KR20080087787A - 노광 시스템, 디바이스 제조 시스템, 노광 방법 및디바이스의 제조 방법 - Google Patents

노광 시스템, 디바이스 제조 시스템, 노광 방법 및디바이스의 제조 방법 Download PDF

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KR20080087787A
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세이지 미야자키
야스오 아오키
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

기판의 반송을 실시하는 기판 반송부 (4) 와, 상기 기판을 노광할 수 있는 복수의 노광부 (EX1, EX2) 를 구비하고, 상기 복수의 노광부 (EX1, EX2) 의 가동 상태가 원하는 상태로 되도록, 상기 기판 반송부 (4) 와 상기 복수의 노광부 (EX1, EX2) 를 연휴 제어하는 제어부 (6) 를 구비한다. 기판의 이용 효율을 향상시킴과 함께, 디바이스의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
액정 표시 소자, 반도체 디바이스, 노광 처리, 현상 처리, 플랫 패널, 주사 노광

Description

노광 시스템, 디바이스 제조 시스템, 노광 방법 및 디바이스의 제조 방법{EXPOSURE SYSTEM, DEVICE MANUFACTURING SYSTEM, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
기술분야
본 발명은, 액정 표시 소자 등의 플랫 패널 표시 소자 등의 마이크로 디바이스를 리소그래피 공정으로 제조하기 위한 노광 시스템, 디바이스 제조 시스템, 노광 방법 및 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
배경기술
액정 표시 디바이스나 반도체 디바이스는 마스크 상에 형성된 패턴을 감광성 기판 상에 전사하는 이른바 포토리소그래피의 수법에 의해 제조된다. 이 포토리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치는, 마스크를 노광광으로 조명하고, 마스크의 패턴을 투영 광학계를 통하여 기판에 전사한다. 최근, 마스크와 기판을 동기하여 이동시키면서 노광광으로 마스크를 주사하는 주사형 노광 장치가 주류로 되고 있다. 이 종류의 노광 장치에 있어서는, 제조하는 디바이스의 저비용화를 실현하기 위해 생산성의 향상이 요구되고 있다. 생산성을 향상시키기 위해, 기판의 노광을 실시하는 제 1 노광 스테이션과 제 2 노광 스테이션을 구비하고, 제 1 노광 스테이션에서 기판 상의 제 1 영역에 제 1 노광을 실시한 기판에 대하여, 제 2 노광 스테이션에서 기판 상의 제 1 영역과 상이한 제 2 영역에 제 2 노광을 연속 하여 실시하는 기술이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 : 일본특허공개공보 제 2005-92137 호
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
그런데, 플랫 패널 디스플레이 디바이스, 예를 들어 액정 표시 소자가 형성되는 유리 기판은 액정 표시 소자의 대형화에 따라 대형화되고 있다. 예를 들어, 액정 텔레비전은, 50 인치를 초과하는 대화면의 액정 텔레비전이 시장에 도입되고 있다. 이와 같은 유리 기판의 대형화에 따라 노광 장치에 의한 노광 시간이 길어져, 디바이스의 생산성이 저하되고 있다. 또한, 노광 전의 기판에 대하여 포토레지스트 (감광제) 를 도포하는 도포 장치 (도포부), 및 노광을 종료한 기판을 현상하는 현상 장치 (현상부) 의 처리 시간은, 기판에 형성되는 패턴이나 그 레이아웃 등에 상관없이 거의 일정한 것에 비해, 노광 장치의 처리 시간은 기판의 크기, 레이아웃, 패턴의 종류 등에 따라 상이하다.
예를 들어, 도 20 에 나타낸 바와 같이, 대형 유리 기판 (G) (예를 들어, 2200 ㎜ × 2400 ㎜ 사이즈) 에, 대각 길이가 55 인치인 패널용 화면 (R55) 을 6 면 구획한 레이아웃을 생각한다. 각각의 면에 소정의 패턴을 전술한 주사 노광 장치를 사용하여 노광하는 경우, 각 면마다 주사 노광이 실시되기 때문에, 6 회분의 주사 노광 시간을 필요로 한다 (6 스캔). 한편, 동일한 사이즈 (2200 ㎜ × 2400 ㎜) 의 대형 유리 기판 (G) 에, 도 19 에 나타낸 바와 같이 대각 길이가 47 인치인 패널용 화면 (R47) 을 8 면 구획하고, 각각에 소정의 패턴을 노광하는 경우 에는, 노광 장치의 노광 영역이 2 면을 커버할 수 있기 때문에, 1 회의 주사 노광으로 2 면을 동시에 노광할 수 있다. 그러므로, 도 19 에 나타낸 레이아웃에서는, 유리 기판 (G) 전체를 노광하는 시간은 4 회분의 주사 노광 시간으로 충분하다 (4 스캔). 이와 같이 동일한 사이즈의 유리 기판이어도, 제조하는 다양한 디바이스에 따른 레이아웃 (사이즈) 의 차이에 의해, 노광 시간이 상이해진다. 또한, 디바이스를 포토리소그래피 공정으로 패터닝하는 공정은 복수 층에 걸쳐 실시되는데, 1 층째의 노광 공정과 2 층째 이후의 노광 공정에서는 처리 시간이 상이하다. 이것은 1 층째의 노광 공정에 있어서는 2 층째 이후의 노광 공정에서 필요해지는, 이전에 형성된 층과의 얼라이먼트 (위치 맞춤) 가 불필요해지기 때문이다. 이와 같이, 노광 장치에 의한 노광 공정은, 동일한 사이즈의 기판이어도 레이아웃 (사이즈), 노광 대상의 층 (층마다의 노광 시퀀스) 에 따라, 노광 시간이 상이하였다. 이에 비해, 디바이스 제조 라인에 사용되는 코터 디벨로퍼 (도포 현상 장치), 에칭 장치, 스퍼터링 장치 등의 성막 장치는, 기판의 레이아웃에 상관없이 일괄 처리가 이루어지므로, 그들 장치의 처리 시간은 거의 일정해진다. 그러므로, 공장 내의 디바이스 제조 라인에 있어서의 각 장치의 처리 시간 (택 타임 (tact time)) 은, 노광 장치에 있어서의 노광 시간에 좌우되는 경우가 있었다.
또한, 제조하는 디바이스의 사이즈와 유리 기판의 사이즈가 불균형한 경우, 고가의 유리 기판의 이용 효율을 향상시키기 위해, 1 장의 유리 기판으로 복수 종류의 사이즈의 디바이스를 효율적으로 제조하는 것이 바람직하다. 특히, 디바이스 제조 라인에서는, 상이한 디바이스 사이즈나 종류의 기판 로트가 공급되고 있 어, 노광 장치에서도 로트마다 최적인 기판의 레이아웃으로 순시 전환하여 노광을 계속하는 것이 바람직하다.
본 발명의 목적은, 디바이스의 제조 효율을 향상시킬 수 있는 노광 시스템, 디바이스 제조 시스템, 노광 방법 및 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 기판의 이용 효율을 향상시킬 수 있는 노광 시스템, 디바이스 제조 시스템, 노광 방법 및 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것이다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 실시형태에 나타내는 각 도면에 대응된 이하의 구성을 채용하고 있다. 단, 각 요소에 부가한 괄호가 표시된 부호는 그 요소의 예시에 불과하며, 각 요소를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 기판 (P) 의 반송을 실시하는 기판 반송부 (4) 와, 상기 기판 (P) 을 노광할 수 있는 복수의 노광부 (EX1, EX2) 를 구비하고, 상기 복수의 노광부 (EX1, EX2) 의 가동 상태가 원하는 상태로 되도록, 상기 기판 반송부 (4) 와 상기 복수의 노광부 (EX1, EX2) 를 연휴 (連携) 제어하는 제어부 (6) 를 구비하는 디바이스 제조 시스템이 제공된다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 기판 (P) 의 노광과는 상이한 처리를 실시하는 외부 처리 장치 (C, D, 90) 와 기판을 수수 (授受) 하는 노광 시스템 (SS) 으로서, 기판을 노광하는 제 1 노광부 및 제 2 노광부 (EX1, EX2) 와, 외부 처리 장치 (C, D, 90) 로부터의 기판의 수용 또는 외부 처리 장치 (C, D, 90) 에 대한 기판의 배출을 제 1 노광부 및 제 2 노광부 (EX1, EX2) 가 교대로 실시하도록, 제 1 노광 부 및 제 2 노광부를 제어하는 제어부 (6) 를 구비하는 노광 시스템 (SS) 이 제공된다.
제 2 양태의 노광 시스템에 의하면, 제어부는 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 교대로 기판의 수용 또는 배출을 실시할 수 있도록 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하기 때문에, 노광 장치에 공급되는 로트에 있어서의 기판의 레이아웃이나 노광 시간에 상관없이, 노광 시스템은 외부 처리 장치와의 사이에서 상시 연속하여 기판의 수수를 실시할 수 있다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 기판 (P) 을 노광하는 노광 시스템 (SS) 으로서, 1 장의 기판 (P) 을 복수의 패턴 (SH1 - SH5) 으로 분담하여 노광하는 제 1 노광부 및 제 2 노광부 (EX1, EX2) 와, 노광 시스템 (SS) 에 입력되는 1 장의 기판의 노광 정보에 따라, 제 1 노광부 및 제 2 노광부 (EX1, EX2) 가 각각 기판 (P) 을 분담하여 노광하기 위한 제 1 노광 데이터와 제 2 노광 데이터를 작성하는 노광 데이터 작성부 (66) 와, 노광 데이터 작성부 (66) 에서 작성된 제 1 노광 데이터와 제 2 노광 데이터에 기초하여, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는 제어부 (6) 를 구비하는 노광 시스템이 제공된다.
본 발명의 제 3 양태의 노광 시스템에 의하면, 노광 데이터 작성부는 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서 노광되는 노광 데이터를 분담하여 작성하므로, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 사용하여 기판을 효율적으로 노광할 수 있다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 기판을 노광하는 노광 시스템 (SS) 으로서, 기판을 노광하는 제 1 노광부 및 제 2 노광부 (EX1, EX2) 와, 제 1 노광부 및 제 2 노광부 (EX1, EX2) 를 제어하는 제어부 (6) 를 구비하고, 상기 제어부 (6) 는, 제 1 노광부와 제 2 노광부에서 상이한 기판이 반입되어 노광되고, 기판의 노광과는 상이한 처리를 실시하는 외부 처리 장치 (C, D, 90) 로부터의 기판의 수용 또는 외부 처리 장치에 대한 기판의 배출을 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 교대로 실시하도록, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는 제 1 제어 모드와, 제 1 노광부와 제 2 노광부 (EX1, EX2) 에서 동일한 기판 (P) 이 반입되고, 그 기판의 상이한 영역이 분담되어 노광되는 제 2 제어 모드를 전환할 수 있도록 갖는 노광 시스템이 제공된다.
본 발명의 제 4 양태의 노광 시스템에 의하면, 제어부가, 제 1 제어 모드와 제 2 제어 모드를 전환할 수 있도록 갖기 때문에, 디바이스 제조 라인에 있어서, 다양한 사이즈나 레이아웃의 기판 로트가 공급되어도, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 사용하여 기판을 효율적으로 노광할 수 있다.
본 발명의 제 5 양태에 따르면, 외부 장치 (C, 90) 로부터 공급되는 기판 (P) 을 노광 장치에 의해 노광하는 노광 방법으로서, 외부 장치로부터 시간 t0 의 간격으로 제 1 노광부 및 제 2 노광부 (EX1, EX2) 에 기판을 교대로 공급하는 것과, 기판이 공급된 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서 소정 패턴으로 기판을 노광하는 것과, 노광된 기판을 제 1 노광부 및 제 2 노광부로부터 교대로 배출하는 것을 포함하고, 제 1 노광부에 있어서의 노광 처리 시간 t1 및 제 2 노광부에 있어서의 노광 처리 시간 t2 가, t1, t2 > t0 을 만족시키는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제 5 양태에 의하면, 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 교대로 기판의 수용 또는 배출을 실시할 수 있으므로, 노광 장치에 공급되는 로트의 레이아웃이나 노광 시간에 상관없이, 외부 장치와의 사이에서 연속하여 기판의 수수를 실시할 수 있다.
본 발명의 제 6 양태에 따르면, 상기 양태의 노광 시스템과, 노광 시스템에서의 노광 처리 전후에 기판에 대한 감광제의 도포, 및 기판의 현상을 실시하는 도포 현상 장치 (CD) 와, 노광 시스템과 도포 현상 장치 사이에서 기판의 반송을 실시하는 반송 장치 (90) 를 구비하는 디바이스 제조 시스템이 제공된다.
또한, 본 발명의 디바이스의 제조 방법은, 상기 양태의 노광 시스템, 디바이스 제조 시스템 또는 노광 방법을 사용하여 소정의 패턴을 기판 (P) 상에 노광하는 노광 공정 (S303) 과, 상기 노광 공정 (S303) 에 의해 노광된 상기 기판 (P) 을 현상하는 현상 공정 (S304) 을 포함한다.
발명의 효과
본 발명의 노광 시스템을 사용함으로써, 기판이 대형화되어도 디바이스 제조 라인의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 특히, 기판 로트의 레이아웃이나 패턴 사이즈에 따라 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 사용한 최적인 노광 제어 모드를 선택함으로써 디바이스 제조 라인의 가동 효율을 저하시키지 않고, 디바이스 제조 라인의 최고의 스루풋을 유지할 수 있다. 본 발명의 디바이스 제조 시스템에 의하면, 기판 반송부와 복수의 노광부를 연휴 제어하는 제어부를 구비하고 있기 때문에, 효율적으로 노광을 실시할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 복 수의 노광부에 의해 1 장의 기판 상에 상이한 패턴을 노광할 수 있기 때문에, 기판의 이용 효율을 향상시킬 수 있어, 디바이스의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 따르면, 본 발명의 디바이스 제조 시스템 또는 노광 시스템에 의해 디바이스를 제조하기 때문에, 높은 스루풋으로 양호한 디바이스를 얻을 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는 제 2 실시형태에 관련된 기판의 디바이스를 형성하는 영역을 나타내는 도면이다.
도 3 은 제 2 실시형태에 관련된 기판의 디바이스를 형성하는 영역의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 4 는 제 2 실시형태에 관련된 기판의 디바이스를 형성하는 영역의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 5 는 제 1 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템의 기타 구성을 나타내는 도면이다.
도 6 은 본 발명의 노광 시스템의 구조의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 본 발명의 노광 시스템의 구조의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 8 은 제 1 실시형태의 노광 시스템과 코터 디벨로퍼 장치 사이의 기판의 수수를 나타내는 설명도이다.
도 9 는 제 1 실시형태의 노광 시스템과 코터 디벨로퍼 장치 사이의 기판의 수수를 나타내는 플로우차트이다.
도 10 은 제 1 실시형태의 노광 시스템을 포함하는 디바이스 제조 라인의 프로세스를 나타내는 설명도이다.
도 11 은 제 2 실시형태의 노광 시스템의 주제어부의 구조를 나타내는 블록도이다.
도 12 는 제 2 실시형태의 노광 시스템의 주제어부에 있어서의 데이터 작성 프로세스를 나타내는 플로우차트이다.
도 13 은 제 2 실시형태의 노광 시스템에 있어서 노광되는 기판의 레이아웃의 예를 나타내는 도면이다.
도 14 는 제 2 실시형태의 노광 시스템에 있어서의 노광 스케줄을 나타내는 플로우차트이다.
도 15 는 제 3 실시형태의 노광 시스템에 있어서의 3 개의 제어 모드를 포함하는 주제어부를 설명하는 도면이다.
도 16 은 제 3 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 17 은 본 발명의 실시형태에 관련된 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 18 은 본 발명의 실시형태에 관련된 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 19 는 유리 기판 상에 형성되는 47 인치 화면의 레이아웃을 나타내는 도면이다.
도 20 은 유리 기판 상에 형성되는 55 인치 화면의 레이아웃을 나타내는 도면이다.
부호의 설명
90 … 반송 장치, 6 … 주제어부, 8 … 종제어부, 61 … 마크 형성 장치, 62 … 마크 검출 장치, 42 … 제 1 제어부, 44 … 제 2 제어부, 46 … 제 3 제어부, EX1 … 주노광 장치, EX2 … 종노광 장치, EX3 … 제 1 노광 장치, EX4 … 제 2 노광 장치, CD, CD2 … 코터 디벨로퍼 장치, C … 도포부, D … 현상부, BF, BF2 … 기판 스톡실, P … 기판, PST … 기판 스테이지, MST … 마스크 스테이지, PLa ∼ PLg … 투영 광학 모듈, DS … 디바이스 제조 시스템, SS … 노광 시스템
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
<제 1 실시형태>
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 대해 설명한다. 도 1, 도 6 및 도 7 은, 제 1 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템 (DS) 의 구성을 나타내는 도면이다. 이 디바이스 제조 시스템 (DS) 은, 주노광 장치 (주노광부 또는 제 1 노광부 ; EX1) 와 종노광 장치 (종노광부 또는 제 2 노광부 ; EX2) 를 포함하는 노광 시스템 (SS) 과, 코터 디벨로퍼 장치 (CD), 및 일시적으로 기판을 스톡 (stock) 하는 기판 스톡실 (BF) 을 구비하고 있다. 또한, 이 디바이스 제조 시스템 (DS) 은, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 사이, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 와 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 사이, 및 주노광 장치 (EX1), 종노광 장치 (EX2) 및 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 와 기판 스톡실 (BF) 사이에서, 기판을 반송하는 적어도 2 개의 반송부 (기판 반송 유닛, 도시 생략) 를 갖는 반송 장치 (기판 반송부 ; 90) 를 구비하고 있다. 적어도 2 개의 반송부는, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 각각에 대하여 개별적으로 기판을 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 노광 시스템 (SS), 또는 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 가 반송 장치 (90) 를 구비하고 있어도 된다. 또한, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에서 1 개의 반송부를 겸용해도 된다.
코터 디벨로퍼 장치 (CD) 는, 노광 처리되기 전의 기판에 대하여 포토레지스트 (감광제) 를 도포하는 도포 장치 (도포부 또는 코터 ; C) 와, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 중 적어도 1 개에 있어서 노광 처리된 후의 기판을 현상하는 현상 장치 (현상부 또는 디벨로퍼 ; D) 를 구비하고 있다. 도포부 (C) 에 의해 포토레지스트가 도포된 기판은, 반송 장치 (90) 에 의해 주노광 장치 (EX1) 또는 종노광 장치 (EX2) 로 반송된다.
노광 시스템 (SS) 을 구성하는 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를, 도 6 및 도 7 을 참조하면서 설명한다. 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 는, 반송 장치 (90) 에 의해 반송된 외경이 500 ㎜ 를 초과하는 크기의 플랫 패널 표시 소자용의 기판 상에, 조명계 (IL) 로부터의 노광용 조명광 (노광광 ; EL) 에 의해 조명되는 마스크 (M) 의 패턴을, 투영 광학계 (PL) 를 통하여 전사 노 광한다. 또한, 외경이 500 ㎜ 를 초과하는 크기란, 기판의 일 변 또는 대각선이 500 ㎜ 를 초과하는 크기를 의미한다.
주노광 장치 (EX1) 는, 패턴이 형성된 마스크 (M) 를 지지하는 마스크 스테이지 (MST) 와, 감광 기판 (P) 을 지지하는 기판 스테이지 (PST) 와, 마스크 스테이지 (MST) 에 지지된 마스크 (M) 를 노광광 (EL) 으로 조명하는 조명계 (IL) 와, 노광광 (EL) 으로 조명된 마스크 (M) 의 패턴 이미지를, 기판 스테이지 (PST) 에 지지되어 있는 감광 기판 (P) 에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와, 투영 광학계 (PL) 를 정반 (1) 을 통하여 지지하는 칼럼 (100) 을 구비하고 있다. 칼럼 (100) 은, 상부 플레이트부 (100A) 와, 상부 플레이트부 (100A) 의 4 구석 각각으로부터 하방으로 연장되는 다리부 (100B) 를 갖고 있으며, 바닥면에 수평으로 탑재된 베이스 플레이트 (110) 상에 설치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 투영 광학계 (PL) 는 복수 (본 실시형태에서는 7 개) 배열된 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 을 갖고 있으며, 조명계 (IL) 도 투영 광학 모듈의 수 및 배치에 대응하여 복수 (7 개) 의 조명 광학 모듈을 갖고 있다. 감광 기판 (P) 은, 유리 기판에 감광제 (포토레지스트) 를 도포한 것인데, 그 감광층에 보호막 또는 반사 방지막 등의 막이 형성되어 있어도 된다.
여기서, 본 실시형태에 관련된 노광 시스템 (SS) 은, 투영 광학계 (PL) 에 대하여 마스크 (M) 와 감광 기판 (P) 을 동기 이동시켜 주사 노광하는 주사형 노광 장치로서, 이른바 멀티 렌즈 스캔형 노광 장치를 구성하고 있다. 이하의 설명에 있어서, 마스크 (M) 및 감광 기판 (P) 의 동기 이동 방향을 X 축 방향 (주사 방 향), 수평면 내에 있어서 X 축 방향과 직교하는 방향을 Y 축 방향 (비주사 방향), X 축 방향 및 Y 축 방향과 직교하는 방향을 Z 축 방향으로 한다. 또한, X 축, Y 축 및 Z 축 둘레의 각각의 방향을 θX, θY 및 θZ 방향으로 한다.
조명계 (IL) 는, 도시되어 있지 않지만, 복수의 광원과, 복수의 광원으로부터 사출된 광속을 일단 집합시킨 후에 균등 분배하여 사출하는 라이트 가이드와, 라이트 가이드로부터의 광속을 균일한 조도 분포를 갖는 광속 (노광광) 으로 변환하는 옵티컬 인터그레이터 (optical integrator) 와, 마스크 (M) 상에서의 옵티컬 인터그레이터로부터의 노광광의 조사 영역 (조명 영역) 을 규정하기 위한 개구를 갖는 블라인드부와, 블라인드부를 통과한 노광광을 마스크 (M) 상에 결상하는 콘덴서 렌즈를 구비하고 있다. 콘덴서 렌즈로부터의 노광광은 마스크 (M) 를 복수의 직사각형 형상의 조명 영역에서 조명한다. 본 실시형태에 있어서의 광원에는 수은 램프가 사용되며, 노광광으로는, 도시되어 있지 않은 파장 선택 필터에 의해, 노광에 필요한 파장인 g 선 (436 ㎚), h 선 (405 ㎚), i 선 (365 ㎚) 등이 사용된다. 또한, ArF 엑시머 레이저광 등의 원자외광 등을 사용할 수 있다.
마스크 스테이지 (MST) 는, 마스크 (M) 를 지지한 상태에서 리니어 모터 등의 구동 장치에 의해 X 축, Y 축 및 θZ 방향으로 이동할 수 있다. 리니어 모터로는, 고정자를 코일 유닛 (전기자 유닛) 으로 구성하고, 가동자를 자석 유닛으로 구성한 이른바 무빙 마그넷형 리니어 모터이어도 되고, 고정자를 자석 유닛으로 구성하고, 가동자를 코일 유닛으로 구성한 이른바 무빙 코일형 리니어 모터이어도 된다. 그리고, 가동자가 고정자와의 사이의 전자기적 상호 작용에 의해 구동됨 으로써 마스크 스테이지 (MST) 가 이동한다. 마스크 스테이지 (MST) 에는 진공 흡착공을 갖는 척 기구가 형성되어 있으며, 마스크 스테이지 (MST) 는 척 기구를 통하여 마스크 (M) 를 유지한다. 또한, 마스크 스테이지 (MST) 의 중앙부에는, 마스크 (M) 를 투과한 노광광 (EL) 이 통과할 수 있는 개구부 (3 ; 도 7 참조) 가 형성되어 있다.
마스크 스테이지 (MST) 의 +X 측의 단 가장자리 및 -Y 측의 단 가장자리 각각에 이동경 (70) 이 형성되어 있으며, 이들 이동경 (70) 에 대향하여 그 일부가 배치되는 레이저 간섭계 (71) 가 설치되어 있다. 또한, 레이저 간섭계 (71) 는 칼럼 (100) 의 상부 플레이트부 (100A) 에 설치되어 있다. 마스크 스테이지 (MST) 상의 마스크 (M) 의 2 차원 방향의 위치 및 회전각은 레이저 간섭계 (71) 에 의해 리얼 타임으로 계측되고, 계측 결과는 제어계 (CONT) 로 출력된다. 제어계 (CONT) 는, 레이저 간섭계 (71) 의 계측 결과에 기초하여 마스크 스테이지 구동 장치를 구동함으로써, 마스크 스테이지 (MST) 에 지지되어 있는 마스크 (M) 의 위치 결정을 실시한다.
투영 광학계 (PL) 는 복수 (7 개) 배열된 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 을 갖고 있으며, 이들 복수의 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 은 1 개의 정반 (1) 에 지지되어 있다. 복수의 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 중 투영 광학 모듈 (PLa, PLc, PLe, PLg) 이 Y 축 방향으로 나란히 배치되고, 투영 광학 모듈 (PLb, PLd, PLf) 이 Y 축 방향으로 나란히 배치되어 있다. 또한, Y 축 방향으로 배열된 투영 광학 모듈 (PLa, PLc, PLe, PLg) 과, Y 축 방향으로 배열된 투영 광학 모듈 (PLb, PLd, PLf) 은 X 축 방향에 있어서 대향하도록 배치되어 있고, 기판 (P) 상에서 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 을 통하여 노광광 (EL) 이 조사되는 7 개의 노광 영역 (마스크 (M) 의 패턴의 투영 이미지가 생성되는 투영 영역 ; AR) 이 전체적으로 지그재그 형상으로 배치되어 있다. 즉, 노광 영역 (AR) 이 지그재그 형상으로 배치되는 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 각각은, 이웃하는 투영 광학 모듈끼리 (예를 들어, 투영 광학 모듈 (PLa) 과 투영 광학 모듈 (PLb), 투영 광학 모듈 (PLb) 과 투영 광학 모듈 (PLc)) Y 축 방향으로 소정량 변위시켜 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 노광 영역 (AR) 은 직사각형 형상으로 설정되어 있다.
투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 은 각각, 복수의 광학 소자에 의해 구성되어 있으며, 노광 영역 (투영 영역) 을 설정하는 시야 조리개 및 결상 특성 조정 장치 등을 구비하고 있다. 결상 특성 조정 장치는, 복수의 광학 소자 중 특정 광학 소자를 구동함으로써 패턴 이미지의 결상 특성을 조정하는 것으로서, 이미지 시프트, 스케일링, 로테이션 및 이미지면 위치 (이미지면 경사) 등을 조정할 수 있다. 또한, 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 각각을 구성하는 광학 소자 (렌즈 등) 는 경통의 내부에 배치되어 있다. 또한, 결상 특성 조정 장치로는, 일부의 광학 소자 (렌즈) 사이를 밀봉하여 내부 압력을 조정하는 기구 등이어도 된다.
정반 (1) 은, 칼럼 (100) 의 상부 플레이트부 (100A) 에 대하여 지지부 (2) 를 통하여 키네마틱하게 지지되어 있다. 여기서, 상부 플레이트부 (100A) 의 중앙부에는 개구부 (100C) 가 형성되어 있으며, 정반 (1) 은 상부 플레이트부 (100A) 중 개구부 (100C) 의 주연부 (周緣部) 상에 지지되어 있다. 그리고, 투 영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 의 하부가 개구부 (100C) 에 배치되어 있다. 또한, 정반 (1) 의 중앙부에는 개구부가 형성되어 있고, 이 개구부에 의해 투영 광학 모듈 (PLa ∼ PLg) 각각의 노광광 (EL) 의 광로가 확보되고 있다. 정반 (1) 은, 예를 들어 메탈 매트릭스 복합재 (MMC : Metal Matrix Composites) 에 의해 형성되어 있다. 메탈 매트릭스 복합재는, 금속을 매트릭스재로 하고, 그 중에 세라믹스 강화재를 복합한 복합재이며, 여기서는 금속으로서 알루미늄을 함유한 것이 사용되고 있다. 또한, 도 6 에서는, 개구부 (100C) 의 주연부에 단부가 형성되고, 이 단부에 지지부 (2) 가 형성되어 있는데, 상부 플레이트부 (100A) 는 평탄면이어도 된다.
기판 스테이지 (PST) 는 베이스 플레이트 (110) 상에 형성되어 있고, 감광 기판 (P) 을 지지하며, 리니어 모터 등의 구동 장치에 의해 X 축, Y 축 및 θZ 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 기판 스테이지 (PST) 는, Z 축 방향, 및 θX, θY 방향으로도 이동할 수 있다. 리니어 모터로는, 무빙 마그넷형 리니어 모터이어도 되고, 무빙 코일형 리니어 모터이어도 된다. 그리고, 가동자가 고정자와의 사이의 전자기적 상호 작용에 의해 구동됨으로써, 기판 스테이지 (PST) 가 이동한다. 기판 스테이지 (PST) 에는 진공 흡착공을 갖는 척 기구가 형성되어 있으며, 기판 스테이지 (PST) 는 척 기구를 통하여 감광 기판 (P) 을 유지한다.
기판 스테이지 (PST) 의 +X 측의 단 가장자리 및 -Y 측의 단 가장자리에 각각 X 축용 및 Y 축용의 반사경 (80) 이 형성되어 있으며, X 축용의 반사경에 대향하여 그 일부가 배치되는 X 축용 레이저 간섭계 (도시 생략) 와, Y 축용의 반사 경 (80) 에 대향하여 그 일부가 배치되는 Y 축용 레이저 간섭계 (81) 가 설치되어 있다. X 축용 레이저 간섭계는 2 개의 측장축 (測長軸) 을 갖고 있어, θZ 방향의 회전각도 계측할 수 있도록 되어 있다. 이하에서는, X 축용 및 Y 축용 레이저 간섭계를 합하여 레이저 간섭계 (81) 라고 부른다. 또한, 레이저 간섭계 (81) 는 칼럼 (100) 의 상부 플레이트부 (100A) 의 하부에 장착되어 있다. 기판 스테이지 (PST) 상의 감광 기판 (P) 의 2 차원 방향의 위치 및 회전각은 레이저 간섭계 (81) 에 의해 리얼 타임으로 계측되고, 계측 결과는 제어계 (CONT) 로 출력된다. 제어계 (CONT) 는, 레이저 간섭계 (81) 의 계측 결과에 기초하여 기판 스테이지 구동 장치를 구동함으로써, 기판 스테이지 (PST) 에 지지되어 있는 감광 기판 (P) 의 위치 결정을 실시한다.
또한, 도시되어 있지 않지만, 예를 들어 -X 측의 투영 광학 모듈 (PLa, PLc, PLe, PLg) 과, +X 측의 투영 광학 모듈 (PLb, PLd, PLf) 사이에는, 마스크 (M) 의 패턴 형성면 및 감광 기판 (P) 의 피노광면의 Z 축 방향에 있어서의 위치를 검출하는 오토 포커스 검출계가 형성되어 있다. 오토 포커스 검출계의 검출 결과에 기초하여, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면과 감광 기판 (P) 의 피노광면 (표면) 이 합치되도록, 투영 광학 모듈의 광학 소자 및/또는 기판 스테이지 (PST) 가 구동된다. 도시되어 있지 않지만, 예를 들어 Y 축 방향에 관하여 위치가 상이한 검출 영역을 갖고, 감광 기판 (P) 상의 얼라이먼트 마크를 검출하는 복수의 오프 액시스 (off-axis) 방식의 얼라이먼트계 (마크 검출계) 가 형성되어 있다. 감광 기판 (P) 의 2 층째 이후의 노광에 있어서, 감광 기판 (P) 에 형성된 패턴에 다음 층의 패턴을 겹치게 전사하기 위해, 그 얼라이먼트계의 검출 결과에 기초하여 기판 스테이지 (PST) 가 구동된다. 본 실시형태에서는, 오토 포커스 검출계 및 얼라이먼트계는 각각 적어도 일부가 칼럼 (100) 의 상부 플레이트부 (100A) 에 형성되어 있다.
이상, 주노광 장치 (EX1) 에 대해 설명하였다. 종노광 장치 (EX2) 는 주노광 장치 (EX1) 와 거의 동등한 구성을 갖기 때문에, 그 설명을 생략한다.
여기서, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 주노광 장치 (EX1) 에는, 기판 스테이지 (PST) 에 지지되어 있는 감광 기판 (P) 이 대향하여 배치되는 마크 형성 장치 (61) 가 설치되어 있다. 이 마크 형성 장치 (61) 는, 주노광 장치 (EX1) 의 칼럼 (100) 의 상부 플레이트부 (100A) 의 하부에 장착되어 있으며, 감광 기판 (P) 상에, 이 감광 기판 (P) 을 소정 위치에 대하여 위치 맞춤할 때에 사용하는 마크 (화면 배치용 마크) 를 형성한다. 본 실시형태에서는, 마크 형성 장치 (61) 가 2 개 설치되어 있다. 한편, 종노광 장치 (EX2) 에는, 주노광 장치 (EX1) 에 설치되어 있는 마크 형성 장치 (61) 로 감광 기판 (P) 상에 형성된 마크를 검출하는 마크 검출 장치 (62) 가 설치되어 있다. 이 마크 검출 장치 (62) 는, 종노광 장치 (EX2) 의 칼럼 (100) 의 상부 플레이트부 (100A) 의 하부에 장착되어 있으며, 주노광 장치 (EX1) 의 마크 형성 장치 (61) 에 의해 감광 기판 (P) 상에 형성된 마크를 검출함으로써, 주노광 장치 (EX1) 로 노광된 감광 기판 (P) 상의 쇼트 영역 (특히, 제 1 층째의 노광 패턴) 의 위치를 검출할 수 있게 된다. 후술하는 바와 같이, 마크 검출 장치 (62) 는 그 검출 결과를 종제어부 (8) 에 대하여 출력하 고, 종제어부 (8) 는 그 검출 결과에 기초하여 종노광 장치 (EX2) 로 노광하기 위한 쇼트 영역을, 기판 (P) 에 이미 형성된 쇼트 영역에 대하여 정확하게 위치시킬 수 있다. 본 실시형태에서는, 마크 검출 장치 (62) 는, 마크 형성 장치 (61) 에 대응하여 2 개 설치되어 있다. 또한, 주노광 장치 (EX1) 에 설치되어 있는 마크 형성 장치 (61) 및 종노광 장치 (EX2) 에 설치된 마크 검출 장치 (62) 는, 후술하는 제 2 실시형태에서 설명하는 노광 동작에 있어서 사용된다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 노광 시스템 (SS) 은, 감광 기판 (P) 을 반송하는 반송 장치 (로더계 ; 90) 를 구비하고 있다. 반송 장치 (90) 는, 감광 기판 (P) 을 유지할 수 있는 핸드부 (91) 와, 핸드부 (91) 를 구동하는 제 1 구동부 (92) 와, 핸드부 (91) 를 제 1 구동부 (92) 와 함께 이동시키는 제 2 구동부 (93) 를 구비하고 있다. 제 2 구동부 (93) 는, Y 축 방향으로 연장되는 가이드부 (93A) 를 따라 핸드부 (91) 를 제 1 구동부 (92) 와 함께 Y 축 방향으로 이동시킨다. 그리고, 반송 장치 (로더계 ; 90) 는, 도포부 (C) 로부터 반송된 노광 처리 전의 감광 기판 (P) 을, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 중 어느 일방의 기판 스테이지 (PST) 에 반입할 수 있다. 또한, 반송 장치 (50) 는, 주노광 장치 (EX1) 의 기판 스테이지 (PST) 와 종노광 장치 (EX2) 의 기판 스테이지 (PST) 사이에서 감광 기판 (P) 을 반송할 수 있다. 즉, 반송 장치 (90) 는, 주노광 장치 (EX1) (또는 종노광 장치 (EX2)) 로 노광 처리된 감광 기판 (P) 을 기판 스테이지 (PST) 로부터 언로드하여, 종노광 장치 (EX2) (또는 주노광 장치 (EX1)) 의 기판 스테이지 (PST) 에 로드할 수 있다.
또한, 도 7 에서는 1 개의 반송 장치 (90) (핸드부 (91)) 가 도시되어 있는데, 노광 시스템 (SS) 은 복수의 반송 장치 (90) 를 구비하고 있다. 복수의 반송 장치 (90) 에 의해, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 각각의 기판 스테이지 (PST) 에 대하여, 예를 들어 복수의 감광 기판 (P) 을 동시에 로드 또는 언로드할 수 있다.
다음으로, 상술한 노광 시스템 (SS) 의 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 에 의해 기판이 노광되는 동작을 설명한다. 투영 광학계 (PL) 를 통하여 기판 (P) 상에 노광광 (EL) 이 조사됨으로써, 예를 들어 도 19 에 나타내는 바와 같은 노광 영역 (AR) 이 형성된다. 여기서, 주사 방향 (X 축 방향) 에 관하여, 노광 영역 (AR) 에 대한, 기판 (P) 을 지지하는 기판 스테이지 (PST) 의 상대 이동과, 복수의 조명 영역에 대한, 마스크 (M) 를 지지하는 마스크 스테이지 (MST) 의 상대 이동을 동기하여 실시함으로써, 마스크 (M) 및 투영 광학계 (PL) 를 통하여 노광광 (EL) 으로 기판 상에 획정된 각 화면 (쇼트 영역) 이 노광된다. 이어서, 기판 (P) 상의 다른 화면이 노광되도록 기판 스테이지 (PST) 를 이동시키고, 상기와 동일하게 하여 다른 화면이 주사 노광된다. 이 동작을, 기판 (P) 에 획정된 모든 화면이 노광될 때까지 반복한다. 도 19 에 나타낸 레이아웃에서는, 노광 장치 (EX1, EX2) 가 1 회의 주사 노광에 의해 2 개의 화면을 노광할 수 있기 때문에, 4 회의 주사 노광이 실시되고, 도 20 에 나타낸 바와 같은 레이아웃에서는 6 회의 주사 노광이 실시된다.
주노광 장치 (EX1) 또는 종노광 장치 (EX2) 에 의해 노광된 기판은, 반송 장 치 (90) 에 의해 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 가 구비하는 현상부 (D) 로 반송된다.
주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에서, 각각 상이한 패턴을 갖는 마스크를 사용해도 되지만, 이 실시형태에서는 동일한 패턴을 갖는 마스크를 사용하는 것으로 하여, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에서는 각각 동일 패턴이 감광 기판에 노광된다. 상이한 패턴이 형성되어 있는 복수의 마스크를 스톡하는 마스크 라이브러리, 마스크를 반송하는 마스크 반송부 등 (도시 생략) 은, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 가 각각 구비하도록 해도 되고, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 에 대하여 1 개 구비하도록 해도 된다.
도 1 로 돌아와, 주노광 장치 (EX1) 는, 주노광 장치 (EX1) 와 디바이스 제조 시스템 전체의 동작을 통괄 제어하는 주제어부 (제어부 ; 6) 를 구비하고 있다. 즉, 주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 의 가동 상태가 원하는 가동 상태로 되도록, 반송 장치 (90), 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) (후술하는 종제어부 (8)) 의 동작을 연휴 제어한다. 즉, 주제어부 (6) 는, 종제어부 (8) 에 대하여 제어 신호를 출력하여, 지배적으로 제어한다.
구체적으로는, 주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 의 가동 상태에 따라, 반송 장치 (90) 에 대하여, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 에 의해 포토레지스트가 도포된 기판을 주노광 장치 (EX1) 로 반송하도록 지시한다. 또한, 주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 의 가동 상태에 따라, 반송 장치 (90) 에 대하여, 주노광 장치 (EX1) 에 의해 노광된 기판을 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 로 반송하도록 지시한다.
종노광 장치 (EX2) 는, 반송 장치 (90) 에 대하여, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 에 의해 포토레지스트가 도포된 기판을 종노광 장치 (EX2) 로 반송하도록 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 에 지시하고, 종노광 장치 (EX2) 에 의해 노광된 기판을 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 로 반송하도록 종노광 장치 (EX2) 를 제어하는 종제어부 (8) 를 구비하고 있다.
주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 의 가동 상태에 따라, 종제어부 (8) 에 의한 포토레지스트가 도포된 기판을 종노광 장치 (EX2) 로 반송하는 지시, 및 노광된 기판을 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 로 반송하는 지시를 제어한다. 이 실시형태에서는, 주제어부 (6) 는, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 에 의해 포토레지스트가 도포된 기판을, 반송 장치 (90) 가 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에 교대로 반입하고, 또한 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 가 교대로 기판을 수용하도록 반송 장치 (90), 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를 제어한다. 이 경우, 주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 가 서로 간섭하는 동작을 실시하지 않도록 감시한다. 예를 들어, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 가, 동시에 반송 장치 (90) 로부터 기판을 수용하는 것, 및 동시에 반송 장치 (90) 에 기판을 수수하는 것이 없도록 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 를 제어한다. 이 때문에, 주제어부 (6) 는, 기판을 종노광 장치 (EX2) 에 반입하는 지시 및 기판을 종노광 장치 (EX2) 로부터 반출하는 지시를 허가하는 경우에는, 종제어부 (8) 에 대하여 그 취지의 신호를 출력한다. 또한, 기판을 종노광 장치 (EX2) 에 반입하는 지시 및 기판을 종 노광 장치 (EX2) 로부터 반출하는 지시를 허가하지 않는 경우에는, 그 취지의 신호를 출력한다.
주제어부 (6) 의 제어의 전형예를 도 8 을 참조하면서 설명한다. 도 8 은, 주노광 장치 (EX1) 와, 종노광 장치 (EX2) 와, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 의 도포부 (C) 및 현상부 (D) 를 갖는 디바이스 제조 시스템 (DS) 에 있어서, 어떤 시각 (t) 에 기판 (P) 이 처리되고 있는 부위를 간략하게 나타내고 있다. 기판에 부여되어 있는 동그라미가 표시된 숫자는, 기판 로트의 복수 (도 8 에서는 5 장) 의 기판이 도포부 (C) 에 반입된 순서를 나타내고 있으며, 동그라미 표시된 "1" 은 가장 최초로 도포부 (C) 에 반입된 기판을 나타낸다. 또한, 설명의 형편상, 도 8 중, 반송 장치 (90) 는 생략하였다. 기판 상에 형성되는 제 1 층의 노광 처리 시간은, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 중 어느 것에 있어서도 75 초로 하고, 도포부 (C) 및 현상부 (D) 에 있어서의 도포 처리 시간 및 현상 처리 시간은 각각 50 초로 한다. 또한, 설명을 간편하게 하기 위해, 이하에서는 반송 장치에 의한 기판의 반송에 필요한 시간과, 도포부 (C), 주노광 장치 (EX1), 종노광 장치 (EX2) 및 현상부 (D) 에서의 기판의 로드 및 언로드 (기판 교환) 에 필요한 시간을 일부러 무시하고 설명한다.
시각 t = 0 에, 기판 로트 중의 최초의 기판 (P1) 이 도포부 (C) 에 반입되고, 기판 (P1) 에 대한 포토레지스트의 도포가 개시된다. 시각 t = 0 에서는, 도포부 (C) 에만 기판 (P) 이 존재하고 있는 것을 나타내고 있다. 이어서, 시각 t = 50 초에, 도포부 (C) 에서의 제 1 기판 (P1) 의 포토레지스트의 도포가 종 료되면, 주제어부 (6) 의 제어 하에서, 제 1 기판 (P1) 이 도포부 (C) 로부터 반송 장치에 의해 주노광 장치 (EX1) 로 반입된다. 제 1 기판 (P1) 이 주노광 장치 (EX1) 에 반입되면, 주노광 장치 (EX1) 에서의 노광 처리가 개시된다. 이 때, 도포부 (C) 에는 제 2 기판 (P2) 가 반입되고, 도포 처리가 개시된다. 제 2 기판 (P2) 의 반입은 제 1 기판 (P1) 의 반출 후 신속하게 실시된다.
시각 t = 100 초에서는, 도포부 (C) 에서의 제 2 기판 (P2) 의 도포 처리가 종료되고, 주제어부 (6) 는, 제 2 기판 (P2) 이 도포부 (C) 로부터 종노광 장치 (EX2) 에 반입되도록 반송 장치 및 종노광 장치 (EX2) 를 제어한다. 제 2 기판 (P2) 이 종노광 장치 (EX2) 에 수수되면, 그 곳에서의 제 2 기판 (P2) 의 노광 처리가 개시된다. 이 때, 주노광 장치 (EX1) 에서는, 노광 개시로부터 50 초밖에 경과하지 않았기 때문에, 아직 제 1 기판 (P1) 의 노광 처리가 완료되어 있지 않다. 한편, 도포부 (C) 에는 제 3 기판 (P3) 이 반입된다.
시각 t = 125 초에서는, 주노광 장치 (EX1) 에서의 노광 처리 시간이 75 초에 이르고 있기 때문에, 제 1 기판 (P1) 의 노광 처리가 종료되고, 주제어부 (6) 의 제어 하에서, 노광된 제 1 기판 (P1) 이 주노광 장치 (EX1) 로부터 반출되어, 현상부 (D) 로 반송된다. 이 때, 종노광 장치 (EX2) 에서는, 제 2 기판 (P2) 의 노광 처리 중이고, 도포부 (C) 도 제 3 기판 (P3) 의 도포 처리 중이다.
다음으로, 시각 t = 150 초에서는, 도포부 (C) 에서의 제 3 기판 (P3) 의 도포 처리가 종료되고, 주제어부 (6) 의 제어 하에서, 제 3 기판 (P3) 이 도포부 (C) 로부터 주노광 장치 (EX1) 에 반입된다. 그리고, 도포부 (C) 에는 제 4 기 판 (P4) 이 반입된다. 제 3 기판 (P3) 이 주노광 장치 (EX1) 에 수수되면, 그 곳에서의 노광 처리가 개시된다. 이 때, 종노광 장치 (EX2) 에서는, 노광 개시로부터 50 초 밖에 경과하지 않았기 때문에, 아직 노광 처리가 완료되어 있지 않고, 현상부 (D) 도 제 1 기판 (P1) 의 현상 중이다.
시각 t = 175 초에서는, 현상부 (D) 에서의 제 1 기판 (P1) 의 현상 처리 시간이 50 초에 이르고 있기 때문에, 현상 처리가 종료된 제 1 기판 (P1) 이 현상부 (D) 로부터 배출되어, 다음의 처리, 예를 들어 에칭 처리부 (ET) 로 반송된다. 또한, 종노광 장치 (EX2) 에서의 노광 처리 시간이 75 초에 이르러 제 2 기판 (P2) 의 노광 처리가 종료되었으므로, 주제어부 (6) 는, 노광된 제 2 기판 (P2) 을 종노광 장치 (EX2) 로부터 반출하여 현상부 (D) 로 반송하도록 종노광 장치 (EX2) 및 반송 장치를 제어한다. 이 때, 주노광 장치 (EX1) 에서는, 제 3 기판 (P3) 의 노광 처리 중이며, 도포부 (C) 도 제 4 기판 (P4) 의 도포 중이다.
시각 t = 200 초에서는, 도포부 (C) 에서의 제 4 기판 (P4) 의 도포 처리가 종료되고, 주제어부 (6) 의 제어 하에서, 제 4 기판 (P4) 이 도포부 (C) 로부터 반송 장치에 의해 종노광 장치 (EX2) 로 반입된다. 그리고, 도포부 (C) 에는 제 5 기판 (P5) 이 반입된다. 제 4 기판 (P4) 이 종노광 장치 (EX2) 에 수수되면, 그 곳에서의 노광 처리가 개시된다. 이 때, 주노광 장치 (EX1) 에서는, 제 3 기판 (P3) 의 노광 처리가 아직 완료되어 있지 않고, 현상부 (D) 도 제 2 기판 (P2) 의 현상 중이다.
시각 t = 225 초에서는, 현상부 (D) 에서의 제 2 기판 (P2) 의 현상 처리 시간이 50 초에 이르고 있으므로, 그 곳에서의 현상 처리가 종료되고, 제 2 기판 (P2) 이 현상부 (D) 로부터 배출되어, 다음의 처리, 예를 들어 에칭 처리부 (ET) 로 반송된다. 또한, 주노광 장치 (EX1) 에서의 제 3 기판 (P3) 의 노광 처리가 종료되었으므로, 주제어부 (6) 의 제어 하에서, 제 3 기판 (P3) 이 주노광 장치 (EX2) 로부터 현상부 (D) 로 반송된다. 이 때, 종노광 장치 (EX2) 에서는, 제 4 기판 (P4) 의 노광 처리 중이며, 도포부 (C) 도 제 5 기판 (P5) 의 도포 중이다.
상기와 같이 하여, 디바이스 제조 시스템 (DS) 에서는, 기판 로트의 기판이 도포부 (C) 로부터, 주제어부 (6) 의 제어 하에서, 교대로 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에 반입되고, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에서 노광을 종료한 기판은 교대로 현상부 (D) 에 반출된다. 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 에 있어서의 노광 처리 시간은, 전술한 바와 같이 각각 75 초인데 비해, 도포부 (C) 및 현상부 (D) 에 있어서의 처리 시간은 각각 노광 처리 시간보다 짧은 50 초이다. 1 대의 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 에 대하여 1 대의 노광 장치만 설치되어 있는 경우에는, 주제어부 (6) 가 상기와 같은 교대 제어를 실시할 수 없으므로, 도포부 (C) 에서 도포된 기판 (P) 은 노광 장치에 있어서의 이전의 기판의 노광 처리가 종료될 때까지 노광 장치로 반송될 수 없다. 그 결과, 도포부 (C) 에서의 대기 시간 (이 예에서는, 25 초) 이 발생하여, 도포부 (C) 에서의 도포 처리를 중단 없이 계속할 수 없게 된다. 도포된 기판을 일시적으로 수납하는 기판 스톡실 (BF) 을 설치한다 하더라도, 그 곳에서의 수용 능력에는 한계가 있다. 그러므로, 디바이스 제조 라인은 노광 장치에 있어서의 노광 처리 시간 에 맞추어 동작하는 것이 강제되어, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 등의 기타 장치는 최대 성능을 발휘할 수 없기 때문에 (75 초의 노광 처리 시간에 맞추게 되기 때문에), 제조 라인의 스루풋을 향상시킬 수 없다. 이에 대하여, 상기와 같이 노광 시스템이 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 의 2 대의 노광 장치를 구비하고, 그들을 교대로 동작시킴으로써, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 를 대기 시간 없이 연속 가동시킬 수 있게 된다.
도 8 과의 관계로 설명한 본 발명의 디바이스 제조 시스템 (DS) 및 노광 시스템 (SS) 의 이점은, 도 9 로부터 한층 더 용이하게 이해될 것이다. 도 9 는, 도 8 과의 관계로 설명한 디바이스 제조 시스템 (DS) 에 있어서의 주노광 장치 (EX1), 종노광 장치 (EX2), 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 의 도포부 (C) 및 현상부 (D) 에 있어서의 동작을, 시각과 함께 타이밍 차트로 나타내고 있다. 도포부 (C) 와 현상부 (D) 는, 각각의 처리 시간이 50 초이므로, 연속 가동되고 있다. 한편, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 는, 각각의 노광 처리 시간이 75 초이므로, 2 장의 기판의 노광 처리 사이에 짧은 간격 (이하, 「노광 간격」이라고 한다) 을 남겨두고 있다 (이 예에서는, 25 초). 이 노광 간격은, 노광되는 기판의 레이아웃이나 처리하고자 하는 기판 상의 성막 순서에 따라 상이하다. 도 19 및 도 20 에 나타낸 바와 같은 스캔 횟수가 상이한 레이아웃 (4 스캔과 6 스캔) 의 기판이 제조 라인에 공급되는 경우에는, 기판 1 장당 노광 처리 시간도 상이하다. 또한, 상기 예에서는, 기판 상의 제 1 층을 노광하기 위한 노광 처리 시간으로서 75 초가 필요하였지만, 제 2 층 이후에서는, 제 1 층의 패턴과의 위치 맞춤 처리 (얼라이먼트) 가 필요해지므로, 한층 더 긴 시간이 소요된다 (예를 들어, 85 초). 이와 같은 경우에서도, 본 실시형태에서는, 노광 간격이, 노광 처리되는 기판이나 처리 조건에 따른 노광 시간의 상이함을 흡수할 수 있다. 즉, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 를 구비하는 노광 시스템 전체로 본 경우, 노광 시스템 (SS) 은 항상 50 초의 간격으로, 노광되어야 할 기판을 도포부 (C) 로부터 수수하고, 노광된 기판을 현상부 (D) 를 향하여 배출하게 된다. 이것은, 기판의 레이아웃이나 처리하고자 하는 기판 상의 노광 처리 조건 (몇 번째의 층을 노광하는지) 에 상관없이, 바꾸어 말하면 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에 있어서의 노광 처리 시간에 상관없이, 항상 일정한 처리 시간으로 기판을 노광 처리할 수 있는 노광 시스템 (SS) 이 디바이스 제조 라인에 외관상 존재하는 것을 의미한다. 그 결과, 도 10 에 나타내는 바와 같은 본 실시형태의 노광 시스템 (SS) 을 포함하는 디바이스 제조 라인에 있어서, 코터 디벨로퍼 장치 (CD), 에칭 장치 (ET), 성막 장치 (SP) 등의 장치는 일정한 처리 시간 (택 타임) 으로 풀 가동 (최대 능력으로의 연속 가동) 이 가능해져, 제조 라인 전체의 스루풋을 대폭으로 향상시킬 수 있고, 제조 라인 전체가 노광 처리 시간에 의해 영향을 받는다는 종래의 제조 라인의 특유의 문제가 해소된다.
주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 에 의해 단위 시간당 노광할 수 있는 기판의 매수, 종노광 장치 (EX2) 에 의해 단위 시간당 노광할 수 있는 기판의 매수, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 에 의해 단위 시간당 처리할 수 있는 기판의 매수, 및 반송 장치 (90) 에 의해 단위 시간당 반송할 수 있는 기판의 매수에 기초하여, 반송 장치 (90), 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 의 가동 상태를 제어할 수도 있다. 구체적으로는, 노광 장치 (EX1, EX2) 의 단위 시간당 노광할 수 있는 기판의 매수의 비에 기초하여, 각각의 노광 장치 (EX1, EX2) 로 반송되는 기판의 매수의 비가 노광할 수 있는 기판의 매수의 비에 가까워지도록, 반송 장치 (90) 를 제어한다. 또한, 반송 장치 (90) 에 의해 반송되는 기판에 대하여, 주로 주노광 장치 (EX1) 로 기판을 노광하도록 하고, 주노광 장치 (EX1) 로 노광할 수 있는 기판의 매수를 초과한 매수에 대해서는, 종노광 장치 (EX2) 로 노광하도록 해도 된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 주노광 장치 (EX1) 가 구비하는 주제어부 (6) 가 반송 장치 (90), 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 의 동작을 연휴 제어하고 있지만, 주노광 장치 (EX1) 외에 다른 마스터 제어부 (제어부) 를 구비하도록 해도 된다. 이 경우에는, 마스터 제어부가 주제어부 (6), 종제어부 (8) 및 반송 장치 (90) 의 동작을 연휴 제어하며, 마스터 제어부는, 주제어부 (6) (주노광 장치 (EX1)) 및 종제어부 (8) (종노광 장치 (EX2)) 로부터의 기판 처리 요구에 따라, 기판을 반송하도록 반송 장치 (90) 를 제어한다. 여기서, 기판 처리 요구란, 포토레지스트가 도포된 기판을 주노광 장치 (EX1) 또는 종노광 장치 (EX2) 에 반입하라는 요구, 및 노광된 기판을 주노광 장치 (EX1) 또는 종노광 장치 (EX2) 로부터 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 로 반출하라는 요구 등을 의미한다.
본 실시형태에서는, 주제어부 (6) 가 주노광 장치 (EX1), 종노광 장치 (EX2) 및 반송 장치 (90) 를 제어하고 있었지만, 주제어부 (6) 는 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를 제어하고, 반송 장치 (90) 는 그 자신의 제어 장치, 또는 기타의 장치, 예를 들어 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 에 의해 제어되어도 된다.
본 실시형태에서는, 주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 가 교대로 기판 (P) 을 반송 장치 (90) 와의 사이에서 수수하면서, 각각 기판 (P) 을 노광하도록 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를 제어하는 제어 모드 (제 1 제어 모드 또는 교대 제어 모드) 를 갖고 있었지만, 이하와 같이 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 중 일방만을 구동하는 제어 모드 (제 3 제어 모드 또는 단독 제어 모드) 를 제 1 제어 모드와 전환할 수 있도록 갖고 있어도 된다. 즉, 주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 의 노광에 소요되는 시간 등의 처리 정보, 장치의 고장 정보 등의 장치 정보를 포함하는 기판 처리 정보에 따라, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 중 일방, 예를 들어 종노광 장치 (EX2) 를 선택하여, 종제어부 (8) 및 반송 장치 (90) 에 대하여 선택된 종노광 장치 (EX2) 에 의해서만 노광을 실시하는 것을 지시할 수도 있다. 또한, 주제어부 (6) 는, 종노광 장치 (EX2) 의 노광에 소요되는 시간 등의 처리 정보, 장치의 고장 정보 등의 장치 정보를 포함하는 기판 처리 정보에 따라, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 중 일방, 예를 들어 주노광 장치 (EX1) 를 선택하여, 주노광 장치 (EX1) 에 의해서만 노광을 실시하도록 제어할 수도 있다. 즉, 장치의 고장 등의 특별한 사정이 발생한 경우에는, 반송 장치 (90) 에 대하여 주노광 장치 (EX1) 에만 기판을 반입하도록 지시하고, 종제어부 (8) 에 대하여 종노광 장치 (EX2) 에 대한 기판의 반입 지시를 허가하지 않도록 반송 장치 (90) 및 종제어부 (8) 를 제 어해도 된다. 또한, 종노광 장치 (EX2) 에 의한 노광을 실시할 수 없을 때에는, 종제어부 (8) 는, 주제어부 (6) 에 대하여 노광을 실시할 수 없다는 취지를 알려주어도 된다. 또한, 노광에 소요되는 시간 등의 처리 정보는, 조명계의 조도 열화에 의한 노광 시간의 장시간화, 얼라이먼트나 기판의 반송, 유지에 관련된 동작의 지연에 의해 외관상의 노광에 소요되는 시간이 장시간화되는 정보를 포함한다. 이와 같이, 주제어부 (6) 는, 통상적으로는 제조 라인 전체의 스루풋을 향상시키기 위해, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 가 교대로 반송 장치 (90) 를 통하여 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 와의 사이에서 기판의 수수를 실시하지만 (제 1 제어 모드), 특별한 경우에는 일방의 노광 장치만을 구동하도록 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 를 제어할 수 있다 (제 3 제어 모드). 이렇게 함으로써, 제 1 제어 모드 (기판 교대 수수 모드) 에 비해 제조 라인의 스루풋은 저하되지만, 제조 라인을 정지시키지 않고 디바이스를 제조할 수 있다.
<제 2 실시형태>
이 실시형태에서는, 도 1 및 도 2 에 나타낸 디바이스 제조 시스템의 노광 시스템 (SS) 을 사용하여, 1 장의 기판을 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 에 의해 분담하여 노광하는 형태를 설명한다. 즉, 노광 시스템 (SS) 은, 주제어부 (6) 의 제 2 제어 모드에 기초하여, 주노광 장치 (EX1) 에 의해 기판의 소정의 제 1 영역 (적어도 1 개의 쇼트 영역을 포함함) 을 노광하고, 종노광 장치 (EX2) 에 의해 소정의 제 1 영역 이외의 제 2 영역 (적어도 1 개의 쇼트 영역을 포함하고, 사이즈 및/또는 노광되는 패턴이 제 1 영역과 상이함) 을 노광할 수 있다. 이하의 설명에 있어서, 제 1 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
주노광 장치 (EX1) 의 주제어부 (6) 는, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 1 개의 기판 상에 노광하는 패턴 및 노광 위치를 포함하는 노광 정보가 입력되는 입력부 (64) 와, 입력된 정보에 기초하여, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를 제어하기 위한 노광 데이터를 작성하는 데이터 작성부 (66) 와, 작성된 노광 데이터를 출력하는 출력부 (68) 를 구비한다. 예를 들어, 2200 ㎜ × 2400 ㎜ 의 유리 기판을 3 개의 42 인치의 화면 (쇼트 영역) 과 2 개의 37 인치의 화면 (쇼트 영역) 을 포함하는 레이아웃으로 노광하는 것을 상정 (想定) 한다. 이 경우, 입력부 (64) 에는, 사용자로부터 그들의 화면 사이즈 및 화면 수 등의 정보가 입력된다. 도 2 에 나타내는 바와 같은 레이아웃 정보로서 입력되어도 된다. 도 2 에는, 예를 들어 42 인치의 화면 (R1 ∼ R3) 과 37 인치의 화면 (R4 및 R5) 이 배치되는 엉성한 레이아웃이 나타나 있다. 데이터 작성부 (66) 에서는, 그러한 엉성한 레이아웃이 노광 시스템으로 노광될 수 있는지 여부를 판단하여, 가능하다고 판단하였으면, 입력된 정보에 기초하여 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를 제어하는 데이터를 작성한다.
데이터 작성부 (66) 에 있어서의 정보 처리 (제 2 제어 모드) 의 내용을 도 12 를 참조하면서 설명한다. 데이터 작성부 (66) 에 정보가 입력되면 (S1), 데이터 작성부 (66) 는 그 입력 정보를 편집하여, 기판 (P) 상에 있어서의 화면 (R1 ∼ R5) 이 배치되는 위치를 결정한다 (S2). 화면 (R1 ∼ R5) 의 유리 기판 (P) 상에서의 위치는, 유리 기판 (P) 상의 기준 위치로부터 거리로 결정된다. 기준 위치는, 유리 기판 (P) 의 에지 위치, 또는 기판 노광 전에 마크 형성 장치 (61) 에 의해 형성되는 화면 배치용 마크 (AM1, AM2) 의 위치로 할 수 있다 (도 6, 도 19 참조). 데이터 작성부 (66) 는, X 축 및 Y 축 방향에 관한, 기준 위치로부터의 화면 (R1 ∼ R5) 각각의 거리를 각 화면의 치수 및 방위에 기초하여 산출함으로써, 화면 (R1 ∼ R5) 의 유리 기판 (P) 상의 위치를 결정한다. 예를 들어, 주노광 장치 (EX1) 에서는, 1 층째의 노광을 실시하는 경우에는, 패턴끼리의 위치 맞춤이 필요없기 때문에, 상기 기준 위치는 기판 (P) 의 에지에 설정될 수 있다. 한편, 종노광 장치 (EX2) 에서는, 제 1 층에 패턴을 노광할 때에, 그 패턴을 주노광 장치 (EX1) 로 형성된 1 층째의 패턴 (화면) 에 대하여 위치 맞춤하는 것이 필요해지므로, 보다 정밀도가 높은 기준 위치로서의 화면 배치용 마크 (AM1, AM2) 가 사용된다. 단, 기판 (P) 의 에지 위치로부터 정확한 위치 맞춤이 가능한 경우에는, 종노광 장치 (EX2) 에 있어서 노광되는 화면에서도 기판 (P) 의 에지 위치를 기준 위치로 할 수 있다. 예를 들어, 도 2 에 나타낸 화면 (R4) 에 대해서는, 화면 배치용 마크 (AM1) 로부터의 X 축 방향 및 Y 축 방향의 거리 dx(R4), dy(R4) 가 구해진다. 또한, 화면 (R1 ∼ R5) 의 각 위치는 화면의 중심 위치 또는 노광 개시 위치로 할 수 있다. 이렇게 하여, 화면 (R1 ∼ R5) 각각에 대해 유리 기판 상에서의 위치가 상기 기준 위치로부터의 상대 위치 (또는 거리) 로서 결정된다. 주제어부 (6) 는, 이렇게 하여 결정된 화면 (R1 ∼ R5) 의 유리 기판 상에서의 배치를 표시부 (69) 에 쇼트 영역 (SH1 ∼ SH5) 으로서 표시한다 (S3). 도 13 은, 이와 같이 결정된 쇼트 영역 (SH1 ∼ SH5) 의 유리 기판 상에서의 배치 (정확한 레이아웃) 를 화면 배치용 마크 (AM1, AM2) 와 함께 표시하고 있다. 사용자는 2 대의 노광 장치 (주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2)) 에 의한 기판 상에서의 화면 레이아웃을 1 대의 노광 장치 (주노광 장치 (EX1)) 의 조작 화면 (표시부) 에서 확인할 수 있다.
또한, 데이터 편집 (S2) 에 있어서, 입력 정보가 노광 시스템으로 처리될 수 없는 경우에는, 예를 들어 입력된 화면 전체를 유리 기판 (P) 내에 수용할 수 없는 경우에는, 표시부 (69) 에 그 취지를 표시하여 사용자에게 알려준다.
이어서, 주제어부 (6) 는, 편집된 데이터를 주노광 장치 (EX1) 용의 제 1 노광 데이터와 종노광 장치 (EX2) 용의 제 2 노광 데이터로 분할한다 (S4). 사용자의 지시 또는 주제어부 (6) 에 의한 선정에 의해, 기판 (P) 상의 디바이스를 형성하는 쇼트 영역 (SH1 ∼ SH3) 의 노광 처리는 주노광 장치 (EX1) (또는 종노광 장치 (EX2)) 에 할당되고, 쇼트 영역 (SH4 및 SH5) 의 노광 처리는 종노광 장치 (EX2) (또는 주노광 장치 (EX1)) 에 할당되어 있다. 따라서, 제 1 노광 데이터는 쇼트 영역 (SH1 ∼ SH3) 을 노광하기 위해 주노광 장치 (EX1) 를 제어하는 데이터가 되고, 제 2 노광 데이터는 쇼트 영역 (SH4 및 SH5) 을 노광하기 위해 종노광 장치 (EX2) 를 제어하는 데이터가 된다. 즉, 제 1 노광 데이터는 전술한 데이터 편집 공정 (S2) 에서 편집된 화면 (R1 ∼ R3) 의 위치 정보 (쇼트 영역 (SH1 ∼ SH3) 의 위치 정보) 를 포함하고, 제 2 노광 데이터는 화면 (R4 및 R5) 의 위치 정보 (쇼트 영역 (SH4 및 SH5) 의 위치 정보) 를 포함한다. 이렇게 하여 분할된 제 1 노광 데이터는 주제어부 (6) 에 남아, 주노광 장치 (EX1) 의 제어에 사용된다. 제 2 노광 데이터는, 출력부 (68) 를 통하여 종제어부 (8) 로 출력된다 (S5). 또한, 데이터 분할 공정 (S4) (또는 데이터 편집 공정 (S2)) 에서는, 분할된 데이터에 기초하여 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 에서의 노광 처리 시간을 포함하는 노광 시스템 (SS) 의 노광 스케줄이 결정되고, 그러한 노광 스케줄을 포함하는 정보는 출력부 (68) 로부터 반송 장치 (90) 로 출력된다.
상기와 같이 하여 작성된 노광 데이터에 기초하여, 도 6 및 도 7 에 나타낸 노광 시스템 (SS) 의 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 가 노광하는 동작을 도 14 를 참조하면서 설명한다. 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 의 도포부 (C) 에서 감광 재료가 도포된 유리 기판 (P) 은, 최초로 주노광 장치 (EX1) 에 장전된다 (SG1). 본 실시형태에서는, 기판 (P) 에 대한 패턴의 노광에 앞서, 주노광 장치 (EX1) 에 설치된 마크 형성 장치 (61) 로, 도 13 에 나타내는 바와 같은 화면 배치용 마크 (AM1, AM2) 가 기판 (P) 에 형성된다 (SG2). 이어서, 기판 (P) 상에서의 화면 (R1 ∼ R3) 에 대응하는 쇼트 영역 (SH1 ∼ SH3) 의 위치를, 작성된 제 1 노광 데이터에 기초하여, 각각 기판 에지 위치를 기준으로 하여 구한다 (SG3). 기판 에지 위치는, 주노광 장치 (EX1) 에 형성되어 있는 마크 검출계 (예를 들어, 전술한 도시되어 있지 않은 얼라이먼트계) 를 사용하여 검출할 수 있다. 이어서, 구해진 쇼트 영역 (SH1) 의 위치 정보에 따라 기판 스테이지 (PST) 는 기판 (P) 을 이동시켜, 기판 (P) 의 쇼트 영역 (SH1) 을 투영 광학계 (PL) 의 노광 영역 (AR) 에 대하여 위치시킨다. 즉, 기판 (P) 은 쇼트 영역 (SH1) 의 노광 개시 위치에 위치된다. 이어서, 주노광 장치 (EX1) 는, 마스크 스테이지 (MST) 에 지지된 마스크 (M) 와 기판 스테이지 (PST) 에 지지된 기판 (P) 을 동기 이동시킴으로써 쇼트 영역 (SH1) 을 노광한다. 쇼트 영역 (SH1) 의 노광이 종료되면, 기판 스테이지 (PST) 를 스텝 이동시켜 기판 (P) 의 쇼트 영역 (SH2) 의 노광 개시 위치에 위치시키고, 쇼트 영역 (SH1) 의 경우와 동일하게 하여 쇼트 영역 (SH2) 을 주사 노광한다. 쇼트 영역 (SH2) 의 노광이 종료되면, 기판 스테이지 (PST) 를 스텝 이동시켜 기판 (P) 의 쇼트 영역 (SH3) 의 노광 개시 위치에 위치시키고, 쇼트 영역 (SH1) 의 경우와 동일하게 하여 쇼트 영역 (SH3) 을 주사 노광한다 (SG4). 이렇게 하여 제 1 노광 데이터에 따라 주노광 장치 (EX1) 에 의한 기판 (P) 의 쇼트 영역 (SH1 ∼ SH3) 의 노광을 실행한다. 쇼트 영역 (SH1 ∼ SH3) 의 노광이 종료되면, 기판 (P) 이 주노광 장치 (EX1) 로부터 배출된다 (SG5).
배출된 기판 (P) 은 반송 장치 (90) 에 의해 종노광 장치 (EX2) 에 반입된다 (SG6). 종노광 장치 (EX2) 에서는, 마크 검출 장치 (62) 에 의해 화면 배치용 마크 (AM1, AM2) 가 검출된다 (SG7). 종노광 장치 (EX2) 의 종제어부 (8) 는, 검출된 마크 (AM1, AM2) 의 위치와 먼저 작성된 제 2 노광 데이터에 기초하여, 쇼트 영역 (SH4 및 SH5) 의 위치를 구한다 (SG8). 종노광 장치 (EX2) 의 종제어부 (8) 는, 기판 스테이지 (PST) 를 제어하여, 구해진 쇼트 영역 (SH4) 의 위치에 기초하여 기판 (P) 을 이동시켜, 투영 광학계 (PL) 의 노광 영역 (AR) 에 대하여 기판 (P) 의 쇼트 영역 (SH4) 을 위치시킨다. 즉, 기판 (P) 은 쇼트 영역 (SH4) 의 노광 개시 위치에 위치된다. 이어서, 종노광 장치 (EX2) 는, 마스크 스테이지 (MST) 에 지지된 마스크 (M) 와 기판 스테이지 (PST) 에 지지된 기판 (P) 을 동기 이동시킴으로써, 쇼트 영역 (SH4) 을 마스크 (M) 의 패턴으로 노광한다. 쇼트 영역 (SH4) 의 노광이 종료되면, 기판 스테이지 (PST) 를 스텝 이동시켜 기판 (P) 의 쇼트 영역 (SH5) 에 위치시키고, 쇼트 영역 (SH4) 의 경우와 동일하게 하여 쇼트 영역 (SH5) 을 주사 노광한다 (SG9). 이렇게 하여, 종노광 장치 (EX2) 에 있어서, 쇼트 영역 (SH4 및 SH5) 의 노광을 실행한다. 쇼트 영역 (SH4 및 SH5) 의 노광이 종료되면, 기판 (P) 이 종노광 장치 (EX2) 로부터 배출되고, 반송 장치 (90) 에 의해 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 의 현상부 (D) 에 반입된다.
상기와 같이 하여, 주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 가 기판 (P) 의 각각의 영역을 분할하여 노광하기 위한 제 1 노광 데이터 및 제 2 노광 데이터를 작성하고, 그러한 제 1 노광 데이터 및 제 2 노광 데이터에 기초하여, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 를 제어한다 (제 2 제어 모드). 이 때문에, 노광 시스템 (SS) 은, 동일 기판 상의 복수의 쇼트 영역이, 예를 들어 노광 패턴의 종류, 사이즈 및 레이아웃 중 적어도 하나가 상이한 쇼트 영역을 포함하는 경우에도, 주제어부 (6) 에 의해 노광 데이터를 작성하여, 또는 미리 레이아웃에 따라 작성된 노광 데이터에 의해, 기판 (P) 을 효율적으로 노광할 수 있다. 도 2 에서는, 디바이스 (화면) 의 사이즈, 및 기판 (P) 상에서의 방향이 상이한 기판을 나타냈지만, 단순히 디바이스 패턴이 상이한 화면을 갖는 기판이어도 된다. 이와 같이, 2 대의 노광 장치에, 예를 들어 종류 및/또는 사이즈가 상이한 마스크 패턴을 할당하여 기판 (P) 을 분할 노광함으로써, 1 장의 기판의 노광 동작 중에서의 마스크의 교환을 생략할 수 있고, 또한 노광 장치마다 마스크를 복수 준비할 필요가 없어진다.
기판 (P) 의 다른 레이아웃의 예를 도 3 에 나타낸다. 도 3 에 나타내는 기판 (P) 상의 디바이스를 형성하는 화면 (쇼트 영역 ; R6, R7) 에 대해서는 주노광 장치 (EX1) (또는 종노광 장치 (EX2)) 를, 디바이스를 형성하는 화면 (쇼트 영역 ; R8, R9) 에 대해서는 종노광 장치 (EX2) (또는 주노광 장치 (EX1)) 를 각각 할당할 수 있다. 이 경우에도, 각각의 노광 장치가 노광하기 위한 노광 데이터가 주제어부 (6) 에 의해 작성된다. 이와 같이, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를 사용하여, 1 개의 기판 (P) 상에 상이한 패턴을 상이한 영역에 분할 노광함으로써, 대형 기판이어도 높은 스루풋으로 노광할 수 있고, 또한 기판 (P) 의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 다른 노광 레이아웃을 도 4 에 나타낸다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 디바이스를 형성하는 화면 (쇼트 영역 ; R10, R11) 에 상이한 패턴을 노광하는 경우에는, 주노광 장치 (EX1) 에 의해 일방의 패턴의 노광을 실시하는 제 1 노광 데이터와, 종노광 장치 (EX2) 에 의해 타방의 패턴의 노광을 실시하는 제 2 노광 데이터를 작성한다. 2 개의 디바이스를 형성하는 화면 (R10, R11) 에 동일한 패턴을 노광하는 경우에는, 전술한 제 3 제어 모드에 따라 주노광 장치 (EX1) 또는 종노광 장치 (EX2) 중 어느 일방에 의해 노광을 실시하는 노광 데이터를 작성해도 된다.
주제어부 (6) 는, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 의 처리 능력 (처리 시간) 에 기초하여, 제 1 노광 데이터 및 제 2 노광 데이터를 작성할 수 있다. 예를 들어, 단시간에 노광을 실시할 수 있는 노광 장치가 넓은 화면 또는 미세한 패턴의 노광을 실시하도록, 각각의 노광 데이터를 작성할 수 있다. 주제어부 (6) 는, 전술한 바와 같이, 종제어부 (8) 에 대하여, 작성한 제 2 노광 데이터를 출력하고, 종제어부 (8) 는, 주제어부 (6) 에 의해 출력된 제 2 노광 데이터에 기초하여, 종노광 장치 (EX2) 에 의한 노광을 제어한다.
상기 실시형태에서는, 마크 검출 장치 (62) 는, 감광 기판 (P) 의 마크를 검출하는 도시되어 있지 않은 얼라이먼트계와는 독립적으로 설치되는 것으로 하였지만, 마크 검출 장치를 설치하지 않고, 기타의 검출 장치, 예를 들어 전술한 얼라이먼트계를 사용하여 화면 배치용 마크를 검출해도 되고, 전술한 얼라이먼트계의 일부를 구성하는 마크 검출 장치 (62) 를 사용해도 된다. 마크 형성 장치 (61) 는, 예를 들어 레이저 마커, 인쇄기 등에 의해 구성할 수 있다. 또는, 마크 형성 장치를 설치하지 않고, 예를 들어 마스크 스테이지 (MST) 의 기준 마크를 노광광 (EL) 으로 조명하여, 기판에 노광된 기준 마크를 화면 배치용 마크로서 사용해도 되고, 또는 주노광 장치 (EX1) 에 대한 반입에 앞서, 기판에 화면 배치용 마크를 형성해 두어도 된다. 또한, 상기 실시형태에서는, 화면 배치용 마크는 기판의 감광층에 형성되는 잠상이어도 되고, 현상 처리를 거쳐 기판에 형성되는 레지스트 이미지 등이어도 된다.
제 2 실시형태에 관련된 노광 시스템 및 그것을 포함하는 디바이스 제조 시 스템에 의하면, 주노광 장치, 종노광 장치 및 반송 장치를 연휴 제어하는 주제어부를 주노광 장치가 구비하고 있기 때문에, 효율적으로 노광을 실시할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 주노광 장치 및 종노광 장치에 의해 1 장의 기판 상에 상이한 패턴을 노광할 수 있기 때문에, 기판의 이용 효율을 향상시킬 수 있어, 디바이스의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 있어서는, 1 대의 종노광 장치 (EX2) 를 구비하고 있지만, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 의 처리 시간, 반송 장치 (90) 의 반송 시간, 주노광 장치 (EX1) 의 처리 시간 및 종노광 장치의 노광 시간에 기초하여, 2 대 이상의 종노광 장치를 구비하도록 해도 된다. 또한, 1 대의 도포부 및 현상부를 구비하고 있지만, 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 의 처리 시간, 주노광 장치 (EX1) 의 처리 시간 및 종노광 장치 (EX2) 의 처리 시간에 기초하여, 2 대 이상의 도포부 및 현상부를 구비하도록 해도 된다.
또한, 상기 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 있어서는, 마크 형성 장치 (61) 에 의해 형성된 화면 배치용 마크의 위치를 마크 검출 장치 (62) 에 의해 검출하고 있는데, 마크 검출 장치 (62) 에 의해 기판 (P) 의 에지 위치를 검출하도록 해도 된다. 이 경우에는, 마크 형성 장치 (61) 를 구비할 필요가 없어, 장치의 콤팩트화 및 저비용화를 도모할 수 있다. 또한, 화면 배치용 마크 및/또는 기판의 에지를 검출하는 마크 검출 장치 (62) (또는 전술한 얼라이먼트계 등) 는 화상 처리 방식이어도 되고, 검출 대상으로부터 발생하는 회절광 또는 산란광을 검출하는 방식이어도 된다.
<제 3 실시형태>
이 실시형태에서는, 주제어부가 복수의 제어 모드를 갖고 있어, 사용자의 지시 또는 노광 시스템의 가동 상황에 따라 선택적으로 그들의 제어 모드를 전환할 수 있는 양태를 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상술한 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략하게 하거나 생략한다. 상기 제 1 실시형태에서는, 주제어부는, 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 가 교대로 기판을 반송 장치와의 사이에서 수수하면서, 각각 기판을 노광하도록, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 를 제어하는 제 1 제어 모드를 갖고 있었다. 1 대의 노광 장치로 노광할 수 있는 마스크 패턴이나 레이아웃의 경우에는, 제 1 제어 모드를 사용하는 것이 제조 라인 전체의 효율을 높이기 때문에 유리하다. 상기 제 2 실시형태에서는, 복수의 상이한 패턴 (화면) 을 갖는 레이아웃으로 1 장의 기판을 노광하기 위해, 복수의 화면을 노광 시스템 (SS) 의 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 로 배분하여 노광하였다 (제 2 제어 모드). 이 제 2 제어 모드에서는, 특히 대형 기판을 노광할 때에, 제조 라인에 공급되는 상이한 레이아웃의 로트에 신속히 대응할 수 있다. 그러나, 제 2 제어 모드에 있어서도, 레이아웃이나 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 의 성능의 차이에 의해, 어느 1 대로 노광시키고 싶은 경우도 있다. 또한, 전술한 바와 같이 고장 등의 사정에 의해, 제 1 제어 모드 또는 제 2 제어 모드 하에서도, 주노광 장치 (EX1) 또는 종노광 장치 (EX2) 를 일시적으로 정지시켜야 하는 경우도 발생한다. 이와 같은 경우에는, 주노광 장치 (EX1) 의 주제어 부 (6) 는, 어느 노광 장치가 노광 처리를 실시해야 하는지를 결정하고, 그 결정된 노광 장치를 위한 노광 데이터를 작성하고, 그 노광 장치에 노광 데이터를 송신하여 노광을 실시하는 것이 바람직하다 (제 3 제어 모드). 예를 들어, 종노광 장치 (EX2) 를 정지해야 할 사정이 발생한 경우에는, 주제어부 (6) 는 주노광 장치 (EX1) 만으로 노광을 실시하기 위한 노광 데이터를 작성하고, 주노광 장치 (EX1) 는 그 노광 데이터에 기초하여 노광을 실시한다. 주제어부 (6) 는, 종노광 장치 (EX2) 의 상황을 감시하여, 종노광 장치 (EX2) 가 동작할 수 있는 상황으로 회복되었다면, 노광 데이터를 새롭게 작성하거나 또는 이전의 제 1 노광 데이터 및 제 2 노광 데이터에 기초하여 2 개의 동작 모드로 노광 시스템 (SS) 를 운전한다.
본 실시형태의 노광 시스템 (SS) 에서는, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 주제어부 (6) 가 전술한 바와 같은 제 1 제어 모드 ∼ 제 3 제어 모드를 전환할 수 있도록 갖고 있다. 주제어부 (6) 는, 종제어부 (8) 또는 입력부로부터의 정보를 받아, 그들의 모드를 선택적으로 전환할 수 있다. 이와 같이 주제어부 (6) 가 제 1 제어 모드 ∼ 제 3 제어 모드를 전환할 수 있도록 갖고 있음으로써, 디바이스 제조 라인에 있어서의 디바이스의 종류나 주노광 장치 (EX1) 와 종노광 장치 (EX2) 의 가동 상황에 따라 적절한 모드로 전환하여, 디바이스 제조 라인을 정지시키지 않고 가동할 수 있다.
상기 각 실시형태에서는, 디바이스 제조 시스템 (DS) 을, 도 1 에 나타내는 배치, 즉, 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 가 반송 장치 (90) 를 사이에 두고 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 와 대향하는 배치로 하여 설명하였지만, 도 5 에 나 타내는 배치여도 된다. 도 5 에 나타내는 디바이스 제조 시스템 (DS') 의 배치에서는, 반송 장치 (90) 를 따라 코터 디벨로퍼 장치 (CD), 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 가 배열되어 있다. 또한, 도 5 에 나타내는 바와 같이 공용 마스크 라이브러리 (ML) 를 형성하여, 그 곳으로부터 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 에 마스크 (M) 를 공급해도 된다. 이렇게 함으로써 2 대의 노광 장치를 설치함에 따른 디바이스 제조 시스템 (DS') 및 노광 시스템 (SS) 의 대형화를 회피할 수 있다. 이와 같이, 디바이스 제조 시스템의 설치 장소 등에 의해 주노광 장치, 종노광 장치, 반송 장치, 코터 디벨로퍼 장치 및 기판 스톡실의 배치를 자유롭게 설계할 수 있다.
<제 4 실시형태>
다음으로, 도 16 을 참조하여, 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상술한 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 16 은, 제 4 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템의 구성을 나타내는 도면이다. 이 디바이스 제조 시스템은, 제 1 노광 장치 (노광부 ; EX3), 제 2 노광 장치 (노광부 ; EX4), 코터 디벨로퍼 장치 (CD2), 및 일시적으로 기판을 스톡하는 기판 스톡실 (BF2) 을 구비하고 있다. 또한, 이 디바이스 제조 시스템은, 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 와 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 의 사이, 및 제 1 노광 장치 (EX3), 제 2 노광 장치 (EX4) 및 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 와 기판 스톡실 (BF2) 사이에서, 기판을 반송하는 적어도 2 개의 반송부 (반송 유닛, 도시 생략) 를 갖는 반송 장치 (기판 반송부 ; 90) 를 구비하고 있다. 적어도 2 개의 반송부는, 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 각각에 대하여 개별적으로 기판을 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 이 실시형태에 있어서는, 반송 장치 (90) 가 적어도 2 개의 반송부를 구비하고 있는데, 1 개의 반송부를 구비하도록 해도 된다.
코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 는, 제 1 실시형태에 관련된 코터 디벨로퍼 장치 (CD) 와 동일한 구성을 갖고 있기 때문에, 상세한 설명을 생략한다. 도포부 (C) 에 의해 포토레지스트가 도포된 기판은, 반송 장치 (90) 에 의해 제 1 노광 장치 (EX3) 또는 제 2 노광 장치 (EX4) 로 반송된다.
제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 는, 반송 장치 (90) 에 의해 반송된 외경이 500 ㎜ 를 초과하는 크기의 플랫 패널 표시 소자용의 기판 상에, 조명계로부터의 노광용 조명광에 의해 조명되는 마스크의 패턴을, 투영 광학계를 통하여 전사 노광한다. 제 1 노광 장치 (EX3) 또는 제 2 노광 장치 (EX4) 에 의해 노광된 기판은, 반송 장치 (90) 에 의해 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 가 구비하는 현상부 (D) 로 반송된다.
제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 에서는, 각각 상이한 패턴을 갖는 마스크를 사용해도 되지만, 이 실시형태에서는 동일한 패턴을 갖는 마스크를 사용하는 것으로 한다. 이 때문에, 제 1 노광 장치 (EX3) 와 제 2 노광 장치 (EX4) 에서는 각각 동일 패턴이 감광 기판에 노광된다. 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 는, 상기 제 1 실시형태에서 설명한 주노광 장치 (EX1) 및 종노광 장치 (EX2) 와 동일한 구성이므로, 그 설명은 생략한다. 상이한 패턴이 형성되어 있는 복수의 마스크를 스톡하는 마스크 라이브러리, 마스크를 반송하는 마스크 반송부 등 (도시 생략) 은, 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 가 각각 구비하도록 해도 되고, 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 에 대하여 1 개 구비하도록 해도 된다.
이 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 있어서는, 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 의 2 대의 노광 장치를 구비하고 있지만, 적어도 1 대의 노광 장치를 구비하고 있으면 되고, 노광 장치의 대수는 반송 장치 (90) 에 있어서의 단위 시간당 기판의 반송 매수에 기초하여 결정된다. 여기서, 반송 장치 (90) 에 있어서의 단위 시간당 기판의 반송 매수는, 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 가 구비하는 도포부 (C) 에 의한 처리 능력 (처리 시간) 에 기초하여 설정된다.
예를 들어, 도포부 (C) 에 의해 기판 상에 감광제를 도포하는 시간이 50 초인 경우에는, 반송 장치 (90) 에 의해 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 로부터 기판을 반송하는 시간 간격은 50 초로 설정된다. 즉, 도포부 (C) 에 있어서의 10 분간마다의 기판의 처리 매수가 12 장이기 때문에, 반송 장치 (90) 에 있어서의 10 분간마다의 기판의 반송 매수는 12 장으로 설정된다. 이 반송 장치 (90) 에 있어서의 단위 시간당 기판의 반송 매수 및 노광 장치의 처리 능력 (단위 시간당 기판의 노광 매수) 에 기초하여, 노광 장치의 대수가 결정된다.
제 1 노광 장치 (EX3) 는, 제 1 노광 장치 (EX3) 의 동작을 제어하는 제 1 제어부 (42) 를 구비하고 있다. 또한, 제 2 노광 장치 (EX4) 는, 제 2 노광 장치 (EX4) 의 동작을 제어하는 제 2 제어부 (44) 를 구비하고, 반송 장치 (90) 는, 반송 장치 (90) 의 동작을 제어하는 제 3 제어부 (46) 를 구비하고 있다. 제 1 제어부 (42) 는, 제 1 노광 장치 (EX3) 에 기판이 반입되어 있지 않은 경우에는, 제 1 노광 장치 (EX3) 에 기판을 반입하도록 반송 장치 (90) (제 3 제어부 (46)) 를 제어한다. 즉, 제 1 제어부 (42) 는, 제 3 제어부 (46) 에 대하여, 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 에 의해 포토레지스트가 도포된 기판을 제 1 노광 장치 (EX3) 에 반입하도록 지시한다. 또한, 제 1 제어부 (42) 는, 제 1 노광 장치 (EX3) 에 있어서의 기판의 노광이 종료된 경우에는, 제 3 제어부 (46) 에 대하여, 제 1 노광 장치 (EX3) 에 의해 노광된 기판을 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 에 반입하도록 지시한다.
제 2 제어부 (44) 는, 제 2 노광 장치 (EX4) 에 기판이 반입되어 있지 않은 경우에는, 제 2 노광 장치 (EX4) 에 기판을 반입하도록 반송 장치 (90) (제 3 제어부 (46)) 를 제어한다. 즉, 제 2 제어부 (44) 는, 제 3 제어부 (46) 에 대하여, 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 에 의해 포토레지스트가 도포된 기판을 제 2 노광 장치 (EX4) 에 반입하도록 지시한다. 또한, 제 2 제어부 (44) 는, 제 2 노광 장치 (EX4) 에 있어서의 기판의 노광이 종료된 경우에는, 제 3 제어부 (46) 에 대하여, 제 2 노광 장치 (EX4) 에 의해 노광된 기판을 코터 디벨로퍼 장치 (CD2) 에 반입하도록 지시한다.
제 3 제어부 (46) 는, 제 1 제어부 (42) 또는 제 2 제어부 (44) 로부터의 지시에 기초하여, 제 1 노광 장치 (EX3) 또는 제 2 노광 장치 (EX4) 에 기판을 반입하고, 제 1 노광 장치 (EX3) 또는 제 2 노광 장치 (EX4) 로부터 기판을 반출한다.
이 제 4 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 의하면, 2 대의 노광 장치를 구비하고 있기 때문에, 효율적으로 노광을 실시할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 제 4 실시형태에 있어서는, 제 1 실시형태와 동일하게, 제 1 제어 모드 하에서, 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 에 의해 교대로 노광을 실시하는 것이 바람직하며, 이 경우에는 종래 장치와 비교하여 최단으로 처리 시간이 1/2 이 된다.
또한, 이 제 4 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 있어서는, 제 1 노광 장치 (EX3) (제 1 제어부 (42)) 및 제 2 노광 장치 (EX4) (제 2 제어부 (44)) 가 각각 반송 장치 (90) (제 3 제어부 (46)) 에 대하여 기판의 반출입을 지시하고 있는데, 반송 장치 (90) (제 3 제어부 (46)) 가 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 의 기판의 처리 상태를 파악하여, 제 1 노광 장치 (EX3) 및 제 2 노광 장치 (EX4) 에 대한 기판의 반입을 실시하도록 해도 된다. 예를 들어, 제 1 노광 장치 (EX3) 내에 기판이 반입되어 있고, 제 2 노광 장치 (EX4) 내에 기판이 반입되어 있지 않다는 것을 파악한 경우에는, 제 2 노광 장치 (EX4) 에 기판의 반입을 실시한다.
또한, 제 4 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 있어서는, 도 16 에 나타내는 구성을 예로 들어 설명하였지만, 디바이스 제조 시스템의 설치 장소 등에 의해 제 1 노광 장치, 제 2 노광 장치, 반송 장치, 코터 디벨로퍼 장치 및 기판 스톡실의 배치 위치를 자유롭게 설계할 수 있다. 예를 들어, 도 5 에 나타내는 바와 같은 배치로 해도 된다.
상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에 의하면, 기판에 노광되는 디바이스 패턴의 레이아웃 등에 의해 주노광 장치 및 종노광 장치로 기판을 분담하여 노광하거나, 1 장의 기판 중의 디바이스 패턴마다 분담하여 노광하거나 함으로써, 디바이스의 레이아웃 등에 따른 최적인 디바이스 제조 시스템의 형태로 할 수 있게 된다.
또한, 주노광 장치, 종노광 장치 (또는 제 1 노광 장치, 제 2 노광 장치) 로는, 멀티 렌즈 타입의 투영 광학계를 구비하는 노광 장치뿐만 아니라, 예를 들어 1 개의 노광 영역을 갖는 투영 광학계를 구비한 노광 장치를 사용해도 된다. 또한, 주노광 장치, 종노광 장치 (또는 제 1 노광 장치, 제 2 노광 장치) 에서는, 제 1 패턴 및 제 2 패턴을 형성하기 위해 마스크 (M) 를 사용하였지만, 이들 대신에, 액정 마스크 또는 가변의 패턴을 생성하는 전자 마스크 (가변 성형 마스크) 를 사용할 수 있다. 이와 같은 전자 마스크로서, 예를 들어 비발광형 화상 표시 소자 (공간 광 변조기 : Spatial Light Modulator (SLM) 라고도 불린다) 의 일종인 DMD (Deformable Micro-mirror Device 또는 Digital Micro-mirror Device) 를 사용할 수 있다. DMD 는, 소정의 전자 데이터에 기초하여 구동하는 복수의 반사 소자 (미소 미러) 를 갖고, 복수의 반사 소자는, DMD 의 표면에 2 차원 매트릭스 형상으로 배열되고, 또한 소자 단위로 구동되어 노광광 (EL) 을 반사, 편향시킨다. 각 반사 소자는 그 반사면의 각도가 조정된다. DMD 의 동작은, 예를 들어 주제어부, 종제어부에 의해 제어될 수 있다. 주제어부, 종제어부는, 기판 (P) 상에 형성해야 할 제 1 패턴 및 제 2 패턴에 따른 전자 데이터 (패턴 정보) 에 기초하여 각각의 DMD 의 반사 소자를 구동하고, 조명계 (IL) 에 의해 조사되는 노광광 (EL) 을 반사 소자로 패턴화한다. DMD 를 사용함으로써, 패턴이 형성된 마스크 (레티클) 를 사용하여 노광하는 경우에 비해, 패턴이 변경되었을 때에, 마스크의 교환 작업 및 마스크 스테이지에 있어서의 마스크의 위치 맞춤 조작이 불필요해지기 때문에, 상이한 패턴의 로트가 디바이스 제조 라인에 공급된 경우에 한층 더 효율적으로 실시할 수 있다. 또한, DMD 를 사용한 노광 장치는, 예를 들어 일본특허공개공보 평 8-313842 호, 일본특허공개공보 제 2004-304135 호, 미국특허 제 6,778,257 호에 개시되어 있다. 지정국 또는 선택국의 법령이 허용하는 범위에서 미국특허 제 6,778,257 호의 개시를 원용하여, 본문 기재의 일부로 한다.
또한, 상기 각 실시형태에서는 간섭계 시스템을 사용하여 마스크 스테이지 및 기판 스테이지의 위치 정보를 계측하는 것으로 했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 기판 스테이지의 상면에 형성되는 스케일 (회절 격자) 을 검출하는 인코더 시스템을 사용해도 된다. 이 경우, 간섭계 시스템과 인코더 시스템의 양방을 구비하는 하이브리드 시스템으로 하고, 간섭계 시스템의 계측 결과를 사용하여 인코더 시스템의 계측 결과의 교정 (캘리브레이션) 을 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 간섭계 시스템과 인코더 시스템을 전환하여 사용하거나, 또는 그 양방을 사용하여, 기판 스테이지의 위치 제어를 실시하도록 해도 된다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, 노광광으로서 다양한 광원으로부터의 광을 사용할 수 있으며, ArF 엑시머 레이저광을 발생시키는 광원 장치로서, ArF 엑시머 레이저를 사용해도 되지만, 예를 들어 국제공개 제 1999/46835 호 팜플렛 (대응미국특허 제 7,023,610 호) 에 개시되어 있는 바와 같이, DFB 반도체 레이저 또는 파이버 레이저 등의 고체 레이저 광원, 파이버 앰프 등을 갖는 광증폭부, 및 파장 변환부 등을 포함하고, 파장 193 ㎚ 의 펄스 광을 출력하는 고조파 발생 장치를 사용해도 된다. 또한, 상기 실시형태에서는, 전술한 각 조명 영역과 노광 영역 (AR) 이 각각 직사각형 형상인 것으로 하였지만, 기타의 형상, 예를 들어 사다리꼴 형상, 원호 형상, 평행사변형 형상 또는 마름모 형상 등이어도 된다.
또한, 상기 각 실시형태의 기판 (P) 으로는, 디스플레이 디바이스용의 유리 기판뿐만 아니라, 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼, 박막 자기 헤드용의 세라믹 웨이퍼, 또는 노광 장치에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (原版) (합성 석영, 실리콘 웨이퍼), 또는 필름 부재 등이 적용된다. 또한, 기판 (P) 의 형상은 직사각형뿐만 아니라, 원형 등 기타의 형상이어도 된다.
투영 광학계 (PL) 는, 등배계뿐만 아니라, 축소계 및 확대계 중 어느 것이어도 되고, 굴절계, 반사계 및 반사 굴절계 중 어느 것이어도 되며, 투영 이미지는 정립상 및 도립상 중 어느 것이어도 된다. 또한, 투영 광학계 (PL) 로는, 엑시머 레이저 등의 원자외선을 사용하는 경우에는 초재 (硝材) 로서 석영이나 형석 등의 원자외선을 투과하는 재료를 사용하고, F2 레이저를 사용하는 경우에는 반사 굴 절계 또는 굴절계의 광학계로 할 수 있다.
기판 스테이지 (PST) 나 마스크 스테이지 (MST) 에 리니어 모터를 사용하는 경우에는, 에어 베어링을 사용한 에어 부상형, 및 로렌츠 힘 또는 리액턴스 힘을 사용한 자기 부상형 중 어느 쪽을 사용해도 된다. 또한, 스테이지는, 가이드를 따라 이동하는 타입이어도 되고, 가이드를 형성하지 않는 가이드리스 타입이어도 된다.
스테이지의 구동 장치로서 평면 모터를 사용하는 경우, 자석 유닛과 전기자 유닛 중 어느 일방을 스테이지에 접속시키고, 자석 유닛과 전기자 유닛의 타방을 스테이지의 이동면측 (베이스) 에 형성하면 된다.
기판 스테이지 (PST) 의 이동에 의해 발생하는 반력 (反力) 은, 일본특허공개공보 평 8-166475 호 (및 대응미국특허 제 6,281,654 호) 에 기재되어 있는 바와 같이, 프레임 부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빠져나가도록 해도 된다. 본 발명은, 이와 같은 구조를 구비한 노광 장치에 있어서도 적용할 수 있다.
마스크 스테이지 (MST) 의 이동에 의해 발생하는 반력은, 일본특허공개공보 평 8-330224 호 (및 대응미국특허 제 6,246,205 호) 에 기재되어 있는 바와 같이, 프레임 부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빠져나가도록 해도 된다. 본 발명은, 이와 같은 구조를 구비한 노광 장치에 있어서도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 예를 들어 일본특허공개공보 평 10-163099 호, 일본특허공개공보 평 10-214783 호 (대응하는 미국특허 제 6,341,007 호, 제 6,400,441 호, 제 6,549,269 호 및 제 6,590,634 호), 일본공표특허공보 제 2000-505958 호 (대응하는 미국특허 제 5,969,441 호) 등에 개시되어 있는 바와 같은 복수의 기판 스테이지를 구비한 트윈 스테이지 (멀티 스테이지) 형의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 멀티 스테이지형의 노광 장치에 관하여, 지정국 및 선택국의 국내 법령이 허용하는 한에서, 상기 미국특허의 개시를 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.
또한, 예를 들어 일본특허공개공보 평 11-135400 호 (대응하는 국제공개 제 1999/23692 호 팜플렛), 일본특허공개공보 제 2000-164504 호 (대응하는 미국특허 제 6,897,963 호) 에 개시되어 있는 바와 같이, 기판을 유지하는 기판 스테이지와, 계측 부재 (예를 들어, 기준 마크가 형성된 기준 부재, 및/또는 각종 광전 센서) 를 탑재한 계측 스테이지를 구비한 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있으며, 지정국 또는 선택국의 법령이 허용하는 범위에서, 그들 미국특허의 개시를 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.
상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에서는, 투영 광학계를 사용하여 레티클 (마스크) 에 의해 형성된 전사용의 패턴을 감광성 기판 (플레이트) 에 노광함 (노광 공정) 으로써, 마이크로 디바이스 (반도체 소자, 촬상 소자, 액정 표시 소자, 박막 자기 헤드 등) 를 제조할 수 있다. 이하, 상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템을 사용하여 감광성 기판으로서의 플레이트 등에 소정의 회로 패턴을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 반도체 디바이스를 얻을 때의 수법의 일례에 대해, 도 17 의 플로우차트를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 17 의 단계 S301 에 있어서, 1 로트의 플레이트 상에 금속막이 증 착된다. 다음의 단계 S302 에 있어서, 코터 디벨로퍼 장치가 구비하는 도포부에 의해 1 로트의 플레이트 상의 금속막 상에 포토레지스트가 도포된다. 그리고, 반송 장치에 의해 플레이트가 코터 디벨로퍼 장치로부터 노광 장치로 반송된다. 그 후, 단계 S303 에 있어서, 상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템이 구비하는 노광 장치를 사용하여, 마스크의 패턴 이미지가 투영 광학계를 통하여 그 1 로트의 플레이트 상의 각 쇼트 영역에 순차적으로 노광 전사된다. 그 후, 단계 S304 에 있어서, 코터 디벨로퍼 장치가 구비하는 현상부에 의해 1 로트의 플레이트 상의 포토레지스트의 현상이 실시된 후, 단계 S305 에 있어서, 그 1 로트의 플레이트 상에서 레지스트 패턴을 마스크로 하여 에칭을 실시함으로써, 마스크의 패턴에 대응하는 회로 패턴이, 각 플레이트 상의 각 쇼트 영역에 형성된다.
그 후, 위의 레이어인 회로 패턴 형성 등을 실시하여, 플레이트로부터 복수의 디바이스로 절단되고, 반도체 소자 등의 디바이스가 제조된다. 상술한 반도체 디바이스 제조 방법에 따르면, 상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템을 사용하여 디바이스의 제조를 실시하고 있기 때문에, 높은 스루풋으로 양호한 반도체 디바이스를 얻을 수 있다. 또한, 단계 S301 ∼ 단계 S305 에서는, 플레이트 상에 금속을 증착하고, 그 금속막 상에 레지스트를 도포, 그리고 노광, 현상, 에칭의 각 공정을 실시하고 있는데, 이들 공정에 앞서, 플레이트 상에 실리콘의 산화막을 형성 후, 그 실리콘의 산화막 상에 레지스트를 도포, 그리고 노광, 현상, 에칭 등의 각 공정을 실시해도 된다는 것은 말할 필요도 없다.
또한, 상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템에서는, 플레이트 (유리 기판) 상에 소정의 패턴 (회로 패턴, 전극 패턴 등) 을 형성함으로써, 마이크로 디바이스로서의 액정 표시 소자를 얻을 수도 있다. 이하, 도 18 의 플로우차트를 참조하여, 이 때의 수법의 일례에 대해 설명한다. 먼저, 도 18 에 있어서, 패턴 형성 공정 (S401) 에서는, 상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템이 구비하는 노광 장치를 사용하여 마스크의 패턴을 감광성 기판 (레지스트가 도포된 유리 기판 등) 에 전사 노광하는, 이른바 광 리소그래피 공정이 실행된다. 이 광 리소그래피 공정에 의해, 감광성 기판 상에는 다수의 전극 등을 포함하는 소정 패턴이 형성된다. 그 후, 노광된 기판은, 반송 장치에 의해 코터 디벨로퍼 장치가 구비하는 현상부로 반송되어, 현상부에 의한 현상 공정, 에칭 공정, 레지스트 박리 공정 등의 각 공정을 거침으로써, 기판 상에 소정의 패턴이 형성되고, 다음의 컬러 필터 형성 공정 (S402) 으로 이행된다.
다음으로, 컬러 필터 형성 공정 (S402) 에서는, R (Red), G (Green), B (Blue) 에 대응한 3 개의 도트의 세트가 매트릭스 형상으로 다수 배열되거나, 또는 R, G, B 의 3 개의 스트라이프의 필터 세트를 복수 수평 주사선 방향으로 배열되거나 한 컬러 필터를 형성한다. 그리고, 컬러 필터 형성 공정 (S402) 의 후에, 셀 조립 공정 (S403) 이 실행된다. 셀 조립 공정 (S403) 에서는, 패턴 형성 공정 (S401) 에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판, 및 컬러 필터 형성 공정 (S402) 에서 얻어진 컬러 필터 등을 사용하여 액정 패널 (액정 셀) 을 조립한다. 셀 조립 공정 (S403) 에서는, 예를 들어 패턴 형성 공정 (S401) 에서 얻어진 소정 패턴을 갖는 기판과 컬러 필터 형성 공정 (S402) 에서 얻어진 컬러 필터 사이에 액정을 주입하여, 액정 패널 (액정 셀) 을 제조한다.
그 후, 모듈 조립 공정 (S404) 에서, 조립된 액정 패널 (액정 셀) 의 표시 동작을 실시하게 하는 전기 회로, 백라이트 등의 각 부품을 장착하여, 액정 표시 소자로서 완성시킨다. 상술한 액정 표시 소자의 제조 방법에 따르면, 상술한 각 실시형태에 관련된 디바이스 제조 시스템을 사용하여 디바이스의 제조를 실시하고 있기 때문에, 높은 스루풋으로 양호한 액정 표시 소자를 얻을 수 있다.
산업상이용가능성
본 발명의 노광 시스템에 의하면, 기판의 노광을 높은 효율로 실현할 수 있다. 이 때문에, 액정 표시 소자나 마이크로 머신 등에 사용되는 고밀도이고 복잡한 회로 패턴을 갖는 디바이스를 높은 스루풋으로 생산할 수 있다. 그러므로, 본 발명은, 일본의 반도체 산업을 포함하는 정밀 기기 산업의 발전에 현저하게 공헌할 것이다.

Claims (58)

  1. 기판의 반송을 실시하는 기판 반송부와,
    상기 기판을 노광할 수 있는 복수의 노광부와,
    상기 복수의 노광부의 가동 상태가 원하는 상태로 되도록, 상기 기판 반송부와 상기 복수의 노광부를 연휴 (連携) 제어하는 제어부를 구비하는, 디바이스 제조 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 기판 반송부에서 반송되는 기판의 반송 매수와 상기 복수의 노광부 각각에서 노광되는 기판의 노광 매수에 기초하여 제어하는, 디바이스 제조 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 복수의 노광부의 기판 처리 정보에 따라, 상기 복수의 노광부 중 적어도 1 개의 노광부를 선택함과 함께, 그 선택된 노광부에 대하여 상기 기판을 반송하도록 상기 기판 반송부를 제어하는, 디바이스 제조 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 처리 정보는, 상기 복수의 노광부에서의 기판당 노광 시간 및 장 치의 고장 정보 중 적어도 일방을 포함하는, 디바이스 제조 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 복수의 노광부로부터의 기판 처리 요구에 따라, 상기 기판을 반송하도록 상기 기판 반송부를 제어하는, 디바이스 제조 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 복수의 노광부에 순차적으로 상기 기판을 반송하도록, 상기 기판 반송부를 제어하는, 디바이스 제조 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 반송부는, 각각 개별적으로 기판을 반송할 수 있는 복수의 기판 반송 유닛을 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 디바이스 제조 시스템에서 처리하는 기판의 단위 시간당 기판 매수에 따라, 상기 복수의 기판 반송 유닛과 상기 복수의 노광부의 가동 상태를 제어하는, 디바이스 제조 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노광부는, 각각 상이한 패턴을 노광할 수 있는, 디바이스 제조 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에는, 상이한 복수의 패턴이 노광되고, 상기 제어부는, 상기 복수의 패턴마다 상기 복수의 노광부를 선택하여 노광하는, 디바이스 제조 시스템.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 노광부는, 상기 상이한 패턴을 각각 형성한 복수의 마스크를 반송하는 마스크 반송부를 적어도 1 개 구비하는, 디바이스 제조 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노광부 중 1 개를 주노광부, 그 나머지를 종노광부로 하고,
    상기 주노광부는, 상기 종노광부의 각각에서 이용할 수 있는 마크를 상기 기판에 부여하는 마크 부여부를 갖는, 디바이스 제조 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노광부는, 패턴이 묘화된 마스크를 사용하는 제 1 노광부와,
    임의의 패턴을 노광할 수 있는 가변 성형 마스크를 사용하는 제 2 노광부를 구비하는, 디바이스 제조 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 노광부는, 상기 기판에 노광하는 영역을 각각 분담하여 노광하는, 디바이스 제조 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 복수의 노광부는, 적어도 주노광부와 종노광부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 주노광부를 제어하는 주제어부와, 상기 종노광부를 제어하는 종제어부를 포함하며,
    상기 주제어부는, 상기 기판에 노광하는 노광 데이터를 그 기판에 노광하는 영역의 분담에 따라, 상기 주제어부를 위한 주노광 데이터와 상기 종노광부를 위한 종노광 데이터로 분할하는, 디바이스 제조 시스템.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은, 플랫 패널 표시 소자용의 기판인, 디바이스 제조 시스템.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은, 기판 외경이 500 ㎜ 를 초과하는, 디바이스 제조 시스템.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 디바이스 제조 시스템을 사용하여, 소정의 패턴을 기판 상에 노광하는 노광 공정과,
    상기 노광 공정에 의해 노광된 상기 기판을 현상하는 현상 공정을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.
  18. 기판의 노광과는 상이한 처리를 실시하는 외부 처리 장치와 기판을 수수 (授受) 하는 노광 시스템으로서,
    기판을 노광하는 제 1 노광부 및 제 2 노광부와,
    상기 외부 처리 장치로부터의 기판의 수용 또는 상기 외부 처리 장치에 대한 기판의 배출을 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 교대로 실시하도록, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는 제어부를 구비하는, 노광 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    추가로, 상기 외부 처리 장치와 제 1 노광부 및 제 2 노광부 사이에서 기판을 반송하는 반송부를 더 구비하고, 상기 외부 처리 장치로부터 노광부에 대한 기판의 수용 및 상기 노광부로부터 외부 처리 장치에 대한 기판의 배출이 상기 반송부에 의해 실시되는, 노광 시스템.
  20. 제 18 항에 있어서,
    외부 처리 장치에 있어서의 기판 1 장당 처리 시간이, 제 1 노광부 및 제 2 노광부에 있어서의 기판 1 장당 각 처리 시간보다 짧은, 노광 시스템.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에 있어서의 기판 1 장당 각 처리 시간은, 상기 외부 처리 장치에 있어서의 기판 1 장당 처리 시간의 2 배보다 짧은, 노광 시스템.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부는, 상기 외부 처리 장치로부터 일정 시간마다 공급되는 복수의 기판을 교대로 수용하는, 노광 시스템.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서의 기판의 노광은, 그 일부가 병행하여 실시되고, 상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부는 각각, 상기 외부 처리 장치에 있어서 다음으로 노광해야 할 기판의 처리가 종료되기 전에, 노광한 기판의 배출을 개시하는, 노광 시스템.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부와 제 2 노광부에서 기판의 노광이 병행하여 실시되는 시간은, 상기 일정 시간보다 짧은, 노광 시스템.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 일정 시간은, 상기 외부 처리 장치에 있어서의 기판 1 장당 처리 시간 과 동일한 정도인, 노광 시스템.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서 교대로 노광한 기판은, 상기 외부 처리 장치에 있어서의 기판 1 장당 처리 시간에 대응한 일정한 간격으로 상기 외부 처리 장치로 배출되는, 노광 시스템.
  27. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에 있어서의 각각의 노광 처리 시간에 상관없이, 상기 노광 시스템으로부터 일정한 처리 시간으로 노광된 기판이 배출되는, 노광 시스템.
  28. 제 18 항에 있어서,
    상기 제어부는, 제 1 노광부에 있어서의 동작에 기초하여, 제 2 노광부에 있어서의 동작을 제어하는, 노광 시스템.
  29. 제 18 항에 있어서,
    상기 제어부는, 제 1 노광부 또는 제 2 노광부의 일방에 문제가 발생한 경우에, 기판의 수용 및 배출을 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 교대로 실시하지 않고, 타방의 노광부만으로 노광을 실행하도록 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는, 노광 시스템.
  30. 기판을 노광하는 노광 시스템으로서,
    1 장의 기판을 복수의 패턴으로 분담하여 노광하는 제 1 노광부 및 제 2 노광부와,
    1 장의 기판의 노광 정보에 따라, 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 각각 기판을 분담하여 노광하기 위한 제 1 노광 데이터와 제 2 노광 데이터를 작성하는 노광 데이터 작성부와,
    노광 데이터 작성부에서 작성된 제 1 노광 데이터와 제 2 노광 데이터에 기초하여, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는 제어부를 구비하는, 노광 시스템.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 복수의 패턴은, 제 1 노광부에서 노광되는 제 1 패턴과 제 2 노광부에서 노광되는 제 2 패턴을 포함하며, 제 1 노광 데이터는, 제 1 패턴의 기판 상에서의 위치 데이터를 포함하고, 제 2 노광 데이터는 기판 상에서의 제 2 패턴의 위치 데이터를 포함하는, 노광 시스템.
  32. 제 31 항에 있어서,
    제 1 패턴의 기판 상에서의 위치 데이터는, 기판의 에지로부터의 제 1 패턴의 거리에 관한 정보를 포함하는, 노광 시스템.
  33. 제 31 항에 있어서,
    또한, 상기 제 1 패턴에 대하여 제 2 패턴을 위치 맞춤하기 위한 마크를 기판 상에 형성하는 마크 형성 장치를 더 구비하는, 노광 시스템.
  34. 제 33 항에 있어서,
    제 2 패턴의 기판 상에서의 위치 데이터는, 기판에 형성된 상기 마크로부터의 제 2 패턴의 거리에 관한 정보를 포함하는, 노광 시스템.
  35. 제 30 항에 있어서,
    상기 제어부는, 제 1 노광부에 있어서의 동작에 기초하여, 제 2 노광부에 있어서의 동작을 제어하는, 노광 시스템.
  36. 제 31 항에 있어서,
    상기 기판은, 제 1 노광부에서 제 1 패턴이 노광된 후에, 제 2 노광부로 반송되어, 제 2 노광부에서 제 2 패턴이 노광되는, 노광 시스템.
  37. 제 31 항에 있어서,
    또한, 표시부를 더 구비하고, 그 표시부는, 상기 작성된 노광 데이터에 기초하여 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서 노광되는 패턴을 표시하는, 노광 시스템.
  38. 제 30 항에 있어서,
    상기 기판 상에서 상기 제 1 패턴 및 제 2 패턴이 각각 노광되는 영역은, 그 사이즈가 상이한, 노광 시스템.
  39. 기판을 노광하는 노광 시스템으로서,
    기판을 노광하는 제 1 노광부 및 제 2 노광부와,
    제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부가, 제 1 노광부와 제 2 노광부에서 상이한 기판이 반입되어 노광되고, 기판의 노광과는 상이한 처리를 실시하는 외부 처리 장치로부터의 기판의 수용 또는 상기 외부 처리 장치에 대한 기판의 배출을 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 교대로 실시하도록, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는 제 1 제어 모드와,
    제 1 노광부와 제 2 노광부에서 동일한 기판이 반입되고, 그 기판의 상이한 영역이 분담되어 노광되는 제 2 제어 모드를 전환할 수 있도록 갖는, 노광 시스템.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 제어부는, 제 1 노광부 및 제 2 노광부의 일방만으로 노광을 실시하도록, 제 1 노광부 및 제 2 노광부를 제어하는 제 3 제어 모드를 전환할 수 있도록 갖는, 노광 시스템.
  41. 제 18 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외부 처리 장치가 도포 및/또는 현상 장치인, 노광 시스템.
  42. 제 18 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 플랫 패널 디스플레이용의 기판인, 노광 시스템.
  43. 제 18 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 외경이 500 ㎜ 를 초과하는, 노광 시스템.
  44. 제 18 항 내지 제 40 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 시스템을 사용하여, 소정의 패턴을 기판 상에 노광하는 노광 공정과,
    상기 노광 공정에 의해 노광된 상기 기판을 현상하는 현상 공정을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.
  45. 외부 장치로부터 공급되는 기판을 노광 장치에 의해 노광하는 노광 방법으로서,
    상기 외부 장치로부터 시간 t0 의 간격으로 제 1 노광부 및 제 2 노광부에 기판을 교대로 공급하는 것과,
    기판이 공급된 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서, 소정 패턴으로 기판을 노광 하는 것과,
    노광된 기판을 제 1 노광부 및 제 2 노광부로부터 교대로 배출하는 것을 포함하고,
    제 1 노광부에 있어서의 노광 처리 시간 t1 및 제 2 노광부에 있어서의 노광 처리 시간 t2 가, t1, t2 > t0 을 만족시키는, 노광 방법.
  46. 제 45 항에 있어서,
    제 1 노광부에서 노광되는 소정 패턴과 제 2 노광부에서 노광되는 소정 패턴이 동일한, 노광 방법.
  47. 제 45 항에 있어서,
    제 1 노광부 및 제 2 노광부 중 어느 일방으로부터 일정 시간 간격으로 기판이 배출되는, 노광 방법.
  48. 제 45 항에 있어서,
    제 1 노광부 또는 제 2 노광부의 일방에 문제가 발생한 경우에, 기판의 수용 및 배출을 제 1 노광부 및 제 2 노광부가 교대로 실시하지 않고, 타방의 노광부만으로 노광을 실행하도록 제 1 노광부 및 제 2 노광부의 제어를 전환하는 것을 포함하는, 노광 방법.
  49. 제 45 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서의 기판의 노광은, 그 일부가 병행하여 실시되고, 상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부는 각각, 상기 외부 장치에 있어서 다음으로 노광해야 할 기판의 처리가 종료되기 전에, 노광한 기판의 배출을 개시하는, 노광 방법.
  50. 제 49 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부와 제 2 노광부에서 기판의 노광이 병행하여 실시되는 시간은, 상기 시간 t0 보다 짧은, 노광 방법.
  51. 제 45 항에 있어서,
    상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서 교대로 노광된 기판은, 상기 외부 장치에 있어서의 기판 1 장당 처리 시간에 대응한 일정한 간격으로 상기 노광 장치로부터 배출되는, 노광 방법.
  52. 기판에 형성하는 패턴의 레이아웃의 변경에 따라, 상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서 상이한 기판을 노광하여 교대로 배출하는 상기 노광 장치의 제 1 제어 모드를, 상기 제 1 노광부 및 제 2 노광부에서 동일한 기판의 상이한 영역을 분담 하여 노광하는 제 2 제어 모드로 전환하는, 노광 방법.
  53. 제 45 항 또는 제 52 항에 있어서,
    상기 외부 장치가 도포 및/또는 현상 장치인, 노광 방법.
  54. 제 45 항 또는 제 52 항에 있어서,
    상기 기판은, 플랫 패널 디스플레이용의 기판인, 노광 방법.
  55. 제 45 항 내지 제 53 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 외경이 500 ㎜ 를 초과하는, 노광 방법.
  56. 제 45 항에 정의되는 외부 장치를 사용하여 기판에 감광제를 도포하는 것과,
    제 45 항에 기재된 노광 방법을 사용하여 기판을 노광하는 것과,
    노광한 기판을 현상하는 것을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.
  57. 제 18 항 내지 제 41 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 시스템과,
    상기 노광 시스템에서의 노광 처리 전후에 기판에 대한 감광제의 도포, 및 기판의 현상을 실시하는 도포 현상 장치와,
    상기 노광 시스템과 상기 도포 현상 장치 사이에서 기판의 반송을 실시하는 반송 장치를 구비하는, 디바이스 제조 시스템.
  58. 제 57 항에 있어서,
    상기 기판은, 외경이 500 ㎜ 를 초과하고, 또한 플랫 패널 디스플레이 디바이스가 형성되는, 디바이스 제조 시스템.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101036157B1 (ko) * 2010-03-11 2011-05-23 에스엔유 프리시젼 주식회사 마킹 기능을 가진 레이저 스크라이빙 장치 및 이를 이용한 태양 전지 가공 방법
KR20190026576A (ko) * 2017-09-04 2019-03-13 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법
KR20210126066A (ko) * 2019-02-18 2021-10-19 캐논 가부시끼가이샤 형성방법, 형성장치, 및 물품의 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196515B2 (en) 2012-03-26 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US8903532B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
JP6977098B2 (ja) * 2020-04-07 2021-12-08 キヤノン株式会社 露光装置、パターン形成装置及び露光方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0659599B2 (ja) * 1986-12-03 1994-08-10 本田技研工業株式会社 物品搬送装置
JPH10229039A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Nikon Corp 露光方法
US6238851B1 (en) * 1995-05-29 2001-05-29 Nikon Corporation Exposure method
US5944030A (en) * 1996-11-19 1999-08-31 Kelsey; Martha Hair curler
JPH10242038A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Toshiba Corp パターン形成方法とリソグラフィシステム
JPH10335214A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造ライン
JP2001060546A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP3841748B2 (ja) * 2002-12-17 2006-11-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101036157B1 (ko) * 2010-03-11 2011-05-23 에스엔유 프리시젼 주식회사 마킹 기능을 가진 레이저 스크라이빙 장치 및 이를 이용한 태양 전지 가공 방법
KR20190026576A (ko) * 2017-09-04 2019-03-13 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법
KR20220092844A (ko) * 2017-09-04 2022-07-04 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법
KR20210126066A (ko) * 2019-02-18 2021-10-19 캐논 가부시끼가이샤 형성방법, 형성장치, 및 물품의 제조방법

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