KR101777905B1 - 임프린트 장치 그리고 물품을 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 몰드를 사용함으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치에 있어서, 기판 상의 임프린팅될 영역을 가열하고 그에 의해 영역을 변형시키도록 구성되는 가열 유닛과; 임프린팅될 제1 영역 및 제2 영역으로부터 하나의 영역을 먼저 임프린팅될 영역으로서 결정하고 후속적으로 임프린팅될 영역으로서 다른 영역을 결정하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고, 가열 유닛이 하나의 영역을 변형시키는 경우에서의 다른 영역에 대한 영향이 가열 유닛이 다른 영역을 변형시키는 경우에서의 하나의 영역에 대한 영향보다 작은, 장치를 제공한다.

Description

임프린트 장치 그리고 물품을 제조하는 방법{IMPRINT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치 그리고 물품을 제조하는 방법에 관한 것이다.
몰드(mold)를 사용함으로써 기판 상의 임프린트 재료를 성형하는 임프린트 기술이 자기 기억 매체, 반도체 디바이스 등을 위한 양산용 리소그래피 기술들 중 하나로서 주목을 받아왔다. 이러한 기술을 사용한 임프린트 장치가 임프린트 재료 및 몰드가 서로와 접촉된 상태에서 기판 상에 공급된 임프린트 재료를 경화시킨다. 임프린트 장치는 그 다음에 경화된 임프린트 재료로부터 몰드를 박리(이형)하고, 그에 의해 기판 상에 패턴을 형성한다.
반도체 디바이스 등의 제조에서, 몰드가 기판 상에 형성된 샷 영역 내에서 높은 정확도로 중첩될 것이 필요하다. 일본 특허 공개 제2013-89663호는 기판을 가열하여 샷 영역을 변형시키는 방법을 제안하였다. 임프린팅될 대상 샷 영역이 또 다른 샷 영역을 가열함으로써 변형될 수 있다. 그러므로, 임프린팅될 각각의 샷 영역 내에서의 임프린트 처리가 또 다른 샷 영역을 가열한 영향을 감소시키도록 수행될 수 있다.
일본 특허 공개 제06-204116호는 복수개의 펠티에 소자(Peltier element)가 기판을 보유 지지하도록 구성되는 기판 보유 지지 유닛 내에 배열되고 기판 온도가 샷 영역을 변형시키도록 제어되는 방법을 제안하였다. 일본 특허 공개 제06-204116호에 기재된 것과 같이, 펠티에 소자 등의 열전 소자를 사용함으로써 높은 정확도로 기판 온도를 제어하기 위해, 열전 소자 또는 그 온도가 열전 소자에 의해 제어되는 부재가 기판과 밀접될 수 있다. 그러나, 본 발명자는 예컨대 파티클이 기판에 부착되거나 기판이 경사질 때에 열전 소자 또는 부재가 기판과 밀접될 수 없고 높은 정확도로 기판 온도를 제어하는 것이 어려워질 수 있다는 것을 발견하였다.
본 발명은 예컨대 높은 정확도로 기판 및 몰드를 중첩시키는 데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 하나의 태양에 따르면, 몰드를 사용함으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치에 있어서, 기판 상의 임프린팅될 영역을 가열함으로써 영역을 변형시키도록 구성되는 가열 유닛과; 임프린팅될 제1 영역 및 제2 영역으로부터 하나의 영역을 먼저 임프린팅될 영역으로서 결정하고 다음 임프린팅될 영역으로서 다른 영역을 결정하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고, 가열 유닛이 하나의 영역을 변형시켜 하나의 영역이 목표 형상에 근접해지게 하는 경우에서의 다른 영역에 대한 영향이 가열 유닛이 다른 영역을 변형시켜 다른 영역이 목표 형상에 근접해지게 하는 경우에서의 하나의 영역에 대한 영향보다 작은, 장치가 제공된다.
본 발명의 하나의 태양에 따르면, 몰드의 패턴이 형성되는 패턴 영역을 포함하는 몰드를 사용함으로써 기판의 제1 표면 상에 형성된 샷 영역 내에 임프린트 재료의 패턴을 성형하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치에 있어서, 기판을 보유 지지하도록 구성되는 기판 보유 지지 유닛과; 제어 유닛을 포함하고, 기판 보유 지지 유닛은 기판에 열을 가하여 샷 영역을 변형시키도록 제1 표면에 대향인 제2 표면에 광을 조사하도록 구성되는 가열 유닛을 포함하고, 제어 유닛은 패턴 영역과 샷 영역 간의 형상 차이가 허용 가능한 범위 내에 있도록 가열 유닛을 제어하는, 장치가 제공된다.
본 발명의 추가의 특징이 첨부 도면을 참조한 예시 실시예의 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따른 임프린트 장치를 도시하는 도면.
도 2는 임프린트 처리에서의 동작 순서를 도시하는 흐름도.
도 3은 기판 상에 형성된 복수개의 샷 영역의 구성을 도시하는 도면.
도 4a 및 4b는 샷 영역과 몰드의 패턴 영역 사이의 정렬을 설명하는 도면.
도 5a 및 5b는 기판 상에서 서로에 인접한 제1 샷 영역 및 제2 샷 영역을 도시하는 도면.
도 6a 및 6b는 기판 상에서 서로에 인접한 제1 샷 영역 및 제2 샷 영역을 도시하는 도면.
도 7의 (a) 및 (b)는 기판 상에서 서로에 인접한 제1 샷 영역 및 제2 샷 영역을 도시하는 도면.
도 8은 제1 샷 영역 그리고 제1 샷 영역에 인접한 복수개의 샷 영역의 구성을 도시하는 도면.
도 9는 기판 상에 형성된 복수개의 샷 영역의 구성을 도시하는 도면.
도 10은 샷 영역 배열(L1) 내에 포함된 복수개의 샷 영역의 구성을 도시하는 도면.
도 11은 제4 실시예에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 12는 제4 실시예에 따른 임프린트 장치 내의 기판 보유 지지 유닛의 구성을 도시하는 도면.
도 13은 Z 방향으로부터 관찰될 때의 기판 보유 지지 유닛을 도시하는 도면.
도 14a는 기판 보유 지지 유닛의 구성의 하나의 예를 도시하는 도면.
도 14b는 기판 보유 지지 유닛의 구성의 하나의 예를 도시하는 도면.
도 15는 기판 보유 지지 유닛의 구성의 하나의 예를 도시하는 도면.
도 16은 임프린트 처리에서의 동작 순서를 도시하는 흐름도.
도 17a는 몰드의 패턴 영역의 형상을 도시하는 도면.
도 17b는 기판의 샷 영역의 형상을 도시하는 도면.
도 18은 가열 유닛에 의해 기판의 하부 표면을 조사하는 광의 강도, 기판의 온도 그리고 시간에 대한 샷 영역의 변형량의 변화를 도시하는 그래프.
도 19a는 가열 유닛에 의해 변형될 복수개의 샷 영역의 구성을 도시하는 도면.
도 19b는 가열 유닛에 의해 변형될 복수개의 샷 영역의 구성을 도시하는 도면.
본 발명의 예시 실시예가 첨부 도면을 참조하여 아래에서 설명될 것이다. 동일한 도면 부호가 도면 전체에 걸쳐 동일한 부재를 표시하고 그 반복 설명이 주어지지 않을 것이라는 것을 주목하여야 한다. 각각의 도면에서, 기판의 표면에 평행한 평면 상에서 서로에 직각인 방향이 X 및 Y 방향으로서 정의되고, 기판의 표면에 직각인 방향이 Z 방향으로서 정의된다.
<제1 실시예>
본 발명의 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)가 도 1을 참조하여 설명될 것이다. 임프린트 장치(100)는 반도체 디바이스 등을 제조하는 데 사용된다. 임프린트 장치(100)는, 기판상의 임프린트 재료를 몰드(121)에 의해 성형하여 패턴을 기판(111)에 형성하는 임프린트 처리를 수행한다. 예컨대, 임프린트 장치(100)는 패턴이 형성된 몰드(121)가 임프린트 재료와 접촉된 상태에서 기판 상의 임프린트 재료(수지)를 경화시킨다. 그 다음에, 임프린트 장치(100)는 기판(111)과 몰드(121) 사이의 간격을 넓혀 경화된 임프린트 재료로부터 몰드(121)를 박리한다. 결과적으로, 임프린트 장치(100)가 기판 상으로 패턴을 전사할 수 있다. 임프린트 재료를 경화시키는 방법의 예들이 열을 사용한 열 사이클 법 그리고 광을 사용하는 광경화법이다. 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)는 광경화법을 채택하고 있다. 광경화법은 기판 상으로 임프린트 재료로서 미경화의 자외선-경화 수지(이하, 수지)를 공급하고 몰드(121) 및 수지가 서로와 접촉된 상태에서 수지에 자외선을 조사하고 그에 의해 수지를 경화시키는 방법이다. 자외선 조사에 의해 수지를 경화시킨 후에 수지로부터 몰드(121)를 이형함으로써, 패턴이 기판 상에 형성될 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)를 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(100)는 기판(111)을 보유 지지하는 기판 스테이지(102), 몰드(121)를 보유 지지하는 몰드 스테이지(103), 얼라인먼트 측정 유닛(104), 조사 유닛(105) 및 수지 공급 유닛(106)을 포함한다. 몰드 스테이지(103)는 컬럼(143)을 거쳐 기부 판(141)에 의해 지지되는 브리지 판(142)에 고정된다. 기판 스테이지(102)는 기부 판(141)에 고정된다. 임프린트 장치(100)는 제어 유닛(107) 및 처리 유닛(109)을 또한 포함한다. 제어 유닛(107)은 CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 처리를 제어한다[임프린트 장치(100)의 각각의 유닛을 제어한다]. 처리 유닛(109)은 예컨대 CPU 및 메모리를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성된다. 기판 상에 형성된 복수개의 샷 영역(108)의 각각 내의 형상의 정보(이하, 형상 정보)를 기초로 하여, 처리 유닛(109)이 임프린팅될 샷 영역(108)의 순서를 결정한다.
기판(111)으로서, 예컨대, 단결정 실리콘 기판, SOI(Silicon On Insulator) 기판 등이 사용 가능하다. 수지 공급 유닛(106)(차후에 설명됨)이 기판(111)의 상부 표면(처리 대상 표면)으로 수지(자외선-경화 수지)를 공급한다. 몰드(121)는 일반적으로 자외선이 통과할 수 있는 석영 등의 재료로 제조된다. 기판(111)으로 전사될 요철 패턴이 몰드(121)의 기판측 표면 상의 일부 영역[패턴 영역(121a)] 내에 형성된다.
기판 스테이지(102)는 기판 보유 지지 유닛(112) 및 기판 구동 유닛(113)을 포함한다. 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 그리고 기판 상의 수지가 서로와 접촉될 때에, 기판 스테이지(102)가 X 및 Y 방향으로 기판(111)을 이동시켜 기판(111) 및 몰드(121)를 정렬시킨다. 기판 보유 지지 유닛(112)은 진공 흡착력, 정전 흡착력 등에 의해 기판(111)을 보유 지지한다. 기판 구동 유닛(113)은 기판 보유 지지 유닛(112)을 기계적으로 보유 지지하고, X 및 Y 방향으로 기판 보유 지지 유닛(112)[기판(111)]을 구동시킨다. 기판 구동 유닛(113)으로서, 예컨대, 선형 모터가 사용될 수 있고, 기판 구동 유닛(113)은 조동 구동 시스템 및 미동 구동 시스템 등의 복수개의 구동 시스템에 의해 구성될 수 있다. 기판 구동 유닛(113)은 Z 방향으로 기판(111)을 구동시키는 구동 기능, θ 방향(Z-축에 대한 회전 방향)으로 회전되도록 기판(111)을 구동시켜 기판의 위치를 조정하는 위치 조정 기능 그리고 기판(111)의 경사를 보정하는 경사 기능 등을 가질 수 있다.
몰드 스테이지(103)는 진공 흡착력, 정전 흡착력 등에 의해 몰드(121)를 보유 지지하는 몰드 보유 지지 유닛(122) 그리고 Z 방향으로 몰드 보유 지지 유닛(122)을 구동시키는 몰드 구동 유닛(123)을 포함한다. 몰드 보유 지지 유닛(122) 및 몰드 구동 유닛(123)은 조사 유닛(105)에 의해 발광된 광이 몰드(121)를 거쳐 기판(111)을 조사하도록 이들의 중심 부분(내부측)에서 개구 영역을 갖는다. 배율 성분 또는 사다리꼴 성분 등의 성분을 포함하는 변형이 제조 오차, 열 변형 등으로 인해 몰드(121) 내에서 일어날 수 있다. 이것을 고려하여, 몰드 스테이지(103)가 몰드(121)의 측면 표면 상의 복수개의 부분에 힘을 가함으로써 몰드(121)를 변형시키는 변형 유닛(124)을 포함할 수 있다. 예컨대, 변형 유닛(124)은 몰드(121)의 각각의 측면 표면 상의 복수개의 부분에 힘을 가하도록 배열되는 복수개의 작동기에 의해 구성된다. 복수개의 작동기에 의해 몰드(121)의 각각의 측면 표면 상의 복수개의 부분에 힘을 개별적으로 가함으로써, 변형 유닛(124)이 패턴 영역(121a) 내에서의 몰드(121)의 변형을 보정할 수 있다. 변형 유닛(124)의 작동기로서, 예컨대, 선형 모터, 공기 실린더 또는 압전 작동기가 사용된다.
몰드 구동 유닛(123)은 선형 모터 또는 공기 실린더 등의 작동기를 포함하고, Z 방향으로 몰드 보유 지지 유닛(122)[몰드(121)]을 구동시켜 몰드(121) 상의 패턴 영역(121a) 그리고 기판 상의 수지를 서로와 접촉시키거나 이들을 서로로부터 박리한다. 몰드 구동 유닛(123)이 몰드(121) 그리고 기판 상의 수지를 서로와 접촉시킬 때에 높은-정확도의 위치 설정을 수행할 것이 필요하므로, 이것은 조동 구동 시스템 및 미동 구동 시스템 등의 복수개의 구동 시스템에 의해 구성될 수 있다. Z 방향으로 구동시키는 기능에 추가하여, 몰드 구동 유닛(123)은 X 및 Y 방향 그리고 θ 방향으로 몰드의 위치를 조정하는 위치 조정 기능, 몰드(121)의 경사를 보정하는 경사 기능 등을 가질 수 있다. 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)에서, 몰드 구동 유닛(123)은 기판(111)과 몰드(121) 사이의 거리를 변화시키는 동작을 수행한다. 대체예에서, 기판 스테이지(102)의 기판 구동 유닛(113)이 이러한 동작을 수행할 수 있거나, 몰드 구동 유닛(123) 및 기판 구동 유닛(113)의 양쪽 모두가 이것을 상대적으로 수행할 수 있다.
얼라인먼트 측정 유닛(104)은 몰드(121)의 패턴 영역(121a)의 형상과 기판 상에 형성된 샷 영역(108)의 형상 사이의 차이(이하, 형상 차이)를 측정한다. 형상 차이를 측정하는 방법의 하나의 예가 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 그리고 기판 상의 샷 영역(108) 내에 각각 형성된 복수개의 얼라인먼트 마크를 검출하는 방법이다. 패턴 영역(121a)의 얼라인먼트 마크 그리고 샷 영역(108)의 얼라인먼트 마크는 패턴 영역(121a) 및 샷 영역(108)이 X 및 Y 방향으로 서로와 일치되게 할 때에 서로 중첩되도록 배열된다. 얼라인먼트 측정 유닛(104)은 패턴 영역(121a)의 얼라인먼트 마크 그리고 샷 영역(108)의 대응하는 얼라인먼트 마크를 중첩시키고 관찰하여 이들 사이의 위치 어긋남 량을 검출한다. 이러한 방식으로, 얼라인먼트 측정 유닛(104)이 패턴 영역(121a)과 샷 영역(108) 사이의 형상 차이를 측정할 수 있다.
수지 공급 유닛(106)은 기판 상으로 수지(미경화 수지)를 공급한다(기판에 수지를 코팅한다). 위에서 설명된 것과 같이, 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)는 임프린트 재료로서 수지가 자외선 조사에 의해 경화되는 성질을 갖는 자외선-경화 수지를 사용한다. 그러나, 수지는 이것에 제한되지 않고, 수지 공급 유닛(106)으로부터 기판(111)으로 공급될 수지(임프린트 재료)가 반도체 디바이스 제조 단계에서의 다양한 조건 하에서 적절하게 선택될 수 있다. 수지 공급 유닛(106)의 토출 노즐로부터 토출된 수지의 양은 기판 상의 수지 상에 형성될 패턴의 두께, 패턴의 밀도 등을 고려하여 적절하게 결정될 수 있다. 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 내에 형성된 패턴에 기판 상에 공급된 수지를 충분히 충전하기 위해, 처리는 몰드(121) 및 수지가 서로와 접촉된 상태에서 소정의 시간의 경과를 기다릴 수 있다.
임프린트 장치(100)에 의해 임프린팅될 기판(111)은 일련의 반도체 디바이스 제조 단계에서의 스퍼터링 등의 피착 단계에서 열 공정 등 후에 임프린트 장치(100) 내로 반입된다. 그러므로, 배율 성분, 사다리꼴 성분, 궁형 성분 또는 배럴 성분 등의 성분을 포함하는 변형이 기판 상의 샷 영역(108) 내에서 일어날 수 있다. 이러한 경우에, 단지 변형 유닛(124)에 의해 몰드(121)의 패턴 영역(121a)을 변형시킴으로써 몰드(121)의 패턴 영역(121a)과 기판 상의 샷 영역(108) 사이의 높은-정확도의 정렬을 수행하는 것이 어려울 수 있다. 샷 영역(108)이 변형 유닛(124)에 의해 변형된 몰드(121)의 패턴 영역(121a)의 형상에 맞도록 기판 상의 샷 영역(108)을 변형시키는 것이 바람직하다. 이것을 성취하기 위해, 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)는 기판(111)을 가열함으로써 샷 영역(108)의 형상을 변형시키는 가열 유닛(132)을 포함한다. 노광 유닛(131) 및 가열 유닛(132)을 포함하는 조사 유닛(105)의 구성이 아래에서 설명될 것이다.
조사 유닛(105)은 기판 상의 수지를 경화시키는 광을 발광하는 노광 유닛(131), 기판(111)을 가열하는 광을 발광하는 가열 유닛(132) 그리고 기판 상으로 노광 유닛(131)에 의해 발광된 광 그리고 가열 유닛(132)에 의해 발광된 광을 안내하는 광학 부재(133)를 포함할 수 있다. 노광 유닛(131)은 기판 상의 수지를 경화시키는 광(자외선)을 발광하는 광원 그리고 광원에 의해 발광된 광을 임프린트 처리에 적절한 광으로 조정하는 복수개의 광학 소자를 포함할 수 있다. 가열 유닛(132)은 기판(111)을 가열하는 광을 발광하는 광원 그리고 광원으로부터 기판(111)을 조사하는 광의 조도 분포를 변경하는 광학 시스템을 포함할 수 있다. 가열 유닛(132)의 광원은 기판 상에 공급된 수지를 경화시키지 않으면서 기판(111)을 가열하는 데 적합한 파장(예컨대, 400 ㎚ 내지 2,000 ㎚)을 갖는 광을 발광한다. 가열 유닛(132)의 광학 시스템은 샷 영역(108) 내의 가열 분포가 요구된 분포로 되도록 즉 샷 영역(108)의 형상이 목표 형상으로 되도록 가열 유닛(132)의 광원으로부터 기판(111)을 조사하는 광의 조도 분포를 변화시키는 광학 소자를 포함한다. 가열 유닛(132)의 광학 시스템 내에 포함된 광학 소자로서, 예컨대, DMD(디지털 마이크로미러 디바이스) 또는 액정 소자가 사용된다.
예컨대, 배율 성분을 포함하는 변형이 샷 영역(108) 내에서 일어난 때에, 가열 유닛(132)은 샷 영역(108) 내의 가열량(가열의 양)을 균일화하도록 샷 영역(108)에 광을 조사한다. 열이 샷 영역 내의 온도를 균일화하도록 기판(111)에 가해질 수 있고, 배율 성분을 포함하는 변형이 일어난 샷 영역(108)은 목표 형상으로 변형될 수 있다. 대조적으로, 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 샷 영역(108) 내에서 일어난 때에, 가열 유닛(132)은 짧은 측면으로부터 긴 측면으로의 방향으로 선형으로 샷 영역(108) 내의 가열량을 감소시키도록 샷 영역(108)에 광을 조사한다. 열이 짧은 측면으로부터 긴 측면으로의 방향으로 선형으로 샷 영역 내의 온도를 감소시키도록 기판(111)에 가해질 수 있고, 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 일어난 샷 영역(108)이 목표 형상으로 변형될 수 있다. 광학 부재(133)는 예컨대 노광 유닛(131)에 의해 발광된 광(자외선)을 반사하고 가열 유닛(132)에 의해 발광된 광(400 ㎚ 내지 2,000 ㎚)을 투과하는 빔 스플리터를 포함할 수 있다.
제1 실시예에 따른 이러한 구성을 갖는 임프린트 장치(100) 내에서 기판 상의 샷 영역(108)으로 몰드(121)의 패턴을 전사하는 임프린트 처리가 도 2를 참조하여 설명될 것이다. 도 2는 기판 상의 샷 영역(108)으로 몰드(121)의 패턴을 전사하는 임프린트 처리에서의 동작 순서를 도시하는 흐름도이다.
단계 S101에서, 제어 유닛(107)은 몰드 보유 지지 유닛(122) 아래로 몰드(121)를 반송하도록 몰드 반송 기구(도시되지 않음)를 제어하고, 몰드(121)를 보유 지지하도록 몰드 보유 지지 유닛(122)을 제어한다. 따라서, 몰드(121)는 임프린트 장치(100) 내부측에 배열된다. 단계 S102에서, 제어 유닛(107)은 기판 보유 지지 유닛(112) 상으로 기판(111)을 반송하도록 기판 반송 기구(도시되지 않음)를 제어하고, 기판(111)을 보유 지지하도록 기판 보유 지지 유닛(112)을 제어한다. 이와 같이, 기판(111)은 임프린트 장치(100) 내부측에 배열된다. 단계 S103에서, 처리 유닛(109)은 기판 상에 형성된 복수개의 샷 영역(108)의 각각 내의 형상 정보를 취득한다. 예컨대 위에서-언급된 얼라인먼트 측정 유닛(104)은 각각의 샷 영역(108) 내에 형성된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하고, 처리 유닛(109)은 얼라인먼트 마크의 검출된 위치를 기초로 하여 각각의 샷 영역(108)의 형상 정보를 취득할 수 있다. 대체예에서, 처리 유닛(109)은 외부 장치에 의해 측정된 각각의 샷 영역(108)의 형상 정보를 취득할 수 있다. 단계 S104에서, 단계 S103에서 취득된 각각의 샷 영역(108)의 형상 정보를 기초로 하여, 처리 유닛(109)이 임프린팅될 샷 영역(108)의 순서를 결정한다. 임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정하는 방법이 차후에 설명될 것이다.
단계 S105에서, 제어 유닛(107)은 임프린팅될 대상 샷 영역(108)으로 수지(미경화 수지)를 공급하도록 수지 공급 유닛(106)을 제어한다. 단계 S106에서, 제어 유닛(107)은 수지-공급된 샷 영역(108)이 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 아래에 배열되게 기판(111)을 이동시키도록 기판 구동 유닛(113)을 제어한다. 단계 S107에서, 제어 유닛(107)은 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 그리고 기판 상의 수지를 서로와 접촉시키도록 즉 기판(111)과 몰드(121) 사이의 거리를 감소시키도록 몰드 구동 유닛(123)을 제어한다. 단계 S108에서, 제어 유닛(107)은 샷 영역(108) 내에 형성된 얼라인먼트 마크 그리고 몰드(121) 상에 형성된 얼라인먼트 마크를 검출하도록 얼라인먼트 측정 유닛(104)을 제어한다. 얼라인먼트 측정 유닛(104)은 기판 상의 샷 영역(108)과 몰드 상의 영역(121a) 사이의 형상 차이를 측정(얼라인먼트 측정을 수행)할 수 있다.
단계 S109에서, 제어 유닛(107)은 단계 S108에서의 얼라인먼트 측정의 결과를 기초로 하여 기판(111)을 이동시키도록 기판 구동 유닛(113)을 제어하고, 기판(111) 및 몰드(121)를 위치시킨다. 단계 S109에서의 위치 설정은 기판 상의 샷 영역(108)과 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 사이의 형상 차이로부터의 병진 시프트 성분 및 회전 성분의 보정이다. 형상 차이는 병진 시프트 성분 및 회전 성분에 추가하여 배율 성분 또는 사다리꼴 성분 등의 변형 성분을 포함할 수 있다. 단계 S110에서, 제어 유닛(107)은 샷 영역(108)과 패턴 영역(121a) 사이의 형상 차이(예컨대, 배율 성분 또는 사다리꼴 성분)의 보정(형상 보정)을 수행하도록 변형 유닛(124) 및 가열 유닛(132)을 제어한다. 단계 S103에서 취득된 각각의 샷 영역(108)의 형상 정보를 기초로 하여, 처리 유닛(109)이 가열 유닛(132)에 의해 기판(111)에 가해질 가열량을 결정할 수 있다. 그러나, 이러한 가열량은 임프린트 처리가 수행되는 단계 S104에서 결정된 샷 영역(108)의 순서에 따라 조정될 수 있다. 즉, 임프린팅될 대상 샷 영역(108)의 가열량은 이전에 임프린팅된 샷 영역(108)을 가열한 영향을 고려하여 이전에 임프린팅된 샷 영역(108)의 가열량을 기초로 하여 조정될 수 있다.
단계 S111에서, 제어 유닛(107)은 몰드(121)의 패턴 영역(121a)과 접촉된 수지에 자외선을 조사하도록 노광 유닛(131)을 제어한다. 단계 S112에서, 제어 유닛(107)은 기판 상의 수지로부터 몰드(121)의 패턴 영역(121a)을 박리(이형)하도록 즉 기판(111)과 몰드(121) 사이의 거리를 증가시키도록 몰드 구동 유닛(123)을 제어한다. 단계 S113에서, 제어 유닛(107)은 몰드(121)의 패턴이 후속적으로 전사될 샷 영역(108)[다음의 샷 영역(108)]이 기판 상에 존재하는 지를 결정한다. 다음의 샷 영역(108)이 존재하면, 처리는 단계 S104로 복귀한다. 다음의 샷 영역(108)이 존재하지 않으면, 처리는 단계 S114로 진행된다. 단계 S114에서, 제어 유닛(107)은 기판 보유 지지 유닛(112)으로부터 기판(111)을 회수하도록 기판 반송 기구(도시되지 않음)를 제어한다. 단계 S115에서, 제어 유닛(107)은 후속적으로 임프린팅될 기판(111)[다음의 기판(111)]이 있는 지를 결정한다. 다음의 기판(111)이 있으면, 처리는 단계 S102로 복귀된다. 다음의 기판(111)이 없으면, 처리는 단계 S116으로 진행된다. 단계 S116에서, 제어 유닛(107)은 몰드 보유 지지 유닛(122)으로부터 몰드(121)를 회수하도록 몰드 반송 기구(도시되지 않음)를 제어한다.
제1 실시예에 따른 위에서-설명된 구성을 갖는 임프린트 장치(100)에서의 기판 상의 샷 영역(108)과 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 사이의 정렬이 설명될 것이다. 도 3은 기판 상에 형성된 복수개의 샷 영역(108)의 구성을 도시하는 도면이다. 배율 성분, 사다리꼴 성분, 궁형 성분 또는 배럴 성분 등의 성분을 포함하는 변형이 복수개의 샷 영역(108)의 각각 내에서 일어날 수 있다. 다음의 설명은 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 각각의 샷 영역(108) 내에서 일어났고 각각의 샷 영역(108)의 초기 형상이 사다리꼴 형상인 것을 가정한다. 또한, 변형이 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 내에서 일어나지 않았고 패턴 영역(121a)의 초기 형상이 설계 형상(직사각형 형상)인 것을 가정하기로 한다. 초기 형상은 가열 유닛(132)[또는 변형 유닛(124)]에 의한 변형 전의 샷 영역(108)[또는 패턴 영역(121a)]의 형상이다.
우선, 1개의 샷 영역(108)[예컨대, 제1 샷 영역(108a)]과 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 사이의 정렬이 도 4a 및 4b를 참조하여 설명될 것이다. 도 4a에서, 41은 기판(111) 상에 형성된 제1 샷 영역(108a)을 도시하는 도면이다. 위에서 설명된 것과 같이, 제1 샷 영역(108a)의 초기 형상은 사다리꼴 형상(A1)으로 변형된다. 도 4b에서, 42는 몰드(121)의 패턴 영역(121a)을 도시하는 도면이다. 위에서 설명된 것과 같이, 패턴 영역(121a)의 초기 형상은 설계 형상인 직사각형 형상(C1)이다.
제1 샷 영역(108a) 및 패턴 영역(121a)을 정렬시키기 위해, 제어 유닛(107)은 패턴 영역(121a)의 형상(C1)이 사다리꼴 형상에 근접해지게 패턴 영역(121a)을 변형시키도록 변형 유닛(124)을 제어한다. 이 때에, 힘이 ±X 방향으로 몰드(121)의 측면 표면 상의 복수개의 부분으로 변형 유닛(124)에 의해 ±X 방향으로 가해지면, 프와송 비(Poisson's ratio)를 기초로 하는 변형이 ±X 방향으로의 변형에 추가하여 패턴 영역(121a) 내에서 ±Y 방향으로도 일어난다. 이와 같이, 패턴 영역(121a)의 형상(C1)은 사다리꼴 형상이 아니라 도 4b의 42에서 파선에 의해 표시되는 형상(C2)으로 된다. 제어 유닛(107)은 목표 형상(A2)으로서 변형 유닛(124)에 의해 변형된 패턴 영역(121a)의 형상(C2)을 설정한다. 그 다음에, 제어 유닛(107)은 제1 샷 영역(108a)의 형상(A1)이 목표 형상(A2)에 근접해지게 가열 유닛(132)에 의한 기판(111)의 가열을 제어한다. 예컨대, 제어 유닛(107)은 제1 샷 영역(108a)의 가열량 분포가 가열량이 X 방향으로 균일하고 Y 방향에 대해 -Y 방향으로 선형으로 감소되는 분포로 되게 기판(111)에 광을 조사하도록 가열 유닛(132)을 제어한다. 이 때에, 기판(111)은 온도에 따라 등방적으로 팽창하고, 제1 샷 영역(108a)은 ±X 방향 그리고 또한 ±Y 방향으로 온도에 따라 변형된다. 결과적으로, 제1 샷 영역(108a)의 형상(A1)은 변형 유닛(124)에 이해 변형된 패턴 영역(121a)의 형상(C2)[목표 형상(A2)]에 근접해질 수 있다. 즉, 기판 상의 제1 샷 영역(108a) 그리고 몰드 상의 패턴 영역(121a)은 높은 정확도로 정렬될 수 있다. 샷 영역(108)을 변형시키도록 기판(111)으로 가해질 가열량은 샷 영역(108)의 초기 형상의 크기 및 치수에 따라 결정될 수 있다.
다음에, 기판 상에서 서로에 인접한 제1 샷 영역(108a)(제1 영역) 및 제2 샷 영역(108b)(제2 영역)에서 연속적으로 임프린트 처리를 수행할 때의 샷 영역(108)과 패턴 영역(121a) 사이의 정렬이 도 5a 내지 6b를 참조하여 설명될 것이다. 도 5a 내지 6b는 기판 상에서 서로에 인접한 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b)을 각각 도시하는 도면이다. 위에서 설명된 것과 같이, 제1 샷 영역(108a)의 초기 형상 그리고 제2 샷 영역(108b)의 초기 형상은 각각 사다리꼴 형상(A1) 및 사다리꼴 형상(B1)이다. 설명의 편의를 위해, 제1 샷 영역(108a)의 형상(A1) 그리고 제2 샷 영역(108b)의 형상(B1)은 동일한 치수를 갖는 동일한 것으로 가정하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않고, 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b)은 상이한 형상 그리고 상이한 치수를 가질 수 있다.
예컨대, 제1 샷 영역(108a)의 임프린트 처리가 먼저 수행되고 그 다음에 제2 샷 영역(108b)의 임프린트 처리가 수행되는 경우가 검토될 것이다(도 5a 및 5b 참조). 이러한 경우에, 도 5a의 51에서 도시된 것과 같이, 제어 유닛(107)은 제1 샷 영역(108a)의 형상(A1)이 제1 샷 영역(108a)과 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 사이의 정렬 시에 목표 형상(A2)에 근접해지도록 가열 유닛(132)에 의한 기판(111)의 가열을 제어한다. 제1 샷 영역(108a)의 임프린트 처리의 종료 후에, 제어 유닛(107)은 제2 샷 영역(108b)과 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 사이의 정렬을 시작한다. 이 때에, 가열 유닛(132)이 제1 샷 영역(108a)의 형상(A1)이 목표 형상(A2)에 근접해지게 하도록 기판(111)을 가열한 때에 발생된 열이 기판(111) 내에 잔존한다. 이러한 열의 영향으로 인해, 제2 샷 영역(108b)의 형상(B1)은 도 5b의 52에서 도시된 형상(B1')으로 변화된다. 즉, 제2 샷 영역(108b)의 사다리꼴 성분이 증가되고, 그에 의해 가열 유닛(132)에 의해 제2 샷 영역(108b)을 변형시키기 전에 형상(B1)의 상부 및 하부 측면으로부터의 차이를 넓힌다. 제2 샷 영역(108b)의 형상(B1)이 제1 샷 영역(108a)의 변형의 영향 하에서 형상(B1')으로 변화되면, 제2 샷 영역(108b)의 형상이 목표 형상(B2)에 근접해지게 하도록 가열 유닛(132)에 의해 기판(111)을 가열할 때의 가열량이 증가될 수 있다. 가열량이 증가되면, 가열 유닛(132)에 의해 기판(111)을 가열하는 시간을 연장시키거나 가열 유닛(132)의 광원의 출력을 증가시킬 것이 필요해진다. 이것은 장치 비용의 증가 또는 처리량의 감소로 이어질 수 있다.
대조적으로, 제2 샷 영역(108b)의 임프린트 처리가 먼저 수행되고 그 다음에 제1 샷 영역(108a)의 임프린트 처리가 수행되는 경우가 검토될 것이다(도 6a 및 6b 참조). 이러한 경우에, 도 6a의 61에서 도시된 것과 같이, 제어 유닛(107)은 제2 샷 영역(108b)의 형상(B1)이 제2 샷 영역(108b)과 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 사이의 정렬 시에 목표 형상(B2)에 근접해지도록 가열 유닛(132)에 의한 기판(111)의 가열을 제어한다. 제2 샷 영역(108b)의 임프린트 처리의 종료 후에, 제어 유닛(107)은 제1 샷 영역(108a)과 몰드(121)의 패턴 영역(121a) 사이의 정렬을 시작한다. 이 때에, 가열 유닛(132)이 제2 샷 영역(108b)의 형상(B1)이 목표 형상(B2)에 근접해지게 하도록 기판(111)을 가열한 때에 발생된 열이 기판(111) 내에 잔존한다. 이러한 열의 영향으로 인해, 제1 샷 영역(108a)의 형상(A1)은 도 6b의 62에서 도시된 형상(A1')으로 변화된다.
그러나, 제2 샷 영역(108b)의 임프린트 처리를 먼저 수행할 때의 제1 샷 영역(108a)에 대한 영향은 제1 샷 영역(108a)의 임프린트 처리를 먼저 수행할 때의 제2 샷 영역(108b)에 대한 영향보다 작다. 이것은 제1 샷 영역(108a) 내의 제2 샷 영역 측면 상의 부분(108a1)과 대응하는 목표 형상 사이의 차이가 제2 샷 영역(108b) 내의 제1 샷 영역 측면 상의 부분(108b1)과 대응하는 목표 형상 사이의 차이보다 작기 때문이다. 즉, 제1 샷 영역(108a)의 부분(108a1)에 가해질 가열량이 제2 샷 영역(108b)의 부분(108b1)에 가해질 가열량보다 작다. 이러한 이유로, 후속적으로 임프린팅될 샷 영역(108)에 가해질 가열량이 도 5a 및 5b에 도시된 것과 같이 제1 샷 영역(108a)의 임프린트 처리를 먼저 수행함으로써보다 도 6a 및 6b에 도시된 것과 같이 제2 샷 영역(108b)의 임프린트 처리를 먼저 수행함으로써 작을 수 있다. 즉, 임프린트 장치(100)에서, 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b) 내에서 임프린트 처리가 수행되는 순서는 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b)에 가해질 가열량을 감소시키도록 결정될 수 있다.
제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)[처리 유닛(109)]는 먼저 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b) 중 하나를 결정한다. 그 다음에, 임프린트 장치(100)는 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b) 중 다른 하나를 결정한다. 이 때에, 목표 형상에 근접해지도록 가열 유닛(132)에 의해 하나의 샷 영역을 변형시킬 때의 다른 샷 영역에 대한 영향은 목표 형상에 근접해지도록 가열 유닛에 의해 다른 샷 영역을 변형시킬 때의 하나의 샷 영역에 대한 영향보다 작다. 이러한 방식으로, 임프린트 처리가 수행되는 순서가 결정된다. 이전에 임프린팅된 샷 영역(108)의 영향 하에서 임프린팅될 목표 샷 영역(108)에 가해질 가열량의 증가가 억제될 수 있다.
임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정하는 하나의 방법이 도 2의 단계 S103에서 취득된 각각의 샷 영역(108)의 형상 정보를 기초로 하여 순서를 결정하는 방법이다. 예컨대, 도 7의 (a)에 도시된 것과 같이, 처리 유닛(109)은 제2 샷 영역(108b)의 부분(108b1)과 대응하는 목표 형상 사이의 형상 차이와 제1 샷 영역(108a)의 부분(108a1)과 대응하는 목표 형상 사이의 형상 차이를 비교한다. 처리 유닛(109)은 먼저 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b)으로부터 더 작은 형상 차이를 갖는 샷 영역(108)을 결정한다. 도 7의 (a)에 도시된 예에서, 제2 샷 영역(108b)의 부분(108b1)에서의 형상 차이는 제1 샷 영역(108a)의 부분(108a1)에서의 형상 차이보다 작다. 이와 같이, 처리 유닛(109)은 먼저 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 제2 샷 영역(108b)을 결정한다. 즉, 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 각각의 샷 영역(108) 내에서 일어난 때에, 도 7의 (a)에 도시된 것과 같이, 사다리꼴 형상의 상부 및 하부 측면으로부터의 짧은 측면으로부터 긴 측면으로의 방향[도 7의 (a)에서 화살표(S)]을 따른 순서가 임프린팅될 샷 영역(108)의 순서로서 결정된다. 즉, 각각의 샷 영역(108) 내에 포함된 변형 성분의 종류 또는 배향을 표시하는 지표를 기초로 하여, 처리 유닛(109)이 임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정할 수 있다.
대체예에서, 예컨대, 제1 샷 영역(108a)과 제2 샷 영역(108b) 사이의 경계선[선(P1-P2)] 상의 각각의 샷 영역(108)의 측면의 변형량을 기초로 하여, 처리 유닛(109)이 도 7의 (a)에 도시된 것과 같이 임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정할 수 있다. 처리 유닛(109)은 선(P1-P2) 상의 제2 샷 영역(108b)의 측면과 목표 형상의 대응하는 측면 사이의 차이(변형량)와 선(P1-P2) 상의 제1 샷 영역(108a)의 측면과 목표 형상의 대응하는 측면 사이의 차이(변형량)를 비교한다. 처리 유닛(109)은 먼저 임프린팅될 샷 영역으로서 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b)으로부터 더 작은 변형량을 갖는 샷 영역(108)을 결정한다. 도 7의 (a)에 도시된 예에서, 선(P1-P2) 상의 측면의 변형량은 제1 샷 영역(108a)보다 제2 샷 영역(108b)에 대해 작다. 이와 같이, 처리 유닛(109)은 먼저 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 제2 샷 영역(108b)을 결정한다.
나아가, 임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정하는 또 다른 방법이 기판 상에 형성된 각각의 샷 영역(108)에 가해질 가열 분포를 기초로 하여 순서를 결정하는 방법이다. 예컨대, 도 2의 단계 S103에서 취득된 각각의 샷 영역(108)의 형상 정보를 기초로 하여, 처리 유닛(109)이 각각의 샷 영역에 가해질 가열 분포를 결정한다. 결정된 가열 분포의 하나의 예가 도 7의 (a)의 우측 상에 도시되어 있다. 그 다음에, 처리 유닛(109)은 제2 샷 영역(108b)의 부분(108b1)에 가해질 가열량과 제1 샷 영역(108a)의 부분(108a1)에 가해질 가열량을 비교한다. 처리 유닛(109)은 먼저 임프린팅될 샷 영역으로서 더 작은 가열량을 갖는 샷 영역(108)을 결정한다.
위에서-설명된 예에서, 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 각각의 샷 영역(108) 내에서 일어났다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 예컨대, 궁형 성분을 포함하는 변형이 각각의 샷 영역(108) 내에서 일어난 때에, 도 7의 (b)에 도시된 것과 같이, 임프린트 처리가 수행되는 순서가 형상 정보 또는 가열 분포를 기초로 하여 결정될 수 있다. 도 7의 (b)에 도시된 예에서, 임프린트 처리는 바람직하게는 화살표(S)의 방향을 따른 순서로 2개의 샷 영역(108a, 108b) 내에서 수행된다. 즉, 가열 유닛(132)은 제2 샷 영역(108b)을 먼저 가열한다. 이것은 경계선[선(P1-P2)] 상의 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b)의 측면을 보정하기 위해 기판(111)에 가해질 가열량을 감소시킬 수 있다. 사다리꼴 성분 및 궁형 성분의 조합을 포함하는 변형이 각각의 샷 영역(108) 내에서 일어난 때에, 순서가 평가 함수를 설정함으로써 결정될 수 있다. 예컨대, 도 7의 (a)에 도시된 사다리꼴 형상의 배향이 "+"로서 정의되는 사다리꼴 형상 계수 그리고 도 7의 (b)에 도시된 궁형 형상의 배향이 "+"로서 정의되는 궁형 형상 계수가 준비된다. 사다리꼴 형상 계수에 의해 사다리꼴 성분의 양을 승산함으로써 취득되는 수치 그리고 궁형 형상 계수에 의해 궁형 성분의 양을 승산함으로써 취득되는 수치가 추가된다. 순서는 합계의 부호(양/음)를 기초로 하여 결정된다.
위에서 설명된 것과 같이, 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)는 각각의 샷 영역(108)에 가해질 가열량을 감소시키도록 임프린트 처리가 복수개의 샷 영역(108) 내에서 수행되는 순서를 결정한다. 예컨대, 임프린트 장치(100)는 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 서로에 인접한 제1 샷 영역(108a) 및 제2 샷 영역(108b) 중 하나를 결정하고, 후속적으로 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 다른 샷 영역을 결정한다. 목표 형상에 근접해지도록 가열 유닛(132)에 의해 하나의 샷 영역(108)을 변형시킬 때의 다른 샷 영역에 대한 영향은 목표 형상에 근접해지도록 가열 유닛(132)에 의해 다른 샷 영역을 변형시킬 때의 하나의 샷 영역에 대한 영향보다 작다. 이러한 방식으로, 임프린트 처리가 수행되는 순서가 결정된다. 기판(111) 내에 잔존하는 열의 영향으로 인해 기판 상에 형성된 각각의 샷 영역(108)에 가해질 가열량의 증가가 억제될 수 있다. 제1 실시예는 서로에 인접한 복수개의 샷 영역(108)을 예시하였다. 그러나, 본 발명은 임프린트 처리가 수행되는 순서가 서로에 인접하지 않은 복수개의 샷 영역(108)에 대해 결정되는 경우에도 적용 가능하다.
<제2 실시예>
제2 실시예에 따른 임프린트 장치가 설명될 것이다. 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)는 임프린트 처리가 샷 영역(108) 내에서 수행되는 순서를 결정하기 위해 복수개의 샷 영역(108) 내에서의 형상 차이, 가열량 등을 비교한다. 대조적으로, 제2 실시예에 따른 임프린트 장치는 임프린팅될 목표 샷 영역(108)[목표 샷 영역(108d)(제1 영역)]의 가열 분포를 기초로 하여 샷 영역(108) 다음에 임프린팅될 샷 영역(108)을 각각 결정한다. 제2 실시예에 따른 임프린트 장치는 제1 실시예에 따른 임프린트 장치(100)의 장치 구성과 동일한 장치 구성을 갖고, 장치 구성의 설명이 반복되지 않을 것이다.
예컨대, 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 임프린팅될 목표 샷 영역(108d) 내에서 일어났고 목표 샷 영역(108d)의 초기 형상은 도 8에 도시된 것과 같이 Y 방향으로의 측면(상부 측면)이 -Y 방향으로의 측면(하부 측면)보다 짧은 사다리꼴 형상(D1)인 것으로 가정하기로 한다. 이 때에, 가열 유닛(132)이 목표 샷 영역(108d)을 가열할 때의 가열 분포는 도 8의 상부측 및 우측 상에 표시된 것과 같이 가열량이 X 방향으로 일정하고 Y 방향에 대해 -Y 방향으로 선형으로 감소되는 분포이다. 목표 샷 영역(108d)이 이러한 가열 분포를 따라 가열될 때에, 목표 샷 영역(108d)의 하부 측면의 변형량이 상부 측면의 변형량보다 작아진다. 즉, 목표 샷 영역(108d)을 변형시키는 영향은 목표 샷 영역(108d)에 인접한 복수개의 샷 영역(108e 내지 108h)로부터 상부 측면 옆에 배열되는 샷 영역(108e)에서보다 목표 샷 영역(108d)의 하부 측면 옆에 배열되는 샷 영역(108g)에서 작다. 이것으로부터, 처리 유닛(109)이 목표 샷 영역(108d)의 가열 분포를 기초로 하여 목표 샷 영역(108d)에 인접한 복수개의 샷 영역(108e 내지 108h)로부터 가열 유닛(132)에 의해 목표 샷 영역(108d)을 변형시키는 영향이 가장 작은 샷 영역(108g)을 결정한다. 처리 유닛(109)은 목표 샷 영역(108d) 다음에 임프린팅될 샷 영역(108)(제2 영역)으로서 결정된 샷 영역(108g)을 결정한다. 도 8에서, 목표 샷 영역(108d) 다음에 임프린팅될 샷 영역(108)은 X 및 Y 방향으로 목표 샷 영역(108d)에 인접한 복수개의 샷 영역(108e 내지 108h)으로부터 결정된다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 예컨대, 목표 샷 영역(108d)에 대각선으로 인접한 샷 영역(108)이 목표 샷 영역(108d) 다음에 임프린팅될 샷 영역(108)으로서 결정될 수 있다.
위에서 설명된 것과 같이, 제2 실시예에 따른 임프린트 장치는 목표 샷 영역(108d)을 가열할 때의 가열 분포를 기초로 하여 임프린팅될 목표 샷 영역(108d) 다음에 임프린팅될 샷 영역(108)을 결정한다. 이러한 방식으로, 목표 샷 영역(108d) 다음에 임프린팅될 샷 영역(108)이 결정된다. 기판(111) 내에 잔존하는 열의 영향 하에서 기판 상에 형성된 각각의 샷 영역(108)에 가해질 가열량의 증가가 억제될 수 있다.
<제3 실시예>
제3 실시예에 따른 임프린트 장치가 설명될 것이다. 제3 실시예는 적어도 2개의 샷 영역(108)을 포함하는 각각의 샷 영역 배열에 대해 임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정하는 방법을 설명할 것이다. 도 9는 기판 상의 복수개의 샷 영역(108)의 구성을 도시하는 도면이다. 도 9에 도시된 것과 같이, 기판 상에 형성된 복수개의 샷 영역(108)이 Y 방향(제1 방향)으로 배열되는 적어도 2개의 샷 영역(108)을 각각 포함하는 복수개의 샷 영역 배열(L1 내지 L6)에 할당된다. 각각의 샷 영역 배열(L1 내지 L6)에 대해, 제3 실시예에 따른 임프린트 장치는 임프린팅될 샷 영역(108)의 순서로서 제1 방향(Y 방향)을 따른 순서 그리고 제1 방향에 반대되는 제2 방향(-Y 방향)을 따른 순서 중 하나를 결정한다. 각각의 샷 영역 배열(L1 내지 L6) 내에서 임프린팅될 샷 영역(108)의 순서를 결정하는 방법이 아래에서 설명될 것이다.
각각의 샷 영역 배열에 대해 임프린팅될 샷 영역(108)의 순서를 결정하는 하나의 방법이 샷 영역(108)의 형상 또는 배향의 지표를 표시하는 평가 함수를 기초로 하여 각각의 샷 영역(108)을 평가하고 평가 결과를 기초로 하여 순서를 결정하는 방법이다. 예컨대, 임프린트 처리가 샷 영역 배열(L1) 내에 포함된 4개의 샷 영역(108i 내지 108l) 내에서 수행되는 순서가 결정되는 경우가 검토될 것이다. 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 도 10에 도시된 것과 같이 샷 영역 배열(L1) 내에 포함된 각각의 샷 영역(108i 내지 108l) 내에서 일어난 것으로 가정하기로 한다. 이 때에, 도 7의 (a)에 도시된 목표 형상의 배향의 지표가 "+"로서 정의될 때에, 샷 영역(108i, 108j, 108l) 내의 배향(형상)의 지표는 "+"이고, 샷 영역(108k) 내의 배향(형상)의 지표는 "-"이다. 4개의 샷 영역(108i 내지 108l) 내의 배향의 지표를 추가함으로써 취득되는 수치가 "+"로 된다. 이와 같이, 처리 유닛(109)이 임프린트 처리가 샷 영역 배열(L1)의 4개의 샷 영역(108i 내지 108l) 내에서 수행되는 순서로서 -Y 방향(제2 방향)을 따른 순서를 결정한다. 마찬가지로, 잔여의 샷 영역 배열(L2 내지 L6)에 대해, 각각의 샷 영역 내의 배향(형상) 그리고 임프린트 처리가 각각의 샷 영역 배열(L2 내지 L6) 내에서 수행되는 순서가 평가 결과를 기초로 하여 결정된다.
제3 실시예에서, 임프린트 처리가 수행되는 순서는 샷 영역(108)의 배향(형상)의 지표를 표시하는 평가 함수를 기초로 하여 결정된다. 그러나, 임프린트 처리가 수행되는 순서가 샷 영역(108)의 배향(형상)과 사이한 제약을 가질 때에, 제약에 따른 평가 함수가 요구될 때에 적용될 수 있다. 샷 영역 배열이 가열 유닛(132)에 의해 가해질 가열량이 임계치를 초과하는 샷 영역(108)을 포함할 때에, 샷 영역 배열 내의 순서가 가열 유닛(132)에 의해 샷 영역(108)을 최후에 변형시키도록 변경될 수 있다. 예컨대, 도 10에 도시된 샷 영역 배열(L1)의 샷 영역(108k)에 가해질 가열량이 임계치를 초과할 때에, 샷 영역 배열(L1) 내의 순서가 샷 영역(108i, 108j, 108l) 후에 샷 영역(108k)의 임프린트 처리를 수행하도록 변경될 수 있다.
위에서 설명된 것과 같이, 제3 실시예에 따른 임프린트 장치는 적어도 2개의 샷 영역(108)을 포함하는 각각의 샷 영역 배열에 대해 임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정한다. 각각의 샷 영역 배열에 대해 임프린트 처리가 수행되는 순서를 결정할 때에, 임프린트 장치는 샷 영역(108)의 형상 또는 배향의 지표를 표시하는 평가 함수를 사용함으로써 각각의 샷 영역 배열 내의 각각의 샷 영역(108)을 평가하고, 평가 결과를 기초로 하여 순서를 결정한다. 이러한 방식으로, 임프린트 처리가 수행되는 순서가 각각의 샷 영역 배열에 대해 결정된다. 임프린트 장치의 생산성(처리량)의 감소를 억제하면서, 기판(111) 내에 잔존하는 열의 영향 하에서 각각의 샷 영역(108)에 가해질 가열량의 증가가 억제될 수 있다.
<제4 실시예>
본 발명의 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)가 도 11을 참조하여 설명될 것이다. 임프린트 장치(400)는 패턴이 형성되는 패턴 영역(408a)을 갖는 몰드(408)를 사용함으로써 기판(410)의 상부 표면(제1 표면) 상에 형성된 샷 영역 내의 임프린트 재료를 성형하고, 그에 의해 샷 영역 내에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치(400)는 반도체 디바이스 등을 제조하는 데 사용된다. 임프린트 장치(400)는 패턴이 형성된 몰드(408)가 임프린트 재료와 접촉된 상태에서 기판 상의 임프린트 재료를 경화시킨다. 그 다음에, 임프린트 장치(400)는 기판(410)과 몰드(408) 사이의 간격을 넓혀 경화된 임프린트 재료로부터 몰드(408)를 박리(이형)한다. 결과적으로, 임프린트 장치(400)가 기판 상으로 몰드(408)의 패턴을 전사할 수 있다. 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)는 광경화법을 채택하고 있다.
도 11은 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)의 구성을 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(400)는 몰드 보유 지지 유닛(403), 기판 보유 지지 유닛(404), 노광 유닛(402), 수지 공급 유닛(405) 및 얼라인먼트 측정 유닛(406)(측정 유닛)을 포함한다. 임프린트 장치(400)는 임프린트 처리를 제어하는[임프린트 장치(400)의 각각의 유닛을 제어하는] 제어 유닛(407)을 또한 포함한다. 제어 유닛(407)은 CPU 및 메모리를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성되고, 라인을 거쳐 임프린트 장치(400)의 각각의 유닛에 연결되고, 프로그램 등에 따라 각각의 유닛을 제어할 수 있다. 제어 유닛(407)이 임프린트 장치(400)의 잔여 부분과 일체로 구성될 수 있거나(공통 하우징 내에 배열될 수 있거나), 잔여 부분과 별개로 구성될 수 있다(또 다른 하우징 내에 배열될 수 있다). 몰드 보유 지지 유닛(403)은 제진기(antivibrator)(429) 및 컬럼(430)을 거쳐 기판(427)에 의해 지지되는 브리지 판(428)에 고정된다. 기판 보유 지지 유닛(404)은 기부 판(427)에 고정된다. 제진기(429)는 임프린트 장치(400)가 설치되는 바닥으로부터 브리지 판(428)으로 전달되는 진동을 억제한다.
임프린트 처리 시에, 노광 유닛(402)은 기판 상의 수지(414)에 수지(414)를 경화시키는 광(409)(자외선)을 조사한다. 노광 유닛(402)은 기판 상의 수지(414)를 경화시키는 광(자외선)을 발광하는 광원 그리고 광원에 의해 발광된 광을 임프린트 처리에 적절한 광으로 성형하는 광학 시스템을 포함할 수 있다. 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)에서, 노광 유닛(402)에 의해 발광된 광(409)은 광학 부재(436)에 의해 반사되고, 얼라인먼트 측정 유닛(406)(차후에 설명됨)에 의해 발광된 광(435)의 광로를 차단하지 않도록 기판 상의 수지(414)를 조사한다. 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)는 노광 유닛(402)에 의해 발광된 광(409)이 광학 부재(436)에 의해 반사되어 기판(410)을 조사하고 얼라인먼트 측정 유닛(406)으로부터 이동되는 광(435)이 광학 부재(436)를 통과하여 기판(410)을 조사하도록 구성된다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 예컨대, 임프린트 장치(400)는 노광 유닛(402)에 의해 발광된 광(409)이 광학 부재(436)를 통과하여 기판(410)을 조사하고 얼라인먼트 측정 유닛(406)으로부터 이동되는 광(435)이 광학 부재(436)에 의해 반사되어 기판(410)을 조사하도록 구성될 수 있다. 광학 부재(436)로서, 예컨대, 미러가 특정한 파장을 갖는 광을 투과하고 특정한 파장과 상이한 파장을 갖는 광을 반사하는 특성을 갖는 이색성 미러(dichroic mirror)가 사용될 수 있다.
몰드(408)는 일반적으로 자외선을 투과할 수 있는 석영 등의 재료로 제조된다. 기판(410)으로 전사될 요철 패턴이 몰드(408)의 기판측 표면 상의 일부 영역[패턴 영역(408a)] 내에 형성된다. 몰드(408)는 두께가 패턴 영역(408a) 근처에서 감소되게 기판측 표면에 대향되는 몰드(408)의 표면 내에 공동(오목 부분)을 형성하도록 구성될 수 있다. 공동이 패턴 영역 근처에서 두께를 감소시키도록 형성되므로, 패턴 영역(408a)은 개구 영역(413)(차후에 설명됨)의 압력이 증가될 때에 기판(410)을 향해 볼록 형상으로 변형될 수 있다.
몰드 보유 지지 유닛(403)은 진공 흡착력, 정전 흡착력 등에 의해 몰드(408)를 보유 지지하는 몰드 척(411) 그리고 Z 방향으로 몰드 척(411)을 구동시키는 몰드 구동 유닛(412)을 포함할 수 있다. 몰드 구동 유닛(412)은 노광 유닛(402)에 의해 발광된 광이 몰드(408)를 거쳐 기판(410)을 조사하도록 이들의 중심 부분(내부측)에서 개구 영역(413)을 갖는다. 광 투과 부재[예컨대, 유리 판(도시되지 않음)]이 개구 영역(413)의 일부 그리고 몰드(408) 내에 형성된 공동에 의해 한정되는 공간이 포위 공간으로 되도록 개구 영역(413) 내에 배열될 수 있다. 광 투과 부재가 이러한 방식으로 배열될 때에, 압력 조정 장치(도시되지 않음)가 광 투과 부재에 의해 포위된 공간으로 파이프를 거쳐 연결되고, 공간 내의 압력을 조정한다. 예컨대, 몰드(408) 그리고 기판 상의 수지(414)를 서로와 접촉시킬 때에, 압력 조정 장치는 외부 압력보다 높도록 공간 내의 압력을 설정하고, 기판(410)을 향해 볼록 형상으로 몰드(408)의 패턴 영역(408a)을 변형시킨다. 패턴 영역(408a)이 패턴 영역(408a)의 중심 부분으로부터 외향으로 기판 상의 수지(414)와 접촉될 수 있으므로, 이것은 몰드(408)의 패턴 내에 포획되는 기포를 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 기판 상으로 전사될 패턴의 손실이 방지될 수 있다.
일부 경우에, 배율 성분, 사다리꼴 성분 또는 평행사변형 성분 등의 성분을 포함하는 변형이 제조 오차, 열 변형 등으로 인해 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 내에서 일어났다. 그러므로, 몰드 보유 지지 유닛(403)은 몰드(408)의 측면 표면 상의 복수개의 부분에 힘을 가함으로써 패턴 영역(408a)을 변형시키는 변형 유닛(438)을 포함할 수 있다. 예컨대, 변형 유닛(438)은 도 12에 도시된 것과 같이 몰드(408)의 각각의 측면 표면에 힘을 가하도록 배열되는 복수개의 작동기(439)를 포함할 수 있다. 몰드(408)의 각각의 측면 표면 상에 배열된 복수개의 작동기(439)는 각각의 측면 표면 상의 복수개의 부분에 힘을 개별적으로 가한다. 그러므로, 변형 유닛(438)이 몰드(408)의 패턴 영역(408a)을 변형시킬 수 있다. 변형 유닛(438) 내의 작동기(439)로서, 예컨대, 선형 모터, 공기 실린더 또는 압전 작동기가 사용 가능하다. 변형량, 왜곡량 그리고 가해진 힘 중 적어도 하나가 감시된다. 감시 결과를 기초로 하여, 제어 유닛(407)이 변형 유닛(438) 내의 복수개의 작동기(439)를 제어한다.
몰드 구동 유닛(412)은 예컨대 선형 모터 또는 공기 실린더 등의 작동기를 포함하고, Z 방향으로 몰드 척(411)(몰드(408))을 구동시켜 몰드(408) 그리고 기판 상의 수지(414)를 서로와 접촉시키거나 이들을 서로로부터 박리한다. 몰드 구동 유닛(412)이 몰드(408) 그리고 기판 상의 수지(414)를 서로와 접촉시킬 때에 높은-정확도의 위치 설정을 수행할 것이 필요하므로, 이것은 조동 구동 시스템 및 미동 구동 시스템 등의 복수개의 구동 시스템에 의해 구성될 수 있다. Z 방향으로 구동시키는 기능에 추가하여, 몰드 구동 유닛(412)은 X 및 Y 방향 그리고 ωZ 방향(Z 축에 대한 회전 방향)으로 몰드(408)의 위치를 조정하는 위치 조정 기능, 몰드(408)의 경사를 보정하는 경사 기능 등을 가질 수 있다. 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)에서, 몰드 구동 유닛(412)은 몰드(408)와 기판(410) 사이의 거리를 변화시키는 동작을 수행한다. 대체예에서, 기판 보유 지지 유닛(404)의 기판 구동 유닛(417)이 이러한 동작을 수행할 수 있거나, 몰드 구동 유닛(412) 및 기판 구동 유닛(417)의 양쪽 모두가 이것을 상대적으로 수행할 수 있다.
기판(410)으로서, 예컨대, 단결정 실리콘 기판, SOI 기판 등이 사용된다. 수지 공급 유닛(405)(차후에 설명됨)이 기판(410)의 상부 표면[처리 대상 표면(제1 표면)]으로 수지(자외선-경화 수지)를 공급한다.
기판 보유 지지 유닛(404)은 기판 척(416) 및 기판 구동 유닛(417)을 포함하고, X 및 Y 방향으로 기판(410)을 구동시킨다. 기판 척(416)은 진공 흡착력, 정전 흡착력 등에 의해 기판(410)의 하부 표면(제1 표면에 대향되는 제2 표면)을 고정(chucking)함으로써 기판(410)을 보유 지지한다. 기판 구동 유닛(417)은 기판 척(416)을 기계적으로 보유 지지하고, X 및 Y 방향으로 기판 척(416)(기판(410))을 구동시킨다. 기판 구동 유닛(417)으로서, 예컨대, 선형 모터 또는 평면형 모터가 사용될 수 있다. 기판 구동 유닛(417)은 조동 구동 시스템 및 미동 구동 시스템 등의 복수개의 구동 시스템에 의해 구성될 수 있다. 또한, 기판 구동 유닛(417)은 Z 방향으로 기판(410)을 구동시키는 구동 기능, ωZ 방향으로 회전되도록 기판(410)을 구동시켜 기판(410)의 위치를 조정하는 위치 조정 기능 그리고 기판(410)의 경사를 보정하는 경사 기능 등을 가질 수 있다.
위치 측정 유닛(419)이 기판 보유 지지 유닛(404)의 위치를 측정한다. 위치 측정 유닛(419)은 예컨대 레이저 간섭계 및 인코더를 포함하고, 기판 보유 지지 유닛(404)의 위치를 측정한다. 위치 측정 유닛(419)이 레이저 간섭계를 포함하는 하나의 예가 설명될 것이다. 레이저 간섭계는 기판 보유 지지 유닛(404)[기판 척(416)]의 측면 표면 상에 배열되는 반사 판(418)을 향해 레이저 빔을 발광하고, 반사 판(418)에 의해 반사된 레이저 빔을 기초로 하여 기판 보유 지지 유닛(404) 상의 기준 위치로부터의 변위를 검출한다. 레이저 간섭계에 의해 검출된 변위를 기초로 하여, 위치 측정 유닛(419)이 기판 보유 지지 유닛(404)의 현재 위치를 측정할 수 있다. 위치 측정 유닛(419)에 의한 측정 결과를 기초로 하여, 제어 유닛(407)이 기판 보유 지지 유닛(404)[기판(410)]의 위치 설정을 제어한다. 위치 측정 유닛(419)은 X, Y 및 Z 방향으로의 기판 보유 지지 유닛(404)의 변위를 검출하는 1개 이상의 레이저 간섭계를 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 기판 보유 지지 유닛(404)은 각각의 레이저 간섭계에 대응하여 복수개의 반사 판(418)을 포함한다. 이러한 배열로써, 위치 측정 유닛(419)은 X 방향, Y 방향, Z 방향, ωX 방향(X-축에 대한 회전 방향), ωY 방향(Y-축에 대한 회전 방향) 및 ωZ 방향으로의 기판 보유 지지 유닛(404)의 위치를 측정할 수 있다.
수지 공급 유닛(405)은 기판 상으로 임프린트 재료를 공급한다. 위에서 설명된 것과 같이, 제4 실시예에서, 수지가 자외선 조사에 의해 경화되는 성질을 갖는 자외선-경화 수지[수지(414)]가 임프린트 재료로서 사용된다. 수지 공급 유닛(405)으로부터 기판 상으로 공급될 수지(414)는 반도체 디바이스 제조 단계에서의 다양한 조건 하에서 적절하게 선택될 수 있다. 수지 공급 유닛(405)으로부터 공급되는 수지의 양은 기판 상의 수지(414) 상에 형성될 패턴의 두께, 패턴의 밀도 등을 고려하여 적절하게 결정될 수 있다. 몰드(408) 상에 형성된 패턴에 기판 상에 공급된 수지(414)를 충분히 충전하기 위해, 처리는 몰드(408) 및 수지(414)가 서로와 접촉된 상태에서 소정의 시간의 경과를 기다릴 수 있다.
얼라인먼트 측정 유닛(406)은 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 그리고 기판(410)의 샷 영역(420) 내에 각각 형성된 복수개의 마크(얼라인먼트 마크)를 검출함으로써 패턴 영역(408a)과 샷 영역(420) 사이의 형상 차이를 측정한다. 패턴 영역(408a)의 마크 그리고 샷 영역(420)의 마크는 패턴 영역(408a) 및 샷 영역(420)이 X 및 Y 방향으로 서로와 일치되게 할 때에 서로와 중첩되도록 배열된다. 얼라인먼트 측정 유닛(406)은 광학 부재(436)를 거쳐 패턴 영역(408a)의 마크 그리고 샷 영역(420)의 대응하는 마크에 광을 조사하고, 각각의 마크에 대해 이들 사이의 어긋남 량을 검출한다. 그러므로, 얼라인먼트 측정 유닛(406)이 패턴 영역(408a)과 샷 영역(420) 사이의 형상 차이를 측정할 수 있다.
이러한 구성을 갖는 임프린트 장치(400)에서, 임프린팅될 기판(410)은 일련의 반도체 디바이스 제조 단계(예컨대, 스퍼터링 등의 피착 단계)에서 열 공정 등 후에 임프린트 장치(400) 내로 반입된다. 그러므로, 배율 성분 또는 사다리꼴 성분 등의 성분을 포함하는 변형이 기판 상의 샷 영역(420) 내에서 일어날 수 있다. 이러한 경우에, 단지 변형 유닛(438)에 의해 몰드(408)의 패턴 영역(408a)을 변형시킴으로써 몰드(408)의 패턴 영역(408a)과 기판(410)의 샷 영역(420)이 만족스럽게 중첩되지 않을 수 있다. 그러므로, 기판(410)의 샷 영역(420)이 샷 영역(420)이 변형 유닛(438)에 의해 변형된 몰드(408)의 패턴 영역(408a)의 형상에 맞도록 변형될 수 있다. 이것을 성취하기 위해, 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)에서, 기판 보유 지지 유닛(404)은 기판(410)을 가열하여 샷 영역(420)을 변형시키도록 기판(410)의 하부 표면에 광을 조사하는 가열 유닛(437)을 포함한다. 가열 유닛(437)을 포함하는 기판 보유 지지 유닛(404)의 구성이 도 12를 참조하여 설명될 것이다. 도 12는 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400) 내의 기판 보유 지지 유닛(404)의 구성을 도시하는 도면이다.
기판 보유 지지 유닛(404) 내에 포함된 가열 유닛(437)은 기판(410)으로 열을 가하여 샷 영역(420)을 변형시키도록 기판(410)의 하부 표면 상의 복수개의 부분에 광(421)을 조사한다. 가열 유닛(437)은 기판(410)의 하부 표면 상의 1개의 부분을 조사하도록 광(421)을 발광하는 발광 소자(422a) 그리고 1개의 부분과 발광 소자(422a) 사이에 형성되어 기판(410)의 하부 표면을 조사하는 광이 공동(422b)을 통과하게 하는 공동(422b)을 각각 포함하는 복수개의 광 조사 부분(422)을 포함한다. 각각의 광 조사 부분(422) 내의 발광 소자(422a)는 광(421)이 기판의 하부 표면의 일부에 비스듬히 입사되도록 구성된다. 발광 소자(422a)에 의해 발광된 광(421)의 파장은 기판(410)에 의해 흡수되는 파장일 수 있다. 예컨대, 자외선 내지 가시선의 영역 내의 파장이 사용될 수 있다. 발광 소자(422a)로서, 제4 실시예에 따른 가열 유닛(437)은 레이저 다이오드 등의 발광 소자(440)를 사용한다. 콜리메이터 렌즈(collimator lens)(422c)가 기판(410)의 하부 표면으로 발광 소자(422a)에 의해 발광된 광(421)을 효율적으로 안내하도록 배열된다. 예컨대, 도 13에 도시된 것과 같이, 복수개의 광 조사 부분(422)은 변형이 기판 상에 형성된 복수개의 샷 영역(420)의 각각 내에서 수행될 수 있도록 기판 보유 지지 유닛(404)의 X-Y 평면 상에서 매트릭스로 배열된다. 도 13은 Z 방향으로부터 관찰될 때의 기판 보유 지지 유닛(404)을 도시하는 도면이다. 광 조사 부분(422)의 구성 및 개수는 샷 영역(420)의 변형 성분, 샷 영역(420)을 변형시킬 때의 정확도 등을 기초로 하여 결정될 수 있다.
각각의 광 조사 부분(422)은 발광 소자(422a)에 의해 발광되어 기판(410)의 하부 표면에 의해 반사된 광(421)을 흡수하는 광 흡수 부재(422d)를 포함할 수 있다. 그러므로, 기판 척(416)[공동(422b)의 내부측], 발광 소자(422a) 등에 기판(410)에 의해 반사된 광(421)을 조사하여 이들의 온도를 상승시키는 것이 방지될 수 있다. 광 흡수 부재(422d)는 예컨대 기판(410)의 하부 표면에 의해 반사된 광(421)의 흡수율이 80% 이상으로 되도록 구성될 수 있다. 또한, 각각의 광 조사 부분(422)에서, 공동(422b)은 도 14a에 도시된 것과 같이 발광 소자(422a)에 의해 발광된 광(421)을 투과하는 광 투과 부재(422e)(예컨대, 유리 부재)를 수용할 수 있다. 이것은 기판 보유 지지 유닛(404)이 기판(410)을 보유 지지하지 않을 때에 공동(422b) 내로의 파티클(먼지 등의 이물)의 진입을 방지할 수 있다. 나아가, 각각의 광 조사 부분(422)은 도 14b에 도시된 것과 같이 파이프(423)를 거쳐 공동(422b) 내의 압력을 조정하는 조정 부분(422f)을 포함할 수 있다. 조정 부분(422f)을 배열함으로써, 각각의 광 조사 부분(422)은 기판을 고정시키는 기능을 가질 수 있다. 즉, 각각의 광 조사 부분(422)의 공동(422b) 내의 압력이 기판(410)이 기판 보유 지지 유닛(404) 상에 장착된 상태에서 조정될 때에, 기판(410)이 복수개의 광 조사 부분(422)에 의해 고정 및 보유 지지될 수 있다.
도 11 및 12에 도시된 것과 같이, 기판 보유 지지 유닛(404)은 온도 조정 판(433)이 기판 척(416)과 기판 구동 유닛(417) 사이에 개재되고 각각의 광 조사 부분(422)의 발광 소자(422a)가 온도 조정 판(433) 내부측에 배열되도록 구성될 수 있다. 온도 조정 판(433)은 예컨대 냉매를 공급하는 유로를 갖는다. 냉매의 유량 및 온도를 제어함으로써, 온도 조정 판(433)이 소정의 온도로 기판 척(416)의 온도를 관리할 수 있거나, 발광 소자(422a) 및 광 흡수 부재(422d)에 의해 발생된 열을 흡수할 수 있다. 기판 보유 지지 유닛(404) 내의 가열 유닛(437)은 발광 소자(422a)로서 도 15에 도시된 것과 같이 기판(410)의 하부 표면 상의 1개의 부분으로 광원(444)에 의해 발광된 광을 안내하는 광 섬유(441)를 사용할 수 있다. 이러한 경우에도, 콜리메이터 렌즈(422c)는 기판(410)의 하부 표면으로 발광 소자(422a)로서 기능하는 광 섬유(441)에 의해 발광된 광(421)을 효율적으로 안내하도록 배열될 수 있다. 광원(444)은 기판(410)의 하부 표면 상의 각각의 부분을 조사하는 광의 강도를 개별적으로 변경할 수 있도록 구성될 수 있다.
기판 보유 지지 유닛(404)은 기판(410) 상의 복수개의 영역의 각각을 고정시키는 흡착력을 변경할 수 있도록 구성될 수 있다. 이처럼-구성된 기판 보유 지지 유닛(404)에서, 샷 영역(420)을 포함하는 기판 상의 영역을 고정시키는 흡착력이 샷 영역(420)과 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 사이의 정렬 시에 기판 상의 또 다른 영역을 고정시키는 흡착력보다 작도록 설정된다. 예컨대, 기판(410) 상의 복수개의 영역이 임프린팅될 목표 샷 영역(420a)을 갖는 제1 영역 그리고 제1 영역과 상이한 제2 영역을 포함하는 것으로 가정하기로 한다. 이 때에, 기판 보유 지지 유닛(404)은 제1 영역 내의 흡착력이 샷 영역(420a)과 패턴 영역(408a) 사이의 정렬 시에 샷 영역(420a)을 변형시키도록 기판(410)의 하부 표면에 광을 조사할 때에 제2 영역 내의 흡착력보다 작아지도록 제어된다. 이러한 방식으로, 기판 상의 각각의 영역 내의 흡착력이 제어된다. 기판(410)의 위치 어긋남을 방지하면서, 샷 영역(420a)의 하부 표면과 기판 보유 지지 유닛(404) 사이에 발생되는 마찰력이 감소되어 기판(410)으로의 입열량에 대한 샷 영역(420a)의 변형량을 증가시킬 수 있다. 결과적으로, 목표 형상으로 샷 영역(420a)의 형상을 변경하도록 기판(410)을 조사하는 광의 조사량이 감소될 수 있다. 발광 소자(422a)에 의해 발광된 광(421)의 강도가 감소될 수 있고, 기판(410)에 광(421)을 조사하는 시간이 단축될 수 있다.
도 13에 도시된 예에서, 기판 보유 지지 유닛(404)은 기판(410) 상의 4개의 영역(410a 내지 410d)의 각각을 고정시키는 흡착력을 개별적으로 변경할 수 있도록 구성된다. 영역(410c)은 임프린팅될 목표 샷 영역(420a)을 포함하는 것으로 가정하기 로 한다. 샷 영역(420a)과 패턴 영역(408a) 사이의 정렬 시에, 기판 보유 지지 유닛(404)은 샷 영역(420a)을 포함하는 영역(410c) 그리고 인접한 영역(410d) 내의 흡착력이 영역(410a, 410b) 내의 흡착력보다 작아지도록 제어된다. 기판(410)의 위치 어긋남을 방지하면서, 샷 영역(420a)의 하부 표면과 기판 보유 지지 유닛(404) 사이에 발생되는 마찰력이 감소되어 샷 영역(420a)을 효율적으로 변형시킬 수 있다. 도 13에 도시된 기판 보유 지지 유닛(404)은 기판 상에서 X 방향으로 분할된 4개의 영역(410a 내지 410d) 내의 흡착력을 개별적으로 변경할 수 있도록 구성된다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 예컨대, 기판 상의 영역의 개수 및 형상은 샷 영역(420)을 변형시키는 최적의 조합으로 적절하게 설정될 수 있다. 이것에 따르면, 기판 보유 지지 유닛(404)의 구성이 또한 적절하게 변경될 수 있다.
제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400) 내에서 기판 상의 복수개의 샷 영역(420)의 각각으로 몰드(408)의 패턴을 전사하는 임프린트 처리의 하나의 예가 도 16을 참조하여 설명될 것이다. 도 16은 기판 상의 복수개의 샷 영역(420)의 각각으로 몰드(408)의 패턴을 전사하는 임프린트 처리에서의 동작 순서를 도시하는 흐름도이다.
단계 S601에서, 제어 유닛(407)은 기판 보유 지지 유닛(404) 아래로 기판(410)을 반송하도록 기판 반송 기구(도시되지 않음)를 제어하고, 기판(410)을 보유 지지하도록 기판 보유 지지 유닛(404)을 제어한다. 따라서, 기판(410)은 임프린트 장치(400) 내부측에 배열된다. 단계 S602에서, 제어 유닛(407)은 수지 공급 유닛(405) 아래에 기판 상의 샷 영역(420a)[임프린팅될 샷 영역(420)]을 배열하도록 기판 구동 유닛(417)을 제어한다. 제어 유닛(407)은 샷 영역(420a)으로 수지(414)(미경화 수지)를 공급하도록 수지 공급 유닛(405)을 제어한다. 단계 S603에서, 제어 유닛(407)은 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 아래에 수지(414)가 공급된 샷 영역(420a)을 배열하도록 기판 구동 유닛(417)을 제어한다. 단계 S604에서, 제어 유닛(407)은 몰드(408) 그리고 기판 상의 수지(414)를 서로와 접촉시키도록 몰드 구동 유닛(412)을 제어한다. 단계 S605에서, 제어 유닛(407)은 몰드(408) 상의 패턴 영역(408a)과 기판 상의 샷 영역(420a) 사이의 형상 차이를 표시하는 정보를 취득한다. 제어 유닛(407)은 임프린트 장치(400) 내에 배열된 얼라인먼트 측정 유닛(406)에 의해 패턴 영역(408a)과 샷 영역(420a) 사이의 형상 차이를 측정함으로써 이러한 정보를 취득할 수 있다. 대체예에서, 제어 유닛(407)은 이러한 정보로서 임프린트 장치(400) 외부측의 측정 장치에 의해 취득된 패턴 영역(408a)과 샷 영역(420a) 사이의 형상 차이를 취득할 수 있다.
단계 S606에서, 단계 S605에서 취득된 정보를 기초로 하여, 제어 유닛(407)은 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 내의 보정량 그리고 기판(410)의 샷 영역(420a) 내의 보정량을 결정한다. 단계 S607에서, 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 내의 보정량을 기초로 하여, 제어 유닛(407)이 변형 유닛(438)에 의해 패턴 영역(408a)을 변형시킬 때의 변형 유닛(438)의 구동량[변형 유닛(438)에 의해 몰드에 가해질 힘]을 결정한다. 또한, 기판(410)의 샷 영역(420a) 내의 보정량을 기초로 하여, 제어 유닛(407)이 가열 유닛(437)에 의해 기판(410)의 하부 표면을 조사하는 광의 강도 분포를 결정한다. 단계 S607에서 결정된 구동량 그리고 광의 강도 분포를 기초로 하여, 제어 유닛(407)이 몰드(408)의 패턴 영역(408a)의 형상 그리고 기판(410)의 샷 영역(420a)의 형상을 보정하도록 변형 유닛(438) 및 가열 유닛(437)을 제어한다. 즉, 제어 유닛(407)은 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 그리고 기판(410)의 샷 영역(420a)을 정렬시킨다.
몰드(408)의 패턴 영역(408a)과 기판(410) 상의 샷 영역(420a) 사이의 정렬이 도 17a 및 17b를 참조하여 설명될 것이다. 도 17a는 몰드(408)의 패턴 영역(408a)의 형상을 도시하는 도면이다. 도 17b는 기판(410)의 샷 영역(420a)의 형상을 도시하는 도면이다. 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 샷 영역(420a) 내에서 일어난 것으로 가정하기로 한다. 우선, 제어 유닛(407)은 ±Y 방향으로 몰드(408)의 측면 표면 상의 소정의 부분에 힘(447)을 가하고 그에 의해 패턴 영역(408a)의 형상이 샷 영역(420a)의 형상(사다리꼴 형상)에 근접해지게 패턴 영역(408a)을 변형시키도록 변형 유닛(438)을 제어한다. 이 때에, 프와송 비를 기초로 하는 변형(448)이 ±Y 방향으로의 변형에 추가하여 +X 방향으로도 일어날 수 있다. 이와 같이, 패턴 영역(408a)의 형상은 도 17a에서 파선에 의해 표시된 형상(446)으로 된다. 패턴 영역(408a) 및 샷 영역(420a)이 이러한 단계에서 중첩되면, 중첩 정확도가 프와송 비를 기초로 하는 변형에 대응하는 양만큼 하락될 수 있다. 그러므로, 제어 유닛(407)이 목표 형상으로서 변형 유닛(438)에 의해 변형된 패턴 영역(408a)의 형상(446)을 설정한다. 그 다음에, 제어 유닛(407)은 샷 영역(420a)의 형상이 목표 형상[형상(446)]에 근접해지도록 가열 유닛(437)에 의한 기판(410)의 가열을 제어한다.
예컨대, 제어 유닛(407)은 샷 영역(420a)의 온도 분포가 온도가 Y 방향으로 균일하고 +X 방향으로 선형으로 증가되는 분포(도 17b에서의 상부 도면)로 되도록 가열 유닛(437) 내의 각각의 광 조사 부분(422)의 발광 소자(422a)를 제어한다. 이 때에, 기판(410)은 온도에 따라 등방적으로 팽창하고, 샷 영역(420a)은 ±Y 방향으로 그리고 또한 ±X 방향으로 변형되고, 도 17b에서 파선에 의해 표시된 형상(445)으로 변화된다. 결과적으로, 샷 영역(420a)의 형상이 변형 유닛(438)에 의해 변형된 패턴 영역의 형상(446)(목표 형상)에 근접해질 수 있다. 즉, 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 그리고 기판(410)의 샷 영역(420a)이 높은 정확도로 정렬될 수 있다. 도 17a 및 17b에 도시된 예에서, 사다리꼴 성분을 포함하는 변형이 일어난 샷 영역의 보정이 설명되었다. 그러나, 실제로, 다양한 성분(예컨대, 배율 성분, 사다리꼴 성분 및 평행사변형 성분)을 포함하는 변형이 샷 영역(420a) 내에서 일어날 수 있다. 이러한 경우에, 가열 유닛(437) 내의 각각의 광 조사 부분(422)의 발광 소자(422a)는 샷 영역(420a) 내에서 발생된 변형의 각각의 성분을 기초로 하여 샷 영역이 X-Y 평면 내에서 적절한 온도 분포를 형성하도록 제어될 수 있다.
단계 S608에서, 제어 유닛(407)은 몰드(408)와 접촉된 수지(414)에 자외선을 조사하고 그에 의해 수지(414)를 경화시키도록 노광 유닛(402)을 제어한다. 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 그리고 기판(410)의 샷 영역(420a)을 정렬시키기 위해, 가열 유닛(437)에 의해 변형된 샷 영역의 형상이 수지(414)가 경화 중인 기간(451) 내에서도 유지될 수 있다. 그러므로, 수지(414)가 경화 중인 기간(451) 내에서, 제어 유닛(407)이 가열 유닛(437)에 의해 변형된 샷 영역(420a)의 형상을 유지하도록 가열 유닛(437)에 의해 기판(410)의 하부 부분을 조사하는 광의 강도를 조정할 수 있다.
예컨대, 기판(410)이 도 18에 도시된 것과 같이 샷 영역(420a)이 변형 중인 기간(452)(시간 t0과 시간 t1 사이) 내에서 가열 유닛(437)에 의해 기판(410)의 하부 표면을 조사하는 광의 강도를 일정하게 유지하면서 가열되는 경우가 검토될 것이다. 이러한 경우에, 기간(452)(시간 t0과 시간 t1 사이) 내에서, 기판(410)의 온도가 선형으로 상승되고, 샷 영역(420a)의 변형량이 또한 선형으로 증가된다. 샷 영역(420a)의 형상과 목표 형상 사이의 차이가 허용 가능한 범위 내에 속할 때의 시간 t1에서, 제어 유닛(407)은 시간 t1에서의 온도로 기판(410)의 온도를 유지하도록 가열 유닛(437)에 의해 기판(410)의 하부 표면을 조사하는 광의 강도를 감소시킨다. 따라서, 샷 영역(420a)의 형상과 목표 형상 사이의 차이가 허용 가능한 범위 내에 속하는 상태가 수지(414)가 경화 중인 기간(451) 내에서 유지될 수 있다. 시간 t1[기간(451)] 후의 광의 강도는 가열 유닛(437)에 의해 기판(410)에 광을 조사함으로써 기판(410)에 가해진 열의 양이 기판(410)으로부터 복사되는 열의 양과 거의 동일해지도록 설정될 수 있다. 샷 영역(420a)으로부터 복사되는 열은 예컨대 기판(410) 내에서 확산되는 열, 기판(410)으로부터 공기 등으로 전달되는 열 그리고 기판(410)으로부터 기판 척(416)으로 전달되는 열을 포함할 수 있다.
단계 S609에서, 제어 유닛(407)은 기판 상의 수지(414)로부터 몰드(408)를 박리(이형)하도록 몰드 구동 유닛(412)을 제어한다. 단계 S610에서, 제어 유닛(407)은 몰드(408)의 패턴이 후속적으로 전사되는 샷 영역(420)[다음의 샷 영역(420)]이 기판 상에 존재하는 지를 결정한다. 다음의 샷 영역(420)이 존재하면, 처리는 단계 S602로 복귀된다. 다음의 샷 영역(420)이 존재하지 않으면, 처리는 종료된다. 도 16에서, 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 그리고 기판(410)의 샷 영역(420a)은 몰드(408) 그리고 기판 상의 수지(414)가 서로와 접촉된 상태에서 정렬된다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 예컨대, 몰드(408) 그리고 기판 상의 수지(414)는 정렬 후에 서로와 접촉될 수 있다. 즉, 도 16에서, 단계 S604가 단계 S607 후에 수행될 수 있다.
위에서 설명된 것과 같이, 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)에서, 기판 보유 지지 유닛(404)은 기판(410)을 가열하여 샷 영역(420)을 변형시키도록 기판(410)의 하부 표면에 광을 조사하는 가열 유닛(437)을 포함한다. 제4 실시예에 따른 임프린트 장치(400)[제어 유닛(407)]은 몰드(408)의 패턴 영역(408a)과 기판(410)의 샷 영역(420) 사이의 형상 차이가 허용 가능한 범위 내에 속하도록 가열 유닛(437)을 제어한다. 몰드(408)의 패턴 영역(408a) 그리고 기판(410)의 샷 영역(420)이 높은 정확도로 중첩될 수 있고, 몰드(408)의 패턴이 높은 정확도로 샷 영역(420)으로 전사될 수 있다.
제4 실시예는 가열 유닛(437)이 기판(410) 상에 형성된 1개의 샷 영역(420a)의 형상을 보정하고 임프린트 처리가 샷 영역(420a) 내에서 수행되는 예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 예컨대, 가열 유닛(437)은 도 19a에 도시된 것과 같이 배열된 4개의 샷 영역(420) 또는 도 19b에 도시된 것과 같이 대각선으로 배열되는 2개의 샷 영역(420) 등의 기판(410) 상에 형성된 복수개의 샷 영역(420)의 형상을 한꺼번에 보정할 수 있다. 또한, 제4 실시예는 임프린팅될 샷 영역(420a)을 변형시킬 때에 샷 영역(420a)의 하부 표면에 광이 조사되는 예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이것에 제한되지 않는다. 예컨대, 샷 영역(420a)을 변형시킬 때에, 샷 영역(420a) 근처에 배열된 샷 영역(420)의 하부 표면에 광이 조사될 수 있다. 샷 영역(420a)의 형상은 목표 형상[변형 유닛(438)에 의해 변형된 패턴 영역(408a)의 형상]에 효율적으로 근접해질 수 있다.
<물품을 제조하는 방법의 실시예>
본 발명의 실시예에 따른 물품을 제조하는 방법은 마이크로디바이스(예컨대, 반도체 디바이스) 또는 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는 데 적절하다. 본 실시예에 따른 물품을 제조하는 방법은 임프린트 장치를 사용함으로써 기판에 가해진 수지 상에 패턴을 형성하는 단계(기판 상에 임프린트 처리를 수행하는 단계) 그리고 패턴이 이전의 단계에서 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 나아가, 제조 방법은 다른 주지된 단계(예컨대, 산화, 피착, 증착, 도핑, 평탄화, 식각, 레지스트 제거, 다이싱, 본딩 및 패키징)를 포함한다. 본 실시예에 따른 물품을 제조하는 방법은 물품의 성능, 품질, 생산성 및 제조 비용 중 적어도 하나 면에서 종래의 방법보다 우수하다.
본 발명이 예시 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시 실시예에 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 다음의 특허청구범위의 범주는 모든 이러한 변형 그리고 등가의 구조 및 기능을 망라하도록 가장 넓은 해석과 일치되어야 한다.
100: 임프린트 장치
102: 기판 스테이지
103: 몰드 스테이지
104: 얼라인먼트 측정 유닛
105: 조사 유닛
106: 수지 공급 유닛
107: 제어 유닛
108: 샷 영역
109: 처리 유닛
111: 기판
121: 몰드

Claims (26)

  1. 몰드를 사용함으로써 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치로서,
    상기 기판 상의 임프린팅될 영역을 가열함으로써 상기 영역을 변형시키도록 구성되는 가열 유닛과;
    기판 상의 제1 영역 및 제2 영역 중 하나의 영역을 먼저 임프린팅될 영역으로서 결정하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 다른 영역을 다음 임프린팅될 영역으로서 결정하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고,
    상기 가열 유닛이 상기 하나의 영역을 변형시켜 상기 하나의 영역이 목표 형상에 근접해지게 하는 경우에서의 상기 다른 영역에 대한 영향이, 상기 가열 유닛이 상기 다른 영역을 변형시켜 상기 다른 영역이 상기 목표 형상에 근접해지게 하는 경우에서의 상기 하나의 영역에 대한 영향보다 작도록, 상기 처리 유닛은 상기 하나의 영역 및 상기 다른 영역을 결정하는,
    임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 서로에 인접하도록 배열되는, 임프린트 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 제2 영역 측의 제1 영역 내의 일부의 형상과 이에 대응하는 목표 형상 사이의 차이, 및 상기 제1 영역 측의 제2 영역 내의 일부의 형상과 이에 대응하는 목표 형상 사이의 차이를 기초로 하여, 상기 하나의 영역 및 상기 다른 영역을 결정하는, 임프린트 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 제2 영역 측의 제1 영역 내의 일부에 가해질 가열량, 및 상기 제1 영역 측의 제2 영역 내의 일부에 가해질 가열량을 기초로 하여, 상기 하나의 영역 및 상기 다른 영역을 결정하는, 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 하나의 영역에 대한 가열량을 기초로 하여, 상기 다른 영역에 대한 가열량을 조정하는, 임프린트 장치.
  6. 몰드를 사용함으로써 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치로서,
    상기 기판 상의 임프린팅될 영역을 가열함으로써 상기 영역을 변형시키도록 구성되는 가열 유닛과;
    제1 영역에 인접한 복수개의 영역 중에서, 상기 제1 영역에 대한 상기 가열 유닛에 의한 가열의 영향이 가장 작은 영역을 상기 제1 영역 다음에 임프린팅될 제2 영역으로서 결정하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하는,
    임프린트 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 제1 영역 내에서의 상기 가열 유닛에 의한 가열 분포를 기초로 하여, 상기 제2 영역을 결정하는, 임프린트 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 상기 제1 영역에 인접한 복수개의 영역 중에서 상기 제1 영역에 대한 상기 가열 유닛에 의한 가열의 변형량이 가장 작은 영역을 상기 제2 영역으로 결정하는, 임프린트 장치.
  9. 삭제
  10. 몰드를 사용함으로써 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치로서,
    상기 임프린트 처리에서, 상기 기판 상의 임프린팅될 영역을 가열함으로써 상기 영역을 변형시키도록 구성되는 가열 유닛과;
    상기 기판 상에 제1 방향으로 배열된 복수의 영역들 각각에 대해 수행되는 상기 임프린트 처리의 순서로서, 상기 복수의 영역들 각각의 형상을 측정하여 획득한 형상 정보를 기초로 하여, 상기 제1 방향을 따른 순서 및 상기 제1 방향에 반대인 제2 방향을 따른 순서 중 하나를 결정하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은, 평가 함수를 사용함으로써 상기 복수의 영역들 각각의 형상을 상기 형상 정보에 기초하여 평가하고, 상기 복수의 영역들 각각에 대해 수행되는 상기 임프린트 처리의 순서를 상기 평가 결과에 기초하여 결정하는, 임프린트 장치.
  11. 몰드를 사용함으로써 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치로서,
    상기 임프린트 처리에서, 상기 기판 상의 임프린팅될 영역을 가열함으로써 상기 영역을 변형시키도록 구성되는 가열 유닛과;
    상기 기판 상에 제1 방향으로 배열된 복수의 영역들 각각에 대해 수행되는 상기 임프린트 처리의 순서로서, 상기 복수의 영역들 각각의 형상을 측정하여 획득한 형상 정보를 기초로 하여, 상기 제1 방향을 따른 순서 및 상기 제1 방향에 반대인 제2 방향을 따른 순서 중 하나를 결정하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고,
    상기 복수의 영역들이 상기 가열 유닛에 의한 가열량이 임계치를 초과하게 되는 영역을 포함할 때에, 상기 가열량이 상기 임계치를 초과하게 되는 영역에 대한 상기 임프린트 처리를 최후에 수행하도록, 상기 처리 유닛은 상기 복수의 영역들 각각에 대해 수행되는 상기 임프린트 처리의 순서를 결정하는, 임프린트 장치.
  12. 삭제
  13. 몰드를 사용함으로써 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하는 임프린트 장치로서,
    상기 임프린트 처리에서, 상기 기판 상의 임프린팅될 영역을 가열함으로써 상기 영역을 변형시키도록 구성되는 가열 유닛과;
    상기 기판 상에 제1 방향으로 배열된 복수의 영역들 각각에 대해 수행되는 상기 임프린트 처리의 순서로서, 상기 복수의 영역들 각각의 형상을 측정하여 획득한 형상 정보를 기초로 하여, 상기 제1 방향을 따른 순서 및 상기 제1 방향에 반대인 제2 방향을 따른 순서 중 하나를 결정하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은, 상기 가열 유닛이 상기 복수의 영역들 각각을 순차적으로 변형하는 때에, 상기 기판 상에 남은 열의 영향에 기초하여, 상기 복수의 영역들 각각에 대해 수행되는 상기 임프린트 처리의 순서를 결정하는, 임프린트 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 가열 유닛은 광원을 포함하고, 상기 광원에 의해 발광된 광을 상기 기판에 조사함으로써 상기 기판을 가열하는, 임프린트 장치.
  15. 물품을 제조하는 방법으로서,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와;
    물품이 제조되도록 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하고,
    상기 물품은 반도체 디바이스 또는 미세 구조를 갖는 소자를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는 몰드를 사용하여 상기 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 수행하고,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 기판 상의 제1 영역 및 제2 영역 중 하나의 영역을 먼저 임프린팅될 영역으로서 결정하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 중 다른 영역을 다음 임프린팅될 영역으로서 결정하는 단계와,
    상기 제1 영역에 대해 상기 임프린트 처리를 수행하고, 다음에 상기 제2 영역에 대해 상기 임프린트 처리를 수행하는 단계를 수행하고,
    상기 임프린트 처리는 상기 기판 상의 임프린트될 영역을 가열함으로써 상기 영역을 변형하는 단계를 포함하고,
    상기 하나의 영역을 변형시켜 상기 하나의 영역이 목표 형상에 근접하게 하는 경우에서의 상기 다른 영역에 대한 영향은, 상기 다른 영역을 변형시켜 상기 다른 영역이 상기 목표 형상에 근접하게 하는 경우에서의 상기 하나의 영역에 대한 영향보다 작은, 물품을 제조하는 방법.
  16. 삭제
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