KR100807218B1 - 웨이퍼 검사 장치 및 방법 - Google Patents

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KR100807218B1
KR100807218B1 KR1020070011176A KR20070011176A KR100807218B1 KR 100807218 B1 KR100807218 B1 KR 100807218B1 KR 1020070011176 A KR1020070011176 A KR 1020070011176A KR 20070011176 A KR20070011176 A KR 20070011176A KR 100807218 B1 KR100807218 B1 KR 100807218B1
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전충삼
박장익
양유신
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삼성전자주식회사
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Abstract

웨이퍼 검사 장치는 광원, 검출부 및 신호 분석부를 포함한다. 광원은 웨이퍼 상에 광을 조사한다. 검출부는 조사된 광에 의해 웨이퍼로부터 방출된 복사광을 검출하여 신호를 발생시킨다. 신호 분석부는 검출부의 신호를 분석하여 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단한다. 웨이퍼 검사 장치는 복사광에 의한 열을 검출함으로써, 작은 크기를 갖는 결함을 용이하게 찾아낼 수 있다.

Description

웨이퍼 검사 장치 및 방법{Apparatus and method for inspecting a wafer}
도 1a는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치 및 방법에서 열 신호를 분석하여 결함을 발견하는 원리를 설명하기 위한 패턴 사이에 결함이 형성된 웨이퍼의 단면도이고, 도 1b는 상기 패턴 및 상기 결함이 각각 340K 및 1300K의 절대 온도를 가질 때의 플랑크 곡선이다.
도 2a는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 블록도이고, 도 2b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치에서 결함이 촬영된 씨씨디 장치의 열 영상이다.
도 4a는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 검출부의 블록도이고, 도 4b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 검출부의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 방법의 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 웨이퍼 20 : 패턴
30 : 결함(브리지) 40, 50 : 제1 복사광
45, 55, 65 : 제2 복사광 100, 200 : 웨이퍼 검사 장치
110, 210 : 광원 115, 215 : 광
120, 220, 300, 400 : 검출부 130, 230 : 신호 분석부
140, 240 : 렌즈 150, 250 : 광 필터
160 : 광로 변경부 310, 410 : 격자
320 : 씨씨디 장치 420 : 광전 증배관
본 발명은 웨이퍼 검사 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 레이저 빔을 웨이퍼에 조사하고 그에 따라 방출되는 열 신호를 분석하여, 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴에 존재하는 불량을 검출하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 포토리소그래피 공정을 이용하여 웨이퍼 표면상에 복수 개의 회로 패턴들을 한 층씩 적층하는 공정을 반복함으로써 제조된다. 이때, 상기 회로 패턴들에는 결함(defect)이 발생할 수 있으며, 특히 금속 배선들 사이에 상기 금속 물질이 완전히 제거되지 못하여 브리지(bridge) 형태의 결함이 종종 발생한다. 이를 확인하기 위해 상기 회로 패턴들을 형성하고 난 후, 상기 웨이퍼를 검사하는 공정을 수행하게 된다.
종래에는 주로 웨이퍼에 가시광선, 전자 빔 혹은 레이저 빔을 주사하고, 이에 따라 상기 웨이퍼로부터 반사되거나 산란되어 나오는 광을 이용하여 영상을 만 든 후, 정상 부분의 영상과 결함이 있는 부분의 영상을 비교함으로써 상기 결함을 검출하는 방식을 사용해 왔다. 하지만, 반도체 소자의 선폭이 점차 줄어듦에 따라 결함의 크기도 점차 줄어들게 됨으로써, 전술한 방식으로 상기 결함을 검출하는 것에는 그 한계가 드러나고 있다. 즉, 반도체 소자의 회로 패턴 및 결함이 모두 수십 나노 급의 크기를 갖게 됨에 따라, 상기 회로 패턴 혹은 결함보다 큰 파장을 갖는 반사광 혹은 산란광 자체에 의한 영상을 비교하는 방법으로는 상기 결함을 정확하게 검출해 내지 못하게 되는 문제점이 발생한다.
이에 따라, 본 발명의 일 목적은 수십 나노 급의 작은 크기를 갖는 패턴 및 상기 패턴에 발생하는 결함을 검출할 수 있는 웨이퍼 검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 수십 나노 급의 작은 크기를 갖는 패턴 및 상기 패턴에 발생하는 결함을 검출할 수 있는 웨이퍼 검사 방법을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치는 광원, 검출부 및 신호 분석부를 포함한다. 상기 광원은 웨이퍼 상에 광을 조사한다. 상기 검출부는 상기 조사된 광에 의해 상기 웨이퍼로부터 방출된 복사광을 검출하여 신호를 발생시킨다. 상기 신호 분석부는 상기 검출부의 신호를 분석한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광원은 레이저 빔을 조사할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광은 상기 웨이퍼 상에 형성된 도전 패턴들 및 상기 도전 패턴들 사이에 잔류하는 브리지(bridge)에 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 검사 장치는 상기 광원으로부터 조사된 상기 광이 상기 브리지의 형성 방향과 평행한 방향의 편광이 되도록 하는 편광 필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광은 상기 웨이퍼에 수직하게 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 검사 장치는 상기 광원으로부터 방출된 상기 광이 상기 웨이퍼에 수직하게 조사되도록 상기 광의 방향을 변경하는 광로 변경기를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광은 상기 웨이퍼에 예각으로 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 신호 분석부는 인접하는 세 개 이상의 다이(die)들에 대해 상기 검출부가 발생시키는 각 신호들을 비교하여, 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 신호 분석부는 인접하는 특정한 셀(cell)에 대한 제1 영상 신호와, 상기 제1 영상 신호를 일정한 간격으로 상하좌우로 이동시켜 형성한 제2 영상 신호를 서로 비교하여 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 검출부는 상기 웨이퍼로부터 방출된 상 기 복사광을 검출하여 영상 신호를 발생시키는 씨씨디(Charge Coupled Device; CCD) 장치를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 신호 분석부는, 상기 씨씨디 장치에 의해 발생된 영상 신호의 일정 영역 내에서 특정 부분과 인접 부분과의 밝기 차이가 문턱(threshold)값 이상이 될 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 검출부는, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광이 스펙트럼을 형성하여 상기 씨씨디 장치로 전송되도록 상기 복사광을 파장에 따라 분리시키는 격자(grating)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 검출부는 상기 웨이퍼로부터 방출되는 상기 복사광이 스펙트럼을 형성하여 방출되도록 상기 복사광을 파장에 따라 분리시키는 격자 및 상기 격자로부터 방출된 상기 스펙트럼을 검출하여 증폭 신호를 발생시키는 광전 증배관(Photo-Multiplier Tube; PMT)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 신호 분석부는, 상기 광전 증배관에 발생된 증폭 신호가 문턱값 이상의 값을 가질 경우, 상기 웨이퍼에는 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 검사 장치는 상기 웨이퍼와 상기 검출부 사이에 배치되어 적외선을 통과시키는 광 필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복사광은 1 내지 4㎛의 파장 범위에서 최대 세기를 가질 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 방법에서는, 웨이퍼 상에 광이 조사된다. 상기 조사된 광에 의해 상기 웨이퍼로부터 방출된 복사광이 검출되어 신호가 발생한다. 상기 발생된 신호가 분석되어 상기 웨이퍼에 결함이 있는지가 판단된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 상에 상기 광이 조사될 때, 상기 웨이퍼 상에 레이저 빔이 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 상에 상기 광이 조사될 때, 상기 광은 상기 웨이퍼 상에 형성된 도전 패턴들 및 상기 도전 패턴들 사이에 잔류하는 브리지에 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 검사 방법에서, 상기 광이 상기 브리지가 형성된 방향과 평행한 방향의 편광이 되도록, 상기 광이 편광 필터를 통과할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 상에 상기 광이 조사될 때, 상기 광은 상기 웨이퍼에 수직하게 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 검사 방법에서, 상기 광이 상기 웨이퍼에 수직하게 조사되도록, 광로 변경기에 의해 상기 광의 경로가 변경될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 상에 상기 광이 조사될 때, 상기 광은 상기 웨이퍼에 예각으로 조사될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발생된 신호가 분석되어 상기 웨이퍼에 결함이 있는지가 판단될 때, 인접하는 세 개 이상의 다이들에 대해 발생된 상기 각 신호들이 비교되어, 상기 웨이퍼에 결함이 있는지가 판단될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발생된 신호가 분석되어 상기 웨이퍼에 결함이 있는지가 판단될 때, 특정한 셀에 대한 제1 영상 신호와, 상기 제1 영상 신호를 일정한 간격으로 상하좌우로 이동시켜 형성한 제2 영상 신호가 서로 비교되어 상기 웨이퍼에 결함이 있는지가 판단될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광이 검출될 때, 씨씨디 장치에 의해 상기 복사광이 검출되어 영상 신호가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발생된 신호가 분석되어 상기 웨이퍼에 결함이 있는지가 판단될 때, 상기 씨씨디 장치에 의해 발생된 영상 신호의 일정 영역 내에서 특정 부분과 인접 부분과의 밝기 차이가 문턱값 이상이 될 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광이 검출될 때, 상기 복사광이 스펙트럼을 형성하여 상기 씨씨디 장치로 전송되도록 상기 복사광은 격자에 의해 파장에 따라 분리될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광이 검출될 때, 상기 복사광은 격자에 의해 파장에 따라 분리되어 스펙트럼을 형성하고, 광전 증배관에 의해 상기 격자로부터 방출된 상기 스펙트럼이 검출되어 상기 스펙트럼에 대한 증폭 신호가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발생된 신호가 분석되어 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단될 때, 상기 광전 증배관에 발생된 증폭 신호가 문턱값 이상의 값을 가질 경우, 상기 웨이퍼에는 결함이 있는 것으로 판단될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼로부터 방출된 복사광이 검출되기 이전에, 상기 복사광과 혼합된 광이 적외선 필터에 의해 걸러내어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복사광은 1 내지 4㎛의 파장 범위에서 최대 세기를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 패턴 및 결함이 형성된 웨이퍼 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 패턴 및 결함을 가열한다. 이후, 상기 패턴 및 결함의 온도 차이에 따른 열복사량의 차이를 상기 패턴 및 결함으로부터 방출되는 복사광을 통해 검출하고, 이에 대한 신호를 발생시킨다. 이후, 상기 발생된 신호를 분석함으로써 상기 웨이퍼에 결함이 존재하는지를 용이하게 알 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치 및 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막), 영역, 패턴들 또는 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역, 전극, 패턴들 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 전극, 구조물들 또는 패턴들 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으 로 언급되는 경우에는 각 층(막), 영역, 전극, 패턴들 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 구조물 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 전극, 다른 패턴들 또는 다른 구조물이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 물질, 층(막), 영역, 전극, 패턴들 또는 구조물들이 "제1", "제2" 및/또는 "예비"로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 물질, 층(막), 영역, 전극, 패턴들 또는 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서 "제1", "제2" 및/또는 "예비"는 각 층(막), 영역, 전극, 패턴들 또는 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.
한편, 명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 중복을 피하기 위해 한번 설명된 구성 요소에 대해서는 이후의 설명을 생략한다.
도 1a는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치 및 방법에서 열 신호를 분석하여 결함을 발견하는 원리를 설명하기 위한 패턴 사이에 결함이 형성된 웨이퍼의 단면도이고, 도 1b는 상기 패턴 및 상기 결함이 각각 340K 및 1300K의 절대 온도를 가질 때의 플랑크 곡선이다.
도 1a를 참조하면, 패턴(20) 사이에 형성된 결함(30)을 갖는 웨이퍼(10)가 도시되어 있다. 패턴(20)은 도전 패턴일 수 있고, 결함(30)은 상기 도전 패턴 형성 과정에서 도전성 물질이 완전히 제거되지 못하고 잔류한 브리지(bridge)일 수 있다.
외부로부터 패턴(20) 및 결함(30)이 형성된 웨이퍼(10)로 광(도시하지 않음)이 조사될 경우, 상기 광이 가진 에너지가 패턴(20) 및 결함(30)으로 전달되어 패턴(20) 및 결함(30)의 온도를 증가시킬 수 있다. 구체적으로, 패턴(20) 및 결함(30)이 도전성 물질을 포함할 경우, 상기 광 에너지는 상기 도전성 물질에 포함된 전자에 전달되어 상기 전자를 이동시킴으로써 전류를 발생시킨다. 이에 따라 전기적 저항에 의한 열이 발생하여 패턴(20) 및 결함(30)의 온도를 증가시킬 수 있다.
이때, 상기 전자에 전달된 광 에너지와 상기 전자의 이동에 의한 전기적 에너지는 각각 수학식 1 및 2로 표현될 수 있다.
Eheat = △TㆍCLA
여기서, △T는 온도 변화량, C는 단위 부피당 비열, L은 패턴(20) 혹은 결함(30)의 길이, A는 패턴(20) 혹은 결함(30)의 단면적을 나타낸다.
Eelectric = I2R
여기서, I는 전자의 이동에 의한 전류, R은 저항을 나타낸다.
또한, 저항(R)은 수학식 3으로 표현될 수 있다.
R = ρㆍ(L/A)
여기서, ρ는 저항률을 나타낸다.
상기 광 에너지가 상기 전기적 에너지로 모두 변환된다고 가정할 경우, 수학식 1, 2 및 3에 의해,△TㆍA2 = (ρ/C)ㆍI2가 성립하므로, 패턴(20) 및 결함(30)의 온도 증가량(△T)은 각 단면적(A)의 제곱에 반비례하게 된다. 패턴(20) 및 결함(30)의 폭(도시하지 않음)이 동일할 경우 각 단면적(A)은 각 높이들(H, h)에 비례하므로, 결국 온도 변화량(△T)은 패턴(20) 및 결함(30)의 각 높이들(H, h)의 제곱에 반비례하게 된다.
예를 들어, 패턴(20) 및 결함(30)의 높이들(H, h)이 각각 50nm 및 10nm인 경우, 동일한 광을 조사할 때 결함(30)의 제1 온도 변화량은 패턴(20)의 제2 온도 변화량에 비해 25배의 값을 갖게 된다.
한편, 플랑크(Plank)의 법칙에 따르면, 흑체(black body)의 절대 온도와 상기 흑체로부터 방출되는 복사광의 스펙트럼은 수학식 4의 관계를 갖는다.
u(λ,T) = (8πhc/λ5)/(ehc/λkT - 1)
여기서, λ는 파장, h는 플랑크 상수, c는 빛 속도, T는 절대 온도, k는 볼츠만 상수를 나타낸다.
예를 들어, 패턴(20) 및 결함(30)의 원래 절대 온도가 300K이고, 각각 40K 및 1000K만큼 온도가 증가한 경우, 즉 패턴(20) 및 결함(30)의 절대 온도가 각각 340K 및 1300K일 때의 플랑크 곡선이 도 1b에 도시되어 있다. 도 1b에서, 점선으로 표시된 곡선은 패턴(20)이 흑체 복사를 할 경우의 복사광의 세기를 나타내고, 실선으로 표시된 곡선은 결함(30)이 흑체 복사를 할 경우의 복사광의 세기를 나타낸다.
도 1b를 참조하면, 대략 1 내지 4㎛의 파장 범위에서, 패턴(20)에서 방출된 복사광의 세기는 아주 미미한 수준이나, 결함(30)에서 방출된 복사광의 세기는 높은 값을 가지며 상기 파장 범위 내에서 최대값을 갖는다. 즉, 패턴(20)에 비해 높은 절대 온도를 갖는 결함(30)에서 방출되는 복사광은 상기 파장 범위의 적외선 즉, 중적외선을 다량 포함하게 된다.
다시 도 1a를 참조하면, 외부로부터 조사된 광이 갖는 에너지를 인가받아 패턴(20) 및 결함(30)에 포함된 도전성 물질의 전자가 이동함으로써 발생한 열은 각각 제1 복사광(40) 및 제2 복사광(45)의 형태로 외부로 방출된다. 이때, 패턴(20) 및 결함(30)의 높이(단면적) 차이에 따라 발생하는 온도 차이에 의해 제1 및 제2 복사광들(40, 45)의 파장에 따른 세기가 달라지며, 구체적으로 패턴(20)으로부터 방출되는 제1 복사광(40)에 비해 결함(30)으로부터 방출되는 제2 복사광(45)은 짧은 파장 영역에서 훨씬 큰 세기를 갖게 된다. 따라서, 상기 복사광들(40, 45)을 검출함으로써 웨이퍼(10) 상에 패턴(20) 이외의 결함(30)이 존재하는지를 판단할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 블록도이고, 도 2b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 블록도이다.
도 2a를 참조하면, 웨이퍼 검사 장치(100)는 광원(110), 검출부(120) 및 신 호 분석부(130)를 포함한다. 또한, 웨이퍼 검사 장치(100)는 렌즈(140), 광 필터(150) 및 광로 변경기(160)를 더 포함할 수 있다.
광원(110)은 웨이퍼(10)에 광(115)을 조사한다. 이에 따라, 웨이퍼(10)의 온도가 증가할 수 있다. 구체적으로, 광원(110)은 가시광선, 적외선 및 자외선 등의 광(115)을 웨이퍼(10)에 조사할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광(115)은 레이저 빔을 포함한다. 상기 레이저 빔은 가시광선 레이저 빔, 자외선 레이저 빔 및 적외선 레이저 빔 등을 포함할 수 있다.
광원(110)에서 방사된 광(115)은 웨이퍼(10)에 수직하게 입사할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 웨이퍼 검사 장치(100)는 광원(110)에서 방사된 광(115)이 웨이퍼(10)에 수직하게 입사하도록, 광(115)의 경로를 변경시키는 광로 변경기(160)를 포함한다. 광로 변경기(160)는 빔 스플리터(splitter)를 포함할 수 있으며, 광(115)을 반사 혹은 굴절시켜 광원(110)에서 방사된 광(115)이 웨이퍼(10)에 수직하게 입사하도록 할 수 있다.
패턴(20) 및 결함(30)이 형성된 웨이퍼(10)에 광(115)이 조사됨으로써, 광(115)의 에너지가 패턴(20) 및 결함(30)에 전달되어, 패턴(20) 및 결함(30)의 온도가 증가할 수 있다. 패턴(20)은 도전 패턴일 수 있으며, 결함(30)은 패턴(20) 형성 과정에서 완전히 제거되지 못한 도전성 물질의 브리지(bridge)일 수 있다. 이 경우, 상기 광 에너지는 상기 도전성 물질 내의 전자를 이동시켜 전기적 저항에 의한 열을 발생시킬 수 있다. 상기 저항열은 패턴(20) 및 결함(30)의 온도를 증가시키며, 이에 따라 패턴(20) 및 결함(30)은 상기 온도에 대응하는 복사열을 각각 제1 복사광(50) 및 제2 복사광(55)의 형태로 방출할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 웨이퍼 검사 장치(100)는 광(115)이 상기 브리지의 형성 방향과 평행한 방향의 편광이 되도록 하는 편광 필터(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다. 광(115)이 상기 브리지의 형성 방향과 평행한 방향의 편광인 경우, 광 에너지에 의해 상기 도전성 물질 내의 전자가 이동하여 전류를 발생시키는 효율을 증대시킬 수 있다.
검출부(120)는 제1 및 제2 복사광들(50, 55)을 검출한다. 검출부(120)는 씨씨디(Charge Coupled Device; CCD) 장치 혹은 광전 증배관(Photo-Multiplier Tube; PMT)을 포함할 수 있다.
검출부(120)가 씨씨디 장치를 포함할 경우, 상기 씨씨디 장치는 복사광들(50, 55)을 검출하여 이를 영상 신호로 변환할 수 있다. 도 3에는, 결함(30)을 포함하는 웨이퍼(10)로부터 방출되는 복사광을 검출하여 생성된 영상이 도시되어 있다.
도 3을 참조하면, 주변 영역에 비해 훨씬 밝은 영상을 나타내는 부분(A)이 존재하며, 이는 상기 부분(A)으로부터 방출되는 복사광의 세기가 상기 주변 영역으로부터 방출되는 복사광의 세기보다 훨씬 크다는 것을 의미한다. 즉, 상기 부분은 상기 주변 영역에 비해 훨씬 높은 온도를 가지는 부분으로서, 결함(30)이 발생한 부분으로 추정할 수 있다.
한편, 검출부(120)는 패턴(20) 및 결함(30)으로부터 방출된 복사광들(50, 55)을 파장에 따라 분리시켜 상기 씨씨디 장치로 전송되도록 하는 격자(grating)를 더 포함할 수 있으며, 이는 도 4a를 참조하여 아래에 설명된다.
도 4a는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 검출부의 블록도이다.
도 4a를 참조하면, 검출부(300)는 격자(310) 및 씨씨디 장치(320)를 포함한다.
격자(310)는 프리즘 형상을 가질 수 있으며, 패턴(20) 및 결함(30)으로부터 방출되는 복사광(70)을 파장에 따라 분리시킨다. 이에 따라, 복사광(70)은 스펙트럼을 형성하여 씨씨디 장치(320)에 전송된다.
격자(310)를 통해 복사광(70)이 파장에 따라 분리되어 씨씨디 장치(320)로 전송됨에 따라, 특정 파장 영역에서 복사광이 발생하는지를 파악함으로써 결함(30)의 발생 여부를 추정할 수 있다.
한편, 복사광(70)의 특정 파장 부분에 대한 신호를 증폭하여 보다 정밀하게 결함 발생 영역을 추정할 수도 있으며, 이는 도 4b를 참조하여 아래에 설명된다.
도 4b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 장치의 검출부의 블록도이다.
도 4b를 참조하면, 검출부(400)는 격자(410) 및 광전 증배관(420)을 포함한다.
광전 증배관(420)은 격자(410)에 의해 파장별로 분리된 복사광(70)의 스펙트럼에서 특정 스펙트럼 부분을 증폭함으로써, 신호 분석부(130)에서는 원하는 스펙트럼에서의 신호를 보다 정밀하게 분석할 수 있다.
다시 도 2a를 참조하면, 신호 분석부(130)는 검출부(120)로부터 신호를 수신 하여, 웨이퍼(10)에 결함(30)이 있는지를 판단한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 신호 분석부(130)는 인접하는 다이(die)들에 대해 검출부(120)가 발생시키는 각 신호들을 비교하여, 웨이퍼(10)에 결함이 있는지를 판단한다. 이때, 신호 분석부(130)는 세 개 이상의 다이들에 대한 각 신호들을 비교하여, 어느 하나가 나머지 신호들과 다를 경우 웨이퍼(10)에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 신호 분석부(130)는 특정 셀(cell)에 대한 영상 신호와, 상기 영상 신호를 일정한 간격으로 상하좌우로 이동시킨 영상 신호를 서로 비교하여 결함(30)의 존재 여부를 판단한다. 즉, 상기 셀 내부에는 동일한 회로 패턴들이 일정한 간격으로 형성되어 있으므로, 특정 셀에 대한 영상 신호와, 상기 영상 신호를 상기 간격만큼 이동시킨 영상 신호와 비교함으로써, 서로 다른 점이 발견될 경우에는 결함(30)이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 신호 분석부(130)는 하나의 다이 혹은 하나의 셀 내에서의 신호를 분석하여, 주변 영역에 비해 현저히 다른 신호를 나타내는 부분이 있을 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단한다. 예를 들어, 씨씨디 장치를 사용하여 복사광들(50, 55)을 검출하여 영상 신호를 생성할 경우, 하나의 다이 혹은 셀 내에서 특정 부분과 인접 부분과의 밝기 차이가 문턱(threshold)값 이상이 될 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
한편, 웨이퍼 검사 장치(100)는 렌즈(140)를 더 포함하여, 패턴(20) 및 결 함(30)으로부터 방출된 복사광들(50, 55)의 분포를 공간적으로 확대함으로써, 씨씨디 장치를 포함하는 검출부(120)에서의 영상을 확대할 수 있다.
또한, 웨이퍼 검사 장치(100)는 검출부(120)로 입사되는 광들 중에서 일부 성분을 필터링하는 광 필터(150)를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 적외선만을 통과시키는 적외선 필터를 광 필터(150)로 사용할 수 있다. 이에 따라, 패턴(20) 및 결함(30)을 가열하기 위해 웨이퍼(10)에 조사된 광(115)이 적외선이 아닌 가시광선이나 자외선 등을 포함할 경우, 광(115)이 광 필터(150)에 의해 걸러져 검출부(120)로 유입되지 않음으로 인해서, 검출부(120)에서의 복사광들(50, 55) 검출 작업이 훨씬 효과적으로 수행될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 웨이퍼 검사 장치(200)는 광원(210), 검출부(220) 및 신호 분석부(230)를 포함한다. 또한, 웨이퍼 검사 장치(200)는 렌즈(240) 및 광 필터(250)를 더 포함할 수 있다.
웨이퍼 검사 장치(200)는, 광원(210)으로부터 웨이퍼(10)에 조사되는 광(215)의 웨이퍼(10)에 대한 입사각이 다르다는 점을 제외하고는, 도 2a를 참조로 설명한 웨이퍼 검사 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사하다.
즉, 광(215)은 웨이퍼(10)에 대해 수직이 아닌 임의의 예각을 입사각으로 하여 조사된다. 이에 따라, 도 2a의 웨이퍼 검사 장치(100)가 포함하는 광로 변경기(160)가 필요하지 않다. 또한, 광원(210)으로부터 웨이퍼(10)에 조사된 광(215)이 검출부(220)에 직접 입사될 가능성이 적어지므로, 광 필터(250) 역시 필수적이지 않다.
도 2b에서는 광(215)의 경로를 명확하게 나타내기 위해, 패턴(20) 사이에 결함(30)이 정면으로 도시되지 않고, 패턴(20) 후면에 도시되어 있다. 즉, 도 2a를 정면도라고 할 때, 도 2b는 측면도에 해당한다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 검사 방법의 흐름도이다.
도 5를 참조하면, S10 단계에서, 패턴 및 결함이 형성된 웨이퍼 상에 광을 조사한다. 이에 따라, 상기 웨이퍼의 온도가 증가할 수 있다. 구체적으로, 가시광선, 적외선 및 자외선 등이 상기 웨이퍼 상에 조사될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 레이저 빔이 상기 웨이퍼 상에 조사된다. 상기 레이저 빔은 가시광선 레이저 빔, 자외선 레이저 빔 및 적외선 레이저 빔 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광은 상기 웨이퍼에 수직하게 입사한다. 이를 위해, 광의 경로를 변경시키는 광로 변경기를 사용하여, 광원으로부터 상기 웨이퍼 상에 조사되는 상기 광을 반사 혹은 굴절시킬 수 있다. 상기 광로 변경기로서 빔 스플리터를 사용할 수 있다.
상기 웨이퍼에 상기 광이 조사됨으로써, 광 에너지가 상기 패턴 및 결함에 전달되어, 상기 패턴 및 결함의 온도가 증가할 수 있다. 이때, 상기 패턴은 도전 패턴일 수 있으며, 상기 결함은 상기 패턴 형성 과정에서 완전히 제거되지 못한 도전성 물질의 브리지일 수 있다. 이 경우, 상기 광 에너지는 상기 도전성 물질 내의 전자를 이동시켜 전기적 저항에 의한 열을 발생시킬 수 있다. 상기 저항열은 상기 패턴 및 결함의 온도를 증가시키며, 이에 따라 상기 패턴 및 결함은 상기 온도에 대응하는 복사열을 각각 제1 복사광 및 제2 복사광의 형태로 방출할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 편광 필터를 사용하여 상기 광이 상기 브리지의 형성 방향과 평행한 방향의 편광이 되도록 할 수 있다. 상기 광이 상기 브리지의 형성 방향과 평행한 방향의 편광인 경우, 광 에너지에 의해 상기 도전성 물질 내의 전자가 이동하여 전류를 발생시키는 효율을 증대시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 렌즈에 의해 상기 복사광들의 공간적 분포를 확대함으로써, 후술하는 씨씨디 장치를 사용하여 상기 복사광들에 대한 영상 신호를 생성할 때, 확대된 영상을 생성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복사광들에 혼합되어 있는 상기 웨이퍼에 조사된 광을 광 필터를 사용하여 걸러낼 수 있다. 상기 광 필터로는, 적외선을 통과시키는 적외선 필터가 사용될 수 있다. 이에 따라, 상기 패턴 및 결함을 가열하기 위해 상기 웨이퍼에 조사된 상기 광이 적외선이 아닌 가시광선이나 자외선 등을 포함할 경우, 상기 적외선 필터에 의해 상기 광이 걸러짐으로써, 이후 상기 복사광들의 검출 작업을 보다 효과적으로 수행할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 광은 상기 웨이퍼에 대해 수직이 아닌 임의의 예각을 입사각으로 하여 조사될 수 있다. 이 경우, 상기 광을 상기 웨이퍼에 수직하게 입사시키기 위한 광로 변경기는 필요하지 않을 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼에 조사된 상기 광이, 이후 상기 복사광들의 검출 단계에서, 상기 복사광들과 함께 검출될 가능성이 적어진다. 이에 따라, 상기 광을 상기 웨이퍼에 수직하게 조사하는 경우와는 달리, 상기 복사광들에 혼합되어 있는 상기 웨이퍼에 조사된 광을 상기 광 필터를 사용하여 걸러낼 필요성이 적어진다.
S20 단계에서, 검출부에서 상기 제1 및 제2 복사광들이 검출되고, 이에 따라 신호가 발생한다. 상기 검출부는 씨씨디 장치 혹은 광전 증배관을 포함할 수 있다.
상기 씨씨디 장치를 사용하여 상기 복사광들을 검출할 경우, 상기 씨씨디 장치는 영상 신호를 발생시킬 수 있다. 상기 영상 신호에서, 주변 영역에 비해 훨씬 밝은 영상을 나타내는 부분이 존재할 경우, 이는 상기 부분으로부터 방출되는 복사광의 세기가 상기 주변 영역으로부터 방출되는 복사광의 세기보다 훨씬 크다는 것을 의미한다. 따라서, 상기 부분은 상기 주변 영역에 비해 훨씬 높은 온도를 가지는 부분으로서, 이후 신호를 분석하는 단계에서 상기 부분을 결함이 발생한 부분으로 추정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 검출부는 상기 패턴 및 결함으로부터 방출된 상기 복사광들을 파장에 따라 분리시켜 상기 씨씨디 장치로 전송되도록 하는 격자를 더 포함할 수 있다.
상기 격자는 프리즘 형상을 가질 수 있으며, 상기 패턴 및 결함으로부터 방출되는 상기 복사광들을 파장에 따라 분리시킨다. 이에 따라, 상기 복사광들은 스펙트럼의 형태로 상기 씨씨디 장치에 전송된다.
상기 격자를 통해 상기 복사광들이 파장에 따라 분리되어 상기 씨씨디 장치로 전송됨에 따라, 특정 파장 영역에서 복사광이 발생하는지를 파악함으로써 결함(30)의 발생 여부를 추정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 검출부는 광전 증배관을 더 포함하여, 상기 격자에 의해 파장별로 분리된 상기 복사광들의 스펙트럼에서 특정 스펙트럼 부분을 증폭함으로써, 이후 신호 분석 단계에서 원하는 스펙트럼에서의 신호를 보다 정밀하게 분석할 수 있다.
S30 단계에서, 신호 분석부는 상기 검출부에서 발생한 신호를 분석하여, 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 신호 분석부는 인접하는 다이들에 대해 상기 검출부가 발생시키는 각 신호들을 비교하여, 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단한다. 이때, 상기 신호 분석부는 세 개 이상의 다이들에 대한 각 신호들을 비교하여, 어느 하나가 나머지 신호들과 다를 경우 상기 웨이퍼에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 신호 분석부는 특정 셀에 대한 영상 신호와, 상기 영상 신호를 일정한 간격으로 상하좌우로 이동시킨 영상 신호를 서로 비교하여 상기 웨이퍼에 결함이 존재하는지를 판단한다. 즉, 상기 셀 내부에는 동일한 회로 패턴들이 일정한 간격으로 형성되어 있으므로, 특정 셀에 대한 영상 신호와, 상기 영상 신호를 상기 간격만큼 이동시킨 영상 신호와 비교함으로써, 서로 다른 점이 발견될 경우에는 상기 웨이퍼에 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 신호 분석부는 하나의 다이 혹은 하나의 셀 내에서의 신호를 분석하여, 주변 영역에 비해 현저히 다른 신호를 나타내는 부분이 있을 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단한다. 예를 들어, 상기 씨씨디 장치를 사용하여 상기 복사광들을 검출하여 영상 신호를 생성할 경우, 하나의 다이 혹은 셀 내에서 특정 부분과 인접 부분과의 밝기 차이가 문턱값 이상이 될 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명에 따르면, 패턴 및 결함이 형성된 웨이퍼 상에 레이저 빔을 조사하여 상기 패턴 및 결함을 가열한다. 이후, 상기 패턴 및 결함의 온도 차이에 따른 열복사량의 차이를 상기 패턴 및 결함으로부터 방출되는 복사광을 통해 검출하고, 이에 대한 신호를 발생시킨다. 이후, 상기 발생된 신호를 분석함으로써 상기 웨이퍼에 결함이 존재하는지를 용이하게 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (32)

  1. 웨이퍼 상에 광을 조사하는 광원;
    상기 조사된 광에 의해 상기 웨이퍼로부터 방출된 복사광을 검출하여 신호를 발생시키는 검출부; 및
    상기 검출부의 신호를 분석하여 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단하는 신호 분석부를 포함하는 웨이퍼 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광원은 레이저 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광은 상기 웨이퍼 상에 형성된 도전 패턴들 및 상기 도전 패턴들 사이에 잔류하는 브리지(bridge)에 조사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 광원으로부터 조사된 상기 광이 상기 브리지의 형성 방향과 평행한 방향의 편광이 되도록 하는 편광 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광은 상기 웨이퍼에 수직하게 조사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 광원으로부터 방출된 상기 광이 상기 웨이퍼에 수직하게 조사되도록 상기 광의 방향을 변경하는 광로 변경기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 광은 상기 웨이퍼에 예각으로 조사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 신호 분석부는 인접하는 세 개 이상의 다이(die)들에 대해 상기 검출부가 발생시키는 각 신호들을 비교하여, 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 신호 분석부는, 특정한 셀에 대한 제1 영상 신호와, 상기 제1 영상 신호를 일정한 간격으로 상하좌우로 이동시켜 형성한 제2 영상 신호를 서로 비교하여 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 검출부는 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광을 검출하여 영상 신호를 발생시키는 씨씨디(Charge Coupled Device; CCD) 장치를 포함 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 신호 분석부는, 상기 씨씨디 장치에 의해 발생된 영상 신호의 일정 영역 내에서 특정 부분과 인접 부분과의 밝기 차이가 문턱(threshold)값 이상이 될 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 검출부는, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광이 스펙트럼을 형성하여 상기 씨씨디 장치로 전송되도록 상기 복사광을 파장에 따라 분리시키는 격자(grating)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 검출부는
    상기 웨이퍼로부터 방출되는 상기 복사광이 스펙트럼을 형성하여 방출되도록 상기 복사광을 파장에 따라 분리시키는 격자; 및
    상기 격자로부터 방출된 상기 스펙트럼을 검출하여 상기 스펙트럼에 대한 증폭 신호를 발생시키는 광전 증배관(Photo-Multiplier Tube; PMT)을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 신호 분석부는, 상기 광전 증배관에 발생된 증폭 신호가 문턱값 이상의 값을 가질 경우, 상기 웨이퍼에는 결함이 있는 것으로 판단하 는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼와 상기 검출부 사이에 배치되어 적외선을 통과시키는 광 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 복사광은 1 내지 4㎛의 파장 범위에서 최대 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  17. 웨이퍼 상에 광을 조사하는 단계;
    상기 조사된 광에 의해 상기 웨이퍼로부터 방출된 복사광을 검출하여 신호를 발생시키는 단계; 및
    상기 발생된 신호를 분석하여 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단하는 단계를 포함하는 웨이퍼 검사 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 상기 광을 조사하는 단계는 상기 웨이퍼 상에 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 상기 광을 조사하는 단계는 상기 광을 상기 웨이퍼 상에 형성된 도전 패턴들 및 상기 도전 패턴들 사이에 잔류하는 브리 지에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 광이 상기 브리지가 형성된 방향과 평행한 방향의 편광이 되도록, 상기 광을 편광 필터에 통과시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 상기 광을 조사하는 단계는 상기 광을 상기 웨이퍼에 수직하게 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 광이 상기 웨이퍼에 수직하게 조사되도록, 광로 변경기를 이용하여 상기 광의 경로를 변경하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  23. 제17항에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 상기 광을 조사하는 단계는 상기 광을 상기 웨이퍼에 예각으로 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  24. 제17항에 있어서, 상기 발생된 신호를 분석하는 단계는 인접하는 세 개 이상의 다이들에 대해 발생된 상기 각 신호들을 비교하여, 상기 웨이퍼에 결함이 있는 지를 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  25. 제17항에 있어서, 상기 발생된 신호를 분석하는 단계는, 특정한 셀에 대한 제1 영상 신호와, 상기 제1 영상 신호를 일정한 간격으로 상하좌우로 이동시켜 형성한 제2 영상 신호를 서로 비교하여 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
  26. 제17항에 있어서, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광을 검출하는 단계는 씨씨디 장치를 이용하여 상기 복사광을 검출하여 영상 신호를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 발생된 신호를 분석하는 단계는 상기 씨씨디 장치에 의해 발생된 영상 신호의 일정 영역 내에서 특정 부분과 인접 부분과의 밝기 차이가 문턱값 이상이 될 경우, 상기 부분에 결함이 있는 것으로 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광을 검출하는 단계는, 상기 복사광이 스펙트럼을 형성하여 상기 씨씨디 장치로 전송되도록 격자를 이용하여 상기 복사광을 파장에 따라 분리시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  29. 제17항에 있어서, 상기 웨이퍼로부터 방출된 상기 복사광을 검출하는 단계는
    상기 복사광을 격자를 이용하여 파장에 따라 분리시켜 스펙트럼을 형성하는 단계; 및
    광전 증배관을 이용하여 상기 격자로부터 방출된 상기 스펙트럼을 검출하여 상기 스펙트럼에 대한 증폭 신호를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 발생된 신호를 분석하여 상기 웨이퍼에 결함이 있는지를 판단하는 단계는, 상기 광전 증배관에 발생된 증폭 신호가 문턱값 이상의 값을 가질 경우, 상기 웨이퍼에는 결함이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  31. 제17항에 있어서, 상기 웨이퍼로부터 방출된 복사광을 검출하는 단계 이전에, 상기 복사광과 혼합된 광을 적외선 필터를 사용하여 걸러내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
  32. 제17항에 있어서, 상기 복사광은 1 내지 4㎛의 파장 범위에서 최대 세기를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.
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