CN102929111B - 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 - Google Patents
一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102929111B CN102929111B CN201110228764.2A CN201110228764A CN102929111B CN 102929111 B CN102929111 B CN 102929111B CN 201110228764 A CN201110228764 A CN 201110228764A CN 102929111 B CN102929111 B CN 102929111B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- development
- light source
- photoresist layer
- light intensity
- aligning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显影后的光刻胶层的对准检测方法,包括:设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数,并将光源参数中的相对光强设定为小于500;依据所述设定的光源参数和所述相对光强,对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。该方法在对显影后的光刻胶进行对准时,能减少对显影后的光刻胶层上的光刻胶的损伤。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制作技术领域,更具体的说是涉及一种显影后的光刻胶层的对准检测方法。
背景技术
随着集成电路的发展,集成电路的制作工艺也越来也精细。在半导体制作工艺中,当硅片表面涂布光刻胶后,为了将掩膜版上的图像转移到光刻胶上,需要对光刻胶进行定位、曝光以及显影,整个过程中的每个工艺步骤之后都会进行相应的检验,其中,对光刻胶显影后的检测可以称为显影后检查(ADI,AfterDevelopingInspection)。
显影后检查一般包括缺陷检查、线宽测量和对准测量等操作。其中对准操作是对显影后的光刻胶层的图形规则程度的检查,各层图像的套准检查等。但是,在对显影后的光刻胶层进行对准时所用的光源很容易对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤,进而影响后续的制作工艺,使得制作出的集成电路板质量较差。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种显影后的光刻胶层的对准检测方法,在对显影后的光刻胶进行对准时,能减少对显影后的光刻胶层上的光刻胶的损伤。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种显影后的光刻胶层的对准检测方法,包括:
设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数,并将光源参数中的相对光强设定为小于500;
依据所述设定的光源参数和所述相对光强,对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。
优选的,将所述相对光强设定为150。
优选的,设定的光源参数还包括:将所述对准检测所用光源的曝光剂量设定为大于0.03J/cm2且小于0.06J/cm2。
优选的,将所述对准检测所用的光源的曝光剂量设定为0.05J/cm2。
优选的,所述对准所用的光源为紫外光源。
优选的,所述紫外光源为准分子激光。
经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明公开提供了一种显影后的光刻胶层的对准检测方法,将对显影后的光刻胶层进行对准检测所用的相对光强设定为小于500,通过降低对准检测所用光源的光强来降低对显影后的光刻胶层的损伤,进而提高了集成电路板的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明一种显影后的光刻胶层的对准检测方法一个实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
现有技术中,对完成显影后的光刻胶层进行对准的过程中,经常会对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤。
发明人经研究发现,现有技术中在对显影后的光刻胶层进行对准的过程中所用的光源与进行曝光时所用的I线光源的光强能量很接近,现有技术中进行对准检测时,所用的光源的相对光强一般均大于或等于500。而在该相对光强下,对准检测所用光源的光强较大很容易损伤显影后的光刻胶层,而适当的降低对准检测的光源的光强并不会降低对准检测的准确性,但却能够避免对显影后光刻胶层的损伤,因此发明人降低对准检测所用的光源的相对光强,进而降低了光源的光强,避免了对准检测过程中对显影后的光刻胶层的损伤。
参见图1,为本发明一种显影后的光刻胶层的对准检测方法一个实施例的流程示意图,本实施例的方法包括:
步骤101:设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数,并将光源参数中的相对光强设定为小于500;
在半导体工艺中,在对硅片涂布光刻胶并前烘后,将带胶硅片与投影掩模版进行对准,然后进行曝光和显影以便将掩膜版上的图形复制到带胶硅片上。显影完成之后,为了检测显影后的光刻胶层上的图形的规则程度,需要进行显影后检查。
显影后检查需要借助紫外光源对显影后的光刻胶层进行检查,为了检测出光刻胶层上图形是否规则、是否满足要求就需要对显影后的光刻胶层进行对准检测。对准检测过程前需要设定对准检测所用的光源参数,如光源的相对光强、光源的曝光能量以及透镜的分光参数等。而光源参数中相对光强是反映光源强度的一个重要指标,而现有技术中在显影后检查时进行对准检测所用光源的相对光强均大于或等于500,而在相对光强大于或等于500时,对准检测时所用的光源的光强与利用I线曝光的光源强度很接近,因此在进行对准检测时,很容易对显影后的光刻胶层的光刻胶造成损伤。
为了避免对显影后的光刻胶层上的光刻胶的损伤,可以适当降低显影后检查中对准检测时所用光源的相对光强,而降低光源的相对光强可以在既不损伤光刻胶的同时又完成对准检测的操作。
步骤102:依据所述设定的光源参数和所述相对光强,对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。
在设定了光源参数,并将相对光强设定在500以下,就可以对显影后的光刻胶层进行对准检测。
其中,设定对准检测所用的相对光强可以小于500,但并不是相对光强与500的差距越大越好,还需要满足对准检测过程中所需的光强,可以将该相对光强设定为120-180的范围内,经过试验分析,当相对光强设定为150,对准检测的精度最高,且在相对光强为150时,对准检测的过程中对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤的可能性最小。
在显影后检查的对准检测过程中,可能需要利用对准光标对显影后的光刻胶层进行图形规则程度检测,其中对准光标也就是对准检测过程中,在光刻胶层上标识显示对准位置的标志,与计算机中的光标相似,但是该对准光标一般为十字形光标。当降低对准检测过程中的相对光强时,对准检测所用光源的光强会变弱,因此对准检测过程中检测的灵敏度会相应的变弱,或者说,对准光标的对准能力以及灵敏度会降低,为了不影响检测的灵敏度,发明人经研究发现适当的提高光源的曝光剂量,可以提高对准检测的灵敏度,可以将光源的曝光剂量设定为大于0.03J/cm2且小于0.06J/cm2。
在现有技术中,显影后检查中对准检测所用光源的曝光剂量一般为0.03J/cm2,但是在这种曝光剂量下,对准检测的灵敏度会很低,为了提高灵敏度可以将光源的曝光剂量提高,经验证当光源的曝光剂量为0.05J/cm2时,灵敏度较高。
进一步的,为了保证对准检测过程中的精确度以及灵敏度,可以将对准检测的中的光源的相对光强设定为150,同时将曝光剂量设定为0.05J/cm2。
需要说明的是,在显影后检查中对准检测所用的光源为紫外光源,具体的紫外光源可以为准分子激光,当然可以为其他的紫外光源。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (5)
1.一种显影后的光刻胶层的对准检测方法,其特征在于,包括:
设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数,包括:将所述对准检测所用光源的曝光剂量设定为大于0.03J/cm2且小于0.06J/cm2,并将光源参数中的相对光强设定为小于500;
依据所述设定的光源参数和所述相对光强,对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。
2.根据权利要求1所述的对准方法,其特征在于,将所述相对光强设定为150。
3.根据权利要求1所述的对准方法,其特征在于,将所述对准检测所用的光源的曝光剂量设定为0.05J/cm2。
4.根据权利要求1所述的对准方法,其特征在于,所述对准所用的光源为紫外光源。
5.根据权利要求4所述的对准方法,其特征在于,所述紫外光源为准分子激光。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110228764.2A CN102929111B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
PCT/CN2012/079459 WO2013020473A1 (zh) | 2011-08-10 | 2012-07-31 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110228764.2A CN102929111B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102929111A CN102929111A (zh) | 2013-02-13 |
CN102929111B true CN102929111B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=47643943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110228764.2A Active CN102929111B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102929111B (zh) |
WO (1) | WO2013020473A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114047672B (zh) * | 2021-11-25 | 2023-09-12 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 减少量测过程中光刻胶损伤的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1461977A (zh) * | 2002-05-31 | 2003-12-17 | 株式会社阿迪泰克工程 | 投影曝光装置、位置对准装置以及位置对准方法 |
CN101120245A (zh) * | 2005-02-18 | 2008-02-06 | Hoya株式会社 | 透光性物品的检查方法 |
CN101727012A (zh) * | 2008-10-28 | 2010-06-09 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 探测当前层曝光步进精度的方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3882588B2 (ja) * | 2001-11-12 | 2007-02-21 | 株式会社ニコン | マーク位置検出装置 |
JP2002202107A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-07-19 | Sony Corp | パターン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに電子装置の製造方法 |
US6458605B1 (en) * | 2001-06-28 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling photolithography overlay registration |
JP2003257834A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
US6957119B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-10-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method for monitoring matched machine overlay |
DE102005009018A1 (de) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen von fotolithografischen Abbildungseinrichtungen bezüglich der Generierung von Streulicht |
KR100714280B1 (ko) * | 2006-04-27 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 계측설비 및 그를 이용한 오버레이 계측방법 |
KR100734318B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크의 cd 보정 방법 및 cd가 보정된 포토마스크 |
US7619737B2 (en) * | 2007-01-22 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
CN100526995C (zh) * | 2007-08-31 | 2009-08-12 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻机对准的标记以及使用该标记的对准方法 |
-
2011
- 2011-08-10 CN CN201110228764.2A patent/CN102929111B/zh active Active
-
2012
- 2012-07-31 WO PCT/CN2012/079459 patent/WO2013020473A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1461977A (zh) * | 2002-05-31 | 2003-12-17 | 株式会社阿迪泰克工程 | 投影曝光装置、位置对准装置以及位置对准方法 |
CN101120245A (zh) * | 2005-02-18 | 2008-02-06 | Hoya株式会社 | 透光性物品的检查方法 |
CN101727012A (zh) * | 2008-10-28 | 2010-06-09 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 探测当前层曝光步进精度的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013020473A1 (zh) | 2013-02-14 |
CN102929111A (zh) | 2013-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10001702B2 (en) | Imprinting apparatus, device fabrication method, and imprinting method | |
WO2010076232A3 (en) | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method | |
US20080186497A1 (en) | Method and Apparatus for Inspecting Defects on Mask | |
US20160209763A1 (en) | Exposure apparatus, and method of manufacturing device | |
CN102023488A (zh) | 监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法 | |
KR20130028179A (ko) | 마스크 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 | |
KR102011553B1 (ko) | 이물 검사 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US20160093256A1 (en) | Detection system and method for automatically adjusting gray scale | |
CN102929111B (zh) | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 | |
KR20160065019A (ko) | 위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법 | |
TWI534011B (zh) | 印刷模板與調整印刷圖案和基板相對位置的方法 | |
US8873830B2 (en) | Method for extracting contour of pattern on photo mask, contour extraction apparatus, method for guaranteeing photo mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
US9904170B2 (en) | Reticle transmittance measurement method, projection exposure method using the same, and projection exposure device | |
TWI641903B (zh) | 用於量測之裝置、系統、非暫時性電腦程式產品以及方法 | |
KR20170105024A (ko) | 사전 정렬 측정 장치 및 방법 | |
US7939222B2 (en) | Method and system for improving printing accuracy of a contact layout | |
US20200192519A9 (en) | Shadow elimination detection method and manufacturing method for a touch substrate, touch substrate and touch device | |
US9921488B2 (en) | Maskless exposure method and a maskless exposure device for performing the exposure method | |
CN103208483A (zh) | 重叠标记及检查对准度的方法 | |
CN108369920B (zh) | 适应性对准方法及系统 | |
JP2009168634A (ja) | 形状測定方法,形状測定装置 | |
KR101683027B1 (ko) | 웨이퍼 스테이지 정렬 방법, 이 방법을 수행하기 위한 장치, 및 이 장치를 포함하는 노광 장치 | |
CN1856743A (zh) | 相移掩模对准方法和器件 | |
US9797828B2 (en) | Method for measuring the concentration of a photoresist in a stripping liquid | |
US9594314B2 (en) | Exposure apparatus, alignment method, and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |