KR102266119B1 - 평가 방법, 물품 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

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Abstract

각각이 기준 마크를 갖는 복수의 영역을 갖는 기준 기판을 평가하는 평가 방법은, 제1 영역과 상기 제1 영역의 외측에 배치된 제2 영역을 갖고, 중첩 오차를 계측하기 위한 제1 마크가 상기 제1 영역에 배치되고, 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 계측하기 위한 제2 마크가 상기 제2 영역에 배치된 레티클을 준비하는 준비 공정과, 상기 레티클을 사용하여, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동을 통하여, 상기 기준 기판의 상기 복수의 영역의 각각에 대해서 노광을 행하는 노광 공정을 포함하고, 상기 기준 기판 위에 상기 제1 마크에 대응하는 제3 마크 및 상기 제2 마크에 대응하는 제4 마크를 형성하는 마크 형성 공정과, 상기 기준 마크와 상기 제3 마크의 중첩 오차를 계측하는 제1 계측 공정과, 상기 기준 기판에 형성된 상기 제4 마크를 검출함으로써 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 계측하는 제2 계측 공정과, 상기 중첩 오차 및 상기 스텝 이동 오차에 기초하여 상기 기준 기판의 왜곡량을 결정하는 결정 공정을 포함한다.

Description

평가 방법, 물품 제조 방법 및 프로그램{ESTIMATION METHOD, ARTICLE MANUFACTURING METHOD, AND PROGRAM}
본 발명은 평가 방법, 물품 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
복수의 노광 장치 사이의 특성차를 소정 레벨 내로 억제하기 위한 보정은, 믹스·앤드·매치라고 부르고 있다. 믹스·앤드·매치는, 기준 기판을 사용해서 이루어질 수 있다. 그러나, 기준 기판은, 그것을 제작하기 위해서 선택된 노광 장치(기준 노광 장치)가 갖는 오차나 프로세스(예를 들어, 에칭 처리 등)에 기인하는 왜곡을 가질 수 있다. 왜곡을 갖는 기준 기판을 사용해서 보정된 노광 장치는, 그 왜곡을 따른 상태로 보정된다. 또한, 기준 노광 장치에 경시적인 변동이 발생하면, 다른 노광 장치를 기준 노광 장치의 경시적인 변동에 추종시킬 필요가 있다. 또한, 기준 노광 장치로서 결정한 노광 장치를 그 후에 다른 노광 장치로 변경하는 것은 어렵다.
그래서, 복수의 노광 장치를 기준 노광 장치나 제조 프로세스에 의존하지 않는 기준 기판을 사용해서 관리하기 위해서, 기준 기판의 왜곡을 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여 복수의 노광 장치를 보정하는 방법이 유용하다고 생각된다.
기준 기판이 갖는 왜곡을 계측하기 위해서 절대 측장기를 사용할 수 있지만, 절대 측장기는 고가이고, 반도체 디바이스를 제조하는 메이커가 절대 측장기를 소유하는 경우는 적다. 따라서, 노광 장치나 기존의 중첩 오차 검사 장치 등을 사용하여, 기준 기판의 왜곡을 계측할 수 있으면 편리하다.
그러나, 기준 기판이 갖는 복수의 마크의 위치를 노광 장치 또는 중첩 오차 검사 장치에 의해 단순하게 계측하기만 해서는, 계측 결과에 기판 스테이지의 위치 결정 오차가 포함되어 버리므로, 기준 기판이 갖는 왜곡을 정확하게 계측할 수는 없다.
또한, 특허 3427113호 공보에는, 믹스·앤드·매치 향상을 위한 발명이 기재되고, 일본 특허 공개 제2000-299278호 공보에는, 스테이지 제어에 있어서의 직진성 및 회전의 보정에 관한 발명이 기재되어 있지만, 이들에는 기준 기판이 갖는 왜곡을 계측하는 것에 대해서는 기재되어 있지 않다.
본 발명은 기준 기판이 갖는 왜곡을, 절대 측장기를 사용하지 않고, 높은 정밀도로 계측하기 위해서 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 하나의 측면은, 각각이 기준 마크를 갖는 복수의 영역을 갖는 기준 기판을 평가하는 평가 방법에 관한 것이고, 상기 평가 방법은, 제1 영역과 상기 제1 영역의 외측에 배치된 제2 영역을 갖고, 중첩 오차를 계측하기 위한 제1 마크가 상기 제1 영역에 배치되고, 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 계측하기 위한 제2 마크가 상기 제2 영역에 배치된 레티클을 준비하는 준비 공정과, 상기 레티클을 사용하여, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동을 통하여, 상기 기준 기판의 상기 복수의 영역의 각각에 대해서 노광을 행하는 노광 공정을 포함하고, 상기 기준 기판 위에 상기 제1 마크에 대응하는 제3 마크 및 상기 제2 마크에 대응하는 제4 마크를 형성하는 마크 형성 공정과, 상기 기준 마크와 상기 제3 마크의 중첩 오차를 계측하는 제1 계측 공정과, 상기 기준 기판에 형성된 상기 제4 마크를 검출함으로써 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 계측하는 제2 계측 공정과, 상기 중첩 오차 및 상기 스텝 이동 오차에 기초하여 상기 기준 기판의 왜곡량을 결정하는 결정 공정을 포함한다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 기준 기판의 평가 방법의 실행 수순을 도시하는 도면.
도 2는, 기준 기판을 예시하는 도면.
도 3은, 레티클을 예시하는 도면.
도 4는, 기준 기판 위에 기준 기판을 평가하기 위한 마크가 형성된 상태를 예시하는 도면.
도 5는, 도 4의 일부 마크를 도시하는 도면.
도 6은, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 평가 방법 및 물품 제조 방법의 실행 수순을 도시하는 도면.
도 7은, 제2 기준 기판 위에 노광 장치를 평가하기 위한 마크가 형성된 상태를 예시하는 도면.
도 8은, 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 평가 방법 및 물품 제조 방법의 실행 수순을 도시하는 도면.
도 9는, 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 10은, 컴퓨터의 구성 및 컴퓨터에 의해 실행되는 평가 방법을 도시하는 도면.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명을 그 예시적인 실시 형태를 통해서 설명한다.
도 9에는, 노광 장치(EX)의 개략 구성이 나타나 있다. 노광 장치(EX)는, 레티클 R의 패턴 영역을 조명계(30)에 의해 조명하고, 해당 패턴 영역을 투영 광학계(40)에 의해 기판(S)에 투영함으로써 기판(S)를 노광한다. 기판(S) 위에는 감광재가 배치되어 있고, 기판(S)가 노광되면, 레티클 R의 패턴 영역의 패턴에 대응하는 잠상이 기판(S) 위의 감광재에 형성된다. 잠상이 형성된 감광재를 갖는 기판이 현상 처리됨으로써 물리적인 패턴이 형성된다.
기판(S)는, 기판 스테이지(10)의 기판 척(도시하지 않음)에 의해 유지된다. 기판 스테이지(10)는, 스테이지 베이스(70)에 의해 지지될 수 있다. 기판 스테이지(10)는, 기판 스테이지 구동 기구(50)에 의해 구동될 수 있다. 기판 스테이지(10)의 위치는, 위치 계측기(60)(예를 들어, 레이저 간섭계, 인코더)에 의해 계측될 수 있다. 제어부(80)는, 위치 계측기(60)에 의한 계측 결과에 기초하여, 기판 스테이지(10)가 목표 위치에 위치 결정되도록 기판 스테이지 구동 기구(50)를 피드백 제어할 수 있다. 레티클 R은, 레티클 스테이지(20)의 레티클 척에 의해 유지된다. 노광 장치(EX)가 주사 노광 장치로서 구성되는 경우에는, 레티클 스테이지(20)는, 레티클 스테이지 구동 기구(도시하지 않음)에 의해, 기판 스테이지(10)와 동기해서 구동될 수 있다.
노광 장치(EX)는, 오프 액시스 스코프 등의 스코프(90)(계측기)를 구비할 수 있다. 스코프(90)는, 예를 들어 기판(S)의 마크 등을 촬상하기 위한 카메라 및 광학계와, 카메라에 의해 촬상된 화상을 처리하는 프로세서를 포함할 수 있다. 해당 프로세서가 실행하는 기능의 전부 또는 일부는, 제어부(80)에 내장되어도 된다. 스코프(90)는, 예를 들어 마크의 위치나, 복수의 마크 사이의 상대 위치를 계측하기 위해서 사용될 수 있다. 스코프(90)를 사용하여, 중첩 오차를 계측할 수도 있다.
제어부(80)는 조명계(30), 투영 광학계(40), 기판 스테이지 구동 기구(50), 위치 계측기(60), 스코프(90) 등을 제어하도록 구성될 수 있다. 제어부(80)는, 기준 기판의 왜곡량을 평가하기 위한 처리를 실행할 수 있다. 제어부(80)는, 노광 장치(EX)의 중첩 오차를 평가하기 위한 처리를 실행할 수 있다. 제어부(80)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 약어) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 약어), 또는, ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 약어), 또는, 프로그램(82)이 내장된 컴퓨터, 또는, 이들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성될 수 있다. 프로그램(82)은, 예를 들어 메모리 매체에 저장될 수 있다.
도 1에는, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 기준 기판의 평가 방법의 실행 수순이 나타나 있다. 이 평가 방법에서는, 이하에서 설명되는 기준 기판(201) 및 레티클(301)이 사용될 수 있다. 도 2에는, 기준 기판(201)이 예시되어 있다. 도 3에는, 기준 기판(201)의 평가 및 보정 대상의 노광 장치(EX)의 중첩 오차를 평가하기 위한 레티클(301)이 예시되어 있다. 또한, 기준 기판(201)의 평가를 위한 레티클과, 보정 대상의 노광 장치(EX)의 중첩 오차를 평가하기 위한 레티클이 별개로 준비되어도 된다.
먼저, 도 2를 참조하면서 기준 기판(201)에 대해서 설명한다. 기준 기판(201)은, 재료 기판 위에 감광재를 도포하고, 임의의 노광 장치(예를 들어, 전술한 노광 장치(EX))를 사용해서 해당 감광재를 노광하고, 현상 장치에 의해 해당 감광재를 현상함으로써 형성될 수 있다. 기준 기판(201)은, 복수의 영역(샷 영역)(SR)을 갖고, 각 영역(SR)은, 1개 또는 복수의 기준 마크(202)를 가질 수 있다. 재료 기판 위 감광재를 노광하기 위해서 전술한 노광 장치(EX)가 사용되는 경우에는, 기판(S)로서 재료 기판이 기판 스테이지(10) 위에 배치된다. 그리고, 위치 계측기(60)에 의해 기판 스테이지(10)의 위치를 계측하면서 기판 스테이지(10)가 기판 스테이지 구동 기구(50)에 의해 위치 결정되면서, 재료 기판의 복수의 영역(SR)이 순차적으로 노광될 수 있다. 이 경우, 제작된 기준 기판(201)의 기준 마크(202)의 위치에는, 노광 장치(EX)의 투영 광학계(40)의 특성, 기판 스테이지(10)의 위치 결정 정밀도, 레티클 스테이지(20)의 위치 결정 정밀도 등에 따른 오차가 포함될 수 있다.
이어서, 도 3을 참조하면서 레티클(301)에 대해서 설명한다. 레티클(301)은, 제1 영역(302)과 제1 영역(302)의 외측에 배치된 제2 영역(306)을 갖는다. 제1 영역(302)에는, 중첩 오차를 계측하기 위한 제1 마크(303)가 배치되어 있다. 제2 영역(306)에는, 기판 스테이지(10)의 스텝 이동 오차를 계측하기 위한 제2 마크로서, 제1 부분 마크(304) 및 제2 부분 마크(305)가 배치되어 있다. 이하, 제1 부분 마크(304) 및 제2 부분 마크(305)를 제2 마크(304, 305)라고도 기재한다. 제1 영역(302)은, 기준 기판(201)의 영역(SR)을 노광하기 위한 영역이고, 제2 영역(306)은, 제1 영역(302)에 의해 노광되는 영역(SR)에 인접하는 영역(SR)을 노광하기 위한 영역이다. 스텝 이동 오차는, 기판(S)의 복수의 영역(샷 영역)을 순서대로 노광하기 위해서 기판(S)(기판 스테이지(10))를 위치 계측기(60)에 의한 계측 결과에 기초하여 기판 스테이지 구동 기구(50)에 의해 스텝 이동시켰을 때에 발생하는 기판(S)의 위치 결정 오차이다. 제1 마크(303), 제2 마크(304, 305)의 위치는, 공차 요구를 충족시키도록 보증되어 있다. 또는, 제1 마크(303), 제2 마크(304, 305)의 위치를 나타내는 정보가 레티클(301)과 함께 제공될 수 있다.
제1 마크(303)는, 노광 공정을 포함하는 리소그래피 공정(후술하는 마크 형성 공정)에 의해, 기준 기판(201)의 각 영역(SR)의 기준 마크(202)와 함께 박스·인·박스·마크를 구성하도록, 제3 마크로서 기준 기판(201) 위에 전사된다. 환언하면, 리소그래피 공정에 의해, 기준 기판(201)의 각 영역(SR)에는, 제1 마크(303)에 대응하는 제3 마크가 형성된다. 제2 마크로서의 제1 부분 마크(304), 제2 부분 마크(305)는 각각, 노광 공정을 포함하는 리소그래피 공정(후술하는 마크 형성 공정)에 의해, 제3 부분 마크, 제4 부분 마크로서 기준 기판(201) 위에 전사된다. 이하에서는, 제3 부분 마크 및 제4 부분 마크를 제4 마크라고도 한다. 환언하면, 리소그래피 공정에 의해, 기준 기판(201)에는, 제2 마크(304, 305)에 대응하는 제4 마크가 형성된다. 또한, 1회의 리소그래피 공정에 의해, 기준 기판(201) 위에 제1 마크(303)에 대응하는 제3 마크 및 제2 마크(304, 305)에 대응하는 제4 마크가 형성된다.
여기서, 제1 부분 마크(304)에 대응하는 제3 부분 마크와, 제2 부분 마크(305)에 대응하는 제4 부분 마크는, 기판 스테이지(10)의 스텝 이동 오차를 계측하기 위한 박스·인·박스·마크를 구성한다. 또한, 각 박스·인·박스·마크를 구성하는 제3 부분 마크 및 제4 부분 마크의 각각의 잠상은, 서로 다른 노광 처리에 의해(즉 다중 노광에 의해) 형성된다. 박스·인·박스·마크는, 잘 알려져 있는 바와 같이, 박스 내에 박스가 배치된 마크이다.
이하, 도 1을 참조하면서 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 기준 기판(201)의 평가 방법의 실행 수순을 설명한다. 공정 S101(준비 공정)에서는, 도 3에 예시되는 레티클(301)이 준비된다. 공정 S102(마크 형성 공정)에서는, 레티클(301) 및 임의의 노광 장치(EX)를 사용하여, 기준 기판(201) 위에 레티클(301)의 제1 마크(303)에 대응하는 제3 마크 및 레티클(301)의 제2 마크(304, 305)에 대응하는 제4 마크가 형성된다. 이에 의해, 기준 기판(201)을 평가하기 위한 샘플, 즉 기준 기판(201) 위에 제3 마크 및 제4 마크가 형성된 샘플이 형성된다. 공정 S102는, 레티클(301)을 사용하여, 노광 장치(EX)의 기판 스테이지(10)의 스텝 이동을 통하여, 기준 기판(201)의 복수의 영역(SR)의 각각에 대해서 노광을 행하는 노광 처리를 포함한다. 노광 처리에서는, 노광 장치(EX)에 있어서, 어떤 영역(SR)이 노광된 후에 다른 영역(SR)이 투영 광학계(40) 아래의 노광 영역에 위치 결정되도록 기판 스테이지(10)가 스텝 이동되고, 해당 다른 영역(SR)이 노광되는 동작이 모든 영역(SR)이 노광될 때까지 반복된다. 공정 S102는, 해당 노광 처리 전에, 기준 기판(201) 위에 감광재(포토레지스트)를 배치하는 공정을 포함하는 것 외에, 해당 노광 공정 후에, 현상 공정을 포함할 수 있다. 또한, 공정 S101에서 사용되는 노광 장치(EX)의 노광 영역(샷 영역)의 형상은, 미리 목표 형상(예를 들어 직사각형)으로 조정되어 있는 것으로 한다.
도 4에는, 공정 S102 후에 있어서의 기준 기판(201)의 4개의 영역(SR)이 나타나 있다. 도 4에 있어서, 영역(401)은, 1회의 노광에 있어서 레티클(301)을 사용해서 노광되는 영역이다. 레티클(301)의 제1 영역(302)을 통해서 노광되는 영역(SR)에는, 기준 마크(202)와, 제1 마크(303)에 대응하는 제3 마크로 구성되는 박스·인·박스·마크(403)가 형성되어 있다. 기준 기판(201)은, 레티클(301)의 제2 영역(306)을 통해서 다중 노광되는 영역을 갖는다. 이 영역에는, 제2 마크의 하나로서의 제1 부분 마크(304)에 대응하는 제4 마크와, 제2 마크의 다른 하나로서의 제2 부분 마크(305)에 대응하는 제4 마크로 박스·인·박스·마크(402)가 형성되어 있다.
공정 S103(제1 계측 공정)에서는, 기준 마크(202)와, 제1 마크(303)에 대응하는 제3 마크로 구성되는 박스·인·박스·마크(403)를 검출함으로써 중첩 오차 Err403이 계측된다. 이 계측은, 예를 들어 현상 후의 기준 기판(201)을 노광 장치(EX)의 기판 스테이지(10)에 배치하고, 스코프(90)를 사용해서 이루어져도 되고, 중첩 오차를 검사하기 위한 검사 장치를 사용해서 이루어져도 된다. 중첩 오차는, 1개의 박스·인·박스·마크(403)을 구성하는 기준 마크(202)와 제3 마크의 상대 위치에 의해 표현될 수 있다.
공정 S104(제2 계측 공정)에서는, 제1 부분 마크(304)에 대응하는 제4 마크와, 제2 부분 마크(305)에 대응하는 제4 마크로 구성되는 박스·인·박스·마크(402)를 검출함으로써 스텝 이동 오차 ErrStep이 계측된다. 이 계측은, 예를 들어 현상 후의 기준 기판을 노광 장치(EX)의 기판 스테이지(10)에 배치하여, 스코프(90)를 사용해서 이루어져도 되고, 중첩 오차를 검사하기 위한 검사 장치를 사용해서 이루어져도 된다. 공정 S103과 공정 S104는, 병행해서 실행되어도 되고, 공정 S104 후에 공정 S103이 실행되어도 된다.
공정 S105에서는, 공정 S103에서 얻어진 중첩 오차와 공정 S104에서 얻어진 스텝 이동 오차에 기초하여 기준 기판(201)의 왜곡량이 결정된다. 보다 구체적으로는, 공정 S105에서는, 공정 S103에서 얻어진 중첩 오차로부터 공정 S104에서 얻어진 스텝 이동 오차를 뺌으로써 기준 기판(201)의 왜곡량이 결정될 수 있다.
이하, 공정 S104에 있어서 스텝 이동 오차 ErrStep을 구하는 처리를 보다 구체적으로 설명한다. 먼저, 박스·인·박스·마크(402)가 검출되어, 제1 부분 마크(304)에 대응하는 제4 마크와, 제2 부분 마크(305)에 대응하는 제4 마크의 상대 위치 Err402가 구해진다. 도 5는, 도 4로부터, 인접하는 3개의 영역(401)에 있어서의 다중 노광된 영역의 박스·인·박스·마크(402)를 발췌한 것이고, 이들의 박스·인·박스·마크(402)를 서로 구별하기 위해서, 501 내지 506이라는 부호가 첨부되어 있다.
박스·인·박스·마크(501)에 기초하여 검출된 X축 방향, Y축 방향의 어긋남양을 (xx1,xy1)이라 한다. 동일하게, 박스·인·박스·마크(502)에 기초하여 검출된 X축 방향, Y축 방향의 어긋남양을 (xx2,xy2)라 한다. 동일하게, 박스·인·박스·마크(503)에 기초하여 검출된 X축 방향, Y축 방향의 어긋남양을 (xx3,xy3)이라 한다. 동일하게, 박스·인·박스·마크(504)에 기초하여 검출된 X축 방향, Y축 방향의 어긋남양을 (yx1,yy1)이라 한다. 동일하게, 박스·인·박스·마크(505)에 기초하여 검출된 X축 방향, Y축 방향의 어긋남양을 (yx2,yy2)라 한다. 동일하게, 박스·인·박스·마크(506)에 기초하여 검출된 X축 방향, Y축 방향의 어긋남양을 (yx3,yy3)이라 한다.
3개의 영역(401)을 서로 구별하기 위해서, 그것들의 영역(401)을 영역 i, j, k라 한다. 영역 i의 X축 방향의 위치 오차, Y축 방향의 위치 오차, 자세 오차를 (ESxi,ESyi,ESθi)라 한다. 동일하게, 영역 j의 X축 방향의 위치 오차, Y축 방향의 위치 오차, 자세 오차를 (ESxj,ESyj,ESθj)라 한다. 동일하게 영역 k의 X축 방향의 위치 오차, Y축 방향의 위치 오차, 자세 오차를 (ESxk,ESyk,ESθk)라 한다. 또한, 레티클(301)의 투영상의 왜곡이나, 기판 스테이지(10)의 계측 오차 등에 의해 발생한 오차를 Δxx1, Δxx2, Δxx3, Δxy1, Δxy2, Δxy3, Δyx1, Δyx2, Δyx3, Δyy1, Δyy2, Δyy3이라 한다. 또한, 마크를 계측할 때의 불규칙한 오차를 εxx1 ( i,j ), εxx2 ( i,j ), εxx3 (i,j), εxy1 ( i,j ), εxy2 ( i,j ), εxy3 ( i,j ), εyx1 ( i,j ), εyx2 ( i,j ), εyx3 ( i,j ), εyy1 ( i,j ), εyy2 (i,j), εyy3(i,j)라 한다. 이 정의에 있어서, (1) 내지 (12) 식의 관계가 성립한다.
xx1 (i( i,j ) =ESxj-ESxi-RyESθj+RyESθi+Δxx1+εxx1 ( i(i,j) (1)
xx2 (i( i,j ) =ESxj-ESxi+Δxx2+εxx2 ( i(i,j) (2)
xx3 (i( i,j ) =ESxj-ESxi+RyESθj-RyESθi+Δxx3+εxx3 ( i(i,j) (3)
xy1 (i( i,j ) =ESyj-ESyi-RxESθj-RxESθi+Δxy1+εxy1 ( i(i,j) (4)
xy2 (i( i,j ) =ESyj-ESyi-RxESθj-RxESθi+Δxy2+εxy2 ( i(i,j) (5)
xy3 (i( i,j ) =ESyj-ESyi-RxESθj-RxESθi+Δxy3+εxy3 ( i(i,j) (6)
yx1 (i, k)=ESxk-ESxi-RyESθk-RyESθi+Δyx1+εyx1(i, k) (7)
yx2 (i, k)=ESxk-ESxi-RyESθk-RyESθi+Δyx2+εyx2(i, k) (8)
yx3 (i, k)=ESxk-ESxi-RyESθk-RyESθi+Δyx3+εyx3(i, k) (9)
yy1 (i, k)=ESyk-ESyi-RxESθk+RxESθi+Δyy1+εyy1(i, k) (10)
yy2 (i, k)=ESyk-ESyi+Δyy2+εyy2(i, k) (11)
yy3 (i, k)=ESyk-ESyi+RxESθk-RxESθi+Δyy3+εyy3(i, k) (12)
(1) 내지 (6) 식은 X 방향으로 중첩하는 부분마다, (7) 내지 (12) 식은 Y 방향으로 중첩하는 부분마다 성립하므로, X 방향으로 중첩하는 부분의 수가 Nx, Y 방향으로 중첩하는 부분의 수가 Ny일 때, 3(Nx+Ny)개의 연립 방정식이 생긴다. 또한, 모든 영역(401)의 위치 오차와 자세 오차(ESxi, ESyi, ESθi)의 평균값을 일정 값으로 정하지 않으면 구해할 수 없으므로, 모두 총합을 0으로 한 3개의 방정식 (13) 내지 (15)를 추가한다.
Σi=1 Ns·ESxi=0…(13)
Σi=1 Ns·ESyi=0…(14)
Σi=1 Ns·ESθi=0…(15)
또한, (ESxi,ESyi,ESθi)에 레티클(301)의 투영상의 왜곡이나, 기판 스테이지(10)의 계측 오차가 포함되지 않도록, 4개의 방정식 (16) 내지 (19) 식을 추가한다.
Σi=1 Ns·XiESxi=0…(16)
Σi=1 Ns·YiESxi=0…(17)
Σi=1 Ns·XiESyi=0…(18)
Σi=1 Ns·YiESyi=0…(19)
여기서, Xi와 Yi는, 기준 기판(201)에 있어서의 각 영역(401)의 중심 좌표 위치를 나타내고, 모든 영역(401)의 총합이 0이 되도록 조정된 벡터의 요소이다.
이상으로부터, 3(Nx+Ny)+7개의 연립 방정식이 구성된다.
한편, 영역(401)의 수가 Ns개인 경우, 연립 방정식에 있어서의 미지수는, 각 영역(401)의 (ESxi,ESyi,ESθi)와,
Δxx1, Δxx2, Δxx3, Δxy1, Δxy2, Δxy3, Δyx1, Δyx2, Δyx3, Δyy1, Δyy2, Δyy3이다. 따라서, 미지수는 전부 3Ns+12개가 존재한다.
εxx1(i(i,j), εxx2(i(i,j), εxx3(i(i,j), εxy1(i(i,j), εxy2(i(i,j), εxy3(i(i,j), εyx1(i(i,j), εyx2(i(i,j), εyx3(i(i,j), εyy1(i(i,j), εyy2(i(i,j), εyy3(i(i,j)는, 기대값이 0이고 분산이 동등한 확률 분포로 이루어지는 변수라고 가정한다. 최소 제곱법에 의해 각 영역(401)의 (ESxi,ESyi,ESθi)를 구하여, 그것을 스텝 이동 오차 ErrStep이라 한다.
이하, 공정 S105에 있어서 중첩 오차 Err403과 스텝 이동 오차 ErrStep(즉, (ESxi,ESyi,ESθi))에 기초하여 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer를 결정하는 처리를 보다 구체적으로 설명한다. 여기서, 기준 기판(201)에 있어서의 영역 i의 중심 좌표를 (Xi,Yi), 영역 i 내의 박스·인·박스·마크 l(좌표=(xil,yil))의 어긋남양을 (Exil,Eyil)이라 한다. 또한, 좌표(xil,yil)에 있어서의 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer를 (Dxil,Dyil)라 한다. 이 정의에 있어서, (Dxil,Dyil)은 (20), (21) 식으로 부여된다.
Dxil=Exil-ESxi-ESθi×yil …(20)
Dyil=Eyil-ESyi-ESθi×xil …(21)
구해진 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer는, 마크 좌표마다의 값을 그대로 테이블 형식으로 유지해도 되고, 복수의 마크 좌표에 있어서의 값을 다항식으로 근사시킨 계수로서 유지해도 되고, 다른 형식으로 유지해도 된다.
상기와 같은 기준 기판의 평가 방법에 있어서의 연산은, 컴퓨터에 의해 실시될 수 있다. 해당 컴퓨터의 기능은, 예를 들어 노광 장치(EX)의 제어부(80)에 내장되어도 된다. 도 10의 (a)에는, 컴퓨터(1100)에 의한 연산이 모식적으로 도시되어 있다. 컴퓨터(1100)는, 거기에 내장된 평가 프로그램(1102)에 따라 연산을 실행한다. 도 10의 (b)에는, 도 1의 공정 S101, S102를 거쳐서 형성된 샘플을 노광 장치(EX) 또는 검사 장치에서 계측한 계측 결과에 기초하여 컴퓨터(1100)가 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer를 얻는 수순이 예시되어 있다.
이하, 도 10의 (b)를 참조하면서 컴퓨터(1100)에 의한 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer의 평가 방법을 설명한다. 공정 S1001에서는, 컴퓨터(1100)는 도 1의 공정 S101, S102를 거쳐서 형성된 샘플을 노광 장치(EX) 또는 검사 장치에서 계측한 계측 결과, 보다 구체적으로는, 박스·인·박스·마크(403, 402)의 각각에 관한 계측 결과를 취득한다. 이 계측 결과는, 박스·인·박스·마크(403)의 계측 결과(제1 정보)와, 박스·인·박스·마크(402)의 계측 결과(제2 정보)를 포함한다. 제1 정보는 기준 마크(202)와, 제1 마크(303)에 대응하는 제3 마크의 상대 위치를 나타내는 정보를 포함한다. 제2 정보는, 제1 부분 마크(304)에 대응하는 제3 부분 마크와, 제2 부분 마크(305)에 대응하는 제4 부분 마크의 상대 위치를 나타내는 정보를 포함한다.
공정 S103'(제1 공정)은, 도 1에 있어서의 공정 S103에 있어서의 연산 처리에 상당한다. 공정 S103'(제1 공정)에서는, 컴퓨터(1100)는 기준 마크(202)와, 제1 정보에 기초하여 중첩 오차 Err403을 구한다. 공정 S104'(제2 공정)은, 도 1에 있어서의 공정 S104에 있어서의 연산 처리에 상당한다. 공정 S104'에서는, 컴퓨터(1100)는, 제2 정보에 기초하여 스텝 이동 오차 ErrStep를 구한다.
공정 S105'(제3 공정)은, 도 1에 있어서의 공정 S105에 상당한다. 공정 S105'(제3 공정)에서는, 컴퓨터(1100)는 공정 S103'에서 얻어진 중첩 오차와 공정 S104'에서 얻어진 스텝 이동 오차에 기초하여 기준 기판(201)의 왜곡량을 결정한다. 보다 구체적으로는, 공정 S105'에서는 공정 S103'에서 얻어진 중첩 오차로부터 공정 S104'에서 얻어진 스텝 이동 오차를 뺌으로써 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer를 결정한다.
도 6에는, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 평가 방법 및 물품 제조 방법의 실행 수순이 나타나 있다. 제2 실시 형태는, 제1 실시 형태의 실시에 의해 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer가 얻어진 후에 실시된다. 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태에 있어서의 평가 대상인 기준 기판(201)에 대하여 공차 내에서 동일성을 갖는 제2 기준 기판이, 보정 대상(믹스·앤드·매치의 대상)의 노광 장치(EX)의 평가를 위해서 사용된다. 제2 기준 기판은, 도 2에 예시된 기준 기판(201)에 대하여 공차 내에서 동일성을 가지므로, 구조로서는, 기준 기판(201)과 동일한 구조를 갖는다.
공정 S501(제2 마크 형성 공정)에서는, 보정 대상의 노광 장치(EX)를 사용하여, 제2 기준 기판 위에, 제5 마크가 형성된다. 이에 의해, 보정 대상의 노광 장치(EX)를 평가하기 위한 샘플이 형성된다. 공정 S501에서는, 도 3에 예시되는 레티클(301), 즉 기준 기판(201)을 평가하기 위한 레티클(301)과 동일한 레티클이 사용될 수 있다. 단, 공정 S501에 있어서, 레티클(301)과는 다른 레티클이 사용되어도 된다. 공정 S501에 있어서, 레티클(301)이 사용되는 경우, 제2 마크(304, 305)가 제2 기준 기판에 전사되지 않도록 제2 마크(304, 305)가 도시하지 않은 마스킹 블레이드에 의해 차광되어도 된다. 레티클(301)이 사용되는 경우, 공정 S501에 있어서 형성되는 제5 마크는, 레티클(301)의 제1 마크(303)의 전사에 의해 형성된 마크이다.
공정 S501은, 레티클(301) 등의 레티클을 사용하여, 노광 장치(EX)의 기판 스테이지(10)의 스텝 이동을 통하여, 제2 기준 기판의 복수의 샷 영역(SR)의 각각에 대해서 노광을 행하는 노광 처리를 포함한다. 이 노광 처리에서는, 보정 대상의 노광 장치(EX)에 있어서, 어떤 샷 영역(SR)이 노광된 후에 다른 샷 영역(SR)이 투영 광학계(40) 아래의 노광 영역에 위치 결정되도록 기판 스테이지(10)가 스텝 이동되고, 해당 다른 샷 영역이 노광된다. 그리고, 이러한 동작은, 모든 샷 영역이 노광될 때까지 반복된다. 공정 S501은, 해당 노광 처리 전에, 제2 기준 기판 위에 감광재(포토레지스트)를 배치하는 공정을 포함하는 것 외에, 해당 노광 공정 후에, 현상 공정을 포함할 수 있다.
도 7에는, 공정 S501 후의 제2 기준 기판의 4개의 샷 영역(701)이 나타나 있다. 각 샷 영역에는, 제2 기준 기판의 기준 마크(202)와, 레티클(301)을 사용해서 형성된 제5 마크에 의해 박스·인·박스·마크(702)가 형성되어 있다.
공정 S502(제3 계측 공정)에서는, 박스·인·박스·마크(702)를 검출함으로써, 기준 마크(202)에 대한 제5 마크의 어긋남양 Err702이 계측된다. 이 계측은, 예를 들어 현상 후의 제2 기준 기판을 보정 대상의 노광 장치(EX)의 기판 스테이지(10)에 배치하여, 스코프(90)를 사용해서 이루어져도 되고, 중첩 오차를 검사하기 위한 검사 장치를 사용해서 이루어져도 된다. 어긋남양은, 1개의 박스·인·박스·마크(702)를 구성하는 기준 마크(202)와, 레티클(301)을 사용해서 형성된 제5 마크의 상대 위치에 의해 표시될 수 있다.
공정 S503(보정량 결정 공정)에서는, 어긋남양 Err702를 제1 실시 형태의 공정 S105(평가 공정)에서 결정한 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer에 기초하여 보정함으로써 보정 대상의 노광 장치(EX)의 보정량 Compmm을 결정한다. 예를 들어, 샷 영역 i의 중심 좌표를 (Xi,Yi), 샷 영역 i 내의 박스·인·박스·마크 l(좌표=(xil,yil))에 있어서의 어긋남양 Err702를 (E'xil,E'yil)이라 한다. 또한, 좌표(xil,yil)에 있어서의 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer를 (Dxil,Dyil)이라 한다. 또한, 좌표(xil,yil)에 있어서의 보정 대상의 노광 장치(EX)의 보정량 Compmm을 (Cxil,Cyil)이라 한다. 이 정의에 있어서, (Cxil,Cyil)은 (22), (23) 식으로 부여된다.
Cxil=E'xil-Dxil …(22)
Cyil=E'yil-Dyil …(23)
구해진 Compmm은, 마크 좌표마다의 값을 그대로 테이블 형식으로 유지해도 되고, 복수의 마크 좌표에 있어서의 값을 다항식으로 근사한 계수로서 유지해도 되고, 다른 형식으로 유지해도 된다.
공정 S504(노광 공정)에서는, 공정 S503에서 결정한 보정량 Compmm에 기초하여 보정 대상의 노광 장치(EX)가 보정되고, 보정된 노광 장치(EX)와, 제조용의 레티클을 사용하여, 제조용 기판이 노광된다. 보정량 Compmm은, 예를 들어 투영 광학계(40)의 특성을 제어하기 위한 보정량, 기판 스테이지(10)를 제어하기 위한 보정량 등일 수 있다.
도 8에는, 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 평가 방법 및 물품 제조 방법의 실행 수순이 나타나 있다. 제3 실시 형태는, 제1 실시 형태의 실시에 의해 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer가 얻어진 후에 실시된다. 제3 실시 형태에서는, 제1 실시 형태에 있어서의 평가 대상인 기준 기판(201)에 대하여 공차 내에서 동일성을 갖는 제2 기준 기판이, 보정 대상(믹스·앤드·매치의 대상)의 노광 장치(EX)의 평가를 위해서 사용된다. 제2 기준 기판은, 도 2에 예시된 기준 기판(201)에 대하여 공차 내에서 동일성을 가지므로, 구조로서는, 기준 기판(201)과 동일한 구조를 갖는다.
공정 S801(제2 마크 형성 공정)은, 보정 대상의 노광 장치(EX)에 있어서, 기준 기판(201)에 대하여 공차 내에서 동일성을 갖는 제2 기준 기판에 제5 마크가 형성된다. 이에 의해, 보정 대상의 노광 장치(EX)를 평가하기 위한 샘플이 형성된다. 공정 S801에서는, 도 3에 예시되는 레티클(301), 즉 기준 기판(201)을 평가하기 위한 레티클(301)과 동일한 레티클이 사용될 수 있다. 단, 공정 S801에 있어서, 레티클(301)과는 다른 레티클이 사용되어도 된다. 공정 S801에 있어서, 레티클(301)이 사용되는 경우, 제2 마크(304, 305)가 제2 기준 기판에 전사되지 않도록 제2 마크(304, 305)가 도시하지 않은 마스킹 블레이드에 의해 차광되어도 된다. 레티클(301)이 사용되는 경우, 공정 S801에 있어서 형성되는 제5 마크는, 레티클(301)의 제1 마크(303)의 전사에 의해 형성된 마크이다.
공정 S801은, 레티클(301) 등의 레티클을 사용하여, 노광 장치(EX)의 기판 스테이지(10)의 스텝 이동을 통하여, 제2 기준 기판의 복수의 샷 영역(SR)의 각각에 대해서 노광을 행하는 노광 처리를 포함한다. 이 노광 처리에서는, 보정 대상의 노광 장치(EX)에 있어서, 어떤 샷 영역(SR)이 노광된 후에, 다른 샷 영역(SR)이 투영 광학계(40) 아래의 노광 영역에 위치 결정되도록 기판 스테이지(10)가 스텝 이동되고, 해당 다른 샷 영역이 노광된다. 이러한 동작은, 모든 샷 영역이 노광될 때까지 반복된다. 공정 S801은, 해당 노광 처리 전에, 제2 기준 기판 위에 감광재(포토레지스트)를 배치하는 공정을 포함하는 것 외에, 해당 노광 공정 후에, 현상 공정을 포함할 수 있다. 공정 S801에서는, 제1 실시 형태의 공정 S105(평가 공정)에서 결정한 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer에 따른 왜곡을 갖는 패턴 영역이 제2 기준 기판에 전사되도록 보정 대상의 노광 장치(EX)의 제어 파라미터값이 조정된다. 제어 파라미터값은, 예를 들어 투영 광학계(40)의 특성을 제어하기 위한 제어 파라미터값, 기판 스테이지(10)를 제어하기 위한 제어 파라미터값 등일 수 있다.
공정 S802(제3 계측 공정)에서는, 공정 S801에서 형성된 샘플의 박스·인·박스·마크를 검출함으로써, 기준 마크(202)에 대한 제5 마크의 어긋남양이 계측된다. 이 계측은, 예를 들어 현상 후의 제2 기준 기판을 보정 대상의 노광 장치(EX)의 기판 스테이지(10)에 배치하고, 스코프(90)를 사용해서 이루어져도 되고, 중첩 오차를 검사하기 위한 검사 장치를 사용해서 이루어져도 된다. 어긋남양은, 1개의 박스·인·박스·마크를 구성하는 기준 마크(202)와, 레티클(301)을 사용해서 형성된 제5 마크의 상대 위치에 의해 표시될 수 있다.
공정 S803(보정량 결정 공정)에서는, 공정 S802에서 계측한 어긋남양을 제1 실시 형태의 공정 S105(평가 공정)에서 결정한 기준 기판(201)의 왜곡량 Distwafer에 기초하여 보정함으로써 보정 대상의 노광 장치(EX)의 보정량 Compmm을 결정한다. 공정 S804(노광 공정)에서는, 공정 S803에서 결정한 보정량 Compmm에 기초하여 보정 대상의 노광 장치(EX)가 보정되고, 보정된 노광 장치(EX)와, 제조용의 레티클을 사용하여, 제조용 기판이 노광된다. 보정량 Compmm은, 예를 들어 투영 광학계(40)의 특성을 제어하기 위한 보정량, 기판 스테이지(10)를 제어하기 위한 보정량 등일 수 있다.
이하, 제2 또는 제3 실시 형태가 적용된 물품 제조 방법을 설명한다. 물품은, 예를 들어 반도체 디바이스 또는 표시 디바이스 등일 수 있다. 반도체 디바이스는, 웨이퍼에 집적 회로를 만드는 전 공정과, 전 공정에서 만들어진 웨이퍼 상의 집적 회로칩을 제품으로서 완성시킨 후 공정을 거침으로써 제조된다. 전 공정은, 전술한 노광 장치를 사용해서 감광제가 도포된 웨이퍼(기판)를 노광하는 공정과, 웨이퍼를 현상하는 공정을 포함한다. 후속 공정은, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩)과, 패키징 공정(봉입)을 포함한다. 액정 표시 디바이스는, 투명 전극을 형성하는 공정을 거침으로써 제조된다. 투명 전극을 형성하는 공정은, 투명 도전막이 증착된 유리 기판에 감광제를 도포하는 공정과, 전술의 노광 장치를 사용해서 감광제가 도포된 유리 기판을 노광하는 공정과, 유리 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 본 실시 형태의 디바이스 제조 방법에 의하면, 종래보다도 고품위의 디바이스를 제조할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상술한 실시 형태의 1 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통하여 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 하나 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리로도 실현 가능하다. 또한, 1이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.

Claims (10)

  1. 각각이 기준 마크를 갖는 복수의 영역을 갖는 기준 기판을 평가하는 평가 방법이며,
    제1 영역과 상기 제1 영역의 외측에 배치된 제2 영역을 갖고, 중첩 오차를 계측하기 위한 제1 마크가 상기 제1 영역에 배치되고, 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 계측하기 위한 제1 부분 마크 및 제2 부분 마크를 포함하는 제2 마크가 상기 제2 영역에 배치된 레티클을 사용하여, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동을 통하여, 상기 기준 기판의 상기 복수의 영역 중 제3 영역 및 제4 영역의 각각에 대해서 노광을 행하는 노광 공정을 포함하고, 상기 기준 기판 위에 상기 제1 마크에 대응하는 제3 마크 및 상기 제2 마크에 대응하는 제4 마크를 형성하는 마크 형성 공정과,
    상기 기준 마크와 상기 제3 마크의 어긋남양에 따라 상기 기준 마크와 상기 제3 마크의 중첩 오차를 계측하는 제1 계측 공정과,
    상기 기준 기판에 형성된 상기 제4 마크에 포함되는, 제3 부분 마크와 제4 부분 마크의 어긋남양에 기초하여 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 계측하는 제2 계측 공정과,
    상기 중첩 오차 및 상기 스텝 이동 오차에 기초하여 상기 기준 기판의 왜곡량을 결정하는 결정 공정
    을 포함하고,
    상기 마크 형성 공정에서, 상기 제3 부분 마크는 상기 제3 영역에 대해 노광이 행해지는 것에 의해 상기 제1 부분 마크에 대응하는 위치에 형성되고, 상기 제4 부분 마크는 상기 제4 영역에 대해 노광이 행해지는 것에 의해 상기 제2 부분 마크에 대응하는 위치에 형성되는
    것을 특징으로 하는 평가 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 계측 공정 및 상기 제2 계측 공정은, 상기 노광 공정을 실행한 노광 장치를 사용해서 실시되는
    것을 특징으로 하는 평가 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 계측 공정 및 상기 제2 계측 공정은, 중첩 오차를 검사하기 위한 검사 장치를 사용해서 실시되는
    것을 특징으로 하는 평가 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 결정 공정에서는, 상기 중첩 오차로부터 상기 스텝 이동 오차를 뺌으로써 상기 왜곡량을 구하는
    것을 특징으로 하는 평가 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 마크 형성 공정에서, 상기 제3 부분 마크 및 상기 제4 부분 마크가 서로 중첩해서 형성되는
    것을 특징으로 하는 평가 방법.
  6. 제1항에 있어서, 보정 대상의 노광 장치에 있어서, 상기 기준 기판에 대하여 공차 내에서 동일성을 갖는 제2 기준 기판을 노광하는 제2 노광 공정을 포함하고, 상기 제2 기준 기판에 제5 마크를 형성하는 제2 마크 형성 공정과,
    상기 제2 기준 기판의 기준 마크와 상기 제2 기준 기판에 형성된 상기 제5 마크의 어긋남양을 계측하는 제3 계측 공정과,
    상기 제3 계측 공정에서 얻어진 상기 어긋남양을 상기 결정 공정에서 결정된 상기 기준 기판의 왜곡량에 기초하여 보정함으로써 보정량을 구하는 보정량 결정 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 평가 방법.
  7. 제1항에 있어서, 보정 대상의 노광 장치에 있어서, 상기 기준 기판에 대하여 공차 내에서 동일성을 갖는 제2 기준 기판을 노광하는 제2 노광 공정을 포함하고, 상기 제2 기준 기판에 제5 마크를 형성하는 제2 마크 형성 공정과,
    상기 제2 기준 기판의 기준 마크와 상기 제2 기준 기판에 형성된 상기 제5 마크의 어긋남양을 계측하는 제3 계측 공정을 포함하고,
    상기 노광 공정에서는, 상기 결정 공정에서 결정된 상기 기준 기판의 왜곡량에 따른 왜곡을 갖는 패턴 영역이 상기 제2 기준 기판에 전사되도록 상기 보정 대상의 노광 장치의 제어 파라미터값을 조정하는
    것을 특징으로 하는 평가 방법.
  8. 제6항에 기재된 평가 방법에 의해 상기 보정 대상의 노광 장치의 보정량을 결정하는 보정량 결정 공정과,
    상기 보정량에 기초하여 상기 보정 대상의 노광 장치를 보정하고, 보정된 상기 노광 장치를 사용해서 기판을 처리하는 노광 공정
    을 포함하고, 상기 노광 공정을 거친 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
  9. 제7항에 기재된 평가 방법에 의해 상기 어긋남양을 결정하는 평가 공정과,
    상기 어긋남양에 기초하여 상기 보정 대상의 노광 장치를 보정하고, 보정된 상기 노광 장치를 사용해서 기판을 처리하는 노광 공정
    을 포함하고, 상기 노광 공정을 거친 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
  10. 각각이 기준 마크를 갖는 복수의 영역을 갖는 기준 기판을 평가하기 위한 처리를 컴퓨터에 실행시키기 위한, 컴퓨터 판독가능 기록 매체에 저장된 평가 프로그램이며, 상기 평가 프로그램은,
    노광 장치 및 레티클을 사용한 노광 공정을 포함하는 리소그래피 공정을 거친 상기 기준 기판에 관한 계측 결과를 취득하는 취득 공정과,
    상기 계측 결과에 기초하여 상기 기준 기판의 왜곡량을 결정하는 결정 공정을 포함하고,
    상기 레티클은, 제1 영역과 상기 제1 영역의 외측에 배치된 제2 영역을 갖고, 중첩 오차를 계측하기 위한 제1 마크가 상기 제1 영역에 배치되고, 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 계측하기 위한, 제1 부분 마크 및 제2 부분 마크를 포함하는 제2 마크가 상기 제2 영역에 배치되고,
    상기 노광 공정은, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동을 통하여, 상기 기준 기판의 상기 복수의 영역 중 제3 영역 및 제4 영역의 각각에 대해서 노광을 행하는 처리를 포함하고, 상기 리소그래피 공정에 의해, 상기 기준 기판 위에 상기 제1 마크에 대응하는 제3 마크 및 상기 제2 마크에 대응하는 제4 마크가 형성되고,
    상기 계측 결과는, 상기 기준 마크와 상기 제3 마크의 어긋남양에 관한 제1 정보와, 상기 제4 마크에 포함되는 제3 부분 마크와 제4 부분 마크의 어긋남양에 관한 제2 정보를 포함하고,
    상기 결정 공정은,
    상기 제1 정보에 기초하여 상기 기준 마크와 상기 제3 마크의 중첩 오차를 구하는 제1 공정과,
    상기 제2 정보에 기초하여 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 오차를 구하는 제2 공정과,
    상기 중첩 오차 및 상기 스텝 이동 오차에 기초하여 상기 기준 기판의 왜곡량을 구하는 제3 공정
    을 포함하고,
    상기 제3 부분 마크는 상기 제3 영역에 대해 노광이 행해지는 것에 의해 상기 제1 부분 마크에 대응하는 위치에 형성되고, 상기 제4 부분 마크는 상기 제4 영역에 대해 노광이 행해지는 것에 의해 상기 제2 부분 마크에 대응하는 위치에 형성되는
    것을 특징으로 하는, 컴퓨터 판독가능 기록 매체에 저장된 평가 프로그램.
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