JP6401501B2 - インプリント装置、および物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。

基板上のショット領域に供給されたインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置が、半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。インプリント装置では、一般に、基板とモールドとの位置合わせ（アライメント）方式として、ダイバイダイアライメント方式が採用されている（特許文献１参照）。ダイバイダイアライメント方式とは、基板上のショット領域ごとに、モールドに設けられた各マークとショット領域に設けられた各マークとの相対位置を検出し、その検出結果に基づいてモールド上のパターン領域とショット領域との位置合わせを行う方式である。

特開２０１３−２４３３１５号公報

基板上のショット領域に設けられた複数のマークの中には、本来形成されるべき位置や形状とは異なって形成されたマーク（異常マーク）が含まれる場合がある。この場合において、異常マークとそれに対応するモールドのマークとの相対位置が目標相対位置になるように当該位置合わせを行ってしまうと、モールド上のパターン領域とショット領域との間に位置ずれが生じうる。即ち、ショット領域にモールドのパターンを精度よく転写することが困難になりうる。

そこで、本発明は、基板とモールドとの位置合わせを行う上で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のショット領域にモールドを用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記ショット領域に設けられた複数の基板側マークの各々の位置と、前記モールドに設けられた複数の型側マークの各々の位置とを検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記モールドと前記ショット領域との位置合わせを行う制御部と、を含み、前記制御部は、前記検出部により各基板側マークの位置を検出する前の工程に起因する前記ショット領域の変形に関する情報に基づいて、各基板側マークが配置されているべき予測位置を求め、前記複数の基板側マークのうち、前記検出部で検出された位置と前記予測位置との差が許容範囲に収まっていない基板側マークを異常マークとして決定し、前記異常マークについての前記検出結果を用いずに前記位置合わせを行う、とを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板とモールドとの位置合わせを行う上で有利なインプリント装置を提供することができる。

第１実施形態のインプリント装置の構成を示す概略図である。 ショット領域におけるマークの配置と検出部におけるスコープの配置とを示す図である。 ショット領域上に異常マークがある場合における基板とショット領域との位置合わせについて説明するための図である。 異常マークの検知を伴う位置合わせの制御方法を示すフローチャートである。 基板に温度変化が生じることによる各ショット領域の変形を説明するための図である。 基板の保持による各ショット領域の変形を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の説明において「位置合わせ」には、モールド上のパターン領域と基板上のショット領域とのＸＹ方向における相対位置を合わせることに加えて、パターン領域の形状とショット領域の形状とを合わせることも含まれる。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について説明する。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、モールド１を用いて基板上のインプリント材４を成形するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置１００は、凹凸のパターンが形成されたモールド１を基板上のインプリント材４に接触させた状態で当該インプリント材４を硬化させる。そして、インプリント装置１００は、モールド１と基板２との間隔を広げ、硬化したインプリント材４からモールド１を剥離（離型）することによって基板上にインプリント材４で構成されたパターンを形成することができる。インプリント材４を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、第１実施形態では、光硬化法を採用する例について説明する。光硬化法とは、インプリント材４として未硬化の紫外線硬化樹脂を基板上に供給し、モールド１とインプリント材４とを接触させた状態でインプリント材４に紫外線を照射することにより当該インプリント材４を硬化させる方法である。ここでは、光として紫外線を用いる例について説明するが、紫外線とは異なる波長の光を用いてもよい。

［インプリント装置１００の構成について］
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、モールド１を保持するインプリントヘッド１０と、基板２を保持する基板ステージ２０と、基板上のインプリント材４に光（紫外線）を照射する照射部５０とを含みうる。また、インプリント装置１００は、インプリント材４を基板２に供給する供給部４０と、モールド１に設けられたマークと基板上のショット領域２ａに設けられたマークとの相対位置を検出する検出部６０と、制御部７０とを含みうる。制御部７０は、例えばＣＰＵやメモリなどを有し、インプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）。

モールド１は、通常、石英など紫外線を透過せることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域）には、基板上のインプリント材４を成形するための凹凸のパターンが形成されている。また、基板２には、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが用いられうる。基板２の上面（被処理面）には、後述する供給部４０によってインプリント材４が供給される。

インプリントヘッド１０は、例えば真空吸着力や静電力などによりモールド１を保持し、モールド上のパターン領域と基板上のインプリント材４とを接触させたり剥離させたりするようにモールド１をＺ方向に駆動する。インプリントヘッド１０は、Ｚ方向にモールド１を駆動する機能だけでなく、ＸＹ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）におけるモールド１の位置を調整する調整機能や、モールド１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。

ここで、インプリント装置１００には、ショット領域２ａの形状とパターン領域の形状が互いに近づくようにモールド上のパターン領域およびショット領域２ａのうち少なくとも一方を変形させる変形部が設けられうる。第１実施形態における変形部は、例えば、モールド１の各側面における複数の箇所に力を加えるようにインプリントヘッド１０に設けられた複数のアクチュエータ１０ａを含みうる。そして、変形部における複数のアクチュエータ１０ａがモールド１の各側面における複数の箇所に個別に力を加えることにより、ショット領域２ａの形状とモールド上のパターン領域の形状とが互いに近づくように当該パターン領域を変形することができる。変形部における各アクチュエータ１０ａとしては、例えば、リニアモータやエアシリンダ、ピエゾアクチュエータなどが用いられうる。第１実施形態における変形部は、モールド上のパターン領域を変形するように構成されているが、例えば、基板上のショット領域２ａを変形するように構成されていてもよい。この場合では、変形部は、例えば、基板２の表面に光を照射して基板２を熱膨張させることにより、ショット領域２ａの形状とモールド１のパターン領域の形状とが互いに近づくようにショット領域２ａを変形する機構を含みうる。また、変形部は、モールド上のパターン領域およびショット領域２ａの双方を変形するように構成されていてもよい。

基板ステージ２０は、例えば真空吸着力や静電力などにより基板２を保持し、定盤３０上をＸＹ方向に移動して基板２のＸＹ方向における位置決めを行う。基板ステージ２０は、ＸＹ方向に基板２を移動させる機能だけでなく、Ｚ方向に基板２を移動させる機能やθ方向における基板２の位置を調整する調整機能などを有していてもよい。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１と基板２との間の距離を変える動作がインプリントヘッド１０によって行われる。しかし、それに限られるものではなく、基板ステージ２０を駆動することによって行われてもよいし、インプリントヘッド１０と基板ステージ２０の双方を同時に駆動してもよいし、順次駆動させてもよい。

照射部５０は、インプリント処理の際に、基板２に供給されたインプリント材４に光（紫外線）を照射し、当該インプリント材４を硬化する。照射部５０は、例えば、インプリント材４を硬化させる光（紫外線）を射出する光源を有する。さらに、光源から射出された光をインプリント処理において適切な光に調整するための光学素子を含んでいてもよい。ここで、第１実施形態では光硬化法が採用されているため、紫外線を射出する光源が用いられているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、インプリント材４としての熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源が光源の代わりに用いられうる。また、供給部４０は、基板上にインプリント材４（未硬化樹脂）を供給する。上述したように第１実施形態のインプリント装置１００では、紫外線の照射によって硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂がインプリント材４として用いられる。

検出部６０は、基板上のショット領域２ａに設けられた複数のマーク２ｂの各々と、モールド上に設けられた複数のマークの各々との相対位置を検出する。検出部６０は、例えば、ショット領域２ａに設けられた複数のマーク２ｂを同時に観察することができるように配置された複数のスコープを含みうる。例えば、図２に示すように、ショット領域２ａの四隅のそれぞれに、Ｘ方向における相対位置を検出するためのマーク２ｂとＹ方向における相対位置を検出するためのマーク２ｂとが形成されている場合を想定する。この場合、検出部６０は、ショット領域２ａに設けられた８個のマークを同時に検出することができるように配置された８個のスコープを含みうる。スコープＬＵＸはマーク２ｂ_ＬＵＸを、スコープＬＵＹはマーク２ｂ_ＬＵＹを、スコープＬＤＸはマーク２ｂ_ＬＤＸを、スコープＬＤＹはマーク２ｂ_ＬＤＹをそれぞれ観察することができるように配置される。また、スコープＲＵＸはマーク２ｂ_ＲＵＸを、スコープＲＵＹはマーク２ｂ_ＲＵＹを、スコープＲＤＸはマーク２ｂ_ＲＤＸを、スコープＲＤＹはマーク２ｂ_ＲＤＹをそれぞれ観察することができるように配置される。

このように基板上のショット領域２ａに設けられた複数のマーク２ｂの中には、本来形成されるべき位置や形状とは異なって形成されたマーク２ｂ（異常マーク）が含まれる場合がある。この場合において、異常マークとそれに対応するモールドのマークとの相対位置が目標相対位置になるように位置合わせを行ってしまうと、モールド上のパターン領域とショット領域２ａとの間に位置ずれが生じうる。即ち、ショット領域２ａにモールドのパターンを精度よく転写することが困難になりうる。例えば、図３（ａ）に示すようにマーク２ｂ_ＲＵＸおよびマーク２ｂ_ＲＵＹが、本来形成されるべき位置とは異なる異常マークである場合を想定する。そして、この場合において、制御部７０が、ショット領域２ａの各マーク２ｂとモールド１の各マーク１ｂとの相対位置が目標相対位置になるように変形部を制御して、基板上のショット領域２ａとモールド上のパターン領域１ａとの位置合わせを行ったとする。ここでは、ショット領域２ａのマーク２ｂとそれに対応するモールド１のマーク１ｂとが重なるように目標相対位置を設定する。このとき、図３（ｂ）に示すように、ショット領域２ａの各マーク２ｂとモールド１の各マーク１ｂとの相対位置が目標相対位置になっていても、基板上のショット領域２ａとモールド上のパターン領域１ａとの間に位置ずれが生じうる。即ち、ショット領域２ａにモールド１のパターンを精度よく転写することが困難になりうる。

そこで、第１実施形態のインプリント装置１００は、ショット領域２ａの変形に関する情報を用いて、ショット領域２ａのマーク２ｂとモールド１のマーク１ｂとの相対位置の予測値をショット領域２ａの各マーク２ｂについて求める。インプリント装置１００は、ショット領域２ａに設けられた複数のマーク２ｂのうち、検出部６０による検出結果と予測値との誤差が許容範囲に収まらないマークを異常マークとして検知する。そして、インプリント装置１００は、異常マークについての検出結果を用いずにモールド１とショット領域２ａとの位置合わせを制御する。以下に、異常マークの検知を伴う位置合わせの制御方法について説明する。

［異常マークの検知を伴う位置合わせの制御方法について］
異常マークの検知を伴う位置合わせの制御方法について、図４を参照しながら説明する。図４は、異常マークの検知を伴う位置合わせの制御方法を示すフローチャートである。Ｓ１０１では、制御部７０は、モールド１のマーク１ｂとショット領域２ａのマーク２ｂとの相対位置を検出部６０に検出させる。例えば、ｉ番目のショット領域２ａのマーク２ｂ_ＬＵＸにおける検出結果をｌｕｘ_ｉ、マーク２ｂ_ＬＵＹにおける検出結果をｌｕｙ_ｉとすると、検出結果ｌｕｘ_ｉおよびｌｕｙ_ｉは式（１）によって表される。ここで、式（１）において、Ｘｓ_ｉは、ｉ番目のショット領域２ａのＸ方向におけるシフト成分を示し、Ｙｓ_ｉは、ｉ番目のショット領域２ａのＹ方向におけるシフト成分を示す。Ｘｍ_ｉは、ｉ番目のショット領域２ａのＸ方向における倍率成分を示し、Ｙｍ_ｉは、ｉ番目のショット領域２ａのＹ方向における倍率成分を示す。Ｘｒ_ｉは、ｉ番目のショット領域２ａのＸ方向における回転成分を示し、Ｙｒ_ｉは、ｉ番目のショット領域２ａのＹ方向における回転成分を示す。ＸｒおよびＹｒは時計周りの方向（ＣＷ方向）をプラス（＋）としている。また、（Ｘ_ｌｕｘ、Ｙ_ｌｕｘ）は、マーク２ｂ_ＬＵＸのショット領域内における座標である。

同様に、ショット領域２ａに設けられた他のマーク２ｂにおける検出結果も、ｉ番目のショット領域２ａにおけるシフト成分、倍率成分、回転成分、および各マーク２ｂの座標によって表されうる。その結果、各マーク２ｂについての連立方程式を最小二乗法を用いて計算することにより、各マーク２ｂについての検出結果からｉ番目のショット領域２ａにおけるシフト成分、倍率成分および回転成分を求めることができる。

Ｓ１０２では、制御部７０は、ショット領域２ａの変形に関する情報を取得する。ショット領域２ａの変形に関する情報は、例えば、基板２にマーク２ｂを形成する際に生じるショット領域２ａの変形量、基板２の温度変化によるショット領域２ａの変形量、および基板２の保持によるショット領域２ａの変形量のうち少なくとも一方を含みうる。

基板２にマーク２ｂを形成する際に生じるショット領域２ａの変形量としては、基板２にマーク２ｂを形成する装置（例えば露光装置）における基板ステージの駆動誤差に起因したショット領域２ａの変形量が挙げられる。このような基板ステージの駆動誤差に起因した変形量は、例えば特許第４２５０２５２号公報に記載されているように、隣り合うショット領域２ａの一部が互いに重なるように複数のショット領域２ａが形成されたダミー基板を用いて事前に取得されうる。これにより、基板２にマーク２ｂを形成する装置における基板ステージの駆動誤差に起因したショット領域２ａの変形量（シフト成分ｄｘ_ｉｓおよびｄｙ_ｉｓ、回転成分ｄθｘ_ｉｓおよびｄθｙ_ｉｓ）が得られる。ここで、上述の方法では、ショット領域２ａの倍率成分については得ることができないが、近年の露光装置では、ショット領域２ａの倍率成分の変動が十分小さく抑えられているため、当該倍率成分を考慮しなくてもよい。

また、基板２の温度変化によるショット領域２ａの熱変形量は、例えば基板２にマーク２ｂが形成された後の工程における基板２の温度変化によって生じ、熱膨張率が既知であれば、基板２の温度変化量を用いたＦＥＭ解析などによって事前に取得されうる。図５は、基板２に温度変化が生じたときにおけるＦＥＭ解析結果（各ショット領域２ａの変形量）の一例を示す図である。図５（ａ）は基板２の温度変化を示す図であり、図５（ｂ）は、ＦＥＭ解析結果を示す図である。これにより、基板２の温度変化によるショット領域２ａの熱変形量（シフト成分ｄｘ_ｉｈおよびｄｙ_ｉｈ、倍率成分ｄｍｘ_ｉｈおよびｄｍｙ_ｉｈ、回転成分ｄθｘ_ｉｈおよびｄθｙ_ｉｈ）が得られる。

基板２の保持によるショット領域２ａの変形量は、基板ステージ２０で基板２を保持するときに生じ、基板２の剛性係数が既知であれば、基板ステージ２０の平坦度を用いたＦＥＭ解析などによって事前に取得されうる。基板ステージ２０の平坦度θが既知であれば、図６に示すように、平坦度θと基板２の厚み（２Ｌ）から簡易的な近似計算によってショット領域２ａの変形量ΔＸ（＝θ×Ｌ）を事前に取得することもできる。これにより、基板ステージ２０で基板２を保持することによるショット領域２ａの変形量（シフト成分ｄｘ_ｉｖおよびｄｙ_ｉｖ、倍率成分ｄｍｘ_ｉｖおよびｄｍｙ_ｉｖ、回転成分ｄθｘ_ｉｖおよびｄθｙ_ｉｖ）が得られる。

Ｓ１０３では、制御部７０は、Ｓ１０２で取得したショット領域２ａの変形に関する情報を用いて、モールド１のマーク１ｂとショット領域２ａのマーク２ｂとの相対位置の予測値を求める。例えば、制御部７０は、まず、Ｓ１０２で取得したショット領域２ａの変形に関する情報を用いて、ｉ番目のショット領域２ａにおける変形量の予測値（シフト成分、倍率成分および回転成分）を求める。以下では、ｉ番目のショット領域２ａにおける変形量の予測値のうち、シフト成分をＸｓ_ｉ’およびＹｓ_ｉ’、倍率成分をＸｍ_ｉ’およびＹｍ_ｉ’、回転成分をＸｒ_ｉ’およびＹｒ_ｉ’と表す。このとき、例えばｉ番目のショット領域２ａにおける変形量の予測値のうち、シフト成分（Ｘ方向）は式（２）によって表される。

ここで、基板２と基板ステージ２０との間には、基板ステージ２０上への基板２の搬入に伴う位置ずれ（シフト成分ｄｘ_０およびｄｙ_０、回転成分ｄθｘ_０およびｄθｙ_０）が生じうる。そのため、式（２）によって表されるｉ番目のショット領域２ａにおける変形量の予測値（シフト成分Ｘｓ_ｉ’）には、当該位置ずれのＸ方向におけるシフト成分ｄｘ_０が加えられている。このような位置ずれは、基板２の搬入ごと、即ち基板２ごとに異なりうるため事前に取得した値を適用することは困難である。そこで、制御部７０は、同じ基板上の複数のショット領域２ａにおいて当該位置ずれ量がほぼ同じ値となることを利用して、同じ基板上における２つのショット領域２ａで変形量の予測値の差分を求める。これにより、基板２の搬入に伴う当該位置ずれを除去することができる。例えば、式（３）に示すように、ｉ番目のショット領域２ａとそれに隣り合うｊ番目のショット領域２ａ（例えば、ｉ−１番目のショット領域２ａ）との間において、変形量の予測値の差分ΔＸｓ_ｉｊが求められる。

このような方法により、制御部７０は、変形量の予測値の差分を、Ｘ方向におけるシフト成分ΔＸｓ_ｉｊだけでなく、Ｙ方向におけるシフト成分ΔＹｓ_ｉｊ、倍率成分ΔＸｍ_ｉｊおよびΔＹｍ_ｉｊ、回転成分ΔＸｒ_ｉｊおよびΔＹｒ_ｉｊについても求める。これにより、制御部７０は、変形量の予測値の差分を用いて、モールド１のマーク１ｂとショット領域２ａのマーク２ｂとの相対位置の予測値を、ショット領域上の各マーク２ｂについて求めることができる。このように求められた相対位置の予測値は、同一ロット内における複数の基板２でほぼ同じ値になる。そのため、制御部７０は、求めた予測値を複数の基板２において共通に用いるとよい。

Ｓ１０４では、制御部７０は、ショット領域上の各マーク２ｂについて、Ｓ１０１で取得された検出部６０による検出結果とＳ１０３で取得された相対位置の予測値との差を求める。Ｓ１０５では、制御部７０は、ショット領域２ａに設けられた複数のマーク２ｂのうち、Ｓ１０４で求められた差が許容範囲に収まらないマーク２ｂがあるか否かを判断し、当該差が許容範囲に収まらないマーク２ｂを異常マークとして検知する。ここで、許容範囲は、任意に設定できるが、例えば実験や以前のインプリント処理の履歴などから設定されることが好ましい。Ｓ１０５において異常マークがないと判断された場合にはＳ１０６に進み、制御部７０は、ショット領域２ａに設けられた全てのマーク２ｂを用いて、モールド１とショット領域２ａとの位置合わせを制御する。一方で、Ｓ１０５において異常マークがあると判断された場合にはＳ１０７に進み、制御部７０は、異常マークについての検出結果を用いずにモールド上のパターン領域１ａとショット領域２ａとの位置合わせを制御する。

ここで、Ｓ１０７において異常マークを用いずにモールド上のパターン領域１ａとショット領域２ａとの位置合わせを制御する方法について説明する。制御部７０は、例えば、ショット領域２ａに設けられた複数のマーク２ｂのうち、異常マーク以外のマーク２ｂについての検出部６０による検出結果に基づいて当該位置合わせを行うとよい。これにより、異常マークとモールド１のマーク１ｂとの相対位置が目標相対位置になるように位置合わせを行うことによって生じるモールド上のパターン領域１ａとショット領域２ａとの位置ずれを抑制することができる。また、制御部７０は、異常マークについての検出結果の代わりに、他のマークについての検出結果を用いて当該位置合わせを行ってもよい。他のマークとしては、例えば、異常マークを有するショット領域２ａ（第１ショット領域）より前にインプリント処理が行われるショット領域２ａ（第２ショット領域）に形成され、かつ異常マークと同じショット領域上の位置に配置されたマークが用いられうる。もしくは、異常マークを有するショット領域２ａが形成された基板２より前にインプリント処理が行われた基板に形成され、かつ異常マークと同じ基板上の位置に配置されたマークが用いられうる。このように、異常マークについての検出結果の代わりに、他のマークについての検出結果を用いて位置合わせを行うことで、ショット領域２ａが異常マークを有していても、当該ショット領域２ａにモールド１のパターンを精度よく転写することができる。

上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００は、ショット領域２ａに設けられた各マーク２ｂについて、モールド１のマーク１ｂとショット領域２ａのマーク２ｂとの相対位置の検出結果と予測値との差を求める。そして、インプリント装置１００は、求めた差が許容範囲に収まらないマーク２ｂを異常マークとして検知し、当該異常マークについての検出結果を用いずにモールド１とショット領域２ａとの位置合わせを行う。これにより、ショット領域２ａにモールドのパターンを精度よく転写することができる。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態のインプリント装置について説明する。第２実施形態のインプリント装置は、異常マークを検知したとき、複数のモードの中から選択されたモードに応じて、当該異常マークを有するショット領域２ａについての位置合わせを制御する。第２実施形態のインプリント装置は、図４に示すフローチャートに従ってモールド１とショット領域２ａとの位置合わせを行う。第２実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置１００に対して、図４のＳ１０７のみが異なるため、以下ではＳ１０７について説明する。

Ｓ１０７では、制御部７０は、異常マークについての検出結果を用いずにモールド１とショット領域２ａとの位置合わせを制御する。このとき、制御部７０は、複数のモードの中から選択されたモードに応じて当該位置合わせを制御する。モードの選択は、例えばインプリント処理を開始する前もしくは異常マークを検知した段階（Ｓ１０５の後）において、ユーザによって行われうる。

また、複数のモードは、第１モード、第２モードおよび第３モードのうち少なくとも１つを含みうる。第１モードは、例えば、ショット領域２ａに設けられた複数のマーク２ｂのうち、異常マーク以外のマーク２ｂについての検出部６０による検出結果に基づいて位置合わせを行うモードである。第２モードは、例えば、異常マークについての検出結果の代わりに、異常マークを有するショット領域２ａより前にインプリント処理が行われるショット領域に設けられた他のマークについての検出結果を用いて位置合わせを行うモードである。第２モードにおける他のマークは、異常マークを有するショット領域２ａより前にインプリント処理が行われるショット領域に形成され、かつ異常マークと同じショット領域上の位置に配置されていることが好ましい。また、第３モードは、例えば、異常マークについての検出結果の代わりに、異常マークを有するショット領域２ａが形成された基板２より前にインプリント処理が行われた基板に設けられた他のマークについての検出結果を用いて位置合わせを行うモードである。第３モードにおける他のマークは、異常マークを有するショット領域２ａが形成された基板２より前にインプリント処理が行われた基板に形成され、かつ異常マークと同じ基板上の位置に配置されていることが好ましい。

上述したように、第２実施形態のインプリント装置は、複数のモードの中から選択されたモードに応じて、異常マークを有するショット領域２ａについての位置合わせを制御する。これにより、異常マークが検知された場合におけるモールド上のパターン領域１ａとショット領域２ａとの位置合わせを、ユーザの意図に沿って行うことができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：モールド、２：基板、２ａ：ショット領域、１０：インプリントヘッド、２０：基板ステージ、６０：検出部、７０：制御部、１００：インプリント装置

Claims (11)

1. 基板上のショット領域にモールドを用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記ショット領域に設けられた複数の基板側マークの各々の位置と、前記モールドに設けられた複数の型側マークの各々の位置とを検出する検出部と、
   前記検出部による検出結果に基づいて、前記モールドと前記ショット領域との位置合わせを行う制御部と、
   を含み、
   前記制御部は、
   前記検出部により各基板側マークの位置を検出する前の工程に起因する前記ショット領域の変形に関する情報に基づいて、各基板側マークが配置されているべき予測位置を求め、
   前記複数の基板側マークのうち、前記検出部で検出された位置と前記予測位置との差が許容範囲に収まらない基板側マークを異常マークとして決定し、
   前記異常マークについての前記検出結果を用いずに前記位置合わせを行う、
   ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記制御部は、前記ショット領域に設けられた複数の基板側マークのうち、前記異常マーク以外の基板側マークついての前記検出結果に基づいて前記位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記基板には、前記異常マークを有する第１ショット領域と、前記第１ショット領域より前にインプリント処理が行われた第２ショット領域とを含む複数の前記ショット領域が形成され、
   前記制御部は、前記第２ショット領域に形成され、かつ前記異常マークと同じショット領域上の位置に配置された基板側マークについての前記検出結果を前記異常マークについての前記検出結果の代わりに用いて、前記第１ショット領域における前記位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、前記異常マークを有する前記ショット領域が形成された基板より前にインプリント処理が行われた基板に形成され、かつ前記異常マークと同じ基板上の位置に配置された基板側マークについての前記検出結果を前記異常マークについての前記検出結果の代わりに用いて、前記異常マークを有する前記ショット領域における前記位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
5. 前記制御部は、前記異常マークを決定したとき、複数のモードの中から選択されたモードに応じて、前記異常マークを有するショット領域についての前記位置合わせを行い、
   前記複数のモードは、前記異常マーク以外の基板側マークについての前記検出結果に基づいて前記位置合わせを制御する第１モード、前記異常マークを有するショット領域より前にインプリント処理が行われたショット領域に設けられた基板側マークについての前記検出結果を前記異常マークについての前記検出結果の代わりに用いて前記位置合わせを制御する第２モード、および前記異常マークを有するショット領域が形成された基板より前にインプリント処理が行われた基板に設けられた基板側マークについての前記検出結果を前記異常マークについての前記検出結果の代わりに用いて前記位置合わせを制御する第３モードのうち少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
6. 前記情報は、前記基板に基板側マークを形成する際に生じる前記ショット領域の変形量、前記基板の温度変化による前記ショット領域の変形量、および前記基板の保持による前記ショット領域の変形量のうち少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、前記ショット領域の各基板側マークについて前記予測位置を求める、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記制御部は、複数の前記基板において前記予測位置を共通に用いる、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記制御部は、前記異常マーク以外の基板側マークについて、前記検出部により検出された基板側マークの位置と型側マークの位置とが重なるように前記位置合わせを行う、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にインプリント材のパターンを形成する形成工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する加工工程と、を有し、
    該加工工程により加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
11. 基板上のショット領域にモールドを用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記ショット領域に設けられた複数の基板側マークの各々の位置と、前記モールドに設けられた複数の型側マークの各々の位置とを検出する検出工程と、
    前記検出工程の前の工程に起因する前記ショット領域の変形に関する情報に基づいて、核基板側マークが配置されているべき予測位置を求める予測工程と、
    前記複数の基板側マークのうち、前記検出工程で検出された位置と前記予測工程で求められた前記予測位置との誤差が許容範囲に収まらない基板側マークを異常マークとして決定する決定工程と、
    前記決定工程で決定された前記異常マークについての前記検出工程での検出結果を用いずに、前記モールドと前記基板との位置合わせを制御する制御工程と、
    を含むことを特徴とするインプリント方法。

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