KR20080069136A - 측정 방법, 검사 장치 및 리소그래피 장치 - Google Patents
측정 방법, 검사 장치 및 리소그래피 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080069136A KR20080069136A KR1020080006579A KR20080006579A KR20080069136A KR 20080069136 A KR20080069136 A KR 20080069136A KR 1020080006579 A KR1020080006579 A KR 1020080006579A KR 20080006579 A KR20080006579 A KR 20080006579A KR 20080069136 A KR20080069136 A KR 20080069136A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- targets
- radiation
- reflected
- overlay error
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (16)
- 기판 내의 오버레이 오차를 측정하는 방법에 있어서:상기 기판 상의 복수의 위치들에서의 복수의 타겟들 상에 방사선 빔을 투영하는 단계;스케터로미터(scatterometer)를 이용하여 상기 기판 상의 복수의 타겟들 각각으로부터 반사된 방사선을 측정하는 단계; 및상기 반사된 방사선으로부터 상기 오버레이 오차의 정도를 검출하고 계산하는 단계를 포함하고,상기 계산은 상기 타겟들의 비대칭(asymmetry)으로부터 도출한 각각의 타겟 내의 상기 오버레이 오차의 비율(proportion)이 상기 복수의 위치들에 대해 일정하다고 가정하는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 측정되는 반사된 방사선은 상기 기판 상의 8 개의 위치들로부터 반사되는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 각각의 타겟들은 2D 격자이며, 상기 측정되는 반사된 방사선은 상기 기판 상의 4 개의 지점들로부터 반사되는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방 법.
- 제 1 항에 있어서,상기 빔은 선형 편광(linearly polarize)되는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 측정되는 반사된 방사선은 8 개의 타겟들(A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8)로부터 반사되고, 상기 오버레이 오차는 다음 수학식을 풀어냄으로써 계산되며:이때, T는 변위를 나타내고, M은 배율(magnification)을 나타내며, R은 회전을 나타내고, K는 상기 비대칭에 대한 오버레이 오차의 비율을 나타내며, 첨자 f는 상기 기판에 대한 필드 레퍼런스(field reference)를 나타내고, d는 2 개의 각 층들에서의 2 개의 오버레이한 타겟들(A) 간의 바이어스 거리(bias distance)를 나타내며, X, Y는 각각의 직교 위치들을 나타내는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방법.
- 제 1 항에 있어서,각각의 타겟은 복수의 포개진(superimposed) 격자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방법.
- 기판을 제조하는 방법에 있어서,상기 기판을 노광하기 위해 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하고, 상기 노광은 제 1 항의 방법에 의해 결정된 오버레이 오차에 기초하는 것을 특징으로 하는 기판 제조 방법.
- 기판의 특성을 측정하도록 구성된 검사 장치에 있어서:상기 기판 상의 복수의 위치들에서의 복수의 타겟들 상에 방사선을 투영하도록 구성된 방사선 투영기;상기 각각의 타겟들로부터 반사된 방사선을 검출하도록 구성된 검출기; 및상기 타겟들의 비대칭으로부터 도출한 오버레이 오차가 상기 복수의 타겟들에 대해 일정하다고 가정하여, 상기 복수의 타겟들로부터 반사된 방사선에 기초하여 오버레이 오차를 계산하도록 구성된 데이터 핸들링 유닛(data handling unit)을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 검출되는 반사된 방사선은 상기 기판 상의 8 개의 타겟들로부터 반사되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 각각의 타겟들은 2D 격자이며, 상기 검출되는 반사된 방사선은 상기 기판 상의 4 개의 타겟들로부터 반사되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 방사선은 선형 편광되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 검출되는 반사된 방사선은 8 개의 타겟들(A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8)로부터 반사되고, 상기 오버레이 오차는 다음 수학식을 풀어냄으로써 계산되며:이때, T는 변위를 나타내고, M은 배율을 나타내며, R은 회전을 나타내고, K는 상기 비대칭에 대한 오버레이 오차의 비율을 나타내며, 첨자 f는 상기 기판에 대한 필드 레퍼런스를 나타내고, d는 2 개의 각 층들에서의 2 개의 오버레이한 타겟들(A) 간의 바이어스 거리를 나타내며, X, Y는 각각의 직교 위치들을 나타내는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 제 8 항에 있어서,각각의 타겟은 복수의 포개진 격자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
- 리소그래피 장치에 있어서:방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 지지체;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;상기 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및상기 기판의 특성을 측정하도록 구성된 검사 장치를 포함하고, 상기 장치는:상기 기판 상의 복수의 위치들에서의 복수의 타겟들 각각으로부터 반사된 방사선을 검출하도록 구성된 검출기; 및상기 타겟들의 비대칭으로부터 도출한 오버레이 오차가 상기 복수의 타겟들에 대해 일정하다고 가정하여, 상기 복수의 타겟들로부터 반사된 방사선에 기초하여 오버레이 오차를 계산하도록 구성된 데이터 핸들링 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 기판 내의 오버레이 오차를 측정하는 방법에 있어서:상기 기판 상의 복수의 위치들에서의 복수의 타겟들 상에 방사선 빔을 투영하는 단계;스케터로미터를 이용하여 상기 기판 상의 복수의 타겟들 각각으로부터 반사된 방사선을 측정하는 단계; 및상기 반사된 방사선으로부터 상기 오버레이 오차의 정도를 검출하고 계산하는 단계를 포함하고,상기 계산은 파라미터로부터 도출한 각각의 타겟 내의 오버레이 오차의 비율이 복수의 위치들에 대해 일정하다고 가정하는 것을 특징으로 하는 오버레이 오차 측정 방법.
- 기판의 특성을 측정하도록 구성된 검사 장치에 있어서:상기 기판 상의 복수의 위치들에서의 복수의 타겟들 상에 방사선을 투영하도록 구성된 방사선 투영기;상기 각각의 타겟들로부터 반사된 방사선을 검출하도록 구성된 검출기; 및파라미터로부터 도출한 오버레이 오차가 상기 복수의 타겟들에 대해 일정하다고 가정하여, 상기 복수의 타겟들로부터 반사된 방사선에 기초하여 오버레이 오차를 계산하도록 구성된 데이터 핸들링 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/656,004 | 2007-01-22 | ||
US11/656,004 US7619737B2 (en) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080069136A true KR20080069136A (ko) | 2008-07-25 |
KR100930654B1 KR100930654B1 (ko) | 2009-12-09 |
Family
ID=39640854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080006579A KR100930654B1 (ko) | 2007-01-22 | 2008-01-22 | 측정 방법, 검사 장치 및 리소그래피 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7619737B2 (ko) |
JP (1) | JP5288808B2 (ko) |
KR (1) | KR100930654B1 (ko) |
CN (1) | CN101231472B (ko) |
IL (1) | IL188767A (ko) |
TW (1) | TWI360640B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9772561B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor manufacturing method and tool |
US10132763B2 (en) | 2012-07-23 | 2018-11-20 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2003990A (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Asml Netherlands Bv | A method of determining a characteristic. |
US8502955B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a characteristic |
GB2481950B (en) * | 2009-04-14 | 2017-08-23 | Rigaku Denki Co Ltd | Surface microstructure measurement method, surface microstructure measurement data analysis method and surface microstructure measurement system. |
KR101654599B1 (ko) * | 2009-05-11 | 2016-09-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 오차를 결정하는 방법 및 디바이스 제조 방법 |
NL2004656A (en) | 2009-05-12 | 2010-11-15 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
JP2013500597A (ja) * | 2009-07-30 | 2013-01-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ用の検査方法 |
EP2392970A3 (en) * | 2010-02-19 | 2017-08-23 | ASML Netherlands BV | Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus |
RU2443998C1 (ru) * | 2010-07-14 | 2012-02-27 | Вадим Викторович Бунин | Способ измерения размеров анизотропных по форме суспендированных частиц |
WO2012010458A1 (en) * | 2010-07-19 | 2012-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining an overlay error |
CN102929111B (zh) * | 2011-08-10 | 2016-01-20 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
NL2009294A (en) | 2011-08-30 | 2013-03-04 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for determining an overlay error. |
CN104471484B (zh) | 2012-07-05 | 2018-02-06 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻术的量测 |
US9418819B2 (en) | 2013-09-06 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Asymmetrical detector design and methodology |
KR102048794B1 (ko) | 2015-04-21 | 2020-01-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 및 리소그래피 시스템 |
NL2017739A (en) * | 2015-11-27 | 2017-06-07 | Asml Netherlands Bv | Metrology target, method and apparatus, computer program and lithographic system |
EP3575874A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
EP3702840A1 (en) * | 2019-03-01 | 2020-09-02 | ASML Netherlands B.V. | Alignment method and associated metrology device |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3617046B2 (ja) * | 1995-05-29 | 2005-02-02 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
US5703692A (en) | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
US5880838A (en) | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
US5963329A (en) | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US6689519B2 (en) | 2000-05-04 | 2004-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for lithography process control |
US6753961B1 (en) | 2000-09-18 | 2004-06-22 | Therma-Wave, Inc. | Spectroscopic ellipsometer without rotating components |
IL138552A (en) | 2000-09-19 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Measurement of transverse displacement by optical method |
US6768983B1 (en) | 2000-11-28 | 2004-07-27 | Timbre Technologies, Inc. | System and method for real-time library generation of grating profiles |
JP2002184684A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Fujitsu Ltd | 縮小投影露光装置の位置合わせ方法 |
US6515744B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-02-04 | Therma-Wave, Inc. | Small spot ellipsometer |
WO2002065545A2 (en) | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Sensys Instruments Corporation | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US6699624B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-03-02 | Timbre Technologies, Inc. | Grating test patterns and methods for overlay metrology |
US6856408B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-02-15 | Accent Optical Technologies, Inc. | Line profile asymmetry measurement using scatterometry |
US20020192577A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Bernard Fay | Automated overlay metrology system |
US6704661B1 (en) | 2001-07-16 | 2004-03-09 | Therma-Wave, Inc. | Real time analysis of periodic structures on semiconductors |
US6785638B2 (en) | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
US7061615B1 (en) | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
US6608690B2 (en) | 2001-12-04 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Optical profilometry of additional-material deviations in a periodic grating |
US6772084B2 (en) | 2002-01-31 | 2004-08-03 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using periodic gratings |
US6813034B2 (en) | 2002-02-05 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US7061627B2 (en) | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
US6721691B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-04-13 | Timbre Technologies, Inc. | Metrology hardware specification using a hardware simulator |
US6928628B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7046376B2 (en) | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
US6919964B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-07-19 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology analysis using a finite difference method |
US7148959B2 (en) | 2002-11-01 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Test pattern, inspection method, and device manufacturing method |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
JP4235459B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2009-03-11 | キヤノン株式会社 | アライメント方法及び装置並びに露光装置 |
US7068363B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7061623B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-06-13 | Spectel Research Corporation | Interferometric back focal plane scatterometry with Koehler illumination |
JP2005209886A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムにおける基板処理の管理方法及び基板処理システム |
JP4734261B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-07-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 連続変化するオフセットマークと、オーバレイ決定方法 |
US20050185174A1 (en) | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data |
US7791727B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7379184B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Nanometrics Incorporated | Overlay measurement target |
JP4449697B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2010-04-14 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ検査システム |
US7629697B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Marker structure and method for controlling alignment of layers of a multi-layered substrate |
US7042552B1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Alignment strategy optimization method |
US20060109463A1 (en) | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
US7453577B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample |
US7315384B2 (en) | 2005-05-10 | 2008-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method of inspection |
US7277172B2 (en) * | 2005-06-06 | 2007-10-02 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Measuring overlay and profile asymmetry using symmetric and anti-symmetric scatterometry signals |
JP4745735B2 (ja) | 2005-06-30 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 画像入力装置及びその制御方法 |
-
2007
- 2007-01-22 US US11/656,004 patent/US7619737B2/en active Active
-
2008
- 2008-01-14 IL IL188767A patent/IL188767A/en active IP Right Grant
- 2008-01-15 JP JP2008005272A patent/JP5288808B2/ja active Active
- 2008-01-21 TW TW097102228A patent/TWI360640B/zh active
- 2008-01-22 KR KR1020080006579A patent/KR100930654B1/ko active IP Right Grant
- 2008-01-22 CN CN2008100051188A patent/CN101231472B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10132763B2 (en) | 2012-07-23 | 2018-11-20 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
US9772561B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor manufacturing method and tool |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL188767A (en) | 2011-04-28 |
KR100930654B1 (ko) | 2009-12-09 |
TW200840988A (en) | 2008-10-16 |
IL188767A0 (en) | 2008-11-03 |
CN101231472B (zh) | 2010-11-17 |
US20080174753A1 (en) | 2008-07-24 |
JP2008177567A (ja) | 2008-07-31 |
US7619737B2 (en) | 2009-11-17 |
CN101231472A (zh) | 2008-07-30 |
TWI360640B (en) | 2012-03-21 |
JP5288808B2 (ja) | 2013-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100930654B1 (ko) | 측정 방법, 검사 장치 및 리소그래피 장치 | |
US8111398B2 (en) | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus | |
US7911612B2 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
TWI405046B (zh) | 評估模型之方法,檢查裝置及微影裝置 | |
JP4672704B2 (ja) | 基板のオーバーレイ誤差を測定する方法、基板製造方法、および検査装置 | |
US7724370B2 (en) | Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell | |
US9529278B2 (en) | Inspection apparatus to detect a target located within a pattern for lithography | |
US9933250B2 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
KR20100091919A (ko) | 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법 | |
JP4875685B2 (ja) | ターゲットパターンのパラメータを割り出す方法、ライブラリを生成する方法、検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィセル、及びコンピュータプログラム | |
US20090073448A1 (en) | Method of measuring the overlay error, an inspection apparatus and a lithographic apparatus | |
US20110028004A1 (en) | Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method | |
JP5525547B2 (ja) | 特性を求める方法 | |
US8502955B2 (en) | Method of determining a characteristic | |
US20110102774A1 (en) | Focus Sensor, Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus and Control System |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121123 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141125 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151120 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161118 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171124 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181126 Year of fee payment: 10 |