JP2015087314A - 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、及び物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板408上に形成された各ショット領域の位置を計測する計測装置は、基板上のショット領域に関して形成されたマークを検出する検出部404、417、403と、検出部の出力に基づいて、各ショット領域の位置を求める処理部405と、を有する。処理部405は、基板上の複数のサンプルショット領域それぞれに関する検出部の出力に基づいて、各ショット領域の位置を求めるための回帰式の係数を求め、当該係数とその基準値との相違に係る許容条件を当該係数が満たす場合、回帰式により得られる各ショット領域の位置を補正するために予め得られた各オフセット量を用いて各ショット領域の位置を求める。
【選択図】図6
Description
前記基板上のショット領域に関して形成されたマークを検出する検出部と、
前記検出部の出力に基づいて、前記各ショット領域の位置を求める処理部と、有し、
前記処理部は、
前記基板上の複数のサンプルショット領域それぞれに関する前記検出部の出力に基づいて、前記各ショット領域の位置を求めるための回帰式の係数を求め、
前記係数とその基準値との相違に係る許容条件を前記係数が満たす場合、前記回帰式により得られる前記各ショット領域の位置を補正するために予め得られた各オフセット量を用いて前記各ショット領域の位置を求める、
ことを特徴とする計測装置である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、実施形態を説明するための全図を通して、原則として(断りのない限り)、同一の部材等には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
gi = BΘdi+S (数1)
gi = Adi+S+Oi, (A=BΘ) (数4)
|βx’−βx|≦βxLimit (数5)
|βy’−βy|≦βyLimit (数6)
|Θx’−Θx|≦ΘxLimit (数7)
|Θy’−Θy|≦ΘyLimit (数8)
|Sx’−Sx|≦SxLimit (数9)
|Sy’−Sy|≦SyLimit (数10)
図10および図16のフローチャートを参照して実施形態2を説明する。
実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、物体(例えば、感光材を表面に有する基板)上に上記のリソグラフィ装置を用いてパターン(例えば潜像パターン)を形成する工程と、当該工程でパターンを形成された物体を処理する工程(例えば、現像工程)とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明は、次の処理を実行することによっても実現される。当該処理は、上記実施形態の機能を実現するプログラム(ソフトウェア)を、ネットワークまたは記憶媒体を介してシステムまたは装置に供給し、該システムまたは装置のコンピュータ、CPUまたはMPU等が当該プログラムを読み出して実行する処理である。
404 顕微鏡(検出部を構成)
417 撮像部(検出部を構成)
405 制御部(処理部)
Claims (11)
- 基板上に形成された各ショット領域の位置を計測する計測装置であって、
前記基板上のショット領域に関して形成されたマークを検出する検出部と、
前記検出部の出力に基づいて、前記各ショット領域の位置を求める処理部と、有し、
前記処理部は、
前記基板上の複数のサンプルショット領域それぞれに関する前記検出部の出力に基づいて、前記各ショット領域の位置を求めるための回帰式の係数を求め、
前記係数とその基準値との相違に係る許容条件を前記係数が満たす場合、前記回帰式により得られる前記各ショット領域の位置を補正するために予め得られた各オフセット量を用いて前記各ショット領域の位置を求める、
ことを特徴とする計測装置。 - 前記許容条件を前記係数が満たさない場合、前記複数のサンプルショット領域とは異なる複数のサンプルショット領域それぞれに関する前記検出部の出力に基づいて、前記係数を求める処理を行う、ことを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
- 前記許容条件を前記係数が満たすか、予め定められた終了条件を満たすかするまで、前記処理を繰り返す、ことを特徴とする請求項2に記載の計測装置。
- 前記許容条件を前記係数が満たさずに前記終了条件を満たしたことを示す情報を出力する、ことを特徴とする請求項3に記載の計測装置。
- 前記許容条件は、前記係数と前記基準値との差の絶対値が許容範囲内に収まることである、ことを特徴とする請求項1ないし4のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記処理部は、予め求められた前記回帰式の係数と設定値とに基づいて、前記許容範囲を求める、ことを特徴とする請求項5に記載の計測装置。
- 前記処理部は、予め求められた前記回帰式の係数の頻度分布に基づいて、前記許容範囲を求める、ことを特徴とする請求項5に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記検出部の出力に基づいた得られたマークの位置ずれ量が許容条件を満たさないマークに関するサンプルショット領域を別のショット領域に置換して前記異なる複数のサンプルショット領域とする、ことを特徴とする請求項2に記載の計測装置。
- パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板上に形成された各ショット領域の位置を計測する請求項1ないし8のうちいずれか1項に記載の計測装置と、
前記計測装置により計測された前記各ショット領域の位置に基づいて前記基板を位置決めする位置決め部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 基板上に形成された各ショット領域の位置を計測する計測方法であって、
前記基板上の複数のサンプルショット領域それぞれに関して形成されたマークを検出して、前記各ショット領域の位置を求めるための回帰式の係数を求め、
前記係数とその基準値との相違に係る許容条件を前記係数が満たす場合、前記回帰式により得られる前記各ショット領域の位置を補正するために予め得られた各オフセット量を用いて前記各ショット領域の位置を求める、
ことを特徴とする計測方法。 - 請求項9に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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