JP2005064268A - 露光装置及びその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1のショットj,k,l,mと第2のショットiとが重畳された領域において、第1のショットj,kに含まれる中空箱型マークと第2のショットiに含まれる中実箱形マークとが重なり合うと同時に、第1のショットl,mに含まれる中実箱型マークと第2のショットiに含まれる中空箱形マークとが重なり合うことにより重ね合わせマーク26-33を形成する。そして、これら重ね合わせマーク26-33を全てのショットに関して計測し、ウエハ上に転写された全てのショットの相対的な位置誤差と姿勢誤差とを一括して演算する。
【選択図】 図6
Description
第2調整項目:ウエハステージのxy軸直交度調整
第3調整項目:ウエハステージのxy各軸の直線性調整
第4調整項目:ウエハステージのθ軸の安定性
特に、一括露光方式の露光装置の場合、これらの調整項目のうち、第3及び第4調整項目に関しては、本出願人が提案した方法、すなわち互いに隣接するショットの一部の領域が重畳するように露光、転写することにより形成される重ね合わせマークを計測し、これらの計測データを一括演算処理することで、ウエハステージのxy各軸の直線性とウエハステージのθ軸の安定性を計測し、これを補正していた(例えば、特許文献1参照)。
[態様1]
原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置であって、前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する4つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影手段と、前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測手段と、前記計測手段による計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出手段とを具備する。
上記態様1において、前記投影手段は、前記複数の領域の各重心が格子点に配列されるように前記ショットパターンを投影する。
上記態様2において、前記格子点の位置が行ごとにずれている。
上記態様1から3のいずれかにおいて、前記部分パターンは、前記ショットパターンの長手方向に平行な2本の直線の上に並ぶように形成されている。
上記態様1から4のいずれかにおいて、前記算出手段は、前記移動特性として、前記複数の領域及び前記重畳領域の各々の位置誤差及び回転誤差の少なくとも1つを算出する。
上記態様1から5のいずれかにおいて、前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動を制御する制御手段を具備する。
上記態様1から5のいずれかにおいて、前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動特性を補正する補正手段を具備する。
上記態様1から7のいずれかの露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置の使用方法であって、前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する4つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影工程と、前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測工程と、前記計測工程における計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出工程とを具備する。
上記態様9において、前記算出工程において得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージを移動させる。
先ず、本発明に係る第1の実施形態について説明する。
また、上記誤差が、ステージ直交度やスケール誤差と見分けられないことを考慮して、あえてステージ直交度やスケール誤差の演算では求めないようにしてもよい。
以上から、16Na+7個の連立方程式が構成される。
上記実施形態によれば、ウエハステージの移動特性として、xy各軸の直線性とθ軸の安定性とを高精度に計測できる。
本発明に係る第2の実施形態は、奇数行あるいは偶数行のショットについて、列方向(y方向)に移動する度に、ショットの中心位置を、図7及び図8のように重ね合わせマークの1ピッチ分だけ長辺に沿う方向(x方向)にずらした場合である。
また、本発明に係る第3の実施形態は、図9のようにショット内のマーク数を増加した場合である。
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図10は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク作製)では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
本発明の目的は、前述した実施形態の誤差演算及び誤差補正を用いた露光方法を実現するソフトウェアのプログラムを、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。その場合、上述のプログラムは、プログラムと同等の機能を有するプログラム以外のソフトウェアであってもよい。
2 演算処理部(演算手段)
3 補正処理部(補正手段)
4 照明光学系
5 マーク計測部(計測手段)
8 レチクル(原版)
9 投影レンズ(投影光学系)
10 ウエハ(基板)
11 ウエハステージ
12 レーザ干渉計反射鏡
13 レーザ干渉計反射鏡
14,15,16 レーザ干渉計
17 レチクル上の照射領域
18 ウエハ上の転写領域
19 中空箱型マーク
20 中実箱型マーク
21 任意の偶数行ショット
22,23,24,25 偶数行ショットと一部で重畳するショット
26,27,28,29,30,31,32,33 重畳した重ね合わせマーク
Claims (10)
- 原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置であって、
前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する4つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影手段と、
前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測手段と、
前記計測手段による計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出手段とを具備することを特徴とする露光装置。 - 前記投影手段は、前記複数の領域の各重心が格子点に配列されるように前記ショットパターンを投影することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記格子点の位置が行ごとにずれていることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記部分パターンは、前記ショットパターンの長手方向に平行な2本の直線の上に並ぶように形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記算出手段は、前記移動特性として、前記複数の領域及び前記重畳領域の各々の位置誤差及び回転誤差の少なくとも1つを算出することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動を制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動特性を補正する補正手段を具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
- 原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置の使用方法であって、
前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する4つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影工程と、
前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測工程と、
前記計測工程における計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出工程とを具備することを特徴とする露光装置の使用方法。 - 前記算出工程において得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージを移動させることを特徴とする請求項9に記載の露光装置の使用方法。
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---|---|
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Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007142328A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法、マスクおよび半導体装置 |
JP2009244831A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-10-22 | Hitachi Displays Ltd | マスクレス露光方法 |
JP2009259966A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Canon Inc | 計測方法、ステージ移動特性の調整方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010040551A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | 露光装置のアライメント方法 |
JP2010108967A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Toppan Printing Co Ltd | バーニア及び露光位置の測定方法 |
US7847184B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low modulus solar cell encapsulant sheets with enhanced stability and adhesion |
US7851694B2 (en) | 2006-07-21 | 2010-12-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Embossed high modulus encapsulant sheets for solar cells |
US7902452B2 (en) | 2004-06-17 | 2011-03-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer ionomer films for use as encapsulant layers for photovoltaic cell modules |
US8048520B2 (en) | 2007-11-16 | 2011-11-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer terionomer encapsulant layers and solar cell laminates comprising the same |
US8080726B2 (en) | 2007-04-30 | 2011-12-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell modules comprising compositionally distinct encapsulant layers |
US8080727B2 (en) | 2008-11-24 | 2011-12-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell modules comprising an encapsulant sheet of a blend of ethylene copolymers |
US8168885B2 (en) | 2007-02-12 | 2012-05-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Low modulus solar cell encapsulant sheets with enhanced stability and adhesion |
US8334033B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-12-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Ionomer compositions with low haze and high moisture resistance and articles comprising the same |
US8399096B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-03-19 | E I Du Pont De Nemours And Company | High-clarity ionomer compositions and articles comprising the same |
US8399082B2 (en) | 2008-12-30 | 2013-03-19 | E I Du Pont De Nemours And Company | High-clarity blended ionomer compositions and articles comprising the same |
US8637150B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-01-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multilayer acid terpolymer encapsulant layers and interlayers and laminates therefrom |
US8657993B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Articles such as safety laminates and solar cell modules containing high melt flow acid copolymer compositions |
US8691372B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-04-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Articles comprising high melt flow ionomeric compositions |
US8772624B2 (en) | 2006-07-28 | 2014-07-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell encapsulant layers with enhanced stability and adhesion |
US8835750B2 (en) | 2004-12-07 | 2014-09-16 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multilayer composite films and articles prepared therefrom |
KR20190073274A (ko) * | 2017-12-18 | 2019-06-26 | 캐논 가부시끼가이샤 | 계측 방법, 계측 장치, 노광 장치 및 물품 제조 방법 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4789194B2 (ja) * | 2006-05-01 | 2011-10-12 | 国立大学法人東京農工大学 | 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 |
EP2221692B1 (en) * | 2007-11-02 | 2016-07-27 | Makino Milling Machine Co. Ltd. | Numerically controlled machine tool and numerical control device |
US8339573B2 (en) * | 2009-05-27 | 2012-12-25 | 3M Innovative Properties Company | Method and apparatus for photoimaging a substrate |
JP5969848B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-08-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置、調整対象の調整量を求める方法、プログラム及びデバイスの製造方法 |
CN105954985A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-21 | 上海华力微电子有限公司 | 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543921A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method utilizing reliability weighting coefficients |
US5187521A (en) * | 1990-03-22 | 1993-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Multicolor image forming apparatus with color component discrimination function |
US5416562A (en) * | 1992-03-06 | 1995-05-16 | Nikon Corporation | Method of detecting a position and apparatus therefor |
JP3344426B2 (ja) | 1992-07-07 | 2002-11-11 | 株式会社ニコン | 計測方法及びデバイス製造方法 |
US5473435A (en) | 1992-07-07 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Method of measuring the bent shape of a movable mirror of an exposure apparatus |
JP3336649B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びその露光方法を含むデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス |
JPH0746415A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Ricoh Co Ltd | カラー画像処理方法 |
US5680230A (en) * | 1993-09-09 | 1997-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing method and apparatus thereof |
US5581359A (en) * | 1993-09-30 | 1996-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing apparatus and method |
JP3548205B2 (ja) * | 1993-10-29 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 画像処理方法およびその装置 |
US6213607B1 (en) * | 1994-02-14 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and field stop thereof |
JP3554019B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2004-08-11 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置及び方法 |
JP3673561B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 画像処理方法及び装置 |
JP3590821B2 (ja) | 1995-09-18 | 2004-11-17 | 株式会社ニコン | 移動鏡曲がりの計測方法、露光方法、及び露光装置 |
JP4250252B2 (ja) | 1999-04-16 | 2009-04-08 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置、投影露光方法、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2002134397A (ja) | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | フォトマスク、半導体装置、半導体チップパターンの露光方法、チップアライメント精度検査装置 |
US7292369B2 (en) * | 2000-12-28 | 2007-11-06 | Seiko Epson Corporation | Logo data generating method and system |
JP2003257843A (ja) | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Canon Inc | チップ配置決定装置及び方法 |
JP4201519B2 (ja) | 2002-04-01 | 2008-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | カチオン重合性接着剤組成物及び異方導電性接着剤組成物 |
JP3962648B2 (ja) | 2002-07-30 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | ディストーション計測方法と露光装置 |
JP2004363313A (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Nikon Corp | 位置ずれ計測方法および装置、並びに位置ずれ計測用レチクル |
-
2003
- 2003-08-13 JP JP2003292921A patent/JP3977302B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-06 US US10/912,097 patent/US7084957B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7902452B2 (en) | 2004-06-17 | 2011-03-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer ionomer films for use as encapsulant layers for photovoltaic cell modules |
US8835750B2 (en) | 2004-12-07 | 2014-09-16 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multilayer composite films and articles prepared therefrom |
JP2007142328A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法、マスクおよび半導体装置 |
US7851694B2 (en) | 2006-07-21 | 2010-12-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Embossed high modulus encapsulant sheets for solar cells |
US8772624B2 (en) | 2006-07-28 | 2014-07-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell encapsulant layers with enhanced stability and adhesion |
US7847184B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low modulus solar cell encapsulant sheets with enhanced stability and adhesion |
US8168885B2 (en) | 2007-02-12 | 2012-05-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Low modulus solar cell encapsulant sheets with enhanced stability and adhesion |
US8657993B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Articles such as safety laminates and solar cell modules containing high melt flow acid copolymer compositions |
US8691372B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-04-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Articles comprising high melt flow ionomeric compositions |
US8080726B2 (en) | 2007-04-30 | 2011-12-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell modules comprising compositionally distinct encapsulant layers |
US8637150B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-01-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multilayer acid terpolymer encapsulant layers and interlayers and laminates therefrom |
US8048520B2 (en) | 2007-11-16 | 2011-11-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer terionomer encapsulant layers and solar cell laminates comprising the same |
US8319094B2 (en) | 2007-11-16 | 2012-11-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multilayer terionomer encapsulant layers and solar cell laminates comprising the same |
JP2009244831A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-10-22 | Hitachi Displays Ltd | マスクレス露光方法 |
US8072579B2 (en) | 2008-04-15 | 2011-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method, adjustment method for stage movement characteristics, exposure method, and device manufacturing method |
JP2009259966A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Canon Inc | 計測方法、ステージ移動特性の調整方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
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