JPH08330204A

JPH08330204A - 露光方法

Info

Publication number: JPH08330204A
Application number: JP7130131A
Authority: JP
Inventors: Shoji Kawakubo; 昌治川久保
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-05-29
Filing date: 1995-05-29
Publication date: 1996-12-13
Anticipated expiration: 2020-02-02
Also published as: JP3617046B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ミックス・アンド・マッチ方式でクリティカ
ルレイヤとミドルレイヤとが混在するような基板に露光
を行う場合に、そのクリティカルレイヤのパターンとミ
ドルレイヤのパターンとの重ね合わせ精度を高める。【構成】ウエハＷ上のクリティカルレイヤ上にミドル
レイヤのショット領域ＳＢ１，ＳＢ２，…，ＳＢＮを露
光する。各ショット領域ＳＢｎ内にそれぞれ４つのクリ
ティカルレイヤのショット領域が含まれている。４つの
ショット領域ＳＢａ〜ＳＢｄを計測対象として、各ショ
ット領域ＳＢａ〜ＳＢｄ内で互いに同一の位置にある計
測点３２Ａ〜３２Ｄでそれぞれクリティカルレイヤのバ
ーニアマークとミドルレイヤのバーニアマークとの位置
ずれ量を計測し、この計測結果よりミドルレイヤの位置
合わせを行う際の座標変換パラメータの補正値を求め
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等を製造す
る際にマスクパターンを感光基板上に露光するための露
光方法に関し、特に例えば半導体メモリ等を製造する際
に使用されるイオン注入層のように、高い解像度を必要
としないミドルレイヤと呼ばれる層と、高い解像度を必
要とするクリティカルレイヤと呼ばれる層とに順番に露
光を行うフォトリソグラフィ工程に適用して好適なもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子、又は液晶表示素
子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程におい
て、縮小投影型露光装置（ステッパー等）が使用されて
いる。一般に、超ＬＳＩ等の半導体素子は、ウエハ上に
多数層のパターンが重ねて形成されるが、それらの層の
内、最も高い解像度が必要な層はクリティカルレイヤと
呼ばれている。これに対して、例えば半導体メモリ等を
製造する際に使用されるイオン注入層のように、高い解
像度を必要としない層はミドルレイヤと呼ばれている。
言い換えると、クリティカルレイヤで露光されるパター
ンの線幅に比べて、ミドルレイヤで露光されるパターン
の線幅は広くなっている。

【０００３】また、例えば最近の超ＬＳＩの製造工場で
は、製造工程のスループット（単位時間当りのウエハの
処理枚数）を高めるため、１種類の超ＬＳＩの製造プロ
セス中で異なる層間の露光を別々の露光装置を使い分け
て行うことが多くなって来ている。そこで、クリティカ
ルレイヤとミドルレイヤとの両方を有する超ＬＳＩを製
造する場合、クリティカルレイヤへの露光は例えば縮小
倍率が１／５倍程度の高い解像度を有する投影露光装置
で行い、ミドルレイヤへの露光は例えば縮小倍率が１／
２．５倍程度の比較的粗い解像度の投影露光装置で行う
という所謂ミックス・アンド・マッチ方式での露光が行
われることがある。

【０００４】このようにミックス・アンド・マッチ方式
で露光を行う場合でも、それまでに形成された各ショッ
ト領域内のチップパターンと、これから露光するレチク
ルのパターン像とを高精度に重ね合わせるためのアライ
メントが実行される。従来のアライメント方法の内で、
スループットが高く、且つ高い重ね合わせ精度の得られ
る方法として、例えば特開昭６１−４４４２９号公報で
開示されているエンハンスト・グローバル・アライメン
ト（以下、「ＥＧＡ」という）方式が知られている。こ
のＥＧＡ方式では、ウエハ上から予め選択された所定個
数のショット領域（サンプルショット）の配列座標を計
測することにより、全ショット領域の設計上の配列座標
からウエハステージが位置決めされるステージ座標系で
の配列座標を算出するための、例えば６個の座標変換パ
ラメータを求めている。

【０００５】しかしながら、例えばクリティカルレイヤ
上にミックス・アンド・マッチ方式でミドルレイヤのパ
ターンを露光する際には、使用する投影露光装置が異な
るため、ＥＧＡ方式で求めた座標変換パラメータ（以
下、「ＥＧＡパラメータ」とも呼ぶ）をそのまま使用す
ると、所定の重ね合わせ誤差が残存していることがあ
る。これは、ＥＧＡパラメータに残留誤差が残っている
ことを意味する。このような残留誤差の補正を行うた
め、従来は次のように重ね合わせ精度計測用マーク（以
下、「バーニアマーク」と呼ぶ）を用いてテストプリン
トによって重ね合わせ誤差の計測を行っていた。

【０００６】即ち、図１２（ａ）は、クリティカルレイ
ヤ露光用の投影露光装置によってバーニアマークの形成
されたウエハＷを示し、この図１２（ａ）において、ウ
エハＷ上で直交座標系（Ｘ，Ｙ）のＸ軸及びＹ軸に沿っ
てそれぞれ所定ピッチでショット領域ＳＡ１，ＳＡ２，
…，ＳＡＭ（Ｍは例えば１２以上の整数）が配列され、
各ショット領域ＳＡｍ（ｉ＝１〜Ｍ）内にそれぞれ位置
合わせ用マーク（ウエハマーク）、及び重ね合わせ精度
計測用のバーニアマークが形成されている。

【０００７】図１２（ｂ）はそのショット領域ＳＡｍ内
のマーク配置を示す拡大図であり、この図１２（ｂ）に
おいて、ショット領域ＳＡｍの＋Ｙ方向の端部にＸ方向
に所定ピッチのライン・アンド・スペースパターンより
なるＸ軸用のウエハマーク２１Ｘが形成され、ショット
領域ＳＡｍの＋Ｘ方向の端部にＹ方向に所定ピッチのラ
イン・アンド・スペースパターンよりなるＹ軸用のウエ
ハマーク２１Ｙが形成されている。これらウエハマーク
２１Ｘ，２１Ｙはそれぞれ撮像方式（ＦＩＡ方式）で検
出されるマークである。また、ショット領域ＳＡｍ内に
は十字型に分布する位置にバーニアマーク２２Ａ〜２２
Ｅが形成されている。バーニアマーク２２Ａ〜２２Ｅと
しては、一例として撮像方式（画像処理方式）で検出さ
れるボックス・イン・ボックスマークを使用している。

【０００８】次に、その図１２（ａ）のウエハＷ上にミ
ドルレイヤ用の投影露光装置を使用して所定のバーニア
マークを露光する。このためには、ウエハＷ上の各ショ
ット領域ＳＡｍのミドルレイヤの投影露光装置のステー
ジ座標系での配列座標を求める必要がある。そこで、各
ウエハマーク２１Ｘ，２１Ｙはそれぞれ対応するショッ
ト領域ＳＡｍの中心の座標を示すものとして、ショット
領域ＳＡｍ（ｍ＝１〜Ｍ）の中心のウエハＷ上の座標系
（試料座標系）での設計上の配列座標を（Ｄｘｎ，Ｄｙ
ｎ）として、ショット領域ＳＡｍのミドルレイヤの投影
露光装置のステージ座標系での計算上の配列座標を（Ｆ
ｘｎ，Ｆｙｎ）とする。この場合、ショット領域ＳＡｍ
の中心の設計上の配列座標のＸ成分Ｄｘｎ、及びＹ成分
Ｄｙｎは、それぞれ対応するウエハマーク２１ＸのＸ座
標、及びウエハマーク２１ＹのＹ座標であり、近似的に
次のように表すことができる。

【０００９】

【数１】

【００１０】この（数１）の変換行列はスケーリングＲ
ｘ，Ｒｙ、ローテーションθ、直交度ｗ、及びオフセッ
トＯｘ，Ｏｙよりなる６個の座標変換パラメータ（ＥＧ
Ａパラメータ）を要素としており、スケーリングＲｘ，
ＲｙはＸ方向及びＹ方向への線形伸縮、ローテーション
θは回転、直交度ｗはＸ軸とＹ軸との交差角の９０°か
らの誤差、オフセットＯｘ，ＯｙはＸ方向、及びＹ方向
へのシフト量を表している。次に、それら６個の座標変
換パラメータの値を定めるために、ミドルレイヤ用の投
影露光装置では、図１２（ａ）のウエハＷ上から選択さ
れた例えば１０個のショット領域（サンプルショット）
ＳＡａ，ＳＡｂ，ＳＡｃ，…，ＳＡｊに付設されたウエ
ハマーク２１Ｘ，２１Ｙのステージ座標系での配列座標
をそれぞれ計測する。それらサンプルショットＳＡａ〜
ＳＡｊは、ウエハＷの表面でほぼ正多角形の頂点位置、
又は一様にばらつきを持たせたランダムな位置に配置さ
れている。

【００１１】この際に、ｎ番目（ｎ＝１〜１０）に計測
されたウエハマーク２１Ｘ，２１Ｙのステージ座標系で
の配列座標の計測値、即ちｎ番目のサンプルショットの
中心の配列座標の計測値を（Ｍｘｎ，Ｍｙｎ）とする。
次に、それらウエハマーク２１Ｘ，２１Ｙの設計上の配
列座標（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）を（数１）の右辺に代入して
得られる計算上の配列座標値を（Ｆｘｎ，Ｆｙｎ）とし
て、この配列座標値（Ｆｘｎ，Ｆｙｎ）と実測値（Ｍｘ
ｎ，Ｍｙｎ）との誤差、即ちアライメント誤差（Ｅｘ
ｎ，Ｅｙｎ）（＝（Ｍｘｎ−Ｆｘｎ，Ｍｙｎ−Ｆｙ
ｎ））を求める。その後、全てのサンプルショットにつ
いて求めたアライメント誤差の自乗和、即ち残留誤差成
分が最小となるように、６個のＥＧＡパラメータの値を
決定する。

【００１２】計測されたサンプルショットの個数をＫ個
（図１２（ａ）ではＫ＝１０）とすると、その残留誤差
成分は次の（数２）で表される。一例として、その（数
２）を６個のＥＧＡパラメータで偏微分した結果をそれ
ぞれ０とおいた連立方程式を解くことにより、それら６
個のＥＧＡパラメータ（スケーリングＲｘ，Ｒｙ、ロー
テーションθ、直交度ｗ、オフセットＯｘ，Ｏｙ）の値
が求められる。

【００１３】

【数２】

【００１４】次に、そのようにして求められた６個のＥ
ＧＡパラメータと、ショット領域ＳＡｍ（ｍ＝１〜Ｍ）
の設計上の配列座標値（Ｄｘｍ，Ｄｙｍ）とを順次（数
１）の右辺に代入することにより、ウエハＷ上のクリテ
ィカルレイヤの各ショット領域ＳＡｍのステージ座標系
での配列座標値が求められる。ここで、クリティカルレ
イヤでの縮小倍率を１／５倍、ミドルレイヤでの縮小倍
率を１／２．５倍とする、即ちミドルレイヤの投影露光
装置の露光フィールドは、クリティカルレイヤの投影露
光装置の露光フィールドに対してＸ方向に２倍、且つＹ
方向に２倍の大きさを有しているものとすると、ミドル
レイヤの１つのショット領域内にそれぞれクリティカル
レイヤの４つのショット領域が含まれることとなる。

【００１５】そのため、ミドルレイヤの投影露光装置で
露光を行う際に、図１２（ａ）のクリティカルレイヤの
ショット領域ＳＡｍ（ｍ＝１〜Ｍ）をＸ方向及びＹ方向
に２×２個ずつの複数のブロックに分け、各ブロック内
の４個のショット領域の計算上の配列座標より各ブロッ
クの中心のステージ座標系での配列座標を求める。その
後、ウエハＷ上の各ブロックの中心の配列座標を順次ミ
ドルレイヤの投影露光装置の露光フィールドの中心に合
わせて、それぞれバーニアマークを含むミドルレイヤの
レチクルのパターン像を露光した後、そのウエハＷの現
像を行う。

【００１６】図１３（ａ）は、ミドルレイヤ用の投影露
光装置によって重ねてバーニアマークが形成されたウエ
ハＷを示し、この図１３（ａ）において、ウエハＷのＸ
軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ所定ピッチでミドルレイヤ
のショット領域ＳＢ１，ＳＢ２，…，ＳＢＮ（Ｎは例え
ば３以上の整数）が配列され、各ショット領域ＳＢｎ
（ｎ＝１〜Ｎ）内にそれぞれ４個のクリティカルレイヤ
のショット領域が含まれている。また、各ショット領域
ＳＢｎの中心６１は、対応する４個のクリティカルレイ
ヤのショット領域の中心にほぼ合致し、各ショット領域
ＳＢｎ内には、それぞれクリティカルレイヤの５個のバ
ーニアマーク２２Ａ〜２２Ｅ（図１２（ｂ）参照）に対
応して２０個（＝４×５個）のバーニアマークが形成さ
れている。

【００１７】ここで、斜線を施した４個のショット領域
ＳＢａ〜ＳＢｄを計測対象として、ショット領域ＳＢａ
〜ＳＢｄ内で例えばランダムに選択された計測点６２〜
６５で、それぞれクリティカルレイヤのバーニアマーク
とミドルレイヤのバーニアマークとの位置ずれ量を計測
する。図１３（ｂ）は、それらの内のショット領域ＳＢ
ａを示し、この図１３（ｂ）において、ミドルレイヤの
ショット領域ＳＢａの下の４個のクリティカルレイヤの
ショット領域ＳＡｐ，ＳＡ(p+1) ，ＳＡｑ，ＳＡ(q+1)
に属するバーニアマークを囲むようにそれぞれ、ミドル
レイヤのバーニアマーク２４Ａ〜２４Ｅ，２６Ａ〜２６
Ｅ，２８Ａ〜２８Ｅ，３０Ａ〜３０Ｅが形成されてい
る。従って、ショット領域ＳＢａ内の計測点６２では、
ショット領域ＳＡ(p+1) のバーニアマーク２２Ｃとミド
ルレイヤのバーニアマーク２６ＣとのＸ方向、又はＹ方
向への位置ずれ量が計測される。同様に、各計測点６３
〜６５での２つのバーニアマークの位置ずれ量が計測さ
れる。

【００１８】その結果、図１３（ａ）の全部の計測点６
２〜６５において、例えばクリティカルレイヤのバーニ
アマークが全てミドルレイヤのバーニアマークに対して
Ｘ方向に所定量δＸだけずれているときには、ＥＧＡパ
ラメータの内のＸ軸のオフセットＯｘに残留誤差δＸの
あることが分かる。従って、この残留誤差を予め装置定
数としてミドルレイヤの投影露光装置の制御系に記憶し
ておき、アライメント結果の補正を行うことにより、ク
リティカルレイヤ上に高い重ね合わせ精度でミドルレイ
ヤのパターンを露光できるようになる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、クリテ
ィカルレイヤのバーニアマークとミドルレイヤのバーニ
アマークとの位置ずれ量を計測することにより、ＥＧＡ
パラメータの残留誤差を補正することができる。しかし
ながら、従来は図１３（ａ）の計測点６２〜６５で示す
ように、特にクリティカルレイヤのバーニアマークとミ
ドルレイヤのバーニアマークとの位置ずれ量を計測する
ための計測点の配列についての考慮はなされていなかっ
た。そのため、例えばミドルレイヤの投影像に倍率誤差
がある場合、又はミドルレイヤの投影像に回転誤差があ
る場合等には、誤ってその倍率誤差又は回転誤差等をＥ
ＧＡパラメータの残留誤差と判断する恐れがあった。

【００２０】これについて具体的に説明すると、先ず図
１４（ａ）は、ミドルレイヤのショット領域ＳＢａが、
倍率誤差のない場合の投影像６６に対して拡大気味とな
っている状態を示し、この図１４（ａ）において、ショ
ット領域ＳＢａの第１象限（クリティカルレイヤのショ
ット領域ＳＡ(p+1))の右端中央部では、クリティカルレ
イヤのバーニアマーク２２Ｃに対してミドルレイヤのバ
ーニアマーク２６ＣがＸ方向、及びＹ方向にそれぞれΔ
ｘ１及びΔｙ１だけずれている。一方、第２象限（ショ
ット領域ＳＡｐ）の右端中央部では、クリティカルレイ
ヤのバーニアマーク２２Ｃに対してミドルレイヤのバー
ニアマーク２４Ｃは、Ｙ方向にはほぼΔｙ１程度ずれて
いるが、Ｘ方向へのずれ量は無視できる程度である。同
様に、第３象限（ショット領域ＳＡｑ）、及び第４象限
（ショット領域ＳＡ(q+1))では２つのバーニアマークが
それぞれ第２象限、及び第１象限と対称に位置ずれして
いる。

【００２１】このような倍率誤差が生じている場合、図
１３（ａ）において、ショット領域ＳＢｄの第１象限の
計測点６５とショット領域ＳＢｂの第２象限の計測点６
３とで２つのバーニアマークのＸ方向への位置ずれ量を
計測すると、それぞれΔｘ１及び０となる。従って、単
純にこられの位置ずれ量を処理して（数１）のＥＧＡパ
ラメータの残留誤差を求めると、Ｘ方向へのスケーリン
グＲｘとオフセットＯｘとにそれぞれ所定の誤差が残る
ことになる。

【００２２】また、図１３（ａ）において、ショット領
域ＳＢａの第１象限の計測点６２とショット領域ＳＢｃ
の第２象限の計測点６４とで２つのバーニアマークのＸ
方向への位置ずれ量を計測すると、それぞれΔｘ１及び
０となる。従って、単純にこられの位置ずれ量を処理し
て（数１）のＥＧＡパラメータの残留誤差を求めると、
直交度ｗとＸ方向へのオフセットＯｘとにそれぞれ所定
の誤差が残ることになる。即ち、ミドルレイヤの計測対
象とするショット領域で異なる列のクリティカルレイヤ
上の計測点でバーニアマークのＸ方向への位置ずれ量を
計測すると、ミドルレイヤの倍率誤差をＥＧＡパラメー
タの残留誤差（線形誤差）と誤認することとなる。これ
は２つのバーニアマークのＹ方向への位置ずれ量を計測
する場合にも生ずる。

【００２３】一方、図１４（ｂ）は、ミドルレイヤのシ
ョット領域ＳＢａが、誤差のない場合の投影像６６に対
して反時計回りに回転している（ショット回転誤差のあ
る）状態を示し、この図１４（ｂ）において、ショット
領域ＳＢａの第１象限の右端中央部では、バーニアマー
ク２２Ｃに対してバーニアマーク２６Ｃが、Ｘ方向及び
Ｙ方向にそれぞれ−Δｘ２及びΔｙ２だけずれている。
また、第２象限の右端中央部では、バーニアマーク２２
Ｃに対してバーニアマーク２４Ｃは、Ｘ方向にはほぼ−
Δｘ３程度ずれているが、Ｙ方向へのずれ量は無視でき
る程度である。同様に、第３象限及び第４象限でも２つ
のバーニアマークがそれぞれ第２象限、及び第１象限と
対称に位置ずれしている。

【００２４】このようなミドルレイヤの回転誤差が生じ
ている場合、図１３（ａ）において、ショット領域ＳＢ
ｄの第１象限の計測点６５とショット領域ＳＢｂの第２
象限の計測点６３とで２つのバーニアマークのＸ方向へ
の位置ずれ量を計測すると、それぞれ−Δｘ２及び−Δ
ｘ３となる。従って、単純にこられの位置ずれ量を処理
すると、（数１）のＥＧＡパラメータ内でオフセットＯ
ｘ以外のパラメータにも残留誤差が残る。同様に計測点
６５と計測点６３とで２つのバーニアマークについてＹ
方向への位置ずれ量を計測しても、オフセットＯｙ以外
のパラメータにも残留誤差が残る。従って、クリティカ
ルレイヤのバーニアマークとミドルレイヤのバーニアマ
ークとの位置ずれ量を計測する場合に、計測対象とする
ミドルレイヤ内の計測点の位置の選択によって、ミドル
レイヤのショット領域の単なる倍率誤差、又は回転誤差
をＥＧＡパラメータ内のオフセット以外のパラメータの
残留誤差と誤認する恐れのあることが分かる。

【００２５】また、例えばクリティカルレイヤのショッ
ト領域（チップパターン）に倍率誤差、又は回転誤差
（チップローテーション）等が存在する場合にも、バー
ニアマークの位置ずれ量を計測する計測点の選択方法に
よっては、ＥＧＡパラメータ内のオフセット以外のパラ
メータの残留誤差と誤認する恐れがある。本発明は斯か
る点に鑑み、ミックス・アンド・マッチ方式でクリティ
カルレイヤとミドルレイヤとが混在するような基板に露
光を行う場合に、そのクリティカルレイヤのパターンと
ミドルレイヤのパターンとの重ね合わせ精度を高めるこ
とができる露光方法を提供することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明による露光方法
は、例えば図１〜図３に示すように、露光対象とする感
光基板（Ｗ）上で所定の大きさの第１の露光フィールド
（４Ａ）を有する第１の露光装置（１Ａ）と、その第１
の露光フィールドに対して直交する第１、及び第２の方
向に対してそれぞれＭ₁/Ｎ₁倍（Ｍ₁,Ｎ₁はＭ₁＞Ｎ₁
なる整数）、及びＭ₂/Ｎ₂倍（Ｍ₂,Ｎ₂はＭ₂≧Ｎ₂な
る整数）の大きさの第２の露光フィールド（４Ｂ）を有
する第２の露光装置（１Ｂ）とを用いて、感光基板
（Ｗ）上にマスクパターンを重ねて露光する露光方法に
おいて、第１の露光装置（１Ａ）を用いて、位置合わせ
用マーク及び第１の重ね合わせ精度計測用マークの形成
された第１のマスクパターン（２Ａ）を、第１の露光フ
ィールド（４Ａ）を単位として感光基板（Ｗ）上でその
第１の方向（Ｘ方向）及び第２の方向（Ｙ方向）に並べ
て順次露光する第１工程を有する。

【００２７】更に本発明は、第２の露光装置（１Ｂ）を
用いて、第２の重ね合わせ精度計測用マークの形成され
た第２のマスクパターン（２Ｂ）を、その第１工程で感
光基板（Ｗ）上に露光された複数の第１のマスクパター
ン（２Ａ）の像（ＳＡ１，ＳＡ２，…，ＳＡＭ）の上
に、その位置合わせ用マークの像（２１Ｘ，２１Ｙ）の
位置を基準として第２の露光フィールド（４Ｂ）を単位
として感光基板（Ｗ）上でその第１の方向及び第２の方
向に並べて露光する第２工程と、感光基板（Ｗ）上でそ
の第１の方向に第２の露光フィールド（４Ｂ）の幅のＮ
₁倍、且つその第２の方向に第２の露光フィールド（４
Ｂ）の幅のＮ₂倍の大きさの領域を単位として、感光基
板（Ｗ）上の露光領域を複数の基準計測領域（ＳＢ１，
ＳＢ２，…，ＳＢＮ）に分割し、これら複数の基準計測
領域から選択された所定個数の基準計測領域（ＳＢａ，
ＳＢｂ，ＳＢｃ，ＳＢｄ）内で互いに同じ位置にあるそ
の第１の重ね合わせ精度計測用マークの像（２２Ｃ）と
その第２の重ね合わせ精度計測用マークの像（２６Ｃ）
との位置ずれ量を計測し、このように計測された位置ず
れ量に基づいて第２の露光装置（１Ｂ）で第１の露光装
置（１Ａ）により露光されたその位置合わせ用マークの
像（２１Ｘ，２１Ｙ）の位置を検出する際の補正値を求
める第３工程とを有し、その後第１の露光装置（１Ａ）
で露光された感光基板（Ｗ）上に第２の露光装置（１
Ｂ）を用いて重ね合わせ露光する際に、その第３工程で
求めた補正値を用いて露光位置の補正を行うものであ
る。

【００２８】この場合、第２の露光装置（１Ｂ）はその
位置合わせ用マークの像（２１Ｘ，２１Ｙ）に基づいて
所定の座標変換用のパラメータ（ＥＧＡパラメータ）を
用いて露光位置を算出し、その第３工程において、その
座標変換用のパラメータの補正値を求めることが望まし
い。

【００２９】

【作用】斯かる本発明によれば、第１の露光フィールド
（４Ａ）より第２の露光フィールド（４Ｂ）の方が大き
いため、第１の露光装置（１Ａ）は例えばクリティカル
レイヤの露光に使用され、第２の露光装置（１Ｂ）は例
えばミドルレイヤの露光に使用される。そして、第１の
露光フィールド（４Ａ）に対して第２の露光フィールド
（４Ｂ）が第１及び第２の方向にそれぞれＭ₁/Ｎ₁倍、
及びＭ₂/Ｎ₂倍であるため、図２（ａ）に示すように、
第１の露光装置で露光された第１のマスクパターンの像
（ＳＡｍ）の第１及び第２の方向への幅をそれぞれｄ及
びｃとすると、図３（ａ）に示すように、第２の露光装
置で露光される第２のマスクパターンの像（ＳＢｎ）の
第１及び第２の方向への幅はそれぞれｄＭ₁/Ｎ₁、及び
ｃＭ ₂/Ｎ₂となる。

【００３０】ここで、整数Ｍ₁と整数Ｎ₁との間には１
以外の公約数がなく、且つ整数Ｍ₂と整数Ｎ₂との間に
も１以外の公約数がないものとすると、感光基板（Ｗ）
上で第１のマスクパターンの像と第２のマスクパターン
の像との最小公倍数的な大きさの領域は、第１の方向へ
の幅がｄＭ₁で、且つ第２の方向への幅がｃＭ₂の領
域、即ち第１及び第２の方向に対して第２の露光フィー
ルド（４Ｂ）の幅のそれぞれＮ₁倍及びＮ₂倍の大きさ
の基準計測領域となる。このような基準計測領域内に
は、それぞれ第１のマスクパターンの像（ＳＡｍ）及び
第２のマスクパターンの像（ＳＢｎ）が第１及び第２の
方向に整数個含まれる。

【００３１】例えば、図３（ａ）の場合には、具体的に
Ｍ₁=２，Ｎ₁=１，Ｍ₂=２，Ｎ₂=１であるため、第２のマ
スクパターンの像（ＳＢｎ）そのものがその基準計測領
域となる。この場合、本発明では第１の基準計測領域
（ＳＢａ）で右上部の計測点（３２Ａ）で２つの位置合
わせ用マークの像（バーニアマーク）の位置ずれ量を計
測するものとすると、第２〜第４の基準計測領域（ＳＢ
ｂ〜ＳＢｄ）でも右上部の計測点（３２Ｂ〜３２Ｄ）で
それぞれ２つの位置合わせ用マークの像（バーニアマー
ク）の位置ずれ量を計測する。これにより、第２の露光
フィールド（４Ｂ）の倍率誤差、又は回転誤差は、計測
される全ての位置ずれ量に対してほぼ等しく混入する。
従って、第２の露光フィールド（４Ｂ）の倍率誤差、又
は回転誤差を第１のマスクパターンの像（ＳＡｍ）と第
２のマスクパターンの像（ＳＢｎ）との位置ずれ量の内
のオフセット成分以外の誤差成分であると誤認すること
がなくなるため、重ね合わせ精度が向上する。

【００３２】この場合、第２の露光装置（１Ｂ）で露光
を行う際のアライメント方法として、例えばＥＧＡ方式
のような座標変換用のパラメータを用いる方法を使用し
た場合、本発明によれば第２の露光フィールド（４Ｂ）
の倍率誤差、又は回転誤差をオフセット以外の座標変換
パラメータと誤認することがなくなる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明による露光方法の一実施例につ
き図１〜図６を参照して説明する。この実施例では、２
台の露光装置として、それぞれステップ・アンド・リピ
ート方式でウエハ上の各ショット領域にそれぞれレチク
ルのパターンの縮小像を投影する投影露光装置（ステッ
パー）を使用する。

【００３４】図１は、本実施例の露光システムを示し、
この図１において、露光フィールドの小さなステッパー
（以下、「ファインステッパー」と呼ぶ）１Ａと、露光
フィールドの大きなステッパー（以下、「ミドルステッ
パー」と呼ぶ）１Ｂとが設置されている。本実施例で
は、ファインステッパー１Ａは高解像度、ミドルステッ
パー１Ｂは低解像度であり、ファインステッパー１Ａを
用いて、ウエハ上のクリティカルレイヤへの露光を行
い、ミドルステッパー１Ｂを用いて、ウエハ上のミドル
レイヤへの露光を行う。但し、製造する半導体素子の種
類等に応じて、ファインステッパー１Ａを低解像度とし
たり、又はミドルステッパー１Ｂを高解像度とする場合
も有り得る。

【００３５】先ずファインステッパー１Ａにおいて、レ
チクルＲＡ上のパターン領域２Ａが不図示の照明光学系
からの露光光により照明され、パターン領域２Ａ内に所
定の配列で描画された重ね合わせ精度計測用のマーク
（バーニアマーク）の原画パターンが投影光学系３Ａに
より１／５倍に縮小されて、ウエハＷ上の矩形の露光フ
ィールド４Ａに投影露光される。投影光学系３Ａの光軸
に平行にＺ１軸を取り、Ｚ１軸に垂直な平面の直交座標
をＸ１軸及びＹ１軸とする。レチクルＲＡ上のパターン
領域２ＡのＹ１方向の端部（例えば遮光帯の中）、及び
Ｘ１方向の端部にはそれぞれＸ１軸用のアライメントマ
ーク１７Ｘ、及びＹ１軸用のアライメントマーク１７Ｙ
が形成されている。

【００３６】ウエハＷはウエハステージ５Ａ上に保持さ
れ、ウエハステージ５Ａは、Ｚ１軸方向にウエハＷの露
光面をベストフォーカス位置に設定するＺステージ、並
びにＸ１軸及びＹ１軸方向にウエハＷを位置決めするＸ
Ｙステージ等から構成されている。ウエハステージ５Ａ
上には直交するように２枚の移動鏡６Ａ及び８Ａが固定
され、外部に設置されたレーザ干渉計７Ａ及び移動鏡６
Ａによりウエハステージ５ＡのＸ１方向の座標が計測さ
れ、外部に設置されたレーザ干渉計９Ａ及び移動鏡８Ａ
によりウエハステージ５ＡのＹ１方向の座標が計測され
ている。レーザ干渉計７Ａ及び９Ａにより計測された座
標は、装置全体の動作を統轄制御する制御装置１０Ａに
供給され、制御装置１０Ａは、不図示の駆動部を介して
ウエハステージ５ＡをＸ１方向及びＹ１方向にステッピ
ング駆動することにより、ウエハＷの位置決めを行う。
この場合、ウエハＷのステッピング駆動は、ウエハＷの
露光面に設定されたショット領域（パターン領域２Ａの
パターン像が投影露光される単位となる領域）の配列、
即ちクリティカルレイヤ用のショットマップに従って行
われ、このショットマップは制御装置１０Ａ内のコンピ
ュータよりなるマップ作成部により作成される。

【００３７】本実施例のファインステッパー１Ａには、
オフ・アクシス方式で且つ撮像方式（ＦＩＡ方式）のア
ライメント系１１Ａが備えられている。アライメント系
１１Ａでは、ウエハＷ上の位置合わせ用のマーク（ウエ
ハマーク）、又は重ね合わせ精度計測用のバーニアマー
クを撮像し、得られる撮像信号を処理してそのマークの
Ｘ１座標、及びＹ１座標を検出する。検出された座標は
制御装置１０Ａに供給される。

【００３８】なお、アライメント系としては、ＴＴＲ
（スルー・ザ・レンズ）方式のアライメント系、又は投
影光学系３Ａを介してマークの位置を検出するＴＴＬ
（スルー・ザ・レンズ）方式のアライメント系等を使用
してもよく、マークの検出方式としては、スリット状の
レーザビームとマークとを相対走査するレーザ・ステッ
プ・アライメント方式（ＬＳＡ方式）、又は２光束を回
折格子状のマークに照射して平行に発生する１対の回折
光の干渉信号から位置検出を行う所謂２光束干渉方式等
を使用してもよい。

【００３９】次に、本例のミドルステッパー１Ｂは、上
述のファインステッパー１Ａとほぼ同様な構成である
が、レチクルＲＢのパターン領域２Ｂのパターン像は、
投影光学系３Ｂを介して１／２．５倍に縮小されて、ウ
エハステージ５Ｂ上に保持されたウエハＷ上の矩形の露
光フィールド４Ｂに投影露光される。従って、露光フィ
ールド４Ｂの大きさは、ファインステッパー１Ａの露光
フィールド４Ａに対して縦横方向にそれぞれ２倍となっ
ている。投影光学系３Ｂの光軸に平行にＺ２軸を取り、
Ｚ２軸に垂直な平面の直交座標系をＸ２軸及びＹ２軸と
する。レチクルＲＢはＸ２方向に２列、及びＹ２方向に
２行の部分パターン領域１８Ａ〜１８Ｄに分割され、こ
れら部分パターン領域１８Ａ〜１８Ｄ内にはそれぞれ同
一の配置でバーニアマークの原画パターンが形成されて
いる。

【００４０】ミドルステッパー１Ｂのウエハステージ５
ＢのＸ２座標は、移動鏡６Ｂ及びレーザ干渉計７Ｂによ
り計測され、ウエハステージ５ＢのＹ２座標は、移動鏡
８Ｂ及びレーザ干渉計９Ｂにより計測され、それら計測
された座標が制御装置１０Ｂに供給されている。制御装
置１０Ｂがウエハステージ５Ｂのステッピング駆動を制
御する。ウエハステージ５Ｂのステッピング駆動は、ウ
エハＷの露光面に設定されたショット領域（パターン領
域２Ｂのパターン像がそれぞれ投影露光される領域）の
配列、即ちミドルレイヤ用のショットマップに従って行
われ、このショットマップは制御装置１０Ｂ内のコンピ
ュータよりなるマップ作成部により作成される。

【００４１】この場合、制御装置１０Ａ内のマップ作成
部と、制御装置１０Ｂ内のマップ作成部とは互いに作成
したショットマップ情報を供給する機能を有している。
そして、例えばクリティカルレイヤ上にミドルレイヤの
露光を行うときには、ファインステッパー１Ａに備えら
れた制御装置１０Ａ内のマップ作成部で作成されたクリ
ティカルレイヤ用のショットマップ情報が、制御装置１
０Ａ内の通信部から制御装置１０Ｂ内の通信部に送信さ
れ、制御装置１０Ｂ内のマップ作成部は、供給されたシ
ョットマップ情報に基づいてミドルレイヤ用のショット
マップを作成する。逆に、ミドルレイヤ上にクリティカ
ルレイヤの露光を行う際には、制御装置１０Ｂ内のマッ
プ作成部で作成されたミドルレイヤのショットマップ情
報が制御装置１０Ａ内のマップ作成部に供給される。

【００４２】また、ミドルステッパー１Ｂにおいて、オ
フ・アクシス方式で且つ撮像方式（ＦＩＡ方式）のアラ
イメント系１１Ｂが投影光学系３Ｂの側面に設けられ、
このアライメント系１１ＢによりウエハＷ上のウエハマ
ーク又はバーニアマークのＸ２座標及びＹ２座標が検出
される。次に、本実施例においてファインステッパー１
Ａでクリティカルレイヤのパターンの露光を行った後、
ミドルステッパー１Ｂでミドルレイヤのパターンの露光
を行う際の、アライメント用の座標変換パラメータの補
正動作の一例につき第１工程から第３工程に分けて説明
する。これに関して、本実施例でもアライメント方法と
して、（数１）の６個の座標変換パラメータ（スケーリ
ングＲｘ，Ｒｙ、ローテーションθ、直交度ｗ、及びオ
フセットＯｘ，Ｏｙ）の値を決定して、これらの座標変
換パラメータと設計上の配列座標とから各ショット領域
の配列座標を算出するＥＧＡ（エンハンスト・グローバ
ル・アライメント）方式のアライメント方法を使用す
る。

【００４３】［第１工程］この第１工程では、図１のフ
ァインステッパー１Ａのウエハステージ５Ａ上にフォト
レジストが塗布された未露光のウエハＷを載置して、ウ
エハＷ上で露光フィールド４Ａを単位として配列された
多数のショット領域に、順次ステップ・アンド・リピー
ト方式でレチクルＲＡのパターンの縮小像を露光する。
レチクルＲＡには、１対のアライメントマークの他に所
定配列の複数のバーニアマークの原画パターンが形成さ
れている。その後、そのウエハＷの現像を行ってその１
対のアライメントマークを凹凸のウエハマークとして現
出させ、且つそれら複数のバーニアマークの原画パター
ンを凹凸のバーニアマークとして現出させる。この現像
後のパターンをウエハＷ上のクリティカルレイヤのパタ
ーンとみなすことができる。但し、現像を行うことな
く、ウエハＷ上の潜像のままで以後のアライメントや、
２つのバーニアマークの位置ずれ量の計測等を行うよう
にしてもよい。

【００４４】［第２工程］第１工程でウエハマーク及び
バーニアマークの形成されたウエハＷ上にフォトレジス
トを塗布し、このウエハＷを図１のミドルステッパー１
Ｂのウエハステージ５Ｂ上に載置する。この際に、ファ
インステッパー１Ａの制御装置１０Ａから、第１工程で
使用されたクリティカルレイヤのショットマップの情報
がミドルステッパー１Ｂの制御装置１０Ｂに供給されて
いる。これにより制御装置１０Ｂでは、クリティカルレ
イヤのウエハマークのウエハＷ上での設計上の配列座標
を求めることができる。

【００４５】図２（ａ）は、そのウエハステージ５Ｂ上
に載置されたウエハＷを示し、この図２（ａ）におい
て、ミドルステッパー１ＢのＸ２軸、及びＹ２軸を改め
てそれぞれＸ軸、及びＹ軸として表してある。この場
合、ウエハＷは不図示のプリアライメント機構により大
まかな位置合わせがしてあり、ウエハＷの表面はほぼＸ
方向、及びＹ方向に沿ってＭ個（Ｍは１２以上の整数）
のクリティカルレイヤのショット領域ＳＡ１，ＳＡ２，
…，ＳＡＭに分割されている。実際には各ショット領域
ＳＡｍ（ｍ＝１〜Ｍ）間には所定幅のスクライブライン
領域があるが、それは図示省略してある。また、そのス
クライブライン領域を含めて各ショット領域ＳＡｍのＸ
方向の幅（ピッチ）はｄ、Ｙ方向の幅（ピッチ）はｃで
あり、本例では各ショット領域ＳＡｍはほぼ正方形（ｄ
≒ｃ）である。

【００４６】図２（ｂ）はショット領域ＳＡｍを代表的
に示し、この図２（ｂ）において、ショット領域ＳＡｍ
の端部にはそれぞれＸ軸用のウエハマーク２１Ｘ、及び
Ｙ軸用のウエハマーク２１Ｙが形成され、ショット領域
ＳＡｍの内部には十字型に分布する５個のバーニアマー
ク２２Ａ〜２２Ｅ、及びそのショット領域の４隅付近に
分布する４個のバーニアマーク２３Ａ〜２３Ｄが形成さ
れている。図２（ｂ）のように分布するマークの原画パ
ターンが、図１のファインステッパー１ＡのレチクルＲ
Ａのパターン領域に形成されている。

【００４７】なお、本例で使用されるバーニアマーク２
２Ａ〜２２Ｅ，２３Ａ〜２３Ｄはそれぞれ、図１のアラ
イメント系１１Ｂにより撮像方式で検出される２次元の
ボックス・イン・ボックスマークであるが、バーニアマ
ークとして例えば１次元のライン・アンド・スペースパ
ターンを２つ直交するように組み合わせたマーク、又は
ウエハマーク２１Ｘ，２１Ｙそのものを使用してもよ
い。また、バーニアマークとして例えばレーザ・ステッ
プ・アライメント（ＬＳＡ）方式で検出されるマーク等
を使用してもよく、更にバーニアマークの分布は、図２
（ｂ）以外の分布でもよい。

【００４８】次に、図１のミドルステッパー１Ｂの制御
装置１０ＢはＥＧＡ方式でアライメントを行う。そのた
め、制御装置１０Ｂは、クリティカルレイヤのショット
マップに従ってウエハステージ５Ｂを駆動して、アライ
メント系１１Ｂの観察視野を順次移動させることによ
り、図２（ａ）において、ウエハＷ上から選択された例
えば１０個のショット領域（サンプルショット）ＳＡ
ａ，ＳＡｂ，ＳＡｃ，…，ＳＡｊに付設されたウエハマ
ーク２１Ｘ，２１Ｙの、ステージ座標系（ミドルステッ
パー１Ｂのレーザ干渉計７Ｂ，９Ｂの計測値により定ま
る座標系）での配列座標（Ｍｘｎ，Ｍｙｎ）をそれぞれ
計測する。そして、各サンプルショットのウエハマーク
２１Ｘ，２１Ｙの設計上の配列座標（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）
から計算される配列座標値と実測値（Ｍｘｎ，Ｍｙｎ）
とのアライメント誤差の（数２）で表される残留誤差成
分が最小となるように、（数１）の６個のＥＧＡパラメ
ータ（スケーリングＲｘ，Ｒｙ、ローテーションθ、直
交度ｗ、オフセットＯｘ，Ｏｙ）の値を決定する。

【００４９】次に、制御装置１０Ｂは、それら６個のＥ
ＧＡパラメータと、ショット領域ＳＡｍ（ｍ＝１〜Ｍ）
の設計上の配列座標値（Ｄｘｍ，Ｄｙｍ）とを順次（数
１）の右辺に代入することにより、ウエハＷ上のクリテ
ィカルレイヤの各ショット領域ＳＡｍのステージ座標系
での配列座標値を求める。ここで、ミドルステッパー１
Ｂの露光フィールド４Ｂは、ファインステッパー１Ａの
露光フィールド４Ａに対してＸ方向に２倍、且つＹ方向
に２倍の大きさであるため、制御装置１０Ｂは、図２
（ａ）のショット領域ＳＡｍ（ｍ＝１〜Ｍ）をＸ方向及
びＹ方向にそれぞれ２個ずつの複数のブロックに分け、
各ブロック内の４個のショット領域の計算上の配列座標
より各ブロックの中心のステージ座標系での配列座標を
求める。その後、制御装置１０Ｂは、ウエハＷ上の各ブ
ロックの中心の配列座標を順次露光フィールド４Ｂの中
心に合わせて、それぞれレチクルＲＢに形成されたバー
ニアマークの原画パターン像を露光する。その後、現像
を行うことにより、ウエハＷ上のクリティカルレイヤの
バーニアマーク上にミドルレイヤのバーニアマークが現
出する。なお、既に説明したように潜像のままで以下の
計測を行ってもよい。

【００５０】［第３工程］この第３工程では、クリティ
カルレイヤのバーニアマークとミドルレイヤのバーニア
マークとの位置ずれ量を計測する。そのため、第２工程
で現像が行われたウエハＷを例えば図１のミドルステッ
パー１Ｂのウエハステージ５Ｂ上に載置して、アライメ
ント系１１Ｂにより２層のバーニアマークの位置ずれ量
を計測する。但し、２層のバーニアマークの位置ずれ量
は、別の高精度な計測装置で計測してもよい。

【００５１】図３（ａ）は、第２工程によって重ねてバ
ーニアマークが形成されたウエハＷを示し、この図３
（ａ）において、Ｘ軸及びＹ軸に沿ってウエハＷ上にそ
れぞれピッチ２ｄ、及びピッチ２ｃでミドルレイヤのシ
ョット領域ＳＢ１，ＳＢ２，…，ＳＢＮ（Ｎは４以上の
整数）が配列され、各ショット領域ＳＢｎ（ｎ＝１〜
Ｎ）内にそれぞれ４個の図２（ａ）のクリティカルレイ
ヤのショット領域ＳＡｍが含まれている。なお、ミドル
レイヤの各ショット領域ＳＢｎに倍率誤差が存在する場
合には、各ショット領域ＳＢｎのＸ方向及びＹ方向の幅
はそれぞれ２ｄ及び２ｃから僅かにずれている。また、
各ショット領域ＳＢｎの中心６１は、対応する４個のク
リティカルレイヤのショット領域の中心にほぼ合致し、
各ショット領域ＳＢｎ内には、それぞれクリティカルレ
イヤのショット領域ＳＡｍ内の９個のバーニアマーク２
２Ａ〜２２Ｅ，２３Ａ〜２３Ｄ（図２（ｂ）参照）に対
応して３６個（＝４×９個）のバーニアマークが形成さ
れている。

【００５２】ここで、クリティカルレイヤのショット領
域ＳＡｍに対してミドルレイヤのショット領域ＳＢｎの
大きさが、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれＭ₁/Ｎ₁倍、及
びＭ ₂/Ｎ₂倍とすると、本例ではＭ₁/Ｎ₁＝２／１、Ｍ
₂/Ｎ₂＝２／１となっている。従って、本例の基準計測
領域は、ミドルレイヤのショット領域ＳＢｎをＸ方向に
１倍、且つＹ方向に１倍した領域、即ちショット領域Ｓ
Ｂｎそのものである。従って、斜線を施して示すように
ウエハＷ上でほぼ均等に分布するミドルレイヤの４個の
ショット領域（基準計測領域）ＳＢａ〜ＳＢｄを計測対
象とする。

【００５３】図３（ｂ）は、それらの内のショット領域
ＳＢａを示し、この図３（ｂ）において、ミドルレイヤ
のショット領域ＳＢａの下の４個のクリティカルレイヤ
のショット領域の内の第２象限のショット領域ＳＡｐに
属するバーニアマークを囲むようにそれぞれ、ミドルレ
イヤの９個のバーニアマーク２４Ａ〜２４Ｅ，２５Ａ〜
２５Ｄが形成されている。同様に、ショット領域ＳＢａ
の下の他のショット領域ＳＡ(p+1) ，ＳＡｑ，ＳＡ(q+
1) に属するバーニアマークを囲むように、それぞれミ
ドルレイヤの９個のバーニアマーク（不図示）が形成さ
れている。但し、図３（ｂ）ではそれらの内の第１象限
（ショット領域ＳＡ(p+1))の右中間部のバーニアマーク
２２Ｃに対応するミドルレイヤのバーニアマーク２６Ｃ
が図示されている。

【００５４】次に、本例ではウエハＷ上の計測対象とす
るショット領域（基準計測領域）ＳＢａ〜ＳＢｄ内で互
いに相対的に同一の位置にある計測点３２Ａ〜３２Ｄ
で、それぞれクリティカルレイヤのバーニアマーク２２
Ｃとミドルレイヤのバーニアマーク２６Ｃとの位置ずれ
量を計測する。一例として計測点３２Ａ〜３２Ｄは、そ
れぞれショット領域ＳＢａ〜ＳＢｄ内の第１象限（図３
（ｂ）のショット領域ＳＡ(p+1) に対応する領域）の右
中間部に位置している。従って、計測点３２Ａでは、バ
ーニアマーク２２Ｃに対するバーニアマーク２６ＣのＸ
方向及びＹ方向への位置ずれ量（Δｘａ，Δｙａ）が計
測され、同様に他の計測点３２Ｂ〜３２Ｄで計測される
位置ずれ量を（Δｘｂ，Δｙｂ）〜（Δｘｄ，Δｙｄ）
とする。

【００５５】その後、例えば図３（ａ）の２つの計測点
３２Ｄ及び３２ＢでＸ方向への位置ずれ量の差（Δｘｂ
−Δｘｄ）があると、この差（Δｘｂ−Δｘｄ）を２つ
の計測点３２Ｄ，３２ＢのＸ方向への間隔で除算するこ
とにより、ＥＧＡパラメータ内のＸ方向へのスケーリン
グＲｘの補正値（誤差）ΔＲｘが求められる。また、計
測点３２Ｄ及び３２ＢでＹ方向への位置ずれ量の差（Δ
ｙｂ−Δｙｄ）があると、この差（Δｙｂ−Δｙｄ）を
２つの計測点のＸ方向への間隔で除算することにより、
ＥＧＡパラメータの内のローテーションθの補正値Δθ
が求められる。また、４つの位置ずれ量の平均値が、Ｅ
ＧＡパラメータの内のオフセットＯｘ，Ｏｙの補正値Δ
Ｏｘ，ΔＯｙとなる。同様にして、他のスケーリングＲ
ｙ、及び直交度ｗの補正値ΔＲｙ，Δｗも求められる。
これらの補正値は、ミドルステッパー１Ｂの制御装置１
０Ｂ内の記憶部に記憶される。なお、バーニアマークの
位置ずれ量が別の計測装置で計測され、別のコンピュー
タ等によってそれらの補正値が求められたときには、オ
ペレータが入力装置を介して制御装置１０Ｂにそれらの
補正値を入力することになる。これによって第３工程が
終了する。

【００５６】その後、図１のファインステッパー１Ａ、
及びミドルステッパー１Ｂを用いてミックス・アンド・
マッチ方式で露光を行う場合、ウエハ上にファインステ
ッパー１Ａでクリティカルレイヤのパターンを形成した
後、ミドルステッパー１Ｂでミドルレイヤのパターンを
露光する前に、先ず所定のサンプルショットのステージ
座標系での座標値を計測し、その結果より（数１）の６
個のＥＧＡパラメータの値を求める。その後、制御装置
１０Ｂでは、求められたＥＧＡパラメータ（Ｒｘ，Ｒ
ｙ，θ，ｗ，Ｏｘ，Ｏｙ）に対して上述の第３工程で記
憶されたＥＧＡパラメータの補正値（ΔＲｘ，ΔＲｙ，
Δθ，Δｗ，ΔＯｘ，ΔＯｙ）を加算して補正後のＥＧ
Ａパラメータを求める。そして、制御装置１０Ｂは、補
正後のＥＧＡパラメータを用いてクリティカルレイヤの
各ショット領域の座標位置を算出し、この座標位置に基
づいてミドルレイヤの各ショット領域の露光位置を算出
し、この露光位置に基づいて順次ミドルレイヤのレチク
ルのパターンを露光する。

【００５７】この場合、本例では、上述の第３工程にお
いて、図３（ａ）に示すように、複数の計測点は各ショ
ット領域（基準計測領域）ＳＢａ〜ＳＢｄ内で相対的に
同じ位置にある。従って、ミドルレイヤのショット領域
ＳＢｎに倍率誤差、又は回転誤差がある場合でも、各計
測点では同じオフセット値が重畳されて、その倍率誤
差、又は回転誤差はＥＧＡパラメータの内のオフセット
Ｏｘ，Ｏｙのみに影響を与えるのみである。従って、他
の影響の大きな線形パラメータ（Ｒｘ，Ｒｙ，θ，ｗ）
の値は正確であるため、クリティカルレイヤとミドルレ
イヤとの重ね合わせ精度が高精度になる。

【００５８】なお、上述実施例ではミドルレイヤのショ
ット領域の倍率誤差、又は回転誤差がＥＧＡパラメータ
内のオフセットＯｘ，Ｏｙに影響を与えるため、その影
響を平均化により取り除く方法につき図４〜図６を参照
して説明する。図４〜図６において図３と対応する部分
には同一符号を付している。先ず、図４（ａ）はオフセ
ット誤差を除去するための計測点の第１の配列方法を示
し、この図４（ａ）において、図３（ａ）と同様にウエ
ハＷ上の基準計測領域としてミドルレイヤの４つのショ
ット領域ＳＢａ〜ＳＢｄを選択する。そして、ショット
領域ＳＢａ内で第１象限の左下の計測点３３Ａ、第２象
限の右下の計測点３５Ａ、第３象限の右上の計測点３４
Ａ、第４象限の左上の計測点３６Ａでそれぞれ２つのバ
ーニアマークの位置ずれ量を計測し、これら４個の位置
ずれ量の平均値を（Δｘａ’，Δｙａ’）とする。

【００５９】具体的に、図４（ｂ）はそのショット領域
ＳＢａの拡大図であり、この図４（ｂ）に示すように、
図４（ａ）の計測点３３Ａではショット領域ＳＡ(p+1)
のバーニアマーク２２Ｄとミドルレイヤのバーニアマー
ク２７Ｄとの位置ずれ量を計測し、計測点３５Ａではシ
ョット領域ＳＡｐのバーニアマーク２３Ｃとミドルレイ
ヤのバーニアマーク２５Ｃとの位置ずれ量を計測し、同
様に計測点３４Ａ（又は３６Ａ）ではバーニアマーク２
３Ｂ（又は２３Ａ）とバーニアマーク２９Ｂ（又は３１
Ａ）との位置ずれ量を計測する。

【００６０】更に、図４（ａ）に戻り、他のショット領
域ＳＢｂ〜ＳＢｄでもそれぞれショット領域ＳＢａ内の
計測点３３Ａ〜３６Ａと相対的に同一の位置にある４個
の計測点で２つのバーニアマークの位置ずれ量を計測
し、これら４個の位置ずれ量の平均値をそれぞれ（Δｘ
ｂ’，Δｙｂ’）〜（Δｘｄ’，Δｙｄ’）とする。そ
の後、４個のショット領域ＳＢａ〜ＳＢｄで求められた
位置ずれ量からＥＧＡパラメータの補正値を求める。こ
の場合、例えばショット領域ＳＢａに倍率誤差、又は回
転誤差（ショット回転誤差）が生じていても、その影響
は４個の計測点３３Ａ〜３６Ａで対称に現れるため、４
個の計測点での位置ずれ量を平均化することによりそれ
ら倍率誤差、又は回転誤差の影響が除去される。従っ
て、倍率誤差、又は回転誤差が存在しても、ＥＧＡパラ
メータ中のオフセットＯｘ，Ｏｙに誤差が混入すること
がない。

【００６１】また、計測点３３Ａ〜３６Ａはショット領
域ＳＢａの中央部にあるため、計測点３３Ａ〜３６Ａで
はミドルステッパー１Ｂの投影光学系３Ｂのディストー
ションが小さく、計測結果に対するミドルレイヤのショ
ット領域のディストーションの影響が小さいという利点
もある。更に、例えばショット領域ＳＢａ内ではクリテ
ィカルレイヤの４個のショット領域の異なる４隅で計測
が行われるため、クリティカルレイヤのショット領域の
倍率誤差、又は回転誤差の影響も平均化により相殺され
る。同様に、クリティカルレイヤのショット領域のディ
ストーションの影響も平均化により軽減される利点があ
る。

【００６２】なお、要は基準計測領域としてのミドルレ
イヤのショット領域内で計測点を対称に配置できればよ
いため、図４（ａ）において、例えば各ショット領域Ｓ
Ｂａ〜ＳＢｄ内から黒丸で示す２個の計測点（ショット
領域ＳＢａ内では計測点３３Ａ，３４Ａ）を選択しても
よい。又は、各ショット領域ＳＢａ〜ＳＢｄ内から白丸
で示す２個の計測点（ショット領域ＳＢａ内では計測点
３５Ａ，３６Ａ）を選択してもよい。

【００６３】次に、上述のように各計測点をミドルレイ
ヤのショット領域の中央部に集めることなく、図５
（ａ）に示すように例えばショット領域ＳＢａ内でクリ
ティカルレイヤの４個のショット領域の中央部の計測点
３７Ａ〜４０Ａ、それらの内の黒丸で示す２個の計測点
３７Ａ，３８Ａ、又はそれらの内の白丸で示す２個の計
測点３９Ａ，４０Ａを選択してもよい。この場合、クリ
ティカルレイヤのショット領域のディストーションが小
さくなり、ミドルレイヤのショット領域のディストーシ
ョンの影響は平均化により軽減される。

【００６４】但し、クリティカルレイヤ及びミドルレイ
ヤのショット領域のディストーションが小さいことが予
め分かっているような場合には、図５（ｂ）に示すよう
に例えばショット領域ＳＢａ内で４隅の計測点４１Ａ〜
４４Ａ、それらの内の黒丸で示す２個の計測点４１Ａ，
４２Ａ、又はそれらの内の白丸で示す２個の計測点４３
Ａ，４４Ａを選択してもよい。

【００６５】以上をまとめると、平均化効果が得られる
と共に、計測点の個数を少なくして測定時間を短縮でき
る効率的な計測点の配置は、例えば図６（ａ）又は図６
（ｂ）のような配置となる。図６（ａ）の配置は、ウエ
ハＷ上の４個のショット領域（基準計測領域）ＳＢａ〜
ＳＢｄ内でそれぞれ中央部の右上の計測点３３Ａ〜３３
Ｄ、及び中央部の左下の計測点３４Ａ〜３４Ｃを選択す
る配置である。一方、図６（ｂ）の配置は、それら４個
のショット領域内で対向する２個のショット領域ＳＢ
ａ，ＳＢｃではそれぞれ中央部の左上の計測点３５Ａ，
３５Ｃ、及び中央部の右下の計測点３６Ａ，３６Ｃを選
択し、残りの対向する２個のショット領域ＳＢｂ，ＳＢ
ｄではそれぞれ中央部の右上の計測点３３Ｂ，３３Ｄ、
及び中央部の左下の計測点３４Ｂ，３４Ｄを選択する配
置である。

【００６６】また、図７に示す例のように、１つの基準
計測領域から中心に関して対称な位置にある計測点を１
つずつ選択してもよい。即ち、図７（ａ）は、ウエハＷ
上でクリティカルレイヤの上に露光されたミドルレイヤ
のショット領域を示し、これらのショット領域の内から
ほぼ均等に分布する８個のショット領域ＳＢａ〜ＳＢｈ
を基準計測領域として選択する。各ショット領域ＳＢａ
〜ＳＢｈ内にはそれぞれ４個のクリティカルレイヤのシ
ョット領域が含まれている。

【００６７】そして、２個のショット領域ＳＢｃ，ＳＢ
ｇから中央部の右上の計測点３３Ｃ，３３Ｇを選択し、
２個のショット領域ＳＢａ，ＳＢｅから中央部の左上の
計測点３５Ａ，３５Ｅを選択し、２個のショット領域Ｓ
Ｂｄ，ＳＢｈから中央部の左下の計測点３４Ｃ，３４Ｈ
を選択し、残りのショット領域ＳＢｂ，ＳＢｆから中央
部の右下の計測点３６Ｂ，３６Ｆを選択し、これらの各
計測点でそれぞれクリティカルレイヤのバーニアマーク
とミドルレイヤのバーニアマークとの位置ずれ量を計測
する。そして、本例では例えばミドルレイヤのショット
領域内で対称な位置にある２つの計測点（例えば計測点
３５Ａ及び３６Ｂ）での位置ずれ量は平均化することに
より、ミドルレイヤの倍率誤差、又は回転誤差の影響は
軽減される。更に、ミドルレイヤのディストーション、
及びレチクルの描画誤差の影響等も平均化により軽減さ
れる。

【００６８】また、本例では図７（ｂ）に示すように、
１つのクリティカルレイヤのショット領域ＳＡに換算し
て考えると、このショット領域ＳＡ内の４隅の計測点４
５Ａ〜４５Ｄでそれぞれ２回の計測が行われることとな
る。従って、クリティカルレイヤのショット領域の倍率
誤差、又は回転誤差がウエハ上でほぼ同様であるとする
と、そのショット領域ＳＡ内の４隅の計測点４５Ａ〜４
５Ｄの内の例えば対向する２つの計測点（計測点４５Ａ
及び４５Ｃ等）での位置ずれ量を平均化することによ
り、そのクリティカルレイヤのショット領域の倍率誤
差、回転誤差、ディストーション、又はレチクルの描画
誤差等の影響を軽減できる利点がある。

【００６９】次に、上述実施例では、クリティカルレイ
ヤのショット領域に対してミドルレイヤのショット領域
の大きさがＸ方向及びＹ方向にそれぞれ２倍で、且つク
リティカルレイヤの１つのショット領域に例えば１つの
チップパターンが形成されるような場合に適用できる計
測点の配置を示した。しかしながら、実際にはクリティ
カルレイヤの１つのショット領域に２つ以上のチップパ
ターンが含まれることもあり、クリティカルレイヤのシ
ョット領域に対するミドルレイヤのショット領域の大き
さの割合も様々である。また、投影露光装置としては、
ステッパーのような一括露光方式の投影露光装置のみな
らず、レチクル及びウエハを投影光学系に対して同期し
て走査することによりレチクルのパターンをウエハの各
ショット領域に逐次露光するステップ・アンド・スキャ
ン方式等の走査露光方式の投影露光装置が使用されるこ
ともある。そこで、以下では図８〜図１０を参照して本
発明の他の種々の実施例につき説明する。

【００７０】先ず、図８の実施例は、図８（ａ）に示す
クリティカルレイヤのショット領域ＳＡ内でＹ方向に２
つの同一のチップパターン４６Ａ及び４６Ｂが配列さ
れ、図８（ｂ）に示すミドルレイヤのショット領域ＳＢ
内ではＸ方向に２行、且つＹ方向に４行で同一のチップ
パターンが配列されている場合である。このとき、１つ
のチップパターンをＸ方向の幅ｂでＹ方向の幅ａの矩形
パターンとすると、クリティカルレイヤのショット領域
ＳＡのＸ方向の幅はｂ、Ｙ方向の幅は２ａとなり、ミド
ルレイヤのショット領域ＳＢのＸ方向の幅は２ｂ、Ｙ方
向の幅は４ａとなる。従って、ショット領域ＳＡに対し
てショット領域ＳＢはＸ方向に２／１倍、且つＹ方向に
２／１倍である。従って、ショット領域ＳＡとショット
領域ＳＢとの最小公倍数的な大きさの基準計測領域ＳＣ
は、図８（ｃ）に示すようにＸ方向の幅が２ｂ、且つＹ
方向の幅が４ａの領域、即ちミドルレイヤのショット領
域ＳＢと同じ大きさの領域となる。従って、例えば或る
基準計測領域ＳＣで計測点４７を選択した場合、他の基
準計測領域でも相対的に計測点４７と同じ位置にある計
測点を選択することで、正確にＥＧＡパラメータの補正
値を求めることができる。

【００７１】但し、ミドルレイヤのショット領域の倍率
誤差、又は回転誤差等の影響を軽減するためには、上述
実施例と同様に、例えば基準計測領域内で中央の位置に
関して計測点４７と対称な計測点等を選択することが望
ましい。これは以下の実施例でも同様である。次に、図
９の実施例は、図９（ａ）に示すクリティカルレイヤの
ショット領域ＳＡ内でＹ方向に２つの同一のチップパタ
ーンが配列され、図９（ｂ）に示すミドルレイヤのショ
ット領域ＳＤ内ではＹ方向に３つの同一のチップパター
ンが配列されている場合である。更に、ミドルレイヤの
投影露光装置は走査露光方式であり、スリット状の露光
領域４８に対してウエハを走査することによりショット
領域ＳＤへの露光が行われる。

【００７２】このとき、クリティカルレイヤのショット
領域ＳＡのＸ方向の幅をｂ、Ｙ方向の幅は２ａとする
と、ミドルレイヤのショット領域ＳＤのＸ方向の幅は
ｂ、Ｙ方向の幅は３ａとなる。従って、ショット領域Ｓ
Ａに対してショット領域ＳＤはＸ方向に１／１倍、且つ
Ｙ方向に３／２倍である。従って、ショット領域ＳＡと
ショット領域ＳＤとの最小公倍数的な大きさの基準計測
領域ＳＥは、図９（ｃ）に示すようにＸ方向の幅がｂ、
且つＹ方向の幅が６ａの領域となる。本例でも例えば或
る基準計測領域ＳＥで計測点４９を選択した場合、他の
基準計測領域でも相対的に計測点４９と同じ位置にある
計測点を選択することで、正確にＥＧＡパラメータの補
正値を求めることができる。

【００７３】これに関して、図１０（ａ）は、図９
（ｃ）の基準計測領域ＳＥの一例の拡大図を示し、この
図１０（ａ）において、隣接する２つの走査露光方式で
露光されるショット領域ＳＤ１及びＳＤ２内に３つのク
リティカルレイヤのショット領域ＳＡ１，ＳＡ２，ＳＡ
３が含まれている。また、図１０（ｂ）は、図１０
（ａ）のショット領域ＳＤ１及びＳＤ２内の長手方向
（Ｙ方向）での倍率誤差に基づく伸縮量ΔＹを示し、Ｙ
方向での伸縮量ΔＹはショット領域ＳＤ１，ＳＤ２の長
さを周期として変化している。従って、例えばクリティ
カルレイヤのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ３のそれぞれの
中心を計測点５０Ａ〜５０Ｃとすると、これらの計測点
５０Ａ〜５０Ｃでのミドルレイヤのショット領域の伸縮
量は、図１０（ｂ）の位置５１Ａ〜５１Ｃで示すように
異なった値を示す。従って、図９（ｃ）において或る基
準計測領域ＳＥで所定の計測点４９を選択したときに
は、他の基準計測領域での相対的に同じ位置の計測点を
選択しないと、ミドルレイヤのショット領域の倍率誤差
の影響を受けることとなる。

【００７４】次に、図１１の実施例は、図１１（ａ）に
示すクリティカルレイヤのショット領域ＳＢ内でＹ方向
に３行且つＸ方向に２列の同一のチップパターンが配列
され、図１１（ｂ）に示すミドルレイヤの走査露光方式
で露光されるショット領域ＳＤ内ではＹ方向に３つの同
一のチップパターンが配列されている場合である。この
とき、クリティカルレイヤのショット領域ＳＢのＸ方向
の幅を２ｂ、Ｙ方向の幅は３ａとすると、ミドルレイヤ
のショット領域ＳＤのＸ方向の幅はｂ、Ｙ方向の幅は３
ａとなる。従って、ショット領域ＳＢとショット領域Ｓ
Ｄとの最小公倍数的な大きさの基準計測領域ＳＦは、図
１１（ｃ）に示すようにＸ方向の幅が２ｂ、且つＹ方向
の幅が３ａの領域、即ちクリティカルレイヤのショット
領域ＳＢと同じ大きさの領域となる。本例でも例えば或
る基準計測領域ＳＦで計測点５２を選択した場合、他の
基準計測領域でも相対的に計測点５２と同じ位置にある
計測点を選択することで、正確にＥＧＡパラメータの補
正値を求めることができる。

【００７５】なお、上述実施例では、２台のステッパ
ー、又はステッパーとステップ・アンド・スキャン方式
の投影露光装置との組合せを使用しているが、例えば露
光フィールドの小さな露光装置、及び露光フィールドの
大きな露光装置としてそれぞれ別のステップ・アンド・
スキャン方式の投影露光装置を使用してもよい。このよ
うに本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

【００７６】

【発明の効果】本発明の露光方法によれば、第１の露光
フィールド、及び第２の露光フィールドがそれぞれ２方
向に整数個ずつ収まる大きさの領域（いわば最小公倍数
的な大きさの領域）を基準計測領域として、各基準計測
領域内で互いに同じ位置にある２つの重ね合わせ精度計
測用マーク（バーニアマーク）の位置ずれ量を計測して
いる。従って、例えば第２のマスクパターンの倍率誤差
や回転誤差の影響が、第２のマスクパターンを露光する
際のアライメント誤差の内の線形伸縮誤差や回転誤差と
して現れることがない。従って、ミックス・アンド・マ
ッチ方式でクリティカルレイヤとミドルレイヤとが混在
するような基板に露光を行う場合に、そのクリティカル
レイヤのパターンとミドルレイヤのパターンとの重ね合
わせ精度を高めることができる利点がある。

【００７７】また、第２の露光装置が座標変換用のパラ
メータを用いて露光位置を算出し、各基準計測領域内で
の計測結果よりそのパラメータの補正値を求めるときに
は、そのパラメータの内で、線形伸縮を示すパラメー
タ、回転を示すパラメータ、及び直交度を示すパラメー
タには第２のマスクパターンの倍率誤差や回転誤差の影
響が現れないため、重ね合わせ精度を高めることができ
る。

【００７８】更に、オフセットパラメータについては、
例えば各基準計測領域内で中央の点に関して対称に配置
された計測点での計測結果の平均値を使用することで、
第２のマスクパターンの倍率誤差や回転誤差の影響を軽
減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による露光方法の一実施例で使用される
露光システムの概略を示す斜視図である。

【図２】（ａ）は実施例のウエハＷ上でのクリティカル
レイヤのショット配列を示す平面図、（ｂ）はそのクリ
ティカルレイヤのショット領域内でのバーニアマークの
配列を示す拡大平面図である。

【図３】（ａ）は図２（ａ）のクリティカルレイヤ上に
露光されるミドルレイヤのショット配列及び計測点の配
列を示す平面図、（ｂ）はそのミドルレイヤのショット
領域内でのバーニアマークの配列の一部を示す拡大平面
図である。

【図４】ウエハ上での計測点の配列の他の例を示す図で
ある。

【図５】（ａ）はミドルレイヤのショット領域ＳＢａ内
での計測点の配列の別の例を示す拡大図、（ｂ）はミド
ルレイヤのショット領域ＳＢａ内での計測点の配列の更
に別の例を示す拡大図である。

【図６】ウエハ上での計測点の望ましい配列の２つの例
を示す平面図である。

【図７】ウエハ上の複数の基準計測領域内で別の位置に
ある計測点を選択する場合の計測点の配列の一例を示す
図である。

【図８】クリティカルレイヤのショット領域内に複数の
チップパターンが収まる場合の基準計測領域の例を示す
図である。

【図９】ミドルレイヤのショット領域が走査露光方式で
露光される場合の基準計測領域の例を示す図である。

【図１０】図９の実施例で、計測点によってミドルレイ
ヤのショット領域の伸縮量が異なることの説明図であ
る。

【図１１】ミドルレイヤのショット領域が走査露光方式
で露光され、且つクリティカルレイヤのショット領域が
ミドルレイヤのショット領域より広い場合の基準計測領
域の例を示す図である。

【図１２】（ａ）は従来のウエハＷ上でのクリティカル
レイヤのショット配列を示す平面図、（ｂ）はそのクリ
ティカルレイヤのショット領域内でのバーニアマークの
配列を示す拡大平面図である。

【図１３】（ａ）は図１２（ａ）のクリティカルレイヤ
上に露光されるミドルレイヤのショット配列及び計測点
の配列を示す平面図、（ｂ）はそのミドルレイヤのショ
ット領域内でのバーニアマークの配列を示す拡大平面図
である。

【図１４】（ａ）はミドルレイヤのショット領域で倍率
誤差が発生した場合の説明図、（ｂ）はミドルレイヤの
ショット領域で回転誤差が発生した場合の説明図であ
る。

【符号の説明】

１Ａファインステッパー１Ｂミドルステッパー３Ａ，３Ｂ投影光学系４Ａ，４Ｂ露光フィールド５Ａ，５Ｂウエハステージ１１Ａ，１１Ｂアライメント系ＷウエハＳＡ１〜ＳＡＭ，ＳＡｍクリティカルレイヤのショッ
ト領域ＳＢ１〜ＳＢＮ，ＳＢａ〜ＳＢｄ，ＳＢｎミドルレイ
ヤのショット領域２１ＸＸ軸用のウエハマーク２１ＹＹ軸用のウエハマーク２２Ａ〜２２Ｅ，２３Ａ〜２３Ｄクリティカルレイヤ
のバーニアマーク２４Ａ〜２４Ｅ，２５Ａ〜２５Ｄミドルレイヤのバー
ニアマーク２６Ｃ，２７Ｄ，２９Ｂ，３１Ａミドルレイヤのバー
ニアマーク３２Ａ〜３２Ｄ計測点

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光対象とする感光基板上で所定の大き
さの第１の露光フィールドを有する第１の露光装置と、
前記第１の露光フィールドに対して直交する第１、及び
第２の方向に対してそれぞれＭ₁/Ｎ₁倍（Ｍ₁,Ｎ₁はＭ
₁＞Ｎ₁なる整数）、及びＭ₂/Ｎ₂倍（Ｍ₂,Ｎ₂はＭ₂
≧Ｎ₂なる整数）の大きさの第２の露光フィールドを有
する第２の露光装置とを用いて、前記感光基板上にマス
クパターンを重ねて露光する露光方法において、前記第１の露光装置を用いて、位置合わせ用マーク及び
第１の重ね合わせ精度計測用マークの形成された第１の
マスクパターンを、前記第１の露光フィールドを単位と
して前記感光基板上で前記第１の方向及び第２の方向に
並べて順次露光する第１工程と；前記第２の露光装置を
用いて、第２の重ね合わせ精度計測用マークの形成され
た第２のマスクパターンを、前記第１工程で前記感光基
板上に露光された複数の前記第１のマスクパターンの像
の上に、前記位置合わせ用マークの像の位置を基準とし
て前記第２の露光フィールドを単位として前記感光基板
上で前記第１の方向及び第２の方向に並べて露光する第
２工程と；前記感光基板上で前記第１の方向に前記第２
の露光フィールドの幅のＮ₁倍、且つ前記第２の方向に
前記第２の露光フィールドの幅のＮ₂倍の大きさの領域
を単位として、前記感光基板上の露光領域を複数の基準
計測領域に分割し、該複数の基準計測領域から選択され
た所定個数の基準計測領域内で互いに同じ位置にある前
記第１の重ね合わせ精度計測用マークの像と前記第２の
重ね合わせ精度計測用マークの像との位置ずれ量を計測
し、該計測された位置ずれ量に基づいて前記第２の露光
装置で前記第１の露光装置により露光された前記位置合
わせ用マークの像の位置を検出する際の補正値を求める
第３工程と；を有し、その後第１の露光装置で露光された感光基板上に前記第
２の露光装置を用いて重ね合わせ露光する際に、前記第
３工程で求めた前記補正値を用いて露光位置の補正を行
うことを特徴とする露光方法。
【請求項２】請求項１記載の露光方法であって、前記第２工程において、前記第２の露光装置は前記位置
合わせ用マークの像に基づいて所定の座標変換用のパラ
メータを用いて露光位置を算出し、前記第３工程において、前記座標変換用のパラメータの
補正値を求めることを特徴とする露光方法。