JP2008177567A - 測定方法、検査装置およびリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上の複数のターゲットに放射が投影される。非対称性に由来し得るオーバーレイエラーが基板にわたって滑らかに変動すると仮定することによって、測定されるターゲット数を低減することができる。これによって、基板の各層に対するターゲットによって用いられるスクライブラインの面積がより小さくなり得る。
【選択図】図4
Description
[0019] 放射ビームB(例えばUV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0020] パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
[0021] 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0022] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを備える)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PLとを備える。
フィールド間:Mx、My、Rx、Ry
フィールド内:Tx、Ty、Mx、My、Rx、Ry
ここで、Mは倍率、Rは回転、Tは変位である。
フィールド間:Mx、My、Rx、Ry
フィールド内:Tx、Ty、Mx、My、Rx、Ry、K。
したがって、N個のフィールドに対するパラメータの総数は7N+4となり、8回の測定(すなわち、8個のターゲット)の測定だけでよい。dX1が位置X、Yにいて測定されたオーバーレイエラーである場合、
dX1=TxMxX1−RxY1である。
上式中、
Claims (16)
- 基板におけるオーバーレイエラーを測定する方法であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射ビームを投影するステップと、
前記基板上の前記複数のターゲットの各々から反射された放射をスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記反射された放射から前記オーバーレイエラーの程度を検出および算出するステップと
を含み、
前記算出が、前記ターゲットの非対称性に由来する各ターゲットの前記オーバーレイエラーの比率が前記複数の位置に関して一定であると仮定する、方法。 - 前記測定され反射された放射が、前記基板上の8つの位置から反射される、請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲットの各々が2D格子であり、前記測定され反射された放射が前記基板上の4つの位置から反射される、請求項1に記載の方法。
- 前記ビームが線形的に偏光される、請求項1に記載の方法。
- 前記測定され反射された放射が、8つのターゲット、A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8から反射され、前記オーバーレイエラーが以下の式、
ここで式中、Tは変位を表し、Mは倍率を表し、Rは回転を表し、Kは非対称性に対するオーバーレイエラーの比例を表し、上付き文字fは基板に対するフィールド基準を表し、dは2つのそれぞれの層における重なり合う2つのターゲットA間のバイアス距離を表し、X、Yはそれぞれの直交する位置を表す、請求項1に記載の方法。 - 各ターゲットが重畳された複数の格子を含む、請求項1に記載の方法。
- パターニングされた放射ビームを基板上に投影して前記基板を露光するステップを含み、前記露光するステップが請求項1に記載の方法によって決定されたオーバーレイエラーに基づく、基板の製造方法。
- 基板の特性を測定するように構成された検査装置であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射を投影するように構成された放射投影装置と、
前記ターゲットの各々から反射された放射を検出するように構成された検出器と、
前記ターゲットの非対称性に由来するオーバーレイエラーが前記複数のターゲットに関して一定であると仮定して、前記複数のターゲットから反射された前記放射に基づいて前記オーバーレイエラーを算出するように構成されたデータ操作ユニットと
を備える、検査装置。 - 前記検出され反射された放射が、前記基板上の8つのターゲットから反射される、請求項8に記載の装置。
- 前記ターゲットの各々が2D格子であり、前記検出され反射された放射が前記基板上の4つのターゲットから反射される、請求項8に記載の装置。
- 前記放射が線形的に偏光される、請求項8に記載の装置。
- 前記検出され反射された放射が、8つのターゲット、A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8から反射され、前記オーバーレイエラーが以下の式、
ここで式中、Tは変位を表し、Mは倍率を表し、Rは回転を表し、Kは非対称性に対するオーバーレイエラーの比例を表し、上付き文字fは基板に対するフィールド基準を表し、dは2つのそれぞれの層における重なり合う2つのターゲットA間のバイアス距離を表し、X、Yはそれぞれの直交する位置を表す、請求項8に記載の装置。 - 各ターゲットが重畳された複数の格子を含む、請求項8に記載の装置。
- 放射ビームを調整するように構成された照明支持体と、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成することのできるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
基板上の複数の位置にある複数のターゲットの各々から反射された放射を検出するように構成された検出器、および、前記ターゲットの非対称性に由来するオーバーレイエラーが前記複数のターゲットに関して一定であると仮定して、前記複数のターゲットから反射された前記放射に基づいて前記オーバーレイエラーを算出するように構成されたデータ操作ユニットを含む、基板の特性を測定するように構成された検査装置と
を備える、リソグラフィ装置。 - 基板におけるオーバーレイエラーを測定する方法であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射ビームを投影するステップと、
前記基板上の前記複数のターゲットの各々から反射された放射をスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記反射された放射から前記オーバーレイエラーの程度を検出および算出するステップと
を含み、
前記算出が、あるパラメータに由来する各ターゲットの前記オーバーレイエラーの比率が前記複数の位置に関して一定であると仮定する、方法。 - 基板の特性を測定するように構成された検査装置であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射を投影するように構成された放射投影装置と、
前記ターゲットの各々から反射された放射を検出するように構成された検出器と、
あるパラメータに由来するオーバーレイエラーが前記複数の位置に関して一定であると仮定して、前記複数のターゲットから反射された前記放射に基づいて前記オーバーレイエラーを算出するように構成されたデータ操作ユニットと
を備える、検査装置。
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