JP7340058B2 - ダンパーデバイスを製造する方法 - Google Patents

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関連出願の相互参照
本出願は、２０１７年１２月１５日に出願された欧州出願第１７２０７５４８．３号の優先権を主張し、その全体が本明細書に参照により援用される。

本発明は、ダンパーデバイスを製造する方法、このダンパーデバイスのリソグラフィ装置または投影システムにおける使用、およびこのリソグラフィ装置のデバイス製造方法における使用に関する。

リソグラフィ装置は、基板、多くの場合基板の目標部分に、所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。この場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）上の目標部分（例えば１つまたは複数のダイもしくはダイの一部を含む）に転写されうる。パターン転写は典型的には基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置には、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分が照射を受ける、いわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向と平行または逆平行に走査するようにして各目標部分が照射を受ける、いわゆるスキャナとが含まれる。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。

リソグラフィ装置においては、ダンパーデバイスは、フレームに対して光学素子などの要素を支持し絶縁するために使用される。現在、減衰材を、ダンパーデバイス、特に受動的なダンパーデバイスに設けるには、ダンパーデバイスの部品と減衰材との間の信頼性できる力伝達を保証するために複雑な製造プロセスを必要とする。

改良されたダンパーデバイス、特に、デバイス部品と減衰材との間の信頼性できる力伝達を保証する比較的簡単なダンパー製造プロセスを提供することが望まれる。

本発明のある実施の態様によると、第１部分と第２部分とを含むダンパーデバイスを製造する方法であって、
（ａ）前記第１部分と前記第２部分との間の空間に減衰材を、前記減衰材が前記空間内で圧縮状態となるように設けるステップと、
（ｂ）前記減衰材を前記第１部分と前記第２部分とに付着させるために前記デバイスを所定温度に加熱するステップと、を備える方法が提供される。

本発明の他の態様によると、パターン付けられた放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成されている投影システムであって、本発明に係る方法を用いて製造された１つ又は複数のダンパーデバイスによって支持された光学素子を備える投影システムが提供される。

本発明の更に他の態様によると、本発明に係る方法を用いて製造された１つ又は複数のダンパーデバイスを備えるリソグラフィ装置が提供される。

本発明の更なる態様によると、本発明に係るリソグラフィ装置を使用して行われるデバイス製造方法が提供される。

本発明のいくつかの実施の形態が付属の模式的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。 本発明のある実施の形態に係る投影システムを模式的に示す。 本発明のある実施の形態に係るダンパーデバイスの断面図を模式的に示す。 本発明の他の実施の形態に係るダンパーデバイスの断面図を模式的に示す。 本発明の更に他の実施の形態に係るスプリングダンパーデバイスの断面図を模式的に示す。 本発明のある実施の形態に係る製造方法をブロック図により模式的に示す。

図１は、本発明の一つの実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。本装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成されている第１位置決め部ＰＭに接続されている支持構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するよう構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成されている第２位置決め部ＰＷに接続されている基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴａまたはＷＴｂと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを備える）目標部分Ｃに投影するように構成されている投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。

照明システムは、放射の方向や形状の調整、及び／または放射の制御のために、各種の光学部品、例えば屈折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品、またはその他の形式の光学部品、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持する（すなわち、パターニングデバイスの重量を支える）。これは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境に保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持すべく、機械的、または真空、または静電、またはその他のクランプ技術を用いることができる。支持構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これは必要に応じて固定されまたは移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本書での「レチクル」または「マスク」との用語の使用はいずれも、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなされうる。

本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗの目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用可能ないかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、放射ビームに与えられるパターンは、基板Ｗの目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

本書に使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射、さらにはイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを包含する。

本書で使用される「投影システム」という用語は、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含むものであり、使用される露光放射に関して又は液浸液の使用または真空の使用等の他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。本書での「投影レンズ」との用語の使用はいずれも、より一般的な用語である「投影システム」と同義であるとみなされうる。

図示されるように、本装置は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。これに代えて、本装置は、（例えば、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ、または反射型マスクを用いる）反射型であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれより多くの基板テーブル（及び／または２以上のマスクテーブル）を有する形式のものであってもよい。このような「多重ステージ」の装置においては、追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルが露光のために使用されている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。図１の例における２つの基板テーブルＷＴａおよびＷＴｂは、これを例示するものである。本明細書に開示された本発明は、スタンドアロンで使用することができるが、特に、単一ステージまたは複数ステージの装置のいずれかの露光前測定段階で追加の機能を提供することができる。

また、リソグラフィ装置は、基板Ｗの少なくとも一部分が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすよう覆われうる形式のものであってもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増大させるために本分野において周知である。本書で使用される「液浸」との用語は、基板Ｗ等の構造体が液体に浸されなければならないことを意味するのではなく、液体が投影システムＰＳと基板Ｗとの間に露光中に配置されることを意味するにすぎない。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射ソースＳＯから放射ビームを受ける。放射ソースＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射ソースＳＯがエキシマレーザである場合には、別体であってもよい。この場合、放射ソースＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは、適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを例えば含むビーム搬送系ＢＤを介して放射ソースＳＯからイルミネータＩＬへと受け渡される。ソースが例えば水銀ランプである等の他の場合には、ソースはリソグラフィ装置と一体の部分であってもよい。放射ソースＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常それぞれ「シグマ－アウタ（σ-outer）」、「シグマ－インナ（σ-inner）」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ等その他の各種構成要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）に保持されるパターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）に入射して、パターニングデバイスＭＡによりパターンを与えられる。パターニングデバイスＭＡを横切った放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２位置決め部ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）により、例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め部ＰＭと他の位置センサ（図１には図示せず）は、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出し後または走査中に、正確に位置決めするために使用することができる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１位置決め部ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め）及びショートストロークモジュール（微細な位置決め）により実現されうる。同様に、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの移動は、第２位置決め部ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されうる。ステッパの場合（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイが設けられる場合にはマスクアライメントマークＭ１、Ｍ２がダイ間に配置されてもよい。

図示される装置は少なくともスキャンモードで使用されうる。スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは同期して走査される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められうる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。

スキャンモードに加えて、図示される装置は次のモードのうち少なくとも１つのモードで使用可能でありうる。
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは実質的に静止状態とされる（すなわち単一静的露光）。そして基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
２．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上記で記載した使用モードの組合せまたは変形例、または全く別の使用モードが用いられてもよい。

リソグラフィ装置ＬＡは、２つの基板テーブルＷＴａおよびＷＴｂと、２つのステーション、すなわち露光ステーションおよび測定ステーションとを有し、これらのステーション間で基板テーブルを交換できる、いわゆるデュアルステージタイプの装置である。一方の基板テーブル上の基板が露光ステーションで露光されている間に、別の基板を測定ステーションで他方の基板テーブル上にロードすることができ、それにより、様々な準備工程が実行されうる。準備工程は、レベルセンサＬＳを用いて基板の表面をマッピングすることと、アライメントセンサＡＳを用いて基板上のアライメントマーカの位置を測定することとを含んでもよい。これにより、装置のスループットを実質的に向上させることができる。位置センサＩＦが基板テーブルの位置を露光ステーションにあるときのように測定ステーションにある間に測定することができない場合、両方のステーションで基板テーブルの位置を追跡することを可能にするために、第２の位置センサが設けられてもよい。

本装置はさらに、記載される様々なアクチュエータおよびセンサのすべての動作および測定を制御するリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵを含む。制御ユニットＬＡＣＵはまた、装置の動作に関連する所望の計算を実装するための信号処理およびデータ処理能力を含む。実際には、制御ユニットＬＡＣＵは、装置内のサブシステムまたはコンポーネントのリアルタイムでのデータ取得、処理、および制御を各サブユニットが担う多数のサブユニットからなるシステムとして実現される。例えば、１つの処理サブシステムが基板位置決め部ＰＷのサーボ制御に特化していてもよい。別々のユニットが、粗動アクチュエータと微動アクチュエータ、または異なる軸を担ってもよい。ある他のユニットが、位置センサーＩＦの読み出しに特化しているかもしれない。装置の全体的な制御は、これらのサブシステム処理ユニット、オペレータ、およびリソグラフィ製造プロセスに関与する他の装置と通信する中央処理ユニットによって制御されてもよい。

図２は、図１のリソグラフィ装置の投影システムＰＳを模式的に示す。投影システムＰＳは、後述する本発明のある実施の形態に係る投影システムである。図２において、投影システムＰＳの２つの図、すなわち（ａ）図と（ｂ）図が示されている。（ａ）図は底面図であり、（ｂ）図は側面図である。両図には、図１と同様のＸ，Ｙ，Ｚ方向を示す座標系が付されている。

投影システムＰＳは、本発明のある実施の形態に係る３つのダンパーデバイス１を使用して、フレームＲＦ（図１参照）、例えばベースフレーム、メトロロジフレーム、または任意の他のフレームから支持される。任意の数のスプリングダンパーデバイス１の使用が想定されており、示された３つのダンパーデバイス１は単なる例示であることは、当業者には明らかであろう。

図２から明らかなように、３つのダンパーデバイス１は、投影システムＰＳの外周に沿って均等に配置されている。これにより、各ダンパーデバイス１が投影システムＰＳを少なくとも２自由度で支持することができる場合には、投影システムＰＳを６自由度で支持することができる。

図３は、本発明のある実施の形態に係るダンパーデバイス１の断面図を示す。ダンパーデバイス１は、第１部分３ａと第２部分３ｂを備える。第１部分３ａは、本実施形態では、ダンパーデバイス１を図１及び図２の投影システムＰＳに接続するための接続部であってもよい。第２部分３ｂは、本実施形態では、ダンパーデバイス１をフレーム、例えば図１のフレームＲＦに接続するための接続部であってもよい。

第１部分３ａに接続されているのは、左ブレードＬＢであり、第２部分３ｂに接続されているのは、右ブレードＲＢである。ダンパーデバイス１の組み立て時に左ブレードＬＢと右ブレードＲＢは、左ブレードＬＢと右ブレードＲＢが空間Ｓを画定するように、互いに対して配置される。空間Ｓは減衰材Ｄで充填されている。最初、減衰材Ｄは、空間Ｓ内に導入されているとき、非圧縮状態であってもよい。その後、減衰材Ｄは、第１部分３ａ及び第２部分３ｂ、ひいては左ブレードＬＢ及び右ブレードＲＢを互いに向かって移動させることによって、圧縮状態とされてもよい。それにより、左ブレードＬＢと右ブレードＲＢとの間の空間Ｓの容積は、減衰材Ｄが圧縮状態となる程度に減少されてもよい。

ある実施の形態では、減衰材Ｄは、粘弾性材料、好ましくは熱可塑性エラストマーである。

減衰材Ｄの減衰機能は、第１部分３ａと第２部分３ｂとの間の動きが減衰材Ｄの変形を引き起こし、これにより減衰材Ｄが対応するエネルギーを少なくとも部分的に熱に散逸させるときに実現される。ある実施の形態では、ダンパーデバイス１は、スプリングデバイスと協働するように、スプリングデバイスと平行に配置される。

図４は、本発明の他の実施形態に係るダンパーデバイス１の断面図を示す。ダンパーデバイス１は、第１部分３ａと第２部分３ｂを備える。第１部分３ａは、本実施形態では、ダンパーデバイス１を図１及び図２の投影システムＰＳに接続するための接続部であってもよい。第２部分３ｂは、本実施形態では、ダンパーデバイス１をフレーム、例えば図１のフレームＲＦに接続するための接続部であってもよい。

第１部分３ａに接続されているのは、中央ブレードＣＢであり、第２部分３ｂに接続されているのは、左ブレードＬＢと右ブレードＲＢである。左ブレードＬＢと中央ブレードＣＢは、それらの対向する側に第１空間Ｓ１を画定する。中央ブレードＣＢと右ブレードＲＢは、それらの対向する側に第２空間Ｓ２を画定する。空間Ｓ１，Ｓ２には、それぞれ減衰材Ｄ１，Ｄ２が充填されている。最初、減衰材Ｄ１，Ｄ２は、それぞれ空間Ｓ１，Ｓ２内に導入されているとき、非圧縮状態であってもよい。その後、減衰材Ｄ１，Ｄ２は、左ブレードＬＢ及び右ブレードＲＢを中央ブレードに向かって移動させることによって、例えば、左ブレードＬＢ及び右ブレードＲＢを第２部分３ｂにクランプすることによって、圧縮状態とされてもよい。それにより、空間Ｓ１，Ｓ２の容積は、減衰材Ｄ１，Ｄ２が圧縮状態となる程度に減少されてもよい。

ある実施の形態では、減衰材Ｄ１，Ｄ２は、粘弾性材料、好ましくは熱可塑性エラストマーである。

減衰材Ｄ１，Ｄ２の減衰機能は、第１部分３ａと第２部分３ｂとの間の動きが減衰材Ｄ１，Ｄ２の変形を引き起こし、これにより減衰材Ｄ１，Ｄ２が対応するエネルギーを少なくとも部分的に熱に散逸させるときに実現される。ある実施の形態では、ダンパーデバイス１は、スプリングデバイスと協働するように、スプリングデバイスと平行に配置されている。

図５は、本発明の更に他の実施形態に係るダンパーデバイス１の断面図を示す。この実施形態では、ダンパーデバイス１は、スプリングダンパーデバイス１であり、スプリングダンパーデバイス１を投影システムＰＳに接続するための接続部３ａと、スプリングダンパーデバイス１をフレーム、例えば図１のフレームＲＦに接続するための接続部３ｂと、接続部３ａを接続部３ｂに接続するスプリング部分３ｃとを有するスプリング３を備える。このスプリング部分３ｃは、弾性を有し、たわみ時に機械的なエネルギーを蓄えることができる。こうして、スプリング部分３ｃは、接続部３ａと接続部３ｂを互いに対して平衡位置に付勢する。

スプリング３はさらに、左第１ブレードＬ１Ｂ、右第１ブレードＲ１Ｂ、左第２ブレードＬ２Ｂ、右第２ブレードＲ２Ｂを備える。また、スプリングは、左第３ブレードＬ３Ｂ、右第３ブレードＲ３Ｂ、左第４ブレードＬ４Ｂ、及び右第４ブレードＲ４Ｂを備える。

左右の第１ブレードＬ１Ｂ，Ｒ１Ｂと左右の第２ブレードＬ２Ｂ，Ｒ２Ｂは、１つ又は複数のボルト５が左第２ブレードＬ２Ｂにおける対応する１つ又は複数のネジ穴Ｈ２に嵌合することによって、これらブレードと接続部３ａを共にクランプしてスプリング３の第１部分を形成することができるように、接続部３ａに接続されている。

左右の第３ブレードＬ３Ｂ，Ｒ３Ｂと左右の第４ブレードＬ４Ｂ，Ｒ４Ｂは、１つ又は複数のボルト６が左第４ブレードＬ４Ｂにおける対応する１つ又は複数のネジ穴Ｈ４と嵌合することによって、これらブレードと接続部３ｂを共にクランプしてスプリング３の第２部分を形成することができるように、接続部３ｂに接続されている。

ブレードとスプリングの配置は、図５の断面において左から右に向かって以下の要素と空間が以下の順番で現れるようになっている。
（１）左第４ブレードＬ４Ｂ。
（２）左第４ブレードＬ４Ｂによって一方側を、左第２ブレードＬ２Ｂによって他方側を画定された第１空間Ｓ１。
（３）左第２ブレードＬ２Ｂ。
（４）左第２ブレードＬ２Ｂによって一方側を、左第３ブレードＬ３Ｂによって他方側を画定された第２空間Ｓ２。
（５）左第３ブレードＬ３Ｂ。
（６）左第３ブレードＬ３Ｂによって一方側を、左第１ブレードＬ１Ｂによって他方側を画定された第３空間Ｓ３。
（７）左第１ブレードＬ１Ｂ。
（８）左第１ブレードＬ１Ｂによって一方側を、接続部３ｂによって他方側を画定された第４空間Ｓ４。
（９）接続部３ｂ。
（１０）接続部３ｂによって一方側を、右第１ブレードＲ１Ｂによって他方側を画定された第５空間Ｓ５。
（１１）右第１ブレードＲ１Ｂ。
（１２）右第１ブレードＲ１Ｂによって一方側を、右第３ブレードＲ３Ｂによって他方側を画定された第６空間Ｓ６。
（１３）右第３ブレードＲ３Ｂ。
（１４）右第３ブレードＲ３Ｂによって一方側を、右第２ブレードＲ２Ｂによって他方側を画定された第７空間Ｓ７。
（１５）右第２ブレードＲ２Ｂ。
（１６）右第２ブレードＲ２Ｂによって一方側を、右第４ブレードＲ４Ｂによって他方側を画定された第８空間Ｓ８。
（１７）右第４ブレードＲ４Ｂ。

空間Ｓ１～Ｓ８はそれぞれ、対応する減衰材Ｄ１～Ｄ８で充填される。最初は、減衰材Ｄ１～Ｄ８は、空間Ｓ１～Ｓ８内に導入されているとき、非圧縮状態であってもよい。減衰材Ｄ１～Ｄ８の容積は、ブレードが対応する接続部にそれぞれのボルト５、６によってクランプされるとき、減衰材Ｄ１～Ｄ８が圧縮状態となる程度に空間Ｓ１～Ｓ８の容積が減少されるように選択される。

ある実施の形態では、減衰材Ｄ１～Ｄ８は、粘弾性材料、好ましくは熱可塑性エラストマーである。

ブレードがスプリングの接続部に着脱可能に取り付けられていることの利点は、減衰材Ｄ１～Ｄ８を対応する空間Ｓ１～Ｓ８に導入することが比較的容易であることにあるが、さらに、減衰材Ｄ１～Ｄ８を対応する空間Ｓ１～Ｓ８に導入した後、減衰材の位置ずれを修正することが、ブレードを分解して再度試してみることによって、はるかに容易となることにある。

記載された実施形態では、組み立て中に空間Ｓ１～Ｓ８の容積を減少させて減衰材Ｄ１～Ｄ８を圧縮状態にすることを利用しているが、減衰材Ｄ１～Ｄ８の容積を空間Ｓ１～Ｓ８の容積と当初一致させ、その後、減衰材Ｄ１～Ｄ８の膨張によって減衰材Ｄ１～Ｄ８を圧縮状態とすることも可能である。これは、例えば、減衰材Ｄ１～Ｄ８の温度を下げることによって、減衰材Ｄ１～Ｄ８の体積を空間Ｓ１～Ｓ８の容積と一致させるか又はそれよりも小さくし、それら空間に減衰材Ｄ１～Ｄ８を導入した後、減衰材を室温に戻し、それによって減衰材Ｄ１～Ｄ８の膨張を促し、その結果、減衰材Ｄ１～Ｄ８を圧縮状態とすることによって行うことができる。

別の可能性としては、例えば、ブレードが対応する接続部にまずクランプされ、その後に減衰材Ｄ１～Ｄ８が空間Ｓ１～Ｓ８内に導入される場合のように、減衰材Ｄ１～Ｄ８が圧縮状態でそれぞれの空間Ｓ１～Ｓ８内に導入されることが挙げられる。

減衰材Ｄ１～Ｄ８の減衰機能は、接続部３ａ，３ｂ間の相対的な動きが減衰材Ｄ１～Ｄ８を変形させ、これによって減衰材Ｄ１～Ｄ８が対応するエネルギーを少なくとも部分的に熱に散逸させるときに実現される。図５の実施形態については、これは、ブレードがそれぞれの接続部に剛に接続されている必要があり、さらに、減衰材Ｄ１～Ｄ８が、減衰材が存在する空間を区切る対応するブレードに又はスプリングの他方の部分に接続されていることを意味する。

図６は、ダンパーデバイス、例えば図３から図５の実施形態に係るダンパーデバイス１を製造するための方法をブロック図により示し、これは、例えば図１及び図２に示される投影システムを支持することによって、図１のリソグラフィ装置に適用するためのものである。デバイス１は、第１部分と第２部分を含み、これらは、いくつかの実施形態では第１部分と第２部分との間で作用するように構成されたスプリングの存在により、互いに相対的に移動可能である。こうした方法は、第１部分と第２部分との間の空間に減衰材が設けられ、減衰材がこの空間内で圧縮状態となるようにする第１ステップＡを含む。

その後、ステップＢでは、減衰材を第１部分および第２部分に付着させるために、デバイスが所定温度に加熱される。付着は例えば、第１部分および第２部分の表面に、より良好に適合させるように、すなわち、減衰材と第１部分および第２部分との間の接触面を増加させるように、減衰材のヤング率を下げることによって実現されてもよい。

所定温度は、好ましくは、減衰材の融解温度以下であるが、減衰材に自身をスプリングの第１部分および第２部分の表面へと適合させるのに十分な高さとする。好ましくは、デバイスの所定温度は、所定時間維持される。

所定温度への加熱後に、ステップＣで、デバイスは、室温に等しい温度となるように冷却されることができる。冷却は、単に熱源を取り除くことによって受動的であってもよいが、例えば室温又はそれより低い温度を有する空気流にデバイスをさらすことによって能動的であってもよい。

この方法は、好ましくは、スプリングの第１部分と第２部分との間の減衰材がステップＣの後でもまだ圧縮状態となるようにするものである。これは、説明した要素を用いた図４および図５の実施形態では容易に可能である。しかしながら、図３の実施形態では、第１および第２部分３ａ，３ｂを互いに近づくように付勢するために、追加の要素、例えばスプリング要素が必要とされてもよい。

記載された実施形態は、デバイスを所定温度に加熱することに言及しているが、いくつかの実施形態では、使用される減衰材によっては、デバイスの加熱が省略されてもよく、または所定温度が周囲温度に近いことは、ここで明示的に留意される。ある実施の形態では、所定温度は、２０度又はそれより高く、好ましくは２５度又はそれより高く、より好ましくは３５度又はそれより高く、最も好ましくは４５度又はそれより高い。ある実施の形態では、所定温度は、１００度又はそれより低く、好ましくは８０度又はそれより低く、より好ましくは６０度又はそれより低く、最も好ましくは５５度又はそれより低い。上記の温度は摂氏である。デバイスを加熱することは、圧縮下で第１部分と第２部分とに減衰材を付着させるプロセスを迅速化するという利点を有しうる。加熱を省略することは、したがって、このプロセスのための十分な時間がある場合にのみ有益である。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及しているかもしれないが、本書に説明されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。当業者であればこれらの他の適用に際して、本書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされうると理解することができるであろう。本書に言及される基板は、露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにおいて処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は処理済みの多数の層を既に含む基板をも意味しうる。

上記では光リソグラフィにおける本発明の実施の形態の使用に具体的に言及したかもしれないが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用されうるものであり、文脈が許す場合、光リソグラフィに限られるものではないことは理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離すと、レジストの硬化後にパターンが残される。

上記では本発明の特定の実施形態を説明したが、本発明は、説明したものとは異なる方式で実施されうることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述する機械読み取り可能なインストラクションの１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこうしたコンピュータプログラムが内部に記憶されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形をとることができる。

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (9)

1. 第１部分と第２部分とを含むダンパーデバイスを製造する方法であって、
   （ａ）前記第１部分に接続された第１ブレードと前記第１ブレードに対向し前記第２部分に接続された第２ブレードとの間の空間に減衰材を、前記減衰材が前記空間内で圧縮状態となるように設けるステップと、
   （ｂ）前記減衰材を前記第１ブレードと前記第２ブレードとに付着させるために前記ダンパーデバイスを所定温度に加熱するステップと、
   （ｃ）前記ダンパーデバイスを冷却することと、を備え、
   前記第１ブレードと前記第２ブレードの間の前記減衰材が、ステップ（ｃ）の後でもまだ圧縮状態となり、
   前記ステップ（ａ）において、前記減衰材は、前記空間に非圧縮状態で導入され、その後前記減衰材が膨張することによって前記圧縮状態とされる、方法。
2. 前記ダンパーデバイスは、前記第１部分と前記第２部分との間で作用するように構成されているスプリングを備えるスプリングダンパーデバイスである、請求項１に記載の方法。
3. 前記減衰材は、粘弾性材料である、請求項１または２に記載の方法。
4. ステップ（ｂ）は、ステップ（ｂ）の後でも前記第１ブレードと前記第２ブレードの間の前記減衰材が圧縮状態となるように行われる、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
5. 前記第１部分および前記第２部分は、前記第１ブレードによって一方側を、前記第２ブレードによって他方側を画定される複数の空間を提供し、前記複数の空間の各々には、前記減衰材が各空間で圧縮状態となるように前記減衰材が設けられている、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
6. 前記第１部分は、前記第２部分に対して２自由度を有し、前記減衰材が、両方の自由度で減衰を提供するように設けられている、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
7. 前記ステップ（ｂ）において、前記ダンパーデバイスが前記所定温度に所定時間維持される、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
8. 前記空間を画定する前記ダンパーデバイスの一部が、前記ダンパーデバイスに着脱可能に取り付けられている、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
9. 複数の第１ブレードが前記第１部分に接続され、複数の第２ブレードが前記第２部分に接続され、前記第１ブレードは前記第２ブレードと交互にあり、
   前記ステップ（ａ）において、複数の減衰材の各々が対応する第１ブレードと第２ブレードの間の空間に設けられる、請求項１から８のいずれかに記載の方法。

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