KR20160065019A - 위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법 - Google Patents

위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160065019A
KR20160065019A KR1020150167023A KR20150167023A KR20160065019A KR 20160065019 A KR20160065019 A KR 20160065019A KR 1020150167023 A KR1020150167023 A KR 1020150167023A KR 20150167023 A KR20150167023 A KR 20150167023A KR 20160065019 A KR20160065019 A KR 20160065019A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
substrate
mark
unit
light receiving
Prior art date
Application number
KR1020150167023A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101993950B1 (ko
Inventor
코이치 타무라
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20160065019A publication Critical patent/KR20160065019A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101993950B1 publication Critical patent/KR101993950B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

위치 결정 장치는 회전하는 기판의 에지부에 광을 조사하도록 구성된 제1 투광 유닛 및 기판의 면 상의 하나 이상의 마크에 광을 조사하도록 구성된 제2 투광 유닛을 포함한다. 위치정렬 장치는 기판의 면에 대응하는 측에 배치되며, 제1 투광 유닛로부터 조사된 후 기판 외측 영역을 통과하는 광을 수광하고 제2 투광 유닛으로부터 조사된 후 하나 이상의 마크로부터 반사되는 광을 수광하도록 구성된 수광 유닛을 추가로 포함한다. 기판의 위치는 수광 유닛에 의한 수광 결과에 기초하여 결정된다.

Description

위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법 {POSITION DETERMINING DEVICE, POSITION DETERMINING METHOD, LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING OBJECT}
본 발명은 위치 결정 장치, 위치 정렬 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
회로 패턴 등의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치는 기판을 미리 정해진 노광 위치로 반송하기 위해 반송 전에 기판을 정렬한다. 일예의 노광 장치는 기판에 노치로 지칭되는 V자 형상의 절결부를 형성하고, 노치의 위치를 검출함으로써 기판의 위치를 결정하고, 미리 정해진 위치로부터의 위치 어긋남을 보정하도록 기판을 정렬한다.
그러나, 노치부로의 레지스트의 누설 또는 노치를 갖는 기판의 비대칭성으로 인해, 노광 단계 및 성막 단계를 포함하는 단계에서 노치 주변의 영역에 반도체 디바이스의 성능 불량이 발생하는 경향이 있다. 이 과제를 해결하고 또한 수율의 저하를 방지하기 위해, 노치를 갖지 않는 기판을 정렬하는 기술이 요구된다.
일본 특허 공개 제2007-5794호 공보는 기판의 이면 상의 마크를 사용하여 기판의 위치를 결정하는 기구를 갖는 위치정렬 장치에 관한 것이다. 기판의 에지를 검출하는 센서 및 이면 상의 마크를 검출하는 센서를 사용하여 기판의 위치를 결정한다.
또한, 일본 특허 공개 평 9-139342호 공보는 기판의 이면 상의 마크를 사용하여 기판의 위치를 결정하는 기구를 갖는 위치정렬 장치에 관한 것이다. 기판 전방면에 형성된 샷 배열로부터 반사되는 광, 및 기판의 이면 상의 마크로부터의 반사되는 광을 하나의 촬상 소자에 의해 수광함으로써 기판의 위치를 결정한다.
일본 특허 공개 제2007-5794호 공보에 개시된 위치정렬 장치에서, 에지를 검출하는 센서 및 마크를 검출하는 센서는 서로 이격된다. 따라서 두 개의 센서의 상대 위치를 미리 측정하는 것이 필요하다. 주위 온도 변화가 큰 경우, 상대 위치를 자주 측정하는 것이 필요할 수 있다.
일본 특허 공개 평 9-139342호 공보에 개시된 위치정렬 장치는 에지를 검출하도록 구성된 유닛을 포함하지 않는다. 따라서, 기판 상의 불필요한 레지스트를 제거하기 위해 에지를 따라서 에지부를 노광하는 에지 노광 처리가 요구되는 경우, 에지를 새로 검출하는 것이 필요하다.
본 발명은 공통 센서를 사용하여 기판의 에지 및 마크를 검출하고 기판의 위치를 결정할 수 있는 위치 결정 장치, 위치 결정 방법 및 리소그래피 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르는 위치 결정 장치는 기판의 에지부에 광을 조사하도록 구성된 제1 투광 유닛, 기판의 면 상의 하나 이상의 마크에 광을 조사하도록 구성된 제2 투광 유닛, 기판의 면에 대응하는 측 상에 배치되며, 제1 투광 유닛으로부터 조사된 후 기판 외측 영역을 통과하는 광을 수광하고 제2 투광 유닛으로부터 조사된 후 하나 이상의 마크로부터 반사되는 광을 수광하도록 구성된 수광 유닛, 및 수광 유닛에 의한 광 수신 결과에 기초하여 기판의 위치를 결정하도록 구성된 결정 유닛을 포함한다.
본 발명의 추가 양태는 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따르는 위치정렬 장치의 정면도.
도 2는 제1 실시예에 따르는 위치정렬 방법을 도시하는 흐름도.
도 3은 제1 실시예에 따르는 기판의 에지부에 대한 수광 파형 도면.
도 4는 제1 실시예에 따르는 에지에 대한 위치 파형 도면.
도 5는 제1 실시예에 따르는 위치정렬 장치를 도시하는 상면도.
도 6은 제2 실시예에 따르는 기판의 에지부에 대한 수광 파형 도면.
도 7은 제2 실시예에 따르는 에지에 대한 위치 파형 도면.
도 8은 제5 실시예에 따르는 위치정렬 방법을 도시하는 흐름도.
도 9는 제5 실시예에 따르는 위치정렬된 에지에 대한 위치 파형 도면.
도 10은 위치 검출기를 포함하는 리소그래피 장치의 도면.
제1 실시예
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따르는 위치정렬 장치(위치 결정 장치)(100)의 정면도이다. 도 1은 기판(10)이 스테이지(120) 상에 반송된 상태를 도시한다. 기판에 대해 처리를 실행하는 장치로 기판(10)을 반송하기 전에, 위치정렬 장치(100)는 기판(10)의 위치를 검출하고 검출 결과에 기초하여 기판(10)의 위치를 미리 정해진 대기 위치로 위치정렬한다. 이하에서, 위치정렬은 기판(10)을 병진 방향 및 회전 방향에 대해 미리 정해진 위치에 정렬하는 것을 나타낸다.
스테이지(120)는 z축 방향을 회전축으로서 사용하여 기판(10)을 회전시키는 회전 스테이지(회전 유닛)(121), XY 평면 내에서 기판(10)을 병진 이동시키는 XY 스테이지(122), 및 기판(10)을 지지하는 지지부(123)를 포함한다.
기준 편평부 또는 노치 등의 절결부를 갖지 않는 기판이 기판(10)으로서 사용된다. 본 실시예에서, 직경 300mm의 기판이 기판(10)으로서 사용된다. 또한 기판(10)의 직경은 300mm 미만, 300mm내지 450mm의 범위, 또는 450mm 초과일 수 있다.
마크(11)가 에지(12)의 근처에서 스테이지(120)로 반송된 기판(10)의 이면에 형성된다. 마크(11)의 일예는 레이저-마킹 또는 다른 처리에 의해 형성된 요철 구조를 갖는 마크이다. 마크의 패턴의 예는 복수의 반구형 오목부가 1열 또는 2차원적으로 정렬되는 패턴, 라인-앤드-스페이스 패턴, 및 직사각형 패턴을 포함할 수 있다.
이하에서, 기판(10)의 전방면은 기판(10)의 피처리면(본 실시예에서, 수직 방향의 상부면)을 나타내고, 기판(10)의 이면은 피처리면의 대향면(본 실시예에서, 수직 방향의 하부면)을 나타낸다. 피처리면이 기판(10)에 대해 수직 방향에 위치되는 측은 전방면측이고, 피처리면의 대향면이 기판(10)에 대해 수직 방향으로 위치되는 측은 이면측이다.
제1 광원(제1 투광 유닛)(111)은 기판(10)에 대해 표면측에 배치된다. 제2 광원(제2 투광 유닛)(112)은 기판(10)에 대해 이면측에 배치된다. 광학계(113) 및 수광 소자(수광 유닛, 광 검출기)(110)는 제1 광원(111)의 수직 방향 아래에 그리고 기판(10)에 대해 이면측에 배치된다. 제1 광원(111) 및 제2 광원(112)은 기판(10)의 상이한 면에 대응하는 측으로부터 광을 조사하는 광원이며, 동일한 파장을 갖는 광을 조사하는 발광 다이오드(LED) 광원이다. 수광 소자(110)는 전하-결합 디바이스(CCD) 또는 상보성 금속-산화막 반도체(CMOS) 등의 촬상 소자이다.
수광 소자(110)는 제1 광원(111)과 대향하도록 기판(10)에 대해 제2 광원(112)과 동일한 측 상에 배치된다. 즉, 광원으로부터 조사된 광속을 편광시켜 그 광로를 절곡시키는 광학 소자는 제1 광원(111)으로부터 수광 소자(110)까지의 광로 또는 제2 광원(112)으로부터 수광 소자(110)까지의 광로 상에 배치되지 않는다. 위치정렬 장치(100) 내의 광학 소자의 개수를 감소시킴으로써, 회전 스테이지(121)의 주변의 공간 절약화가 달성될 수 있다.
제1 광원(111)은 기판(10)의 에지(에지부)(12)에 광을 조사한다. 특히, 제1 광원(111)은 그 조명 범위가 기판(10)과 그 외부 외측의 공간 사이의 경계부인 에지(에지부)(12)를 적어도 포함하도록 수직 방향에서 하향으로 광을 조사한다. 제2 광원(112)은 마크(11)에 대해 암(dark)-시야 조명이 되도록 각도를 이루어 광을 조사한다.
수광 소자(110)는 제1 광원(111)으로부터 조사되며 에지(12)의 외부 외측의 공간을 통과하는 광(기판 외측 영역을 통과하는 광), 및 제2 광원(112)으로부터 조사되며 마크(11)로부터 반사되는 광(반사된 회절광 및 반사된 산란광 중 하나 이상)을 광학계(113)를 개재하여 수광한다. 즉, 수광 소자(110)는 제1 광원(111)으로부터의 광 및 제2 광원(112)으로부터의 광에 대해 공통이며, 즉 기판(10) 외측 영역을 통과하는 광 및 마크(11)로부터 반사된 광에 대하여 공통이다.
제1 광원(111)은 명(bright)-시야 조명에 의해 광을 조사한다. 제1 광원(111)이 암-시야 조명이 아니라 명-시야 조명일 때, 기판(10)이 에지(12)의 근처에서 코너부를 제거한 모따기부(13)를 갖는 경우에도, 에지(12)를 계측하는 정밀도가 모따기부(13)에서 반사된 광의 영향에 의해 저하되는 것이 방지될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 광원(112)은 외측 방향으로, 기판의 중심에 대응하는 내부측으로부터 광을 조사할 수 있다. 또한, 광은 마크(11)가 그 위에 설치된 기판의 면에 대해 각도를 이루어 조사된다. 이는 모따기부(13)로부터 반사된 광의 영향에 의해 마크(11) 또는 에지(12)를 검출하는 정밀도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
제어부(130, 결정 유닛)는 수광 소자(110)에 연결된다. 제어부(130)는 수광 소자(110)에 의한 수광 결과로부터 마크(11) 및 에지(12)를 검출하고, 기판(10)의 위치를 결정한다. 제어부(131)는 제1 광원(111)에 연결되고, 제1 광원(111)의 광을 조정한다. 제어부(132)는 제2 광원(112)에 연결되고, 제2 광원(112)의 광을 조정한다. 제어부(133)는 스테이지(120)에 연결되고 회전 스테이지(121) 및 XY 스테이지(122)의 구동을 제어한다.
제어부(130 내지 133) 각각은 도시되지 않은 중앙 처리 유닛(CPU)을 포함한다. 제어부(130 내지 133)는 서로 정보를 교환할 수 있다. 예를 들어, 제어부(133)는 제어부(130)에 의해 결정된 기판(10)의 어긋남이 보정되도록 스테이지(120)를 구동시켜 기판(10)을 위치정렬할 수 있다.
제어부(130 내지 133)에 의해, 위치정렬 동작에 요구되는 정보가 메모리(134)에 기억된다. 기억된 정보의 예는 제어부(130)에 의해 결정된 기판(10)의 위치(회전 방향의 위치를 포함함), 및 제1 광원(111)과 제2 광원(112) 각각의 광량을 포함할 수 있다. 다른 예는 마크(11)의 검출 및 에지(12)의 검출에 사용하는 신호의 임계값일 수 있다. 제어부(130 내지 133) 및 메모리(134)는 이들의 기능이 손상되지 않는 한 하나의 제어 보드 또는 상이한 제어 보드 상에 배열될 수 있다.
이어서, 도 2 내지 도 5를 사용하여, 마크(11)의 위치, 에지(12)의 위치, 및 기판(10)의 위치가 제어부(130)에 의해 결정되는 방법이 설명된다.
도 2는 위치정렬 장치(100)를 사용한 기판(10)의 위치정렬 진행 방법을 도시하는 흐름도이다. 기판(10)이 위치정렬 장치(100)로 이송되기 전에, 제어부(131)는 제1 광원(111)의 광을 조정한다(S301). 제1 광원(111)으로부터의 광량이 수광 소자(110)에서 계측되고, 제1 광원(111)의 광량은 광량에 의해 표시되는 신호 강도가 최적 값과 동일하도록 조정된다. 제1 광원(111)의 광은 장애물이 될 수 있는 기판(10)이 존재하지 않을 때 조정될 수 있다. 기판이 반송된 이후 광이 조정되는 경우, 광이 기판(10)에 의해 차단된 부분의 광량은 확인될 수 없다. 이 경우, 신호 강도는 기판(10)의 회전 작동 도중 허용 가능한 값을 초과할 수 있다.
이어서, 기판(10)은 반입 로봇(미도시)에 의해 위치정렬 장치(100)로 이동된다(S302). 이동된 기판(10)은 지지부(123)의 진공 흡착 기구(미도시)에 의해 지지된다. 이때, 기판(10)이 이동되는 곳에서, 기판은 아직 위치정렬되지 않았고, 전형적으로 목표 위치로부터 병진 방향 및 회전 방향으로 어긋나 있다.
계속해서, 제어부(132)는 제2 광원(112)의 광을 조정한다(S303). 마크(11)로부터 반사된 광을 수광할 필요가 있기 때문에, 광량의 값이 이전의 위치정렬시 사용되는 경우, 제2 광원(112)의 광은 이 값을 사용하여 조정된다.
제어부(133)는 회전 스테이지(121)를 사용하여 기판(10)을 회전시킨다(S304). 회전 스테이지(121)가 기판(10)을 회전시키는 동안, 수광 소자(110)는 제1 광원(111)으로부터 조사된 광, 및 제2 광원(112)으로부터 조사되고 이후 기판(10)의 이면으로부터 반사된 광을 수광한다. 제2 광원(112)이 그 조명 범위가 마크(11)를 포함하도록 광을 조사하는 경우, 수광 소자(110)는 또한 마크(11)로부터 반사된 광을 수광한다. 기판(10)이 회전되는 동안 수광 소자(110)는 제1 광원(111) 및 제2 광원(112) 각각으로부터 광을 수광하고, 기판(10)의 에지(12)에 관한 위치 정보를 회전 방향에서 연속적으로 획득한다.
제어부(130)는 수광 신호를 순차적으로 포획하고(S305), 포획된 신호를 사용하여 기판(10)의 마크(11)의 위치 및 에지(12)의 위치를 검출한다(S306). 회전 스테이지(121)가 기판(10)을 위치정렬에 요구되는 양(하나의 마크가 사용되는 경우 360°)만큼 회전시킬 때, 제어부(133)는 회전 동작을 멈춘다(S307).
도 3을 참조하여 단계(S306)를 설명한다. 도 3은 수광 소자(110)의 시야에 마크(11)가 존재할 때, 수광 결과에 대응하는 검출 신호의 파형(이후, 수광 파형으로 지칭됨)(140)과 기판(10) 사이의 관계를 도시한다. 횡축은 기판(10)의 반경 방향의 위치(R)를 나타내고, 종축은 광량을 나타낸다. 수광 파형(140)은 기판(10)의 외측의 영역 및 내측의 일부 영역에서 광량이 많은 상태를 도시한다. 기판(10)의 외측의 영역에서의 광량은 제1 광원(111)으로부터 조사되고 기판(10)에 의해 차단되지 않은 부분을 통과하는 광에 대응한다. 기판(10)의 내측의 일부 영역의 광량은 마크(11)로부터 반사된 광에 대응한다.
제어부(130)는 수광 파형(140)에서, 주사가 최외측 영역으로부터 기판(10)의 중심을 향해 이동하는 동안 광량이 미리 정해진 임계값(141) 아래로 처음으로 떨어지는 위치(142)가 에지(12)의 위치라고 결정한다. 유사하게, 제어부(130)는 주사가 위치(142)로부터 중심 측을 향해 이동하는 동안 광량이 미리 정해진 임계값(145)을 초과하는, 위치들(143 및 144) 사이의 중심부가 마크(11)의 위치라고 결정한다. 임계값(141 및 145)은 동일한 값일 수 있다. 제1 광원(111)으로부터의 광량 및 마크(11)로부터 반사된 광량이 상이한 경우, 임계값(141 및 145)은 상이할 수 있다.
도 2를 참조하면, 제어부(130)는 마크(11)가 검출되었는지 여부를 결정한다(S308). 마크(11)가 검출되지 않은 것으로 결정되는 경우(아니오), 처리는 단계(S303)로 복귀되고, 제2 광원(112)의 광량이 재조정된다. S308에서 마크(11)가 검출된 것으로 결정되는 경우(예), 제어부(130)는 이때의 제2 광원(112)의 광량을 메모리(134)에 기억한다(S309). 제어부(130)는 마크(11)에 대응하는 획득된 신호 강도를 사용하여 최적 신호 강도가 획득될 수 있는 광량을 결정하고 이를 메모리(134)에 기억할 수 있다.
제어부(130)는 단계(S305 및 S306)에서 획득된 마크(11)의 위치 및 에지(12)의 위치를 사용하여 기판(10)의 위치를 결정한다. 제어부(130)는 각각의 회전 각도에 대한 수광 파형(140)으로부터, 도 4에 도시된 에지(12)에 대응하는 위치 파형(80)을 획득한다. 횡축은 회전 각도(θ), 종축은 기판(10)의 반경 방향의 위치(R)를 나타낸다. 마크 신호(81)는 회전 각도 θ = θmark일 때 검출된다.
위치 파형(80)은 다음의 식(1)에 의해 표현된다.
Figure pat00001
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 중심(60)이 스테이지(120)의 중심(125)으로부터 편심될 때, r은 편심 벡터(21)(X, Y)의 크기를 나타내고, θ는 S304 내지 S307 사이의 회전 각도를 나타내고, α는 편심 벡터(21)와, 중심(125) 및 수광 소자(110)를 연결하는 직선 사이에 형성된 각도를 나타내고, L은 기판(10)의 반경을 나타내고, θmark는 중심(125)과 마크(11)를 연결하는 직선과, 중심(125) 및 수광 소자(110)를 연결하는 직선 사이의 각도를 나타낸다.
제어부(130)는 위치 파형(80)을 사용하여 스테이지(120)에 대한 기판(10)의 수평 방향 위치를 결정하고, θmark를 사용하여 회전 방향의 위치를 결정한다(S310).
제어부(133)는 제어부(130)에 의해 결정된 기판(10)에 관한 위치 정보를 사용하여 스테이지(120)를 병진 방향 및 회전 방향으로 구동하고 기판(10)을 미리 정해진 위치에 설정한다(S311). 대안적으로, 반입 로봇이 기판(10)에 관한 위치 정보를 사용하여 기판(10)을 스테이지(120) 상의 미리 정해진 위치에 재배열한다. 이와 같이 위치 정렬을 행함으로써, 후속 반송 동작이나 처리 동작 도중 기판(10)의 위치 어긋남에 의해 발생되는 처리 정밀도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
마지막으로, 위치정렬 장치(100)로부터 기판(10)이 반출된다(S312). 에지(12)의 검출도 행하고 있으므로, S312에서의 반출 이전에, 검출 결과를 사용하여 에지 노광 처리가 실행될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 기판(10)이 절결부를 갖지 않더라도, 기판의 위치가 정밀하게 결정될 수 있다. 따라서, 종래 기술에서 자주 발생하는, 절결부 근처에서의 연마 및 다른 처리에 있어서 정밀도 저하에 의한 칩의 수율 저하가 방지될 수 있다.
공통의 수광 소자(110)가 제1 광원(111)으로부터의 광 및 제2 광원(112)으로부터의 광을 모두 수광하기 때문에, 동시에 수광된 광 모두에 기초하는 상이 사용될 때, 마크(11) 및 에지(12)가 일괄하여 검출될 수 있다.
각각의 광원에 대응하는 수광 소자가 배치되는 경우에 비해, 위치정렬 장치(100) 상의 장착 부하가 저감될 수 있고, 추가로, 광원의 위치정렬이 요구되지 않는다. 이는 마크(11) 및 에지(12)의 검출 정밀도의 저하 요인을 감소시킬 수 있고, 이는 기판(10)의 위치정렬을 정밀하게 하는 것으로 이어질 수 있다.
제2 실시예
제2 실시예에 따르는 위치정렬 장치(100)에서, 기판(10)의 에지(12)로부터 마크(11)까지의 거리에 관한 거리 정보로서, 에지(12)로부터 마크(11)까지의 거리 또는 이에 대응하는 신호 폭이 메모리(134)에 기억된다. 그 이외의 구성은 제1 실시예에 따르는 위치정렬 장치(100)과 실질적으로 동일하다.
도 6은 수광 소자(110)의 시야에 마크(11)가 존재할 때 수광 파형(140)과 기판(10) 사이의 관계를 도시한다. 기판(10)의 이면에 이물질(20)이 부착되는 경우, 이물질(20)로부터 반사된 광도 수광 파형(140)에 표시된다. 이물질(20)로부터의 반사된 광에 대응하는 신호 강도가 임계값(145)을 초과하는 경우, 제어부(130)는 이를 마크(11)로부터 반사된 광으로 오인할 수 있다. 본 실시예는 이러한 경우에 유효한 방법이다.
제어부(130)는 수광 파형(140)을 사용하여 기판(10)의 에지(12)를 검출한다. 제어부(130)는 메모리(134)에 기억된 에지(12)로부터 마크(11)까지의 거리를 사용하여, 마크(11)의 위치를 특정할 때 사용하는 위치(R) 검출 범위가 위치들(83 및 84) 사이의 범위라고 결정한다. 위치들(83 및 84) 사이의 범위에 임계값(145)을 초과하는 신호가 있는 경우, 제어부(130)는 마크(11)가 존재한다고 결정하고, 마크(11)의 위치를 특정한다. 따라서, 제1 실시예에서와 같이, 간단한 구성으로 마크(11) 및 에지(12)가 검출될 수 있고, 기판(10)이 위치정렬될 수 있다.
각각의 회전 각도에 대해 에지(12)로부터 마크(11)까지의 거리 및 반경 방향에서의 수광 결과의 일부를 사용함으로써, 이물질(20)로부터 반사된 광에 의해 발생되는 마크(11)의 부정확한 검출이 방지될 수 있다(도 7 참조). 좁아진 검출 범위는 마크(11)의 위치 검출에 요구되는 시간의 단축으로 이어질 수 있다. 대안적으로, 좁아진 검출 범위 내의 수광 파형(140)을 상세하게 분석함으로써, 마크(11)의 위치 검출 정밀도를 향상할 수 있다.
제3 실시예
기판(10)이 회전되는 동안 제1 광원(111) 및 제2 광원(112)이 조명 상태를 유지하는 상태에서 수광 소자(110)가 촬상을 행하는 경우, 회전 속도에 따라서 마크(11)의 상 또는 에지(12)의 상에 흔들림(blur)이 발생할 수 있다. 상이 흔들리게 되는 경우, 수광 파형(140)에서, 에지(12)에 대응하는 부분의 파형이 물결치게 될 수 있고, 마크(11)에 대응하는 피크 파형의 반값폭이 증가할 수 있고, 또는 다른 유사한 현상이 발생할 수 있다. 이는 에지(12) 또는 마크(11)의 위치 검출 정밀도를 저하시킬 수 있다.
이 과제를 해결하기 위해, 제3 실시예에 따르는 위치정렬 장치(100)에서, 제어부(131)는 제1 광원(111)의 조명 간격을 설정하고, 제어부(132)는 제2 광원(112)의 조명 간격을 설정한다. 다른 구성은 제1 실시예의 위치정렬 장치(100)과 실질적으로 동일하고, 기판(10)은 실질적으로 동일한 기술에 의해 정렬된다.
즉, 기판(10)의 회전 동안, 제1 광원(111) 및 제2 광원(112)은 짧은 간격으로 온 상태 및 오프 상태를 반복하는 점멸광을 조사한다. 이는 상 흔들림의 저감으로 이어질 수 있고, 마크(11) 및 에지(12)의 검출 정밀도에의 영향을 저감할 수 있다.
상 흔들림은 회전 방향에서 크다. 따라서, 제2 광원(112)이 조명하는 시간은 제1 광원(111)보다 짧을 수 있다. 따라서, 수광 소자(110)에 진입하는 제1 광원(111)의 광량이 많아지기 때문에, 제2 광원(112)에 비해 작은 광량(휘도)을 갖는 광원이 제1 광원(111)으로서 선택될 수 있다.
제4 실시예
제4 실시예에 따르는 위치정렬 장치(100)의 구성은 제1 실시예와 실질적으로 동일하다. 세 개의 마크(복수의 마크)(11)가, 기판(10)의 중심(60)에 대해 동심으로 배열되고 그 중심 각도가 각각 120°가 되도록 서로에 대해 이격되도록 하나의 기판(10) 상에 형성된다.
이 경우, S304 내지 S307 사이에서 제어부(130)가 기판(10)을 회전시킬 때의 회전 각도는 오직 120°이다. 이는 하나 이상의 마크(11)가 120° 회전에 의해 검출될 수 있기 때문이다. 이러한 방식으로, 마크(11)의 개수에 따라, 회전 방향에서의 수광 범위를 조정함으로써, 마크(11) 및 에지(12)의 검출에 요구되는 시간이 저감될 수 있다.
마크(11)가 120°의 회전에 의해 검출될 수 없는 경우, 제2 광원(112)의 투광 조건이 변경될 수 있다. 투광 조건의 예는, 광량 및 마크(11)에 대한 광의 입사 각도를 포함할 수 있다.
광량을 증가시키는 것에 의한 신호 강도의 증가 또는 투광 각도를 변경하는 것에 의한 신호 강도의 S/N비의 개선은 마크를 검출하는 가능성을 향상시킨다. 투광 각도 변경 방법의 예는 제2 광원(112)을 다양한 각도로 배열하고 조명 요소를 전환하는 방법 및 제2 광원(112)으로부터의 광을 도광하는 복수의 경로를 배열하고 미러를 사용하여 경로를 전환하는 방법을 포함할 수 있다. 제2 광원(112)은 구동 기구(미도시)에 의해 이동될 수 있다.
제3 실시예와의 조합이 사용되는 경우, 조명 시간은 또한 투광 조건에 포함될 수 있다. 마크(11)는 이면 상의 마크(11)의 개수 및 기판(10)의 회전 각도(기판의 회전 방향 위치)에 따라 투광 조건을 변경함으로써 단시간에 검출될 수 있다.
복수의 마크가 둘 이상의 종류의 마크(11)인 다른 경우가 설명된다. 라인 폭 또는 스페이스 폭이 상이한 경우, 각각의 마크(11)로부터의 광은 신호 강도의 분포로부터 구별될 수 있다. 이 경우, 제어부(130)는 복수의 마크의 위치 및 종류(복수의 마크에 관한 정보) 및 수광 결과에 기초하여 기판(10)의 위치를 특정한다. 기판(10)이 360° 회전되고, 복수의 마크(11)가 검출되고, 회전 방향에서 기판(10) 상의 마크(11)의 위치의 실제 거리 및 검출된 마크(11)의 회전 방향의 거리가 비교된다. 계측 오차의 영향이 감소될 수 있고, 기판(10)의 위치 특정 정밀도 또한 향상될 수 있다.
제5 실시예
제5 실시예에 따르는 위치정렬 장치(100)에서, 기판(10)의 이면에 형성되는 세 종류의 다른 마크(11)(도 9에 도시된 바와 같이, 세 종류의 마크(11)에 대응하는 마크 신호(81, 85, 및 86))의 형상이 템플릿(하나 이상의 마크에 관한 샘플 정보)으로서 메모리(134)에 기억된다. 다른 구성은 제1 실시예에 따르는 위치정렬 장치(100)와 실질적으로 동일하다.
도 8은 제5 실시예에 따르는 위치정렬 진행 방법을 도시하는 흐름도이다. 단계(S401 내지 S405)는 도 2의 단계(S301 내지 S305)와 실질적으로 동일하고, 단계(S409 내지 S413)는 도 2의 단계(S308 내지 S312)와 실질적으로 동일하며, 이들 단계는 여기서 설명하지 않는다. 단계(S406 내지 S408)를 중심으로 설명한다.
S405에서 수광 소자(110)로부터의 신호를 획득하는 동안 제어부(130)는 에지(12)만 검출한다(S406). 회전 정지(S407) 이후, 제어부(130)는 수광 소자(110)로부터 획득된 신호를 사용하여 도 9에 도시된 바와 같이 에지(12)의 위치가 정렬되는 2차원 상을 생성한다. 도 9에서, 횡축은 회전 각도(θ)를 나타내고, 종축은 반경 방향의 위치(R)를 나타낸다.
제어부(130)는 회전 성분에 의한 왜곡이 없고 마크 신호(81, 85, 및 86)에 의해 표시되는 2차원 상을 생성한다. 제어부(130)는 마크 신호(81, 85, 및 86)와 메모리(134)에 기억된 세 종류의 다른 마크(11)의 상 사이에서 템플릿-매칭을 실행함으로써 기판(10)의 위치를 특정할 수 있다(S408). 이러한 방식으로, 수광 결과 및 마크(11)의 템플릿에 기초하여 노치가 없는 기판(10)이 정밀하게 위치정렬 될 수 있다(S411, S412).
템플릿-매칭 기술에 의해, 이물질 신호(90 및 91) 또는 다른 유사한 신호가 마크 신호로서 오인되지 않는다. 상이한 종류의 마크가 기판(10)에 형성되는 경우에도, 그 위치가 용이하게 특정될 수 있다. 추가로, 제2 실시예와 조합하여 사용함으로써, 검출 범위를 위치들(83 및 84) 사이의 영역으로 좁힐 수 있다. 이 경우, 검출에 요구되는 시간이 단축될 수 있다.
제6 실시예
제6 실시예는 수광 소자(110)가 제1 광원(111)으로부터 투과된 광 및 제2 광원(112)으로부터 조사된 후 마크(11)로부터 반사된 광을 상이한 타이밍에서 검출하는 실시예다. 즉, 먼저, 에지(12)가 제1 광원(111)으로부터 조사된 광만을 사용하여 획득된 상으로부터 검출된 후, 마크(11)의 위치가 제2 광원(112)으로부터 조사된 광만을 사용하여 획득된 상으로부터 만을 사용하여 검출된다.
제2 광원(112)을 사용하여 마크(11)를 검출할 때 에지(12)의 획득된 제1 위치에 기초하여 기판(10)의 편심을 보정하면서 회전 동작을 실행함으로써, 도 9에 도시된 바와 같은 상과 유사하게 에지(12)의 위치가 정렬된 2차원 상이 획득될 수 있다. 본 예에서, 획득된 수광 파형(140)으로부터 에지(12)의 위치가 정렬된 2차원 상이 생성되는 경우에 비해, 신호 처리에 요구되는 시간이 단축될 수 있다. 추가로, 수광 소자(110)의 촬상 영역이 좁혀질 때, 신호 처리에 요구되는 시간이 단축될 수 있다.
필요한 검출 정밀도에 따라서, 회전 스테이지(121)에 의한 상이한 회전 속도가 에지(12) 검출시 그리고 마크(11) 검출시 사용될 수 있다. 예를 들어, 수광 파형(140)의 획득된 데이터 요소의 개수는 에지(12)의 검출시 마크(11)의 검출시보다 높은 속도로 기판(10)을 회전시킴으로써 저감될 수 있다. 이 경우, 신호 처리의 부하가 저감될 수 있다.
다른 실시예
제1 내지 제5 실시예에 공통되는 다른 실시예에 대해서 설명한다.
마크(11)는 사용자에 의해 가공되지 않고 표준 규격에 의해 기판(10)의 결정 방위를 규정하기 위해서 미리 형성된 마크일 수 있다. 규격 마크는 복수의 반구 형상의 오목부의 배열을 각각 구비한 세 종류의 마크이다. 세 종류의 마크는 오목부의 상이한 배열을 갖고 기판(10)의 이면에 대략 120°의 간격으로 배열된다. 이 경우, 독립적으로 마크(11)를 형성하는데 요구되는 시간 및 단계가 생략될 수 있다. 세 종류의 마크 중 적어도 한 종류만에 관한 정보 및 에지에 관한 정보가 사용될 수 있다.
규격 마크는 병진 방향에서 10 ㎛ 정도의 위치 오차 및 회전 방향에서 0.1° 정도의 위치 오차를 갖도록 형성된 마크이다. 따라서, 세 개의 규격 마크의 위치를 계측함으로써 기판(10)의 위치(x, y, θ)가 결정되는 경우보다, 상기 실시예에서와 같이, 에지(12)에 관한 연속적인 위치 정보가 함께 획득되는 경우 기판(10)의 위치가 더 정밀하게 결정될 수 있다. 에지(12)에 관한 위치 정보가 이산적으로 획득되는 경우보다 기판(10)의 위치가 더 정밀하게 결정될 수 있다.
수광 소자(110)는 주로 제1 광원(111)으로부터 광을 수광하는 영역 및 주로 제2 광원(112)으로부터 광을 수광하는 영역에서 상이한 감도를 가질 수 있다. 기판(10)의 회전 대신, 제1 광원(111) 및 제2 광원(112)의 회전에 의해 에지(12) 및 마크(11)가 검출될 수 있다.
제어부(130)는 수광 파형(140)에 대해 이동 평균 처리를 실행함으로써 획득된 파형을 사용하여 에지(12) 및 마크(11)를 검출할 수 있다. 이물질(20)에 대응하는 신호는 마크(11)에 대응하는 신호에 비해 전형적으로 국소적이기 때문에, 이물질(20)에 의해 발생되는 노이즈 신호가 저감될 수 있다.
이동 평균 처리는 고정된 시간 간격 내에 각각 산출되는 평균값을 순차적으로 산출하는 처리이다. 이동 평균 처리의 일예는 수광 파형(140)의 각각의 각도(θ)에서의 신호 강도를 θ = ±1° 의 범위에 포함되는 신호 강도의 평균값으로 변환하는 처리일 수 있다.
제1 광원(111)은 그 조명 범위가 에지(12)를 포함하도록 이면 측에서 수직 방향으로 상향으로 광을 조사할 수 있고, 광학계(113) 및 수광 소자(110)는 수직 방향으로 제1 광원(111) 위쪽에 배열될 수 있다. 그러나, 이 경우에서, 제2 광원(112)으로부터 조사된 후, 마크(11)로부터 반사되는 광은 그 광로가 다른 광학계(미도시)에 의해 절곡되면서 광학계(113)로 도광된다. 제1 광원(111)으로부터의 광은 다른 광학계(미도시)를 사용함으로써 그 광로가 절곡되게 함으로써 에지(12) 근처에 조사될 수 있다.
제2 광원(112)에서 사용되는 조명 방법은 명-시야 조명일 수 있다. 기판(10)의 재질 또는 마크(11)의 형상에 따라서 마크(11)가 쉽게 검출될 수 있는 조명 방법이 선택될 수 있다. 마크(11)가 기판(10)의 주연부에 가까운 경우, 광은 암-시야 조명에 의해 중심측으로부터 비스듬히 입사될 수 있다. 이 경우, 모따기부(13)로부터 반사된 광이 수광 소자(110)에서 강하게 검출됨으로써 에지(12) 및 마크(11)에 관한 위치 정보를 포함하는 적은 광량의 검출이 방해되는 것이 방지될 수 있다.
상술된 바와 같이, 수광 소자(110)는 몇몇 실시예에서 회전 스테이지(121)가 기판(10)을 회전시키는 동안 제1 광원(111) 및 제2 광원(112) 중 하나 이상으로부터의 광을 수광한다.
제1 광원(111) 및 제2 광원(112)은 동일하거나 상이한 광원 파장을 갖는다. 조사되는 광은 후속 처리에 영향을 주지 않는 파장을 구비할 필요가 있다. 예를 들어, 레지스트 등의 감광재가 도포된 기판(10)이 사용되는 경우, 레지스트가 도포된 기판(10)의 면에는 감광재가 노광되지 않은 파장(예를 들어, 450 내지 800nm)을 갖는 광이 조사된다. 기판(10)이 유리 기판과 같이 광을 통과시키는 재질인 경우, 파장은 기판에 따라서 신호 강도가 쉽게 나타나는 것으로 변경될 수 있다. 제1 광원(111) 및 제2 광원(112)은 LED 이외의 광원일 수 있다.
다른 장치에의 탑재
도 10은 +Z 방향으로부터 관측된, 제1 실시예에 따르는 위치정렬 장치(100)가 탑재된 노광 장치(리소그래피 장치)(500)를 도시한다. 노광 장치(500)는 광학계(510)를 사용하여, 예를 들어 i선(파장 365nm)을 조사하고, 노광 스테이지(520) 상의 기판(10) 상에 회로 패턴 등의 패턴을 형성한다.
반송 아암(530)은 대기 위치(540)의 기판(10)을 위치정렬 장치(100)의 스테이지(120) 위로 반송한다. 위치정렬 장치(100)는 기판(10)의 대기 위치를 조정하고, 반송 아암(550)은 기판(10)을 노광 스테이지(520) 위에 배치한다. 패턴 노광 종료 이후, 반송 아암(530)은 기판(10)을 대기 위치(540)까지 반송한다.
노광 장치(500)는 위치정렬 장치(100)의 근처에 상술된 바와 상이한 광원(미도시) 및 광학계(미도시)를 포함할 수 있다. 노광 장치(500)는 회전 스테이지(121)에 의해 기판(10)을 회전시키면서 위치정렬 장치(100)를 사용하여 획득된 기판(10)의 에지(12)에 관한 위치 정보에 기초하여, 기판(10)의 외부(최외부 또는 이의 약간 내부)를 환형으로 노광한다(에지 노광을 실행한다).
기판(10)의 외부에 환형 돌출 구조 형성시 불필요한 레지스트가 제거될 수 있다. 이는 기판(10)의 피노광면에 환형 돌출부를 형성할 수 있고, 노광 장치(500) 외측의 도금 처리 장치(미도시)에서 기판(10) 상의 반도체 층의 박리를 방지하기 위한 도금을 용이하게 한다. 특히, 기판(10)의 주연부에의 레지스트의 과잉 공급 또는 미리 정해진 위치로부터 어긋난 영역에의 레지스트의 공급에 의해 발생되는 주연부에의 레지스트의 공급 부족이 방지될 수 있다.
본 발명의 리소그래피 장치에 의해 기판으로 투영되는 광(비임)은 i선으로 한정되지 않는다. KrF 광(파장 248nm) 또는 ArF 광(파장 193nm) 등의 원자외선 영역의 광일 수 있거나, 가시광 영역의 광인 g선(파장 436nm)일 수 있다. 리소그래피 장치는 하전 입자 비임을 기판에 조사하고 웨이퍼 상에 잠상 패턴을 형성하는 장치일 수 있고, 또는 임프린트 기술에 의해 기판에 패턴을 형성하는 장치일 수 있다.
위치정렬 장치(100)는 또한 기판(10)의 위치정렬을 필요로 하는 다른 처리 유닛에 탑재될 수 있다.
물품 제조 방법
본 발명의 실시예에 따르는 물품 제조 방법은 리소그래피 장치를 사용하여 기판(예를 들어, 웨이퍼 또는 유리판) 상에 패턴을 형성하는 단계, 및 패턴이 그 위에 형성된 기판에 대해 처리를 실행하는 단계를 포함한다. 물품의 예는 반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자, 촬상 소자, 자기 헤드, 컴팩트-디스크 리라이터블(CD-RW), 광학 소자, 및 포토마스크를 포함할 수 있다. 처리의 예는 에칭 및 이온 주입이다. 다른 공지된 처리 단계(예를 들어, 현상, 산화, 성막, 증착, 평탄화, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 및 패키징)가 또한 포함될 수 있다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범주는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

Claims (17)

  1. 위치 결정 장치이며,
    기판의 에지부에 광을 조사하도록 구성된 제1 투광 유닛,
    상기 기판의 면 상의 하나 이상의 마크에 광을 조사하도록 구성된 제2 투광 유닛,
    상기 기판의 상기 면 측 상에 배치되며, 상기 제1 투광 유닛으로부터 조사된 후 상기 기판 외측 영역을 통과하는 광을 수광하고 상기 제2 투광 유닛으로부터 조사된 후 상기 하나 이상의 마크로부터 반사된 광을 수광하도록 구성되는 수광 유닛, 및
    상기 수광 유닛에 의한 수광 결과에 기초하여 상기 기판의 위치를 결정하도록 구성된 결정 유닛을 포함하는, 위치 결정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 결정 유닛은 상기 수광 결과에 기초하여 상기 에지부의 결정된 위치 및 상기 하나 이상의 마크의 결정된 위치를 사용하여 상기 기판의 위치를 결정하는, 위치 결정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 투광 유닛은 상기 기판의 상기 면에 대해, 상기 기판의 내측으로부터 외측 방향으로 각도를 이루어 광을 조사하는, 위치 결정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 투광 유닛이 상기 기판에 광을 조사하는 측에 대응하는 면 및 상기 제2 투광 유닛이 상기 기판에 광을 조사하는 측에 대응하는 면이 서로 상이한, 위치 결정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 회전시키도록 구성된 회전 유닛을 더 포함하고,
    상기 수광 유닛은 상기 회전 유닛이 상기 기판을 회전시키는 동안 상기 제1 투광 유닛으로부터의 광 및 상기 제2 투광 유닛으로부터의 광 중 하나 이상을 수광하는, 위치 결정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 투광 유닛은 광을 상기 기판의 이면 상의 상기 하나 이상의 마크에 조사하는, 위치 결정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 결정 유닛은 상기 수광 결과 및 상기 하나 이상의 마크에 관한 샘플 정보에 기초하여 상기 기판의 위치를 결정하는, 위치 결정 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 결정 유닛은 상기 에지부로부터 상기 하나 이상의 마크까지의 거리에 관한 정보 및 상기 기판의 반경 방향에서의 수광 결과의 선택된 부분만을 사용하여 상기 하나 이상의 마크의 위치를 결정하는, 위치 결정 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 투광 유닛은 점멸광을 조사하는, 위치 결정 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 수광 유닛은 상기 하나 이상의 마크의 개수에 기초하여, 상기 기판의 회전 방향에서의 수광 범위를 조정하는, 위치 결정 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 투광 유닛은 상기 하나 이상의 마크의 개수 및 상기 기판의 회전 방향에서의 상기 기판의 위치에 기초하여, 투광 조건을 변경하는, 위치 결정 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 결정 유닛은 상기 수광 결과에 대해 실행되는 이동 평균 처리 결과에 기초하여, 상기 기판의 위치를 결정하는, 위치 결정 장치.
  13. 위치 결정 방법이며,
    기판의 에지부에, 그리고 상기 기판의 면 상에 제공되는 하나 이상의 마크에 광을 조사하는 조사 단계,
    상기 기판 외측 영역을 통과한 광 및 상기 하나 이상의 마크로부터 반사된 광을, 하나의 수광 유닛을 사용하여 수광하는 수광 단계, 및
    상기 수광 단계에서의 수광 결과에 기초하여, 상기 기판의 위치를 결정하는 결정 단계를 포함하는, 위치 결정 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 하나 이상의 마크는 복수의 마크를 포함하고,
    상기 수광 단계에서의 수광 결과 및 복수의 마크에 관한 정보에 기초하여, 상기 기판의 위치가 결정되는, 위치 결정 방법.
  15. 리소그래피 장치이며,
    제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 위치 결정 장치, 및
    상기 위치 결정 장치에 의해 결정된 상기 기판의 위치에 기초하여, 그 위에 배치된 기판과 함께 이동할 수 있는 스테이지에 대해 상기 기판의 위치를 조정하도록 구성된 위치 조정 유닛을 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는 상기 위치 조정 유닛에 의해 조정된 상기 기판 상에 패턴을 형성하는, 리소그래피 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 상기 위치 결정 장치에 의해 획득된 상기 기판의 상기 에지부의 위치에 기초하여, 상기 기판 상에 에지 노광을 실행하는, 리소그래피 장치.
  17. 물품 제조 방법이며,
    제15항에 따른 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 형성하는 단계에 의해 그 위에 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
KR1020150167023A 2014-11-28 2015-11-27 위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법 KR101993950B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-242526 2014-11-28
JP2014242526 2014-11-28
JP2015171202A JP6590599B2 (ja) 2014-11-28 2015-08-31 位置決定装置、位置決定方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JPJP-P-2015-171202 2015-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160065019A true KR20160065019A (ko) 2016-06-08
KR101993950B1 KR101993950B1 (ko) 2019-06-27

Family

ID=56122139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150167023A KR101993950B1 (ko) 2014-11-28 2015-11-27 위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6590599B2 (ko)
KR (1) KR101993950B1 (ko)
CN (1) CN105652611B (ko)
TW (1) TWI620039B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6896771B2 (ja) * 2016-06-13 2021-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板上のターゲット構造の位置を決定するための方法及び装置、並びに、基板の位置を決定するための方法及び装置
JP6276449B1 (ja) * 2017-03-30 2018-02-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体
JP6490771B1 (ja) * 2017-09-27 2019-03-27 株式会社アルバック 位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置
CN109585351B (zh) * 2018-10-29 2021-06-22 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法
CN111355541A (zh) * 2020-04-02 2020-06-30 Oppo广东移动通信有限公司 网络设备、搜寻网络信号的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194743A (en) * 1990-04-06 1993-03-16 Nikon Corporation Device for positioning circular semiconductor wafers
US20080013089A1 (en) * 2004-08-31 2008-01-17 Nikon Corporation Positioning method, processing system, measurement method of substrate loading repeatability, position measurement method, exposure method, substrate processing apparatus, measurement method, and measurement apparatus
US20090130784A1 (en) * 2007-09-06 2009-05-21 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Method for determining the position of the edge bead removal line of a disk-like object
KR20090093892A (ko) * 2008-02-28 2009-09-02 캐논 가부시끼가이샤 표면 형상 계측 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR20130054148A (ko) * 2011-11-15 2013-05-24 캐논 가부시끼가이샤 위치 계측 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI250556B (en) * 2001-07-20 2006-03-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7626701B2 (en) * 2004-12-27 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with multiple alignment arrangements and alignment measuring method
SG124407A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus
US7342642B2 (en) * 2005-06-20 2008-03-11 Asml Netherlands B.V. Pre-aligning a substrate in a lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured by the manufacturing method
JP5324231B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
CN102402127B (zh) * 2010-09-17 2014-01-22 上海微电子装备有限公司 一种硅片预对准装置及方法
TWI581055B (zh) * 2012-10-02 2017-05-01 聯華電子股份有限公司 形成光罩的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194743A (en) * 1990-04-06 1993-03-16 Nikon Corporation Device for positioning circular semiconductor wafers
US20080013089A1 (en) * 2004-08-31 2008-01-17 Nikon Corporation Positioning method, processing system, measurement method of substrate loading repeatability, position measurement method, exposure method, substrate processing apparatus, measurement method, and measurement apparatus
US20090130784A1 (en) * 2007-09-06 2009-05-21 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Method for determining the position of the edge bead removal line of a disk-like object
KR20090093892A (ko) * 2008-02-28 2009-09-02 캐논 가부시끼가이샤 표면 형상 계측 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR20130054148A (ko) * 2011-11-15 2013-05-24 캐논 가부시끼가이샤 위치 계측 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101993950B1 (ko) 2019-06-27
TW201621481A (zh) 2016-06-16
JP6590599B2 (ja) 2019-10-16
TWI620039B (zh) 2018-04-01
JP2016110066A (ja) 2016-06-20
CN105652611A (zh) 2016-06-08
CN105652611B (zh) 2018-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101993950B1 (ko) 위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법
CN104792344B (zh) 检测器、压印装置以及物品制造方法
EP3048637B1 (en) Exposure apparatus and expsure method
JP4886549B2 (ja) 位置検出装置および位置検出方法
US20120156810A1 (en) Inspection method, inspection apparatus, exposure control method, exposure system, and semiconductor device
JP4110095B2 (ja) パターンプロファイルの検査装置及び検査方法、露光装置
US8305555B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2014131082A5 (ja) リソグラフィ投影装置、オフセットを決定するための方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI654493B (zh) 感應器系統、基板處理系統及微影裝置
JP2009135166A (ja) 露光方法及び装置、露光ユニット、並びにデバイス製造方法
JP2009139333A (ja) マクロ検査装置、マクロ検査方法
JPH07288276A (ja) 基板の位置決め装置
TW201416805A (zh) 偵測裝置、曝光設備及使用其之裝置製造方法
JP2007115784A (ja) 露光システム、露光方法、及びデバイス製造工場
EP2602663A1 (en) System and method for overlay control
US7197176B2 (en) Mark position detecting apparatus and mark position detecting method
KR102437083B1 (ko) 보조 노광 장치 및 노광량 분포 취득 방법
US9841299B2 (en) Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object
JP2010183028A (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
JP6502504B2 (ja) プレアライメント測定装置及び方法
JP6608130B2 (ja) 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US20220137522A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method
KR20200041779A (ko) 이물질 검출장치, 노광장치 및 물품의 제조방법
JP2015023233A (ja) マーク検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JPH10106937A (ja) 位置検出方法及びその装置並びに投影露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right