TW201606451A - 用於微影裝置之調節系統及方法及包含一調節系統之微影裝置 - Google Patents

用於微影裝置之調節系統及方法及包含一調節系統之微影裝置 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種用於包含複數個模組之一微影裝置之調節系統。該調節系統包含：用於該複數個模組之一共同調節介質；運載該調節介質之複數個調節分支，一個調節分支用於一個模組(或模組之一子集)；複數個熱致動器，其各自可操作以局域地變更在該等調節分支中之一者處的該共同調節介質之溫度；及複數個感測器，其各自可操作以感測在該等調節分支中之一者處的該共同調節介質之該溫度。

Description

用於微影裝置之調節系統及方法及包含一調節系統之微影裝置
本發明係關於一種用於微影裝置之調節系統及方法，及一種包含此調節系統之微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
微影裝置可包含一調節系統，該調節系統用於將其構成模組維持處於共同溫度。模組之間的溫度差可對在基板處理期間之疊對有消 極影響。此調節系統可包含調節介質(諸如，水)，該調節介質在調節模組(諸如，冷卻水機櫃)中維持處於所要溫度且接著分配至模組以將模組維持處於所要共同溫度。然而，諸如此調節介質之被動式調節系統不足以符合未來疊對要求，在未來疊對要求中溫度差應保持低於10mK。
需要提供一種用於一微影裝置之改良型調節系統。
根據本發明之一態樣，提供一種用於包含複數個模組之一微影裝置之調節系統，該調節系統包含：用於該複數個模組之一共同調節介質；複數個調節分支，其經配置成使得來自該複數個模組之不同個別模組或模組之子集各自經由運載該共同調節介質之一對應調節分支予以調節；複數個熱致動器，其各自可操作以局域地變更在該等調節分支中之一者處的該共同調節介質之溫度；及複數個感測器，其各自可操作以感測在該等調節分支中之一者處的該共同調節介質之該溫度。
根據本發明之一另外態樣，提供一種調節包含複數個模組之一微影裝置之方法，該方法包含：經由運載一共同調節介質之一對應調節分支來調節來自該複數個模組之不同個別模組中之每一者或模組之子集；感測在該等調節分支中之每一者處的該共同調節介質之溫度；及局域地變更在該等調節分支中之每一者處的該共同調節介質之該溫度以便將該複數個模組維持處於一共同溫度。
200‧‧‧調節系統
205‧‧‧調節介質通路
210‧‧‧調節介質源
215‧‧‧模組
220‧‧‧調節分支
225‧‧‧熱致動器
230‧‧‧感測器
235‧‧‧調節控制單元
240‧‧‧溫度設定點
245‧‧‧校準偏移
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IH‧‧‧浸潤罩
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MF‧‧‧度量衡框架
MT‧‧‧支撐結構/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/晶圓台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部件，且在該等圖式中：- 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；及- 圖2包含根據本發明之一實施例之調節系統。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。投影系統PS被支撐於度量衡框架MF上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用 以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器(晶圓載物台為包含晶圓台之模組)中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩 與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。在系統為浸潤系統的情況下，提供浸潤罩IH。將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間為吾人所知。此情形之要點係實現較小特徵之成像，此係因為曝光輻射在液體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)的水。浸潤罩IH將浸潤液體供應至投 影系統PS之最終元件與基板W之間的空間。
憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)， 而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在一些微影裝置中，存在許多效能臨界模組(其可包括子系統及/或組件)，其對溫度改變及其之間的偏移敏感。此等模組包括晶圓台WT、浸潤罩IH、度量衡框架MF、柵格板(其可裝配至度量衡框架且充當度量衡參考件)、投影系統PS、編碼器區塊(經夾持有晶圓台WT)、晶圓載物台、位置感測器IF(或其他度量衡器件)、晶圓處置器、光罩MA、用於淨化(例如)編碼器區塊或對準感測器之淨化模組。所有此等模組可直接地或間接地由共同調節介質調節：例如，液體，諸如，透鏡冷卻水(LCW)。在其他實施例中，共同調節介質可為氣體，諸如，空氣。
歸因於通過系統之壓降及熱源之差，模組之溫度等級不相等。舉例而言，歸因於來自第二定位器PW之熱負荷，調節柵格板之空氣可暖於共同調節介質。此情形可引起柵格板處於比晶圓台WT所處之溫度高的溫度。另一實例為：共同調節介質可在其經路線傳遞通過調節系統且(借助於特定實例)通過晶圓台WT時損耗壓力。此壓降造成進入晶圓台WT之共同調節介質在溫度上增加。結果，在晶圓台WT與浸潤罩IH之間及在晶圓台WT與晶圓處置器之間存在溫度差。
模組之間的溫度偏移可造成疊對(微影結構之圖案對圖案之對準)之不穩定度。舉例而言，萬一來自晶圓處置器之晶圓在基板裝載時暖於晶圓台WT，就將發生自基板W至晶圓台WT之熱流，從而使基板W在量測循環期間變形。若來自晶圓載物台空氣簇射(用以沖洗在生產期間通過晶圓載物台之空氣)之空氣暖於用於編碼器淨化之空氣，則其將造成編碼器光束中之折射率變化，從而造成晶圓載物台定位誤差。此等情況僅僅為兩個實例。
一般而言，機器中之溫度差將造成兩個效應：
‧兩個模組之間的溫度差將在此兩個模組會合時造成熱流。此熱流可造成量測迴路(例如：晶圓台WT、浸潤罩IH、晶圓處置器、編碼器區塊、柵格板、位置感測器IF/度量衡感測器)中之晶圓或組件之熱機械變形。
‧兩個空氣供應件之間的溫度差造成空氣(或其他介質，例如，浸潤水)之折射率變化，從而造成光學量測誤差(晶圓載物台、編碼器淨化件、對準淨化件、投影透鏡)。
此等溫度偏移可為大約20mK至100mK。然而，未來疊對規範需要使溫度偏移待改良達原先的10倍。較佳地，需要不大於10mK之溫度偏移。
習知微影裝置可包含一調節系統，在該調節系統中共同調節介質在共同調節介質模組內經加熱或經冷卻至所要溫度。舉例而言，當將LCW用作共同調節介質時，LCW將源自LCW機櫃且在LCW機櫃內被加熱或被冷卻。接著將在所要溫度下之共同調節介質輸出至微影裝置模組，以調節該等微影裝置模組之溫度且最小化上述溫度偏移。然而，為了符合前述未來疊對規範，此方法單獨不足以縮減溫度偏移。
本文中提議產生旨在經由校準及控制而進一步縮減或消除在微影程序期間存在的大部分熱梯度之熱匹配功能性及策略。此可在系統 位階處藉由提供主動式調節系統來達成，主動式調節系統調整共同調節介質之每一調節分支之溫度使得整個微影裝置被控制至一個預定溫度。可藉由一個校準常式決定用於每一調節分支之控制因素。每一調節分支可調節微影裝置之模組中之一者。
圖2展示根據一實施例之調節系統200。調節系統200包含調節介質通路205，其被展示為粗線(例如，LCW電路)，該等調節介質通路205將調節介質自調節介質源210運載至複數個模組215。調節介質通路205包含複數個調節分支220，一個調節分支用於一個模組215(或用於該等模組之子集)。該等調節分支220中之一些或全部各自直接或間接地裝備有一熱致動器225(例如，加熱或冷卻元件)。每一模組或調節分支亦裝備有一感測器230。在此實例中，熱致動器225包含於調節控制單元235內。替代地，熱致動器225中之每一者可定位成鄰近於感測器230或定位於感測器230之緊鄰區域內(在模組215內或調節分支220中之別處)。緊鄰區域可意謂每一感測器與其對應熱致動器相隔小於30cm、相隔小於20cm、相隔小於10cm或相隔小於5cm。
較佳地，每一感測器230應置放成儘可能接近於所關注點。舉例而言，所關注點可為模組215內之使正經處理之基板與模組215中之特定點接觸之點。以此方式，調節系統200在微影裝置之內容背景內包含實現調節模組215之每一調節分支220之局域調節的功能性。
調節控制單元235處理自感測器230中之每一者輸出之信號；且將控制信號發送至熱致動器225。調節控制單元235可接收溫度設定點240作為輸入、以校準偏移245而偏移以針對相同絕對溫度補償每一感測器之未經校準讀出。調節控制單元235可根據設定點240控制熱致動器、針對彼感測器以校準偏移245而偏移。每一模組之感測器230及熱致動器225在回饋迴路中操作，使得該模組之溫度經維持處於(或儘可能地接近)由溫度設定點240界定之絕對溫度。以此方式，補償了如上 文所描述之系統中之壓降及熱源。調節控制單元235可包含單一單元(如所展示)，或控制器可局域地分配至模組215。
在一特定實施例中，此等受局域控制分支調節以下模組215中的一些或全部。
‧晶圓台
‧晶圓處置器精細調節台
‧編碼器淨化件
‧位階感測器淨化件
‧度量衡框架
‧投影透鏡
‧浸潤罩及/或浸潤流體
‧SPM柵格板(間接地經由度量衡框架及WS空氣簇射)
‧WS編碼器區塊(間接地經由浸潤流體及WS空氣簇射)；及
‧其他環境調節系統。
僅作為實例列出此等模組，且實施例可提供不同模組、其他模組及/或此等模組之僅子集之調節。
微影裝置亦可包含用以執行校準常式以校準感測器230之控制軟體。校準常式可包含在存在校準介質的情況下將兩個(或兩個以上)模組215之一起帶入至一共同位置，使得該等模組215之感測器在該共同位置處在彼此之附近。已經校準該等感測器中之一者及/或先前已將校準介質與已知溫度熱匹配(下文描述熱匹配)。校準常式包含相對於經校準感測器及/或相對於校準介質(假設其先前已經熱匹配)之溫度來校準未經校準感測器。替代地或另外，校準常式可包含將未經校準感測器引入至先前經熱匹配校準介質(其具有已知溫度)，且相對於先前經熱匹配校準介質來校準未經校準感測器。
校準常式亦可將模組中之每一者相對於其他模組及/或共同校準 介質熱匹配。熱匹配可包含控制一或多個模組及/或一校準介質之溫度使得該等模組及/或該校準介質之溫度均等。當熱匹配之模組及/或校準介質處於一共同位置時執行此熱匹配，且可與先前段中所描述之校準步驟同時地執行此熱匹配。可藉由使用(例如)適當熱致動器調整至模組或校準介質之熱輸入來達成溫度之控制。
校準介質可相同於共同調節介質，或其可為不同介質。校準介質可在執行校準之不同共同位置處而不同。校準介質可為流體(例如，水或空氣)，或固體(例如，基板)。
在微影裝置內，模組(包括用於分發可用作校準介質之流體的組件，例如，空氣軟管或水出口)中之一些或全部具有在正常操作期間之經界定移動範圍。此移動範圍受到每一模組之自有軟件次常式控制。該校準常式可包含另一次常式，其指示此等模組中之兩者(或兩者以上)同時離散移動，使得其移動至一共同位置；該等離散移動係在每一模組之經界定移動範圍內。此可在生產之外部(在設置處)進行。可存在數個不同共同位置，一個共同位置用於校準特定感測器之一個校準步驟。每一共同位置可經選擇為具有流動通過其之一個介質(校準介質)之區域。替代地，用於分發流體之組件亦可移動至該區域以提供校準介質。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。 適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管在上文可特定地參考本發明之實施例在浸潤微影之內容背景中之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用中，例如，非浸潤光學微影或壓印微影，且在內容背景允許的情況下不限於浸潤微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
200‧‧‧調節系統
205‧‧‧調節介質通路
210‧‧‧調節介質源
215‧‧‧模組
220‧‧‧調節分支
225‧‧‧熱致動器
230‧‧‧感測器
235‧‧‧調節控制單元
240‧‧‧溫度設定點
245‧‧‧校準偏移

Claims (15)

  1. 一種用於包含複數個模組之一微影裝置之調節系統，該調節系統包含：用於該複數個模組之一共同調節介質；複數個調節分支，其經配置成使得來自該複數個模組之不同個別模組或模組之子集各自經由運載該共同調節介質之一對應調節分支予以調節；複數個熱致動器，其各自可操作以局域地變更在該等調節分支中之一者處的該共同調節介質之溫度；及複數個感測器，其各自可操作以感測在該等調節分支中之一者處的該共同調節介質之該溫度。
  2. 如請求項1之調節系統，其中：該複數個感測器包含用於每一模組或調節分支之一專用感測器，該專用感測器可操作以感測其對應模組或調節分支之該溫度；且該複數個熱致動器包含用於每一調節分支之一專用熱致動器，該專用熱致動器可操作以局域地變更在其對應調節分支處的該共同調節介質之該溫度。
  3. 如請求項2之調節系統，其中該等專用感測器中之每一者位於一對應專用熱致動器之緊鄰區域中。
  4. 如請求項1至3中任一項之調節系統，其中該調節系統包含一控制器，該控制器可操作以基於該等感測器之輸出而控制該等熱致動器，以便將該複數個模組維持處於一共同溫度。
  5. 如請求項4之調節系統，其中該控制器及該複數個熱致動器包含於一單一控制單元內。
  6. 如請求項1至3中任一項之調節系統，其中該等熱致動器之該控制考量用於該等感測器中之每一者之一校準偏移，以補償針對相同絕對溫度之每一感測器之未經校準輸出，且其中該微影裝置可操作以執行一校準常式以用於計算該等校準偏移。
  7. 如請求項6之調節系統，其中該校準常式包含：將一或多個未經校準感測器、一經校準感測器及一校準介質帶入至一共同位置，且相對於該經校準感測器來校準該或該等未經校準感測器。
  8. 如請求項6之調節系統，其中該校準常式包含：將一或多個未經校準感測器及具有已知溫度之一校準介質帶入至一共同位置，且相對於具有已知溫度之該校準介質來校準該或該等未經校準感測器。
  9. 如請求項6之調節系統，其中該校準常式可操作以控制該等模組之移動，該等模組中之每一者包含該等感測器中之一者及/或用於該校準介質之一出口，以便將該等經校準及未經校準感測器及/或該校準介質一起帶入一或多個共同位置處。
  10. 如請求項9之調節系統，其中該等模組之該移動包含：在該微影裝置之正常操作期間在每一模組之經界定移動範圍內的移動。
  11. 如請求項6之調節系統，其中該校準常式包含：在該等模組及/或該校準介質處於該共同位置時使該等模組及/或該校準介質之該等溫度均等。
  12. 如請求項1至3中任一項之調節系統，其中該共同調節介質包含一調節流體。
  13. 一種微影裝置，其包含：如請求項1至12中任一項之調節系統；及該複數個模組。
  14. 如請求項13之微影裝置，其中該複數個模組包含如下各者中之一或多者：一晶圓台、一浸潤罩、一度量衡框架、一或多個柵格板、一投影系統、一編碼器區塊及一晶圓載物台。
  15. 一種調節包含複數個模組之一微影裝置之方法，該方法包含：經由運載一共同調節介質之一對應調節分支來調節來自該複數個模組之不同個別模組中之每一者或模組之子集；感測在該等調節分支中之每一者處的該共同調節介質之溫度；及局域地變更在該等調節分支中之每一者處的該共同調節介質之該溫度以便將該複數個模組維持處於一共同溫度。
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