CN101120245A - 透光性物品的检查方法 - Google Patents

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CN101120245A CNA2006800052813A CN200680005281A CN101120245A CN 101120245 A CN101120245 A CN 101120245A CN A2006800052813 A CNA2006800052813 A CN A2006800052813A CN 200680005281 A CN200680005281 A CN 200680005281A CN 101120245 A CN101120245 A CN 101120245A
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Abstract

本发明提供一种能够正确检查透光性物品的内部的光学不均匀性的有无的透光性物品的检查方法。一种透光性物品的检查方法，其使用于光平版印刷，检查在由透光性材料构成的透光性物品(4)的内部，有无相对于曝光光光学特性部分或局部变化的不均匀性(具体是内部缺陷(16))，其中，向所述透光性物品导入具有200nm以下的波长的检查光，在所述检查光在该透光性物品内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述检查光的波长长的光(15)，来检查所述透光性物品中的光学不均匀性的有无。

Description

透光性物品的检查方法
技术领域
本发明涉及检查在例如由相对于ArF准分子激光或F2准分子激光等持有非常强大能量的光具有透光性性质的透光性材料构成的透光性物品的内部，有无相对于所述光光学特性部分变化的不均匀性的透光性物品的检查方法、玻璃基板的检查方法及装置、检查玻璃基板的内部缺陷后制造掩模坯料用玻璃基板的掩模坯料用玻璃基板的制造方法、使用该掩模坯料用玻璃基板的掩模坯料的制造方法、使用该掩模坯料的曝光用掩模的制造方法、和使用该曝光用掩模的半导体装置的制造方法。
背景技术
近年来，根据形成于半导体器件上的图案的微细化，在光平版印刷技术中使用的曝光光向ArF准分子激光(曝光光波长193nm)、F2准分子激光(曝光波长157nm)的短波长化发展。在上述光平版印刷技术中使用的曝光用掩模或制造该曝光用掩模的掩模坯料中，形成在掩模坯料用透光性基板(例如玻璃基板)上的、相对于上述曝光光的曝光波长而遮断光的遮光膜或使相位变化的相位移动膜的开发正在急速进展，已提出了各种膜材料。
另外，在光平版印刷技术中使用的曝光装置(例如步进曝光装置)中，具备透镜等光学部件，这些光学部件使用对曝光光吸收少即透过性优异的材料。
要求在上述掩模坯料用透光性基板、用于制造该掩模坯料用透光性基板的透光性物品(例如合成石英玻璃基板)、使用于曝光装置的透镜等光学部件的内部，不存在光学不均匀性(因异物或气泡等缺陷引起的光学特性的变化)。在专利文献1中公开了，对玻璃基板入射He-Ne激光，检测因玻璃基板所存在的光学不均匀性、例如内部缺陷(异物或气泡等)而散射的散射光，由此检测上述光学不均匀性的缺陷检测装置及缺陷检测方法。
专利文献1：特开平8-261953号公报
专利文献2：特开平8-31723号公报
专利文献3：特开2003-81654号公报
即使是由通过上述的缺陷检测装置判定为不存在光学不均匀性(例如内部缺陷)的透光性基板(例如合成石英玻璃基板)、掩模坯料用透光性基板(例如掩模坯料用玻璃基板)制造而成的曝光用掩模，在使用作为曝光光的ArF准分子激光在半导体基板上复制曝光用掩模的掩模图案的图案复制之际，也产生因后述的透光性基板引起的复制图案缺陷，从而有时复制精度下降。另外，曝光装置中使用的透镜等光学部件也与上述相同，图案复制时产生因光学部件引起的复制图案缺陷，从而有时复制精度下降。
该原因可认为如下所述，即，在将He-Ne激光等可见光激光作为检查光时，虽没有发生散射等光学变化，但是将ArF准分子激光或F2准分子激光等高能量光作为曝光光进行实际的图案复制之际，使局部(或部分)光学特性变化(例如，使透过率下降，使相位差变化)的光学不均匀性(例如因局部脉纹、内容物、异质物引起的内部缺陷)存在于透光性基板或光学部件中。
发明内容
本发明是考虑到上述问题而做的发明，其目的在于，提供能够正确检查在光平版印刷时使用的曝光装置的光学部件或曝光用掩模的基板等透光性物品中的、给向被复制体上的图案复制带来较大影响的光学不均匀性的有无的透光性物品的检查方法。
本发明的其他目的在于提供可使向半导体基板上的图案复制的复制精度良好的半导体装置的制造方法、用于制造该半导体装置的可使向被复制体上的图案复制的复制精度良好的曝光用掩模及其制造方法、用于制造该曝光用掩模的掩模坯料及其制造方法、用于制造该掩模坯料的掩模坯料用透光性基板及其制造方法。
与技术方案1所述的发明相关的透光性物品的检查方法，其使用于光平版印刷，检查在由透光性材料构成的透光性物品的内部，有无相对于曝光光光学特性部分或局部变化的不均匀性，其特征在于，向所述透光性物品导入具有200nm以下的波长的检查光，在所述检查光在该透光性物品内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述检查光的波长长的光，来检查所述透光性物品中的光学不均匀性的有无。
与技术方案2所述的发明相关的透光性物品的检查方法，在技术方案1所述的发明中，其特征在于，对于比所述检查光的波长长的光而言，该光的波长大于200nm且在600nm以下。
与技术方案3所述的发明相关的透光性物品的检查方法，在技术方案1或2所述的发明中，其特征在于，所述透光性物品是光平版印刷时使用的曝光装置的光学部件或光平版印刷时使用的曝光用掩模的基板中的任意一种。
与技术方案4所述的发明相关的透光性物品的检查方法，在技术方案3所述的发明中，其特征在于，所述光学部件、所述曝光用掩模的基板由合成石英玻璃构成。
与技术方案5所述的发明相关的透光性物品的检查方法，在技术方案1～4中任意一项所述的发明中，其特征在于，向所述透光性物品导入所述检查光时，在将因该检查光的导入而使所述透光性物品的表面产生损伤的原因物质从该透光性物品周边的气氛中排除的状态下，向该透光性物品导入所述检查光。
与技术方案6所述的发明相关的透光性物品的检查方法，在技术方案1～5中任意一项所述的发明中，其特征在于，所述检查光的每单位面积的能量为每1次脉冲10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下。
与技术方案7所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，具有：准备工序，其准备具有导入检查光的表面的掩模坯料用透光性基板，所述检查光具有200nm以下的波长；检查工序，其从所述表面的一方导入所述检查光，在所述检查光在所述透光性基板内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述波长长的光，来检查所述透光性基板中的光学不均匀性的有无；判别工序，其根据所述不均匀性的有无，判断是否为不产生因光学特性部分或局部变化而引起的复制图案缺陷的透光性基板。
与技术方案8所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板的制造方法，在技术方案7所述的发明中，其特征在于，在所述判别工序之后，将所述透光性基板的主表面精密研磨，得到掩模坯料用透光性基板。
与技术方案9所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板的制造方法，在技术方案7或8所述的发明中，其特征在于，对于比所述检查光的波长长的光而言，该光的波长大于200nm且在600nm以下。
与技术方案10所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板的制造方法，在技术方案7～9中任意一项所述的发明中，其特征在于，向所述透光性基板导入所述检查光时，在将因该检查光的导入而使所述透光性基板的表面产生损伤的原因物质从该玻璃基板周边的气氛中消除的状态下，向该透光性基板导入所述检查光。
与技术方案11所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板的制造方法，在技术方案7～10中任意一项所述的发明中，其特征在于，导入所述检查光的所述表面是与形成作为掩模图案的薄膜的透光性基板的主表面正交的侧面。
与技术方案12所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板的制造方法，在技术方案11所述的发明中，其特征在于，在所述检查工序中，将具有比所述侧面的宽度大的束形状的检查光导入该表面。
与技术方案13所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板的制造方法，在技术方案7～12中任意一项所述的发明中，其特征在于，所述检查光的每单位面积的能量为每1次脉冲10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下。
与技术方案14所述的发明相关的掩模坯料的制造方法，其特征在于，在通过技术方案7～13中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法而得到的掩模坯料用透光性基板的主表面上，形成作为掩模图案的薄膜，制造掩模坯料。
与技术方案15所述的发明相关的曝光用掩模的制造方法，其特征在于，对技术方案14所述的掩模坯料中的薄膜进行图案形成，在掩模坯料用透光性基板的主表面上形成掩模图案，制造曝光用掩模。
与技术方案16所述的发明相关的半导体装置的制造方法，其特征在于，使用通过技术方案15所述的曝光用掩模的制造方法而得到的曝光用掩模，将形成于曝光用掩模上的掩模图案复制在形成于半导体基板上的抗蚀剂膜上，制造半导体装置。
与技术方案17所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板，其特征在于，在掩模坯料用透光性基板中，从所述透光性基板表面的一方导入200nm以下波长的光，在所述透光性基板内部因部分或局部产生的比所述波长长的光造成的损失在所述透光性基板的掩模图案形成区域内为8％/cm以下。
与技术方案18所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板，在技术方案17所述的发明中，其特征在于，所述掩模坯料用透光性基板是相位移动掩模坯料用透光性基板。
与技术方案19所述的发明相关的掩模坯料用透光性基板，在技术方案18所述的发明中，其特征在于，在所述透光性基板内部因部分或局部产生的比所述波长长的波长造成的损失在所述透光性基板的掩模图案形成区域内为3％/cm以下。
与技术方案20所述的发明相关的掩模坯料，其特征在于，通过在技术方案17～19中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的主表面上形成作为掩模图案的薄膜或用于形成掩模图案的薄膜而成。
与技术方案21所述的发明相关的曝光用掩模，其特征在于，通过对技术方案20所述的掩模坯料中的作为所述掩模图案的薄膜进行图案形成，在所述掩模坯料用透光性基板的主表面上形成由薄膜图案构成的掩模图案而成。
与技术方案22所述的发明相关的曝光用掩模，其特征在于，通过对技术方案20所述的掩模坯料中的用于形成所述掩模图案的薄膜进行图案形成而形成薄膜图案，以该薄膜图案为掩模，蚀刻所述掩模坯料用透光性基板，由此在该透光性基板的主表面形成掩模图案而成。
根据技术方案1～4中任意一项所述的发明，一种透光性物品的检查方法，其使用于光平版印刷，检查在由透光性材料构成的透光性物品的内部，有无相对于曝光光光学特性部分或局部变化的不均匀性，其中，向所述透光性物品导入具有200nm以下的波长的检查光，在所述检查光在该透光性物品内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述检查光的波长长的光，来检查所述透光性物品中的光学不均匀性的有无，由此可以正确地检查给向被复制体上的图案复制带来较大影响的内部缺陷的有无。
在这里，当透光性物品是用于制造光平版印刷时使用的曝光装置的光学部件或光平版印刷时使用的曝光用掩模的基板(掩模坯料用透光性基板)的物品时，由于在经该曝光用掩模的基板及掩模坯料所制造的曝光用掩模或曝光装置的光学部件中不存在部分或局部光学不均匀的区域，因此，当使用该曝光用掩模或光学部件和曝光光，将该曝光用掩模的掩模图案复制在被复制体上的图案复制之际，在该曝光用掩模或光学部件中不存在光学特性因光学不均匀性而部分或局部变化(例如透过率下降)的区域，所以，不会给图案复制带来坏影响而在被复制体上产生复制图案缺陷，从而能够使复制精度良好。
根据技术方案5所述的发明，能够防止透光性物品表面的损伤，且可以正确地检查给向被复制体上的图案复制带来较大影响的光学不均匀性的有无。
将检查光导入透光性物品时，在将因检查光的导入而使该透光性物品表面产生损伤的原因物质(例如大气浮游物)等，从该透光性物品周边的气氛中排除的状态下，向该透光性物品导入检查光，因此，可以防止该表面的损伤，该表面的损伤因为在该透光性物品的表面上附着的附着物或堆积物吸收检查光，使该表面成为部分或局部高温状态而产生。
根据技术方案6所述的发明，由于向透光性物品表面导入的检查光的每单位面积的能量为每1次脉冲10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下，因此，可以避免由该检查光造成的在透光性物品表面上的等离子区的产生，且由于光学不均匀性因该检查光的导入而产生的波长比检查光长的光的强度也充分被确保，因此可以很高地维持不均匀性的检测精度。
根据技术方案7或8的发明，由于经具有：准备工序，其准备具有导入检查光的表面的掩模坯料用透光性基板，所述检查光具有200nm以下的波长；检查工序，其从所述表面的一方导入所述检查光，在所述检查光在所述透光性基板内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述波长长的光，来检查所述透光性基板中的光学不均匀性的有无；判别工序，其根据所述不均匀性的有无，判断是否为不产生因光学特性部分或局部变化而引起的复制图案缺陷的透光性基板、的工序制造掩模坯料用透光性基板，因此，在从该掩模坯料用透光性基板经掩模坯料而制造的曝光用掩模的透光性基板中，不存在光学特性因光学不均匀性而部分或局部变化(例如透过率下降)的区域，因而，不会给图案复制带来坏影响而产生复制图案缺陷，从而能够使复制精度良好。
根据技术方案9所述的发明，由于在掩模坯料用透光性基板的制造工序的、精密研磨主表面之前的早期阶段检测透光性基板的光学不均匀性，因此，能仅对不存在光学不均匀性的透光性基板进行主表面的精密研磨，可以省去对存在光学不均匀性的透光性基板进行主表面的精密研磨的浪费。
根据技术方案10或11所述的发明，可以得到没有因检查光的导入造成的掩模坯料用透光性基板的表面损伤的、没有给向被复制体上的图案复制带来较大影响的光学不均匀性的掩模坯料用透光性基板。
根据技术方案12所述的发明，除了能得到上述技术方案10或11所述发明的效果之外，还具有除去在掩模坯料用透光性基板的主表面上附着的异物或污染物的效果。
根据技术方案13所述的发明，可以得到没有该检查光在掩模坯料用透光性基板的表面产生等离子区所造成的损伤的、没有给向被复制体上的图案复制带来较大影响的光学不均匀性的掩模坯料用透光性基板。
根据技术方案14～16所述的发明，使用可通过技术方案7～13中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法得到的掩模坯料用透光性基板而制造掩模坯料，将该掩模坯料中的薄膜进行图案形成而制造曝光用掩模，使用该曝光用掩模制造半导体装置。从而，在使用该曝光用掩模将该曝光用掩模的掩模图案复制在被复制体(半导体基板)上的图案复制之际，该曝光用掩模使用不存在光学不均匀性的掩模坯料用透光性基板，因此，不会存在上述光学不均匀所引起的光学特性局部变化(例如透过率下降)的区域，不会给图案复制带来坏影响而产生复制图案缺陷，从而可以使复制精度提高。
附图说明
图1是表示与本发明相关的掩模坯料用玻璃基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、及曝光用掩模的制造方法中的一实施方式的制造工序图。
图2是表示与本发明相关的玻璃基板的缺陷检查装置中的一实施方式的立体图。
图3是表示图2的计算机进行图像处理的、所接受的光的强度分布的图表。
图4表示从图2的激光照射装置导入的ArF准分子激光和合成石英玻璃基板，其中(A)为主视图，(B)为侧视图。
图5是表示图2的缺陷检查装置的整体构成的概略主视图。
图6是表示与本发明相关的掩模坯料用玻璃基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、及曝光用掩模的制造方法中的一实施方式的制造工序图。
图7是表示与本发明相关的玻璃基板的缺陷检查装置中的其他实施方式的立体图。
图8是表示图1的掩模坯料的制造工序中所使用的溅射装置的概略侧视图。
图9是表示图8的溅射靶和掩模坯料用玻璃基板之间的位置关系的侧视图。
图中：20-缺陷检查装置，21-激光照射装置，22-XYZ载物台，23-CCD照相机，24-检测视界，26-USB电缆，27-计算机，4-合成石英玻璃基板，16-内部缺陷。
具体实施方式
本发明作为用于解决上述问题的具体机构，采用以下的构成。
(构成1-1)
一种玻璃基板的缺陷检查方法，其特征在于，从玻璃基板表面的一方导入曝光波长的光，并从上述表面的另一方接受上述玻璃基板的内部缺陷因该导入的曝光波长的光而产生的、波长比曝光波长长的光，根据该接受的光的光量检测上述玻璃基板的上述内部缺陷。
(构成1-2)
构成1-1所述的玻璃基板的检测方法，其特征在于，导入上述玻璃基板的光的波长为200nm以下。
(构成1-3)
一种玻璃基板的缺陷检查装置，其特征在于，具有：光导入机构，其从玻璃基板表面的一方导入曝光波长的光；受光机构，其从上述表面的另一方接受上述玻璃基板的内部缺陷因由该光导入机构导入上述玻璃基板内的曝光波长的光而产生的、波长比曝光波长长的光；检测机构，其基于由该受光机构接受的光的光量，检测上述玻璃基板的上述内部缺陷。
(构成1-4)
构成1-3所述的玻璃基板的缺陷检查装置，其特征在于，上述光导入机构向玻璃基板导入的光的波长为200nm以下。
(构成1-5)
一种掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，具有：准备工序，其准备具有导入曝光波长的光的表面的合成石英玻璃基板；检测工序，其从上述表面的一方导入曝光波长的光，并从上述表面的另一方接受该玻璃基板的内部缺陷所产生的、波长比曝光波长长的光，根据该接受的光的光量检测上述内部缺陷，并且，使用在上述检测工序中未检测到内部缺陷的上述合成石英玻璃基板而制造掩模坯料用玻璃基板。
(构成1-6)
构成1-5所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，导入上述合成石英玻璃基板的光的波长为200nm以下。
(构成1-7)
构成1-5或构成1-6所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述检测工序之后，精密研磨合成石英玻璃基板的主表面而得到掩模坯料用玻璃基板。
(构成1-8)
一种掩模坯料的制造方法，其特征在于，在通过构成1-5～构成1-7中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法而得到的掩模坯料用玻璃基板的主表面上，形成作为掩模图案的薄膜而制造掩模坯料。
(构成1-9)
一种曝光用掩模的制造方法，其特征在于，对构成1-8所述的掩模坯料中的薄膜进行图案形成，在掩模坯料用玻璃基板的主表面上形成掩模图案，制造曝光用掩模。
根据上述构成1-1～构成1-4中任意一项所述的发明，从玻璃基板表面的一方导入曝光波长的光，并从上述表面的另一方接受上述玻璃基板的内部缺陷因该导入的曝光波长的光而产生的、波长比曝光波长长的光，根据该接受的光的光量检测玻璃基板的内部缺陷，因此，通过将曝光波长的光用于检查玻璃基板的内部缺陷，可以良好地检测图案复制之际成为复制图案缺陷的内部缺陷。
在这里，当玻璃基板是为了制造掩模坯料用玻璃基板的基板时，由于在经该掩模坯料用玻璃基板及掩模坯料而制造的曝光用掩模的玻璃基板中不存在内部缺陷，因此，当使用该曝光用掩模及曝光光，将该曝光用掩模的掩模图案复制在被复制体上的图案复制之际，在该曝光用掩模上不存在光学特性因玻璃基板的内部缺陷而部分变化(例如透过率下降)的区域，因而不会给图案复制带来坏影响而在被复制体上产生复制图案缺陷，从而能够使复制精度良好。
根据上述构成1-5或1-6所述的发明，由于从合成石英玻璃基板一方的表面导入曝光波长的光，并从上述表面的另一方接受该玻璃基板的内部缺陷所产生的、波长比曝光波长长的光，根据该接受的光的光量检测上述内部缺陷，使用未检测到内部缺陷的合成石英玻璃基板而制造掩模坯料用玻璃基板出发，因此，在从该掩模坯料用玻璃基板经掩模坯料而制造的曝光用掩模的玻璃基板中不存在内部缺陷。从而，当使用该曝光用掩模将该曝光用掩模的掩模图案复制在被复制体上的复制图案之际，在该曝光用掩模上不存在光学特性因玻璃基板的内部缺陷而部分变化(例如透过率下降)的区域，因而不会给图案复制带来坏影响而产生复制图案缺陷，从而能够使复制精度良好。
根据上述构成1-7所述的发明，由于在掩模坯料用玻璃基板的制造工序的、精密研磨主表面之前的早期阶段检测合成石英玻璃基板的内部缺陷的方式，因此，能仅对不存在内部缺陷的合成石英玻璃基板进行主表面的精密研磨，可以省去对存在内部缺陷的合成石英玻璃基板进行主表面的精密研磨的浪费。
根据构成1-8或构成1-9所述的发明，由于使用通过构成1-5～1-7中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法得到的掩模坯料用玻璃基板而制造掩模坯料，对该掩模坯料中的薄膜进行图案形成，制造曝光用掩模，因此，在使用该曝光用掩模将该曝光用掩模的掩模图案复制在被复制体上的图案复制之际，该曝光用掩模使用不存在内部缺陷的合成石英玻璃基板，因此，不会存在光学特性局部变化(例如透过性下降)的区域，不会给图案复制带来坏影响而产生复制图案缺陷，从而能够使复制精度良好。
此外，本发明作为用于解决上述问题的具体机构，采用以下的构成。
(构成2-1)
一种掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其具有：准备工序，其准备具有导入波长为200nm以下的短波长光的表面的合成石英玻璃基板；检测工序，其从该合成石英玻璃基板的上述表面导入上述短波长光，并从上述表面的另一方接受该玻璃基板的内部缺陷所产生的、波长比上述短波长光长的长波长光，根据该接受的长波长光检测上述内部缺陷，使用在上述检测工序中未检测到内部缺陷的上述合成石英玻璃基板而制造掩模坯料用玻璃基板，其特征在于，在上述检测工序中，向上述合成石英玻璃基板导入上述短波长光时，在将因该短波长光的导入而使该玻璃基板的上述表面产生损伤的原因物质从该玻璃基板周边的气氛中排除的状态下，向该玻璃基板导入上述短波长光。
(构成2-2)
构成2-1所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，从上述合成石英玻璃基板周边的气氛中排除原因物质的状态是清洁空气循环的气氛。
(构成2-3)
构成2-1或构成2-2所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洁空气循环的气氛是清洁度比ISO等级5高的清洁度气氛。
(构成2-4)
构成2-1～构成2-3中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洁空气循环的气氛是空气通过化学过滤器而生成的。
(构成2-5)
构成2-1～构成2-4中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，导入上述短波长光的合成石英玻璃基板的表面，其最大高度(Rmax)为0.5μm以下。
(构成2-6)
一种掩模坯料的制造方法，其特征在于，在通过构成2-1～构成2-5中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法而得到的掩模坯料用玻璃基板的主表面上，形成作为掩模图案的薄膜而制造掩模坯料。
(构成2-7)
一种曝光用掩模的制造方法，其特征在于，对构成2-6所述的掩模坯料中的薄膜进行图案形成，在掩模坯料用玻璃基板的主表面上形成掩模图案，制造曝光用掩模。
根据上述构成2-1～构成2-5中任意一项所述的发明，由于向合成石英玻璃基板导入波长为200nm以下的短波长光，将该短波长光用于合成石英玻璃基板(掩模坯料用玻璃基板)的内部缺陷检查，因此，可以良好地检测在使用了由该玻璃基板制造而成的曝光用掩模和曝光光的图案复制时成为复制图案缺陷的内部缺陷。
向合成石英玻璃基板导入作为检查用光的短波长光时，在将因该短波长光的导入而使该玻璃基板的表面发生损伤的原因物质(例如大气浮游物)等，从该玻璃基板周边的气氛中排除的状态下，向该玻璃基板导入短波长光，因此，可以防止该表面的损伤，该表面的损伤因为在该合成石英玻璃基板的表面上附着的附着物或堆积物吸收检查光，使该表面成为部分高温状态而产生。特别是，通过使导入检查用光的合成石英玻璃基板的表面成为最大高度(Rmax)0.5μm以下，产生损伤的原因物质就不易附着，因此可以进一步防止上述表面的损伤。
根据上述构成2-6或构成2-7，使用通过构成2-1～构成2-5中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法得到的掩模坯料用玻璃基板而制造掩模坯料，对该掩模坯料中的薄膜进行图案形成而制造曝光用掩模。因而，在使用该曝光用掩模将该曝光用掩模的掩模图案复制在被复制体上的图案复制之际，该曝光用掩模使用不存在内部缺陷，且表面不存在损伤的合成石英玻璃基板，因此，不存在光学特性因上述内部缺陷或上述损伤而部分变化(例如透过率下降)的区域，不会给图案复制带来坏影响而产生复制图案缺陷，从而可以使复制精度提高。
另外，本发明作为用于解决上述问题的具体机构，采用以下的构成。
(构成3-1)
一种掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其具有：准备工序，其准备具有含有导入波长为200nm以下的短波长光的一端面的表面的合成石英玻璃基板；检测工序，其从上述一端面导入上述短波长光，并从上述表面的另一方接受该玻璃基板的内部缺陷所产生的、波长比上述短波长光长的长波长光，根据该接受的长波长光检测上述内部缺陷，使用在上述检测工序中未检测到内部缺陷的上述合成石英玻璃基板而制造掩模坯料用玻璃基板，其特征在于，在上述检测工序中，将具有比上述一端面的宽度大的束形状的上述短波长光导入该一端面。
(构成3-2)
构成3-1所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述端面是与形成作为掩模图案的薄膜的玻璃基板的主表面正交的侧面、及该侧面和上述主表面间的倒棱面。
(构成3-3)
构成3-1或构成3-2所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述短波长光的每单位面积的能量(每1次脉冲)是10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下。
(构成3-4)
构成3-1～构成3-3中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法，其特征在于，使上述短波长光在合成石英玻璃基板的一端面沿该一端面的纵向扫描。
(构成3-5)
一种掩模坯料的制造方法，其特征在于，在通过构成3-1～构成3-4中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法得到的掩模坯料用玻璃基板的主表面上，形成作为掩模图案的薄膜而制造掩模坯料
(构成3-6)
一种曝光用掩模的制造方法，其特征在于，对构成3-5所述的掩模坯料中的薄膜进行图案形成，在掩模坯料用玻璃基板的主表面上形成掩模图案，制造曝光用掩模。
根据上述构成3-1或构成3-2，向合成石英玻璃基板导入波长为200nm以下的短波长光，将该短波长光用于检查合成石英玻璃基板(掩模坯料用玻璃基板)的内部缺陷，因此，可以良好地检测使用了由上述玻璃基板制造的曝光用掩模及曝光光的图案复制时成为复制图案缺陷的内部缺陷。
另外，短波长光的束形状形成得比导入该短波长光的合成石英玻璃基板的一端面的宽度大，因此，一端面中的每单位面积的短波长光的能量(每1次脉冲)不会过强，从而可以避免在该一端面产生等离子区。其结果，可以防止附着在一端面上的杂质或异物等因等离子区而对该一端面赋予损伤的情况。
根据上述构成3-3，导入合成石英玻璃基板一端面的短波长光的每单位面积的能量(每1次脉冲)为10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下，因此，可以避免由该短波长光引起的在一端面的等离子区的产生，并且还可以充分确保内部缺陷因该短波长光的导入而产生的长波长光的强度，因此可以保持缺陷检测精度的可靠性。
根据上述构成3-4，使短波长光在合成石英玻璃基板的一端面沿该一端面的纵向扫描，因此，与该一端面相接的两个主表面的整个区域都能照射到短波长光。由此，可以将附着在这两个主表面上的微粒或污染物通过上述短波长光而除去。
根据上述构成3-5或构成3-6，使用通过构成3-1～构成3-4中任意一项所述的掩模坯料用玻璃基板的制造方法得到的掩模坯料用玻璃基板而制造掩模坯料，对该掩模坯料中的薄膜进行图案形成而制造曝光用掩模。从而，在使用该曝光用掩模将该曝光用掩模的掩模图案复制在被复制体上的图案复制之际，该曝光用掩模使用不存在内部缺陷的合成石英玻璃基板，因此，不存在光学特性因上述内部缺陷而部分变化(例如透过率下降)的区域，不会给图案复制带来坏影响而产生复制图案缺陷，从而能够使复制精度提高。
以下，作为透光性物品，以掩模坯料用透光性基板、更具体是掩模坯料用玻璃基板为例，基于附图说明掩模坯料用玻璃基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、曝光用掩模的制造方法的最佳方式。还有，以下将曝光光及检查光作为曝光波长及检查光波长为200nm以下的ArF准分子激光(波长：193nm)来说明。
〔A〕掩模坯料用玻璃基板的制造方法
参照图1，对从通过专利文献2(特开平8-31723号公报)及专利文献3(特开平2003-81654)所述的制造方法制得的合成石英玻璃坯料切为约152mm×约152mm×约6.5mm或约152.4mm×约152.4mm×约6.85mm而得到的合成石英玻璃板1(图1(a))上实施倒棱加工，接着，将作为该合成石英玻璃板1表面的主表面5及6和对置的端面2及3(端面由与所述主表面5及6正交的侧面、和在所述主表面和所述侧面间形成的倒棱面(未图示)构成)，研磨为能够导入可以是曝光波长的光的检查用光的镜面，准备合成石英玻璃基板4(图1(b))。在该准备工序中，合成石英玻璃基板4中的主表面5及6的表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度)是约0.5nm以下，端面2、3(侧面及倒棱面)的表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度)形成为约0.03μm以下。
接着，在图2所示的玻璃基板的缺陷检查装置20上安装合成石英玻璃基板4，将ArF准分子激光从合成石英玻璃基板4的一端面2导入，受光机构(CCD照相机23)从该合成石英玻璃基板4的一主表面5接受在该合成石英玻璃基板4中存在的作为光学不均匀性的内部缺陷16所产生的、波长比ArF准分子激光长的光(荧光)15以及合成石英玻璃基板4的内部缺陷16以外的区域所产生的、波长比ArF准分子激光的波长长的光(荧光)17，根据该接受的光15及17的光量(强度)的差异，实施检测上述内部缺陷16的检查工序。
在这里，存在于合成石英玻璃基板4中的内部缺陷16中，在曝光波长大于200nm的曝光光源(例如KrF准分子激光(曝光波长：248nm))的情况下不成问题，但是在ArF准分子激光之类的曝光波长在200nm以下的曝光光源的情况下作为成为问题的内部缺陷16，有局部脉纹、内容物、异质物等。在使用从合成石英玻璃4经掩模坯料用玻璃基板7及掩模坯料9而制造的曝光用掩模14和曝光波长为200nm以下的上述光，将该曝光用掩模14的掩模图案复制在被复制体上的图案复制之际，这些内部缺陷16都产生部分或局部的光学特性的变化(例如透过率的下降或相位差的变化)，给图案复制带来坏影响而使复制精度下降。而且最终上述内部缺陷16成为被复制体(例如半导体装置)的复制图案缺陷(半导体装置中为电路图案缺陷)的原因。
上述“部分脉纹”是在合成石英玻璃的合成时金属元素微量混入合成石英玻璃中而成的区域。如果曝光用掩模14的掩模坯料用玻璃基板7中存在该部分脉纹，则图案复制时产生约20～40％的透过率下降，使复制精度下降，最终成为复制缺陷。另外，上述“内容物”是金属元素比部分脉纹的情况更多地混入合成石英玻璃中而成的区域。如果曝光用掩模14的掩模坯料用玻璃基板7中存在该内容物，则图案复制时产生约40～60％的透过率下降，使复制精度下降，最终成为复制缺陷。进而，“异质物”是氧过量混入合成石英玻璃中而成的氧过量区域，在高能量的光照射后不恢复。如果曝光用掩模14的掩模坯料用玻璃基板7中存在该异质物，则图案复制时产生约5～15％的透过率下降，使复制精度下降，最终成为复制缺陷。复制图案时，成为复制图案缺陷的作为局部光学不均匀性的内部缺陷16并不限定于上述“部分脉纹”、“内容物”、“异质物”。将作为检查光或曝光光的具有200nm以下波长的光向掩模坯料用玻璃基板导入时，可以将在基板内部部分或局部产生的荧光所造成的损失大于8％/cm的光学不均匀性作为内部缺陷16。即，在上述检查中选定掩模坯料用玻璃基板7内部的光损失为8％/cm以下的掩模坯料用玻璃基板7即可。尤其是，在使用于相位移动掩模用的掩模坯料用玻璃基板的情况下，在上述检查工序中选定掩模坯料用玻璃基板7内部的光损失为3％/cm的掩模坯料用玻璃基板即可。
在向掩模坯料用玻璃基板7导入ArF准分子激光时，成为上述复制图案缺陷的引起部分或局部光学特性的变化的内部缺陷16产生波长比ArF准分子激光的波长长的光(荧光)15。作为成为复制图案缺陷的内部缺陷16所产生的荧光15的波长大于200nm且在600nm以下，作为该荧光15的颜色，可列举紫(波长400～435nm)、蓝(波长435～480nm)、绿蓝(480～490nm)、蓝绿(490～500nm)、绿(500～560nm)、黄绿(500～580nm)、黄(580～595nm)。根据这些荧光的内部缺陷16的特定可以通过检测根据目视的光15和光17的颜色的不同或根据分光器的荧光的分光特性的不同及/或光量的不同而进行。
实施所述检查工序的上述玻璃基板的缺陷检查装置20是检测上述的内部缺陷16(图案复制时产生局部光学特性变化的局部脉纹、内容物、异质物等)的装置。如图2所述，该玻璃基板的缺陷检查装置20具备：作为光导入机构的激光照射装置21，其从合成石英玻璃基板4的端面2导入作为曝光波长光(即，与曝光波长相同波长的光)的ArF准分子激光；XYZ载物台22，其载置合成石英玻璃基板4，且相对于从激光照射装置21发射的激光使合成石英玻璃基板4分别沿X方向、Y方向、Z方向移动；透镜，其设置于该XYZ载物台22所载置的合成石英玻璃基板4的主表面5侧，且用于使CCD元件和该CCD元件的检测范围变宽(均未图示)；作为受光机构的CCD照相机(线传感器照相机)23，其在合成石英玻璃基板4的宽度方向(即，从激光照射装置21照射的激光的照射方向)大致整个区域内具有检测视界24；作为检测机构计算机27，其使用USB电缆26与该CCD照相机23连接。
激光照射装置21在XYZ载物台22使合成石英玻璃基板4沿Y方向移动期间，将ArF准分子激光从合成石英玻璃基板4的端面2中的Y方向(即端面2的纵向)的各位置顺次导入。该激光照射装置21可以使用向镜面研磨后的端面2发射例如形成为比端面2的宽度大的束形状、束形状为7.0mm×4.0mm、每1次脉冲的能量为6mJ、每单位面积的能量为21.4mJ/cm2、频率为50Hz的ArF准分子激光的装置。另外，CCD照相机23在合成石英玻璃基板4的Y方向的每个位置，从合成石英玻璃基板4的主表面5侧接受合成石英玻璃基板4因向合成石英玻璃基板4的端面2中的Y方向各位置入射的ArF准分子激光(波长λ1)而产生的、波长比波长λ1长的光15及17并进行摄影。在本实施方式中，CCD照相机23为单色照相机，接受光15及17的明暗并进行摄影。
计算机27输入来自CCD照相机23的图像并按合成石英玻璃基板4的Y方向的各位置进行图像处理，关于该合成石英玻璃基板4的Y方向的各位置，将CCD照相机23所接受的光15及17的光量(强度)用与合成石英玻璃基板4的X方向位置之间的关系来解析。即，计算机27在光15及17的光量具有规定阈值以上的部分光量时，判断为内部缺陷16产生了该规定阈值以上的局部光量的光15，根据该内部缺陷16的位置(合成石英玻璃基板4中的X方向及Y方向的位置)以及内部缺陷16所产生的局部光量的光15的形状等来特定缺陷16的种类(部分脉纹、内容物、异质物)而检测。
例如，在合成石英玻璃基板4作为内部缺陷16存在部分脉纹或内容物时，来自激光照射装置21的ArF准分子激光导入合成石英玻璃基板4，由此，上述部分脉纹或内容物如图3(A)所示，产生规定阈值(1000counts)以上的部分光量的光15，合成石英玻璃基板4的部分脉纹或内容物以外的区域产生光17。计算机27对CCD照相机23所接受的光15及17进行图像处理而解析，由此，根据规定阈值以上的局部光量的光15的形状将内部缺陷16判断为部分脉纹或异质物，并且作为在该规定阈值以上的部分光量的光15产生的位置存在部分脉纹或内容物，将该部分脉纹或内容物与该位置一同检测。在这里，在图3(A)的情况下，横轴表示合成石英玻璃基板4的X方向位置，纵轴表示光15及17的光量(强度)。
另外，在合成石英玻璃基板4作为内部缺陷16存在异质物时，通过从激光照射装置21向合成石英玻璃基板4导入ArF准分子激光，由此，上述异质物如图3(B)所示，在规定范围D(例如20mm～50mm)产生规定阈值(1000counts)以上的局部光量的光15，合成石英玻璃基板4的异质物以外的区域产生光17。计算机27通过对CCD照相机23所接受的光15及17进行图像处理并解析，而根据规定阈值以上的局部光量的光15的形状将内部缺陷16判断为异质物，并且作为在该规定阈值以上的局部光量的光15产生的位置存在该异质物，将该异质物与该位置一同检测。
在这里，在图3(B)的情况下，横轴也表示合成石英玻璃基板4的X方向位置，纵轴也表示光15及17的光量(强度)。
对于通过上述玻璃基板的缺陷检查装置20未检测到内部缺陷16的合成石英玻璃基板4，将其主表面5、6精密研磨为所期望的表面粗糙度，实施清洗处理而得到掩模坯料用玻璃基板7(图1(c))。这时的主表面5、6的粗糙度优选方均根偏差(RMS)是0.2nm以下。
另外，在上述检查工序中，如图2所示，作为从激光照射装置21向合成石英玻璃基板4的端面2导入ArF准分子激光25的优选方式，在图4中图示有ArF准分子激光25的尺寸和石英玻璃基板4的端面2之间的关系。另外，在从激光照射装置21向合成石英玻璃基板4的端面2导入ArF准分子激光25时，优选形成为将因该ArF准分子激光25的导入而使合成石英玻璃基板4的表面(尤其主表面5及6)产生损伤的原因物质从该玻璃基板4周边的气氛排除的状态。
即，如图5所示，内部缺陷检查装置20的激光照射装置21、XYZ载物台22及CCD照相机23、和作为载置在上述XYZ载物台22上的被检查体的合成石英玻璃基板4，收容于净化间41的内部空间A。在该净化间41的一侧形成有具备风扇43及过滤器(例如使用了活性炭的化学过滤器44)的过虑室42。
风扇43设置在过滤室42的底部。另外，化学过滤器44配置在划分过滤室42和净化间41的内部空间A的隔板45的上下方向大致中央位置。
从风扇43通过了化学过滤器44的空气，通过与隔板45对置的例如格子形状的对置壁46，再通过形成于净化间41底部的空气流通路47并回到过虑室42而循环。由于空气通过化学过滤器44，因此化学污染物质等产生所述损伤的原因物质被除去，从而净化间41的内部空间A成为清洁空气循环的气氛。
这样成为清洁空气循环的气氛的净化间41的内部空间A为清洁度比ISO等级5高的气氛，优选是清洁度比ISO等级4高的气氛，更优选是清洁度比ISO等级3高的气氛。还有，上述清洁度是ISO 14644-1：1999(Cleanrooms and associated controlled enviornments-Partl：Classificationof air cleanliness)所规定的净化间规格。
这样，由于在净化间41的内部空间A中化学污染物质被除去，因此在载置于XYZ载物台22上的合成石英玻璃基板4周边的气氛中上述污染物质极其少，避免了上述污染物质附着或堆积在该玻璃基板4的表面特别是镜面研磨后的主表面5及6上。因而，避免了附着在该合成石英玻璃基板4的表面(特别是镜面研磨后的主表面5及6)上的附着物或堆积物吸收作为高能量光的ArF准分子激光25而被加热，使上述合成石英玻璃基板4的表面成为部分高温状态而给该表面带来损伤的不良情况。
另外，在上述的检查工序中从激光照射装置21导入石英玻璃基板4的端面2的ArF准分子激光25，如图4所示，具有其束形状比上述端面2的宽度W大的形状，垂直导入该端面2的侧面51。
即，导入ArF准分子激光25的端面2具有：与形成作为掩模图案的薄膜(后述的半色调膜8)的合成石英玻璃基板4的主表面5或6正交的上述侧面51；该侧面51和上述主表面5、6间的倒棱面52及53。这些侧面51的宽度W1、倒棱面52的宽度W2及倒棱面53的宽度W3的和为上述端面2的宽度W，例如W＝6.85mm。另外，导入该端面2的ArF准分子激光25是例如束形状为长边a×短边b的四边形(a＝7.0mm、b＝4.0mm)、功率为6mJ(从而，每单位面积的能量(每1次脉冲)是21.1mJ/cm2)、频率为50Hz的ArF准分子激光。
如果这样的ArF准分子激光25从激光照射装置21导入合成石英玻璃基板4的端面2，则由于该端面2中的每单位面积的ArF准分子激光25的能量不会过强，因此防止了在该端面2中产生等离子区。并且，内部缺陷1 6因导入该端面2的ArF准分子激光25而产生的光15的强度，也充分确保为能够检测的程度。如上述防止等离子区的产生且也可以充分确保光15的强度所需要的ArF准分子激光25的条件是每单位面积的能量(每1次脉冲)为10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下，优选是15mJ/cm2以上45mJ/cm2以下。另外，为提高可靠捕捉内部缺陷16的检查精度，优选频率为40Hz以上。
另外，导入端面2的ArF准分子激光25的形状为长边a×短边b的四边形(a＝7.0mm、b＝4.0mm)，长边(a＝7.0mm)侧成为比合成石英玻璃基板4中的端面2的宽度W(6.85mm)大的尺寸，因此上述ArF准分子激光25对于合成石英玻璃基板4的主表面5及6也沿其面方向照射。因而，在主表面5及6上附着了微粒或污染物55的情况下，这些微粒或污染物55也可以被ArF准分子激光25吹飞而除去。还有，虽然叙述了ArF准分子激光25的束形状为四边形的情况，不过也可以是具有上述端面2的宽度W以上的直径的圆形状或椭圆形状。
此外，导入端面2的ArF准分子激光25，在合成石英玻璃基板4内或其外周附近，如果不因激光的能量而产生等离子区，则也可以是平行光、具有某种程度的扩展角的光、以某种程度的角度收敛的光。优选是平行光或具有略微的扩展角的光。该扩展角优选是6mrad以下。
还有，在上述的实施方式中，在准备了将作为合成石英玻璃基板1的表面的主表面5及6、对置的端面2及3研磨为镜面的合成石英玻璃基板4的状态下进行了ArF准分子激光向合成石英玻璃板1的导入，不过也可以是仅将导入ArF准分子激光的一侧的端面2研磨为镜面的状态的合成石英玻璃基板4。或如图6所示的其他实施方式所述，也可以是将端面2、与该端面2邻接且接受或检测内部缺陷16所产生的光的一侧的端面18(图2)研磨为镜面的状态的合成石英玻璃基板4。在图6所示的其他实施方式中，图6(b)的阶段中，形成为将导入ArF准分子激光的一侧的端面2、与该端面2邻接且接受或检测内部缺陷16所产生的光的一侧的端面18镜面研磨为可以导入ArF准分子激光且可以接受或检测内部缺陷16所产生的光的程度的状态的合成石英玻璃基板4。图6中，图6(b)以外的阶段与图1相同地进行。
即，在上述合成石英玻璃基板的准备工序中，合成石英玻璃4的表面中剩余的端面19(图2)和相互对置的主表面5及6不镜面研磨，其表面粗糙度为0.5μm左右，不过上述端面2及18的表面粗糙度也可以为约0.03μm以下。
如上所述，在掩模坯料用玻璃基板的制造工序中的精密研磨合成石英玻璃基板4的主表面之前的早期阶段(图6(b)的阶段)，检测合成石英玻璃基板4的光学不均匀性、即带来复制图案缺陷的内部缺陷16，因此，能够在向合成石英玻璃基板4导入ArF准分子激光时，只对不产生光学不均匀性的合成石英玻璃基板4进行主表面及其他端面的精密研磨，因此可以省去掩模坯料用玻璃基板的制造工序中的浪费。
在不镜面研磨上述合成石英玻璃基板4的主表面的状态下，使用ArF准分子激光进行检查工序时，由于需要从合成石英玻璃基板4的端面18侧检测部分或局部光学不均匀性，因此如图7所示，用缺陷检查装置进行检查工序。还有，在图7中对于与图2相同的构成，标注相同的符号进行说明。
图7的缺陷检查装置具备：作为光导入机构的激光照射装置21，其从合成石英玻璃基板4的端面2导入作为曝光波长光(即，与曝光波长相同波长的光)的ArF准分子激光；XYZ载物台22，其载置合成石英玻璃4，且相对于从激光照射装置21发射的激光25使合成石英玻璃基板4分别沿X方向、Y方向、Z方向移动；透镜，其设置于该XYZ载物台22所载置的合成石英玻璃基板4的端面33侧，且用于使CCD元件和该CCD元件的检测范围变宽(均未图示)；作为受光机构的CCD照相机(线传感器照相机)23，其在合成石英玻璃基板4的宽度方向(即，从激光照射装置21照射的激光的照射方向)大致整个区域内具有检测视界24；作为检测机构计算机27，其使用USB电缆26与该CCD照相机23连接。
激光照射装置21在XYZ载物台22使合成石英玻璃基板4沿Y方向移动期间，将ArF准分子激光25从合成石英玻璃基板4的端面2中的Y方向(即端面2的纵向)的各位置顺次导入。因而，ArF准分子激光25沿合成石英玻璃基板4的端面2的纵向(图4(A)的α方向)扫描。另外，CCD照相机23在合成石英玻璃基板4的Y方向的每个位置，从合成石英玻璃基板4的端面18侧接受合成石英玻璃基板4因向合成石英玻璃基板4的端面2中的Y方向各位置入射的ArF准分子激光(波长λ1)而产生的、波长比波长λ1长的长波长光15及17并进行摄影。
另外，在上述实施方式中，列举了来自激光照射装置21的ArF准分子激光25垂直导入合成石英玻璃基板4中的与主表面5及6垂直的侧面的例子。不过，也可以在将合成石英玻璃基板4的主表面5、6及侧面(例如端面2、3的侧面)精密研磨后，从在上述侧面和主表面5、6之间形成的倒棱面之一，在由主表面5、6及侧面全反射的条件下，使ArF准分子激光25导入合成石英玻璃基板4。这时，ArF准分子激光25虽然成为实质上封闭在合成石英玻璃基板4内的状态，但是如果在该玻璃基板4的表面上附着附着物等，则全反射条件被破坏，ArF准分子激光25漏出，该漏出的ArF准分子激光25被上述附着物吸收而使合成石英玻璃基板4的表面成为部分或局部的高温状态，从而对其赋予损伤。在这种情况中，图5所示的合成石英玻璃基板4如果在净化间44的内部空间A内的清洁气氛中，则合成石英玻璃基板4的表面不附着附着物等，因而防止了上述损伤的发生。或者，也可以将合成石英玻璃基板4的主表面5、6精密研磨之后，从该主表面5、6导入ArF准分子激光25。
另外，在上述实施方式中，将ArF准分子激光从合成石英玻璃基板4的端面2导入时，作为掩模坯料用玻璃基板的合成石英玻璃基板4的四隅的角被R倒角(带有圆角)，因此如果ArF准分子激光照射于R倒角的四隅的角，则在基于R面的透镜效果的作用下，由合成石英玻璃基板4集光，因此所导入的ArF准分子激光的能量变高，有时在焦点位置产生损伤。根据R面的曲率半径，在形成掩模图案的掩模图案形成区域存在焦点位置时，由于因基板内部的损伤，引起光学特性相对于曝光光的变化(例如透过率下降)，成为复制图案缺陷，因此不优选。另外，在基板内部的损伤由于基于上述R面的ArF准分子激光的集光而较大时，基板有时出现缺口，因此不优选。在这种情况下，优选通过遮蔽机构(未图示)遮蔽ArF准分子激光，使其不照射到合成石英玻璃基板的四隅的角。由此，可以防止基于R面的透镜效果的ArF准分子激光所引起的基板内部的损伤。
另外，在上述实施方式中，虽然使用与曝光光相同的ArF准分子激光作为检查光，但是检查光不一定与曝光光相同，也可以是具有200nm以下的波长的激光或具有200nm以下的波长的光源。优选是对作为掩模坯料用玻璃基板的合成石英玻璃基板透过率为80％以上、更优选是透过率为85％以上的具有200nm以下的波长的光。优选是波长为100nm～200nm的光，也可以是F2准分子激光。或者，为得到与ArF准分子激光或F2准分子激光相同波长的光，也可以从重氢(D2)灯等光源使光分光而使用中心波长与ArF准分子激光、F2准分子激光相同的波长的光。不过，由于通过使检查光与曝光光相同，实际上能够进行在图案复制时的环境下的光学不均匀性的检查，因此优选。
另外，在上述实施方式中，虽然使用受光机构检测光学不均匀性，但是在不需要特定光学不均匀性的种类即成为复制图案缺陷的内部缺陷16的种类等情况下，也可以在用有人为影响的能够切断紫外区的波长的透明的丙烯酸材料来保护的状态下，通过目视来检测部分或局部产生的光，从而进行检查工序。另外，虽然叙述了CCD照相机23接受合成石英玻璃基板4的内部缺陷16及该内部缺陷16以外的区域产生的、波长比曝光波长的光(检查光)长的光15及17的情况，但也可以是分光器接受这些光15及17，测定内部缺陷16的分光特性(波长及强度)或光15及17的强度(光量)分布，检测内部缺陷16，从而进行检查工序。另外，也可以使CCD照相机23为彩色照相机，接受合成石英玻璃基板4的内部缺陷16及该内部缺陷16以外的区域所产生的波长比曝光波长的光(检查光)长的光15及17而摄影，通过计算机27将该CCD照相机23的图像图像处理为红、绿、蓝等色别，根据图像处理为该色别的光的强度(光量)分布或光的波长等信息来检测内部缺陷16而进行检查工序。另外，内部缺陷16的检测也可以在掩模坯料用玻璃基板的制造工序的最终阶段实施。
另外，在上述的实施方式中，虽然列举了向合成石英玻璃基板4导入ArF准分子激光之际，检测基于内部缺陷16的部分或局部产生的光、内部缺陷16以外的区域产生的光的例子，但是并不限定于此，将ArF准分子激光导入合成石英玻璃基板4，内部缺陷16以外的区域也不会产生光，从而可以检测仅内部缺陷16部分或局部产生的光而进行检查工序。
另外，在上述实施方式中，虽然列举了曝光光源为ArF准分子激光时作为掩模坯料用透光性基板使用的合成石英玻璃基板，但是并不限定于此，也可以是熔融了石英原料的透明石英玻璃。另外，曝光光源为F2准分子激光时，作为掩模坯料用透光性基板也可以是氟化钙(CaF2)基板或掺杂了氟的玻璃基板。
另外，在上述实施方式中，作为检查对象虽然列举了掩模坯料用透光性基板，但并不限定于此，在形成为掩模坯料用透光性基板前的状态或合成石英玻璃基板的情况下，也可将生成了合成石英玻璃的合成石英玻璃坯料的状态、从合成石英玻璃坯料切成块状的状态、从块状切成板状的状态作为检查对象。另外，作为检查对象也可以将在光平版印刷之际所使用的曝光装置的光学部件，例如透镜、透镜加工前的状态作为检查对象。
〔B〕掩模坯料的制造方法
接下来，通过溅射法在掩模坯料用玻璃基板7的主表面5上形成作为掩模图案的薄膜(半色调膜8)而制作掩模坯料9(半色调型相位移动掩模坯料)(图1(d))。半色调膜8的成膜使用例如具有以下构成的溅射装置而进行。
该溅射装置是如图8所示的DC磁控溅射装置30，具有真空槽31，在该真空槽31的内部配置有磁控阴极32及基板托架33。在磁控阴极32安装有与背板34粘接的溅射靶35。例如，背板34使用无氧钢，溅射靶35和背板34的粘接使用铟。上述背板34被水冷机构直接或间接冷却。另外，磁控阴极32、背板34及溅射靶35电结合。在基板托架33上安装有玻璃基板7。
如图9所示，上述溅射靶35和玻璃基板7配置为玻璃基板7和溅射靶35的对置的面具有规定角度(靶倾斜角)θ。于是，在玻璃基板7的主表面上均匀形成作为掩模图案的薄膜(半色调膜8)，因此可以抑制作为掩模坯料的基板内的透过率偏差。此时，例如，溅射靶35(的靶中心)和玻璃基板7(的基板中心)之间的偏置距离d是340mm，溅射靶35和玻璃基板7之间的垂直距离(T/S)是380mm，溅射靶的倾斜角是15°。
图8的真空槽31经由排气口37通过真空泵而排气。真空槽31内的气氛达到不影响所形成的膜的特性的真空度之后，从气体导入口38导入含氮混合气体，使用DC电源39向磁控阴极32施加负电压而进行溅射。
DC电源39具有电弧检测功能，监视溅射中的放电状态。真空槽31的内部压力通过压力计36测定。
〔C〕曝光用掩模的制造方法
接下来，如图1所示，在上述掩模坯料9(半色调型相位移动掩模坯料)的半色调膜8的表面涂敷抗蚀剂后，进行加热处理而形成保护膜10(图1(e))。
接下来，在带有抗蚀剂的掩模坯料11中的抗蚀剂膜10上描绘规定图案并进行显影处理，形成抗蚀剂图案12(图1(f))。
接下来，以上述抗蚀剂图案12为掩模，干刻半色调8而作为掩模图案形成半色调膜图案13(图1(g))。
最后，除去抗蚀剂图案12而得到在玻璃基板7上形成有半色调膜图案13的曝光用掩模14(图1(h))。
还有，在上述实施方式中，虽然叙述了在掩模坯料用玻璃基板上形成了半色调膜的半色调型相位移动掩模坯料、或在掩模坯料用玻璃基板上形成了半色调膜图案的半色调型相位移动掩模的情况，不过并不限定于此。
例如，也可以是在掩模坯料用玻璃基板7上具有半色调膜，在该半色调膜上具有遮光膜的半色调型相位移动掩模坯料。而且，作为从该半色调型相位移动掩模坯料得到的半色调型相位移动掩模，也可以是为了在半色调膜图案上的所期望的位置增加遮光功能而形成了遮光膜图案的半色调型相位移动掩模。
另外，也可以是在掩模坯料用玻璃基板7上形成了遮光膜的光掩模坯料、或在掩模坯料用玻璃基板7上形成了用于蚀刻该玻璃基板表面、以所期望的深度挖掘基板形成凹凸图案而制作无铬掩模的掩模图案形成用的薄膜的无铬掩模用坯料。
还有，本发明在掩模坯料用透光性基板中存在光学不均匀性的情况下，通过光学特性相对于曝光光的变化所引起的复制图案的影响大的相位移动掩模坯料用透光性基板的检查方法、及相位移动掩模坯料用透光性基板的制造方法，进一步发挥发明的效果。其中，通过曝光用掩模中的掩模图案相对于曝光光的透过率为10％以上的相位移动掩模(例如，形成了相对于曝光光的透过率为10％以上的半色调膜和遮光膜的三全音(トライト一ン)型的相位移动掩模或无铬型的相位移动掩模)用的透光性基板的检查方法及透光性基板的制造方法中，进一步发挥发明的效果。
还有，这些半色调型相位移动掩模坯料或无铬掩模用坯料等相位移动掩模坯料、光掩模坯料，也可以是在作为掩模图案的薄膜或用于形成掩模图案的薄膜上形成有抗蚀剂膜的带有抗蚀剂的掩模坯料。
〔D〕半导体器件的制造方法
将所得到的曝光用掩模14安装在曝光装置中，使用该曝光用掩模14，将ArF准分子激光作为曝光光并使用光平版印刷技术，在形成于半导体基板(半导体晶片)上的抗蚀剂膜上复制曝光用掩模的掩模图案，在该半导体基板上形成所期望的电路图案，制造半导体器件。
〔E〕实施方式的效果
上述实施方式由于如上构成，因此具有以下的效果。
(1)在玻璃基板等透光性物品的缺陷检查装置20中，从作为透光性物品的合成石英玻璃基板4的表面(端面2)，由作为光导入机构的激光照射装置21导入作为具有200nm以下的波长的检查光(也可以是曝光波长的光)的ArF准分子激光，作为受光机构的CCD照相机23从合成石英玻璃基板4的主表面或与所述端面2不同的端面33接受合成石英玻璃基板4的内部缺陷16因该被导入的ArF准分子激光而产生的波长比所述波长长的光15和合成石英玻璃基板4的内部缺陷16以外的区域因该被导入的ArF准分子激光而产生的波长比所述波长长的光17，作为检测机构的计算机27对这些接受的光15及17进行图像处理，根据这些光15和光17的光量的差异检测合成石英玻璃基板4的内部缺陷16。这样将具有200nm以下的波长的光用于作为使用于光平版印刷的透光性物品的合成石英玻璃基板4的内部缺陷16的检查，由此，可以良好地检测该内部缺陷16。
(2)从作为掩模坯料用透光性物品的合成石英玻璃基板4的端面2，导入作为具有200nm以下的波长的检查光(也可以是曝光波长的光)的ArF准分子激光，并从合成石英玻璃基板4的主表面或与所述端面2不同的端面33接受作为该合成石英玻璃基板4的局部光学不均匀性的内部缺陷16所产生的波长比所述波长长的光15和合成石英玻璃基板4的内部缺陷16以外的区域所产生的波长比所述波长长的光17，根据该接受的光15及17的光量的差异检测上述内部缺陷16，使用未检测到内部缺陷16的合成石英玻璃基板4制造掩模坯料用玻璃基板7。其结果，从该掩模坯料用玻璃基板7经掩模坯料9所制造的曝光用掩模14不存在玻璃基板7的内部缺陷16。从而，使用该曝光用掩模14，在作为被复制体的半导体晶片上复制该曝光用掩模14的掩模图案的图案复制之际，由于在该曝光用掩模14中不存在光学特性因玻璃基板7的内部缺陷16而局部变化(例如透过率下降)的区域，因此不会给图案复制带来坏影响而在被复制体上产生复制图案缺陷，从而能够使复制精度良好。
(3)在作为掩模坯料用透光性基板的掩模坯料用玻璃基板7的制造工序的、精密研磨主表面5及6之前的早期阶段，用缺陷检查装置20检测合成石英玻璃基板4的内部缺陷16，因此能够仅对不存在内部缺陷16的合成石英玻璃基板4进行主表面5及6的精密研磨，可以省去对存在内部缺陷16的合成石英玻璃基板4进行主表面5及6的精密研磨的浪费。
(4)向作为掩模坯料用透光性基板的合成石英玻璃基板4导入具有200nm以下的波长的检查光(也可以是曝光波长的光)，进行该玻璃基板的内部缺陷16的检查。从而，在使用了从该合成石英玻璃基板4经掩模坯料用玻璃基板7及掩模坯料9所制造的曝光用掩模14和曝光光的图案复制之际，可以良好地检测成为复制图案缺陷的内部缺陷16。由于使用未检测出该内部缺陷16，且在主表面5、6不存在损伤的合成石英玻璃基板4而制造掩模坯料用玻璃基板7，因此在使用了该掩模坯料用玻璃基板7的曝光用掩模14上不存在由玻璃基板的内部缺陷16、或光学特性因主表面5、6的损伤而部分或局部变化(例如透过率下降)的区域，因此不会产生复制图案缺陷，从而能够提高复制精度。
(5)由于在内部缺陷16的检测工序中作为被检查体的合成石英玻璃基板4配置在清洁空气循环的净化间41的内部空间A内，因此向上述玻璃基板4导入作为检查用的光的ArF准分子激光25时，可以在将因该ArF准分子激光25的导入而使该玻璃基板4的表面(尤其是主表面5及6)产生损伤的原因物质，从该合成石英玻璃基板4的周边的气氛中排除的状态下，向该玻璃基板4导入ArF准分子激光25。其结果，可以防止在该合成石英玻璃基板4的表面(尤其是主表面5及6)上附着的附着物或堆积物吸收ArF准分子激光25而使该表面成为部分或局部高温状态所发生的该表面的损伤。
(6)由于导入作为掩模坯料用透光性基板的合成石英玻璃基板4的端面2的ArF准分子激光25的束形状(长边a×短边b的四边形)设定得比导入该ArF准分子激光25的端面2的宽度W大，因此端面2中的每单位面积的激光25的能量(每1次脉冲)不会过强，因而避免了在该端面2中的等离子区的产生。其结果，可以防止附着在端面2的杂质或异质物因等离子区而给该端面2造成损伤的情况，从而可以提高内部缺陷16的检测精度。
(7)导入作为掩模坯料用透光性基板的合成石英玻璃基板4的端面2的ArF准分子激光25的每单位面积的能量(每1次脉冲)为10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下，因此，可以避免由该ArF准分子激光25引起的在端面2的等离子区的产生，并且还可将合成石英玻璃基板4的内部缺陷16因该ArF准分子激光25的导入而产生的光15、17的强度充分确保为能检测的程度，因此可以保持缺陷检测精度的可靠性。
(8)由于导入作为掩模坯料用透光性基板的合成石英玻璃基板4的端面2的ArF准分子激光25具有比上述端面2的宽度W大的束形状(长边a×短边b的四边形)，进而将该ArF准分子激光25在合成石英玻璃基板4的端面2中，沿该端面2的纵向(图4(A)的α方向)扫描，因此，与该端面2相接的两个主表面5、6也能照射到ArF准分子激光25。因此，可以通过上述ArF准分子激光25除去附着在这两个主表面5、6上的微粒或污染物55。
(实施例1)
准备10片合成石英玻璃基板，所述合成石英玻璃基板中，对从将四氯化硅等作为初始原料而生成的合成石英玻璃母材(合成石英玻璃坯料)切成152.4mm×152.4mm×6.85mm而得到的合成石英玻璃板实施形状加工及倒棱加工，且导入作为检查光的ArF准分子激光(波长：193nm)的端面(与形成薄膜的主表面正交的侧面、及在主表面和侧面间形成的倒棱面)的表面粗糙度在最大高度Rmax为0.5μm以下。还有，由于该准备的合成石英玻璃基板的主表面还未实施镜面研磨或精密研磨，因此呈毛玻璃状。
接下来，使用在上述实施方式中说明的缺陷检查装置，相对于该合成石英玻璃基板的端面，导入比合成石英玻璃基板的板厚大的束形状为7.0mm×4.0mm、每1次脉冲的能量为6mJ、频率为50Hz的ArF准分子激光，进行内部缺陷的检查。
从不同于导入ArF准分子激光的端面、且与ArF准分子激光的光路正交的其他端面目视进行合成石英玻璃基板的内部缺陷的观察。
合成石英玻璃基板的内部缺陷检查的结果确认如下：10片中有4片存在点状或椭圆状、或者含有龟裂的层状的部分或局部发光不均匀区域。还有，点状的光可确认为淡蓝色的荧光，椭圆状的光可确认为淡蓝色的荧光或黄色的荧光，含有龟裂的层状的光可确认为黄色的荧光。
相对于无法确认部分或局部发光不均匀区域的合成石英玻璃基板，实施主表面和端面(侧面和倒棱面)的精密研磨，得到掩模坯料用玻璃基板。
作为所得到的掩模坯料用玻璃基板的物性，在该玻璃基板的掩模图案形成区域(132mm×132mm)中，将波长193nm中的板厚方向的透过率在面内9处通过透过率测定装置进行测定，其结果，最大透过率和最小透过率的差在2％以内(即，玻璃基板的光的损失为3％/cm以下)，是良好的。还有，在透过率的测定中，照射重氢灯的检查光(波长193nm)，并根据检查光的入射光量和出射光量的差而算出透过率。
相对于该掩模坯料用玻璃基板，顺次形成相对于ArF准分子激光透过率为20％且相位差为180°的半色调膜、光学浓度为3以上的遮光膜、抗蚀剂膜，顺次形成高透过率用半色调型相位移动掩模坯料和相对于ArF准分子激光光学浓度为3以上的遮光膜、抗蚀剂膜，分别制作各三片光掩模坯料。
从该半色调型相位移动掩模坯料制造半色调型相位移动掩模，从光掩模坯料制造光掩模。
将制作的半色调型相位移动掩模及光掩模分别安装在将曝光光源作为ArF准分子激光(波长193nm)的曝光装置(步进曝光装置)上，在半导体基板上通过光平版印刷形成电路图案而制造半导体装置。
所得到的半导体装置中没有电路图案缺陷，全部良好。
如上所述，由于能够在掩模坯料用玻璃基板的制造工序的精密研磨主表面之前的阶段，选定没有存在于合成石英玻璃基板内部的透过率下降的内部缺陷的合成石英玻璃基板，进行仅对该选定的合成石英玻璃基板主表面的精密研磨，制造掩模坯料用玻璃基板，因此本发明的检查方法可以不进行内部缺陷的合成石英玻璃基板的精密研磨，因此可以省去浪费。
(比较例1)
另一方面，为了与上述实施例进行比较，在上述检查工序中，使用确认了光局部产生的荧光的合成石英玻璃基板(将主表面及端面精密研磨的合成石英玻璃基板)，与上述同样，制作了半色调型相位移动掩模坯料和光掩模坯料后，分别制作了半色调型相位移动掩模和光掩模。使用该制作的半色调型相位移动掩模和光掩模，与上述同样通过光平版印刷在半导体基板上形成了电路图案，结果产生了未形成电路图案等图案缺陷。
对于上述光掩模，使用评价装置(微平版印刷·模拟·显微镜Microlithography Simulation Microscops)AIMS193(力一ルツアイス公司制)进行评价复制特性，确认了如下事实：在局部发光作为荧光的区域(数十μm至数百μm)中，透过率下降约5％至约40％。
(实施例2)
在上述实施例1中，内部缺陷的检查使用设置在清洁空气循环的气氛(ISO等级4，使用化学过滤器)内的缺陷检查装置，检查合成石英玻璃基板的内部缺陷，除此之外，与上述实施例1相同地进行合成石英玻璃基板的检查方法，进而进行主表面的精密研磨而得到了掩模坯料用玻璃基板。其结果，可以在不给导入ArF准分子激光的端面带来损伤的情况下进行合成石英玻璃基板的内部缺陷的检查，可以选定光不作为荧光而局部产生的合成石英玻璃基板。使用该选定的合成石英玻璃基板进行主表面的精密研磨而制造掩模坯料用玻璃基板，进而，制作半色调型相位移动掩模和光掩模，通过光平版印刷制作半导体装置，结果没有产生电路图案缺陷。
(实施例3)
在上述的实施例1中，在将四氯化硅等作为初始原料而生成的合成石英玻璃母材(合成石英玻璃坯料)上形成需要导入ArF准分子激光的导入面，从该导入面导入ArF准分子激光，检查了合成石英玻璃母材内部的内部缺陷。还有，导入面按照以比ArF准分子激光的束形状大的尺寸成为镜面状态的方式对合成石英玻璃母材的表面局部实施镜面研磨而形成。
向合成石英玻璃母材导入ArF准分子激光时，特定不局部作为荧光产生的区域，从仅切成该特定区域的合成石英玻璃块，制作了将ArF准分子激光作为曝光光的曝光装置(步进曝光装置)的透镜及掩模坯料用玻璃基板。
对于所得到的透镜及掩模坯料用玻璃基板，评价ArF准分子激光中的透过率下降的有无，其结果，几乎不能确认透过率下降，是极其良好的，作为曝光装置(步进曝光装置)用的透镜、掩模坯料用玻璃基板使用时没有问题。
(实施例4)
在上述实施例1中，除了使用在上述的检查工序中所选定的合成石英玻璃基板的板厚方向的透过率的最大透过率和最小透过率的差在5％以内(即，玻璃基板的光的损失为8％/cm以下)的玻璃基板，在该玻璃基板上顺次形成相对于ArF准分子激光光学浓度为3以上的遮光膜和抗蚀剂膜而制作了光掩模坯料以外，与实施例1相同地制作了光掩模进而半导体装置。其结果，所得到的半导体装置中没有电路图案的缺陷，全部良好。
(参考例)
在上述实施例2中，除了使用设置在未进行清洁度管理的大气中的缺陷检查装置进行合成石英玻璃基板的内部缺陷的检查以外，与实施例2相同地进行了合成石英玻璃基板的内部缺陷的检查。
其结果，向合成石英玻璃基板的端面照射ArF准分子激光时，在端面附近产生了等离子区，在合成石英玻璃基板的端面产生了损伤。该损伤，在之后进行的掩模坯料的制造工序中，在未进行端面的精密研磨的情况或者即使进行了端面的精密研磨其损伤深、端面的精密研磨的加工余量小的情况下，在掩模坯料的制造工序或将掩模坯料收容于收容容器时或掩模坯料的输送时，成为发尘的原因、掩模图案缺陷的原因，因此不优选。还有，在损伤浅、端面的精密研磨的加工余量大的情况下，不成为上述发尘的原因，从而不成为问题。

Claims (22)

1.一种透光性物品的检查方法，其使用于光平版印刷，检查在由透光性材料构成的透光性物品的内部，有无相对于曝光光光学特性部分或局部变化的不均匀性，其特征在于，
向所述透光性物品导入具有200nm以下的波长的检查光，在所述检查光在该透光性物品内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述检查光的波长长的光，来检查所述透光性物品中的光学不均匀性的有无。
2.根据权利要求1所述的透光性物品的检查方法，其特征在于，
对于比所述检查光的波长长的光而言，该光的波长大于200nm且在600nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的透光性物品的检查方法，其特征在于，
所述透光性物品是光平版印刷时使用的曝光装置的光学部件或光平版印刷时使用的曝光用掩模的基板中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的透光性物品的检查方法，其特征在于，
所述光学部件、所述曝光用掩模的基板由合成石英玻璃构成。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的透光性物品的检查方法，其特征在于，
向所述透光性物品导入所述检查光时，在将因该检查光的导入而使所述透光性物品的表面产生损伤的原因物质从该透光性物品周边的气氛中排除的状态下，向该透光性物品导入所述检查光。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的透光性物品的检查方法，其特征在于，
所述检查光的每单位面积的能量为每1次脉冲10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下。
7.一种掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，
具有：
准备工序，其准备具有导入检查光的表面的掩模坯料用透光性基板，所述检查光具有200nm以下的波长；
检查工序，其从所述表面的一方导入所述检查光，在所述检查光在所述透光性基板内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述波长长的光，来检查所述透光性基板中的光学不均匀性的有无；
判别工序，其根据所述不均匀性的有无，判断是否为不产生因光学特性部分或局部变化而引起的复制图案缺陷的透光性基板。
8.根据权利要求7所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，
对于比所述检查光的波长长的光而言，该光的波长大于200nm且在600nm以下。
9.根据权利要求7或8所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，
在所述判别工序之后，将所述透光性基板的主表面精密研磨，得到掩模坯料用透光性基板。
10.根据权利要求7～9中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，
向所述透光性基板导入所述检查光时，在将因该检查光的导入而使所述透光性基板的表面产生损伤的原因物质从该玻璃基板周边的气氛中消除的状态下，向该透光性基板导入所述检查光。
11.根据权利要求7～10中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，
导入所述检查光的所述表面是与形成作为掩模图案的薄膜的透光性基板的主表面正交的侧面。
12.根据权利要求11所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，
在所述检查工序中，将具有比所述侧面的宽度大的束形状的检查光导入该表面。
13.根据权利要求7～12中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法，其特征在于，
所述检查光的每单位面积的能量为每1次脉冲10mJ/cm2以上50mJ/cm2以下。
14.一种掩模坯料的制造方法，其特征在于，
在通过权利要求7～13中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的制造方法而得到的掩模坯料用透光性基板的主表面上，形成作为掩模图案的薄膜，制造掩模坯料。
15.一种曝光用掩模的制造方法，其特征在于，
对权利要求14所述的掩模坯料中的薄膜进行图案形成，在掩模坯料用透光性基板的主表面上形成掩模图案，制造曝光用掩模。
16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
使用通过权利要求15所述的曝光用掩模的制造方法而得到的曝光用掩模，将形成于曝光用掩模上的掩模图案复制在形成于半导体基板上的抗蚀剂膜上，制造半导体装置。
17.一种掩模坯料用透光性基板，其特征在于，
在掩模坯料用透光性基板中，从所述透光性基板表面的一方导入200nm以下波长的光，在所述透光性基板内部因部分或局部产生的比所述波长长的光造成的损失在所述透光性基板的掩模图案形成区域内为8％/cm以下。
18.根据权利要求17所述的掩模坯料用透光性基板，其特征在于，
所述掩模坯料用透光性基板是相位移动掩模坯料用透光性基板。
19.根据权利要求18所述的掩模坯料用透光性基板，其特征在于，
在所述透光性基板内部因部分或局部产生的比所述波长长的波长造成的损失在所述透光性基板的掩模图案形成区域内为3％/cm以下。
20.一种掩模坯料，其特征在于，
通过在权利要求17～19中任意一项所述的掩模坯料用透光性基板的主表面上形成作为掩模图案的薄膜或用于形成掩模图案的薄膜而成。
21.一种曝光用掩模，其特征在于，
通过对权利要求20所述的掩模坯料中的作为所述掩模图案的薄膜进行图案形成，在所述掩模坯料用透光性基板的主表面上形成由薄膜图案构成的掩模图案而成。
22.一种曝光用掩模，其特征在于，
通过对权利要求20所述的掩模坯料中的用于形成所述掩模图案的薄膜进行图案形成而形成薄膜图案，以该薄膜图案为掩模，蚀刻所述掩模坯料用透光性基板，由此在该透光性基板的主表面形成掩模图案而成。
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