JP7336201B2 - 形成方法、パターン形成システム、および物品の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る形成システム100(形成装置)について説明する。形成システム100は、複数のリソグラフィ装置を用いて、基板上の1つの層(同一層)における互いに異なる位置にパターンをそれぞれ形成する、いわゆるMMG(Multi Model on Glass)技術を実行するシステムである。リソグラフィ装置としては、例えば、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。
次に、形成システム100(第1露光装置10、第2露光装置20)による基板上への第1パターンP1、第2パターンP2、およびマークAMの形成について説明する。図3は、形成システム100によって基板上に形成された第1パターンP1、第2パターンP2、およびマークAMの配置例を示す図である。
次に、MMG技術を採用する上記の形成システム100を用いたパターン形成処理について、図4~図6を参照しながら説明する。ここで、図4~図6を用いて以下に説明するパターン形成処理は、本発明の前提となりうる技術である。
MMG技術を採用する上記の形成システム100を用いた第1実施形態のパターン形成処理について、図7~図8を参照しながら説明する。図7は、MMG技術を用いたパターン形成処理を示すフローチャートである。図7に示すフローチャートの各工程は、主制御部40による制御のもとで実行されうる。図8は、形成システム100における処理フロー(データフロー)を示す図である。
X方向の許容範囲tx:2μm
Y方向の許容範囲ty:2μm
θ方向の許容範囲tθ:2degrees
比較対象とする過去の基板の枚数:3枚
・最後の基板での計測結果
X方向のずれ量dx:1μm
Y方向のずれ量dy:1μm
θ方向のずれ量dθ:1degrees
・1枚前の基板での計測結果
X方向のずれ量dx:1μm
Y方向のずれ量dy:1μm
θ方向のずれ量dθ:1degrees
・2枚前の基板での計測結果
X方向のずれ量dx:1.5μm
Y方向のずれ量dy:1.5μm
θ方向のずれ量dθ:1.5degrees
・3枚前の基板での計測結果
X方向のずれ量dx:2μm
Y方向のずれ量dy:2μm
θ方向のずれ量dθ:2degrees
MMG技術を採用する上記の形成システム100を用いた第2実施形態のパターン形成処理について、図9~図10を参照しながら説明する。第2実施形態では、第2モードにおいて、事前に設定された複数枚の基板ごとに第1露光装置10(マーク計測部13)でマークAMの計測工程を行う。そして、第2モードで行われる計測工程の計測結果の変動が許容範囲に収まっていない場合、パターン形成処理のモードを第2モードから第1モードに移行する。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像(加工)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
Claims (12)
- 第1装置と第2装置とを用いて基板上の1つの層にパターンを形成する形成方法であって、
前記第1装置で基板上にマークを形成するマーク形成工程と、
前記第1装置で基板上に第1パターンを形成する第1形成工程と、
前記第2装置で基板上に第2パターンを形成する第2形成工程と、
を含む処理を基板ごとに行い、
前記処理のモードとして、前記第1装置で前記マークの位置を計測する計測工程を行い、当該計測工程の計測結果に基づいて前記第2パターンの形成を制御する第1モードと、前記計測工程を省略し、過去の計測工程の計測結果に基づいて前記第2パターンの形成を制御する第2モードとを含み、
前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の変動を、前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の差に基づいて求め、前記計測工程の計測結果の変動が許容範囲に収まっている場合、前記処理のモードを前記第1モードから前記第2モードに移行する、ことを特徴とする形成方法。 - 前記第2モードでは、複数枚の基板ごとの前記処理に前記計測工程が含まれ、
前記第2モードでの前記計測工程の計測結果の変動が許容範囲に収まっていない場合、前記処理のモードを第2モードから前記第1モードに移行する、ことを特徴とする請求項1に記載の形成方法。 - 前記処理は、前記第2装置で前記マークの位置を計測する第2計測工程を更に含み、
前記第2形成工程では、前記第2計測工程の計測結果に更に基づいて前記第2パターンの形成を制御する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の形成方法。 - 前記第2形成工程では、前記計測工程で計測された前記マークの位置情報と前記第2計測工程で計測された前記マークの位置情報との差に基づいて、前記第2パターンの形成を制御する、ことを特徴とする請求項3に記載の形成方法。
- 前記第2形成工程では、前記差に基づいて前記第1装置と前記第2装置とにおける基板の倍率差を補正する補正値を決定し、前記第2パターンを形成すべき目標位置を示す情報を前記補正値で補正した結果に基づいて、基板上に前記第2パターンを形成する、ことを特徴とする請求項4に記載の形成方法。
- 前記第1パターンと前記第2パターンとは、同じ形状を有し、基板上に形成される向きが互いに異なる、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の形成方法。
- 前記マーク形成工程では、前記第1装置における複数の形成部により基板上にマークが形成され、
前記複数の形成部の相対位置の変動が許容範囲に収まっている場合、前記処理のモードを前記第1モードから前記第2モードに移行する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の形成方法。 - 前記複数の形成部の相対位置の変動が許容範囲に収まっていない場合、前記処理のモードを前記第2モードから前記第1モードに移行する、ことを特徴とする請求項7に記載の形成方法。
- 基板上にパターンを形成する形成装置であって、
前記基板上にマークを形成する形成部と、
前記形成部により前記基板上に形成された前記マークの位置を計測する計測部と、
基板上にパターンを形成する処理を制御する制御部と、
を含み、
前記基板上の1つの層に対し、前記形成装置と、前記形成装置とは別の形成装置とを用いて複数のパターンが形成され、
前記制御部は、前記処理のモードに応じて、前記別の形成装置に情報を通知し、
前記処理のモードとして、前記計測部によりマークの位置を計測する計測工程を行い、当該計測工程の計測結果を前記別の形成装置に通知する第1モードと、前記計測工程を省略し、過去に行われた計測工程の計測結果を前記別の形成装置に通知する第2モードとを含み、
前記制御部は、前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の変動を、前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の差に基づいて求め、前記計測工程の計測結果の変動が許容範囲に収まっている場合、前記処理のモードを前記第1モードから前記第2モードに移行する、ことを特徴とする形成装置。 - 基板上にパターンを形成する形成装置であって、
前記基板上にパターンを形成する処理を制御する制御部を含み、
前記基板の1つの層に対し、前記形成装置と、前記形成装置とは別の形成装置とを用いて複数のパターンが形成され、
前記処理のモードとして、前記別の形成装置において前記基板上のマークの位置を計測する計測工程が行われた場合に当該計測工程の計測結果に基づいて前記処理を制御する第1モードと、前記別の形成装置において前記計測工程が省略された場合に前記別の形成装置で過去に行われた計測工程の計測結果に基づいて前記処理を制御する第2モードとを含み、
前記制御部は、前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の変動を、前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の差に基づいて求め、前記計測工程の計測結果の変動が許容範囲に収まっている場合、前記処理のモードを前記第1モードから前記第2モードに移行する、ことを特徴とする形成装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の形成方法を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 - 第1装置と第2装置とを用いて基板上の1つの層にパターンを形成するパターン形成システムであって、
前記基板上に第1パターンを形成する前記第1装置と、
前記基板上に第2パターンを形成する前記第2装置と、
前記基板上にパターンを形成する処理を制御する制御部と、
を備え、
前記第1装置は、前記基板上にマークを形成する形成部と、前記形成部により前記基板上に形成された前記マークの位置を計測する計測部と、を含み、
前記処理のモードとして、前記計測部により前記マークの位置を計測する計測工程を行い、当該計測工程の計測結果に基づいて前記第2パターンの形成を制御する第1モードと、前記計測工程を省略し、過去の計測工程の計測結果に基づいて前記第2パターンの形成を制御する第2モードとを含み、
前記制御部は、前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の変動を、前記第1モードでの複数回の前記処理における前記計測工程の計測結果の差に基づいて求め、前記計測工程の計測結果の変動が許容範囲に収まっている場合、前記処理のモードを前記第1モードから前記第2モードに移行する、ことを特徴とするパターン形成システム。
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