KR102661409B1 - 형성방법, 형성장치, 및 물품의 제조방법 - Google Patents

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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

제1 장치와 제2 장치를 사용해서 기판 위의 1개의 층에 패턴을 형성하는 형성방법은, 상기 제1 장치에서 기판 위에 마크를 형성하는 마크 형성공정과, 상기 제1 장치에서 기판 위에 제1 패턴을 형성하는 제1 형성공정과, 상기 제2 장치에서 기판 위에 제2 패턴을 형성하는 제2 형성공정을 포함하는 처리를 기판마다 행하고, 상기 처리의 모드로서, 상기 제1 장치에서 상기 마크의 위치를 계측하는 계측공정을 행하고, 해당 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제1 모드와, 상기 계측공정을 생략하고, 전회의 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제2 모드를 포함한다.

Description

형성방법, 형성장치, 및 물품의 제조방법
본 발명은, 기판 위의 1개의 층에 패턴을 형성하는 형성방법, 형성장치, 및 물품의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 특히 액정 표시 디바이스에 있어서는 기판 사이즈가 대형화하고 있고, 기판을 낭비 없이 이용하는 것이 요구되고 있다. 그 때문에, 복수의 장치를 사용하여, 기판 위의 1개의 층에 있어서 복수의 영역에의 패턴 형성을 복수의 장치에서 분담해서 행하는, 소위 MMG(Multi Model on Glass)로 불리는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).
MMG 기술에서는, 복수의 장치에 의해 기판 위의 1개의 층에 형성된 복수의 패턴 전체에서의 치수와 위치가 패턴 형성 정밀도의 평가 지표로서 사용될 수 있다. 이러한 패턴 형성 정밀도를 향상시키기 위해서, 특허문헌 1에서는, 복수의 장치의 1개에 의해 얼라인먼트 마크를 기판 위에 형성하고, 그 얼라인먼트 마크의 위치를 기준으로 하여 각 장치에서 기판 위에 패턴을 형성하고 있다.
일본국 특개 2005-092137호 공보
MMG 기술에서는, 기판 위에의 패턴 형성이 복수의 장치에서 분담해서 효율적으로 행해지기 때문에 스루풋의 점에서 유리하지만, 스루풋의 향상이 더욱 더 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은, 스루풋을 향상시키기 위해 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일측면으로서의 형성방법은, 제1 장치와 제2 장치를 사용해서 기판 위의 1개의 층에 패턴을 형성하는 형성방법으로서, 상기 제1 장치에서 기판 위에 마크를 형성하는 마크 형성공정과, 상기 제1 장치에서 기판 위에 제1 패턴을 형성하는 제1 형성공정과, 상기 제2 장치에서 기판 위에 제2 패턴을 형성하는 제2 형성공정을 포함하는 처리를 기판마다 행하고, 상기 처리의 모드로서, 상기 제1 장치에서 상기 마크의 위치를 계측하는 계측공정을 행하고, 해당 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제1 모드와, 상기 계측공정을 생략하고, 전회의 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제2 모드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명이 또 다른 목적 또는 다른 측면은, 이하, 첨부도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시형태에 의해 명확해질 것이다.
본 발명에 따르면, 예를 들면, 스루풋을 향상시키기 위해 유리한 기술을 제공할 수 있다.
본 발명의 그 밖의 특징 및 이점은, 첨부도면을 참조한 이하의 설명에 의해 명확해질 것이다. 이때, 첨부도면에 있어서는, 동일 혹은 유사한 구성에는, 동일한 참조번호를 붙인다.
첨부도면은 명세서에 포함되고, 그것의 일부를 구성하고, 본 발명의 실시형태를 나타내고, 그것의 기술과 함께 본 발명의 원리를 설명하기 위해 사용된다.
도1은 형성 시스템의 전체 구성을 도시한 개략도.
도2는 제1 노광장치의 구성예를 도시한 도면.
도3은 기판 위에 형성된 제1 패턴 P1, 제2 패턴 P2, 및 마크 AM의 배치 예를 도시한 도면.
도4는 패턴 형성처리를 나타낸 플로우차트.
도5는 형성 시스템에 있어서의 처리 플로우를 도시한 도면.
도6a는 기판 위에 패턴을 형성하는 모양을 경시적으로 도시한 도면.
도6b는 기판 위에 패턴을 형성하는 모양을 경시적으로 도시한 도면.
도6c는 기판 위에 패턴을 형성하는 모양을 경시적으로 도시한 도면.
도6d는 기판 위에 패턴을 형성하는 모양을 경시적으로 도시한 도면.
도7은 제1실시형태의 패턴 형성처리를 나타낸 플로우차트.
도8은 제1실시형태의 형성 시스템에 있어서의 처리 플로우를 도시한 도면.
도9a는 제2실시형태의 패턴 형성처리를 나타낸 플로우차트.
도9b는 제2실시형태의 패턴 형성처리를 나타낸 플로우차트.
도10은 제2실시형태의 형성 시스템에 있어서의 처리 플로우를 도시한 도면.
이하, 첨부도면을 참조해서 실시형태를 상세히 설명한다. 이때, 이하의 실시형태는 청구범위에 관련되는 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것은 아니며, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 더구나, 첨부도면에 있어서는, 동일 혹은 유사한 구성에 동일한 참조번호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다.
[시스템 구성]
본 발명에 따른 형성 시스템(100)(형성장치)에 대해 설명한다. 형성 시스템(100)은, 복수의 리소그래피 장치를 사용하여, 기판 위의 1개의 층(동일 층)에 있어서의 서로 다른 위치에 패턴을 각각 형성하는, 소위 MMG(Multi Model on Glass) 기술을 실행하는 시스템이다. 리소그래피 장치로서는, 예를 들면, 기판을 노광해서 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광장치, 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치, 하전입자선을 사용해서 기판 위에 패턴을 형성하는 묘화장치 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 MMG 기술이 적용되는 「기판 위의 1개의 층」은, 예를 들면, 패턴이 아직 형성되어 있지 않은 베어 기판 위에 최초로 형성되는 층(소위 제1 층)일 수 있지만, 그것에 한정되지 않고, 제2 층 이후이어도 된다. 본 실시형태에서는, 복수의 노광장치를 갖는 형성 시스템(100)을 사용하여, 기판 위의 1개의 레지스트층(감광제)에 패턴(잠재 패턴)을 형성하는 예에 대해 설명한다. 여기에서, 기판 W로서는, 예를 들면, 글래스 플레이트나 반도체 웨이퍼 등이 적용될 수 있지만, 본 실시형태에서는, 기판 W로서 글래스 플레이트를 사용하는 예에 대해 설명한다. 또한, 이하에서는, 「기판 위의 1개의 층」을 간단히 「기판 위」로 부르는 경우가 있다.
도1은, 형성 시스템(100)의 전체 구성을 도시한 개략도다. 형성 시스템(100)은, 제1 노광장치(10)(제1 장치)와, 제2 노광장치(20)(제2 장치)와, 반송부(30)와, 주 제어부(40)를 포함할 수 있다. 반송부(30)는, 제1 노광장치(10) 및 제2 노광장치(20)에 기판 W를 반송한다. 주 제어부(40)는, 예를 들면, CPU와 메모리를 갖는 컴퓨터로 구성되고, 형성 시스템(100)의 전체를 총괄적으로 제어하는 동시에, 제1 노광장치(10)와 제2 노광장치(20) 사이에서의 데이터나 정보의 전송을 제어할 수 있다.
제1 노광장치(10)는, 예를 들면, 패턴 형성부(11)(제1 형성부)와, 마크 형성부(12)와, 마크 계측부(13)(제1 계측부)와, 제어부(14)를 포함할 수 있다. 패턴 형성부(11)는, 마스크 M의 패턴을 기판 위에 전사함으로써 기판 위에 제1 패턴 P1을 형성한다. 예를 들면, 패턴 형성부(11)는, 제1 패턴 P1을 형성해야 할 목표 위치 좌표를 나타내는 제1 정보(예를 들면, 설계 데이터)에 근거하여, 기판 위의 제1 영역에 제1 패턴 P1을 형성한다. 마크 형성부(12)는, 얼라인먼트 마크를 형성해야 할 목표 위치 좌표를 나타내는 정보(예를 들면, 설계 데이터)에 근거하여, 기판 위에 얼라인먼트 마크를 형성한다. 마크 계측부(13)는, 마크 형성부(12)에 의해 형성된 얼라인먼트 마크의 위치를 계측한다. 제어부(14)는, 예를 들면, CPU와 메모리 등을 갖는 컴퓨터로 구성되고, 장치 좌표계에 따라 패턴 형성부(11), 마크 형성부(12) 및 마크 계측부(13)를 제어한다(즉, 제1 노광장치(10)에 의한 각 처리를 제어한다). 도1에 나타낸 예에서는, 제어부(14)는, 주 제어부(40)와 별체로서 설치되어 있지만, 주 제어부(40)의 구성요소로서 설치되어도 된다.
제2 노광장치(20)는, 예를 들면, 패턴 형성부(21)(제2 형성부)와, 마크 계측부(23)(제2 계측부)와, 제어부(24)를 포함할 수 있다. 본 실시형태의 제2 노광장치(20)에서는, 마크 형성부가 설치되어 있지 않지만, 마크 형성부가 설치되어도 된다. 패턴 형성부(21)는, 마스크 M의 패턴을 기판 위에 전사함으로써 기판 위에 제2 패턴 P2를 형성한다. 예를 들면, 패턴 형성부(21)는, 제2 패턴 P2를 형성해야 할 목표 위치 좌표를 나타내는 제2 정보(예를 들면, 설계 데이터)에 근거하여, 제1 패턴 P1이 형성된 제1 영역과는 다른 기판 위의 제2 영역에 제2 패턴 P2를 형성한다. 마크 계측부(23)는, 제1 노광장치(10)의 마크 형성부(12)에 의해 형성된 얼라인먼트 마크의 위치를 계측한다. 제어부(24)는, 예를 들면, CPU와 메모리 등을 갖는 컴퓨터로 구성되고, 장치 좌표계에 따라 패턴 형성부(21) 및 마크 계측부(23)를 제어한다(즉, 제2 노광장치(20)에 의한 각 처리를 제어한다). 도1에 나타낸 예에서는, 제어부(24)는, 주 제어부(40)와 별체로서 설치되어 있지만, 주 제어부(40)의 구성요소로서 설치되어도 된다.
다음에, 제1 노광장치(10)의 구체적인 구성예에 대해 설명한다. 도2는, 제1 노광장치(10)의 구성예를 도시한 도면이다. 여기에서, 제2 노광장치(20)는, 제1 노광장치(10)와 비교하여, 마크 형성부(12)가 설치되어 있지 않는 점에서 다르지만, 그 이외의 구성은 유사할 수 있다. 즉, 제2 노광장치(20)의 패턴 형성부(21) 및 마크 계측부(23)는, 제1 노광장치(10)의 패턴 형성부(11) 및 마크 계측부(13)와 각각 유사하게 구성될 수 있다.
제1 노광장치(10)는, 패턴 형성부(11)로서, 조명 광학계(11b)와, 마스크 스테이지(11c)와, 투영 광학계(11d)와, 기판 스테이지(11e)를 포함할 수 있다. 조명 광학계(11b)는, 광원(11a)으로부터의 빛을 사용해서 마스크 M을 조명한다. 마스크 스테이지(11c)는, 마스크 M을 유지해서 이동가능하게 구성된다. 투영 광학계(11d)는, 마스크 M에 형성된 패턴을 기판 W에 투영한다. 기판 스테이지(11e)는, 기판 W를 유지해서 이동가능하게 구성된다. 이렇게 구성된 제1 노광장치(10)에서는, 마스크 M과 기판 W가 투영 광학계(11d)를 거쳐 광학적으로 공역의 위치(투영 광학계(11d)의 물체면 및 상면)에 각각 배치되고, 투영 광학계(11d)에 의해 마스크 M의 패턴이 기판 위에 투영된다. 이에 따라, 기판 위의 레지스트층에 잠재 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 도2에 나타낸 제1 노광장치(10)에는, 전술한 마크 형성부(12)(12a, 12b)와 마크 계측부(13)(13a, 13b)가 설치된다. 마크 형성부(12)는, 하전입자선 등의 에너지를 기판 위에 조사함으로써 기판 위에 얼라인먼트 마크를 형성한다. 이하에서는, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성된 얼라인먼트 마크를 「마크 AM」으로 부르는 경우가 있다. 마크 계측부(13)는, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성된 마크 AM을 검출함으로써 마크 AM의 위치를 계측한다. 예를 들면, 마크 계측부(13)는, 이미지 센서와 광학 소자를 갖는 스코프(오프-액시스 스코프)를 포함하고, 기판 W의 위치(XY 방향)와 해당 스코프의 시야 내에서의 마크 AM의 위치에 근거하여 마크 AM의 위치를 계측할 수 있다. 여기에서, 도2에 나타낸 예에서는, 마크 형성부(12)와 마크 계측부(13)가 2개씩 설치되어 있지만, 2개에 한정되는 것은 아니고, 3개 이상이어도 되고, 1개이어도 된다.
[패턴 형성 정밀도에 대해]
다음에, 형성 시스템(100)(제1 노광장치(10), 제2 노광장치(20))에 의한 기판 위에의 제1 패턴 P1, 제2 패턴 P2, 및 마크 AM의 형성에 대해 설명한다. 도3은, 형성 시스템(100)에 의해 기판 위에 형성된 제1 패턴 P1, 제2 패턴 P2, 및 마크 AM의 배치 예를 도시한 도면이다.
제1 패턴 P1은, 제1 노광장치(10)의 패턴 형성부(11)에 의해, 기판 위의 제1 영역에 형성될 수 있다. 제2 패턴 P2는, 제2 노광장치(20)의 패턴 형성부(21)에 의해, 제1 패턴 P1이 형성되는 제1 영역과는 다른 기판 위의 제2 영역에 형성될 수 있다. 도3에 나타낸 예에서는, 제1 패턴 P1 및 제2 패턴 P2가 동일한 치수(사이즈)로 1개씩 기판 위에 형성되어 있지만, 그것에 한정되지 않고, 서로 다른 치수, 방향, 개수이어도 된다.
또한, 마크 AM은, 제1 노광장치(10)의 마크 형성부(12)에 의해, 제1 패턴 P1 및 제2 패턴 P2가 형성되는 영역(제1 영역, 제2 영역)과는 다른 영역에 있어서 복수 개소에 형성될 수 있다. 도3에 나타낸 예에서는, 3개의 마크 AM1∼AM3이, 동일 직선 위에 배치되지 않도록, 기판 W의 모퉁이 부근에 형성되어 있다. 이렇게 3개의 마크 AM1∼AM3을 기판 위에 형성하면, 3개의 마크 AM1∼AM3의 위치의 계측 결과에 근거하여, X방향 시프트, Y방향 시프트, 회전, X방향 배율, Y방향 배율을 구할 수 있다.
여기에서, 형성 시스템(100)(MMG 기술)에 의한 패턴의 형성 정밀도는, 기판 위에 형성된 패턴 전체의 치수와 위치에 근거하여 평가될 수 있다. 기판 위에 형성된 패턴 전체의 치수는, 예를 들면, 기판 위에 형성된 패턴 전체에 있어서의 대각선의 길이를 나타내는 제1 지표 TP(Total Pitch)에 의해 규정될 수 있다. 도3에 나타낸 예에서는, 제1 노광장치(10)에 의해 기판 위에 형성된 제1 패턴 P1의 우측 아래의 끝점 EP1과, 제2 노광장치(20)에 의해 기판 위에 형성된 제2 패턴 P2의 좌측 위의 끝점 EP2를 연결하는 직선의 길이가, 제1 지표 TP으로서 규정되어 있다. 한편, 기판 위에 형성된 패턴 전체의 위치는, 예를 들면, 기판 위에 형성된 패턴 전체에 있어서 중심점의 위치를 나타내는 제2 지표 CS(Center Shift)에 의해 규정될 수 있다. 도3에 나타낸 예에서는, 끝점 EP1과 끝점 EP2를 연결하는 직선의 중심점이, 제2 지표 CS로서 규정되어 있다.
[종래의 패턴 형성방법]
다음에, MMG 기술을 채용하는 상기한 형성 시스템(100)을 사용한 패턴 형성처리에 대해, 도4∼도6d를 참조하면서 설명한다. 여기에서, 도4∼도6d를 사용해서 이하에서 설명하는 패턴 형성처리는, 본 발명의 전제가 될 수 있는 기술이다.
도4는, MMG 기술을 사용한 패턴 형성처리를 나타낸 플로우차트다. 도4에 나타낸 플로우차트의 각 공정은, 주 제어부(40)에 의한 제어를 기초로 실행될 수 있다. 도5는, 형성 시스템(100)에 있어서의 처리 플로우(데이터 플로우)를 도시한 도면이다. 또한, 도6a∼도6d는, 패턴 형성처리에서 기판 위에 패턴을 형성하는 모양을 경시적으로 도시한 도면이다. 도6a∼도6d에서는, 기판 W와 마크 계측부(13a, 13b)의 위치 관계, 및, 제1 노광장치(10)와 제2 노광장치(20)에 의해 기판 위에 형성되는 패턴이 도시되어 있다. 이하에서는, 기판 위의 Shot1∼Shot3의 각각에 제1 노광장치(10)에 의해 제1 패턴이 형성되고, 기판 위의 Shot4에 제2 노광장치(20)에 의해 제2 패턴이 형성되는 예에 대해 설명한다.
S101에서는, 반송부(30)에 의해 기판 W를 제1 노광장치(10)에 반송한다(도5의 처리 (1)). S102에서는, 마크 AM을 형성해야 할 목표 위치를 나타내는 정보(예를 들면, 설계 데이터)에 근거하여, 제1 노광장치(10)의 마크 형성부(12a, 12b)에 의해 기판 위에 복수의 마크 AM을 형성한다(도5의 처리 (2)). 마크 형성부(12a, 12b)에 의한 마크 AM의 형성은, 제1 노광장치(10)의 좌표계를 기초로 제어될 수 있다. 이에 따라, 도6a에 나타낸 것과 같이, 기판 W의 모퉁이 부근에 3개의 마크 AM1∼AM3이 형성된다.
S103에서는, 제1 노광장치(10)의 좌표계를 기초로, 제1 노광장치(10)의 마크 계측부(13a, 13b)에 의해, S102의 공정에서 기판 위에 형성된 복수의 마크 AM의 위치를 계측한다(도5의 처리 (3)). 예를 들면, 도6b에 나타낸 것과 같이, 마크 계측부(13a, 13b)와 기판 W를 XY 방향으로 상대적으로 이동시키면서, 마크 계측부(13a, 13b)에 의해 기판 위의 복수의 마크 AM의 위치를 계측한다. 이렇게 마크 계측부(13)에 의해 복수의 마크 AM의 위치를 계측함으로써, 복수의 마크 AM의 위치 관계로부터, 제1 노광장치(10) 내에 있어서의 기판 W의 X방향 시프트, Y방향 시프트, 회전(θ 방향), X방향 배율 및 Y방향 배율을 구할 수 있다. 또한, S103에서 계측된 복수의 마크 AM의 위치 정보는, 제2 노광장치(20)에 통지된다(도5의 처리 (4)). 복수의 마크 AM의 위치 정보는, 후술하는 것과 같이, 장치 내의 온도(예를 들면, 투영 광학계의 온도) 등, 제1 노광장치(10)와 제2 노광장치(20)에서의 장치내 환경의 차이에 기인하는 기판 W의 배율차를 보정하는 보정값을 산출하기 위해 사용될 수 있다.
S104에서는, 제1 패턴 P1을 형성해야 할 목표 치수 및 목표 위치를 나타내는 제1 정보(예를 들면, 설계 데이터)에 근거하여, 제1 노광장치(10)의 패턴 형성부(11)에 의해 기판 위에 제1 패턴 P1을 형성한다(도5의 처리 (5)). 목표 위치는, 예를 들면, 마크 AM에 대한 목표 상대 위치이다. 또한, 패턴 형성부(11)에 의한 제1 패턴 P1의 형성은, 제1 노광장치(10)의 좌표계를 기초로 행해질 수 있다. 예를 들면, S104의 공정에서는, S103의 공정에서 계측된 복수의 마크 AM의 위치 정보에 근거하여, 제1 정보에 표시되는 목표 위치에 제1 패턴 P1이 형성되도록, 기판 스테이지(11e)에 의해 기판 W의 위치결정(XY 방향)을 행한다. 그리고, 도6c에 나타낸 것과 같이, 제1 정보에 표시되는 목표 치수에 따라, 기판 위의 Shot1∼Shot3의 각각에 제1 패턴 P1을 형성한다.
S105에서는, 반송부(30)에 의해 제1 노광장치(10)로부터 제2 노광장치에 기판 W를 반송한다(도5의 처리 (6)∼(7)). S105의 공정에서는, 예를 들면, 제2 노광장치에서 기판 위에 형성되는 제2 패턴의 방향이, 제1 노광장치(10)에서 기판 위에 형성된 제1 패턴의 방향과 다르도록, 기판 W를 제2 노광장치(20)에 반송한다. 구체적으로는, 반송부(30)에 의해, 제1 노광장치(10)로부터 반출된 기판 W를 90도 회전해서 제2 노광장치(20)에 반송한다.
S106에서는, 제2 노광장치(20)의 좌표계를 기초로, 제2 노광장치(20)의 마크 계측부(23)에 의해, S102의 공정에서 기판 위에 형성된 복수의 마크 AM의 위치를 계측한다(도5의 처리 (8)). 예를 들면, 도6d에 나타낸 것과 같이, 마크 계측부(23)와 기판 W를 XY 방향으로 상대적으로 이동시키면서, 마크 계측부(23)에 의해 기판 위의 복수의 마크 AM의 위치를 계측한다. 이렇게 마크 계측부(23)에 의해 복수의 마크 AM의 위치를 계측함으로써, 복수의 마크 AM의 위치 관계로부터, 제2 노광장치(20) 내에 있어서의 기판 W의 X방향 시프트, Y방향 시프트, 회전(θ 방향), X방향 배율 및 Y방향 배율을 구할 수 있다.
S107에서는, 제1 노광장치(10)와 제2 노광장치(20)에서의 기판 W의 배율차를 구하고, 해당 배율차를 보정하기 위한 보정값을 결정한다(도5의 처리 (9)). 예를 들면, 주 제어부(40)는, S103에서 계측된 복수의 마크 AM의 위치 관계에 근거하여 제1 노광장치(10)에서의 기판 W의 배율을 구하고, S106에서 계측된 복수의 마크 AM의 위치 관계에 근거하여 제2 노광장치(20)에서의 기판 W의 배율을 구한다. 이에 따라, 장치 사이에서의 기판 W의 배율차가 구해지고, 해당 배율차를 보정하기 위한 보정값을 결정할 수 있다.
S108에서는, 제2 패턴 P2를 형성해야 할 목표 치수 및 목표 위치를 나타내는 제2 정보(예를 들면, 설계 데이터)에 근거하여, 제2 노광장치(20)의 패턴 형성부(21)에 의해 기판 위에 제2 패턴 P2를 형성한다(도5의 처리 (10)). 목표 위치는, 예를 들면, 마크 AM에 대한 목표 상대 위치이다. 또한, 패턴 형성부(21)에 의한 제2 패턴 P2의 형성은, 제2 노광장치(20)의 좌표계를 기초로 행해질 수 있다. 예를 들면, S108의 공정에서는, S106의 공정에서 계측된 복수의 마크 AM의 위치 정보에 근거하여, 제2 정보에 표시되는 목표 위치에 제2 패턴 P2가 형성되도록, 기판 스테이지에 의해 기판 W의 위치결정(XY 방향)을 행한다. 그리고, S107에서 결정된 보정값에 근거하여, 제2 정보에 표시되는 목표 치수를 보정하고, 보정된 목표 치수에 따라, 기판 위의 Shot4에 제2 패턴 P2를 형성한다.
S109에서는, 반송부(30)에 의해 제2 노광장치(20)로부터 기판 W를 반출한다. S110에서는, 다음에 패턴 형성처리를 행할 기판 W(다음의 기판 W)가 있는지 아닌지를 판정한다. 다음의 기판 W가 있는 경우에는 S101로 되돌아가고, 다음의 기판 W가 없는 경우에는 종료한다.
전술한 패턴 형성처리에서는, 제1 노광장치(10)에 의해 기판 위에 복수의 마크 AM을 형성하고, 제1 노광장치(10) 및 제2 노광장치(20)의 각각에서 해당 복수의 마크 AM의 위치를 계측한다. 그리고, 그 계측 결과로부터, 제1 노광장치(10)와 제2 노광장치(20)에서의 기판 W의 배율차를 보정하기 위한 보정값을 결정하고, 해당 보정값에 의해 보정된 목표 치수에 따라 기판 위에 패턴을 형성한다. 이에 따라, 제1 노광장치(10)와 제2 노광장치(20)에서 장치내 환경의 차이가 생기고 있는 경우에도, 제1 지표 TP 및 제2 지표 CP을 원하는 정밀도 범위에 들어가게 하여, 패턴의 형성 정밀도를 향상시킬 수 있다. 한편, MMG 기술을 사용한 형성 시스템(100)에서는, 기판 위에의 패턴 형성을 복수의 장치에서 분담해서 효율적으로 행하기 때문에, 스루풋의 점에서 유리하기는 하지만, 마크 AM을 기판 위에 형성하는 공정을 포함하는 것만큼 스루풋이 저하할 수 있다. 따라서, 형성 시스템(100)에서는, 스루풋의 향상이 더욱 더 요구되고 있다.
따라서, 본 발명에 따른 형성 시스템(100)은, 복수의 기판 W에의 패턴 형성처리를 연속해서 행하고, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크 AM의 위치가 안정된 경우에, 제1 노광장치(10)에서의 해당 복수의 마크 AM의 위치의 계측을 생략한다. 이에 따라, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
구체적으로는, 기판마다 행해지는 패턴 형성처리의 모드로서, 제1 모드와 제2 모드를 포함할 수 있다. 제1 모드는, 제1 노광장치(10)에서 복수의 마크 AM의 위치를 계측하는 계측공정을 행하고, 해당 계측공정에서의 계측 결과에 근거하여 제2 노광장치(20)에서의 제2 패턴 P2의 형성을 제어하는 모드이다. 한편, 제2 모드는, 제1 노광장치(10)에서의 계측공정을 생략하고, 전회의 계측공정의 계측 결과에 근거하여, 제2 노광장치(20)에서의 제2 패턴 P2의 형성을 제어하는 모드이다. 제1 모드에서의 과거 복수회의 패턴 형성처리에 있어서의 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우, 패턴 형성처리의 모드를 제1 모드로부터 제2 모드로 이행한다.
예를 들면, 노광장치에서는, 복수의 기판 W에 대해 연속해서 노광을 행하면, 그것에 따라 장치 내의 온도(예를 들면, 투영 광학계의 온도)가 상승하는 동시에, 해당 장치 내에 반송된 기판 W의 온도도 상승해서 열팽창을 일으킨다. 일반적으로, 장치 내의 온도는, 소정의 온도까지 상승하면 포화해서 안정되기 때문에, 그것에 따라 기판 W의 열팽창이 포화해서 안정되고, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크 AM의 위치도 안정될 수 있다. 즉, 기판 W의 열팽창이 포화한 후에는, 복수의 기판 W에 대해 거의 같은 기판 위의 위치에 복수의 마크 AM을 형성할 수 있다. 그 때문에, 1개의 기판 W에의 패턴 형성 처리시에 계측된 복수의 마크 AM의 위치 정보를, 후속의 기판 W에의 패턴 형성 처리시에 이용할 수 있다.
<제1실시형태>
MMG 기술을 채용하는 상기한 형성 시스템(100)을 사용한 제1실시형태의 패턴 형성처리에 대해, 도7∼도8을 참조하면서 설명한다. 도7은, MMG 기술을 사용한 패턴 형성처리를 나타낸 플로우차트다. 도7에 나타낸 플로우차트의 각 공정은, 주 제어부(40)에 의한 제어를 기초로 실행될 수 있다. 도8은, 형성 시스템(100)에 있어서의 처리 플로우(데이터 플로우)를 도시한 도면이다.
S201에서는, 반송부(30)에 의해 기판 W를 제1 노광장치(10)에 반송한다(도8의 처리 (1)). S202에서는, 제1 노광장치(10)의 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 복수의 마크 AM을 형성한다(도8의 처리 (2)). S201∼S202의 공정은, 도4에 나타낸 플로우차트의 S101∼S102의 공정과 같기 때문에, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
S203에서는, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크 AM의 위치가 안정되었는지 아닌지(즉, 기판 위에 형성되는 마크 AM의 위치의 안정성)를 판단한다. 해당 판단은, 예를 들면, 주 제어부(40)에 의해 행해질 수 있다. 기판 위에 형성되는 복수의 마크 AM의 위치가 안정되어 있지 않다고 판단한 경우에는 S204로 진행하여, 복수의 마크 AM의 위치를 계측하는 제1 모드에서의 패턴 형성처리를 실행한다. 한편, 복수의 마크 AM의 위치가 안정되었다고 판단한 경우에는 S205로 진행하여, 복수의 마크 AM의 위치의 계측을 생략하는 제2 모드에서의 패턴 형성처리를 실행한다.
여기에서, 마크 AM의 위치의 안정성을 판단하는 일례에 대해 설명한다. 예를 들면, 주 제어부(40)는, 과거에 마크 AM의 계측공정이 행해진 복수매의 기판 W의 각각에 대해, 마크 AM의 위치의 계측 결과를 취득한다. 그리고, 과거 복수회에서의 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우에, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단한다.
구체적인 마크 AM의 위치의 계측 결과(dx, dy, dθ)와, 계측 결과의 변동의 허용범위(tx, ty, tθ)를 이하에 나타낸다. 이하의 예에서는, 마크 AM의 위치의 과거의 계측 결과로서, 최후에 패턴 형성처리가 행해진 기판 W(최후의 기판 W)에서의 계측 결과와, 그것보다 이전에 패턴 형성처리가 행해진 기판 W에서의 계측 결과가 표시되어 있다. 또한, 계측 결과로서, 마크 계측부(13)에 의해 계측된 마크 AM의 위치와 마크 AM이 형성되어야 할 목표 위치(기준)의 어긋남 량이 채용되고 있다. 더구나, 최후의 기판 W에서의 계측 결과와의 비교에 사용되는 계측 결과의 수(즉, 최후의 기판 W보다 이전에 패턴 형성처리가 행해진 기판 W의 매수)가 3매로 설정되어 있다. 따라서, 이하의 예에서는, 최후의 기판 W보다 1매∼3매 이전의 기판 W에서의 계측 결과가 표시되어 있다. 이하의 예의 경우, 최후의 기판 W에서의 계측 결과와 그것보다 1매∼3매전의 기판 W에서의 계측 결과의 차이가 모두 허용범위 내에 들어가 있기 때문에, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단할 수 있다.
· 계측 결과의 변동의 허용범위
X방향의 허용범위 tx: 2μm
Y방향의 허용범위 ty: 2μm
θ 방향의 허용범위 tθ: 2degrees
비교 대상으로 하는 과거의 기판의 매수: 3매
·최후의 기판에서의 계측 결과
X방향의 어긋남 량 dx: 1μm
Y방향의 어긋남 량 dy: 1μm
θ 방향의 어긋남 량 dθ: 1degrees
·1매전의 기판에서의 계측 결과
X방향의 어긋남 량 dx: 1μm
Y방향의 어긋남 량 dy: 1μm
θ 방향의 어긋남 량 dθ: 1degrees
·2매전의 기판에서의 계측 결과
X방향의 어긋남 량 dx: 1.5μm
Y방향의 어긋남 량 dy: 1.5μm
θ 방향의 어긋남 량 dθ: 1.5degrees
·3매전의 기판에서의 계측 결과
X방향의 어긋남 량 dx: 2μm
Y방향의 어긋남 량 dy: 2μm
θ 방향의 어긋남 량 dθ: 2degrees
상기한 예에서는, 최후의 기판 W에서의 계측 결과와 그것보다 이전의 기판 W에서의 계측 결과의 비교를 행했지만, 그것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 최후의 기판 W를 포함하는 과거의 복수의 기판 W에서의 계측 결과의 평균이 허용범위에 들어가 있는 경우에, 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단해도 된다. 또한, 제1 노광장치(10)에서의 복수의 마크 AM의 계측 결과와 장치내 환경의 상태, 마크 계측시의 장치 설정 등을 항상 축적해 두고, 계측 결과의 경향을 분석한 결과에 근거하여, 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단해도 된다. 계측 결과의 경향의 분석 수단으로서는, 예를 들면, 과거의 기판 W에서의 계측 결과의 근사 데이터를 사용하거나, 복수의 노광장치의 계측 결과와 장치내 환경의 데이터를 축적해서 기계학습에 의해 분석한 결과를 사용해도 된다. 더구나, 소정의 매수의 기판에 대해 계측 결과를 행하면, 직근의 수매분의 기판 W의 계측 결과끼리를 비교하여, 그 차이가 허용범위에 들어가 있는 경우에, 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단해도 된다.
그 밖의 안정성 판단의 방법으로서, 제1 노광장치(10)에 설치된 복수의 마크 형성부(12a, 12b)의 물리적인 상대 위치에 근거하여 안정성 판단을 행하는 방법이 사용되어도 된다. 본 실시형태의 경우, 복수의 마크 형성부(12a, 12b)는, 투영 광학계(11d)에 부착되어 있고, 투영 광학계(11d)의 온도 변화에 의해 투영 광학계(11d)의 형상이 변화하고, 그것에 따라, 복수의 마크 형성부(12a, 12b)의 상대 위치가 변화한다. 그 때문에, 복수의 마크 형성부(12a, 12b)의 상대 위치를 계측하는 계측 기구를 설치하고, 그 계측 기구의 계측 결과에 근거하여, 해당 상대 위치의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우에, 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단해도 된다. 또한, 투영 광학계(11d)의 열변형량을 계측하는 계측 기구를 설치해 두고, 그 계측 결과에 근거하여, 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단해도 된다.
S204는, 제1 모드의 패턴 형성처리에서 행해지는 공정이며, 도4에 나타낸 플로우차트의 S103과 같은 공정이다. S204에서는, 제1 노광장치(10)의 마크 계측부(13)에 의해, S202의 공정에서 기판 위에 형성된 복수의 마크 AM의 위치를 계측하고(도8의 처리 (3-2)), 계측된 복수의 마크 AM의 위치 정보를 제2 노광장치(20)에 통지한다(도8의 처리 (4)).
S205는, 제2 모드의 패턴 형성처리에서 행해지는 처리다. S205에서는, 마크 계측부(13)에 의한 마크 AM의 위치의 계측이 생략되고(도8의 처리 (3-1)), 전회의 계측공정에서 얻어진 계측 결과(복수의 마크 AM의 위치 정보)를 제2 노광장치(20)에 통지한다(도8의 처리 (4)).
S206∼S208은, 도4에 나타낸 플로우차트의 S104∼S106과 같은 공정이기 때문에, 해당 공정의 설명은 생략한다. 이때, S206∼S208의 공정은, 도8의 처리 (5)∼ (8)에 대응한다.
S209에서는, 제1 노광장치(10)와 제2 노광장치(20)에서의 기판 W의 배율차를 구하고, 해당 배율차를 보정하기 위한 보정값을 결정한다(도8의 처리 (9)). 예를 들면, 주 제어부(40)는, S204 또는 S205에서 제1 노광장치(10)로부터 통지된 복수의 마크 AM의 위치 정보에 근거하여 제1 노광장치(10)에서의 기판 W의 배율을 구한다. 또한, S208에서 계측된 복수의 마크 AM의 위치 정보에 근거하여 제2 노광장치(20)에서의 기판 W의 배율을 구한다. 이에 따라, 장치 사이에서의 기판 W의 배율차가 구해지고, 해당 배율차를 보정하기 위한 보정값을 결정할 수 있다.
S210은, 도4에 나타낸 플로우차트의 S108과 같은 공정이며, 도8의 처리 (10)에 대응한다. S210에서는, S209에서 결정된 보정값에 근거하여, 제2 정보에 표시되는 목표 치수를 보정하고, 보정된 목표 치수에 따라, 기판 위에 제2 패턴 P2를 형성한다. S211에서는, 반송부(30)에 의해 제2 노광장치(20)로부터 기판 W를 반출한다. S212에서는, 다음에 패턴 형성처리를 행할 기판 W(다음의 기판 W)가 있는지 아닌지를 판정한다. 다음의 기판 W가 있는 경우에는 S201로 되돌아가고, 다음의 기판 W가 없는 경우에는 종료한다. 여기에서, S203에 있어서, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크의 위치가 안정되었다고 판단된 경우, 다음의 기판 W에 있어서도 제2 모드가 선택될 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크 AM의 위치가 안정되었는지 아닌지를 판단하여, 복수의 마크 AM의 위치가 안정되었다고 판단한 경우, 마크 계측부(13)에 의한 마크 AM의 계측을 생략한다. 이에 따라, 마크 계측부(13)에 의한 마크 AM의 계측에 필요한 시간을 삭감할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
<제2실시형태>
MMG 기술을 채용하는 상기한 형성 시스템(100)을 사용한 제2실시형태의 패턴 형성처리에 대해, 도9a∼도10을 참조하면서 설명한다. 제2실시형태에서는, 제2 모드에 있어서, 사전에 설정된 복수매의 기판마다 제1 노광장치(10)(마크 계측부(13))에서 마크 AM의 계측공정을 행한다. 그리고, 제2 모드에서 행해지는 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우, 패턴 형성처리의 모드를 제2 모드로부터 제1 모드로 이행한다.
도9a∼도9b는, MMG 기술을 사용한 패턴 형성처리를 나타낸 플로우차트다. 도9a∼도9B에 나타낸 플로우차트의 각 공정은, 주 제어부(40)에 의한 제어를 기초로 실행될 수 있다. 도10은, 형성 시스템(100)에 있어서의 처리 플로우(데이터 플로우)를 도시한 도면이다. 여기에서, 도9a∼도9b에 나타낸 플로우차트는, 도7에 나타낸 플로우차트에 대해, S201∼S212와 같은 공정이지만, S213∼S217이 새롭게 추가되어 있다. S213∼S217은, 제2 모드로부터 제1 모드로 이행할 것인지 아닌지를 판단하는 공정이며, 도10의 처리 (4)에 대응한다. 이하에서는, 도7에 나타낸 플로우차트와 다른 점에 대해 설명한다.
S203에 있어서, 기판 위에 형성되는 복수의 마크 AM의 위치가 안정되어 있지 않다고 판단한 경우에는 S204로 진행하여, 제1 모드에서의 패턴 형성처리를 실행한다. 한편, 복수의 마크 AM의 위치가 안정되었다고 판단한 경우에는 S213으로 진행하여, 제2 모드에서의 패턴 형성처리를 실행한다.
S213에서는, 마크 계측부(13)에 의한 마크 AM의 위치의 계측(계측공정)을 행할 기판 W인지 아닌지를 판단한다. 상기한 바와 같이, 제2 모드에서는, 사전에 설정된 복수매의 기판마다 마크 계측부(13)에서의 마크 AM의 계측공정이 행해진다. 계측공정을 행하는 기판 W가 아닌 경우에는 S205로 진행하고, 계측공정을 행하는 기판 W일 경우에는 S214로 진행한다.
S214에서는, 제1 노광장치(10)의 마크 계측부(13)에 의해, S202의 공정에서 기판 위에 형성된 복수의 마크 AM의 위치를 계측하고, 계측된 복수의 마크 AM의 위치 정보를 제2 노광장치(20)에 통지한다. S215에서는, 제2 모드에서 행해진 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판단한다. 구체적으로는, 제2 모드에서 이번 행해진 계측공정의 계측 결과와 전회 행해진 계측공정의 계측 결과의 차이가 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판단한다. 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우에는 S216으로 진행하여, 다음의 기판 W에 대한 패턴 형성처리를 제2 모드에서 행하는 것을 결정한 후, S206으로 진행한다. 한편, 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에는 S217로 진행하여, 다음의 기판 W에 대한 패턴 형성처리를 제1 모드에서 행하는 것을 결정한 후, S206으로 진행한다.
여기에서, 상기한 예에서는, 제2 모드에서 행해진 계측공정의 계측 결과의 변동에 근거하여 제1 모드로 이행할 것인지 아닌지를 판단했지만, 그것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기판의 온도 또는 장치 내의 온도를 계측하는 기구를 설치해 두고, 기판의 온도변동 또는 장치내의 온도변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에 제2 모드로부터 제1 모드로 이행해도 된다. 또한, 투영 광학계(11d)의 포커스 특성을 계측하는 기구를 설치해 두고, 포커스 특성의 변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에 제2 모드로부터 제1 모드로 이행해도 된다. 더구나, 복수의 마크 형성부(12a, 12b)의 상대 위치의 변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에 제2 모드로부터 제1 모드로 이행해도 된다.
상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제2 모드에서 행해진 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판단한다. 그리고, 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우에는 제2 모드를 계속하게 하고, 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에는 제1 모드로 이행하게 한다. 이에 따라, 제2 모드로 이행한 후에 있어서도, 마크 형성부(12)에 의해 기판 위에 형성되는 복수의 마크 AM의 위치가 안정되지 않은 경우에는 제1 모드로 이행하여, 기판 위에의 패턴 형성 정밀도를 향상시킬 수 있다.
<물품의 제조방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태의 물품의 제조방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기한 노광장치를 사용해서 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상(가공)하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시형태의 물품의 제조방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능·품질·생산성·생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다.
<기타 실시예>
본 발명은, 전술한 실시형태의 1 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억매체를 거쳐 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리에서도 실현가능하다. 또한, 1 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들면, ASIC)에 의해서도 실현가능하다.
발명은 상기 실시형태에 제한되는 것은 아니고, 발명의 정신 및 범위에서 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 명확하게 하기 위해 청구항을 첨부한다.
본원은, 2019년 2월 18일 제출된 일본국 특허출원 특원 2019-026671을 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 그것의 기재 내용의 모두를 여기에 원용한다.
10: 제1 노광장치, 11: 패턴 형성부, 12: 마크 형성부, 13: 마크 계측부, 20: 제2 노광장치, 21: 패턴 형성부, 23: 마크 계측부, 30: 반송부, 40: 주 제어부, 100: 형성 시스템

Claims (12)

  1. 제1 장치와 제2 장치를 사용해서 기판 위의 1개의 층에 패턴을 형성하는 형성방법으로서,
    상기 제1 장치에서 기판 위에 마크를 형성하는 마크 형성공정과,
    상기 제1 장치에서 기판 위에 제1 패턴을 형성하는 제1 형성공정과,
    상기 제2 장치에서 기판 위에 제2 패턴을 형성하는 제2 형성공정을 포함하는 처리를 기판마다 행하고,
    상기 처리의 모드로서, 상기 제1 장치에서 상기 마크의 위치를 계측하는 계측공정을 행하고, 해당 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제1 모드와, 상기 계측공정을 생략하고, 과거의 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제2 모드를 포함하고,
    상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 변동을, 상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 차이에 근거해서 구하고, 상기 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우, 상기 처리의 모드를 상기 제1 모드로부터 상기 제2 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 모드에서는, 복수매의 기판마다의 상기 처리에 상기 계측공정이 포함되고,
    상기 제2 모드에서의 상기 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우, 상기 처리의 모드를 제2 모드로부터 상기 제1 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 처리는, 상기 제2 장치에서 상기 마크의 위치를 계측하는 제2 계측공정을 더 포함하고,
    상기 제2 형성공정에서는, 상기 제2 계측공정의 계측 결과에 더 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제2 형성공정에서는, 상기 계측공정에서 계측된 상기 마크의 위치 정보와 상기 제2 계측공정에서 계측된 상기 마크의 위치 정보의 차이에 근거하여, 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 형성공정에서는, 상기 차이에 근거하여 상기 제1 장치와 상기 제2 장치에 있어서의 기판의 배율차를 보정하는 보정값을 결정하고, 상기 제2 패턴을 형성해야 할 목표 위치를 나타내는 정보를 상기 보정값으로 보정한 결과에 근거하여, 기판 위에 상기 제2 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴은, 같은 형상을 갖고, 기판 위에 형성되는 방향이 서로 다른 것을 특징으로 하는 형성방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 마크 형성공정에서는, 상기 제1 장치에 있어서의 복수의 형성부에 의해 기판 위에 마크가 형성되고,
    상기 복수의 형성부의 상대 위치의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우, 상기 처리의 모드를 상기 제1 모드로부터 상기 제2 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 복수의 형성부의 상대 위치의 변동이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우, 상기 처리의 모드를 상기 제2 모드로부터 상기 제1 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  9. 기판 위에 패턴을 형성하는 형성장치로서,
    상기 기판 위에 마크를 형성하는 형성부와,
    상기 형성부에 의해 상기 기판 위에 형성된 상기 마크의 위치를 계측하는 계측부와,
    기판 위에 패턴을 형성하는 처리를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 기판 위의 1개의 층에 대해, 상기 형성장치와, 상기 형성장치와는 별도의 형성장치를 사용해서 복수의 패턴이 형성되고,
    상기 제어부는, 상기 처리의 모드에 따라, 상기 별도의 형성장치에 정보를 통지하고,
    상기 처리의 모드로서, 상기 계측부에 의해 마크의 위치를 계측하는 계측공정을 행하고, 해당 계측공정의 계측 결과를 상기 별도의 형성장치에 통지하는 제1 모드와, 상기 계측공정을 생략하고, 과거에 행해진 계측공정의 계측 결과를 상기 별도의 형성장치에 통지하는 제2 모드를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 변동을, 상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 차이에 근거해서 구하고, 상기 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우, 상기 처리의 모드를 상기 제1 모드로부터 상기 제2 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 형성장치.
  10. 기판 위에 패턴을 형성하는 형성장치로서,
    상기 기판 위에 패턴을 형성하는 처리를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 기판의 1개의 층에 대해, 상기 형성장치와, 상기 형성장치와는 별도의 형성장치를 사용해서 복수의 패턴이 형성되고,
    상기 처리의 모드로서, 상기 별도의 형성장치에 있어서 상기 기판 위의 마크의 위치를 계측하는 계측공정이 행해진 경우에 해당 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 처리를 제어하는 제1 모드와, 상기 별도의 형성장치에 있어서 상기 계측공정이 생략된 경우에 상기 별도의 형성장치에서 과거에 행해진 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 처리를 제어하는 제2 모드를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 변동을, 상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 차이에 근거해서 구하고, 상기 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우, 상기 처리의 모드를 상기 제1 모드로부터 상기 제2 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 형성장치.
  11. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재된 형성방법을 사용해서 기판 위에 패턴을 형성하는 형성공정과,
    상기 형성공정에서 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 가공공정을 포함하고,
    상기 가공공정에서 가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조방법.
  12. 제1 장치와 제2 장치를 사용해서 기판 위의 1개의 층에 패턴을 형성하는 패턴 형성 시스템으로서,
    상기 기판 위에 제1 패턴을 형성하는 상기 제1 장치와,
    상기 기판 위에 제2 패턴을 형성하는 상기 제2 장치와,
    상기 기판 위에 패턴을 형성하는 처리를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제1 장치는, 기판 위에 마크를 형성하는 형성부와, 상기 형성부에 의해 상기 기판 위에 형성된 상기 마크의 위치를 계측하는 계측부를 포함하고,
    상기 처리의 모드로서, 상기 계측부에 의해 상기 마크의 위치를 계측하는 계측공정을 행하고, 해당 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제1 모드와, 상기 계측공정을 생략하고, 과거의 계측공정의 계측 결과에 근거하여 상기 제2 패턴의 형성을 제어하는 제2 모드를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 변동을, 상기 제1 모드에서의 복수회의 상기 처리에 있어서의 상기 계측공정의 계측 결과의 차이에 근거해서 구하고, 상기 계측공정의 계측 결과의 변동이 허용범위에 들어가 있는 경우, 상기 처리의 모드를 상기 제1 모드로부터 상기 제2 모드로 이행하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 시스템.
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