KR20220092844A - 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 Download PDF

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다카유키 하시모토
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Abstract

리소그래피 장치는, 상기 리소그래피 장치에서 제1 원판을 사용하여 패턴 형성이 행해질 일부의 샷 영역에 대하여 배치되어 있는 복수의 제1 기판측 마크를 검출하고, 다른 리소그래피 장치에서 상기 제1 원판과 상이한 제2 원판을 사용하여 패턴 형성이 행해질, 상기 일부의 샷 영역과 상이한 다른 샷 영역에 대하여 배치되어 있는 복수의 제2 기판측 마크를 검출한다. 리소그래피 장치는, 다른 리소그래피 장치에서 이용 가능하도록 복수의 제2 기판측 마크의 검출 결과에 대한 정보를 출력한다. 그리고, 리소그래피 장치는, 복수의 제1 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여, 상기 일부의 샷 영역에 대해서 제1 원판과의 얼라인먼트를 행하면서 패턴 형성을 행한다.

Description

패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법{PATTERNING METHOD, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이 등의 전자 디바이스를 제조하는 리소그래피 공정에서는, 마스크 등의 원판과 유리 플레이트 등의 기판을 서로 동기해서 투영 광학계에 대하여 상대 주사하면서 노광을 행하는 스텝 앤드 스캔 방식의 주사형 투영 노광 장치가 사용되고 있다.
근년, 특히 액정 디스플레이 디바이스에서는 기판 사이즈가 대형화되고 있다. 기판을 낭비 없이 이용하기 위해서, 1매의 기판에서 복수의 상이한 사이즈의 디바이스를 제조한다. 한편, 노광 영역의 사이즈도 대형화되고 있기 때문에, 1개의 원판에 복수의 상이한 사이즈의 패턴을 형성하는 것이 곤란해지고 있다. 따라서, 1매의 기판에 대하여 복수의 원판을 사용해서 디바이스를 제조한다. 그러나, 스루풋을 향상시키기 위해서, 복수의 노광 장치를 사용해서 상이한 원판 패턴을 1매의 기판에 대하여 전사한다.
노광 장치의 스루풋을 향상시키는 기술로서, 노광 장치와 독립적인 마크 계측기를 준비하고, 노광 장치에 의한 계측 전에, 미리 외부의 계측기를 사용해서 계측을 행하고, 노광 장치의 계측 단계를 생략하는 방법이 제안되어 있다(일본 특허 공개 제2001-274073호 참조).
1매의 기판에 대하여 복수의 노광 장치를 사용해서 패턴을 전사하는 제조 라인에서는, 복수의 노광 장치에 의해 패턴을 전사하는 레이아웃이 상이하다. 이에 의해, 각 장치 사이에서 스루풋의 차가 발생하고, 제조 라인의 생산성은 가장 낮은 처리 속도를 갖는 장치에 의해 비율 결정된다. 따라서, 제조 라인의 생산성을 향상시키기 위해서는, 가장 낮은 처리 속도를 갖는 장치의 스루풋을 향상시킬 필요가 있다.
일본 특허 공개 제2001-274073호에 기재된 기술에서는, 마크 계측 시간을 단축함으로써 노광 장치의 스루풋을 향상시키는 것이 가능해진다. 그러나, 노광 장치 외에 다른 계측기가 필요해지기 때문에, 설치 면적(풋프린트)이 증가된다.
본 발명은, 예를 들어 풋프린트의 감소 및 스루풋의 증가의 양자 모두에 유리한 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명은, 그 일 양태에서, 리소그래피 장치를 사용하여 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 패턴 형성 방법을 제공하며, 상기 방법은, 상기 기판의 복수의 샷 영역 중, 상기 리소그래피 장치에서 제1 원판을 사용하여 상기 패턴 형성이 행해질 일부의 샷 영역에 대해 배치되어 있는 복수의 제1 기판측 마크를 검출하는 제1 공정을 행하는 단계, 상기 복수의 샷 영역 중, 다른 리소그래피 장치에서 상기 제1 원판과 상이한 제2 원판을 사용하여 상기 패턴 형성이 행해질, 상기 일부의 샷 영역과 상이한 다른 샷 영역에 대해 배치되어 있는 복수의 제2 기판측 마크를 검출하는 제2 공정을 행하는 단계, 상기 다른 리소그래피 장치에서 이용가능하도록 상기 복수의 제2 기판측 마크의 검출 결과에 대한 정보를 출력하는 제3 공정을 행하는 단계, 및 상기 복수의 제1 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여, 상기 일부의 샷 영역에 대해서 상기 제1 원판과의 얼라인먼트를 행하면서 상기 패턴 형성을 행하는 제4 공정을 행하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 (첨부된 도면을 참고한) 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 실시형태에 따른 노광 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 실시형태에 따른 제조 라인의 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은 실시형태에 따른 제조 프로세스의 원판과 기판의 레이아웃의 예를 나타내는 도면을 도시한다.
도 4는 제1 노광 장치에 의한 노광 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 얼라인먼트 검출기 및 오프 액시스 검출기의 구성과, 원판 및 기판에 배치되는 계측 마크의 예의 도면을 도시한다.
도 6은 샷의 보정 성분을 도시하는 도면을 나타낸다.
도 7은 제2 노광 장치에 의한 노광 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 8은 제2 노광 장치의 얼라인먼트 검출기와, 원판 및 기판에 배치되는 계측 마크의 예의 도면을 나타낸다.
도 9는 변형예에 따른 제2 노광 장치에 의한 노광 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 제2 노광 장치의 얼라인먼트 검출기의 구성과 원판 및 기판에 배치되는 계측 마크의 예의 도면을 나타낸다.
본 발명의 다양한 예시적인 실시형태, 특징 및 양태를 도면을 참조하여 이하에서 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시형태를 첨부의 도면을 참고하여 이하에서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태는 본 발명의 실시형태의 구체예를 나타내는 것에 지나지 않으며, 본 발명을 한정하지 않는다. 또한, 이하의 실시형태에 기재된 특징적인 특징의 모든 조합이 본 발명의 문제의 해결에 필수적인 것은 아니다.
본 발명은 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치에 관한 것이다. 리소그래피 장치는, 원판의 패턴을 투영 광학계를 통해 기판에 전사하는 노광 장치, 몰드를 사용하여 기판 위의 임프린트재에 대해 패턴 형성을 행하는 임프린트 장치 등을 포함한다. 이하의 실시형태에서는, 리소그래피 장치의 일례로서, 노광 장치에 대해서 설명한다. 그러나, 본 발명은 노광 장치 및 임프린트 장치에 적용 가능하다. 도 1은 본 실시형태에 따른 리소그래피 장치의 일례인 노광 장치의 개략적인 구성을 도시하는 도면이다.
도 1에서, 노광 장치(100)는, 원판(3)의 패턴을, 투영 광학계(5)를 통해 기판(6) 상의 복수의 샷 영역의 각각에 전사하는 스텝 앤드 스캔 방식의 노광 장치이다. 노광 장치(100)는, 예를 들어 조명 광학계(1), 얼라인먼트 검출기(2), 원판 스테이지(4), 투영 광학계(5), 오프 액시스 검출기(8), 기판 스테이지(7), 및 제어기(9)를 포함할 수 있다. 제어기(9)는, 예를 들어 CPU 및 메모리를 포함하고, 노광 장치(100)의 각 유닛을 제어한다.
광원(도시하지 않음)으로부터 사출된 광은, 조명 광학계(1)에 입사하고, 예를 들어 원호 상의 노광 영역을 원판(3)(예를 들어, 마스크) 상에 형성한다. 원판(3) 및 기판(6)(예를 들어, 유리 플레이트)은 각각 원판 스테이지(4) 및 기판 스테이지(7)에 보유지지되고, 투영 광학계(5)를 통해 거의 광학적으로 공액인 위치(투영 광학계(5)의 물체면 및 상면)에 배치된다. 투영 광학계(5)는, 예를 들어 복수의 미러에 의해 형성된 미러 프로젝션 방식의 투영 광학계이며, 미리정해진 투영 배율(예를 들어, 1 또는 1/2의 배율)을 가지며, 원판(3)에 형성된 패턴을 기판(6)에 투영한다. 원판 스테이지(4) 및 기판 스테이지(7)는, 투영 광학계(5)의 광축 방향(Z 방향)에 직교하는 방향으로, 서로 동기하여, 투영 광학계(5)의 투영 배율에 대응하는 속도비로 원판 및 기판을 주사한다. 이에 의해, 원판(3)에 형성된 패턴은 기판(6) 상의 샷 영역에 전사될 수 있다. 그리고, 이러한 주사 노광을, 기판 스테이지(7)를 단계적으로 이동시키면서, 기판(6) 상에서의 복수의 샷 영역의 각각에 대해서 순차 반복함으로써, 1매의 기판(6)에서의 노광 처리를 완료할 수 있다.
기판(6) 상의 각 샷 영역에 원판(3)의 패턴을 전사하는 때에는, 패턴이 형성된 원판(3)의 영역과 샷 영역 사이의 얼라인먼트가 행하여진다. 본 실시형태의 노광 장치(100)는, 얼라인먼트 검출기(2)와 오프 액시스 검출기(8)의 양자 모두를 사용함으로써 각 샷 영역에 제공된 복수의 계측 마크를 검출한다. 얼라인먼트 검출기(2)는, 원판(3)의 계측 마크와 기판(6)의 계측 마크를 원판(3) 및 투영 광학계(5)를 통해 동시에 관찰한다. 오프 액시스 검출기(8)는, 원판(3)을 통하지 않고 기판(6)의 계측 마크를 직접 관찰한다. 그리고, 제어기(9)는, 얼라인먼트 검출기(2)와 오프 액시스 검출기(8)에 의해 검출된 결과를 사용하여 각 샷마다의 보정량을 산출한다. 또한, 제어기(9)는, 산출된 각 샷마다의 보정량으로부터 주사 노광 시의 기판 스테이지(7)의 구동량 및 투영 광학계(5) 내의 광학 소자의 구동량을 산출하고, 주사 노광 시에 기판 스테이지(7) 및 투영 광학계(5)를 제어하면서 노광을 행한다.
이어서, 본 실시형태에서의 제조 라인(리소그래피 시스템)에 대해서 설명한다. 본 제조 라인은, 복수의 노광 장치(복수의 리소그래피 장치)를 사용하여, 복수의 원판의 패턴을 1매의 기판(6) 위의 상이한 위치에 순차적으로 전사한다. 도 2는 본 실시형태에서의 제조 라인의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 2에서, 제조 라인은, 예를 들어 도 1에 도시한 노광 장치(100)와 동일한 구성을 각각 구비하는 2개의 인접하는 장치, 즉 제1 노광 장치(100a)(제1 리소그래피 장치) 및 제2 노광 장치(100b)(제2 리소그래피 장치)를 포함할 수 있다. 또한, 제조 라인은, 기판을 반송하는 제1 반송 디바이스(11a) 및 제2 반송 디바이스(11b)와, 1매 또는 2매 이상의 기판을 보관할 수 있는 기판 스토커(12)를 포함할 수 있다. 제1 반송 디바이스(11a)는 기판 스토커(12)와 제1 노광 장치(100a) 사이에 기판을 반송한다. 제2 반송 디바이스(11b)는 기판 스토커(12)와 제2 노광 장치(100b) 사이에서 기판을 반송한다. 제조 라인은 또한 버퍼 장치(10)를 포함할 수 있다. 버퍼 장치(10)는, 예를 들어 HDD나 SSD를 포함하고, 제1 노광 장치(100a) 및 제2 노광 장치(100b)의 제어기(9)에 접속되어 있고, 제1 노광 장치(100a) 및 제2 노광 장치(100b)의 각종 데이터를 저장한다. 도 2에서는, 버퍼 장치(10)는, 제1 노광 장치(100a)와 제2 노광 장치(100b) 사이에서 독립한 장치로 도시된다. 그러나, 버퍼 장치(10)의 기능은, 제1 노광 장치(100a) 또는 제2 노광 장치(100b)의 제어기(9)에서의 저장 장치에 의해 실현될 수 있다. 혹은, 버퍼 장치(10)의 기능은, 제조 라인의 동작을 통괄적으로 제어하는 통괄 제어기(도시하지 않음), 제1 노광 장치(100a) 및 제2 노광 장치(100b)에 네트워크를 통해서 접속되는 외부 서버 장치 등에 의해 실현될 수 있다.
제1 반송 디바이스(11a)는, 제1 노광 장치(100a)의 인터페이스 개구부 앞에 위치하고, 기판(6)을 제1 노광 장치(100a)의 기판 스테이지(7)에 반입한다. 또한, 제1 반송 디바이스(11a)는, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리된 기판(6)을 제1 노광 장치(100a)의 기판 스테이지(7)로부터 반출하고, 그것을 기판 스토커(12)에 보관한다. 제2 반송 디바이스(11b)는, 기판(6)을 기판 스토커(12)로부터 취출하고, 기판(6)을 제2 노광 장치(100b)의 기판 스테이지(7)에 반입하며, 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리된 기판(6)을 제2 노광 장치(100b)의 기판 스테이지(7)로부터 반출한다.
도 3은, 본 실시형태에 따른 제조 프로세스에서의 원판(3)과 기판(6)의 레이아웃을 도시하는 개략도이다. 제1 노광 장치(100a)는, 제1 원판(3a)의 패턴(A)을 기판(6) 상의 복수의 특정한 샷 영역(61, 62) 각각에 순차적으로 전사한다. 이어서, 제2 노광 장치(100b)는, 제2 원판(3b)의 패턴(B)을, 기판(6) 상의 제1 노광 장치(100a)에 의해 노광된 샷 영역과 상이한 복수의 특정한 샷 영역(63, 64, 65, 66) 각각에 순차적으로 전사한다.
<제1 노광 장치에 의한 노광 처리>
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 제1 노광 장치(100a)에 의한 노광 처리를 설명한다. 도 4는, 제1 노광 장치(100a)에 의한 노광 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 5는, 제1 노광 장치(100a)의 얼라인먼트 검출기(2) 및 오프 액시스 검출기(8)의 구성과, 제1 원판(3a) 및 기판(6)에 배치되는 계측 마크의 예를 나타내는 도면이다. 도 5에서, 제1 원판(3a)에는, X 방향에서 패턴부를 사이에 두도록 한 쌍의 계측 마크(32a, 35a)(이하 "원판측 마크"라 칭함)를 배치한다. 이것에 대응하여, 얼라인먼트 검출기(2)는, 한 쌍의 원판측 마크(32a, 35a)를 검출하는 2개의 계통의 얼라인먼트 검출기(21, 22)를 포함한다. 기판(6)의 복수의 샷 영역은, 제1 노광 장치(100a)에서 제1 원판(3a)을 사용해서 패턴 형성이 행해질 일부의 샷 영역(샷 영역의 일부)(61, 62)을 포함한다. 이들 일부의 샷 영역(61, 62)에 관해서는, 참조 번호 611 내지 626으로 나타내는 복수의 계측 마크(제1 기판측 마크)가 기판(6) 위에 배치된다. 또한, 기판(6)의 복수의 샷 영역은, 제2 노광 장치(100b)에서 제2 원판(3b)을 사용해서 패턴 형성이 행해질 일부의 샷 영역(63, 64, 65, 66)을 포함한다. 이들 샷 영역(63 내지 66)에 관해서는, 참조 번호 631 내지 656로 나타내는 복수의 계측 마크(제2 기판측 마크)가 기판(6) 위에 배치된다. 이것에 대응하여, 오프 액시스 검출기(8)는, 기판측 마크(611 내지 656)를 검출하는 6개의 계통의 오프 액시스 검출기(81, 82, 83, 84, 85, 86)를 포함한다.
단계 S101에서, 제1 노광 장치(100a)의 제어기(9)는, 제1 반송 디바이스(11a)를 제어해서 기판(6)을 기판 스테이지(7) 상에 탑재한다.
단계 S102에서, 제어기(9)는, 원판측 마크(32a, 35a)와 샷 영역(61)의 기판측 마크(612, 615)가 얼라인먼트 검출기(21, 22)에 의해 검출되도록, 기판 스테이지(7) 및 원판 스테이지(4)를 제어한다.
단계 S103에서는, 제어기(9)는, 얼라인먼트 검출기(21, 22)가 마크를 검출하게 하고, 제1 원판(3a)에 대한 제1 기판측 마크(612, 615)(기준 마크)의 위치를 구한다. 그 결과를 (Ax612, Ay612) 및 (Ax615, Ay615)로 한다.
단계 S104에서는, 제어기(9)는, 계측될 기판측 마크(예를 들어, 제1 기판측 마크(611, 614))가 도 5에 도시된 오프 액시스 검출기(81, 82)에 의해 검출되도록, 기판 스테이지(7)를 제어한다.
단계 S105에서는, 제어기(9)는, 오프 액시스 검출기(81, 82)가 기판측 마크를 검출하게 하고, 기판측 마크의 위치를 구한다. 그 결과를, (Ox6ij, Oy6ij)(i = 1 내지 2, 및 j = 1 내지 6)로 나타낸다.
단계 S106에서는, 제어기(9)는, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되는 샷 영역(61, 62)의 모든 마크를 계측했는지를 판정한다. 계측이 종료되지 않은 경우에는, 미계측 마크에 대해서 단계 S104 및 S105에서의 계측 동작을 반복한다. 모든 마크의 계측이 종료되면, 처리는 단계 S107로 진행한다. 이렇게, 단계 S104 내지 S106에서는, 제1 노광 장치(100a)에서 제1 원판(3a)을 사용해서 패턴 형성을 행할 일부의 샷 영역에 관해서 배치되어 있는 복수의 제1 기판측 마크를 검출하는 제1 공정이 실시된다.
단계 S107에서는, 제어기(9)는, 계측될 기판측 마크(예를 들어, 기판측 마크(631, 634, 641, 644))가 오프 액시스 검출기(83, 84, 85, 86)에 의해 검출되도록, 기판 스테이지(7)를 제어한다.
단계 S108에서는, 제어기(9)는, 오프 액시스 검출기(83, 84, 85, 86)가 기판측 마크를 계측하게 하고, 기판측 마크의 위치를 구한다. 그 결과를 (Ox6ij, Oy6ij)(i = 3 내지 6, 및 j = 1 내지 6)로 나타낸다.
단계 S109에서는, 제어기(9)는 제1 노광 장치(100a)에서 노광 처리를 행하지 않는 샷 영역(63, 64, 65, 66)의 모든 마크가 계측되었는지를 판정한다. 계측이 종료되지 않은 경우, 미계측 마크에 대해서 단계 S107 및 S108에서의 계측 동작을 반복한다. 모든 마크의 계측이 종료되었으면, 처리는 단계 S110로 진행한다. 이와 같이, 단계 S107 내지 S109에서는, 제2 노광 장치(100b)에서 제2 원판(3b)을 사용해서 패턴 형성을 행할 샷 영역과 상이한 다른 샷 영역에 관해서 배치되어 있는 복수의 제2 기판측 마크를 검출하는 제2 공정이 실시된다.
단계 S110에서는, 단계 S108에서 취득된 제2 기판측 마크의 검출 결과에 대한 정보를 다른 리소그래피 장치인 제2 노광 장치(100b)에서 이용 가능하게 되도록 출력하는 제3 공정이 실시된다. 예를 들어, 제어기(9)는, 단계 S108에서 계측한 결과를 버퍼 장치(10)에 저장한다.
단계 S111에서는, 제어기(9)는 노광 시의 보정량을 산출한다. 보정량은 이하와 같이 산출된다. 예를 들어, 제어기(9)는, 단계 S103에서의 얼라인먼트 검출기에 의한 계측 결과와, 단계 S105에서의 오프 액시스 검출기에 의한 계측 결과에 기초하여, 제1 원판(3a)에 대한 기판측 마크의 위치를 구한다. 제1 원판(3a)에 대한 기판측 마크의 위치를 (x6ij, y6ij)로 하면, 제1 원판(3a)에 대한 기판측 마크의 위치는 이하에 의해 구해진다:
j ≤ 3일 때,
(x6ij, y6ij) = (Ox6ij + Ax612 - Ox612, Oy6ij + Ay612 - Oy612) ...(1)
j > 3일 때,
(x6ij, y6ij) = (Ox6ij + Ax615 - Ox615, Oy6ij + Ay615 - Oy615) ...(2)
식 (1) 및 (2)에 의해 구해진 값에 기초하여, 도 6에 도시된 샷 보정 성분이 이하에 의해 구해진다:
DR1 = (x6i1 - x6i4)/2 ...(3)
DR2 = (x6i2 - x6i5)/2 ...(4)
DR3 = (x6i3 - x6i6)/2 ...(5)
MX1 = (x6i1 - x6i4) ...(6)
MX2 = (x6i2 - x6i5) ...(7)
MX3 = (x6i3 - x6i6) ...(8)
MY1 = (y6i1 - y6i4)/2 ...(9)
MY2 = (y6i2 - y6i5)/2 ...(10)
MY3 = (y6i3 - y6i6)/2 ...(11)
Yaw1 = (y6i1 - y6i4) ...(12)
Yaw2 = (y6i2 - y6i5) ...(13)
Yaw3 = (y6i3 - y6i6) ...(14)
식 (3) 내지 (14)에 의해 구한 값에 기초하여, 노광 시의 기판 스테이지(7)의 구동량을 산출한다. 기판 스테이지(7)가 Y 방향으로 주사 노광을 행할 때의 위치를 Ys로 하면, 기판 스테이지(7)의 구동량(Xcomp, Ycomp, θcomp)은 이하에 의해 구해진다:
Ys ≥ Y6i2일 때,
Xcomp = (((DR1 - DR2)/(Y6i1 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + DR2 ...(15)
Ycomp = (((MY1 - MY2)/(Y6i1 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + MY2 ...(16)
θcomp = (((Yaw1 - Yaw2)/(Y6i1 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + Yaw2 ...(17)
Ys < Y6i2일 때,
Xcomp = (((DR3 - DR2)/(Y6i3 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + DR2 ...(18)
Ycomp = (((MY3 - MY2)/(Y6i3 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + MY2 ...(19)
θcomp = (((Yaw3 - Yaw2)/(Y6i3 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + Yaw2 ...(20)
식 (3) 내지 (14)에 의해 구한 값에 기초하여, 투영 광학계의 광학 소자의 구동량을 산출한다. 기판 스테이지(7)가 Y 방향으로 기판을 주사할 때의 위치를 Ys로 하면, 광학 소자의 구동량(Ocomp)은 이하에 의해 구해진다:
Ys ≥ Y6i2일 때,
Ocomp = (((MX1 - MX2)/(Y6i1 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + MX2 ...(21)
Ys < Y6i2일 때,
Ocomp = (((MX3 - MX2)/(Y6i3 - Y6i2))·(Ys - Y6i2)) + MX2 ...(22)
단계 S112에서는, 단계 S111에서 구한 기판 스테이지(7)의 구동량(Xcomp, Ycomp, θcomp) 및 광학 소자의 구동량(Ocomp)에 기초하여, 제어기(9)가 원판 스테이지(4) 및 기판 스테이지(7)를 서로 동기화함으로써 주사 노광을 행한다.
단계 S113에서는, 제어기(9)는, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리해야 할 모든 샷 영역(61, 62)이 노광되었는지를 확인한다. 미노광 샷이 있을 경우에는, 제어기(9)는 미노광 샷에 대해서 단계 S111 및 S112를 반복적으로 행한다. 이와 같이, 단계 S111 내지 S113에서는, 제1 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여, 샷 영역(61, 62)에 대해서 제1 원판(3a)과의 얼라인먼트를 행하면서 노광 처리(패턴 형성)를 행하는 제4 공정이 실시된다. 이렇게 해서 기판(6)에 대하여 노광 처리가 종료되면, 제어기(9)는, 제1 반송 디바이스(11a)를 제어하여, 처리 완료된 기판(6)을 기판 스테이지(7)로부터 반출하고, 그것을 기판 스토커(12)에 보관한다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따르면, 제1 노광 장치(100a)는, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되는 샷 영역의 마크를 계측하며, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되지 않는 샷 영역의 마크를 사전에 계측한다. 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되지 않는 샷 영역이란, 예를 들어 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리되어야 할 샷 영역이며, 제1 노광 장치(100a)가 제2 노광 장치(100b)의 샷 영역의 마크 계측을 대신한다. 이에 의해, 복수의 노광 장치를 사용해서 제조 프로세스에서 나중에 처리되는 노광 장치 처리의 일부를 앞당길 수 있고, 나중에 처리되는 노광 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시형태에서는, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되는 샷 영역(61, 62)의 기판측 마크를 계측하는 제1 공정(단계 S104 내지 S106)을 실시한다. 후속하여, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되지 않는 샷 영역(63 내지 66)의 기판측 마크를 계측하는 제2 공정(단계 S107 내지 S109)을 실시한다. 그러나, 제1 공정과 제2 공정의 실시 순서는 교체될 수 있다. 예를 들어, 제2 공정을 먼저 실시하고, 그 후에 제1 공정을 실시해도 된다. 혹은, 예를 들어 기판 스테이지(7)의 구동량이 최소가 되는 순서에서 제1 공정 및 제2 공정을 실시해도 된다. 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되는 샷 영역(61, 62)의 기판측 마크와 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되지 않는 샷 영역(63 내지 66)의 기판측 마크는, 오프 액시스 검출기(8)가 그들을 동시에 검출할 수 있으면, 동시에 검출하도록 해도 된다.
본 실시형태에서는, 단계 S107 내지 S109에서 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리되지 않는 샷 영역(63 내지 66)의 기판측 마크 모두를 계측한다. 그러나, 모든 마크가 항상 계측될 필요는 없고, 기판측 마크의 일부만을 계측해도 된다.
<제2 노광 장치에 의한 노광 처리>
이어서, 도 7 및 도 8을 참조하여, 제2 노광 장치(100b)에서의 노광 처리를 설명한다. 도 7은 제2 노광 장치(100b)에 의한 노광 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 8은, 제2 노광 장치(100b)의 얼라인먼트 검출기(2)의 구성과 제2 원판(3b) 및 기판(6)에 배치되는 계측 마크의 예를 나타내는 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 원판(3b)에는, X 방향에서 패턴부를 사이에 두도록, 한 쌍의 계측 마크(32b, 35b)(원판측 마크)가 배치된다. 이것에 대응하여, 얼라인먼트 검출기(2)는, 원판측 마크(32b, 35b)를 검출하는 2개의 계통의 얼라인먼트 검출기(21, 22)를 포함한다. 기판(6)에는, 도 5에서 나타낸 바와 같은 복수의 동알한 기판측 마크가 배치될 수 있다. 그러나, 여기서는 특히 도 8에 도시된 샷 영역(63)의 기판측 마크(632, 635)가 사용된다.
단계 S201에서, 제2 노광 장치(100b)의 제어기(9)는, 제2 반송 디바이스(11b)를 제어하여, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리된 기판(6)을 기판 스토커(12)로부터 취출하고, 기판(6)을 제2 노광 장치(100b)의 기판 스테이지(7)에 반입하며, 기판(6)을 기판 스테이지(7) 상에 탑재한다.
단계 S202에서, 제어기(9)는, 계측될 샷 영역(63)의 기판측 마크(632, 635)와 원판측 마크(32b, 35b)가 얼라인먼트 검출기(21, 22)에 의해 검출되도록, 기판 스테이지(7) 및 원판 스테이지(4)를 제어한다.
단계 S203에서는, 제어기(9)는, 얼라인먼트 검출기(21, 22)가 마크를 계측하게 하고, 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크(632, 635)의 위치를 구한다. 그 결과를 (Ax632, Ay632) 및 (Ax635, Ay635)로 한다.
단계 S204에서는, 제어기(9)는, 제1 노광 장치(100a)에 의해 계측된 결과(단계 S110에서 저장된 계측 결과)를, 버퍼 장치(10)로부터 판독한다. 그 판독한 결과를 (Ox6ij, Oy6ij)(i = 3 내지 6, 및 j = 1 내지 6)로 한다.
단계 S205에서는, 제어기(9)는 노광 시의 보정량을 산출한다. 보정량은 이하와 같이 산출된다. 예를 들어, 제어기(9)는, 도 8에 나타나 있는 기판측 마크(632, 635)의 단계 S203에서의 계측 결과와, 단계 S204에서 판독된 계측 결과에 기초하여, 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치를 구한다. 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치를 (x6ij, y6ij)로 하면, 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치는 이하에 의해 구해진다:
j ≤ 3일 때,
(x6ij, y6ij) = (Ox6ij + Ax632 - Ox632, Oy6ij + Ay632 - Oy632) ...(23)
j > 3일 때,
(x6ij, y6ij) = (Ox6ij + Ax635 - Ox635, Oy6ij + Ay635 - Oy635) ...(24)
식 (23) 및 (24)에 의해 구해진 값에 기초하여, 제어기(9)는 도 6에 도시된 샷 보정 성분을 구한다. 이후의 계산은 단계 S111에서의 식(3) 내지 (22)와 마찬가지로 실시되고, 기판 스테이지(7)의 구동량(Xcomp, Ycomp, θcomp) 및 광학 소자의 구동량(Ocomp)을 구한다.
단계 S206에서는, 제어기(9)는, 단계 S205에서 구한 기판 스테이지(7)의 구동량(Xcomp, Ycomp, θcomp) 및 광학 소자의 구동량(Ocomp)에 기초하여, 원판 스테이지(4)와 기판 스테이지(7)를 서로 동기시킴으로써 주사 노광을 행한다.
단계 S207에서는, 제어기(9)는, 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리될 모든 샷 영역(63, 64, 65, 66)이 노광되었는지를 확인한다. 미노광 샷이 있을 경우에는, 제어기(9)는 미노광 샷에 대해서 단계 S205 및 S206를 반복적으로 행한다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따르면, 제2 노광 장치(100b)는, 제1 노광 장치(100a)에서 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리되는 샷 영역의 마크를 사전에 계측한 결과를 사용하여, 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리되는 샷 영역의 얼라인먼트를 행한다. 제2 노광 장치(100b)는, 예를 들어 얼라인먼트 검출기(2)를 사용해서 기준 마크로서 기판측 마크(632, 635)만을 계측하고, 다른 기판측 마크에 대해서는 기준 마크의 계측 결과를 기준으로 해서 보정함으로써 그들의 위치를 구한다. 이렇게 마크 계측을 부분적으로 생략함으로써, 복수의 노광 장치를 사용해서 제조 프로세스에서 제2 노광 장치(100b)의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 전용 계측 스테이션을 제공할 필요가 없다. 따라서, 풋프린트의 감소 및 스루풋의 증가의 양자 모두를 실현할 수 있다.
본 실시형태에서, 제1 노광 장치(100a)와 제2 노광 장치(100b)는 동일한 구성을 갖는 노광 장치이기 때문에, 그 기능은 교체가능하다. 복수의 노광 장치 중, 제1 노광 장치(100a)로서 기능하는 특정 노광 장치 및 제2 노광 장치(100b)로서 기능하는 특정 노광 장치가 예를 들어 제어기(9)에 의해 관리되는 노광 레시피에서 지정된다.
<제2 노광 장치에 의한 노광 처리의 변형예>
도 9 및 도 10을 참조하여, 제2 노광 장치(100b)에 의한 노광 처리의 변형예를 설명한다. 도 9는 제2 노광 장치(100b)에 의한 노광 방법을 도시하는 흐름도이다. 도 10은, 제2 노광 장치(100b)의 얼라인먼트 검출기(2)의 구성과 제2 원판(3b) 및 기판(6)에 배치되는 계측 마크의 예를 나타내는 도면이다. 도 9와 도 7의 플로우를 비교하면, 도 9의 단계 S308, S309 및 S310은 도 7에는 도시되지 않은 처리이다.
단계 S301에서, 제2 노광 장치(100b)의 제어기(9)는, 제2 반송 디바이스(11b)를 제어하여, 제1 노광 장치(100a)에 의해 처리된 기판(6)을 기판 스토커(12)로부터 취출하고, 기판(6)을 제2 노광 장치(100b)의 기판 스테이지(7)에 반입하며, 기판(6)을 기판 스테이지(7) 상에 탑재한다.
단계 S302에서, 제어기(9)는, 계측될 샷 영역(63)의 기판측 마크(632, 635)와 원판측 마크(32b, 35b)가 얼라인먼트 검출기(21, 22)에 의해 검출되도록, 기판 스테이지(7) 및 원판 스테이지(4)를 제어한다.
단계 S303에서는, 제어기(9)는, 얼라인먼트 검출기(21, 22)가 마크를 계측하게 하고, 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크(632, 635)의 위치를 구한다. 그 결과를 (Ax632, Ay632) 및 (Ax635, Ay635)로 한다.
단계 S304에서는, 제어기(9)는, 제1 노광 장치(100a)에 의해 계측된 결과(단계 S110에서 저장된 계측 결과)를, 버퍼 장치(10)로부터 판독한다. 그 판독한 결과를 (Ox6ij, Oy6ij)(i = 3 내지 6, 및 j = 1 내지 6)로 한다.
단계 S308에서는, 제어기(9)는, 계측될 샷 영역(65)의 기판측 마크(652, 655)와 원판측 마크(32b, 35b)가 도 10에 도시되어 있는 얼라인먼트 검출기(21, 22)에 의해 검출되도록, 기판 스테이지(7)와 원판 스테이지(4)를 제어한다.
단계 S309에서는, 제어기(9)는, 얼라인먼트 검출기(21, 22)가 마크를 계측하게 하고, 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치를 구한다. 그 결과를 (Ax652, Ay652) 및 (Ax655, Ay655)로 한다.
단계 S310에서는, 제어기(9)는 노광 시의 보정량을 산출한다. 보정량은 이하와 같이 산출된다. 예를 들어, 제어기(9)는, 도 10에 도시되어 있는 기판측 마크(632, 635, 652, 655)의 계측 결과(단계 S303 및 S309)와 단계 S304에서 판독된 계측 결과에 기초하여, 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치를 구한다. 예를 들어, 기판(6)의 온도 변화에 의해, 현재의 기판(6)의 배율은 사전에 계측된 기판(6)의 배율로부터 변화될 수 있다. 따라서, 제어기(9)는, 도 10에 도시하는 기판측 마크를 계측하여 구한 결과(단계 S303, S309 및 S304)에 기초하여, 기판 배율의 변화를 구한다. 기판 배율의 변화를 (MagX6ij, MagY6ij)로 하면, 기판 배율 변화는 이하에 의해 구해진다:
MagX6ik = ((Ax652 + Ax655)/((Ox652 + Ax632 - Ox632) + (Ox655 + Ax635 - Ox635)))·Dx6ik/Dx652 ...(25)
MagY6ik = ((Ay652 + Ay655)/((Oy652 + Ay632 - Oy632) + (Oy655 + Ay635 - Oy635)))·Dy6ik/Dy65 ...(26)
(Dx6ik, Dy6ik)(i = 3 내지 6, 및 k = 1 내지 3)를 단계 S303의 계측 샷(63)의 2개의 계측 마크의 중심 위치로부터 각 샷의 2개의 계측 마크의 중심 위치까지의 부호 딸린 거리로 한다.
제어기(9)는 식 (25) 및 (26)에 기초하여 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치를 산출한다. 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치를 (x6ij, y6ij)로 하면, 기판 배율의 변화를 보정한 상태의 제2 원판(3b)에 대한 기판측 마크의 위치는 이하에 의해 구해진다:
j ≤ 3일 때,
(x6ij, y6ij) = (Ox6ij + Ax632 - Ox632)·MagX6ij,(Oy6ij + Ay632 - Oy632)·MagY6ij) ...(27)
j > 3일 때,
(x6ij, y6ij) = ((Ox6ij + Ax635 - Ox635)·MagX6ij(j - 3),(Oy6ij + Ay635 - Oy635)·MagY6ij(j - 3)) ...(28)
식 (27) 및 (28)에 의해 구해진 값에 기초하여, 제어기(9)는 도 6에 도시된 샷 보정 성분을 구한다. 이후의 계산은 단계 S111에서의 식(3) 내지 (22)와 마찬가지로 실시되고, 기판 스테이지(7)의 구동량(Xcomp, Ycomp, θcomp) 및 광학 소자의 구동량(Ocomp)을 구한다.
단계 S306에서는, 제어기(9)는, 단계 S310에서 구한 기판 스테이지(7)의 구동량(Xcomp, Ycomp, θcomp) 및 광학 소자의 구동량(Ocomp)에 기초하여, 원판 스테이지(4)와 기판 스테이지(7)를 서로 동기시킴으로써 주사 노광을 행한다.
단계 S307에서는, 제어기(9)는, 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리해야 할 모든 샷 영역(63, 64, 65, 66)이 노광되었는지를 확인한다. 미노광 샷이 있을 경우에는, 제어기(9)는 미노광 샷에 대해서 단계 S310 및 S306을 반복적으로 행한다.
이상과 같이, 이 변형예에 따르면, 제2 노광 장치(100b)는 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리되는 샷 영역의 마크를 최저 2개의 점에서 계측한다. 따라서, 기판(6)의 현재의 배율을 산출하는 것이 가능해지고, 사전에 계측한 기판측 마크의 위치 결과로부터의 기판(6)의 배율 변화를 보정할 수 있다. 이에 의해, 제2 노광 장치(100b)에 의해 처리되는 샷 영역의 마크의 계측을 부분적으로 생략함으로써 중첩 정밀도의 저하를 방지할 수 있다.
<물품 제조 방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은, 기판에 도포된 감광제에 상술한 패턴 형성 방법 혹은 리소그래피 장치를 사용해서 잠상 패턴을 형성하는 단계(기판을 노광하는 단계), 및 상기 단계에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 가공(현상)하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 제조 방법은 다른 주지의 단계(예를 들어, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 및 패키징)를 포함한다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은 종래의 방법에 비하여 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
다른 실시형태
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (13)

  1. 리소그래피 장치를 사용하여 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 패턴 형성 방법이며,
    상기 기판 상에 배열된 마크를 검출하는 단계와,
    다른 리소그래피 장치에 의한 상기 마크의 검출 결과를 나타내는 마크 위치 정보를 획득하는 단계와,
    상기 검출하는 단계에서의 상기 마크의 검출 결과 및 상기 획득하는 단계에서 획득된 상기 다른 리소그래피 장치에 의한 상기 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 패턴 형성을 행하는 단계를 포함하고,
    상기 패턴 형성은, 상기 다른 리소그래피 장치에 의해 형성된 패턴과 상기 리소그래피 장치에 의해 형성된 패턴이 서로 중첩하지 않도록 행해지는, 패턴 형성 방법.
  2. 제1 리소그래피 장치 및 제2 리소그래피 장치를 포함하는 복수의 리소그래피 장치를 사용하여 제1 원판의 패턴 및 상기 제1 원판과는 상이한 제2 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 패턴 형성 방법이며,
    상기 제1 리소그래피 장치에서,
    상기 기판 상에 배열된 마크를 검출하는 단계와,
    상기 제2 리소그래피 장치에서 이용가능하도록 상기 마크의 검출 결과를 나타내는 정보를 출력하는 단계와,
    상기 제2 리소그래피 장치에서,
    상기 제1 리소그래피 장치로부터 출력된 상기 마크의 검출 결과를 나타내는 정보를 획득하는 단계와,
    상기 검출하는 단계에서의 상기 마크의 검출 결과 및 상기 획득하는 단계에서 획득된 상기 제1 리소그래피 장치에 의한 상기 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 패턴 형성을 행하는 단계를 포함하고,
    상기 패턴 형성은, 상기 제1 리소그래피 장치에 의해 형성된 패턴과 상기 제2 리소그래피 장치에 의해 형성된 패턴이 서로 중첩하지 않도록 행해지는, 패턴 형성 방법.
  3. 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 리소그래피 장치이며,
    상기 기판 상에 배열된 마크를 검출하도록 구성된 검출기, 및
    상기 검출기에 의한 검출 결과에 기초하여 상기 패턴 형성을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    다른 리소그래피 장치에 의한 상기 마크의 검출 결과를 나타내는 마크 위치 정보를 획득하고,
    상기 검출기에 의한 상기 마크의 검출 결과 및 상기 다른 리소그래피 장치에 의한 상기 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 패턴 형성을 행하도록 구성되고,
    상기 패턴 형성은, 상기 다른 리소그래피 장치에 의해 형성된 패턴과 상기 리소그래피 장치에 의해 형성된 패턴이 서로 중첩하지 않도록 행해지는, 리소그래피 장치.
  4. 리소그래피 장치를 사용하여 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 패턴 형성 방법이며,
    상기 기판의 복수의 샷 영역 중 상기 리소그래피 장치를 사용하여 상기 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 원판과 정렬하기 위한 제1 기판측 마크를 검출하는 제1 처리를 행하는 단계와,
    상기 복수의 샷 영역 중 다른 리소그래피 장치를 사용하여 상기 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 원판과 정렬하기 위한 제2 기판측 마크를 검출하는 제2 처리를 행하는 단계와,
    상기 다른 리소그래피 장치에서 이용가능하도록 상기 제2 기판측 마크의 검출 결과에 관한 정보를 출력하는 제3 처리를 행하는 단계와,
    상기 제1 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 기판의 샷 영역과 상기 원판을 정렬시키고, 상기 패턴 형성을 행하는 제4 처리를 행하는 단계를 포함하는, 패턴 형성 방법.
  5. 리소그래피 장치를 사용하여 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 패턴 형성 방법이며,
    상기 기판의 복수의 샷 영역 중 상기 리소그래피 장치에 의해 상기 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 원판과 정렬하기 위한 기판측 마크를 검출하는 단계와,
    다른 리소그래피 장치에 의해 상기 기판측 마크의 검출 결과를 나타내는 마크 위치 정보를 획득하는 단계와,
    상기 검출하는 단계에서 검출된 상기 기판측 마크의 검출 결과에 의해 보정된 상기 마크 위치 정보에 기초하여, 상기 기판의 샷 영역과 상기 원판의 정렬을 행하고, 상기 패턴 형성을 행하는 단계를 포함하는, 패턴 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 검출하는 단계에서, 복수의 기판측 마크 중 하나와, 상기 원판에 형성된 원판측 마크는 상기 원판을 통해서 검출되고,
    상기 마크 위치 정보는, 상기 다른 리소그래피 장치에 제공된 원판을 통하지 않고 상기 다른 리소그래피 장치에 의해 상기 복수의 기판측 마크 중 하나를 검출함으로써 획득되는, 패턴 형성 방법.
  7. 제1 리소그래피 장치 및 제2 리소그래피 장치를 포함하는 복수의 리소그래피 장치를 사용하여 제1 원판의 패턴 및 상기 제1 원판과는 상이한 제2 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 패턴 형성 방법이며,
    상기 제1 리소그래피 장치에서,
    상기 기판의 복수의 샷 영역 중 상기 제1 리소그래피 장치 내의 상기 제1 원판을 사용하여 상기 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 상기 제1 원판과 정렬하기 위한 제1 기판측 마크를 검출하는 단계와,
    상기 복수의 샷 영역 중 상기 제2 리소그래피 장치 내의 상기 제2 원판을 사용하여 상기 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 상기 제2 원판과 정렬하기 위한 제2 기판측 마크를 검출하는 단계와,
    상기 제2 리소그래피 장치에서 이용가능하도록 상기 제2 기판측 마크의 검출 결과를 나타내는 마크 위치 정보를 출력하는 단계와,
    상기 제1 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여, 상기 기판의 샷 영역과 상기 제1 원판을 정렬시키고, 상기 패턴 형성을 행하는 단계와,
    상기 제2 리소그래피 장치에서,
    상기 제2 기판측 마크를 검출하는 단계와,
    상기 제1 리소그래피 장치로부터 출력된 상기 마크 위치 정보를 획득하는 단계와,
    상기 검출하는 단계에서 검출된 상기 제2 기판측 마크의 검출 결과에 의해 보정된 상기 마크 위치 정보에 기초하여, 상기 기판의 샷 영역과 상기 제2 원판의 정렬을 행하고, 상기 패턴 형성을 행하는 단계
    를 포함하는, 패턴 형성 방법.
  8. 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 리소그래피 장치이며,
    상기 기판의 샷 영역에 제공된, 상기 원판과의 정렬을 위한 마크를 검출하도록 구성된 검출기, 및
    상기 검출기에서의 검출 결과에 기초하여, 상기 샷 영역과 상기 원판 사이의 정렬 및 상기 패턴 형성을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 기판의 복수의 샷 영역 중 제1 원판을 사용하여 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 상기 리소그래피 장치 내의 상기 제1 원판과 정렬하기 위한 제1 기판측 마크를 검출하고, 상기 복수의 샷 영역 중 상기 제1 원판과는 상이한 제2 원판을 사용하여 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 다른 리소그래피 장치 내의 상기 제2 원판과 정렬하기 위한 제2 기판측 마크를 검출하도록 상기 검출기를 제어하고,
    상기 다른 리소그래피 장치에서 이용가능하도록 상기 제2 기판측 마크의 검출 결과에 관한 정보를 출력하고,
    상기 제1 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여, 상기 기판의 샷 영역과 상기 제1 원판을 정렬시키고, 상기 패턴 형성을 행하도록 구성된, 리소그래피 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 상기 원판의 패턴을 투영 광학계를 통해 상기 기판에 전사하는 노광 장치인, 리소그래피 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 몰드를 사용하여 상기 기판 상의 임프린트재에 상기 패턴 형성을 행하는 임프린트 장치인, 리소그래피 장치.
  11. 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성을 행하는 리소그래피 장치이며,
    상기 기판의 샷 영역에 제공된, 상기 원판과의 정렬을 위한 마크를 검출하도록 구성된 검출기, 및
    상기 검출기에서의 검출 결과에 기초하여, 상기 샷 영역과 상기 원판 사이의 정렬 및 상기 패턴 형성을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    복수의 샷 영역 중 상기 리소그래피 장치에서 상기 패턴 형성이 행해질 적어도 하나의 샷 영역에 제공된, 상기 원판과 정렬하기 위한 기판측 마크를 검출하고,
    다른 리소그래피 장치에 의한 상기 기판측 마크의 검출 결과를 나타내는 마크 위치 정보를 획득하고,
    상기 기판측 마크의 검출 결과에 의해 보정된 상기 마크 위치 정보에 기초하여, 상기 기판의 샷 영역과 상기 원판의 정렬을 행하고, 상기 패턴 형성을 행하도록 구성된, 리소그래피 장치.
  12. 물품을 제조하는 물품 제조 방법이며,
    제2항 또는 제7항에 따른 패턴 형성 방법을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 패턴을 형성하는 단계에서 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하고,
    상기 물품은 가공된 상기 기판으로부터 제조되는, 물품 제조 방법.
  13. 리소그래피 장치를 사용하여 원판의 패턴을 기판에 형성하는 패턴 형성 방법이며,
    상기 리소그래피 장치를 사용하여, 상기 기판의 복수의 샷 영역 중 다른 리소그래피 장치에 의해 패턴이 형성되지 않고, 상기 리소그래피 장치에 의해 패턴이 형성될 상기 샷 영역의 제1 그룹에 대해 배열된 복수의 기판측 마크 중 기준 마크를 검출하는 단계와,
    상기 다른 리소그래피 장치에 의한 상기 복수의 기판측 마크의 검출 결과에 관한 정보를 획득하는 단계와,
    상기 기준 마크를 검출하는 단계에서의 검출 결과 및 상기 정보를 획득하는 단계에서 획득된 정보에 기초하여, 상기 샷 영역 중 일부에 대하여 상기 원판과의 정렬을 행하면서 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 패턴 형성 방법.
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