JPH06204116A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH06204116A JPH06204116A JP5227813A JP22781393A JPH06204116A JP H06204116 A JPH06204116 A JP H06204116A JP 5227813 A JP5227813 A JP 5227813A JP 22781393 A JP22781393 A JP 22781393A JP H06204116 A JPH06204116 A JP H06204116A
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- Japan
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- mask
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板などの被転写物体の温度を制御す
ることにより、たとえば恒温に保ち、パターン転写の倍
率誤差を補正することができる露光装置を提供する。 【構成】 被転写物体用保持ステージに設置された被転
写物体にマスク用保持ステージに設置されたマスクのパ
ターンを転写する露光装置において、マスク、被転写物
体、マスク用保持ステージ及び被転写物体用保持ステー
ジの少なくとも一つの温度を検知する温度検知手段と、
被転写物体用保存ステージに設けられた複数のペルチェ
素子とを備えていて、温度検知手段の検知温度によりペ
ルチェ素子を温度制御する構成にしたことを特徴とする
露光装置。
ることにより、たとえば恒温に保ち、パターン転写の倍
率誤差を補正することができる露光装置を提供する。 【構成】 被転写物体用保持ステージに設置された被転
写物体にマスク用保持ステージに設置されたマスクのパ
ターンを転写する露光装置において、マスク、被転写物
体、マスク用保持ステージ及び被転写物体用保持ステー
ジの少なくとも一つの温度を検知する温度検知手段と、
被転写物体用保存ステージに設けられた複数のペルチェ
素子とを備えていて、温度検知手段の検知温度によりペ
ルチェ素子を温度制御する構成にしたことを特徴とする
露光装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、保持ステージに設置
された被転写物体にマスクのパターンを転写する露光装
置に関する。
された被転写物体にマスクのパターンを転写する露光装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィーにおいては、被転
写物体たとえばガラス基板に塗布したレジストに対して
マスクを対向させ、このマスクに光を当て、マスクのパ
ターンをレジストに転写する。
写物体たとえばガラス基板に塗布したレジストに対して
マスクを対向させ、このマスクに光を当て、マスクのパ
ターンをレジストに転写する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】倍率誤差の発生原因を
分析すると、大きく２つの要因をあげることができる。
第１は、半導体製造工程中のガラス基板の加熱によって
ガラス基板に残留伸び（ヒステリシス）が生じることで
ある。第２は、露光光によりマスク及びガラス基板の熱
膨張が生じることである。
分析すると、大きく２つの要因をあげることができる。
第１は、半導体製造工程中のガラス基板の加熱によって
ガラス基板に残留伸び（ヒステリシス）が生じることで
ある。第２は、露光光によりマスク及びガラス基板の熱
膨張が生じることである。
【０００４】一方、投影レンズを用いた光学系における
露光装置においては、パターンの転写倍率の誤差を補正
する際、転写するための光学系によって倍率補正を行っ
ている。
露光装置においては、パターンの転写倍率の誤差を補正
する際、転写するための光学系によって倍率補正を行っ
ている。
【０００５】しかしながら、特にプロキシミティ型式の
露光装置においては、転写するための光学系を倍率補正
に利用しがたく、パターン転写の倍率誤差を補正する技
術は何ら実用化されていないのが現状である。
露光装置においては、転写するための光学系を倍率補正
に利用しがたく、パターン転写の倍率誤差を補正する技
術は何ら実用化されていないのが現状である。
【０００６】マスク自体を空冷することにより、露光に
伴うマスクの熱膨張を抑える方法が知られているが、こ
のようなやり方ではマスクの膨張をあまり効果的に抑え
ることができず、マスクパターンの転写精度に対して能
動的な対処を取ることができなかった。また、吹き付け
による発麈がマスク付近に生じる虞があった。
伴うマスクの熱膨張を抑える方法が知られているが、こ
のようなやり方ではマスクの膨張をあまり効果的に抑え
ることができず、マスクパターンの転写精度に対して能
動的な対処を取ることができなかった。また、吹き付け
による発麈がマスク付近に生じる虞があった。
【０００７】図７に概略を示すように、半導体製造工程
においては、第１工程Ａでガラス基板にレジストをコー
トし、その後、第２工程Ｂで１５０℃位の温度でベーク
（乾かす作業）を行い、その次に第３工程Ｃで冷却手段
を使って２３℃程度に冷却している。そのあと第４工程
Ｄとして露光を行って、さらに現像（第５工程Ｅ）とエ
ッチング（第６工程Ｆ）を行う。
においては、第１工程Ａでガラス基板にレジストをコー
トし、その後、第２工程Ｂで１５０℃位の温度でベーク
（乾かす作業）を行い、その次に第３工程Ｃで冷却手段
を使って２３℃程度に冷却している。そのあと第４工程
Ｄとして露光を行って、さらに現像（第５工程Ｅ）とエ
ッチング（第６工程Ｆ）を行う。
【０００８】第３工程Ｃのとき１５０℃位に加熱されて
膨張していたガラス基板は、第３工程Ｃにおいて、急激
な温度変化により膨張時の伸びが残留する場合がある。
膨張していたガラス基板は、第３工程Ｃにおいて、急激
な温度変化により膨張時の伸びが残留する場合がある。
【０００９】第４工程Ｄのとき、露光装置において、露
光光によりマスク及びガラス基板が熱膨張する。それに
より、転写されるマスクのパターンの大きさが変化し、
基板上には転写するパターンに誤差が生じてしまう。
光光によりマスク及びガラス基板が熱膨張する。それに
より、転写されるマスクのパターンの大きさが変化し、
基板上には転写するパターンに誤差が生じてしまう。
【００１０】実際には、主に上述した２つの要因が複合
して、倍率誤差が発生する。
して、倍率誤差が発生する。
【００１１】そこで、本願発明は、上記問題点を解決
し、ガラス基板などの被転写物体の温度を制御すること
により、パターン転写の倍率誤差を補正することができ
る露光装置を提供することを目的とする。あるいは、本
願発明は、被転写物体の温度を恒温に保ち、パターン転
写の倍率誤差を補正するようにすることができる露光装
置を提供することを目的とする。
し、ガラス基板などの被転写物体の温度を制御すること
により、パターン転写の倍率誤差を補正することができ
る露光装置を提供することを目的とする。あるいは、本
願発明は、被転写物体の温度を恒温に保ち、パターン転
写の倍率誤差を補正するようにすることができる露光装
置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願発明は、被転写物体用保持ステージに設置され
た被転写物体にマスク用保持ステージに設置されたマス
クのパターンを転写する露光装置において、マスク、被
転写物体、マスク用保持ステージ及び被転写物体用保持
ステージの少なくとも一つの温度を検知する温度検知手
段と、複数の領域に分割された被転写物体用保存ステー
ジの夫々の領域の温度を制御する温度制御手段と設け、
温度検知手段と温度制御手段を用いて複数の領域毎に各
々制御するように構成したことを特徴とする露光装置を
要旨とする。
に、本願発明は、被転写物体用保持ステージに設置され
た被転写物体にマスク用保持ステージに設置されたマス
クのパターンを転写する露光装置において、マスク、被
転写物体、マスク用保持ステージ及び被転写物体用保持
ステージの少なくとも一つの温度を検知する温度検知手
段と、複数の領域に分割された被転写物体用保存ステー
ジの夫々の領域の温度を制御する温度制御手段と設け、
温度検知手段と温度制御手段を用いて複数の領域毎に各
々制御するように構成したことを特徴とする露光装置を
要旨とする。
【００１３】
【実施例】図１ないし図６は本願発明の第１ないし第４
実施例を示す。
実施例を示す。
【００１４】この発明の露光装置の第１〜第４実施例に
おいては、光源部１と保持手段２を備えている。光源部
１は、マスク３に対して光Ｌを照射する。保持手段２
は、マスク用保持ステージ６と被転写物体用保持ステー
ジ例えば基板用保持ステージ７を有している。マスク用
保持ステージ６はマスク３の周辺部分を真空吸着によっ
て固定して支持している。基板用保持ステージ７は基板
８を真空吸着によって固定して支持している。基板８の
上面にはレジスト９が塗布されている。
おいては、光源部１と保持手段２を備えている。光源部
１は、マスク３に対して光Ｌを照射する。保持手段２
は、マスク用保持ステージ６と被転写物体用保持ステー
ジ例えば基板用保持ステージ７を有している。マスク用
保持ステージ６はマスク３の周辺部分を真空吸着によっ
て固定して支持している。基板用保持ステージ７は基板
８を真空吸着によって固定して支持している。基板８の
上面にはレジスト９が塗布されている。
【００１５】露光による熱膨張および前工程からの残留
熱膨張があると、基板８にはマスク３のパターンが誤差
をもって転写されることになるが、基板用保持ステージ
７の表面及び／または裏面に取り付けられたペルチェ素
子１１（例えば、ビスマス・テルル熱電半導体）を設け
ることにより、基板８の温度を制御して、恒温状態に維
持したり温度を変化させたりして、マスク３のパターン
を基板８に転写する倍率を補正する。
熱膨張があると、基板８にはマスク３のパターンが誤差
をもって転写されることになるが、基板用保持ステージ
７の表面及び／または裏面に取り付けられたペルチェ素
子１１（例えば、ビスマス・テルル熱電半導体）を設け
ることにより、基板８の温度を制御して、恒温状態に維
持したり温度を変化させたりして、マスク３のパターン
を基板８に転写する倍率を補正する。
【００１６】図１の露光装置においては、温度制御手段
の一例として、基板用保持ステージ７の裏面に複数のペ
ルチェ素子１１が取り付けられていて、それに対応して
基板用保持ステージ７の表面と裏面にそれぞれ温度検知
手段１４、１５（図１には表面と裏面に代表的に１個の
み示してある）が設けられている。マスク用保持ステー
ジ６の表面にも温度検知手段１６（代表的に１個のみ図
示してある）が設けられている。ペルチェ温度コントロ
ーラ１７は、これらのペルチェ素子１１や温度検知手段
１４、１５、１６に電気的に接続されている。
の一例として、基板用保持ステージ７の裏面に複数のペ
ルチェ素子１１が取り付けられていて、それに対応して
基板用保持ステージ７の表面と裏面にそれぞれ温度検知
手段１４、１５（図１には表面と裏面に代表的に１個の
み示してある）が設けられている。マスク用保持ステー
ジ６の表面にも温度検知手段１６（代表的に１個のみ図
示してある）が設けられている。ペルチェ温度コントロ
ーラ１７は、これらのペルチェ素子１１や温度検知手段
１４、１５、１６に電気的に接続されている。
【００１７】温度制御は種々の態様を採用できる。たと
えば、温度検知手段１４、１５、１６によってマスク３
のパターン上の温度および基板８上の温度を検知して、
ペルチェ温度コントローラ１７で両者の検知温度を比較
し、マスク３よりも基板８のほうが温度が高い場合には
ペルチェ素子１１により基板８上の温度を下げるように
制御する。
えば、温度検知手段１４、１５、１６によってマスク３
のパターン上の温度および基板８上の温度を検知して、
ペルチェ温度コントローラ１７で両者の検知温度を比較
し、マスク３よりも基板８のほうが温度が高い場合には
ペルチェ素子１１により基板８上の温度を下げるように
制御する。
【００１８】また、温度検知手段１４、１５、１６によ
ってマスク３のパターン上の温度および基板８上の温度
を検知して、基板８上の温度を所定の温度に設定するよ
うに、ペルチェ素子１１により基板８上の温度を一定に
保つように制御する。
ってマスク３のパターン上の温度および基板８上の温度
を検知して、基板８上の温度を所定の温度に設定するよ
うに、ペルチェ素子１１により基板８上の温度を一定に
保つように制御する。
【００１９】なお、マスク３と基板８には、例えば＋マ
ークと＃マークなどのアライメントマークが付けてあ
り、夫々のアライメントマークを観察して、＃マークの
中央に＋マークがくるように、基板用保持ステージ７の
温度を制御して位置決めを行い、所定の位置における温
度で設定を行うことで、マスク３の温度検出に拘らず、
基板８の露光倍率補正を行うことができる。
ークと＃マークなどのアライメントマークが付けてあ
り、夫々のアライメントマークを観察して、＃マークの
中央に＋マークがくるように、基板用保持ステージ７の
温度を制御して位置決めを行い、所定の位置における温
度で設定を行うことで、マスク３の温度検出に拘らず、
基板８の露光倍率補正を行うことができる。
【００２０】図２〜図６は、図１の実施例の温度制御手
段であるペルチェ素子１１の具体的な配置例を示す。
段であるペルチェ素子１１の具体的な配置例を示す。
【００２１】図２〜３の配置例においては、温度制御手
段として、基板用保持ステージ７の裏面に１６個のペル
チェ素子１１ａ〜１１ｐを取り付けている。基板用保持
ステージ７の裏面には各ペルチェ素子１１ａ〜１１ｐに
対応してそれぞれ温度検知手段１５ａ〜１５ｉ（図２に
は４個のみ代表的に例示してある）が設けられている。
ペルチェ温度コントローラ１７は、これらのペルチェ素
子１１ａ〜１１ｐや温度検知手段１５ａ〜１５ｄに電気
的に接続されており、それぞれに独立した制御系統を有
している。
段として、基板用保持ステージ７の裏面に１６個のペル
チェ素子１１ａ〜１１ｐを取り付けている。基板用保持
ステージ７の裏面には各ペルチェ素子１１ａ〜１１ｐに
対応してそれぞれ温度検知手段１５ａ〜１５ｉ（図２に
は４個のみ代表的に例示してある）が設けられている。
ペルチェ温度コントローラ１７は、これらのペルチェ素
子１１ａ〜１１ｐや温度検知手段１５ａ〜１５ｄに電気
的に接続されており、それぞれに独立した制御系統を有
している。
【００２２】このようにペルチェ素子１１ａ〜１１ｐは
並列にペルチェ温度コントロール１７に接続されてお
り、図３の配置例では、基板８を９分割した配置に合わ
せて基板用保持ステージ７に９個のグループに複数のペ
ルチェ素子を配置する。さらに、図４のように５分割し
て５個のグループに複数のペルチェ素子を配置する場
合、図５のように３分割して３個のグループに複数のペ
ルチェ素子を配置する場合、図６のように同心円状に３
個のグループに複数のペルチェ素子を配置する場合等が
ある。
並列にペルチェ温度コントロール１７に接続されてお
り、図３の配置例では、基板８を９分割した配置に合わ
せて基板用保持ステージ７に９個のグループに複数のペ
ルチェ素子を配置する。さらに、図４のように５分割し
て５個のグループに複数のペルチェ素子を配置する場
合、図５のように３分割して３個のグループに複数のペ
ルチェ素子を配置する場合、図６のように同心円状に３
個のグループに複数のペルチェ素子を配置する場合等が
ある。
【００２３】マスク３の温度測定は種々の態様を採用で
きる。たとえば、基板８を搬送せずに、あらかじめ図示
しない熱電対をマスク面の数箇所に取り付け、マスク３
の温度分布を測定しておき、その温度分布を基にして、
マスク用保持ステージ６の表面に設けられた温度検知手
段１６とマスク３の中央部分との温度比をペルチェ温度
コントロール１７に記憶しておき、記憶された温度比に
より、基板用保持ステージ７を温度制御する。
きる。たとえば、基板８を搬送せずに、あらかじめ図示
しない熱電対をマスク面の数箇所に取り付け、マスク３
の温度分布を測定しておき、その温度分布を基にして、
マスク用保持ステージ６の表面に設けられた温度検知手
段１６とマスク３の中央部分との温度比をペルチェ温度
コントロール１７に記憶しておき、記憶された温度比に
より、基板用保持ステージ７を温度制御する。
【００２４】また、基板８を搬送させて、所定位置に搬
送させた後、自動的に熱電対をアーム（図示せず）を用
いて温度設定することもできる。この場合も、その温度
分布を基にして、ペルチェ温度コントロール１７に記憶
しておき、記憶された温度比により、基板用保持ステー
ジ７を温度制御する。自動的に熱電対をアーム（図示せ
ず）を用いて温度測定するので、マスク用保持ステージ
６の表面に設けられた温度検知手段１６を設けなくても
よい。
送させた後、自動的に熱電対をアーム（図示せず）を用
いて温度設定することもできる。この場合も、その温度
分布を基にして、ペルチェ温度コントロール１７に記憶
しておき、記憶された温度比により、基板用保持ステー
ジ７を温度制御する。自動的に熱電対をアーム（図示せ
ず）を用いて温度測定するので、マスク用保持ステージ
６の表面に設けられた温度検知手段１６を設けなくても
よい。
【００２５】基板８を９分割してペルチェ素子を配置し
ている例において、温度検知手段１５ａ〜１５ｉにより
マスク面が中央部分で温度が高く周辺部で低く検知した
場合には、基板用保持ステージ７の中央部分の温度を高
く制御させ、周辺部を低く制御させて、分割された各々
の領域を独立して温度制御させることができる。
ている例において、温度検知手段１５ａ〜１５ｉにより
マスク面が中央部分で温度が高く周辺部で低く検知した
場合には、基板用保持ステージ７の中央部分の温度を高
く制御させ、周辺部を低く制御させて、分割された各々
の領域を独立して温度制御させることができる。
【００２６】その他、基板８を５分割した配置に合わせ
て複数のペルチェ素子を基板保持用ステージ７に配置す
る図４の場合、３分割して配置する図５の場合、同心円
状に配置する図６の場合も、図２〜３の場合と同様に温
度制御することができる。
て複数のペルチェ素子を基板保持用ステージ７に配置す
る図４の場合、３分割して配置する図５の場合、同心円
状に配置する図６の場合も、図２〜３の場合と同様に温
度制御することができる。
【００２７】マスク面の温度分布を測定する方法は、上
記熱電対に限定されず、サーモグラフィや赤外線温度セ
ンサを用いたり、マスク面に接触して温度を測定したり
する方法がある。
記熱電対に限定されず、サーモグラフィや赤外線温度セ
ンサを用いたり、マスク面に接触して温度を測定したり
する方法がある。
【００２８】
【発明の効果】この発明によれば、パターンの露光精度
が向上し、液晶基板等の設計の自由度が向上するととも
に歩留りが向上する。この点を液晶基板用カラーフィル
タを例にとって述べると、ブラックマトリスの線巾は、
本来、液晶パネルの開口率を向上させるために細かい方
がよいが、カラーパターンの重ね合わせ露光のアライメ
ント誤差（倍率誤差）を吸収するために、必要以上に太
いものになっているが、本発明によれば、そのような制
約がなくなり、設計の自由度が向上するとともに歩留り
が向上する。
が向上し、液晶基板等の設計の自由度が向上するととも
に歩留りが向上する。この点を液晶基板用カラーフィル
タを例にとって述べると、ブラックマトリスの線巾は、
本来、液晶パネルの開口率を向上させるために細かい方
がよいが、カラーパターンの重ね合わせ露光のアライメ
ント誤差（倍率誤差）を吸収するために、必要以上に太
いものになっているが、本発明によれば、そのような制
約がなくなり、設計の自由度が向上するとともに歩留り
が向上する。
【００２９】また、ステッパー、ミラープロジェクショ
ン露光装置とライン上に混合して使用する際にも、重ね
合わせ精度が向上するので、プロキシミティ形式の露光
装置を使用できる領域が増える。
ン露光装置とライン上に混合して使用する際にも、重ね
合わせ精度が向上するので、プロキシミティ形式の露光
装置を使用できる領域が増える。
【００３０】また、マスク交換の直後の倍率精度が問題
となる場合にも倍率補正が行えるので、安定した露光が
実行できる。
となる場合にも倍率補正が行えるので、安定した露光が
実行できる。
【００３１】要するに、本発明によれば、パターンの露
光精度が向上し、半導体製造のみならず近年の液晶基板
構造上の歩留まりが向上する。
光精度が向上し、半導体製造のみならず近年の液晶基板
構造上の歩留まりが向上する。
【図１】図１は、複数のペルチェ素子を用いた本発明装
置の一例を示す概略断面図。
置の一例を示す概略断面図。
【図２】図２は、図１のペルチェ素子の配置の第１実施
例を示す概略側面図。
例を示す概略側面図。
【図３】図３のペルチェ素子の配置例（第１実施例）を
示す裏面図。
示す裏面図。
【図４】図４は、別の配置のしかたで１６個のペルチェ
素子を用いた本発明の第２実施例を示す裏面図。
素子を用いた本発明の第２実施例を示す裏面図。
【図５】図５は、本発明の第３実施例を示す裏面図。
【図６】図６は、本発明の第４実施例を示す裏面図。
【図７】図７は、一連の製造工程を示す図である。
１ 光源部 ２ 支持手段 ３ マスク ６ マスク用保持ステージ ７ 基板用保持ステージ ８ 基板 ９ レジスト １０ 溝 １１ａ〜１１ｐペルチェ素子 １５ａ〜１５ｄ、１６ 温度検知手段
Claims (1)
- 【請求項１】 被転写物体用保持ステージに設置された
被転写物体にマスク用保持ステージに設置されたマスク
のパターンを転写する露光装置において、 マスク、被転写物体、マスク用保持ステージ及び被転写
物体用保持ステージの少なくとも一つの温度を検知する
温度検知手段と、 複数の領域に分割された被転写物体用保持ステージの夫
々の領域の温度を制御する温度制御手段とを設け、 温度検知手段と温度制御手段を用いて複数の領域毎に各
々制御するように構成したことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227813A JPH06204116A (ja) | 1993-08-01 | 1993-08-23 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227813A JPH06204116A (ja) | 1993-08-01 | 1993-08-23 | 露光装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4358032A Division JPH06196383A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204116A true JPH06204116A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=16866785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5227813A Pending JPH06204116A (ja) | 1993-08-01 | 1993-08-23 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204116A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216554A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Nikon Corp | 温度測定装置、走査型露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| US20130093113A1 (en) * | 2011-10-14 | 2013-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method using same |
| JP2017152673A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-08-31 | ボード・オブ・リージェンツ， ジ・ユニバーシティー・オブ・テキサス・システム | ジェット・アンド・フラッシュ・インプリントリソグラフィにおけるマルチフィールドオーバーレイ制御 |
| US10359696B2 (en) | 2013-10-17 | 2019-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, and method of manufacturing article |
-
1993
- 1993-08-23 JP JP5227813A patent/JPH06204116A/ja active Pending
Cited By (8)
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