加える。インプリント材９はモールド７と被加工材１４との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を照射すると、インプリント材は硬化する（硬化工程）。
インプリント材９を硬化させた後、硬化したインプリント材９からモールド７を引き離すことにより、基板８の上にインプリント材９のパターンが形成される（離型工程）。図２（ｄ）に示すように、インプリント材９を硬化させた後、モールド７を基板８から引き離すと、基板８上にインプリント材９の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材９にモールド７の凹凸パターンが転写されたことになる。
図２（ａ）〜図２（ｄ）の工程をショット領域ごと繰返すことにより、基板８上の複数のショット領域に対してインプリント材のパターンを形成することができる。
さらに、インプリント材のパターンを用いて被加工物を加工する方法の一例について説明する。図２（ｅ）に示すように、インプリント材９の硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材１４の表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝１５となる。そして、図２（ｆ）に示すように、インプリント材９の硬化物のパターンを除去すると、被加工材１４の表面に溝１５が形成された物品を得ることができる。ここではインプリント材９の硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
（位置合わせ方法について）
モールド７に形成されたモールド側マーク１０と、基板８に形成された基板側マーク１１を検出し、モールド７と基板８の位置合わせ方法について説明する。
図３は本実施形態の検出部３の構成の一例を示す概略図である。検出部３は検出光学系２１と照明光学系２２を含む構成である。照明光学系２２は光源２３からの光を、プリズム２４などの光学部材を用いて検出光学系２１と同じ光路へ導き、モールド側マーク１０および基板側マーク１１を照明する。光源２３には例えばハロゲンランプやＬＥＤなどが用いられる。光源２３から照射される光の波長は、光照射部２から照射される光の波長とは異なるのがよい。例えば、光照射部２から照射される光に紫外線を用いて、光源２３から照射される光に可視光や赤外線を用いる。
検出光学系２１と照明光学系２２はそれらを構成する光学部材の一部を共有するように構成されており、プリズム２４は検出光学系２１と照明光学系２２の瞳面もしくはその近傍に配置されている。モールド側マーク１０および基板側マーク１１はそれぞれ回折格子で構成されている。照明光学系２２によって照明されたモールド側マーク１０からの回折光と、基板側マーク１１からの回折光により生じるパターン（モアレ）は撮像素子２５によって検出される。検出光学系２１はモールド側マーク１０および基板側マーク１１からの光を撮像素子２５に導く。撮像素子２５はＣＣＤやＣＭＯＳなどが用いられる。
プリズム２４はその貼り合せ面において、照明光学系２２の瞳面の周辺部分の光を反射するための反射膜２４ａを有する。反射膜２４ａは照明光学系２２の瞳強度分布の形状を規定する開口絞りとして働く。また、反射膜２４ａは検出光学系２１の瞳の大きさを規定する開口絞りとして働く。あるいは検出ＮＡ（ＮＡｏ）を規定する。プリズム２４は、貼り合せ面に半透膜を有するハーフプリズムや、あるいはプリズムに限らず表面に反射膜を成膜した板状の光学素子などであってもよい。さらに、照明光学系２２あるいは検出光学系２１の瞳形状を変化させるために、プリズム２４は不図示のターレットやスライド機構の切り換え機構によって、他の開口形状を有するプリズムと交換可能にしてもよい。また、プリズム２４が配置される位置は、必ずしも検出光学系２１と照明光学系２２の瞳面もしくはその近傍でなくてもよい。
さらに、瞳強度分布の形状を規定する開口絞りはプリズム２４に配置しなくても良い。例えば、図４に示すように、検出光学系２１の瞳面に開口絞り２６を配置し、照明光学系２２の瞳面に開口絞り２７を配置する。開口絞り２６は検出光学系２１の瞳の大きさを規定し、開口絞り２７は照明光学系２２の瞳強度分布を規定する。このとき、プリズム２４にはその貼り合せ面に半透膜を有するハーフプリズム等が用いられる。さらに、開口絞り２６および開口絞り２７は、不図示のターレット等の切り換え機構によって、異なる開口形状を有する開口絞りに切り替え可能にしてもよい。
図５は検出部３の瞳における照明光の分布と検出光学系のＮＡとの関係を示したものである。図５では瞳の大きさを開口数ＮＡで示している。本実施形態の照明光学系２２の瞳における照明光の分布はＩＬ１からＩＬ４の４つの照明光の分布からなる。前述のように照明光学系２２の瞳面に開口絞り２７を配置することによって、１つの光源２３から複数の照明光の分布を形成することができる。照明光の分布ＩＬ１〜ＩＬ４はそれぞれ直径ＮＡｐの円形である。ここでは、Ｘ軸とＹ軸の交点を検出光学系と照明光学系の光軸とする。
照明光の分布ＩＬ１とＩＬ２は照明光学系の瞳面のＹ軸上の光軸からそれぞれプラス方向とマイナス方向にＮＡｉｌ（ＮＡｉｌ１）だけ離れた位置に配置されている。このように、光軸上を除きＹ軸方向に平行な軸上に、光軸に対して対称に配置することができる。また、照明光の分布の大きさはＮＡｐ（ＮＡｐ１）である。
照明光の分布ＩＬ３とＩＬ４は照明光学系の瞳面のＸ軸上の光軸からそれぞれプラス方向とマイナス方向にＮＡｉｌ（ＮＡｉｌ２）だけ離れた位置に配置されている。このように、光軸上を除きＸ軸方向に平行な軸上に、光軸に対して対称に配置することができる。また、照明光の分布の大きさはＮＡｐ（ＮＡｐ２）である。
このように、照明光学系２２にはモールド側マーク１０および基板側マーク１１に対して斜入射照明を行うように照明光の分布が形成されている。このとき、モールド側マーク１０および基板側マーク１１への入射角度θは
θ＝ｓｉｎ−１（ＮＡｉｌ） ・・・式１
である。また、ＮＡｏ、ＮＡｐ、ＮＡｉｌは下記の式２を満足する。
ＮＡｏ＜ＮＡｉｌ−ＮＡｐ／２ ・・・式２
すなわちモールド側マーク１０および基板側マーク１１からの正反射光（ゼロ次回折光）を検出しない構成（暗視野照明）になっている。
次に図６を用いて、モールド側マーク１０および基板側マーク１１からの回折光により生じるパターン（モアレ）の発生する原理とモアレを用いた相対位置検出について説明する。回折格子３１（図６（ａ））のパターン（第１パターン）と回折格子３２（図６（ｂ））のパターン（第２パターン）は、計測方向（図６ではＸ軸方向）の周期が互いに僅かに異なっている。回折格子のパターンの周期が異なる２つの回折格子を重ねると、２つの回折格子からの回折光により、図６（ｃ）に示すように２つの回折格子の周期差を反映した周期を有するパターン（いわゆるモアレ）が現れる。このとき、２つの回折格子の相対的な位置によってモアレの位相が変化するので、検出部３でモアレを検出することにより基板とモールドの位置合わせを行うことができる。ここで、回折格子の周期とは計測方向に配列されているパターンとパターンの間隔を示す。
モアレは、２つの回折格子３１と回折格子３２の相対的な位置によって明暗の位置（縞の位相）が変化する。例えば、一方の回折格子をＸ方向にシフトすると、図６（ｃ）のモアレは図６（ｄ）のように変化する。このモアレは、２つの回折格子が実際にシフトした大きさよりも、大きな周期でモアレの位相が変化するため、検出光学系２１の解像力が低くても、精度良く２物体間の相対的な位置を計測することができる。
ここで、モアレを検出するために図６（ａ）と図６（ｂ）の回折格子を明視野で検出（垂直方向から照明し、垂直方向から回折光を検出）しようとすると、回折格子からのゼロ次光も検出してしまう。ゼロ次光はモアレのコントラスを下げる要因になるので、本実施形態の検出部３は、前述のようにゼロ次光を検出しない暗視野の構成をとっている。そこで、斜入射で照明する暗視野の構成でもモアレを検出できるように、モールド側マークの回折格子と基板側マークの回折格子のいずれか一方を、計測方向（Ｘ方向）に交わる非計測方向（Ｙ方向）に周期構造を設ける。例えば、図７（ａ）に示すようなチェッカーボード状の回折格子１０ａにする。モールド側マークの回折格子と基板側マークの回折格子のどちらの回折格子をチェッカーボード状の回折格子にしても、基本的に同一であるが、以下ではモールド側マークの回折格子をチェッカーボード状にした場合を説明する。
図７（ａ）は、モールド側マーク１０（第一マーク）の回折格子１０ａを図示したものであり、図７（ｂ）は、基板側マーク１１（第二マーク）の回折格子１１ａを図示したものである。検出部３で回折格子１０ａと回折格子１１ａからの回折光を検出することで、モールドと基板のＸ方向に関する相対位置を求めることができる。モールド側マーク１０はＸ方向（第二方向）とＹ方向（第一方向）にそれぞれ周期Ｐｍの周期構造を有するチェッカーボード状の回折格子１０ａである。また、基板側マーク１１はＸ方向に周期Ｐｍと異なる周期Ｐｗの周期構造をもつ回折格子１１ａである。
Ｘ方向に関する相対位置を検出するためのモアレは、回折格子１０ａと回折格子１１ａを照明光学系から照射した光で照明することで発生する。すなわち、図５に示した照明光学系２２の瞳においてＹ軸に沿った方向に並んだ照明光の分布ＩＬ１とＩＬ２によってモアレは発生する。
図８（ａ）は、モールド側マーク１０（第三マーク）の回折格子１０ｂを図示したものであり、図８（ｂ）は、基板側マーク１１（第四マーク）の回折格子１１ｂを図示したものである。検出部３で回折格子１０ｂと回折格子１１ｂからの回折光を検出することで、モールドと基板のＹ方向に関する相対位置を求めることができる。モールド側マーク１０はＸ方向（第二方向）とＹ方向（第一方向）にそれぞれ周期Ｐｍの周期構造を有するチェッカーボード状の回折格子１０ｂである。また、基板側マーク１１はＹ方向に周期Ｐｍと異なる周期Ｐｗの周期構造をもつ回折格子１１ｂである。
Ｙ方向に関する相対位置を検出するためのモアレは、回折格子１０ｂと回折格子１１ｂを照明光学系から照射した光で照明することで発生する。すなわち、図５に示した照明光学系２２の瞳においてＸ軸に沿った方向に並んだ照明光の分布ＩＬ３とＩＬ４によってモアレは発生する。
このように、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す回折格子の組と、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す回折格子の組とを検出光学系２１の同一視野内に配置し、１つの検出系で２つの方向の相対位置を検出する場合には、図５に示す照明光の分布は有効である。
ここまで、計測方向と非計測方向が垂直な場合について説明したが、計測方向と非計測方向は必ずしも垂直である必要はない。そのため、計測方向と非計測方向が垂直に出ない場合には、その角度に合わせた照明光の分布が適宜選択される。また、同一視野内に配置されたＸ方向に関する相対位置を検出するためのモアレとＹ方向に関する相対位置を検出するためのモアレとを同時に検出する必要はなく、順次検出しても良い。
上述した回折格子に光を照明すると、回折格子の非計測方向における端部では照明光が散乱あるいは回折され、大きな信号（光）が発生する。この大きな信号はアライメントマークの相対位置を計測するのには不要となる信号である。例えば、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す回折格子の組に光を照射した際の、光学シミュレーションによって求めた非計測方向の回折格子からの信号の大きさ（光の強度）を図９に示す。図９は、回折格子からの信号を計測方向に積算した結果であり、横軸を非計測方向の位置とし、縦軸にアライメントマークからの信号強度（光の強度）としている。図９を参照するに、回折格子のパターンの非計測方向の端部でも大きな信号（光）が発生していることが確認できる。これは、非計測方向に沿った回折格子のパターンが端部で途切れることによって発生した信号であると考えられる。このように、非計測方向における回折格子の端部で発生する信号がモアレに混入すると、回折格子の相対位置の検出結果に誤差が生じる恐れがある。
そこで本発明の回折格子は、モールド７や基板８に形成された回折格子の非計測方向における端部の形状を工夫することによって、この影響を低減する。
（実施例１）
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、回折格子１０ａと回折格子１１ａの非計測方向における端部にパターンＡＰ１とパターンＡＰ２（第３パターン）を設けたアライメントマーク（モールド側マーク１０、基板側マーク１１）の一部を示した図である。アライメントマークに設けられたパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の線幅は回折格子の周期よりも小さく、より好適には回折格子の周期の半分（１／２）以下、もしくは検出光学系の解像力よりも小さいことが望ましい。さらにパターンの線幅は、アライメントマークを検出するために用いられる光の波長以下にすることが望ましい。図１０では、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２は回折格子の計測方向及び非計測方向（Ｘ方向とＹ方向）と異なる方向に配列されている。回折格子の端部に設けられたパターンＡＰ１とパターンＰＡ２は、モールド側マーク１０と基板側マーク１１の相対位置を求めるために使用されるパターンとは異なる。
実施例１においては、例えばパターンＡＰ１の計測方向及び非計測方向の線幅はＰｍ／４であり、パターンＡＰ２の計測方向及び非計測方向の線幅はＰｗ／４である。実施例１においては、パターンＡＰ１の計測方向と非計測方向の線幅を等しくしているが、これに限定されることなく、計測方向と非計測方向の線幅は異なっていてもよい。また、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の数や配列ピッチは組み合わされる回折格子や検出光学系の構成により適宜選択され、パターンの数や配列ピッチに限定されない。また、回折格子１０ａと回折格子１１ａのいずれか一方に設けられていてもよい。
ここで、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示した回折格子の組によるモアレを光学シミュレーションによって求めた結果を図１１に示す。図１１は回折格子１０ａと回折格子１１ａからの光を検出した結果を示しており、横軸を非計測方向の位置とし、縦軸にアライメントマークからの信号強度（光の強度）としている。図１１では回折格子にパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２を設けるによって、非計測方向における回折格子の端部で発生する信号が、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２が設けられていない場合よりも減少していることが分かる。
これはパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２によって、非計測方向における回折格子の端部からの光が検出光学系の検出ＮＡ（ＮＡｏ）の外に散乱、あるいは回折されることによるものと考えられる。パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２は計測方向及び非計測方向と異なる方向に配列されているため、検出ＮＡ（ＮＡｏ）の外に散乱もしくは回折させる構成となっている。また、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の線幅は回折格子の周期の半分（１／２）よりも小さいため、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２がない場合の非計測方向における回折格子の端部よりも位相の変化が小さくなっている。そのため、検出光学系により検出されるパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２からの光（回折光や散乱光）は、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２がない場合の非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）よりも小さく（低減）することができる。
（実施例２）
回折格子に設けられるパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の実施例２について説明する。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、回折格子１０ａと回折格子１１ａの非計測方向における端部にパターンＡＰ１とパターンＡＰ２（第３パターン）を設けたアライメントマーク（モールド側マーク１０と基板側マーク１１）の一部を示した図である。アライメントマークに設けられたパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２は、計測方向及び非計測方向と異なる方向に配列されて、回折格子から離れる方向に線幅が徐々に小さくなっている。パターンの線幅を徐々に小さくして、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の密度を連続的に変化させることで、パターンからの光の位相が連続的に変化する。そのため、検出光学系により検出されるパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２からの光（回折光や散乱光）は、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２がない場合の非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）よりも小さく（低減）することができる。
（実施例３）
回折格子に設けられるパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の実施例３について説明する。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、回折格子１０ａと回折格子１１ａの非計測方向における端部にパターンＡＰ１とパターンＡＰ２（第３パターン）を設けたアライメントマーク（モールド側マーク１０と基板側マーク１１）の一部を示した図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、アライメントマークに設けられたパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２は三角形の形状をしており、回折格子の非計測方向の端部に設けられている。アライメントマークに設けられた三角形のパターンのうち少なくとも一辺は計測方向及び非計測方向と異なる方向である。そのため、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の少なくとも一辺からの光（回折光や散乱光）は、計測方向及び非計測方向と異なる方向に散乱もしくは回折する。そのため、検出光学系により検出されるパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２からの光（回折光や散乱光）は、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２がない場合の非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）よりも小さく（低減）することができる。
（実施例４）
回折格子に設けられるパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の実施例４について説明する。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、回折格子１０ａと回折格子１１ａの非計測方向における端部にパターンＡＰ１とパターンＡＰ２（第３パターン）を設けたアライメントマーク（モールド側マーク１０と基板側マーク１１）の一部を示した図である。アライメントマークに設けられたパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２は、回折格子１０ａ及び回折格子１１ａの計測方向におけるパターンの周期と同じ周期で配列されているが、回折格子のパターンの線幅よりも小さい線幅を有している。パターンＡＰ１とパターンＡＰ２の線幅は、回折格子のパターンの線幅よりも小さい。すなわち、パターン密度を非計測方向に変化させることで、非計測方向に位相が変化するため、非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）よりも小さく（低減）することができる。
（実施例５）
回折格子に設けられるパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の実施例５について説明する。図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、回折格子１０ａと回折格子１１ａの非計測方向における端部にパターンＡＰ１とパターンＡＰ２（第３パターン）を設けたアライメントマーク（モールド側マーク１０と基板側マーク１１）の一部を示した図である。アライメントマークに設けられたパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２は、回折格子１０ａ及び回折格子１１ａの計測方向におけるパターンの周期と同じ周期で配列されている。一方で、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２は、回折格子から離れる方向に従って、計測方向におけるパターンの線幅を徐々に小さくしている。図１５（ａ）に示すように非計測方向におけるパターンの線幅を徐々に小さくしてもよい。パターンの線幅を徐々に小さくして、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の密度を連続的に変化させることで、パターンからの光の位相が連続的に変化する。
そのため、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２によって、検出光学系により検出される非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）を小さく（低減）することができる。さらに、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すパターンの線幅は、図１４に示したパターンの線幅よりも連続的に変化するため、図１４に示した非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）より低減することができる。
（実施例６）
回折格子に設けられるパターンＡＰ２の実施例６について説明する。図１６（ａ）は、回折格子１１ａの非計測方向における端部にパターンＡＰ２（第３パターン）を設けたアライメントマーク（基板側マーク１１）の一部を示した図である。本実施例では回折格子１０ａに設けられるパターンＡＰ１を図示していないが、回折格子１０ａに設けられるパターンＡＰ１はパターンＡＰ２と同様である。図１６（ａ）に示すように、アライメントマークに設けられたパターンＡＰ２は、回折格子１１ａの計測方向におけるパターンの幅と同じ幅で形成されている。一方で、パターンＡＰ２は、回折格子から離れる方向に従って、非計測方向におけるパターンの線幅を徐々に小さくしている。パターンの線幅を徐々に小さくして、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の密度を連続的に変化させることで、パターンからの光の位相が連続的に変化する。
そのため、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２によって、検出光学系により検出される非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）を小さく（低減）することができる。
（実施例７）
回折格子に設けられるパターンＡＰ２の実施例７について説明する。図１６（ｂ）は、回折格子１１ａの非計測方向における端部にパターンＡＰ２（第３パターン）を設けたアライメントマーク（基板側マーク１１）の一部を示した図である。本実施例では回折格子１０ａに設けられるパターンＡＰ１を図示していないが、回折格子１０ａに設けられるパターンＡＰ１はパターンＡＰ２と同様である。図１６（ｂ）に示すように、アライメントマークに設けられたパターンＡＰ２は、回折格子１１ａの計測方向におけるパターンの周期と同じ周期で配列されている。一方で、パターンＡＰ２は、回折格子から離れる方向に従って、計測方向におけるパターンの線幅を徐々に小さくしている。また、本実施例のパターンＡＰ２は、線幅が異なるパターン同士が非計測方向に離れて配列されている。パターンの線幅を徐々に小さくして、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２の密度を連続的に変化させることで、パターンからの光の位相が連続的に変化する。
そのため、パターンＡＰ１及びパターンＡＰ２によって、検出光学系により検出される非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）を小さく（低減）することができる。
このように、回折格子に設けられるパターンＡＰ１やパターンＡＰ２は、回折格子の非計測方向における端部と接していなくてもよい。回折格子の非計測方向における端部とパターンＡＰ１（パターンＡＰ２）との距離は、検出光学系の解像力以下となるようにパターンＡＰ１を配置する。もしくはアライメントマークを検出するために用いられる光の波長の２倍以下（望ましくは波長以下）となるようにパターンＡＰ１を配置することが望ましい。
以上、第１実施形態の各実施例について説明した。第１実施形態ではモールド側マーク１０の回折格子１０ａと基板側マーク１１の回折格子１１ａの両方にパターンＡＰ１とパターンＡＰ２を設けたが、いずれか一方の回折格子にパターンＡＰ１もしくはパターンＡＰ２を設けてもよい。また、回折格子１０ａと回折格子１１ａの非計測方向におけるパターンの長さが異なっていてもよい。さらに、図１６（ｂ）に示すように回折格子１１ａを構成するパターンとパターンの間の非計測方向における端部にパターンＡＰ３（第４パターン）を設けてもよい。
第１実施形態では、図７に示す回折格子を例に説明したが、回折格子のパターンは図１６（ｃ）に示すように、複数のセグメントＳＧＰ（所謂、微細な線やドットの集合で構成されたセグメントマーク）で構成されている場合がある。このような場合には、１つのパターンを構成する複数のセグメントＳＧＰの非計測方向における端部にパターンを設けてもよい。また、回折格子の非計測方向における端部に設けられたパターンＡＰ１（ＡＰ２）が複数のセグメントで構成されていてもよい。さらに、回折格子の非計測方向における端部だけをセグメントＡＧＰで構成されていてもよい。
第１実施形態では回折格子１０ａ及び回折格子１１ａについて説明したが、計測方向がＹ方向である回折格子１０ｂ及び回折格子１１ｂについても同様に非計測方向における回折格子の端部にパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２を設けることができる。さらに、非計測方向における回折格子の端部は各パターンに２か所存在する。そのため、非計測方向における回折格子の端部の２か所にパターンＡＰ１及びパターンＡＰ２を設けてもよいし、１か所にだけ設けてもよい。
第１実施形態ではモールド側マーク１０と基板側マーク１１の回折格子を暗視野検出する場合について説明した。上述の回折格子を明視野検出する場合にも同様に、非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）の影響で、アライメントマークの検出精度が低下する恐れがある。従って、回折格子を明視野検出する場合にも、非計測方向における回折格子の端部に回折格子のパターンの周期よりも小さい線幅のパターンを設けることで、非計測方向における回折格子の端部からの光（回折光や散乱光）を低減することができる。第１実施形態ではモールド側マーク１０の回折格子１０ａの周期と基板側マーク１１の回折格子１１ａの周期とが異なる場合について説明した。しかし、回折格子１０ａの周期と回折格子１１ａの周期は同じでもよい。その場合はモアレの検出ではない方式でモールドと基板の相対位置を検出する。
第１実施形態では、モールド側マーク１０の回折格子１０ａ及び基板側マーク１１の回折格子１１ａのうち少なくともいずれか一方の非計測方向における回折格子の端部に、回折格子の周期よりも小さい線幅のパターンを設けている。これにより、非計測方向における回折格子１０ａ及び回折格子１１ａの端部からの強い光（散乱光や回折光）の発生を抑えて、検出部３は回折格子の相対的な位置の検出精度を向上することができる。そして、インプリント装置１は、検出部３によるアライメントマークの検出結果に基づいてモールド７と基板８の位置合わせを行うことで、位置合わせの精度を向上させることができる。
（第２実施形態）
次に、図１７を用いて第２実施形態について説明する。図１７は基板（またはモールド）に形成されたアライメントマークをＹ方向から見た断面図である。第２実施形態のインプリント装置及びインプリント方法は、第１実施形態のインプリント装置１及びインプリント方法と同様である。
アライメントマークの非計測方向における回折格子の端部からの光（散乱光や回折光）を低減するためには、非計測方向における回折格子の端部に、回折格子と異なる位相の光を発生させればよい。したがって、モールド７と基板８のそれぞれに形成された回折格子のうち少なくとも一方の非計測方向における回折格子の端部に、回折格子からの光の位相と異なる位相の光を発生する構造のパターンを設ければよい。
第２実施形態のアライメントマークの回折格子は、図１７（ａ）に示すように回折格子１１ｂ（１０ｂ）のパターンを構成する物質の屈折率と非計測方向における回折格子の端部のパターンＡＰを構成する物質の屈折率が異なっている。または、図１７（ｂ）に示すように回折格子１１ｂ（１０ｂ）のパターンを構成する物質の厚さ（Ｚ方向の高さ）と非計測方向における回折格子の端部に設けられたパターンＡＰを構成する物質の厚さ（Ｚ方向の高さ）を異ならせてもよい。さらに、回折格子のパターンを構成する凹凸形状の段差の深さと非計測方向における回折格子の端部に設けられたパターンＡＰを構成する凹凸形状の段差の深さとを異ならせてもよい。
ここで、非計測方向における回折格子の端部に設けられたパターンを構成する物質の屈折率、厚さ、あるいは凹凸形状の段差の深さは、回折格子から離れる方向に、段階的あるいは連続的に変化させてもよい。このようにパターンが連続的に変化することによって、非計測方向における回折格子の端部からの光（散乱光や回折光）をさらに低減することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。第１実施形態と第２実施形態で説明した回折格子と非計測方向における端部のパターンの構成を適宜組み合わせてもよい。
例えば、上述した実施形態に記載された回折格子の計測方向の端部に、図１８に示すようなパターンの幅やパターンの間隔が異なるパターンを設けても良い。このような技術は特許文献（特開２０１６‐０２７３２５）に記載されている。
図１８に示すように回折格子のパターンの端部（計測方向の端部）の線幅を細くすることで、回折格子のパターンの両端（計測方向の端部）で発生する信号（不要光）を低減させることができる。また、回折格子のパターンの端部（計測方向の端部）のパターンの間隔を広くしてもよい。相対位置を計測するために用いられる回折格子のマークの間隔（Ｓ０）よりも端部のマークの間隔（Ｓ１〜Ｓ６）を広くすることで、回折格子のパターンの両端（計測方向の端部）で発生する信号（不要光）を低減させることができる。このようなマークを組み合わせることで、回折格子の計測方向と非計測方向の端部からの不要光を低減することができ、アライメントマークの検出精度の低下を防ぐことができる。
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。
電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。光学素子としては、マイクロレンズ、導光体、導波路、反射防止膜、回折格子、偏光素子、カラーフィルタ、発光素子、ディスプレイ、太陽電池等が挙げられる。ＭＥＭＳとしては、ＤＭＤ、マイクロ流路、電気機械変換素子等が挙げられる。記録素子としては、ＣＤ、ＤＶＤのような光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気ヘッド等が挙げられる。センサとしては、磁気センサ、光センサ、ジャイロセンサ等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。
１ インプリント装置
３ 位置検出装置
７ モールド
８ 基板
１０、１１ マーク
１２ 制御部
２１ 検出光学系
２５ 撮像素子

Claims (15)

  1. 第１方向に配列された第１パターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列された第２パターンを含む第２回折格子からの光を検出する工程と、
    前記光に基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める工程と、を有し、
    前記第１回折格子の前記第１パターンの前記第１方向とは異なる第２方向の端部に第３パターンを備え、前記第１方向における前記第３パターンの幅は、前記第１回折格子の第１パターンの前記第１方向における幅よりも小さく、
    前記第３のパターンは、前記第１方向および前記第２方向とは異なる方向に配列されており、
    前記光を検出する工程で検出される光は、照明光学系により前記第２方向から前記第１回折格子および前記第２回折格子に斜入射照明されることで検出されることを特徴とする位置検出方法。
  2. 第１方向に配列された第１パターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列された第２パターンを含む第２回折格子からの光を検出する工程と、
    前記光に基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める工程と、を有し、
    前記第１回折格子の前記第１パターンは、前記第１方向とは異なる第２方向の端部に前記第１パターンの前記第２方向の端部からの光を減少させる第３パターンが設けられており、
    前記第３のパターンは、前記第１方向および前記第２方向とは異なる方向に配列されており、
    前記光を検出する工程で検出される光は、照明光学系により前記第２方向から前記第１回折格子および前記第２回折格子に斜入射照明されることで検出されることを特徴とする位置検出方法。
  3. 前記照明光学系は、前記第１方向からも斜入射照明することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の位置検出方法。
  4. 前記第３のパターンは、前記異なる方向において、前記第１パターンまたは前記第２パターンから離れるにつれて幅が小さくなるように連続的に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の位置検出方法。
  5. 第１方向に配列された第１パターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列された第２パターンを含む第２回折格子からの光を検出する工程と、
    前記光に基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める工程と、を有し、
    前記第１回折格子の前記第１パターンの前記第１方向とは異なる第２方向の端部に第３パターンを備え、前記第１方向における前記第３パターンの幅は、前記第１回折格子の第１パターンの前記第１方向における幅よりも小さく、
    前記第３のパターンは、前記第１方向および前記第２方向とは異なる方向に配列され、さらに、
    前記第３のパターンは、前記異なる方向において、前記第１パターンまたは前記第２パターンから離れるにつれて幅が小さくなるように連続的に設けられていることを特徴とする位置検出方法。
  6. 第１方向に配列された第１パターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列された第２パターンを含む第２回折格子からの光を検出する工程と、
    前記光に基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める工程と、を有し、
    前記第１回折格子の前記第１パターンは、前記第１方向とは異なる第２方向の端部に前記第１パターンの前記第２方向の端部からの光を減少させる第３パターンが設けられており、
    前記第３のパターンは、前記第１方向および前記第２方向とは異なる方向に配列されており、
    前記第３のパターンは、前記異なる方向において、前記第１パターンまたは前記第２パターンから離れるにつれて幅が小さくなるように連続的に設けられていることを特徴とする位置検出方法。
  7. 第１方向に配列された第１パターンを含む第１回折格子と、前記第１方向に配列された第２パターンを含む第２回折格子からの光を検出する工程と、
    前記光に基づいて、前記第１回折格子と前記第２回折格子との相対位置を求める工程と、を有し、
    前記第１回折格子の前記第１パターンは、前記第１方向とは異なる第２方向の端部に前記第１パターンの前記第２方向の端部からの光を減少させる第３パターンが設けられており、
    前記第３のパターンを形成する一辺は、前記第１方向および前記第２方向とは異なる方向に延伸していることを特徴とする位置検出方法。
  8. 前記光を検出する工程で検出される光は、照明光学系により前記第２方向から前記第１回折格子および前記第２回折格子に斜入射照明されることで検出されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の位置検出方法。
  9. 前記第２回折格子の第２パターンの前記第２方向の端部に、前記第１方向における前記第２回折格子の第２パターンの幅よりも小さい幅の第３パターンを有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の位置検出方法。
  10. 前記相対位置を求めるために用いられるパターンの前記第１方向における幅は、同一であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の位置検出方法。
  11. 前記第３パターンの前記第１方向における幅は、前記第１パターンの前記第１方向における周期の半分以下、もしくは前記光を検出する工程で検出に用いる検出部の解像力よりも小さい幅であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の位置検出方法。
  12. 前記第１回折格子、及び、前記第２回折格子のうち少なくとも一方の回折格子は、前記第２方向に配列されたパターンを含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の位置検出方法。
  13. 前記第１パターンは、複数のセグメントで構成されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の位置検出方法。
  14. モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の位置検出方法を用いて検出した前記相対位置を用いて、前記モールドと前記基板との位置合わせを行うことを特徴とするインプリント装置。
  15. 請求項１４に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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