KR101977437B1 - 임프린트 장치, 조명 광학계 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 조명 광학계 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

임프린트 장치는, 기판에서 임프린트 처리가 행해지는 임프린트 영역을 가열해서 임프린트 영역의 형상을 변경하도록 구성되는 가열 유닛을 포함한다. 가열 유닛은, 광축에 수직한 제1 방향 및 제2 방향으로 연장하는 광속을 출사하도록 구성되는 제1 광학계와, 상기 제1 광학계로부터 출사된 광속의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 폭의 비를 변경하도록 구성되는 변경 유닛과, 상기 비가 변경된 상기 광속의 강도 분포를 조정하도록 구성되는 강도 분포 조정 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛은, 상기 강도 분포 조정 유닛으로부터의 광속으로 상기 임프린트 영역을 조사함으로써 상기 임프린트 영역을 가열한다.

Description

임프린트 장치, 조명 광학계 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, ILLUMINATION OPTICAL SYSTEM, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 임프린트 장치, 조명 광학계 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스, MEMS 등의 미세패터닝에 대한 요구가 증가함에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술 외에, 기판 상의 미경화 수지를 몰드를 사용해서 성형하여 수지의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세가공 기술이 주목을 모으고 있다. 이 기술은 임프린트 기술이라고도 불리며, 기판 상에 수 nm 오더의 미세한 구조체를 형성할 수 있다. 광경화법은 임프린트 기술의 일례이다. 이 광경화법을 채용한 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상의 임프린트 영역인 샷에 자외선 경화성 수지를 도포한다. 이어서, 미경화 수지를 몰드를 사용하여 성형한다. 그리고, 자외선을 조사해서 수지를 경화시키고, 몰드를 경화된 수지로부터 분리함으로써, 수지의 패턴이 기판 상에 형성된다. 임프린트 장치는 레티클의 패턴을 기판에 축소 투영하는 투영 광학계를 필요로 하지 않기 때문에, 임프린트 장치는 종래의 광 스테퍼, 광 스캐너 또는 EUV 노광 장치와 비교하여 보다 저비용을 실현할 수 있는 반도체 제조 장치라고 말할 수 있다.
임프린트 처리가 실시되는 기판은, 일련의 디바이스 제조 공정에서 스퍼터링 등의 성막 공정에서의 가열 처리 후에, 확대 또는 축소되고, 평면 내에서 서로 직교하는 2축 방향에서 패턴의 형상(또는 사이즈)이 변화하는 경우가 있다. 따라서, 임프린트 장치에서는, 몰드와 기판 상의 수지를 서로 접촉시킬 때에, 기판 상에 미리 형성되어 있는 기판 측 패턴의 형상과, 몰드에 형성되어 있는 형 측 패턴부의 형상을 맞출 필요가 있다.
일본 특허 공개 제2013-89663호 공보에는, 기판 측 패턴의 형상과 몰드의 패턴부의 형상을 맞추기 위해서, 기판 측 패턴을 가열하는 가열 기구를 포함하는 임프린트 장치가 기재되어 있다. 일본 특허 공개 제2013-89663호 공보에 기재된 가열 기구는, 기판 측 패턴의 평면 영역에 광량 분포를 형성하는 공간 광 변조 소자로서 액정 소자 어레이 또는 디지털 미러 디바이스를 포함하고 있다.
일본 특허 공개 제2013-89663호 공보 기재된 발명에서는, 공간 광 변조 소자로서 매트릭스 형상으로 배치된 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD) 또는 매트릭스 형상으로 배치된 액정 소자를 사용하여, 임의의 마이크로미러를 미리 정해진 각도만큼 경사지게 해서 조도를 제어하고 있다. 일본 특허 공개 제2013-89663호 공보에 기재된 발명에는 기재되어 있지 않으나, DMD에 조사하는 광이 톱 플랫(top flat) 및 균일한 강도 분포를 가지도록, 일반적으로 마이크로렌즈 어레이(MLA) 등이 사용된다. 웨이퍼의 샷 사이즈는 통상 33×26mm의 직사각형 형상을 가진다. 광원의 비용을 감소시키기 위해서 보다 저출력의 광원을 사용하는 것을 고려하면, 광학계의 고효율화가 필요하다. 그로 인해, DMD에의 조명광의 조명 폭은 샷 사이즈와 유사한 형상으로 할 필요가 있다. 그러나, 일본 특허 공개 제2013-89663호 공보에는, DMD에의 조명광의 조명 폭이 샷 사이즈와 유사한 형상을 가지는 것은 개시되어 있지 않다.
DMD에의 조명광의 형상을 정사각형으로부터 직사각형으로 바꾸는 종래 기술로서 실시되고 있는 방법에 대해서, 도 4를 참조해서 설명한다. 도 4에서, MLA의 렌즈 배열 피치를 P, 2매의 렌즈의 MLA의 합성 초점 거리를 f1, 푸리에 변환 렌즈의 각 초점 거리를 f2라고 하면, DMD 면에 대한 조명 폭 D는 D=P×(f2/f1)로부터 구할 수 있다. 이러한 등식으로부터, DMD에의 조명광이 샷 사이즈와 유사한 형상을 가지도록, MLA의 피치 P 또는 MLA의 초점 거리를 X 방향과 Y 방향 사이에서 변경할 필요가 있다. 이 경우, 특수한 MLA를 제작할 필요가 있기 때문에 광학계의 비용이 증가한다. 한편, 광학계의 비용을 억제한 결과로서 광학계의 효율이 저하되면, 광원의 고출력화가 필요해지고, 광원의 비용이 증가한다. 이와 같이, 패턴을 열 변형시켜서 중첩 정밀도를 향상시키는 방식을 임프린트 장치에 적용하려고 하면 비용이 증가한다. 이것은 임프린트 장치의 장점 중 하나인 저비용화에 어긋나게 된다.
일본 특허 공개 제2013-89663호 공보
본 발명은 중첩 정밀도의 점에서 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명은 제1 측면에서, 기판의 임프린트재와 몰드 패턴을 서로 접촉시켜서 상기 임프린트재에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치로서, 상기 기판에서 상기 임프린트 처리가 행해지는 임프린트 영역을 가열해서 상기 임프린트 영역의 형상을 변경하도록 구성되는 가열 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛은, 광축에 수직한 제1 방향 및 제2 방향으로 연장하는 광속을 출사하도록 구성되는 제1 광학계와, 상기 제1 광학계로부터 출사된 상기 광속의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 폭의 비를 변경하도록 구성되는 변경 유닛과, 상기 비가 변경된 상기 광속의 강도 분포를 조정하도록 구성되는 강도 분포 조정 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛은, 상기 강도 분포 조정 유닛으로부터의 광속으로 상기 임프린트 영역을 조사함으로써 상기 임프린트 영역을 가열하는 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명은 제2 측면에서, 물품 제조 방법으로서, 상기 제1 측면에서 규정된 임프린트 장치를 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 공정과, 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공해서 상기 물품을 제조하는 공정을 포함하는 물품 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 제3 측면에서, 조명 광학계로서, 광축에 수직한 제1 방향 및 제2 방향으로 연장하는 광속을 출사하도록 구성되는 제1 광학계와, 상기 제1 광학계로부터 출사된 광속의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 폭의 비를 변경하도록 구성되는 변경 유닛과, 상기 비가 변경된 광속의 강도 분포를 조정하도록 구성되는 강도 분포 조정 유닛을 포함하고, 상기 제1 광학계는, 광원으로부터의 광의 강도 분포를 균일화하도록 구성되고, 2차원적으로 배열된 복수의 렌즈를 포함하는 렌즈 어레이를 포함하고, 상기 변경 유닛은, 상기 렌즈 어레이와 상기 강도 분포 조정 유닛 사이의 광로에 배치되고, 2개의 상이한 방향에서의 곡률이 서로 상이한 렌즈 면을 가지는 렌즈를 포함하고, 상기 렌즈 면을 가지는 상기 렌즈는, 상기 강도 분포 조정 유닛에 입사하는 광의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 폭의 비를 변경하는 조명 광학계를 제공한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부 도면을 참조하여 아래의 예시적인 실시 형태의 설명으로부터 명확해 질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 임프린트 장치를 도시하는 개략도.
도 2a 및 2b는 본 발명에 따른 조명 광학계를 도시하는 도면.
도 3a 내지 3c는 본 발명에 따른 변경 유닛을 도시하는 도면.
도 4는 MLA를 사용한 경우의 조명 폭을 설명하는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 톱 플랫 강도 분포와 조명 폭의 비를 설명하는 도면.
도 6은 본 발명에 따른 임프린트 처리를 도시하는 흐름도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 첨부 도면 등을 참조하여 설명한다.
[임프린트 장치]
본 발명의 일 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치는 물품으로서의 반도체 디바이스 등의 디바이스의 제조에 사용되며, 웨이퍼(기판) 상의 미경화 수지(임프린트재)에 몰드(원판 또는 템플릿)를 가압해서 이들을 서로 접촉시킴으로써 상기 수지를 성형하고, 기판 상에 수지의 패턴을 형성한다. 본 실시 형태에서는, 광경화법을 채용한 임프린트 장치를 사용한다. 도 1을 참조하면, 기판의 표면에 직교하는 방향으로 Z축을 설정하고, Z축에 수직한 평면 내에 서로 직교하는 X축 및 Y축을 설정하고 있다.
임프린트 장치(1)는 조사 유닛(2), 몰드 보유 지지 유닛(3), 웨이퍼 스테이지(기판 스테이지)(4), 도포 유닛(디스펜서)(5), 가열 유닛(조명 광학계)(6), 제어 유닛(7) 및 얼라인먼트 계측 장치(위치 어긋남 검출기)(22)를 포함한다. 조사 유닛(2)은, 임프린트 처리 시에, 수지를 경화시키는 자외선(9)을 몰드(8)에 조사한다. 조사 유닛(2)은, 도시하지 않았지만, 광원과, 이 광원으로부터의 자외선(9)을 임프린트에 적절한 광으로 조정하도록 구성되는 광학 소자를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 광경화법을 채용하기 위해서 조사 유닛(2)을 설치한다. 그러나, 예를 들어 열경화법을 채용하는 경우에는, 조사 유닛(2)을 대신해서 열 경화성 수지를 경화시키도록 구성되는 열원 유닛을 설치한다.
몰드(8)는 외주 형상이 정사각형이며, 기판(11) 측의 표면에 3차원 형상으로 형성된 패턴부(8a)를 포함한다. 패턴부(8a)는, 예를 들어 전사되어야 할 회로 패턴 등의 3차원 패턴을 가진다. 몰드(8)는 석영 등 자외선(9)을 투과시킬 수 있는 재료로 이루어진다. 또한, 몰드(8)는 조사 유닛(2)의 측에 몰드(8)의 변형을 용이하게 하도록 구성되는 캐비티(오목부)(8b)를 포함하고 있어도 된다. 캐비티(8b)는 원형의 평면 형상을 갖는다. 캐비티(8b)의 두께(깊이)는 몰드(8)의 크기 및 재질에 의해 설정된다. 후술하는 몰드 보유 지지 유닛(3) 내의 개구 영역(17)에, 이 개구 영역(17)의 일부와 캐비티(8b)로 둘러싸이는 공간(12)을 밀폐 공간으로 가지는 광투과 부재(13)를 설치해도 된다. (도시하지 않은) 압력 조정 유닛에 의해 공간(12) 내의 압력을 제어하여도 된다. 예를 들어, 몰드(8)와 기판(11) 상의 수지(14)의 가압 시에, 압력 조정 유닛을 사용하여 공간(12)의 내부 압력을 외부 압력보다 더 높게 설정함으로써, 패턴부(8a)는 기판(11)을 향해 볼록 형상으로 휘어, 수지(14)에 대하여 패턴부(8a)의 중심부로부터 접촉한다. 이에 의해, 패턴부(8a)와 수지(14)의 사이에 기체(공기)가 갇히는 것을 억제하여, 패턴부(8a)의 3차원 부분에 수지(14)를 구석구석까지 충전시킬 수 있다.
몰드 보유 지지 유닛(3)은 진공 흡착력 또는 정전기력에 의해 몰드(8)를 끌어 당겨서 보유 지지하는 몰드 척(15)과, 이 몰드 척(15)을 보유 지지하고, 몰드(8)(몰드 척(15))를 이동시키는 몰드 구동부(16)를 포함한다. 몰드 척(15) 및 몰드 구동부(16)는 조사 유닛(2)의 광원으로부터의 자외선(9)으로 기판(11)을 조사하도록, 중심부(내측)에 개구 영역(17)을 갖는다. 몰드 보유 지지 유닛(3)은, 몰드 척(15)의 몰드(8)의 보유 지지 측에, 몰드(8)의 측면에 외력을 가하거나 변위를 부여함으로써 몰드(8)(패턴부(8a))의 형상을 보정하는 몰드 보정 유닛(18)을 포함한다. 몰드 보정 유닛(18)은, 몰드(8)의 형상을 변형시킴으로써, 기판(11) 상에 미리 형성되어 있는 기판 측 패턴(11a)의 형상에 대하여 몰드(8)에 형성되어 있는 패턴부(8a)의 형상을 맞출 수 있다.
몰드 구동부(16)는 몰드(8)와 기판(11) 상의 수지(14)의 가압, 또는 기판(11) 상의 수지(14)로부터의 몰드(8)의 분리를 선택적으로 행하도록 몰드(8)를 Z 방향으로 이동시킨다. 이 몰드 구동부(16)에 채용가능한 액추에이터는, 예를 들어 보이스 코일 액추에이터, 리니어 모터 또는 에어 실린더를 포함한다. 몰드 구동부(16)는, 몰드(8)의 고정밀도의 위치 결정에 대응하기 위해서, 조동 구동계(장치) 및 미동 구동계(장치) 등의 복수의 구동계(장치)로 구성되어도 된다. 몰드 구동부(16)는, Z 방향뿐만 아니라, X 방향, Y 방향 또는 θ 방향(Z축 둘레의 회전 방향)의 위치 조정 기능과, 몰드(8)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능을 가져도 된다. 임프린트 장치(1)에서의 가압 및 분리 동작은 상술한 바와 같이 몰드(8)를 Z 방향으로 이동시킴으로써 실현해도 된다. 그러나, 기판 스테이지(4)를 Z 방향으로 이동시킴으로써 실현해도 되고, 또는 몰드(8) 및 기판 스테이지(4) 양쪽 모두를 상대적으로 이동시켜도 된다.
기판(11)은, 예를 들어 단결정 실리콘 기판 및 SOI(Silicon On Insulator) 기판을 포함한다. 기판(11)의 피처리면에는 몰드(8)에 형성된 패턴부(8a)에 의해 성형되는 자외선 경화성 수지(14)가 도포된다. 기판 스테이지(4)는 기판(11)을 보유 지지하고, 몰드(8)와 기판(11) 상의 수지(14)를 가압할 때에, 몰드(8)와 수지(14) 간의 위치 정렬을 실시한다. 기판 스테이지(4)는 기판(11)을 흡착력에 의해 보유 지지하는 웨이퍼 척(19)과, 이 웨이퍼 척(19)을 기계적으로 보유 지지하고, XY 평면 내에서 이동가능한 스테이지 구동부(20)를 포함한다. 특히, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 척(19)은, 도시하지 않았지만, 기판(11)의 이면을 복수의 영역에서 흡착 및 보유 지지할 수 있는 복수의 흡착 유닛을 포함한다. 이 흡착 유닛은 각각 상기한 것과는 다른 압력 조정 유닛에 접속되고 있다.
압력 조정 유닛은 기판(11)과 각각의 흡착 유닛 사이의 압력이 감압되도록 조정해서 흡착력을 발생시킴으로써 기판(11)을 척 표면 상에 유지하고, 또한, 각 흡착 유닛에서 독립적으로 압력값(흡착력)을 변경할 수 있다. 흡착 유닛의 분할수(설치수)는 특별히 한정되지 않고, 임의의 수일 수 있다. 기판 스테이지(4)는 그 표면 상에 몰드(8)를 위치 정렬할 때에 이용하는 기준 마크(21)를 포함한다. 스테이지 구동부(20)는, 액추에이터로서, 예를 들어 리니어 모터를 채용할 수 있다. 스테이지 구동부(20)는 X 방향 및 Y 방향에 대하여 조동 구동계(장치) 및 미동 구동계(장치) 등의 복수의 구동계(장치)로 구성되어도 된다. 또한, 스테이지 구동부(20)는, 예를 들어, Z 방향의 위치 조정을 위한 구동계(장치), 기판(11)의 θ 방향의 위치 조정 기능, 또는 기판(11)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능을 갖고 있어도 된다. 기판 스테이지(4)는 몰드(8)에 대하여 기판(11)을 위치 정렬한다.
도포 유닛(5)은 기판(11)에 미경화 수지(14)를 도포한다. 수지(14)는 자외선(9)에 의해 경화되는 수지(임프린트재)이며, 반도체 디바이스 제조 공정 등의 각종 조건에 의해 적절히 선택된다. 도포 유닛(5)의 토출 노즐로부터 토출되는 수지(14)의 양도 기판(11) 상에 형성되는 수지(14)의 원하는 두께, 형성되는 패턴의 밀도 등에 의해 적절히 결정된다. 가열 유닛(6)은 기판 스테이지(4) 상에 적재된 기판(11)의 형상, 구체적으로는, 임프린트 장치(1)에 반입된 기판(11) 상에 미리 형성되어 있는 기판 측 패턴(11a)의 형상을 보정하기 위해서, 기판(11)을 조사해서 가열한다. 가열 유닛(6)의 광원으로부터의 광은 광경화성 수지가 감광(경화)하지 않고, 기판(11)에 흡수되는 특정한 파장 대역에 파장이 존재하는 광이다. 조사 유닛(2)으로부터의 자외선과 가열 유닛(6)으로부터의 광은 색선별 거울(25)에 의해 합성되어, 기판(11)에 입사한다. 가열 유닛(6)의 구성에 대해서는 후술한다.
제어 유닛(7)은, 예를 들어 임프린트 장치(1)의 각 구성 요소의 동작 및 조정을 제어한다. 제어 유닛(7)은, 예를 들어 컴퓨터에 의해 구성되고, 임프린트 장치(1)의 각 구성 요소에 회선을 개재해서 접속되며, 프로그램 등에 따라서 각 구성 요소를 제어한다. 제어 유닛(7)은 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 일체적으로(공통인 하우징 내에) 구성해도 되고, 임프린트 장치(1)의 다른 부분과는 별개로(다른 하우징 내에) 구성해도 된다.
임프린트 장치(1)는 개구 영역(17) 내에 얼라인먼트 계측 장치(검출기)(22)를 포함한다. 이 얼라인먼트 계측 장치(22)는, 기판 얼라인먼트 등의 경우에, 기판(11) 상에 형성된 얼라인먼트 마크와, 몰드(8) 상에 형성된 얼라인먼트 마크 간의 X 방향 및 Y 방향의 위치 어긋남을 계측한다. 임프린트 장치(1)는 기판 스테이지(4)를 적재하는 베이스 정반(24)과, 몰드 보유 지지 유닛(3)을 고정하는 브리지 정반과, 브리지 정반을 지지하도록 구성되는 지주(26)를 포함한다. 임프린트 장치(1)는, 양쪽 모두를 도시하지 않았지만, 몰드(8)를 장치 외부로부터 몰드 보유 지지 유닛(3)으로 반송하는 몰드 반송 기구와, 기판(11)을 장치 외부로부터 기판 스테이지(4)로 반송하는 기판 반송 기구를 포함한다. 이상, 본 발명의 임프린트 장치의 구성을 설명하였다.
[가열 유닛]
가열 유닛(6)의 상세에 대해서 도 2a 및 2b를 참조하여 설명한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 가열용의 광원 유닛(30)으로부터의 광은 광 섬유(31)를 사용하여, 임프린트 장치(1)를 둘러싸는 챔버 내에 도광된다. 광원 유닛(30)은 고출력의 레이저 광원(40)을 포함하고, 발열이 크기 때문에, 임프린트 장치(1)로부터 이격된 장소에 설치되어 있다. 광원 유닛(30)은, 도 2b에 도시된 바와 같이, 각각 1.3 내지 1.6W의 출력 및 435 내지 455nm의 파장을 가지는 시판되고 있는 청색 LD(레이저 광원)(40)를 수개 내지 수십 개 사용함으로써, 10 내지 60W의 출력을 얻고 있다. 복수의 청색 LD(40)로부터의 광속은 각각의 콜리메이터 렌즈(41)에 의해 서로 대략 평행하게 된 후에, 렌즈(42)에 의해 광 섬유(31)의 코어부에 집속된다. 광 섬유(31)는 코어 직경이 800μm 내지 1.6mm, NA가 0.22 정도의 것을 사용할 수 있다. 광 섬유(31)의 코어 직경과 NA의 선택은, 청색 LD(40)로부터의 광속을 효율적으로 섬유에 커플링할 수 있는 능력, 나아가, 후에 설명하는 광의 강도 분포를 균일하게 하는 광학계(호모지나이저)를 구성하는 MLA(마이크로렌즈 어레이)(33)의 사양에 의해 결정된다. MLA(33)는 2차원으로 배열된 복수의 마이크로렌즈에 의해 구성된다. 광 섬유(31)로부터 출사된 광은 확대 광학계(32)가 빔 직경을 확장하고, MLA(33)를 조사하게 한다. 본 실시 형태에서 사용되는 MLA를 구성하는 마이크로렌즈는, X 방향(제1 방향) 및 Y 방향(제2 방향)에서 동일한 초점 거리를 갖고, X 방향 및 Y 방향에서 동일한 피치로 배열된다. 광원 유닛(30), 광 섬유(31), 확대 광학계(32) 및 MLA(33)는, 광축에 수직한 제1 방향 및 제2 방향으로 연장하는 광속을 출사하는 제1 광학계를 구성하고 있다.
코어 직경 f0.8mm, NA 0.22의 광 섬유와, 12.25배의 확대 광학계(32)를 사용하여, f9.8mm에 의해 MLA(33)을 임계 조명한다. MLA(33)에는, 외형 10mm, 초점 거리 13.8mm, 어레이 피치 0.5mm(X 및 Y 방향 모두)의 사양을 각각 가지는 2매의 렌즈를 사용한다. MLA(33)의 2매의 렌즈는 거의 초점 거리의 간격을 두고 배치되고 있다. 이때, MLA(33)의 제1 단의 렌즈에는 최대 0.22/12.25=0.0180 라디안만큼 기운 광이 입사한다. MLA(33)의 제1 단의 렌즈의 중심과, MLA(33)의 인접한 제2 단의 렌즈의 에지가 이루는 각도는 0.25/13.8=0.0181 라디안이다. 따라서, 최대 각도로 기운 광이 MLA(33)의 제2 단의 렌즈에 입사할 때, MLA(33)의 인접한 렌즈에 입사하지 않는다. 광이 인접한 렌즈에 입사하면, 디지털 미러 디바이스(DMD)(36)의 면의 조명에 고스트 광이 발생한다. 이것은, 이용 효율의 저하, 고스트 광에 의한 미광의 발생 등의 문제를 발생시킨다. 따라서, MLA(33)는 인접한 렌즈에 광이 입사하지 않도록 주의하여 설계할 필요가 있다. DMD는 복수의 미러 소자를 포함하고, 이 복수의 미러 소자의 면 방향을 개별적으로 제어함으로써 광의 강도 분포를 조정한다. 광의 강도 분포를 조정하기 위해서, DMD 대신 액정 장치를 사용할 수 있다. 액정 장치는 복수의 액정 소자를 포함하고, 이 복수의 액정 소자에 대한 전압을 개별적으로 제어함으로써 상기 강도 분포를 조정한다. X 방향과 Y 방향에서 동일한 피치를 가지는 MLA(33)는 SUSS MicroOptics사에서 표준 제품으로서 판매되고 있어, 저비용에서 사용할 수 있다.
MLA(33)를 통한 광은 푸리에 변환 렌즈(34)에 입사하고, 균일화된 강도 분포 및 직사각형 형상을 각각 가지는 광속을 출사한다. DMD(36)에 입사하는 광의 강도 분포가 균일하지 않고, 예를 들어 가우스 분포일 경우, DMD(36)의 주변 영역에서의 광 강도가 저하된다. 균일화된 강도 분포 및 직사각형 형상을 가지는 광은, 원통형 렌즈(35)(지면에 수직한 방향에 볼록 렌즈의 파워가 있다) 및 릴레이 렌즈(39)를 통하여, DMD(36)에 사입사한다. DMD(36)는, 예를 들어 1,000×700의 사이즈를 각각 가지는 마이크로미러에 의해 구성된다. 각 마이크로미러를 ±12° 변화시킴으로써, 각 마이크로미러에서의 반사광이 기판(11) 상에의 조사량을 제어한다. DMD(36)에의 입사각을 각 마이크로미러의 편향 방향의 표면을 입사면으로 사용하여 24°로 설정함으로써, 광을 DMD(36)의 칩 표면에 대하여 수직으로 반사하게 할 수 있다. 푸리에 변환 렌즈(34), 원통형 렌즈(35) 및 릴레이 렌즈(39)의 배치에 대해서는 후술한다. DMD(36)는 원통형 렌즈(35)에 의해 제1 방향 및 제2 방향의 폭 비가 변경된 각 광속의 강도 분포를 조정하는 강도 분포 조정 유닛을 구성하고 있다.
DMD(36)에 의해 반사된 직사각형 형상의 광은 렌즈(37)와 렌즈(38)에 의해 구성되는 투영 광학계에 의해 몰드(8) 및 기판(11)에 확대 투영된다. 광로에 있는 색선별 거울(25)은, 청색 레이저(40)로부터의 광을 투과하고, 조사 유닛(자외선의 광원)(2)으로부터의 광을 반사하도록 설치되고 있다. 렌즈(37)와 렌즈(38)에 의해 구성되는 투영 광학계에 대하여 DMD(36)와 기판(11)은 공액 관계를 가지고, 기판(11)의 샷 사이즈와 DMD(36)의 유효 사용 영역의 비를 고려한 확대 배율을 갖고 있다.
[임프린트 처리]
이하, 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 임프린트 처리에 관해서 도 6에 나타내는 흐름도를 참조해서 설명한다. 먼저, 기판(11) 상의 임프린트 영역인 샷 영역에 수지(14)가 도포된다. 그 후, 기판(11)은 스테이지 구동부(20)에 의해 몰드(8) 아래로 반송된다(공정 S1). 다음으로, 얼라인먼트 계측 장치(검출기)(22)의 검출 결과로부터 몰드 측 패턴(8a)의 형상과 기판 측 패턴(11a)의 형상이 취득된다(공정 S2). 몰드 측 패턴(8a)의 형상과 기판 측 패턴(11a)의 형상을 임프린트 처리 전에 계측하여 그 결과를 사용해도 된다. 제어 유닛(7)이 이들 계측 결과를 수신하고, 기판 측 패턴(11a)에 포함되어 있는 변형 성분이 분석된다(공정 S3). 분석 결과로부터, 몰드 측 패턴(8a)의 몰드 보정량과, 기판 측 패턴(11a)의 기판 보정량이 제어 유닛(7)에 의해 산출된다(공정 S4).
이어서, 기판 보정량에 기초하여, 제어 유닛(7)은 조사량 분포를 결정하고, 공간 광 변조 소자인 DMD(36)에 의해 조사량 분포가 형성된 광을 기판(11)에 조사한다. 기판(11) 상에는 조사량 분포에 대응한 온도 분포가 형성된다. 기판 측 패턴(11a)이 열 변형됨으로써, 기판 측 패턴(11a)의 형상이 보정된다(S5). 제어 유닛(7)은, 결정된 조사량 분포를 지표로 사용해서 가열용의 광원 유닛(30)과 DMD(36)의 동작을 제어한다. 또한, 몰드 보정량에 기초하여, 몰드 보정 유닛(18)에 의해 몰드(8)에 힘이 가해져서, 몰드 측 패턴(8a)의 형상이 보정된다(공정 S6). 몰드 측 패턴(8a)과 기판 측 패턴(11a)의 형상 보정이 완료되면, 수지(14)를 개재해서 몰드(8)와 기판(11)을 서로 접촉시키는 압인 동작을 행한다(공정 S7).
압인 동작(공정 S7)에서는, 몰드 구동부(16)를 구동시켜, 기판(11) 상의 수지(14)에 몰드(8)를 가압한다. 이러한 가압 동작에 의해, 수지(14)는 몰드 측 패턴(8a)의 3차원부를 충전한다. 이 상태에서, 경화 공정으로서, 조사 유닛(2)으로부터의 자외선(9)에 의해 수지(14)를 경화시킨다(공정 S8). 그리고, 수지(14)를 경화한 후에, 이형 공정으로서, 몰드 구동부(16)를 재구동시켜, 몰드(8)를 수지(14)로부터 분리한다(S9). 이에 의해, 기판 측 패턴(11a)의 표면에는, 몰드 측 패턴(8a)의 3차원부에 따른 3차원 형상을 가지는 수지(14)의 패턴(층)이 성형된다. 그 후, 다음 압인 위치에 수지(14)를 도포하기 위해서 기판 스테이지(4)를 구동시킨다(공정 S10). 이러한 일련의 임프린트 처리를 기판 스테이지(4)의 구동에 의해 임프린트 영역을 변경하면서 순차 실시함으로써, 1매의 기판(11) 위에 복수의 패턴을 성형할 수 있다. 이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 조명 형상 변경 유닛을 포함하는 가열 유닛을 사용함으로써 가열용의 광을 효과적으로 이용하여, 저비용 및 넓은 스트로크화를 실현할 수 있다. 또한, 본 발명은 몰드(8) 및 기판(11) 상의 패턴 형상을 고정밀도로 보정할 수 있고, 고정밀도의 중첩을 실현할 수 있다.
[조명 형상 변경 유닛]
가열 유닛(조명 광학계)(6)의 DMD(36)에 입사하는 광의 직사각형 형상을 변경하는 변경 유닛을 구성하는 원통형 렌즈(35)의 배치의 실시예에 대해서 도 3a 내지 3c를 참조해서 설명한다.
실시예 1
DMD(36)에 입사하는 광의 직사각형 형상의 변경 유닛의 실시예 1을 도 3a를 참조해서 설명한다. 푸리에 변환 렌즈(34)의 초점 거리가 f이고, 릴레이 렌즈(39)는 각각 초점 거리가 f3인 2매의 렌즈에 의해 구성된다. 도 3a에서, MLA(33)의 2매의 합성 초점 위치인 a 면과, 푸리에 변환 렌즈(34)의 전방 측 초점 위치가 일치하도록, 푸리에 변환 렌즈(34)를 배치한다. 계속해서, 지면에 수직한 방향에 볼록 렌즈의 파워를 갖는 원통형 렌즈(35)를, 푸리에 변환 렌즈(34)의 후방 측 초점 위치 b의 전방에 배치하여, 초점 위치 b에서의 지면에 수직한 방향의 빔 폭을 지면 내의 빔 폭보다 작게 하고 있다. 푸리에 변환 렌즈(34)의 후방 측 초점 위치 b로부터 f3 떨어진 위치에 제1 릴레이 렌즈(39)를 배치한다. 제1 릴레이 렌즈(39)의 그 위치로부터 2f3 더 떨어진 위치에 제2 릴레이 렌즈(39)를 배치하고 있다. 또한, 제2 릴레이 렌즈(39)로부터 f3 떨어져 DMD(36)를 배치하고 있다.
MLA(33) 및 푸리에 변환 렌즈(34)에 의해, 톱 플랫 및 균일한 광 강도 분포를 b 면에 형성할 수 있다. 엄밀하게는, 지면에 수직한 방향에서는, 원통형 렌즈(35)에 의해 b 면으로부터 초점이 어긋나서 디포커스된다. 그러나, b 면에 입사하는 광의 NA가 원래 작기 때문에, 디포커스에 의한 빔 에지부의 흐려짐량은 작다. b면에 입사하는 광의 NA는, MLA에의 조명광의 빔 사이즈를 f라고 하면, 푸리에 변환 렌즈(34)의 초점 거리 f를 사용하여 f/(2f)로부터 산출된다. 푸리에 변환 렌즈(34)의 초점 거리 f를 300mm로 하면, NA는 9.8/2/3000=0.016이며, 각도로 변환하면 약 1°의 작은 값이다.
릴레이 렌즈(39)는, b 면이 DMD 면인 d 면과 공액인 관계이기 때문에, b 면에서의 강도 분포를 그대로 DMD(36)에 투영한다. 도 3a의 우측 부분은 DMD(36)를 조명 광학계의 광축 방향으로부터 본 DMD(36)의 조명 범위를 나타내고 있다. 이 조명 범위는, 조명 광학계의 광축에 수직한 단면에서의, 릴레이 렌즈(39)로부터 DMD(36)에 입사하는 조명광의 형상(조명 형상)을 나타내고 있다. 원통형 렌즈(35)를 삽입하지 않을 경우에는, 파선으로 나타낸 바와 같이, 정사각형의 조명 형상이 얻어진다. 이에 대해, 조명 형상을 변경하는 기구로서 볼록면(양의 파워)을 갖는 볼록 원통형 렌즈(35)를 삽입함으로써, 직사각형의 조명 형상의 2변의 길이의 비를 변경하고, 사선으로 나타내는 직사각형의 조명 형상을 얻을 수 있다. 도 5는 이러한 직사각형 형상을 변경하는 기구로서 볼록 원통형 렌즈를 사용하여, 긴 변 L과 짧은 변 S에 의해 형성되는 직사각형의 조명 형상에 톱 플랫 광 강도 분포가 형성되어 있는 상태를 나타낸다. 실시예 1에서는, 원통형 렌즈(35)가 없을 경우에는, 원통형 렌즈(35)를 사용하여 정사각형 조명 형상의 1변의 폭(조명 폭)이 L로부터 S로 변경된다(L>S).
도 5에 도시된 바와 같이, 조명 형상의 폭(조명 폭)은 톱 플랫 영역에서의 폭으로 정의된다. 예를 들어, 피크 광 강도를 1로 했을 때에, 광 강도가 0.9 이상이 되는 폭을 조명 폭으로 정의한다. 이 값은, 조도 불균일의 사양에 의해 변경가능하다. 예를 들어, 광 강도가 0.95 이상이어도 된다. 이러한 L과 S의 비가 샷 사이즈인 33mm 및 26mm의 비와 동일해지고, 유사한 형상이 되도록 설계된다. 또한, 도 2a에 나타내는 렌즈(37) 및 렌즈(38)에 의해 구성되는 투영 광학계의 배율은 그들의 유사비와 동일하다. 이에 의해, 톱 플랫 영역의 광이 DMD(36)에 의해 기판(11)의 샷 사이즈 전역에 조명됨으로써, 효율적으로 광을 사용할 수 있다. 정사각형의 조명 형상으로 DMD(36)를 조명할 경우, L과 S의 비가 샷 사이즈인 33mm와 26mm의 비와 동일하게 되도록, 정사각형으로 조명된 범위의 DMD(36)의 미러 소자의 일부를 오프셋시켜서(-12° 편향시켜서), 기판(11)을 조사하지 않도록 제어한다. 그 결과, 전체적으로 {(33-26)/33}×100=21%의 광이 손실된다. 실시예 1에서는, 이러한 광의 손실을 없애고, 고효율화를 달성하고 있다. 다른 관점으로부터, 출력이 변경되지 않은 광원을 사용한 경우, 기판(11)의 변형량을 21%만큼 증가시킬 수 있으므로, 패턴 형상을 보정하기 위한 스트로크를 증가시키는 효과도 얻을 수 있다. 그 밖에, X 방향과 Y 방향에서 동일한 피치를 가지는 표준 MLA(33)를 사용하고, 원통형 렌즈(35) 및 릴레이 렌즈(39)를 추가하기만 하면 되기 때문에, 비용을 억제할 수 있다.
도 2a에서, DMD(36)에 광이 사입사할 때에, 푸리에 변환 렌즈(34) 및 원통형 렌즈(35)는 투영 광학계의 렌즈(37)에 공간적으로 간섭할 경우가 있다. 릴레이 렌즈(39)는 이것을 피하기 위해서 설치한 것이다. 따라서, 광학계의 설계값에 따라서, 릴레이 렌즈(39)를 생략하고, 도 3a에 나타내는 b 면에 DMD(36)을 배치하는 구성도 가능하다. DMD(36)의 다수의 미러를 사용하여 조사량을 제어함으로써, 기판(11)의 조사면 내에 조사량 분포를 형성할 수 있다. 이러한 조사량 분포에 의해, 기판(11) 위에 임의의 온도 분포를 형성하는 것이 가능하다. 본 실시예 1에서는, 공간 광 변조 소자로서 DMD를 사용했다. 그러나, 공간 광 변조 소자로서 액정 소자 어레이를 사용하여 기판(11) 위에 조도 분포를 형성함으로써, 임의의 온도 분포를 형성하도록 해도 된다.
기판(11) 상의 패턴 형상은 반도체 프로세스의 과정에 의해 약간 변형된다. 패턴 형상의 변형은 배율 성분, 평행사변형 성분, 사다리꼴 성분, 활형 성분 및 통형 성분으로 크게 분류되고, 그들의 조합에서 구성되는 경우가 많다. 각각의 변형 성분을 보정하기 위해서는, 기판(11)의 샷 내에 각각의 필요한 보정량을 얻기 위한 온도 분포를 형성할 필요가 있다. 얼라인먼트 계측 결과로부터 기판(11)의 샷 형상의 보정량이 산출되고, 패턴의 형상을 보정하기 위해서 필요한 온도 분포, 조사량이 산출되고, 가열 유닛(6)이 제어 유닛(7)에 의해 제어된다.
실시예 2
실시예 2의 DMD(36)에 입사하는 광의 직사각형 형상을 변형하는 기구에 대해서 도 3b를 참조해서 설명한다. MLA(33)를 통과한 광은 푸리에 변환 렌즈(34)에 입사하고, 지면 내의 방향으로 볼록 렌즈의 파워(양의 파워)를 가지는 원통형 렌즈(35) 및 릴레이 렌즈(39)를 통해서 DMD(36)에 사입사한다. 푸리에 변환 렌즈(34)의 초점 거리가 f이고, 릴레이 렌즈(39)는 각각 초점 거리 f3을 가지는 2매의 렌즈에 의해 구성된다. 도 3b에서, MLA(33)의 2매의 렌즈의 합성 초점 위치인 a 면과, 푸리에 변환 렌즈(34)의 전방 측 초점 위치가 일치하도록, 푸리에 변환 렌즈(34)를 배치한다. 계속해서, 지면에 평행한 방향으로 볼록 렌즈의 파워를 갖는 볼록 원통형 렌즈(35)를, 푸리에 변환 렌즈(34)의 후방 측 초점 위치 b의 후방에 배치하고 있다. 푸리에 변환 렌즈(34)의 후방 측 초점 위치 b로부터 f3만큼 떨어진 위치에 제1 릴레이 렌즈(39)를 배치한다. 제1 릴레이 렌즈(39)의 위치로부터 2f3만큼 더 떨어져서 다른 릴레이 렌즈(39)를 배치하고 있다. 또한, 다른 릴레이 렌즈(39)로부터 f3만큼 떨어진 위치에 DMD(36)를 배치하고 있다. 도 3b에서, 지면과 수직인 방향에는, b 면의 강도 분포가 릴레이 렌즈(39)에 의해 DMD면에 등배 결상된다.
한편, 지면 내의 방향에는, b 면의 후방에 배치되고 볼록 파워를 갖는 원통형 렌즈(35)에 의해, b 면에서의 조명 폭이 확대되어서 조명된다. 도 3b의 우측 부분에 도시한 바와 같이, 원통형 렌즈(35)를 삽입하기 전의 조명 형상은 정사각형이지만, 직사각형 형상을 변경하는 기구로서의 원통형 렌즈(35)를 삽입함으로써, 조명 형상의 종횡비(종방향 대 횡방향의 비)가 변경되고, 사선으로 나타내는 직사각형의 조명 형상이 얻어진다. 조명 형상의 긴 변을 기판(11)의 샷의 긴 변(33mm)에 맞추고, 조명 형상의 짧은 변을 샷의 짧은 변에 맞추도록 한다. 본 실시예에서는, 구동부(35a)를 사용하여 원통형 렌즈(35)를 광축 방향으로 구동함으로써, 조명 형상의 긴 변의 조명 폭을 변경시킬 수 있다. 이와 같이, 구동부(35a)의 구동량을 제어함으로써 DMD(36)에의 조명 폭의 변경이 가능하다. 따라서, 기판(11)의 샷 사이즈가 변경이 되는 경우에도, 광의 강도를 감소시키지 않고서 광 강도를 효율적으로 사용하는 것이 가능하다. 도 3a 및 3b에서 원통형 렌즈(35)를 삽입하기 전이 점선으로 나타내는 범위가 상이하다. 도 4를 참조한 이전의 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, MLA(33)의 초점 거리 및 배열 피치, 또는 푸리에 변환 렌즈(34)의 초점 거리 f를 변경함으로써, 용이하게 구성할 수 있다.
기판(11)의 샷 레이아웃은 샷 사이즈에 의해 결정되고, 샷 사이즈는 반도체 디바이스의 칩 사이즈에 의해 결정되어, 기판(11)을 효과적으로 사용하는 샷 레이아웃을 얻을 수 있다. 광 스캐너 노광 장치는 주사 거리를 바꾸어서 주사 방향의 사이즈를 변경하는 것이 가능하다. 본 발명의 임프린트 장치가 광 스캐너 노광 장치와의 믹스 앤 매치(Mix and Match)에서 사용될 경우, 주사 방향의 주사 거리를 바꾸어서 변경된 샷 사이즈에 유연하게 대응하는 것이 가능하게 된다.
실시예 3
실시예 3의 DMD(36)에 입사하는 광의 직사각형 형상을 변형하는 기구에 대해서 도 3c를 참조해서 설명한다. 실시예 2에서는, 지면에 평행한 방향으로 볼록면을 갖는 볼록 원통형 렌즈(35)를 푸리에 변환 렌즈(34)의 후방 측 초점 위치 b의 뒤에 배치한다. 이에 대해, 실시예 3은, 도 3c에 도시한 바와 같이, 직사각형 형상을 변경하는 기구로서, 지면에 평행한 방향으로 오목면(음의 파워)을 갖는 오목 원통형 렌즈(35)를 초점 위치 b의 전방에 배치한다는 특징을 가진다. 이러한 구성에 의해, 실시예 3에서는, 구동부(35a)를 사용하여 원통형 렌즈(35)를 광축 방향으로 구동함으로써, 조명 형상의 긴 변 측의 조명 폭을 변경시킬 수 있다. 이와 같이, 조명 형상의 조명 폭의 변경이 가능하다. 따라서, 기판(11)의 샷 사이즈가 변경이 되는 경우에도, 광의 강도를 감소시키지 않고서 광 강도를 효율적으로 사용하는 것이 가능하다. 도 3c의 우측 부분에 나타난 바와 같이, 오목 원통형 렌즈(35)를 삽입하기 전의 조명 형상은 정사각형이지만, 오목 원통형 렌즈(35)를 삽입함으로써, 조명 형상의 종횡비는 변경되고, 사선으로 나타내는 직사각형의 조명 형상이 얻어진다.
[물품 제조 방법]
물품으로서의 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법은, 상술한 임프린트 장치를 사용해서 기판(웨이퍼, 유리판, 필름 형상 기판)에 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 상기 제조 방법은, 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 공정 또한 포함할 수 있다. 패터닝된 미디어(기록 매체) 또는 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에는, 상기 제조 방법은, 에칭 대신에 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 처리를 포함할 수 있다. 본 실시 형태에 따른 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 하나 이상에 있어서 유리하다.
본 발명이 예시적인 실시 형태를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시 형태에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범위는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (16)

  1. 임프린트재와 몰드 패턴을 서로 접촉시켜서 기판 상에 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치로서,
    상기 기판에서 상기 임프린트 처리가 행해지는 임프린트 영역을 가열해서 상기 임프린트 영역의 형상을 변경하도록 구성되는 가열 유닛을 포함하고,
    상기 가열 유닛은,
    광축에 수직한 제1 방향 및 제2 방향으로 폭을 갖는 광속을 출사하도록 구성되는 제1 광학계와,
    상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에서의 곡률이 서로 상이한 렌즈 면을 가지도록 구성되고, 상기 제1 광학계로부터 출사된 상기 광속의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향의 폭의 비를 변경하도록 구성되는 렌즈와,
    상기 렌즈로부터의 상기 광속의 강도 분포를 조정하도록 구성되는 강도 분포 조정 유닛을 포함하고,
    상기 가열 유닛은, 상기 강도 분포 조정 유닛으로부터의 광속으로 상기 임프린트 영역을 조사함으로써 상기 임프린트 영역을 가열하는 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 광학계는, 복수의 렌즈가 배열되는 렌즈 어레이를 갖도록 구성되는 광학 인티그레이터(optical integrator) 및 상기 광학 인티그레이터로부터의 광을 통과시키도록 구성되는 푸리에 변환 렌즈를 포함하고,
    상기 광학 인티그레이터의 상기 렌즈 어레이 및 상기 푸리에 변환 렌즈는, 상기 렌즈에 입사하는 상기 광속의 광축에 수직한 단면 형상이 정사각형이 되도록 배치되는 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 광학계는 광원 유닛과, 상기 광원 유닛으로부터 출사된 광의 강도 분포를 균일화하도록 구성되는 광학계를 포함하는 임프린트 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 렌즈는, 상기 푸리에 변환 렌즈와 상기 강도 분포 조정 유닛 사이의 광로에 배치된 원통형 렌즈를 포함하는 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 원통형 렌즈는 양의 파워(positive power)를 갖고, 상기 푸리에 변환 렌즈의 후방 측 초점 위치보다 광원 유닛에 더 가까운 측에 배치되는 임프린트 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 원통형 렌즈는 양의 파워를 갖고, 상기 푸리에 변환 렌즈의 후방 측 초점 위치보다 상기 강도 분포 조정 유닛에 더 가까운 측에 배치되는 임프린트 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 원통형 렌즈는 음의 파워를 갖고, 상기 푸리에 변환 렌즈의 후방 측 초점 위치보다 광원 유닛에 더 가까운 측에 배치되는 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 렌즈를 광축 방향으로 구동하도록 구성되는 구동부를 더 포함하는 임프린트 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 임프린트 영역에 형성된 마크를 검출하도록 구성되는 검출기와,
    상기 검출기의 검출 결과에 기초하여 상기 임프린트 영역의 형상을 취득하고, 취득된 상기 형상에 기초하여 상기 렌즈의 상기 광축 방향으로의 구동량을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 더 포함하는 임프린트 장치.
  10. 제2항에 있어서, 상기 광학 인티그레이터의 상기 복수의 렌즈 각각은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에서 동일한 초점 거리를 갖고, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에서 동일한 피치로 배열되는 임프린트 장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 광원 유닛은 복수의 레이저 광원과, 상기 복수의 레이저 광원으로부터의 광을 집속해서 1개의 섬유에 상기 광을 도광하도록 구성되는 광학 소자를 포함하는 임프린트 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 강도 분포 조정 유닛은, 복수의 액정 소자를 포함하고 상기 복수의 액정 소자에 대한 전압을 제어함으로써 상기 강도 분포를 조정하도록 구성되는 액정 장치와, 복수의 미러 소자를 포함하고 상기 복수의 미러 소자의 면 방향을 제어함으로써 상기 강도 분포를 조정하도록 구성되는 디지털 미러 장치 중 하나를 포함하는 임프린트 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 가열 유닛은, 상기 강도 분포 조정 유닛에 의해 강도 분포가 조정된 광속을 상기 임프린트 영역에 투영하도록 구성되는 투영 광학계를 포함하는 임프린트 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 몰드에 힘을 가해서 상기 몰드의 형상을 보정하도록 구성되는 몰드 보정 유닛을 더 포함하는 임프린트 장치.
  15. 물품 제조 방법으로서,
    제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 장치를 사용해서 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공해서 상기 물품을 제조하는 공정을 포함하는 물품 제조 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 렌즈는 원통형 렌즈인 임프린트 장치.
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