TWI569107B - 測量裝置、測量方法、微影裝置、及物品製造方法 - Google Patents

測量裝置、測量方法、微影裝置、及物品製造方法 Download PDF

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Description

測量裝置、測量方法、微影裝置、及物品製造方法
本揭示發明通常相關於測量，且更明確地相關於測量裝置、測量方法、微影裝置、物品製造方法、並相關於用於測量形成在基板上的照射區域之位置的技術。
為製造設備(物品)，諸如，半導體設備，微影裝置(例如，曝光裝置)將型樣(光阻劑中的潛像型樣或該光阻劑的型樣)形成在基板上。隨著待形成型樣變得更精細，微影裝置需要以更高精確度測量基板上之型樣的位置，以將型樣重疊在已形成在基板上的型樣(照射區域)上。
在習知測量中，裝置測量已形成在基板上的照射區域之部分照射區域群組(樣本照射區域群組)的位置，並決定用於經測量位置之線性迴歸方程式的係數。該迴歸方程式係用於各照射之設計中的位置(X及Y座標)的線性(簡單)方程式)。另外，關於相同批次中的前導 基板，該裝置決定相對於藉由此迴歸程式得到的各照射之位置的偏移量，並產生此偏移量的表。為決定此偏移量，該裝置測量除了樣本照射區域群組以外的照射區域。此表用於包括在相同批次中的其他基板，以省略除了該樣本照射區域以外之照射區域的測量，使得重疊精確度與處理量變得兼容(參閱日本特許公開專利申請案編號第2003-086483號)。
另外，關於包括在相同批次中的其他基板，有基於該偏移量之變化量決定是否有更新該表的需要，且當有此種需要時更新該表的已知方法(國際公報編號第W02005/053007號)。
製造設備包括擷取經由微影處理形成之基板的層，及以不同基板，諸如，玻璃基板，層壓此層的層壓處理。已受此種層壓處理的基板可更受微影處理。在此層壓處理中與不同基板層壓之該層上的型樣(照射區域)可具有甚大形變。因此，該樣本照射區域群組可包括具有形變的照射區域。在此情形中，日本特許公開專利申請案編碼第2003-086483號的方法不能在容差內實現重疊，即使型樣係基於從該已得到的迴歸方程式決定之各照射區域的位置形成，與是否適當地施加該表的偏移量無關。此外，難以增加基板之擷取或層壓的可再生性，且因此上述迴歸程式的係數可根據相同批次中的基板而大幅變化。因此，當施加國際公報編號第W02005/053007號的方法時，該表頻繁地更新，就微影裝置的處理量而言，其係不利的。
本揭示發明相關於，例如，就重疊精確度及處理量之間的兼容性而言有利的技術。
根據本揭示發明的態樣，一種用於測量形成在基板上的複數個照射區域各者之位置的測量裝置，包括組態成偵測相對於該基板上的照射區域形成之標示的偵測器，及組態成基於該偵測器的輸出得到該複數個照射區域各者之位置的處理器，其中該處理器組態成基於相對於該基板上的複數個樣本照射區域各者之該偵測器的輸出，得到用於得到該複數個照射區域各者的位置之迴歸方程式的係數，且若該係數滿足針對該係數及其基準值間之差的可容許條件，使用預先得到的各偏移量得到該複數個照射區域各者的該位置以校正基於該迴歸方程式得到之該複數個照射區域各者的該位置。
本揭示發明的其他特性將從以下對示範實施例的描述及對該等隨附圖式的參考而變得更明顯。
80、100‧‧‧螢幕
81、101、104、111、122、131、132、133、134、135、136‧‧‧輸入區域
90‧‧‧表
91、92、93、94、95、96、97‧‧‧區域
401‧‧‧光罩
402‧‧‧投影光學系統
403‧‧‧影像算術單元
404‧‧‧顯微鏡
405‧‧‧控制單元
406‧‧‧預對準單元
407‧‧‧控制台單元
408‧‧‧基板
409‧‧‧夾
410‧‧‧台
411‧‧‧監視器
417‧‧‧影像拍攝單元
420‧‧‧儲存單元
f1‧‧‧位置偏差
MX1、MY1‧‧‧(調正)標示
MXi、MYi、S8MX1、S21MXY2、S26MXY4‧‧‧標示
Oi‧‧‧偏移量
Si‧‧‧照射區域
圖1係描繪基板上的各照射區域及樣本照射區域群組之範例的圖。
圖2係描繪各照射區域的偏移量之範例的圖。
圖3係描繪基板上之層(照射區域)的區域 形變之範例的圖。
圖4係描繪藉由測量受該形變影響的樣本照射區域而得到之各照射區域的位置之範例的圖。
圖5A、5B、及5C係描繪待使用在對準測量中的各調正標示之範例的圖。
圖6係描繪曝光裝置之組態範例的圖。
圖7係描繪用於指定測量條件的使用者介面(UI)之範例的圖。
圖8係描繪用於指定包括偏移量之表的UI之範例的圖。
圖9係描繪包括偏移量之表的內容之範例的圖。
圖10係描繪該曝光裝置的操作流程之範例的圖。
圖11A及11B係描繪對準測量處理的流程之範例的流程圖(圖10中的步驟S102)。
圖12係描繪迴歸方程式的係數記錄於其中之表的內容之範例的圖。
圖13係描繪迴歸方程式的係數及偏移量記錄於其中之表的內容之範例的圖。
圖14係描繪在指定表的狀態中之UI的範例的圖。
圖15係用於描述用於識別顯示大測量誤差的標示之方法的圖。
圖16A及16B係描繪對準測量處理的流程之另一範例的流程圖(圖10中的步驟S102)。
圖17係描繪迴歸方程式之係數的頻率分佈之範例的圖。
圖18係用於描述用於識別顯示大測量誤差的標示之另一方法的圖。
本揭示發明的各種範例實施例、特性、及態樣將參考該等圖式於下文詳細描述。
將於下文描述本揭示發明的第一範例實施例。基本上，除非另外指定，相同構件設有相同的參考數字並將省略其冗餘描述。
首先，將參考圖6描述根據範例實施例用作為微影裝置之曝光裝置的組態範例。此處，此曝光裝置可使用紫外光、真空紫外光、或極紫外光將型樣形成在基板上。如圖6所描繪的，曝光裝置使用光罩401及基板408。設置夾409以保持基板408，並設置台410以保持夾409及移動基板408。設置投影光學系統402以將光從光罩401投影至基板408上。設置顯微鏡404以偵測形成在基板408上的標示。設置影像拍攝單元417(例如，電荷耦合裝置(CCD)照相機)以將經由顯微鏡404得到之標示的影像轉換為電訊號。影像算術單元403在得自影像拍攝單元417的電訊號(影像訊號)上實施算術處理，並 儲存該影像訊號及算術處理結果。另外，設置預對準單元406以基於基板408的外形定位藉由基板運輸單元(未描繪)載入的基板408。設置控制台單元407(電腦終端)以運作為使用者介面(UI)。設置監視器411以用作為容許使用者確認經由顯微鏡404得到之影像的顯示單元。設置控制單元(也可稱為「處理器」)405以控制上述各部分。控制單元405包括儲存單元420及中央處理單元(CPU)。控制單元405可組態成能與存在於曝光裝置外側的主電腦通訊。顯微鏡404及影像拍攝單元417用於組態偵測器。彼等係不使用投影光學系統402偵測標示的離軸型偵測器，然而，彼等可經由投影光學系統402偵測標示。另外，光罩401能藉由已知方法相對於投影投影光學系統402準確地定位。另外，假設顯微鏡404之光學軸相對於投影光學系統402之光學軸的位置(此等光學軸之間的相對位置關係，所謂的基準線)已經測量。在圖6中，可使用光罩401、投影光學系統402、及基板408以外的組件組態根據範例實施例的測量單元(測量裝置)。如本文所使用的，術語「單元」通常指用於實行目的之軟體、韌體、硬體、及/或其他組件的任何組合。
如圖5C所描繪的，將係重疊曝光目標的照射區域Si(i=1至n)形成在基板408上。另外，如圖5A所描繪的，形成用於各照射區域Si的(調正)標示MX1及MY1。照射區域Si的位置偏差(與設計位置的偏差量)能藉由偵測此等標示而偵測。此外，如圖5B所描繪的， 在部分情形中，可形成用於一照射區域Si的多個標示MXi及MYi。指示照射區域Si之形狀(諸如，倍率)或旋轉的索引(係數)能藉由偵測多於一對XY的標示MXi及MYi而決定。通常，對包括二或多個基板408的各批次實施曝光處理。圖10、11A、及11B係描繪曝光裝置的操作流程之範例的圖(流程圖)。控制單元405藉由實施根據對應於此等流程圖之程式的操作而控制各部分。
圖7描繪顯示在控制台單元407之監視器上的螢幕100。此處，描繪輸入區域101至104。設置各輸入區域101至104以供使用者指定基於所謂的整體對準測量決定表示基板408上之各照射區域的位置之迴歸方程式所需要的樣本照射區域號碼。在圖7中，照射區域8、15、21、及26係由使用者所指定。另外，設置輸入區域111至122以供使用者指定各測量目標標示的種類(測量方向)及座標。調正標示的種類係XY標示、X標示、及Y標示。XY標示容許藉由一次偵測取得X方向及Y方向二者上的位置偏差。X標示及Y標示容許分別取得X方向上的位置偏差及Y方向上的位置偏差。設置各輸入區域111及114以供使用者指定標示的種類。設置輸入區域115至118以供使用者指定該標示設計時的X座標，並設置輸入區域119至122以供使用者指定該標示設計時的Y座標。此處，Mark 1係位於作為以照射區域Si之中心為原點的設計位置之位置(X,Y)=(10mm,15mm)的X標示。Mark 3係Y標示。Mark 2及Mark 4係XY標示。
此處，圖1描繪在根據由使用者經由控制台單元407(螢幕100)指定之資訊實施的整體對準測量中在基板408上的樣本照射區域群組及標示。各照射區域的尺寸及配置也可由使用者經由控制台單元407設定。在圖1中，僅描繪用於照射區域8、15、21、及26的標示。然而，典型地，該等標示對所有照射區域1至32存在。根據圖10及11之流程圖測量的標示係由使用者在輸入區域111至122中指定的標示。
返回至圖7，將繼續本描述。如圖7所描繪的，設置輸入區域131至136以供使用者指定待於下文描述的臨限。設置輸入區域131及132以分別用於迴歸方程式的倍率係數βx及βy。設置輸入區域133及134以分別用於迴歸方程式的旋轉係數θx及θy。設置輸入區域135及136以分別用於迴歸方程式的變換係數Sx及Sy。此處，將0.100ppm設定為倍率係數的臨限、將0.100μrad設定為旋轉係數的臨限、並將10nm設定為變換係數的臨限。該等臨限可基於重疊準確度自動地或由使用者設定。若臨限對應於係數及其標準值間之差的絕對值，各臨限可係正值(例如，批次中之領頭基板408中的係數)。
圖8係描繪提供給使用者指定包括偏移量之表(也可稱為「校正表」)的UI之範例的圖。設置在控制台單元407之監視器中的螢幕80係供使用者指定待用於相關批次之基板408的表。使用者能對各基板408指定該表。使用者藉由在輸入區域81中輸入用於識別該表的 文字資訊而指定該表。將由使用者經由圖7及8中之輸入區域輸入的資訊儲存在控制單元405中的儲存單元420中。
圖9係描繪包括偏移量之表90的內容之範例的圖。表90可採用檔案格式，或可保持在儲存單元420中的記憶體空間中。此處，假設表90採用檔案格式。表90具有用於保持藉由整體對準測量而得到之迴歸方程式的係數的區域91至96。換言之，表90具有分別用於倍率係數βx及βy的區域91及92；分別用於旋轉係數θx及θy的區域93及94、及分別用於變換係數Sx及Sy的區域95及96。另外，表90具有用於保持各照射區域之偏移量(Oi)的區域97。
此處，圖10係描繪曝光裝置的操作流程之範例的圖，且圖11A及11B係描繪對準測量處理之流程範例的流程圖(圖10中的步驟S102)。將參考圖10、11A、及11B描述根據範例實施例之測量裝置以及包括此測量裝置的曝光裝置之操作的流程。
當圖10的流程圖開始時(當各批次的處理開始時)，首先，在步驟S101中，基板運送單元(未描繪)載入基板408使得台410保持基板408。
在步驟S102中，測量單元實施對準測量處理。圖11A及11B的流程圖描繪步驟S102中之操作的流程。當圖11A的流程圖開始時，首先，在步驟S201中，控制單元405從儲存單元420呼叫參考圖7於上文描述的 指定資訊，並將用於經指定樣本照射區域(樣本照射區域群組)的標示設定為偵測目標。在圖7的情形中，將用於樣本照射區域8、15、21、及26的標示設定為偵測目標。
在步驟S202中，控制單元405驅動台410使得用於樣本照射區域8的標示S8MX1進入顯微鏡404的視域中。其次，在步驟S203中，偵測器偵測該標示。此處，顯微鏡404及影像拍攝單元417將藉由照明單元(未描繪)照明之標示S8MX1的影像拍攝為影像訊號(影像資訊)。控制單元405實施此影像資訊及儲存在影像算術單元403中的樣板資訊之間的匹配(樣板匹配)，並決定標示S8MX1的位置與設計位置的偏差量。將該偏差量作為樣本照射區域8的位置偏差儲存在影像算術單元403中。
在步驟S204中，控制單元405決定測量處理是否對所有樣本照射區域完成。當有尚待處理的樣本照射區域時(步驟S204中的否)，處理返回至步驟S202。當沒有尚待處理的樣本照射區域時(步驟S204中的是)，處理前進至步驟S205。以此方式，得到預先設定之每個樣本照射區域在X及Y方向上的位置偏差。
當測量對所有樣本照射區域完成時，在步驟S205中，控制單元405基於偵測器的輸出決定用於決定各照射區域之位置的迴歸方程式。此處，各設計照射區域中的位置係di=[dxi,dyi]T，且藉由標示偵測得到之樣本照 射區域的位置係ai=[axi,ayi]T。另外，迴歸誤差係ei=[exi,eyi]T，且迴歸位置(藉由迴歸方程式得到的位置)係gi=[gxi,gyi]T=[axi+exi,ayi+eyi]T。然後，例如，能將下列數學運算式(1)使用為迴歸方程式。
gi=BΘdi+S...(1)
控制單元405決定「B」、「Θ」、及「S」，以將迴歸誤差「ei」之平方的和最小化。換言之，控制單元405決定「B」、「Θ」、及「S」以將下列數學運算式(2)中的「V」最小化。此可使用，例如，最小平方法實施。
數學運算式(1)中的「B」、「Θ」、及「S」可藉由下列數學運算式(3)表示。
在數學運算式(3)中，「βx」及「βy」分別代表在x-軸方向上的倍率係數及在y-軸方向上的倍率係數。另外，「θx」及「θy」分別代表在x-軸方向上的旋轉係數及在y-軸方向上的旋轉係數。另外，「Sx」及「Sy」分別代表在x-軸方向上的變換係數及在y-軸方向上的變換係數。
其次，在步驟S206中，控制單元405基於記憶體區域420中的資訊決定是否有用於基板408之表的參 考指定。當沒有此種參考指定時(步驟S206中的否)，處理前進至步驟S207。當有此種參考指定時(步驟S206中的是)，處理前進至步驟S214。
典型地，在第一重疊曝光中，沒有用於批次中之領頭基板408的表的參考指定。因此，處理前進至將在步驟S205中決定之迴歸方程式的係數記錄在表90中的步驟S207。所記錄的係數設有與數學運算式(3)中的係數區別之參考數字W1βx、W1βy、W1θx、W1θy、W1Sx、及W1Sy。圖12描繪此表(檔案)90之內容的範例。
其次，在步驟S208中，將所有照射區域設定成針對測量鎖定的照射區域(樣本照射區域群組)。隨後，在步驟S209及步驟S210中，偵測器以與步驟S202及步驟S203相似的方式偵測該等照射區域之一者的標示。步驟S209及步驟S210中的標示偵測係基於藉由在步驟S205中決定的迴歸方程式而得到的照射區域的位置實施。在步驟S211中，控制單元405決定步驟S209及步驟S210中的處理是否已對所有照射區域實施。當有尚待處理的照射區域時(步驟S211中的否)，處理返回至步驟S209。當沒有尚待處理的照射區域時(步驟S211中的是)，處理前進至步驟S212。
在步驟S212中，控制單元405基於偵測器的輸出決定各照射區域之位置的偏移量(Oi)。此偏移量可係，例如，基於採用數學運算式(1)的形式之新決定的迴歸方程式而得到之各照射區域的位置及基於先前迴歸方 程式而得到之各照射區域的位置之間的差。
在步驟S213中，控制單元405將在步驟S212中決定之各照射區域的偏移量(Oi)記錄在表90中。圖13描繪此表(檔案)90的內容。在步驟S213完成時，處理前進至圖10之流程圖中的步驟S103。在步驟S103中，曝光裝置基於使用在步驟S102中決定的迴歸方程式之係數及偏移量而得到的各照射區域的位置在各照射區域上實施曝光處理。此處，第i照射區域(Si)的位置係藉由下列數學運算式(4)表示。
gi=Adi+S+Oi,(其中dA=BΘ)...(4)
當曝光對所有照射區域完成時，處理前進至基板運送單元將基板408運出的步驟S104。其次，在步驟S105中，控制單元405決定曝光是否對目標批次中的所有基板完成。當有尚待處理的基板時(步驟S105中的否)，處理返回至步驟S101。當沒有尚待處理的基板時(步驟S105中的是)，處理結束。
其次，將描述當有如圖14所描繪之表「m」的參考指定時的處理流程。在圖14中，藉由使用字元字串「2013_0821_L001_wafer_1」，將描繪於圖13中的表90指定用於該批次的領頭基板(晶圓1)。在圖10中的流程圖開始時，在步驟S101中，基板運送單元將基板載入。在步驟S102中，圖11A及11B之流程圖中的處理開始。在此時，表(檔案)中的資訊係不存在的(描繪於圖9中的狀態)。如上文所述，在步驟S201至步驟S204 中，針對樣本照射區域(照射區域8、15、21、及26)的標示偵測完成。在步驟S205中，決定迴歸方程式的係數W1βx'、W1βy'、W1θx'、W1θy'、W1Sx'、及W1Sy'。
其次，在步驟S206中，有該表的參考指定，且因此處理前進至步驟S214。在步驟S214中，控制單元405從儲存單元420讀取針對參考而指定的表90(亦即，讀取如圖13所描繪的指定的表90)。表90可從主電腦(未描繪)讀取。其次，在步驟S215中，控制單元405產生針對參考而指定之表90中的迴歸方程式的係數及在步驟S205中新決定之迴歸方程式的係數間的比較，以得到其間的差。基於此比較結果，控制單元405決定該差的絕對值是否未超過經由圖7之UI輸入的臨限(亦即，該差是否在容差內或滿足可容許條件)。
假設新決定的倍率係數、旋轉係數、或變換係數係βx'、βy'、θx'、θy'、Sx'、及Sy'，且記錄在表90中的倍率係數、旋轉係數、或變換係數係βx、βy、θx、θy、Sx、及Sy。然後，藉由下列數學運算式(5)至(10)表示待由個別係數滿足的可容許條件(容差)。右側的項「*Limit」(諸如，「βxLimit」)代表經由圖7之UI輸入的各臨限(設定值)。由數學運算式(5)至(10)表示的各可容許條件僅係範例。可容許條件可係，例如，使用指示各新決定係數及記錄在表中的各係數(標準值或設定值)之間的差的程度之索引的條件。再者，此可容許條件並未受限於上文提及的該等運算式，並可多變 地改變或修改。
當滿足數學運算式(5)至(10)時，在係數W1βx'、W1βy'、W1θx'、W1θy'、W1Sx'、及W1Sy'結合表中之偏移量使用的情形中，控制單元405決定就重疊準確度而言不會有問題。在此情形中，圖11A及11B之流程圖中的處理結束。然後處理前進至圖10之流程圖中的步驟S103。在步驟S103中，使用在步驟S205中決定的係數W1βx'、W1βy'、W1θx'、W1θy'、W1Sx'、及W1Sy'以及表中的偏移量實施在各照射區域上的曝光處理。
當未滿足數學運算式(5)至(10)時，在係數W1βx'、W1βy'、W1θx'、W1θy'、W1Sx'、及W1Sy'結合表中之偏移量使用的情形中，控制單元405決定就重疊準確度而言會有問題。在此情形中，處理前進至步驟S216。在步驟S216中，控制單元405改變樣本照射區域(樣本照射區域群組)。然後控制單元405再度實施從步驟S202至步驟S205的處理，使得得到新迴歸方程式的係數。此處，用於改變樣本照射區域群組的演算法可將至少一樣本照射區域改變(置換)成(為)與其相鄰的照射區域。
例如，假設由於與先前描述相似的層壓處理，區域形變F(照射區域S21：f1的位置偏差)如圖3所描繪地發生。在此情形中，例如，係數W1βx'及表中的係數W1βx間之差的絕對值可超過臨限(βxLimit=0.100ppm)(亦即，不會滿足運算式(5))。此處，圖4係描繪從受形變影響之樣本照射區域的偵測而得到之各照射區域的位置之範例的圖。此指示可發生由位置偏差f1引起的重疊誤差。在該情形中，樣本照射區域群組改變且該處理(從步驟S202至步驟S215)重複。例如，藉由改變(置換)照射區域8成(為)照射區域13、改變照射區域15成照射區域14、改變照射區域21成照射區域21、及改變照射區域26成照射區域19而實施樣本照射區域群組的改變。然後，能降低圖3描繪之形變F的影響。因此，可防止新係數W1βx'及表中的係數W1βx間之差的絕對值超過臨限(βxLimit=0.100ppm)(可滿足運算式(5))。然後，控制單元405在步驟S215中決定就精確度而言不會有問題，並前進至曝光處理(步驟S103)。
可將上述將各照射區域改變(置換)成(為)相鄰照射區域的方法使用為用於改變樣本照射區域群組的演算法。然而，也有僅改變與具有在步驟S205得到之最大位置偏差的標示相關之照射區域的方法。圖15描繪各標示的偏差量。例如，標示S26MXY4具有在X-軸方向上的偏差量及在Y-軸方向上的偏差量。在X-軸方向 上的偏差量越大，該標示越位於右方。在Y-軸方向上的偏差量越大，該標示越位於上方。在圖15的範例中，標示S21MXY2的偏差量(與原點的距離)最大，且因此將樣本照射區域21取為改變目標。其他樣本照射區域未取為改變目標。
有可容許條件不會僅由改變該樣本照射區域一次而滿足的情形。在此種情形中，在步驟S216中，控制單元405再度改變樣本照射區域群組。控制單元405可計數在步驟S215中控制單元405已決定未滿足可容許條件的次數(處理已前進至步驟S216的次數)。當此次數到達上限(例如，三次)(亦即，當終止條件滿足時)，處理可立刻停止以請求使用者指定後續處理內容。在此情形中，後續處理可包括該表的改變、前進至步驟S103且同時維持目前的表，及前進至取消曝光處理的步驟S104(亦即，將基板運出)。無論如何，可能根據使用者的決定實施處理。
根據本範例實施例，可降低更新該表的頻率。因此，可能提供在重疊準確度與處理量之兼容上有利的技術。
將參考圖10的流程圖及圖16的流程圖描述第二範例實施例。
圖10之流程圖中之除了步驟S102中的處理以外的處理已於上文描述，且因此將不描述。將參考圖16A及16B的流程圖描述步驟S102中的處理。在步驟 S301中，以與步驟S206相似的方式，控制單元405基於記憶體區域420中的資訊決定是否有用於經運送基板408之表的參考指定。當有此種參考指定時(步驟S301中的是)，處理前進至步驟S308。當沒有此種參考指定時(步驟S301中的否)，處理前進至步驟S302。當沒有參考指定時，在步驟S302中，控制單元405將所有照射區域指定為偵測目標。從步驟S303至步驟S305的處理與從步驟S202至步驟S204的處理相似，除了就目標樣本照射區域而言有差存在。在步驟S306中，控制單元405基於偵測器的輸出(與經偵測標示有關的資訊)決定迴歸方程式的係數及偏移量。如何決定此等係數及偏移量在原則上與第一範例實施例相似。然而，此等係數及偏移量係基於在步驟S302中指定之所有照射區域中的偵測結果而決定，其係與第一範例實施例不同之處。在步驟S307中，將在步驟S306中決定之迴歸方程式的係數及偏移量儲存在表90中。圖13描繪在步驟S307中得到之表90的內容。此處，將表90的內容儲存在儲存單元420中。
在步驟S307後，圖16A及16B的流程圖結束且處理返回至圖10之流程圖中的步驟S103。在步驟S103中，根據在步驟S307中儲存之表90的內容實施各照射區域的曝光處理。在曝光對所有照射區域完成時，處理前進至基板運送單元將基板408運出的步驟S105。在步驟S105中，控制單元405決定目標批次中的所有基板是否均已處理。當有尚待處理的基板時(步驟S105中的 否)，處理返回至步驟S101。當沒有尚待處理的基板時(步驟S105中的是)，處理結束。
當基於步驟S105中的決定終止處理時，控制單元405從儲存單元420讀取在步驟S307中儲存之各基板的迴歸方程式的係數，並決定各係數的標準差。例如，圖17描繪倍率係數βx的頻率分佈(直方圖)。從此直方圖得到的βx標準差「σ」係三倍(亦即，3σ)並得到0.150(「μ」係βx的平均值)。此處，將0.150自動指定為描繪於圖7中之倍率係數βx的臨限。其他係數的臨限也能以相似方式自動指定。
其次，將參考圖10、16A、及16B的流程圖描述在如圖14所描繪之指定用於參考之表後的處理。圖10之流程圖中的處理係以上述方式實施，且步驟S102中的處理係根據圖16A及16B的流程圖實施。在步驟S301中，控制單元405決定有該表的參考指定，且處理前進至步驟S308。在步驟S308中，控制單元405設定樣本照射區域。在從S309至步驟S311的處理中，偵測器偵測相關於在步驟S308中設定之樣本照射區域的標示。在步驟S312中，控制單元405基於偵測器的輸出(與經偵測標示有關的資訊)決定迴歸方程式的係數。在步驟S313中，控制單元405從儲存單元420讀取該表中的資訊。在步驟S314中，控制單元405以與第一範例實施例之步驟S215相似的方式操作。具體地說，控制單元405基於指定用於參考之該表中的係數及新決定之迴歸方程式的係數 以及圖7中的臨限而決定與目標基板相關的係數是否滿足可容許條件。此處使用的臨限係如上述地自動地設定的臨限。當未滿足可容許條件時(步驟S314中的否)，在步驟S315中控制單元405改變樣本照射區域群組，然後重複從步驟S309至步驟S314的處理。當滿足可容許條件時(步驟S314中的是)，圖16的流程圖結束，然後處理前進至圖10之流程圖中的步驟S103。在步驟S103中，使用在步驟S312中決定之迴歸方程式的係數及偏移量實施各照射區域的曝光處理(以上述方式實施步驟S103中的處理)。用於終止當未滿足可容許條件時所執行之迴路的條件能與參考步驟S216於上文描述的條件相似。
已將該表中之迴歸方程式之係數的記錄描述為範例。然而，可記錄藉由標示偵測得到之各標示的位置偏差，且迴歸方程式的係數可依需要基於位置偏差決定。另外，在記錄各標示之位置偏差的情形中，關於用於改變樣本照射區域群組的演算法，用於此改變(置換)的目標可係與顯示在記錄於該表中之位置偏差及目標基板中的位置偏差間之最大差的標示相關的照射區域。在圖18中，各黑色圓指示表中的位置偏差，且各白色圓指示目標基板中的位置偏差。此處，用於改變的目標可係與在此標示之位置偏差上顯示最大差(距離)之標示相關的照射區域。在圖18的範例中，與標示S21MXY2相關的照射區域21可係改變目標。
另外，記錄在該表中之迴歸方程式的係數 (或各標示的位置偏差)及偏移量可藉由存在於微影裝置外側的裝置(諸如，重疊檢驗裝置)得到。此外，取代在步驟S216或步驟S315中改變樣本照射區域群組，可改變其他測量條件(例如，照明標示之光的波長)。再者，已於上文將迴歸方程式描述為相對於標示之座標的簡單方程式，但可係二次或更高次方程式。
物品製造方法的範例實施例
根據範例實施例之製造物品的方法適用於，例如，製造諸如微設備，像是半導體設備，的物品及具有精細結構的元件。此方法可包括藉由使用微影裝置將型樣(例如，潛像型樣)形成在物件(例如，具有設有光敏材料之表面的基板)上的處理。此方法可更包括用於處理具有在用於形成型樣之處理中形成之型樣的物件的處理(例如，顯影處理)。另外，此方法可包括其他已知處理(諸如，氧化、膜形成、氣相沈積、摻雜、平坦化、蝕刻、光阻分離、切割、焊接、及封裝)。根據本範例實施例的製造物品的方法在物品之效能、品質、生產性、及製造成本的至少一者上比習知方法更有利。
其他範例實施例
本揭示發明的實施例也可藉由實施下列處理實現。將實現一或多個上述範例實施例之功能的程式(軟體)經由網路或儲存媒體供應至系統或裝置。該程式藉由 電腦、CPU、或系統或裝置的微處理單元(MPU)讀出及執行。
在本揭示發明已參考範例實施例描述的同時，本揭示發明並未受限於此等範例實施例，並可在其要點的範圍內多變地改變及修改。例如，在上述範例實施例中，已將使用紫外光、真空紫外光、或極紫外光的曝光裝置描述為微影裝置的範例。然而，微影裝置並未受限於其並可係，例如，使用帶電粒子束，諸如，電子束，在基板(在其上的光敏材料)上實施轉列的轉列裝置。另外，該微影裝置可係使用模具藉由將壓印材料成形(模製)在基板上將型樣形成在基板上的列印裝置。此外，只要根據本揭示發明之實施例的測量裝置係測量形成在基板上之各照射區域的位置，其也可應用於微影裝置以外的各種設備製造裝置、各種處理裝置、及各種測量裝置。
當已參考範例實施例而描述本發明後，應理解本發明並未受限於該等已揭示之範例實施例。下文之申請專利範圍待受最廣泛之解釋以包含所有此種修改及等效結構與功能。

Claims (11)

  1. 一種用於測量形成在基板上的複數個照射區域各者之位置的測量裝置，該裝置包含：偵測器，組態成偵測相對於該基板上之照射區域形成的標示；及處理器，組態成基於該偵測器的輸出得到該複數個照射區域各者的位置，其中該處理器組態成基於相對於該基板上的複數個樣本照射區域各者之該偵測器的輸出，得到用於得到該複數個照射區域各者的位置之迴歸方程式的係數，且若該係數滿足針對該係數及其基準值間之差的可容許條件，使用預先得到的各偏移量得到該複數個照射區域各者的該位置以校正基於該迴歸方程式得到之各照射區域的該位置。
  2. 如申請專利範圍第1項的裝置，其中若該係數未滿足該可容許條件，基於相對於與該複數個樣本照射區域不同的樣本照射區域各者之該偵測器的輸出，該處理器組態成實施用於得到該係數的處理。
  3. 如申請專利範圍第2項的裝置，其中該處理器組態成相對於基於該偵測器的輸出而得到之何標示的位置偏差不滿足可容許條件，藉由以另一照射區域置換樣本照射區域而設定該等不同的樣本照射區域。
  4. 如申請專利範圍第2項的裝置，其中該處理器組態成重複該處理直到該可容許條件為該係數所滿足或預定終止條件獲得滿足。
  5. 如申請專利範圍第4項的裝置，其中該處理器組態成輸出指示該終止條件獲得滿足而該可容許條件未獲得滿足的資訊。
  6. 如申請專利範圍第1項的裝置，其中該可容許條件係該係數及該基準值間之該差的絕對值在容許範圍內。
  7. 如申請專利範圍第6項的裝置，其中該處理器組態成基於預先得到之該迴歸方程式的係數及設定值而得到該容許範圍。
  8. 如申請專利範圍第6項的裝置，其中該處理器組態成基於預先得到的該迴歸方程式之係數的頻率分佈而得到該容許範圍。
  9. 一種在基板上形成型樣的微影裝置，該裝置包含：測量裝置，界定在申請專利範圍第1至8項之任一項中，用於測量形成在該基板上之該複數個照射區域各者的位置；及定位裝置，組態成基於由該測量裝置測量之該複數個照射區域各者的該位置而定位該基板。
  10. 一種用於測量形成在基板上的複數個照射區域各者之位置的方法，該方法包含下列步驟：藉由偵測相對於該基板上之複數個樣本照射區域各者形成的標示，得到用於得到該複數個照射區域各者的位置之迴歸方程式的係數；及若該係數滿足針對該係數及其基準值間之差的可容許 條件，使用預先得到之各偏移量得到該複數個照射區域各者的該位置以校正基於該迴歸方程式得到之該複數個照射區域各者的該位置。
  11. 一種製造物品的方法，該方法包含下列步驟：使用微影裝置將型樣形成在基板上；及處理該型樣已形成在其上的該基板以製造該物品，其中該微影裝置包括一種用於測量形成在該基板上的複數個照射區域各者之位置的測量裝置，及定位裝置，組態成基於由該測量裝置測量之該複數個照射區域各者的該位置而定位該基板，其中該測量裝置包括：偵測器，組態成偵測相對於該基板上之照射區域形成的標示；及處理器，組態成基於該偵測器的輸出得到該複數個照射區域各者的位置，其中該處理器組態成基於相對於該基板上的複數各樣本照射區域各者之該偵測器的輸出，得到用於得到該複數個照射區域各者的位置之迴歸方程式的係數，且若該係數滿足針對該係數及其基準值間之差的可容許條件，使用預先得到的各偏移量得到該複數個照射區域各者的該位置以校正基於該迴歸方程式得到之該複數個照射區域各者的該位置。
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