TW201601197A - 壓印設備及製造物件的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種壓印設備，其藉由使用一模具將一壓印材料模製於一基材上來實施一種形成一圖案於該基材上的壓印處理，該設備包括一測量單元，其被建構來測量該模具和該基材的相對位置、一光源單元，其被建構來發出用於硬化該壓印材料的光線、一掃描單元，其被建構來將來自該光源單元的光線掃描於該基材上、及一控制單元，其被建構來控制該壓印處理，其中該控制單元藉由在根據該測量單元的測量結果將該模具和該基材彼此部分地對準的同時，促使該掃描單元掃描該光線來實施該壓印處理。

Description

壓印設備及製造物件的方法
本發明係有關於一種壓印設備及製造物件的方法。
壓印技術可轉印奈米級的微型圖案，且在日本專利公開案第2010-98310號中被提出作為一種用於半導體裝置及磁性儲存媒介大量製造的奈米級微影技術。使用該壓印技術的壓印設備在一其上已形成有圖案的模具(模子)且和一樹脂彼此接觸的狀態下將一樹脂(壓印材料)硬化於一基材上，並將該模具從該已被硬化的樹脂上取下，藉以形成一圖案於該基材上。該壓印設備的樹脂硬化方法大致上係採用光硬化方法(其藉由使用光線照射，譬如紫外線照射)來將該樹脂硬化於該基材上。
關於紫外線照射的技術，日本專利公開案第2003-163158號及第2007-280993號提出一種用發光裝置(譬如，發出紫外線的雷射二極體(LED))來形成一精巧的光源並掃描該光源的技術。日本專利公開案第2003- 163158號揭露一種在一半導體曝光設備中藉由將用二維度陣列的多個發光裝置所形成的光源掃描於一個方向上的方式用光線(曝照光)照射一預定的區域的技術。在日本專利公開案第2003-163158號中，穩定的曝照光照射係藉由將一部分的曝照光引導至一光接收器來確保光照量。另一方面，日本專利公開案第2007-280993號揭露一種在全息曝光設備中藉由在測量介於一全息光罩和一光敏材料的薄膜表面之間的間距的同時掃描光源來實施光照的技術。日本專利公開案第2007-280993號的特徵在於改變介於該全息光罩和該光敏材料的薄膜表面之間的間距，及至少一個接著一個地掃描該光源。
然而，日本專利公開案第2003-163158號及第2007-280993號並未考慮到在曝光期間(亦即，掃描由該等LED或類此者所形成的光源的期間)控制該光罩和該基材之間在一平行於該基材的表面的方向上的位移。因此，如果揭露於日本專利公開案第2003-163158號及第2007-280993號中的技術被應用於壓印設備中的話，則介於該模具和該基材之間的相對位移會在掃描該光源期間(亦即，在用光線照射被供應(施用)於該基材上的大範圍內的樹脂時)發生。在此例子中，重疊精確度造成一基材平面內的位置相依性並產生圖案轉印誤差。
本發明提供一種有利於減小模具和基材之間 的位移的壓印設備。
依據本發明的一個態樣，一種壓印設備被提供，其藉由使用一模具將一壓印材料模製於一基材上來實施一種形成一圖案於該基材上的壓印處理，該設備包括一測量單元，其被建構來測量該模具和該基材的相對位置、一光源單元，其被建構來發出用於硬化該壓印材料的光線、一掃描單元，其被建構來將來自該光源單元的光線掃描於該基材上、及一控制單元，其被建構來控制該壓印處理，其中該控制單元藉由在根據該測量單元的測量結果將該模具和該基材彼此部分地對準的同時，促使該掃描單元掃描該光線來實施該壓印處理。
本發明的其它態樣從下面參考附圖的示範性實施例的描述中將變得明顯。
1‧‧‧壓印設備
11‧‧‧模具
12‧‧‧模具固持單元
13‧‧‧基材
14‧‧‧基材固持單元
15‧‧‧偵測單元
16‧‧‧形狀校正單元
17‧‧‧控制單元
23‧‧‧觀察單元
24‧‧‧光源單元
29‧‧‧掃描單元
18‧‧‧模具側記號(對準記號)
19‧‧‧基材側記號
11a‧‧‧圖案表面
18a‧‧‧模具側記號
18b‧‧‧模具側記號
18c‧‧‧模具側記號
18d‧‧‧模具側記號
18e‧‧‧模具側記號
18f‧‧‧模具側記號
18g‧‧‧模具側記號
18h‧‧‧模具側記號
19a‧‧‧基材側記號
19b‧‧‧基材側記號
19c‧‧‧基材側記號
19d‧‧‧基材側記號
19e‧‧‧基材側記號
19f‧‧‧基材側記號
19g‧‧‧基材側記號
19h‧‧‧基材側記號
20‧‧‧樹脂
21‧‧‧樹脂圖案
22‧‧‧紫外線
24a‧‧‧LED
20a‧‧‧部分
20b‧‧‧部分
20c‧‧‧部分
25‧‧‧位置測量單元
26‧‧‧位置測量單元
圖1為一示意圖，其顯示依據本發明的一個態樣的壓印設備的配置。
圖2A及2B為示意圖，其顯示設有一模具的模具側記號及設有一基材的基材側記號。
圖3A至3C為用來說明壓印處理的圖式。
圖4A至4H為用來說明依據第一實施例的壓印處理的圖式。
圖5A至5F為用來說明依據第二實施例的壓印處理的圖式。
圖6A及6B為用來說明依據第三實施例的壓印處理的圖式。
圖7為用來說明依據第四實施例的壓印處理的圖式。
本發明的較佳實施例將參考附圖在下文中被描述。應指出的是，相同的標號係標示所有圖式中相同的構件，且其重復性的描述將不會被提供。
<第一實施例>
圖1為一示意圖，其顯示依據本發明的一個態樣的壓印設備1的配置。該壓印設備1藉由使用一模具(模子)將一壓印材料模製及硬化於一基材上並將模具從該被硬化的壓印材料釋開(分離)來實施將一圖案形成在該基材上的壓印處理。在此實施例中，樹脂被用作為該壓印材料且用紫外線光硬化該樹脂的光硬化方法被用作為樹脂硬化方法。
該壓印設備1包括一模具固持單元12，其固持一模具11、一基材固持單元14，其固持一基材13、一偵測單元15、一形狀校正單元16、一控制單元17、一觀察單元23、一光源單元24、及一掃描單元29。該壓印設備1亦包括一樹脂供應單元，其包括一被建構來將樹脂供應至該基材上、一橋接板，其被建構來固持該模具固持單元12、及一基座板，其被建構來固持該基材固持單元 14。
該模具11具有一圖案表面11a，一將被轉印至該基材13(的樹脂上)上的圖案(三維度圖案)已被形成在該圖案表面上。該模具11是用能夠讓用來將該樹脂硬化於該基材上的紫外線透射的材料(譬如，石英)製成。模具側記號(對準記號)18被形成在該模具11的該圖案表面11a上。
該模具固持單元12是一固持該模具11的固持機構。該模具固持單元12例如包括一模具夾頭，其真空夾持或靜電地夾持該模具11、一模具桌台，該模具夾頭被置於該模具桌台上、及一驅動系統，其驅動(移動)該模具桌台。該驅動系統將該該模具桌台(亦即，該模具11)至少驅動於該z軸方向上(即，該模具11被壓抵住該基材上的該樹脂的按壓方向)。該驅動系統可具有一不只將該模具桌台驅動於該z軸方向上，而且還可驅動於x軸方向、y軸方向、及θ(繞著z軸轉動的)方向上的功能。
該基材13是該模具11的圖案將被轉印於其上的基材且例如包括單晶矽基材或SOI(絕緣層覆矽)基材。該樹脂從該樹脂供應單元被供應(施用)於該基材13上。基材側記號(對準記號)19分別被形成在該基材13上的多個照射區域內。
該基材固持單元14是一固持該基材13的固持機構。該基材固持單元14例如包括一基材夾頭，其真空夾持或靜電地夾持該基材13、一基材桌台，該基材夾 頭被置於該基材桌台上、及一驅動系統，其驅動(移動)該基材桌台。該驅動系統將該基材桌台(亦即，該基材13)至少驅動於該x軸方向及y軸方向上(即，和該模具11的按壓方向垂直的方向)。該驅動系統可具有一不只將該基材桌台驅動於該x軸方向及y軸方向上，而且還可驅動於z軸方向及θ(繞著z軸轉動的)方向上的功能。
在此實施例中，每一偵測單元15係如一測量該模具11和該基材13之間的相對位置的測量單元般地作用。每一偵測單元15包括一偵測鏡(scope)，其光學地偵測(觀察)形成在該模具11上的該等模具側記號18及分別形成在該基材13上的該等多個照射區域內的基材側記號19。每一偵測單元15根據該偵測鏡的偵測結果來獲得該模具11和該基材13之間的相對位置。然而，每一偵測單元15足以偵測該等模具側記號18和該等基材側記號19之間的相對位置關係。因此，每一偵測單元15可包括一偵測鏡，其包括一被建構來同時捕捉兩個記號的光學系統或可包括一偵測鏡，其偵測一反射該相對位置關係的訊號，譬如兩個記號的干涉訊號或波紋(moiré)。偵測單元15可用來同時偵測該等模具側記號18和該等基材側記號19。例如，每一偵測單元15可藉由獲得該等模具側記號18和該等基材側記號19相對於一設置於其內的參考位置的各別位置來偵測該等模具側記號18和該等基材側記號19之間的相對位置關係。
該觀察單元23包括一相機及具有一用紫外線 照射來觀察(檢查)該基材上的該壓印材料的硬化狀態的功能。除了觀察基材上的樹脂的硬化狀態之外，該觀察單元23還可觀察該模具11相對於該基材上的樹脂的按壓狀態、該模具11用該基材上的樹脂填充的填充狀態、及該模具11與該基材上的樹脂分離的狀態。
該控制單元17包括一CPU及一記憶體，並控制該壓印設備1的整體(的各個單元)。該控制單元17控制該壓印處理及與其相關聯的處理。在此實施例中，在該控制單元17根據每一偵測單元15的偵測結果(亦即，該模具11和該基材13的相對位置的測量結果)將該模具11和該基材13彼此部分對準的同時，該控制單元17實施該壓印處理。再者，當實施該壓印處理時，該控制單元17用每一形狀校正單元16來控制該模具11的該圖案表面11a的變形量(模具11的形狀校正)。
作為用於該模具11和該基材13之間的對準的該等模具側記號18和該等基材側記號19將參考圖2A及2B來描述。在此實施例中，六個晶片區域被安排在該基材13上的一個照射區域內。
圖2A顯示設置在該模具11的圖案表面11a的模具側記號18a至18h，或更具體地，其被設置在該圖案表面11a的四個角落。參考圖2A，縱長方向在水平方向上的模具側記號18a，18b，18e及18f具有在x軸方向上的測量方向。另一方面，縱長方向在垂直方向上的模具側記號18c，18d，18g及18h具有在y軸方向上的測量方 向。在圖2A中，被虛線包圍的區域代表一圖案區域11b，一應被轉印至該基材上的六個晶片區域每一區域內的圖案被形成在該圖案區域內。
圖2B顯示設置在該基材13上的一個照射區域13a的周邊上，或更具體地設置在該照射區域13a的四個角落的基材側記號19a至19h。參考圖2B，縱長方向在水平方向上的基材側記號19a，19b，19e及19f具有在x軸方向上的測量方向。另一方面，縱長方向在垂直方向上的基材側記號19c，19d，19g及19h具有在y軸方向上的測量方向。在圖2B中，在該照射區域13a內的一被實線包圍的區域代表一晶片區域13b。
當實施該壓印處理時，亦即，當讓該模具11和該基材上的樹脂彼此接觸時，模具11上的各個模具側記號18a至18h和基材13上的各個基材記號19a至19h彼此密合。因此，該模具11的圖案表面11a的位置和形狀和該基材13上的照射區域13a的位置及形狀之間的比較可藉由讓該偵測單元15偵測該等模具側記號18和該等基材側記號19來實施。如果一差異(偏移)發生在該模具11的圖案表面11a的位置和形狀和該基材13上的照射區域13a的位置及形狀之間的話，則重疊精確度會降低，並產生圖案轉印誤差(產品缺陷)。
將該模具11的圖案轉印至該基材(的樹脂上)的壓印處理，亦即，形成圖案於該基材上將參考圖3A至3C來加以描述。
首先，如圖3A所示，在按壓該模具11開始的同時，樹脂20被供應至該基材上的一目標照射區域(一個從現在開始該壓印處理將於其內被實施的區域)。因為樹脂的高揮發性(high volatility)的關係，它通常是在實施該壓印處理之前一刻才被供應至該壓印設備內的該基材上。然而，一具有低揮發性的樹脂可藉由旋施塗覆或類此者被事先施用在該基材上。除了供應樹脂20至該基材上之外，該等模具側記號18和該等基材側記號19的相對位置被偵測且該模具11和該基材之間的對準以及該模具的形狀校正如上所述地係根據該偵測的結果被實施。
接下來，如圖3B所示，該模具11和該基材上的樹脂20彼此接觸，藉以用該樹脂20填滿該模具11的該圖案。在此時，因為該樹脂20可透射可見光，所以該等偵測單元15可偵測該等該基材側記號19。如上文所述，該模具11是用可透射紫外線的材料(譬如，石英)製成的。因此，該模具11和該樹脂20之間的折射係數的差異很小，且偵測單元15可用來偵測該等模具側記號18，如果該等模具側記號18只由該三維度結構製造的話。因此，該等模具側記號18被塗上一物質，其折射係數及透射性不同於該模具11的折射係數及透射性，或者每一模具側記號18的折射係數被離子照射或類此者改變。這讓偵測單元15即使是在該模具11及該基材上的該樹脂20彼此接觸的狀態下亦能夠偵測該等模具側記號18。在該模具11的圖案被該樹脂20填滿之後，樹脂20透過該模 具11被紫外線照射。
然後，如圖3C所示，該模具11脫離該基材上被硬化的樹脂20。藉由將該模具11與該基材上被硬化的樹脂20脫離，一樹脂圖案21保留在該基材上(亦即，該模具11的圖案被轉印至該基材上)。
最近，在該壓印設備中，壓印處理被同時實施在該基材上的多個照射區域上以提高產量。在此時，一被該模具的圖案轉印的面積增加，因此一被紫外線照射的面積亦增加。例如，如果該壓印處理同時被實施在該基材的整個表面上的話，每單位面積的紫外線照射劑量(dose)會降低。因此，將基材上的樹脂硬化所需的照射劑量不能被確保。再者，為了要在該壓印射備內的一有限的空間內用紫外線照射一大的面積，該光源及需要來自該光源的光的該光學系統會變得複雜且尺寸過大，因此它們的配置會變得很困難。
除此之外，一種用發光裝置(譬如，發出紫外線的雷射二極體(LED))形成一精巧的光源並掃描該光源的技術被提出。然而，在該壓印設備中，需要一相當長的時間來將該模具的圖案轉印至大的面積上，因而在該模具和該基材之間必須維持高精密度的對準。
如果如同傳統壓印設備般地，紫外線22的照射係從該模具固持單元12的上方實施的話，則會因為偵測單元15發生在該基材上而有一些位置(區域)沒有被紫外線照射到。因此，偵測單元15必須在用紫外線22照射 之前從該紫外線22的光學路徑中被撤離，壓印處理程序因而被複雜化。此外。如果紫外線照射是從模具固持單元12的上方被實施的話，則紫外線被散布在一大的範圍上，因此該光學系統必須被建構來校正該散布。
此實施例提供使用該樣本光源單元來形成圖案於基材上的壓印處理，該樣本光源單元用紫外線實施照射，用以在沒有降低產量及模具11和基材13之間的對準精確度(重疊精確度)之下硬化該樹脂。在此實施例中，將以一可獲得特別大的效果的例子，更具體地，將以該壓印處理同時被實施在該基材13的整個表面上的例子來加以說明。然而，本發明並不侷限於此。相同的效果亦可例如在該壓印處理被實施在該基材13上的一小區域(一或多個照射區域)上的例子中被獲得。
依據此實施例的壓印處理將參考圖4A至4H來描述。圖4A及4B顯示該模具11及該基材上的樹脂20彼此接觸的狀態。圖4A顯示該狀態從側表面觀看時的情形及圖4B顯示該狀態從上方觀看時的情形。偵測單元15偵測該等模具側記號18和該等基材側記號19，並獲得該模具11和該基材13的相對位置。根據偵測單元15所獲得的該模具11和該基材13的相對位置，該控制單元17驅動該模具固持單元12及該基材固持單元14中的至少一者以實施該模具11和該基材13之間的對準。用來將基材上的樹脂20硬化的該紫外線22的照射在該模具11和該基材13的相對位置滿足一預定的門檻值之後即被開始。
在此實施例中，在該掃描單元29移動該光源單元24的同時，在該基材上的樹脂20被該紫外線22依序地照射。該光源單元24被設置在偵測單元15和模具11之間，且具有一用硬化該樹脂20的該紫外線22來實施照射的功能。在此實施例中，該光源單元24是由多個發出該紫外線22的LED 24a所構成。更具體地，該光源單元24是藉由將該等多個LED 24a安排在一和該掃描單元29(其用來自該光源單元24的該紫外線22掃描該基材)的該掃描方向(x軸方向)垂直的方向(y軸方向)上來形成。然而，該光源單元24可藉由安排多條光纖(其引導並發出從一燈射出的具有一預定的波長的光)來形成，或藉由使用一光學元件(譬如，一鏡片或鏡子)引導光線來形成。在此實施例中，該掃描單元29是由一移動機構(譬如，一移動該光源單元24的滑移件)形成。然而，該掃描單元29有一能夠讓來自該光源單元24的該紫外線22被掃描於該基材上的配置以及此技藝中所習知的任何配置都可被應用於該掃描單元29上。藉由用該等多個LED 24a來形成該光源單元24可將一照射區域固定在該縱長方向(y軸方向)上且藉由用該掃描單元29移動該光源單元24則可用該紫外線22來照射該基材的整個表面(預定的範圍)。
圖4C至4H顯示在將該模具11和該基材13彼此部分地對準的同時，該光源單元24被移動(即，該紫外線22被掃描在該基材上)的狀態。圖4C、4E及4G顯示從側表面觀看的狀態、圖4D、4F及4H顯示從上方觀 看的狀態。在圖4D中，該基材的該樹脂20上的一被該紫外線22照射及硬化的部分係用陰影線來標示。
考量一個和傳統壓印設備一樣是從該模具固持單元12的上方實施紫外線22照射的例子，如上文所述地，該紫外線22被偵測單元15遮擋到且沒有被紫外線22照射到的該等被擋到的部分被形成在該基材上。如果偵測單元15被驅動且被移走的話，則即使是紫外線22照射被實施(亦即，該壓印處理被實施)，但模具11和基材13的相對位置卻無被測量。在此例子中，模具11和基材13之間的精確對準無法被維持。
為了處理此問題，在此實施例中，該光源單元24被移動於偵測單元15和模具11之間。因為多個偵測單元15被安排在該壓印設備1內，所以當該光源單元24通過一個偵測單元15時，另一個偵測單元15可測量模具11和基材13的相對位置。例如，在圖4D中，當該光源單元24通過左邊的偵測單元15時，右邊的偵測單元15測量模具11和基材13之間的相對位置。
在該基材上的樹脂20被硬化一預定的面積之後，模具11和基材13之間的相對位置被固定。因此，在圖4E及4F所示的狀態中，模具11和基材13之間的相對位置無需被測量。應指出的是，用來將該模具11和該基材13之間的相對位置固定的該基材上的樹脂20的硬化程度係取決於樹脂20的種類及模具11和基材13的表面物質。因此，必須事先設定及界定這些條件。
如圖4G及4H所示，在用該紫外線22照射該基材13的整個表面之後，該模具11從該基材上的樹脂20被釋開且對該基材13的壓印處理即終止。
該觀察單元23必須觀察此壓印處理的狀態，亦即，圖4A至4H所示的狀態。被施用至該基材上的某些樹脂會因為該紫外線22的照射而改變顏色。因此，如果使用此種樹脂的話，則觀察單元23可觀察該樹脂用紫外線22照射的硬化狀態。換言之，可藉由用觀察單元23來觀察該樹脂的硬化狀態來檢查該紫外線22的照射劑量是否足夠。然後，如過該紫外線22的照射劑量如果不足時，該光源單元24再次被移動，或該光源單元24的移動速度或光照量被改變。
如上文中所描述的，在此實施例中，該壓印處理是藉由在根據偵測單元15所獲得的模具11和基材13之間的相對位置將模具11和基材13彼此部分地對準的同時，促使該掃描單元29掃描來自該光源單元24的紫外線22來實施的。在此時，模具11的一部分和基材13的一與該模具11的該部分相對應的部分之間的對準被依序地實施，且一對準已被實施的部分首先接受該壓印處理。而且，在該掃描單元29掃描來自該光源單元24的紫外線22的同時，該基材上一尚未接受該壓印處理的部分和該模具11的一與該基材的該部分相對應的部分之間的對準被實施。這讓該壓印設備1能夠維持該模具11和該基材13之間的高精確度對準(減小該模具11和該基材13 之間的位移)，即使是該壓印處理同時實施在該基材上的一大的範圍上亦然。因此，該壓印設備1可抑制重疊精確度的降低及減小圖案轉印誤差(產品缺陷)。
<第二實施例>
傳統的壓印設備亦提供一種將模具和基材之間的氣體排出並在該模具和該基材上的樹脂彼此接觸時減低該氣體因為將該模具(圖案表面)變形(彎折)成一相對於該基材外凸的形狀而被夾帶的技術。此技術例如被揭露在日本PCT國家公開案第2009-536591號中。此實施例在此技術上提供一種藉由將一基材上的樹脂逐步地(stepwise)硬化來形成一圖案的壓印處理。
在此實施例中，一壓印設備1進一步包括一變形單元，其將一模具11變形，使得該模具11在基材側上具有一外凸的形狀。該變形單元將該模具11變形(彎折)，使得該模具11(圖案表面11a)在該基材側的一個垂直於該模具11的該圖案表面11a的區段上的形狀變成外凸形狀。該變形單元例如是由一壓力調節機構形成，其透過一設在該模具固持單元12上的壓力調節埠口調節(或更具體地，升高)該模具11被該模具固持單元12固持的背側的壓力。
依據此實施例的該壓印處理將參考圖5A至5F來描述。圖5A及圖5B顯示模具11的基材側被變形成外凸形狀且和基材上的樹脂20接觸(弄濕)的狀態。圖5A 顯示從側表面觀看時的狀態及圖5B顯示從上方觀看時的狀態。參考圖5B，偵測單元15偵測模具側記號18a及基材側記號19a，它們在該模具11的一部分(中央部分)接觸該樹脂的狀態時是可偵測的，藉以獲得模具11和基材13的相對位置。根據偵測單元15所獲得的該模具11和該基材13的相對位置，控制單元17驅動該模具固持單元12及該基材固持單元14中的至少一者以實施該模具11和該基材13之間的對準。如果該基材13的整個表面同時和該模具11對準的話，則對準目標區域變得很大。這會加寬該模具11和該基材13之間的相對位置差異。為了要處理此問題，在此實施例中，在掃描單元29移動光源單元24的同時，在該模具11和該基材上的樹脂20在圖5A及5B所示的狀態中彼此接觸的一個部分20a被紫外線22照射。
圖5C及5D顯示該模具11和該基材上的樹脂20在一個比圖5A及5B所示的狀態更寬的範圍接觸(即，待續地弄濕)的狀態。圖5C顯示從側表面觀看時的狀態及圖5D顯示從上方觀看時的狀態。在此時，偵測單元15被驅動以偵測模具側記號18b及基材側記號19b，藉以獲得模具11和基材13的相對位置。根據偵測單元15所獲得的該模具11和該基材13的相對位置，控制單元17驅動該模具固持單元12及該基材固持單元14中的至少一者以實施該模具11和該基材13之間的對準。然後，在掃描單元29移動光源單元24的同時，該模具11和該基材上的 樹脂20在圖5C及5D所示的狀態中彼此接觸的一個部分20b(亦即，比該部分20a更周邊的部分)被紫外線22照射。
圖5E及5F具體地顯示出該模具11的整個表面和該基材上的樹脂20彼此接觸在一個比圖5C及5D所示的狀態更寬的範圍的狀態。圖5E顯示從側表面觀看時的狀態及圖5F顯示從上方觀看時的狀態。在此時，偵測單元15被驅動以偵測模具側記號18c及基材側記號19c，藉以獲得模具11和基材13的相對位置。根據偵測單元15所獲得的該模具11和該基材13的相對位置，控制單元17驅動該模具固持單元12及該基材固持單元14中的至少一者以實施該模具11和該基材13之間的對準。然後，在掃描單元29移動光源單元24的同時，該模具11和該基材上的樹脂20在圖5E及5F所示的狀態中彼此接觸的一個部分20c(亦即，比該部分20b更周邊的部分)被紫外線22照射。
如上文所描述的，在此實施例中，該模具11的變形被控制，使得該模具11和該基材上的樹脂20之間的接觸表面從該基材13的中心部分延伸於徑向上。該壓印處理係藉由促使該掃描單元29將來自該光源單元24的紫外線22依據該接觸表面的延伸掃描於該接觸表面上來實施。這讓該壓印設備1能夠維持該模具11和該基材13之間的高精確度對準(減小該模具11和該基材13之間的位移)，即使是該壓印處理同時實施在該基材上的一大的 範圍上亦然。因此，該壓印設備1可抑制重疊精確度的降低及減小圖案轉印誤差(產品缺陷)。
如果該基材上的樹脂20的一部分被完全硬化的話，則將該模具11和該基材13朝向該基材13的周邊彼此對準會變得困難。在此例中，照射該基材上的樹脂20的紫外線22的照射劑量被減小，用以不會將該樹脂20完全硬化，而只是提高該樹脂20的黏稠度，藉以確保各個部分的對準精確度。
在此實施例中，模具11在基材側被變形成外凸的形狀的例子已被描述。然而，如果該基材13在模具側被變形成外凸形狀的話，相同的效果亦可被獲得。換言之，相同的效果可藉由將該模具11或該基材13變形來獲得。
<第三實施例>
在此實施例中，模具11和該基材上的樹脂20彼此接觸使得模具11和該基材上的樹脂20之間的接觸表面從基材13的周邊部分朝向中心部分延伸的例子的壓印處理將被描述。如圖6A及6B所示，假設模具11和該基材上的樹脂20的左邊周邊部分彼此接觸，且接觸表面朝右邊逐漸地增加。
依據此實施例的壓印處理將參考圖6A及6B來描述。圖6A及6B顯示該模具11被變形(被翹曲)以接觸該基材上的樹脂20(被樹脂弄濕)。圖6A顯示從側表面 觀看時的狀態及圖6B顯示從上方觀看時的狀態。在此時，偵測單元15被驅動以偵測模具側記號18d及基材側記號19d，藉以獲得模具11和基材13的相對位置。根據偵測單元15所獲得的該模具11和該基材13的相對位置，控制單元17驅動該模具固持單元12及該基材固持單元14中的至少一者以實施該模具11和該基材13之間的對準。
接下來，偵測單元15被驅動以偵測模具側記號18e及基材側記號19e，藉以獲得模具11和基材13的相對位置。在如此作的同時，一介於該模具11和該基材13之間的對準已被實施的左邊的部分被該紫外線22照射(亦即，掃描單元29掃描來自該光源單元24的該紫外線22)。
然後，偵測單元15被驅動以偵測模具側記號18f及基材側記號19f，藉以獲得模具11和基材13的相對位置。在如此作的同時，一介於該模具11和該基材13之間的對準已被實施的更左邊的部分被該紫外線22照射(亦即，掃描單元29掃描來自該光源單元24的該紫外線22)。
在此實施例中，該模具11的變形被控制，使得介於該模具11和該基材上的樹脂20之間的接觸表面相對於該基材13的中心部分從一側的周邊部分向另一側的周邊部分延伸。該壓印處理係藉由促使該掃描單元29將來自該光源單元24的該紫外線22依據該接觸表面的該延 伸依序地掃描於該接觸表面上來實施。這讓該壓印設備1能夠維持該模具11和該基材13之間的高精確度對準(減小該模具11和該基材13之間的位移)，即使是該壓印處理同時實施在該基材上的一大的範圍上亦然。因此，該壓印設備1可抑制重疊精確度的降低及減小圖案轉印誤差(產品缺陷)。
在此實施例中，該模具11和該基材13的相對位置被依序地測量，然後紫外線22的照射被依序地實施。換言之，一作為偵測目標的記號根據該掃描單元29所實施的紫外線22的掃描從多個模具側記號18e及基材側記號19e中被選取。這讓該壓印設備1能夠提高它的產量。
在此實施例中，在一新的模具側記號及基材側記號被偵測的同時，一包括之前已被偵測的該模具側記號及基材側記號的部分被該紫外線22照射。然而，本發明並不侷限於此，為了要保持該模具11和該基材13之間的對準精確度，該偵測可被持續直到一包括受偵測中的該模具側記號及基材側記號被該紫外線22照射為止。
<第四實施例>
在第一至第三實施例中，所謂的晶粒逐晶粒的對準已被描述，其中模具側記號18及基材側記號19被偵測作為該模具11和該基材13相對位置的測量，且該模具11和該基材13之間的測量根據該偵測結果被實施。然而，本 發明亦可被應用至所謂的整體對準，其中在基材上的記號被一對準鏡(alignment scope)偵測，且該模具11和該基材13之間的對準是用一位置測量裝置(譬如，一測量基材桌台或模具桌台的位置的干涉儀或編碼器)來實施。
例如，如圖7所示，一測量該模具11的位置的位置測量單元25及一測量該基材13的位置的位置測量單元26被設置。然後，該模具11和該基材13的相對位置可從對準鏡(偏軸鏡(off-axis scope))(未示出)的測量結果和該等位置測量裝置25及26的測量結果被獲得，藉以實施該模具11和該基材13之間的對準。在該掃描單元29將來自該光源單元24的該紫外線22的同時，該模具11和該基材13的相對位置係使用位置測量裝置25及26來獲得，且該模具11和該基材13之間的對準被實施。
該壓印處理被實施在同時被實施在該基材13的整個表面上的例子已於上文中被描述。然而，本發明並不侷限於此。相同的效果亦可在例如該壓印處理被實施在該基材13上的一或數個照射區域上的例子中被獲得。
如果該模具11和該基材13之間的對準需要高精確度的話，則須要偵測更大數量的模具側記號18及基材側記號19。在此例子中，偵測單元15係以適合被設置在該模具11上的模具側記號18的數量或適合被設置在基材13上的基材側記號19的數量的數量被設置。
<第五實施例>
一種製造一作為一物件的裝置(一半導體裝置、一磁性儲存媒介、一液晶顯示元件、或類此者)的方法將被描述。該製造方法包括一使用壓印設備1來形成一圖案於一基材(一晶圓、一玻璃板、一薄膜狀的基材、或類此者)上的步驟。該製造方法更包括一處理其上已形成有該圖案的基材的步驟。該處理步驟可包括一將該圖案的殘留薄膜去除掉的步驟。該處理步驟亦可包括另一已知的步驟，譬如使用該圖案作為一遮罩來蝕刻該基材的步驟。當和傳統的方法相比較時，依據此實施例的製造一物件的方法在物件的效能、品質、產量、及製造成本的至少一方面是有利的。
雖然本發明已參考示範性實施例加以描述，但應被瞭解的是，本發明並不侷限於所揭示的示範性實施例。下面申請專利範圍的範圍將和包含所有修改及等效結構及功能的最廣義的解釋一致。
11‧‧‧模具
13‧‧‧基材
15‧‧‧偵測單元
18‧‧‧模具側記號(對準記號)
19‧‧‧基材側記號
24‧‧‧光源單元
29‧‧‧掃描單元

Claims (16)

  1. 一種壓印設備，其藉由使用一模具將一壓印材料模製於一基材上來實施一種形成一圖案於該基材上的壓印處理，該設備包含：一測量單元，其被建構來測量該模具和該基材的相對位置；一光源單元，其被建構來發出用於硬化該壓印材料的光；一掃描單元，其被建構來將來自該光源單元的光掃描於該基材上；及一控制單元，其被建構來控制該壓印處理，其中該控制單元藉由在根據該測量單元的測量結果將該模具和該基材彼此部分地對準的同時，促使該掃描單元掃描該光來實施該壓印處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該控制單元根據該測量單元的該測量結果依序地實施該模具的一部分和該基材的一與該模具的該部分相對應的部分之間的對準，並藉由促使該掃描單元掃描該光來從該對準已被實施的一個部分實施該壓印處理。
  3. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該控制單元在促使該掃描單元掃描該光的同時，根據該測量單元的該測量結果實施該基材的一個該壓印處理未被實施的部分和該模具的一個與該模具的該部分相對應的部分之間的對準。
  4. 如申請專利範圍第1項之設備，其更包含一變形單 元，其被建構來將該模具變形，使得該模具在該基材的一側上具有外凸的形狀，其中該控制單元藉由該變形單元來控制該模具的變形，使得一介於該模具和該基材上的該壓印材料之間的接觸表面從該基材的一中心部分延伸於徑向上，並藉由促使該掃描單元依據該接觸表面的延伸將該光依序地掃描於該接觸表面上來實施該壓印處理。
  5. 如申請專利範圍第1項之設備，其更包含一變形單元，其被建構將該模具變形，其中該控制單元藉由該變形單元來控制該模具的變形，使得一介於該模具和該基材上的該壓印材料之間的接觸表面相對於該基材的一中心部分從一側上的一周邊部分延伸至另一側上的一周邊部分，並藉由促使該掃描單元依據該接觸表面的延伸將該光依序地掃描於該接觸表面上來實施該壓印處理。
  6. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該測量單元包括一偵測鏡(scope)，其被建構來偵測一設置在該模具上的記號及一設置在該基材上的記號，及根據該偵測鏡的偵測結果獲得該等相對位置。
  7. 如申請專利範圍第6項之設備，其中多個被該測量單元偵測到的記號係被設置在該模具及該基材的每一者上，及該測量單元根據該掃描單元實施的該光的一掃描從該等多個記號中選擇一記號作為關於該模具及該基材的每一 者的一偵測目標。
  8. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該測量單元包括干涉儀，其被建構來分別偵測該模具的位置及該基材的位置，且根據該等干涉儀的偵測結果獲得相對位置。
  9. 如申請專利範圍第1項之設備，其更包含一觀察單元，其被建構來觀察該基材上的該壓印材料被來自該光源單元的光照射後的硬化狀態。
  10. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該光源單元包括多個光源，其被安排在一垂直於該掃描單元的掃描方向的方向上。
  11. 如申請專利範圍第10項之設備，其中該等光源的每一光源是由一LED或一燈及一光學元件所形成，該光學元件被建構來引導來自該燈的光並讓來自該燈的光浮現出來。
  12. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該掃描單元將該光源單元移動於該測量單元和該模具之間。
  13. 一種壓印設備，其藉由使用一模具將一壓印材料模製於一基材上來實施一種形成一圖案於該基材上的壓印處理，該設備包含：一偵測單元，其被建構來偵測一設置在該模具上的記號及一設置在該基材上的記號；一光源單元，其被建構來發射出用來硬化該壓印材料的光；及 一掃描單元，其被建構來將該光源單元移動於該偵測單元和該模具之間。
  14. 如申請專利範圍第13項之設備，其更包含一控制單元，其被建構來藉由在根據該偵測單元的偵測結果將該模具和該基材彼此部分地對準的同時，促使該掃描單元移動該光源單元來實施該壓印處理。
  15. 一種製造一物件的方法，該方法包含：使用一壓印設備形成一圖案於一基材上；及處理其上已形成有該圖案的該基材，其中該壓印設備藉由使用一模具將一壓印材料模製於一基材上來實施一種形成一圖案於該基材上的壓印處理，且該壓印設備包括：一測量單元，其被建構來測量該模具和該基材的相對位置；一光源單元，其被建構來發出用於硬化該壓印材料的光；一掃描單元，其被建構來將來自該光源單元的光掃描於該基材上；及一控制單元，其被建構來控制該壓印處理，其中該控制單元藉由在根據該測量單元的測量結果將該模具和該基材彼此部分地對準的同時，促使該掃描單元掃描該光來實施該壓印處理。
  16. 一種製造一物件的方法，該方法包含：使用一壓印設備形成一圖案於一基材上；及 處理其上已形成有該圖案的該基材，其中該壓印設備藉由使用一模具將一壓印材料模製於一基材上來實施一種形成一圖案於該基材上的壓印處理，且該壓印設備包括：一偵測單元，其被建構來偵測一設置在該模具上的記號及一設置在該基材上的記號；一光源單元，其被建構來發射出用來硬化該壓印材料的光；及一掃描單元，其被建構來將該光源單元移動於該偵測單元和該模具之間。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI709161B (zh) * 2017-10-17 2020-11-01 日商佳能股份有限公司 壓印裝置及物品的製造方法
TWI756856B (zh) * 2017-10-17 2022-03-01 日商佳能股份有限公司 壓印裝置及物品的製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2005975A (en) * 2010-03-03 2011-09-06 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
JP6799397B2 (ja) * 2015-08-10 2020-12-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6679328B2 (ja) 2016-02-01 2020-04-15 キヤノン株式会社 インプリント装置、制御方法及び物品の製造方法
JP7116552B2 (ja) * 2018-02-13 2022-08-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品製造方法
CN112584996A (zh) * 2018-07-03 2021-03-30 泰克瑞典公司 用于压纹的方法及模具
US10976657B2 (en) * 2018-08-31 2021-04-13 Canon Kabushiki Kaisha System and method for illuminating edges of an imprint field with a gradient dosage
JP7121653B2 (ja) * 2018-12-28 2022-08-18 キヤノン株式会社 膜形成装置および物品製造方法
JP7327973B2 (ja) * 2019-03-29 2023-08-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP7337670B2 (ja) * 2019-11-15 2023-09-04 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法
KR102227885B1 (ko) * 2020-06-02 2021-03-15 주식회사 기가레인 패턴 정렬 가능한 전사 장치
KR102586152B1 (ko) * 2020-11-04 2023-10-06 한국기계연구원 편광 필터의 제조 장치 및 방법
CN115356794A (zh) * 2022-09-15 2022-11-18 苏州晶方光电科技有限公司 晶圆级微透镜阵列的压印固化设备、制造方法及应用

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166541A (en) * 1977-08-30 1979-09-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Binary patterned web inspection
US6955767B2 (en) * 2001-03-22 2005-10-18 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Scanning probe based lithographic alignment
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
JP2006188054A (ja) 2002-08-29 2006-07-20 Toppan Printing Co Ltd パターン形成装置
JP2006005022A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法及びインプリント装置
EP1617293A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-18 Universität Kassel A method of aligning a first article relative to a second article and an apparatus for aligning a first article relative to a second article
WO2006118284A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pll circuit and semiconductor device having the same
US7803308B2 (en) * 2005-12-01 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Technique for separating a mold from solidified imprinting material
JP4715595B2 (ja) 2006-03-31 2011-07-06 ブラザー工業株式会社 光スキャナおよびそれを備えた画像形成装置
JP2007280993A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp ホログラム露光装置、ホログラム露光方法、半導体装置の製造方法および電気光学装置の製造方法
TWI481968B (zh) * 2006-09-08 2015-04-21 尼康股份有限公司 A mask, an exposure device, and an element manufacturing method
US7832416B2 (en) * 2006-10-10 2010-11-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and methods
NL2003380A (en) 2008-10-17 2010-04-20 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP2010237189A (ja) * 2009-03-11 2010-10-21 Fujifilm Corp ３次元形状測定方法および装置
US20110084417A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Molecular Imprints, Inc. Large area linear array nanoimprinting
JP5495767B2 (ja) * 2009-12-21 2014-05-21 キヤノン株式会社 インプリント装置及び方法、並びに物品の製造方法
JP5451450B2 (ja) * 2010-02-24 2014-03-26 キヤノン株式会社 インプリント装置及びそのテンプレート並びに物品の製造方法
US8303074B2 (en) * 2010-06-30 2012-11-06 Eastman Kodak Company Printer with uniform illumination for media identification
JP2012016829A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Alps Electric Co Ltd インプリント装置
JPWO2012020741A1 (ja) * 2010-08-12 2013-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光インプリント方法及び装置
JP2012199329A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、インプリント装置
JP5864929B2 (ja) 2011-07-15 2016-02-17 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP5535164B2 (ja) 2011-09-22 2014-07-02 株式会社東芝 インプリント方法およびインプリント装置
JP5686779B2 (ja) 2011-10-14 2015-03-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2013175604A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Toshiba Corp パターン形成装置、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2013207060A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Sony Corp 構造物形成装置、構造物の製造方法及び構造物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI709161B (zh) * 2017-10-17 2020-11-01 日商佳能股份有限公司 壓印裝置及物品的製造方法
TWI756856B (zh) * 2017-10-17 2022-03-01 日商佳能股份有限公司 壓印裝置及物品的製造方法

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