JP2000284492A - 露光装置、露光方法及びプログラムを記録した記憶媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 解像度とスループットを両立し、高性能の液
晶表示装置などの各種の装置を低コストで製造すること
ができる露光装置、露光方法及びプログラムを記録した
記憶媒体を提供することを目的とする。 【解決手段】 互いに異なる解像度を有する２つの露光
光学系が、ひとつの基板ステージを共有するという独特
の構成によって、高いスループットで正確な露光処理を
実行することができる。すなわち、解像度がそれほど要
求されない領域は低解像度の露光光学系により迅速に露
光し、解像度が要求される領域は高解像度を有する露光
光学系により精密に露光することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置、露光方
法及びプログラムを記録した記憶媒体に関する。より詳
細には、本発明は、液晶やＥＬ（elelctroluminescenc
e）などを利用した表示装置の製造に用いて好適な露光
装置、露光方法及びプログラムを記録した記憶媒体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータや各種の
ＰＤＡ（personal data assistant：個人用携帯情報機
器）あるいはテレビ受像器などの表示装置として、液晶
表示装置が多用されつつある。また、いわゆる自発光型
の平面型表示装置として、ＥＬ（elelctroluminescenc
e）素子を用いたものも開発されつつある。

【０００３】液晶表示装置やＥＬ表示装置は、ガラスな
どの基板上にポリシリコン層や絶縁層、金属層などを積
層・パターニングして製造される。

【０００４】図１５は、液晶表示装置の平面構成を表す
概念図である。すなわち、同図に例示した液晶表示装置
は、ガラス基板上に形成したポリシリコンＴＦＴ（Thin
Film Transistor）を利用したアクティブ・マトリクス
型液晶表示装置である。同図に例示した液晶表示装置１
００においては、画素領域１１０、Ｘドライバ１２０、
Ｙドライバ１３０、及び制御部１４０が図示の如く設け
られている。画素領域１１０は、マトリクス状に配列さ
れたＴＦＴを有する。これらのＴＦＴは各画素に対応
し、液晶に印加される映像信号をスイッチングする。

【０００５】Ｘドライバ１２０は、映像信号を画素領域
１１０の各ＴＦＴに供給する役割を有する。Ｙドライバ
１３０は、画素領域１１０の各ＴＦＴのスイッチング動
作を制御するゲート信号を供給する役割を有する。

【０００６】制御部１４０は、Ｘドライバ１２０とＹド
ライバ１３０の動作タイミングなどを制御する役割を有
する。

【０００７】ガラス基板上に形成する半導体層として、
ポリシリコンを用いると、画素領域１１０のＴＦＴだけ
でなく、Ｘドライバ１２０、Ｙドライバ１３０あるいは
制御部１４０を構成するトランジスタも画素領域と同時
に形成することができる。

【０００８】つまり、液晶表示装置のコストを大幅に低
減し、小型化、軽量化、信頼性の向上などを実現するこ
とができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１５に例
示したような液晶表示装置の製造に際しては、ポリシリ
コン層や絶縁層あるいは各種の金属配線層などを所定の
パターンに微細加工する必要がある。このような微細加
工に際しては、露光装置を用いたＰＥＰ（PhotoEngravi
ng Process：写真蝕刻プロセス）が多用される。

【００１０】しかし、従来の露光装置においては、光学
的な解像度と露光プロセスのスループットとがトレード
オフの関係にあり、液晶表示装置の高性能化と低コスト
化を両立することが困難であった。

【００１１】例えば、図１５に例示した液晶表示装置の
場合には、画素領域１１０において要求される解像度は
５〜６μｍ程度であり、今後高精細化が進んでも２〜４
μｍ程度である。このような解像度においては、比較的
スループットの高い露光装置を用いることが可能とな
る。例えば、ミラープロジェクション型の露光装置を用
いることにより、対角サイズ１０インチ程度の液晶表示
パネルを１枚あたり１分程度のタクトタイムで製造する
ことが可能である。

【００１２】これに対して、Ｘドライバ１１０、Ｙドラ
イバ１２０及び制御部１４０を高集積化する要求があ
る。例えば、周辺回路のデザインルールをサブミクロン
のサイズに高集積化すれば、液晶表示装置を小型化軽量
化することができる。さらに、ドライバ回路のみなら
ず、ＣＰＵやメモリ機能あるいは各種のセンサ機能など
もパネル上に集積することが可能となる。

【００１３】しかし、サブミクロンの解像度に対応する
ためには、露光装置として解像度の高いステッパを使用
する必要がある。しかし、このような高解像度のステッ
パは、光学的な要請から一回の光照射面積が小さく、ス
ループットが低い。例えば、対角サイズ１０インチ程度
の液晶表示パネル１枚あたりの露光タクトタイムは８分
程度となり、ミラープロジェクション型の８倍となる。

【００１４】本発明は、かかる課題の認識に基づいてな
されたものである。すなわち、その目的は、解像度とス
ループットを両立し、高性能の液晶表示装置などの各種
の装置を低コストで製造することができる露光装置、露
光方法及びプログラムを記録した記憶媒体を提供するこ
とにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的の達成のため
に、本発明の画像形成装置は、第１の解像度を有する第
１の露光光学系と、前記第１の解像度とは異なる第２の
解像度を有する第２の露光光学系と、基板ステージと、
を備え、前記基板ステージの上に載置された基板上に、
前記第１の露光光学系と前記第２の露光光学系のそれぞ
れから光学的なパターンを投影可能としたことを特徴と
する。

【００１６】上記構成により、低解像度でよい領域は迅
速に露光し、高解像度が要求される領域は精密に露光す
ることが可能となり、高性能の液晶表示装置などを極め
て高いスループットで製造することができる。

【００１７】ここで、本発明の望ましい実施の形態とし
て、前記基板ステージは、その上に載置された基板に対
して前記第１の露光光学系により前記光学パターンが投
影可能となる第１の位置と、前記第２の露光光学系によ
り前記光学パターンが投影可能となる第２の位置との間
を移動可能とされたことを特徴とし、基板ステージを共
通化することにより、簡素な構成で操作性の高い露光装
置とすることができる。

【００１８】また、前記第１の露光光学系と前記第２の
露光光学系のそれぞれは、前記基板ステージの上に載置
された前記基板に対して前記光学パターンが投影可能と
なる位置に移動可能とされたことを特徴とし、光学系を
移動切り替えして最適な解像度を選択することができ
る。

【００１９】また、前記基板ステージの位置を検出する
第１の位置検出手段をさらに備えたことを特徴とし、ア
ライメントデータの取得を可能とすることができる。

【００２０】また、前記第１の露光光学系より投影され
る前記光学パターンを形成するための第１の露光マスク
を保持する第１の保持手段と、前記第２の露光光学系よ
り投影される前記光学パターンを形成するための第２の
露光マスクを保持する第２の保持手段と、をさらに備え
たことを特徴とし、２つの光学系のそれぞれにレチクル
を設け、連続的に露光することができる。

【００２１】また、露光マスクを保持する保持手段をさ
らに備え、前記保持手段により保持される露光マスクの
第１の部分を用いて前記第１の露光光学系より投影され
る前記光学パターンを形成し、前記保持手段により保持
される露光マスクの第２の部分を用いて前記第２の露光
光学系より投影される前記光学パターンを形成すること
を特徴とし、レチクルを共通化することが可能となる。

【００２２】また、前記保持手段に保持された前記露光
マスクの位置を検出する第２の位置検出手段をさらに備
えたことを特徴とし、レチクルの位置に関する情報を得
ることができる。

【００２３】また、前記基板ステージと前記露光マスク
との相対的な位置関係に関する情報を格納する記憶手段
をさらに備え、アライメントデータを得ることができ
る。

【００２４】同様に、前記基板ステージと、前記第１の
露光光学系と前記第２の露光光学系のいずれか一方との
相対的な位置関係に関する情報を格納することによって
も、アライメントデータを得ることができる。

【００２５】また、前記第１の露光光学系と前記第２の
露光光学系のいずれか一方における前記光学パターンの
投影に際して前記格納した前記相対的な位置関係に関す
る前記情報に基づき、前記第１の露光光学系と前記第２
の露光光学系のいずれか他方における前記光学パターン
の投影における基板ステージと前記露光マスクとの相対
的な位置関係を決定することを特徴とし、アライメント
データを共通化することができる。

【００２６】同様に、前記基板ステージと、前記第１の
露光光学系と前記第２の露光光学系のいずれか一方との
相対的な位置関係に関する情報に基づき、前記第１の露
光光学系と前記第２の露光光学系のいずれか他方におけ
る前記光学パターンの投影における基板ステージと前記
いずれか他方の露光光学系との相対的な位置関係を決定
することを特徴とし、アライメントデータを共通化する
こともできる。

【００２７】また、前記第１の露光光学系の最大投影面
積と前記第２の露光光学系の最大投影面積とが異なるこ
とを特徴とし、光学系の解像度に合わせた露光面積を得
ることができる。

【００２８】前記第１の露光光学系の焦点深度と前記第
２の露光光学系の焦点深度とが異なることを特徴とし、
解像度が低い光学系においては、深い焦点深度として焦
点合わせを容易にすることができる。

【００２９】一方、本発明の露光方法は、第１の解像度
を有する第１の露光光学系と、前記第１の解像度とは異
なる第２の解像度を有する第２の露光光学系と、基板ス
テージと、を用いた露光方法であって、前記基板ステー
ジの上に基板を載置するステップと、前記第１の露光光
学系と前記第２の露光光学系のいずれか一方を用いて光
学的なパターンを前記基板上に投影する第１の露光ステ
ップと、前記第１の露光光学系及び前記第２の露光光学
系と前記基板ステージとの相対的な位置関係を変化させ
るステップと、前記第１の露光光学系と前記第２の露光
光学系のいずれか他方を用いて光学的なパターンを前記
基板上に投影する第２の露光ステップと、を備えたこと
を特徴とする。

【００３０】上記構成により、低解像度でよい領域は迅
速に露光し、高解像度が要求される領域は精密に露光す
ることが可能となり、高性能の液晶表示装置などを極め
て高いスループットで製造することができる。

【００３１】ここで、前記第１の露光ステップは、露光
マスクの一部を用いて前記光学的なパターンを投影し、
前記第２の露光ステップは、前記第１の露光ステップに
おける前記露光マスクと前記基板ステージとの相対的な
位置関係に関する情報に基づいて前記露光マスクと前記
基板ステージとの相対的な位置関係を決定した後に、前
記露光マスクの他の一部を用いて前記光学的なパターン
を投影することを特徴とし、アライメントデータを共有
してさらに迅速な露光処理が可能となる。

【００３２】また、前記第１の露光ステップの前に前記
基板上に感光体層を形成するステップをさらに備え、前
記第１の露光ステップにより前記感光体層の一部を露光
し、前記第２の露光ステップにより前記感光体層の他の
一部を露光することを特徴とし、レジストを共通化する
ことによってさらに迅速なプロセスが可能となる。

【００３３】また、前記基板を複数の露光領域に分割
し、前記複数の露光領域のそれぞれについて、略近接す
る順番に基づいて前記第１の露光光学系と前記第２の露
光光学系のいずれかにより前記光学的パターンを投影す
ることを特徴とし、場所順次方式により露光を円滑に進
めることができる。

【００３４】また、前記基板を複数の露光領域に分割
し、前記複数の露光領域のうちで第１の解像度を要求す
る露光領域について前記第１の露光光学系による露光を
実施し、しかる後に前記複数の露光領域のうちで第２の
解像度を要求する露光領域について前記第２の露光光学
系による露光を実施することを特徴とし、解像度順次方
法により露光を円滑に進めることができる。

【００３５】一方、本発明の記録媒体は、第１の解像度
を有する第１の露光光学系と、前記第１の解像度とは異
なる第２の解像度を有する第２の露光光学系と、基板ス
テージと、を有する露光装置を制御するプログラムを記
録した記録媒体であって、前記プログラムは、前記第１
の露光光学系と前記第２の露光光学系のいずれか一方を
用いて露光マスクの一部から形成される光学的なパター
ンを前記基板上に投影する際に、前記露光マスクと前記
基板ステージとの相対的な位置関係に関する情報を取得
するステップと、前記第１の露光光学系及び前記第２の
露光光学系と前記基板ステージとの相対的な位置関係を
変化させるステップと、前記相対的な位置関係に関する
情報に基づいて前記露光マスクと前記基板ステージの位
置を決定するステップと、前記第１の露光光学系と前記
第２の露光光学系のいずれか他方を用いて前記露光マス
クの他の一部から形成される光学的なパターンを前記基
板上に投影させるステップと、を備えたことを特徴とす
る。

【００３６】上記構成により、低解像度でよい領域は迅
速に露光し、高解像度が要求される領域は精密に露光す
ることが可能となり、高性能の液晶表示装置などを極め
て高いスループットで製造することができる。

【００３７】ここで、「記録媒体」とは、例えば、ハー
ドディスク（ＨＤ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍ、光磁気記録媒体、フレキシブル・ディスク（ＦＤ）
やＣＤ−ＲＯＭなどの他に、ＲＡＭやＲＯＭなどの各種
メモリも含む。

【００３８】また、これらの媒体に記録されるべきプロ
グラムをそのままの状態で、あるいは必要に応じて暗号
化したり、変調をかけたり、圧縮したような状態で、イ
ントラネットやインターネットなどの有線回線や無線回
線を介して頒布しても良い。

【００３９】

【発明の実施の形態】本発明によれば、１つの基板ステ
ージと２つ以上の解像度の異なる光学系とを組み合わせ
ることにより、解像度とスループットを両立することが
できる。

【００４０】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照しつつ説明する。

【００４１】図１は、本発明に係る露光装置の要部構成
を表すブロック図である。すなわち、本発明の露光装置
１０Ａは、第１の露光光学系１２、第２の露光光学系１
４、基板ステージ１６を備える。第１の露光光学系１２
と第２の露光光学系１４は、互いに異なる解像度を有
し、基板ステージ１６の上に載置された基板Ｓの各部を
必要に応じて適宜露光することができる。基板Ｓは、例
えばバキュームチャックなどの手段により基板ステージ
１６の上において固定可能とされる。

【００４２】基板ステージ１６は、ステージ駆動部２０
によりｘｙｚ及びθ方向に移動可能とされ、位置検出手
段２２によりその位置が検出される。位置検出手段２２
により検出された基板ステージ１６の位置に関する情報
は、露光データ取得部２４において蓄積される。

【００４３】一方、露光光学系１２、１４と基板ステー
ジ１６との間には、それぞれレチクルホルダ２６、２８
が設けられ、レチクル調節部３０、３２によって移動可
能とされている。それそれのレチクルホルダには、レチ
クル（露光マスク）Ｒ１、Ｒ２を着脱自在にセットする
ことができる。

【００４４】露光光学系１２、１４、ステージ駆動部２
０、露光データ取得部２４及びレチクル調整部３０、３
２は、それぞれ制御部４０により制御され連携動作が可
能とされている。

【００４５】また、図２は、本発明に係る第２の露光装
置の要部構成を表すブロック図である。すなわち、露光
装置１０Ｂも、第１の露光光学系１２、第２の露光光学
系１４、基板ステージ１６を備える。第１の露光光学系
１２と第２の露光光学系１４は、互いに異なる解像度を
有し、基板ステージ１６の上に載置された基板Ｓの各部
を必要に応じて適宜露光することができる。但し、この
具体例においては、それぞれの露光光学系に駆動部３
６、３８が設けられている。すなわち、基板ステージ１
６を固定し、露光光学系とレチクルを切り替えて用いる
ことが可能とされている。

【００４６】以上説明したように、本発明の露光装置
は、互いに異なる解像度を有する２つの露光光学系１
２、１４が、ひとつの基板ステージ１６を共有するとい
う独特の構成を有する。これらの露光光学系は、解像度
が異なるが、同時にショットサイズすなわち一度に露光
可能な面積も異なる。すなわち、一般に露光光学系の解
像度とショットサイズとはトレードオフの関係にある。
従って、高い解像度を有する光学系のショットサイズは
小さく、低い解像度を有する光学系のショットサイズは
大きい。これらの特徴をそれぞれ利用することにより高
いスループットで正確な露光処理を実行することができ
る。

【００４７】また、光学系の解像度が異なると焦点深度
（depth of focus：ＤＯＦ）も異なる。すなわち、高い
解像度を有する光学系の焦点深度は浅く、低い解像度を
有する光学系の焦点深度は深い。従って、低い解像度を
有する露光光学系を適宜選択して用いることにより、露
光パターンのピント合わせを迅速に行ってスループット
をさらに改善することができる。

【００４８】すなわち、本発明によれば、２種類のデザ
インルールが要求される各種の基板を迅速且つ正確に露
光することが可能となる。すなわち、従来よりも高い集
積密度の周辺回路を有する液晶表示装置などを極めて高
いスループットで製造することができる。

【００４９】図３は、本発明の露光装置により製造する
ことができる液晶表示装置の平面構成を例示する概念図
である。すなわち、同図の例においては、基板Ｓの中央
付近に画素領域２１０が設けられ、その上下にはＸドラ
イバ２１２、２１４が設けられている。また、画素領域
の左右には、Ｙドライバ２２０、２２２が設けられてい
る。Ｘドライバの上下には、メモリ部２３０、２３２が
設けられている。さらに、これらの周囲には、配線部２
２４〜２２７が設けられている。また、基板の左下に
は、ロジック部２４０が設けられ、さらに右上には接続
部２５０とＴＡＢ（tape automated bonding）用の端子
部２５２が設けられている。

【００５０】以上説明した液晶表示装置において、例え
ば、画素領域、ドライバ、配線部、接続部、端子部など
の部分は、高精細型表示が要求される場合であっても、
例えば２〜３μｍ程度のデザインルールにより形成する
ことができる。

【００５１】これに対して、画像データなどを蓄積する
メモリ部２３０、２３２や、画像信号の処理を行うロジ
ック部２４０は、例えば、各種の画像データのバッファ
や、画像データ処理あるいは論理演算処理などを実行す
る。従って、これらの領域のデザインルールを、例えば
０．６μｍ程度と高集積化すれば、データ蓄積容量や論
理演算機能を強化させ、従来よりもはるかに高機能の液
晶表示装置を小型軽量に実現することができる。

【００５２】本発明の露光装置によれば、このような複
雑な構成を有する液晶表示装置の製造にあたって、画素
領域やドライバなどの領域を低解像度の露光光学系によ
り迅速に露光し、論理部やメモリ部などを高解像度を有
する露光光学系により精度良く露光することができる。

【００５３】例えば、画素領域２１０などの２〜３μｍ
程度のデザインルールの領域に対しては、第１の露光光
学系１２として、ミラープロジェクション方式の露光光
学系を用いることにより、１ショットで３００×４００
ｍｍ²程度の領域を一度に露光することが可能となる。

【００５４】これに対して、第２の露光光学系１４とし
てレンズ・ステッパ方式の露光光学系を用いると、解像
度を０．６μｍあるいはそれ以上に高くすることが可能
となり、メモリ部２３０や論理部２４０などの微細なデ
ザインルールの領域を確実に形成することができる。

【００５５】しかも、本発明によれば、２つの露光光学
系の間で基板ステージ１６が共有されるので、これら２
つの露光光学系の間の移送を円滑且つ速やかに行うこと
ができる。

【００５６】次に、図１〜３を参照しつつ、本発明の露
光装置１０Ａ、１０Ｂの動作について説明する。

【００５７】図４は、露光装置１０Ａ、１０Ｂの基本的
な動作の一例を説明するためのフローチャートである。

【００５８】ここでは、一例として、図３に表した液晶
表示装置の基板の露光プロセスについて説明する。

【００５９】まず、図４にステップＳ１０と表したよう
に、基板Ｓを第１の露光光学系１２に配置する。すなわ
ち、基板Ｓを第１の露光光学系１２の露光可能領域に配
置する。図１に表した露光装置１０Ａの場合には、基板
Ｓを載置した基板ステージ１６を第１の露光光学系１２
の下に移動すれば良い。また、図２に表した露光装置１
０Ｂの場合には、第１の露光光学系１２を駆動部３６に
より駆動して基板ステージ１６の上に移動させれば良
い。

【００６０】次に、ステップＳ１１において、基板Ｓと
レチクルＲ１とのアライメントを調節する。すなわち、
基板Ｓの所定の位置にパターンが形成されるように基板
ＳとレチクルＲ１との位置関係を調節する。このアライ
メントの調節に際しては、「アライメントマーク」を用
いると良い。

【００６１】図５は、「アライメントマーク」の一例を
表す概略図である。同図の例では、ガラス基板Ｓの中央
部に６つのデバイスＤが形成され、その周囲にアライメ
ントマークＭが設けられている。ここで、デバイスＤの
それぞれは、例えば、図３に例示したような液晶表示装
置の基板に相当するものである。

【００６２】一方、レチクルにも、このようなアライメ
ントマークが設けられている。そして、図示しないレー
ザ光源や画像処理システムなどを用いることによって、
両者のアライメントマークを所定の位置関係に合わせる
ことより、両者のアライメントを調節することができ
る。

【００６３】次に、ステップＳ１２において露光データ
を取得する。すなわち、露光データ取得部２４は、ステ
ップＳ１１で得られたレチクルＲ１と基板Ｓとのアライ
メントに関する情報を入力し、格納する。ここで、「露
光データ」とは、レチクルＲと基板Ｓとの相対的な位置
関係に関するアライメントデータを含む概念である。液
晶表示装置に用いるガラス基板は、薄膜の堆積工程など
における加熱により、サイズが変化することがある。そ
の結果として、レチクルのパターンとの「ずれ」が生ず
る。このような基板とレチクルとの「ずれ」に関する情
報も露光データの一部として格納される。

【００６４】次に、ステップＳ１３において、第１の露
光光学系１２により露光を実行する。第１の露光光学系
１２と第２の露光光学系１４の解像度の関係は、いずれ
が高くても良いが、ここでは、一例して第１の露光光学
系の解像度が低い場合について説明する。この場合に
は、第１の露光光学系１２によって、図３に表した液晶
表示装置の画素領域２１０、ドライバ２１２、２１４及
び配線部２２４〜２２７などの領域を露光する。

【００６５】図６（ａ）及び（ｂ）は、この場合の基板
の露光に用いるレチクルＲ１、Ｒ２のパターンを表す概
念図である。

【００６６】すなわち、第１の露光光学系１２は、解像
度がそれほど要求されないので、例えば、ミラープロジ
ェクション型の光学系を採用することにより、画素領
域、ドライバ及び配線部の全てを一括露光することも可
能である。すなわち、図６（ａ）に表したように、レチ
クルＲ１は、基板Ｓのうちの低解像度の部分と同様のパ
ターンを有し、高解像度の部分すなわちロジック部やメ
モリ部は遮光されている。このようなレチクルＲ１を用
いて基板上にスキャン露光することができる。

【００６７】図５に例示したように基板Ｓの上に複数の
デバイスＤを形成する場合には、基板ステージ１６を順
次移動させ、それぞれのデバイス領域においてレチクル
Ｒ１による露光を実行することができる。

【００６８】次に、ステップＳ１４において、基板ステ
ージ１６を第２の露光光学系１４に配置する。すなわ
ち、露光装置１０Ａの場合には、基板Ｓを第２の露光光
学系１４の露光可能領域に移動させる。また、露光装置
１０Ｂの場合には、駆動部３８により第２の露光光学系
１４を基板ステージ１６の上に移動させる。

【００６９】次に、ステップＳ１５において、基板Ｓと
レチクルＲ２とのアライメントを調節する。この場合に
おいても、基板ＳとレチクルＲ２にそれぞれ設けられた
アライメントマークに基づいてレーザ光や画像処理シス
テムにより両者の位置関係を調節することができる。

【００７０】次に、ステップＳ１６において露光データ
を取得する。すなわち、露光データ取得部２４は、ステ
ップＳ１１で得られたレチクルＲ２と基板Ｓとのアライ
メントに関する情報を入力し、格納する。

【００７１】次に、ステップＳ１７において、第２の露
光光学系１４により露光を実行する。ここで、第２の露
光光学系１４として、レンズ・ステッパ方式の光学系を
用いる場合には、基板Ｓに形成するロジック部２４０や
メモリ部２３０、２３２を複数の領域に分割して高い解
像度で露光することができる。図６（ｂ）に例示したレ
チクルＲ２は、このように分割したパターンを有するも
のである。すなわち、レチクルＲ２には、ロジック部２
４０を分割したパターン２４０Ａ〜２４０Ｃとメモリ部
２３０、２３２を分割したパターン２３０Ａ、２３０
Ｂ、２３２Ａ、２３２Ｂを有する。レンズ・ステッパに
よる場合は、これらの分割パターンのそれぞれについて
順次つなぎながら露光を実行する。

【００７２】以上説明したように、本発明によれば、解
像度がそれほど要求されない領域は低解像度の露光光学
系により迅速に露光し、解像度が要求される領域は高解
像度を有する露光光学系により精密に露光することがで
きる。

【００７３】また、本発明によれば、解像度が低い領域
は、一括露光することが可能となる。その結果として、
ステッパなどを用いて複数のショットに分割露光する場
合に生ずる、「つなぎ精度」の問題を解消することがで
きる。すなわち、分割露光する場合にショット間でパタ
ーンの「ずれ」が生ずると、ＴＦＴの特性などがばらつ
き、表示の「色むら」などの問題が起こる。これに対し
て、本発明によれば、改造度の低い領域を一括露光する
ことにより、スループットを改善するばかりでなく、分
割露光により生ずる「色むら」などの問題も解消するこ
とができる。

【００７４】さらに、本発明によれば、これらの露光光
学系がステージ１６を共有しているので、基板の取り外
しの必要がない。液晶表示装置などの各種の電子装置の
製造に際しては、基板の取り扱いをなるべく減らすこと
が極めて重要である。例えば、ガラス基板上にポリシリ
コンなどのＴＦＴを形成するプロセスにおいては、基板
をステージに脱着する際に生ずる「ダスト」や「ＥＳＤ
（electrostatic discharge：静電気）」が歩留まりを
低下させる大きな要因となっている。これに対して、本
発明によれば、第１の露光光学系と第２の露光光学系と
の間で基板Ｓをステージから脱着する必要がない。その
結果として、基板のハンドリングに伴う「ダスト」や
「ＥＳＤ」の発生を抑制し、製造歩留まりを顕著に改善
することも可能となる。

【００７５】本発明においては、２つの露光光学系が、
基板ステージだけでなくレチクルも共有することが可能
である。以下に、この具体例について説明する。

【００７６】図７は、本発明の第３の露光装置の要部構
成を表すブロック図である。すなわち、露光装置１０Ｃ
も、第１の露光光学系１２、第２の露光光学系１４、基
板ステージ１６、ステージ駆動部２０、位置検出部２
２、露光データ取得部２４、制御部４０を有する。これ
らの詳細については、図１に関して前述したものと同様
とすることができるので、同一の符号を付して詳細な説
明は省略する。

【００７７】本具体例において特徴的な点のひとつは、
２つの露光光学系の間でレチクルを共有できる点にあ
る。すなわち、レチクルホルダ２８が設けられ、レチク
ル調節部３０により、第１の露光光学系１２と第２の露
光光学系１４との間を移動可能とされている。さらに、
レチクルホルダ２８の位置に関する情報が位置検出部３
４により検出され、制御部に出力可能とされている。

【００７８】また、図８は、露光光学系１２、１４にそ
れぞれ駆動部３６、３８が設けられた露光装置１０Ｄの
構成例を表す。すなわち、基板ステージ１６を静止さ
せ、光学系の方を移動させて解像度を切り替えることが
可能とされている。

【００７９】以上の露光装置１０Ｃ、１０Ｄにおけるレ
チクルホルダ２８には、第１の露光光学系１２と第２の
露光光学系１４においてそれぞれ用いる露光パターンが
一体にされたレチクルＲが設置される。

【００８０】図９及び図１０は、このような一体型レチ
クルの平面構成を例示する概念図である。これらのレチ
クルは、図３に表した液晶表示装置に用いるものであ
る。

【００８１】図９に表した例においては、レチクルＲの
上側領域において、液晶表示装置の画素領域に対応する
パターン２１０Ｒ、ドライバに対応するパターン２１２
Ｒ、２１４Ｒ、配線部に対応するパターン２２４Ｒ〜２
２７Ｒなどがそれぞれ設けられている。これらのパター
ンは、前述したように、例えば２〜３μｍ程度のデザイ
ンルールに合わせて形成されている。これらの部分は、
例えば、ミラープロジェクション方式の露光光学系によ
り一括スキャン露光することが可能である。

【００８２】これに対して、レチクルＲの下側には、液
晶表示装置のロジック部を分割したパターン２４０Ａ〜
２４０Ｃとメモリ部を分割したパターン２３０Ａ、２３
０Ｂ、２３２Ａ、２３２Ｂが、それぞれ形成されてい
る。これらのパターンは、高集積化のため、例えば０．
６μｍあるいはそれ以下のデザインルールに対応して形
成されている。そして、これらの部分は、高解像度を有
するレンズ・ステッパ方式の露光光学系により精密に露
光することができる。

【００８３】一方、図１０に例示したレチクルにおいて
は、液晶表示装置の画素領域、ドライバ及び配線部も分
割したパターンとして形成されている。なお、図１０に
おいて各パターンに付した符号の番号は、図６に表した
各部の符号に対応する。例えば、画素領域２１０は、４
分割したパターン２１０Ａを４回露光してつなげること
により形成する。これらのパターンのうちでデザインル
ールが微細でないものは、解像度が比較的低いレンズ・
ステッパ方式の露光光学系を用いて露光することができ
る。レンズ・ステッパ方式においても解像度が比較的低
い場合には、スループットを高くすることができるの
で、迅速な露光作業が容易となる。

【００８４】しかも、図９や図１０に例示したようにレ
チクルを一体とした場合には、レチクルと基板とのアラ
イメントデータも２つの露光光学系の間で共有すること
ができるという効果がえられる。以下、この点に言及し
つつ第２の露光装置１０Ｂの動作について説明する。

【００８５】図１１は、露光装置１０Ｃ、１０Ｄの基本
的な動作の一例を説明するためのフローチャートであ
る。

【００８６】まず、ステップＳ２０と表したように、基
板とレチクルを第１の露光光学系１２に配置する。すな
わち、露光装置１０Ｃにおいては、基板Ｓを載置した基
板ステージ１６とレチクルＲをセットしたレチクルホル
ダ２８を第１の露光光学系１２の露光可能領域に配置す
る。また、露光装置１０Ｄにおいては、駆動部３６によ
って第１の露光光学系１２を基板Ｓの上に移動させる。

【００８７】次に、ステップＳ２１において、基板Ｓと
レチクルＲとのアライメントを調節する。すなわち、基
板Ｓの所定の位置にパターンが形成されるように基板Ｓ
とレチクルＲとの位置関係を調節する。このアライメン
トの調節は、前述したような「アライメントマーク」を
利用し、図示しないレーザや画像認識システムを用いて
行うことができる。

【００８８】次に、ステップＳ２２において露光データ
を取得する。すなわち、露光データ取得部２４は、ステ
ップＳ２１で得られたレチクルＲと基板Ｓとのアライメ
ントに関する情報を入力し、格納する。ここで、基板Ｓ
の位置に関する情報は位置検出手段２２により検出し、
レチクルＲの位置に関する情報はレチクルホルダに設け
られた位置検出手段３４により検出することができる。
これらの情報は、制御部４０を適宜介して露光データ取
得部２４に格納される。なお、前述したように、「露光
データ」には、ガラス基板Ｓの加熱などによるサイズが
変化に起因した「ずれ」に関する情報も含むことができ
る。

【００８９】次に、ステップＳ２３において、第１の露
光光学系１２により露光を実行する。例えば、第１の露
光光学系の解像度が相対的に低い場合について説明する
と、図９や図１０において表したパターンのうちで、画
素領域やドライバ領域などの部分のみを選択的に露光す
る。前述したように、第１の露光光学系がミラープロジ
ェクション方式の光学系を採用している場合には、図９
のレチクルを用い、第１の露光光学系がレンズ・ステッ
パ方式の光学系を採用している場合には、図１０のレチ
クルを用いる。

【００９０】次に、ステップＳ２４において基板とレチ
クルを第２の露光光学系に配置する。すなわち、露光装
置１０Ｃにおいては、基板Ｓを載置した基板ステージ１
６とレチクルＲをセットしたレチクルホルダ２８を第２
の露光光学系１４の露光可能領域に移動する。また、露
光装置１０Ｄにおいては、駆動部３８によって第２の露
光光学系１４を基板Ｓの上に移動させる。

【００９１】次に、ステップＳ２５において、第２の露
光光学系１４により露光を実行する。ここでは、例え
ば、液晶表示装置の論理部やメモリ部などの微細なデザ
インルールが要求される部分を正確に露光することがで
きる。第２の露光光学系１４として、レンズ・ステッパ
方式の光学系を用いる場合には、図９や図１０に表した
ようにレチクルＲに分割パターンを設けておき、分割露
光する。

【００９２】露光装置１０Ｃ、１０Ｄを用いた場合に
は、この第２の露光光学系による露光に先立って、基板
とレチクルとのアライメントを調節しなおす必要がな
い。すなわち、基板ＳとレチクルＲとの最適な位置関係
に関するアライメントデータは、ステップＳ１２におい
て、露光データの一部として取得されている。そこで、
ステップＳ１５においては、格納されている露光データ
を読み出して、そのアライメントデータに基づいて基板
ＳとレチクルＲを配置するだけで良い。つまり、第２の
露光光学系１４の下でレーザや画像認識システムによる
アライメントの調節を行う必要がなくなる。その結果と
して、アライメントの調節に要する時間を半減させ、露
光工程のスループットをさらに向上させることが可能と
なる。

【００９３】以上、本発明の露光装置に関して、露光装
置１０Ａ〜１０Ｄを具体例として挙げて説明した。

【００９４】本発明によれば、これらいずれの露光装置
においても、基板に塗布するレジストも第１の露光光学
系と第２の露光光学系との間で共通化することができる
という効果も得ることができる。

【００９５】図１２は、レジストを共通化した場合のＰ
ＥＰ工程の一部を表す概略工程断面図である。

【００９６】すなわち、同図（ａ）に表したように、基
板Ｓの上にレジスト８２を塗布する。ここでは、基板Ｓ
として、ガラス基板８０の上に薄膜層８１が堆積された
ものを表した。ここで、薄膜層８１は、例えば、ポリシ
リコンなどの半導体や、酸化シリコンなどの絶縁物、あ
るいはアルミニウムやクロムなどの金属など、種々の材
料により構成することができる。

【００９７】次に、同図（ｂ）に表したように、第１の
露光光学系を用いて基板上の一部を露光する。ここで、
露光する領域は、例えばデザインルールがそれほど細か
くない部分とすることができる。図示しないレチクルを
介して露光すると、図示したようにレジスト８２に露光
部８２Ｌが形成される。この露光の際には、基板上のデ
ザインルールが細かい部分は遮光されている。

【００９８】次に、図１０（ｃ）に表したように、第２
の露光光学系により微細なデザインルールが要求される
部分を露光する。すなわち、露光部８２Ｌ’が形成され
る。この露光作業の際には、第１の露光光学系による露
光部分は遮光されている。

【００９９】次に、図１０（ｄ）に表したように、レジ
ストを現像する。すなわち、基板を露光装置から取り出
して、現像処理を施すことにより、露光領域８２Ｌ、８
２Ｌ’が除去され、薄膜層８１の上に、それ程微細でな
いパターン８２Ｍと微細なパターン８２Ｓを同時に形成
することができる。

【０１００】以上説明したように、例えば図３に例示し
たような液晶表示装置の基板の露光に際して、ガラス基
板Ｓの全面にレジストを塗布し、第１の露光光学系１２
による露光処理と、第２の露光光学系１４による露光処
理とを連続して実行することができる。その結果とし
て、レジストの塗布の際に生じる「ダスト」や「ＥＳ
Ｄ」などによる歩留まり低下を抑制することができる。
つまり、２種類の露光装置を用いてそれぞれ露光作業を
行う場合には、それぞれの露光作業ごとにレジストを塗
布する工程が必要となる場合もある。しかし、レジスト
を塗布する工程においても、塗布装置に基板を着脱する
際に「ダスト」や「ＥＳＤ」が生ずることがある。これ
に対して、本発明によれば、レジストを塗布する工程を
一回にすることができるので、歩留まりをさらに改善す
ることができる。

【０１０１】ところで、本発明の露光装置は、解像度が
異なる２つの露光光学系を有するので、それぞれの光学
系をどのような順番で用いるかに関しても独特の特徴が
生ずる。以下では、簡単のために、構成を簡略化した液
晶表示装置を例に挙げて説明する。

【０１０２】図１３は、液晶表示装置の平面構成を表す
概念図である。すなわち、同図の液晶表示装置は、画素
領域３１０、端子部３２０、Ｘドライバ３４０、Ｙドラ
イバ３５０、制御部３６０及びメモリ部３７０を有す
る。また、画素領域３１０と端子部３２０を低解像度、
残りの部分を高解像度で露光すると仮定する。また、全
ての領域を分割して分割露光方式により露光を行う場合
を例に挙げる。

【０１０３】図１４（ａ）は、このような液晶表示装置
の基板の露光を「場所順次方式」で行う場合の露光順序
を例示する説明図である。

【０１０４】すなわち、基板上で所定の開始位置（図１
２（ａ）において「」と表す）から、、、・・
・・と隣接する領域を順次露光する。この露光シーケン
スは、図２あるいは、図８に表したように、光学系を移
動させて切り替える方式の露光装置において実施する
と、基板ステージの移動量を抑制することができるとい
う効果を奏する。

【０１０５】一方、図１４（ｂ）は、「解像度順次方
式」により露光する場合の一例を表す説明図である。す
なわち、基板上で、例えば、、、・・・の如く低
解像度の領域を全て露光し、しかる後に、、・・
・の如く高解像度の領域を順番に露光する。このシーケ
ンスによれば、露光光学系の切り替え回数を少なくする
ことができる。また、隣接する部分を連続的に露光する
ことにより、「つなぎ精度」を高く維持し、パターンの
「ずれ」に起因する「色ずれ」などの問題を解消するこ
とができる。

【０１０６】以上具体例を参照しつつ本発明の実施の形
態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体
例に限定されるものではない。

【０１０７】例えば、前述した各具体例においては、液
晶表示装置を例に挙げて本発明の露光装置や露光方法に
ついて説明したが、本発明の露光装置や露光方法の用途
は液晶表示装置に限定されるものではなく、同一の基板
上において異なるデザインルールが要求される全ての用
途に同様に適用して同様の効果を得ることができる。

【０１０８】また、露光装置の露光光学系は、２種類に
限定されず、３種類以上の露光光学系を備えたものであ
っても良い。

【０１０９】また、光学系の構造や、ステージとの位置
関係などについても、図示した具体例には、限定され
ず、当業者が適宜選択して実施しうるすべての構成を包
含するものである。

【０１１０】その他、当業者であれば、本明細書に開示
した本発明の要旨の範囲内で種々の追加、変更等が可能
である。

【０１１１】

【発明の効果】本発明によれば、互いに異なる解像度を
有する２つの露光光学系が、ひとつの基板ステージを共
有するという独特の構成によって、高いスループットで
正確な露光処理を実行することができる。すなわち、解
像度がそれほど要求されない領域は低解像度の露光光学
系により迅速に露光し、解像度が要求される領域は高解
像度を有する露光光学系により精密に露光することがで
きる。

【０１１２】また、光学系の解像度が異なると焦点深度
（depth of focus：ＤＯＦ）も異なる。すなわち、高い
解像度を有する光学系の焦点深度は浅く、低い解像度を
有する光学系の焦点深度は深い。従って、低い解像度を
有する露光光学系を適宜選択して用いることにより、露
光パターンのピント合わせを迅速に行ってスループット
をさらに改善することができる。

【０１１３】さらに、基板とレチクルとのアライメント
データを共有することによりアライメントの調整を簡略
にし、さらに迅速な露光作業を実施することができる。

【０１１４】また、本発明によれば、解像度が低い領域
は、一括露光することが可能となる。その結果として、
ステッパなどを用いて複数のショットに分割露光する場
合に生ずる、「つなぎ精度」の問題を解消することがで
きる。

【０１１５】さらに、本発明によれば、２つの露光光学
系がステージを共有しているので、基板の取り外しの必
要がない。その結果として、基板のハンドリングに伴う
「ダスト」や「ＥＳＤ」の発生を抑制し、製造歩留まり
を顕著に改善することも可能となる。

【０１１６】以上詳述したように、本発明によれば、２
種類のデザインルールが要求される各種の基板を迅速且
つ正確に露光することが可能となり、例えば、従来より
も高い集積密度の周辺回路を有する液晶表示装置などを
極めて高いスループットで製造することができるなど産
業上のメリットは多大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る露光装置の要部構成を表すブロッ
ク図である。

【図２】本発明に係る第２の露光装置の要部構成を表す
ブロック図である。

【図３】本発明の露光装置により製造することができる
液晶表示装置の平面構成を例示する概念図である。

【図４】露光装置１０Ａ、１０Ｂの基本的な動作の一例
を説明するためのフローチャートである。

【図５】「アライメントマーク」の一例を表す概略図で
ある。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は、基板の露光に用いるレチ
クルＲ１、Ｒ２のパターンを表す概念図である。

【図７】本発明の第３の露光装置の要部構成を表すブロ
ック図である。

【図８】露光光学系１２、１４にそれぞれ駆動部３６、
３８が設けられた露光装置１０Ｄの構成例を表す。

【図９】一体型レチクルの平面構成を例示する概念図で
ある。

【図１０】一体型レチクルの平面構成を例示する概念図
である。

【図１１】露光装置１０Ｃ、１０Ｄの基本的な動作の一
例を説明するためのフローチャートである。

【図１２】レジストを共通化した場合のＰＥＰ工程の一
部を表す概略工程断面図である。

【図１３】液晶表示装置の平面構成を表す概念図であ
る。

【図１４】（ａ）は、液晶表示装置の基板の露光を「場
所順次方式」で行う場合の露光順序を例示する説明図で
あり、（ｂ）は、液晶表示装置の基板の露光を「解像度
順次方式」で行う場合の露光順序を例示する説明図であ
る。

【図１５】液晶表示装置の平面構成を表す概念図であ
る。

【符号の説明】

Ｓ 基板 Ｒ、Ｒ１、Ｒ２ レチクル １０Ａ〜１０Ｂ 露光装置 １２ 第１の露光光学系 １４ 第２の露光光学系 １６ 基板ステージ ２０ 駆動部 ２２ 位置検出手段 ２４ 露光データ取得部 ２６、２８ レチクルホルダ ３０、３２ 調節部 ３６、３８ 駆動部 ４０ 制御部 １１０、２１０、３１０ 画素領域 １２０、１３０、２１２、２１４、２２０、２２２、３
４０、３５０ ドライバ ２３０、２３２ メモリ部 ２４０、３６０ ロジック部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯田坂 一 夫 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 宇都宮 純 夫 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 平 岩 卓 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 北和田 清 文 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 松 枝 洋二郎 長野県諏訪市大和三丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA16 FA18 FA30 HA01 HA08 MA20 2H097 AA12 BA01 JA02 KA03 KA18 LA12

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の解像度を有する第１の露光光学系
   と、 前記第１の解像度とは異なる第２の解像度を有する第２
   の露光光学系と、 基板ステージと、 を備え、 前記基板ステージの上に載置された基板上に、前記第１
   の露光光学系と前記第２の露光光学系のそれぞれから光
   学的なパターンを投影可能としたことを特徴とする露光
   装置。
2. 【請求項２】前記基板ステージは、その上に載置された
   基板に対して前記第１の露光光学系により前記光学パタ
   ーンが投影可能となる第１の位置と、前記第２の露光光
   学系により前記光学パターンが投影可能となる第２の位
   置との間を移動可能とされたことを特徴とする請求項１
   記載の露光装置。
3. 【請求項３】前記第１の露光光学系と前記第２の露光光
   学系のそれぞれは、前記基板ステージの上に載置された
   前記基板に対して前記光学パターンが投影可能となる位
   置に移動可能とされたことを特徴とする請求項１記載の
   露光装置。
4. 【請求項４】前記基板ステージの位置を検出する第１の
   位置検出手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１
   〜３のいずれか１つに記載の露光装置。
5. 【請求項５】前記第１の露光光学系より投影される前記
   光学パターンを形成するための第１の露光マスクを保持
   する第１の保持手段と、 前記第２の露光光学系より投影される前記光学パターン
   を形成するための第２の露光マスクを保持する第２の保
   持手段と、 をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
   か１つに記載の露光装置。
6. 【請求項６】露光マスクを保持する保持手段をさらに備
   え、 前記保持手段により保持される露光マスクの第１の部分
   を用いて前記第１の露光光学系より投影される前記光学
   パターンを形成し、 前記保持手段により保持される露光マスクの第２の部分
   を用いて前記第２の露光光学系より投影される前記光学
   パターンを形成することを特徴とする請求項１〜４のい
   ずれか１つに記載の露光装置。
7. 【請求項７】前記保持手段により保持される前記露光マ
   スクの位置を検出する第２の位置検出手段をさらに備え
   たことを特徴とする請求項６記載の露光装置。
8. 【請求項８】前記基板ステージと前記露光マスクとの相
   対的な位置関係に関する情報を格納する記憶手段をさら
   に備えたことを特徴とする請求項６または７に記載の露
   光装置。
9. 【請求項９】前記第１の露光光学系と前記第２の露光光
   学系のいずれか一方における前記光学パターンの投影に
   際して前記格納した前記相対的な位置関係に関する前記
   情報に基づき、前記第１の露光光学系と前記第２の露光
   光学系のいずれか他方における前記光学パターンの投影
   における基板ステージと前記露光マスクとの相対的な位
   置関係を決定することを特徴とする請求項８記載の露光
   装置。
10. 【請求項１０】前記第１の露光光学系の最大投影面積と
    前記第２の露光光学系の最大投影面積とが異なることを
    特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の露光装
    置。
11. 【請求項１１】前記第１の露光光学系の焦点深度と前記
    第２の露光光学系の焦点深度とが異なることを特徴とす
    る請求項１〜１０のいずれか１つに記載の露光装置。
12. 【請求項１２】第１の解像度を有する第１の露光光学系
    と、前記第１の解像度とは異なる第２の解像度を有する
    第２の露光光学系と、基板ステージと、を用いた露光方
    法であって、 前記基板ステージの上に基板を載置するステップと、 前記第１の露光光学系と前記第２の露光光学系のいずれ
    か一方を用いて光学的なパターンを前記基板上に投影す
    る第１の露光ステップと、 前記第１の露光光学系及び前記第２の露光光学系と前記
    基板ステージとの相対的な位置関係を変化させるステッ
    プと、 前記第１の露光光学系と前記第２の露光光学系のいずれ
    か他方を用いて光学的なパターンを前記基板上に投影す
    る第２の露光ステップと、 を備えたことを特徴とする露光方法。
13. 【請求項１３】前記第１の露光ステップは、露光マスク
    の一部を用いて前記光学的なパターンを投影し、 前記第２の露光ステップは、前記第１の露光ステップに
    おける前記露光マスクと前記基板ステージとの相対的な
    位置関係に関する情報に基づいて前記露光マスクと前記
    基板ステージとの相対的な位置関係を決定した後に、前
    記露光マスクの他の一部を用いて前記光学的なパターン
    を投影することを特徴とする請求項１２記載の露光方
    法。
14. 【請求項１４】前記第１の露光ステップの前に前記基板
    上に感光体層を形成するステップをさらに備え、 前記第１の露光ステップにより前記感光体層の一部を露
    光し、前記第２の露光ステップにより前記感光体層の他
    の一部を露光することを特徴とする請求項１２または１
    ３に記載の露光方法。
15. 【請求項１５】前記基板を複数の露光領域に分割し、 前記複数の露光領域のそれぞれについて、略近接する順
    番に基づいて前記第１の露光光学系と前記第２の露光光
    学系のいずれかにより前記光学的パターンを投影するこ
    とを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１つに記載
    の露光方法。
16. 【請求項１６】前記基板を複数の露光領域に分割し、 前記複数の露光領域のうちで第１の解像度を要求する露
    光領域について前記第１の露光光学系による露光を実施
    し、しかる後に前記複数の露光領域のうちで第２の解像
    度を要求する露光領域について前記第２の露光光学系に
    よる露光を実施することを特徴とする請求項１２〜１４
    のいずれか１つ記載の露光方法。
17. 【請求項１７】第１の解像度を有する第１の露光光学系
    と、前記第１の解像度とは異なる第２の解像度を有する
    第２の露光光学系と、基板ステージと、を有する露光装
    置を制御するプログラムを記録した記録媒体であって、 前記プログラムは、 前記第１の露光光学系と前記第２の露光光学系のいずれ
    か一方を用いて露光マスクの一部から形成される光学的
    なパターンを前記基板上に投影する際に、前記露光マス
    クと前記基板ステージとの相対的な位置関係に関する情
    報を取得するステップと、 前記第１の露光光学系及び前記第２の露光光学系と前記
    基板ステージとの相対的な位置関係を変化させるステッ
    プと、 前記相対的な位置関係に関する情報に基づいて前記露光
    マスクと前記基板ステージの位置を決定するステップ
    と、 前記第１の露光光学系と前記第２の露光光学系のいずれ
    か他方を用いて前記露光マスクの他の一部から形成され
    る光学的なパターンを前記基板上に投影させるステップ
    と、を備えたことを特徴とする記録媒体。