JP2002202107A - パターン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに電子装置の製造方法 - Google Patents
パターン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに電子装置の製造方法Info
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- JP2002202107A JP2002202107A JP2000355192A JP2000355192A JP2002202107A JP 2002202107 A JP2002202107 A JP 2002202107A JP 2000355192 A JP2000355192 A JP 2000355192A JP 2000355192 A JP2000355192 A JP 2000355192A JP 2002202107 A JP2002202107 A JP 2002202107A
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 段差のあるパターンであっても正確に検査で
きるようにすること。 【解決手段】 本発明のパターン検査装置である重ね合
わせ精度測定装置は、レーザ光源部１から出射されるレ
ーザ光の周波数を異なる複数の周波数に分ける光周波数
シフタ部２と、光周波数シフタ部２によって分けられた
複数の周波数から成るレーザ光を検査対象のパターンに
向けて集光する対物レンズなどの光学手段と、光学手段
を介して検査対象のパターンへ照射された複数の周波数
から成るレーザ光の反射光を受光する光検出部４と、光
検出部４で受光した反射光に基づき検査対象のパターン
の位置を解析する解析部６とを備えている。
きるようにすること。 【解決手段】 本発明のパターン検査装置である重ね合
わせ精度測定装置は、レーザ光源部１から出射されるレ
ーザ光の周波数を異なる複数の周波数に分ける光周波数
シフタ部２と、光周波数シフタ部２によって分けられた
複数の周波数から成るレーザ光を検査対象のパターンに
向けて集光する対物レンズなどの光学手段と、光学手段
を介して検査対象のパターンへ照射された複数の周波数
から成るレーザ光の反射光を受光する光検出部４と、光
検出部４で受光した反射光に基づき検査対象のパターン
の位置を解析する解析部６とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に形成された
パターンを検出して位置合わせ精度等を検証するパター
ン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに
電子装置の製造方法に関する。
パターンを検出して位置合わせ精度等を検証するパター
ン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに
電子装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスにおける各パター
ンの重なり具合（重ね合わせによる各パターンの位置ず
れ）を検査する、パターンの重ね合わせ精度の測定は、
半導体ウェハライメント検出の光源に可視領域、合わせ
ずれ測定マークの光源に紫外線領域を使用して、例え
ば、半導体ウェハ上に形成された合わせずれ測定マー
ク、いわゆるＢＯＸマークを二次元画像で検出すること
で行われている。
ンの重なり具合（重ね合わせによる各パターンの位置ず
れ）を検査する、パターンの重ね合わせ精度の測定は、
半導体ウェハライメント検出の光源に可視領域、合わせ
ずれ測定マークの光源に紫外線領域を使用して、例え
ば、半導体ウェハ上に形成された合わせずれ測定マー
ク、いわゆるＢＯＸマークを二次元画像で検出すること
で行われている。
【０００３】図４は、重ね合わせによる各パターンの位
置ずれを検査する二次元画像のパターン検査装置におけ
る要部を説明する概略図である。この装置は、半導体ウ
ェハライメントやラフパターンのＢＯＸマークＢＭ計測
に可視光源１０からの可視光をレンズ２０、ハーフミラ
ー３０および可視用対物レンズ４０を介して半導体ウェ
ハＨＷ上に照射し、その反射光を可視用対物レンズ４
０、ハーフミラー３０および結像レンズ５０を介してカ
メラ６０で受光するように構成されている。
置ずれを検査する二次元画像のパターン検査装置におけ
る要部を説明する概略図である。この装置は、半導体ウ
ェハライメントやラフパターンのＢＯＸマークＢＭ計測
に可視光源１０からの可視光をレンズ２０、ハーフミラ
ー３０および可視用対物レンズ４０を介して半導体ウェ
ハＨＷ上に照射し、その反射光を可視用対物レンズ４
０、ハーフミラー３０および結像レンズ５０を介してカ
メラ６０で受光するように構成されている。
【０００４】また、トランジスタゲートやメモリセルな
どの超微少パターン工程のＢＯＸマークＢＭ計測に紫外
線光源１０’からの紫外光をレンズ２０’、ハーフミラ
ー３０’および紫外線用対物レンズ４０’を介して半導
体ウェハＨＷ上に照射し、その反射光を上記紫外線用対
物レンズ４０’、ハーフミラー３０’および結像レンズ
５０を介してカメラ６０で受光するように構成されてい
る。
どの超微少パターン工程のＢＯＸマークＢＭ計測に紫外
線光源１０’からの紫外光をレンズ２０’、ハーフミラ
ー３０’および紫外線用対物レンズ４０’を介して半導
体ウェハＨＷ上に照射し、その反射光を上記紫外線用対
物レンズ４０’、ハーフミラー３０’および結像レンズ
５０を介してカメラ６０で受光するように構成されてい
る。
【０００５】このような構成では、光源を切り替える度
に対物レンズを切り替える必要があり、切り替えによる
位置ずれ、切り替え部の磨耗、切り替えるための時間等
諸々の問題が発生する。
に対物レンズを切り替える必要があり、切り替えによる
位置ずれ、切り替え部の磨耗、切り替えるための時間等
諸々の問題が発生する。
【０００６】図５は、上記の検査に用いられるＢＯＸマ
ークの形状を説明する概略図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図ある。このＢＯＸマークＢＭは、半導体
デバイスの製造過程において、各パターンの形成にとも
なって、順次、半導体ウェハＨＷのダイシングライン上
に立体的に形成されるものである。
ークの形状を説明する概略図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図ある。このＢＯＸマークＢＭは、半導体
デバイスの製造過程において、各パターンの形成にとも
なって、順次、半導体ウェハＨＷのダイシングライン上
に立体的に形成されるものである。
【０００７】例えば、レジストパターンとシリコンオキ
サイドパターンとの重ね合わせによる位置ずれを検査す
る場合にあっては、レジストパターンの形成時にレジス
トにより形成されるインナーボックスマーク（内側正方
形パターン）ａと、シリコンオキサイドパターンの形成
時に上記インナーボックスマークａの外側にシリコンオ
キサイドにより形成されるアウターボックスマーク（外
側正方形パターン）ｂとから構成される。
サイドパターンとの重ね合わせによる位置ずれを検査す
る場合にあっては、レジストパターンの形成時にレジス
トにより形成されるインナーボックスマーク（内側正方
形パターン）ａと、シリコンオキサイドパターンの形成
時に上記インナーボックスマークａの外側にシリコンオ
キサイドにより形成されるアウターボックスマーク（外
側正方形パターン）ｂとから構成される。
【０００８】図６は、ＢＯＸマークとその反射光像から
求められるコントラスト波形との関係を示す図である。
すなわち、ＢＯＸマークと半導体ウェハとの間には段差
があるため、求められるコントラスト波形としては、そ
の段差の部分にそれぞれ明度の変化をともなったピーク
をもつことになる。
求められるコントラスト波形との関係を示す図である。
すなわち、ＢＯＸマークと半導体ウェハとの間には段差
があるため、求められるコントラスト波形としては、そ
の段差の部分にそれぞれ明度の変化をともなったピーク
をもつことになる。
【０００９】したがって、カメラで受光した反射光像の
１つのセクションのコントラスト波形を求めてそれを解
析する。例えば、求めたコントラスト波形のボトム（ピ
ークの頂点）の位置を個々に検出して、アウターボック
スマークに対するインナーボックスマークのＸ方向およ
びＹ方向の位置をそれぞれに算出することで、レジスト
パターンとシリコンオキサイドパターンとの重ね合わせ
による位置ずれが検査できる。
１つのセクションのコントラスト波形を求めてそれを解
析する。例えば、求めたコントラスト波形のボトム（ピ
ークの頂点）の位置を個々に検出して、アウターボック
スマークに対するインナーボックスマークのＸ方向およ
びＹ方向の位置をそれぞれに算出することで、レジスト
パターンとシリコンオキサイドパターンとの重ね合わせ
による位置ずれが検査できる。
【００１０】なお、インナーボックスマークに対するア
ウターボックスマークのＸ方向の位置ずれは、例えば、 ｄｘ＝｛（Ｘｉｌ＋Ｘｉｒ）／２｝−｛（Ｘｏｌ＋Ｘｏ
ｒ）／２｝ により計算できる。
ウターボックスマークのＸ方向の位置ずれは、例えば、 ｄｘ＝｛（Ｘｉｌ＋Ｘｉｒ）／２｝−｛（Ｘｏｌ＋Ｘｏ
ｒ）／２｝ により計算できる。
【００１１】同様に、インナーボックスマークａに対す
るアウターボックスマークｂのＹ方向の位置ずれは、例
えば、 ｄＹ＝｛（Ｙｉｌ＋Ｙｉｒ）／２｝−｛（Ｙｏｌ＋Ｙｏ
ｒ）／２｝ により計算できる。
るアウターボックスマークｂのＹ方向の位置ずれは、例
えば、 ｄＹ＝｛（Ｙｉｌ＋Ｙｉｒ）／２｝−｛（Ｙｏｌ＋Ｙｏ
ｒ）／２｝ により計算できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た二次元画像のパターン検査装置では、立体的に形成さ
れたＢＯＸマークを用いて、重ね合わせによる各パター
ンの位置ずれを検査するものであるため、以下のような
問題点が生じる。
た二次元画像のパターン検査装置では、立体的に形成さ
れたＢＯＸマークを用いて、重ね合わせによる各パター
ンの位置ずれを検査するものであるため、以下のような
問題点が生じる。
【００１３】ここでは、図７（ａ）に示すような積層膜
構造を有する半導体デバイスの製造過程において、集積
回路プロセス、例えば、アルミニウム配線工程での半導
体ウェハＨＷ上のシリコンオキサイドのパターンＳＰ上
に形成されるアルミニウムの配線パターンＡＰと、レジ
ストのパターンＲＰとの重ね合わせによる位置ずれを検
査する場合を例に示している。
構造を有する半導体デバイスの製造過程において、集積
回路プロセス、例えば、アルミニウム配線工程での半導
体ウェハＨＷ上のシリコンオキサイドのパターンＳＰ上
に形成されるアルミニウムの配線パターンＡＰと、レジ
ストのパターンＲＰとの重ね合わせによる位置ずれを検
査する場合を例に示している。
【００１４】この場合、上記レジストのパターンＲＰと
アルミニウムの配線パターンＡＰとの間の段差に基づく
コントラスト波形は、アルミニウムのカバレッジ性によ
り、図７（ｂ）に示すようなものとなる。
アルミニウムの配線パターンＡＰとの間の段差に基づく
コントラスト波形は、アルミニウムのカバレッジ性によ
り、図７（ｂ）に示すようなものとなる。
【００１５】このように、二次元画像のパターン検査装
置では、求めたコントラスト波形からレジストのパター
ンＲＰのエッジとアルミニウムの配線パターンＡＰのエ
ッジ位置を正確に検出することは困難であり、コントラ
スト波形のボトム（ピークの頂点）をエッジと仮定して
いるのが現状である。
置では、求めたコントラスト波形からレジストのパター
ンＲＰのエッジとアルミニウムの配線パターンＡＰのエ
ッジ位置を正確に検出することは困難であり、コントラ
スト波形のボトム（ピークの頂点）をエッジと仮定して
いるのが現状である。
【００１６】このため、位置ずれの検査の結果は誤差を
含んだものとなりやすく、これが製品の歩留まりを低下
させる原因となっている。
含んだものとなりやすく、これが製品の歩留まりを低下
させる原因となっている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成されたものである。すなわち、本
発明のパターン検査装置は、レーザ光源から出射される
レーザ光の周波数を異なる複数の周波数に分ける光周波
数シフタと、光周波数シフタによって分けられた複数の
周波数から成るレーザ光を検査対象のパターンに向けて
集光する光学手段と、光学手段を介して検査対象のパタ
ーンへ照射された複数の周波数から成るレーザ光の反射
光を受光する光検出部と、光検出部で受光した反射光に
基づき検査対象のパターンの位置を解析する解析手段と
を備えている。また、このようなパターン検査装置を用
いた露光装置でもある。
題を解決するために成されたものである。すなわち、本
発明のパターン検査装置は、レーザ光源から出射される
レーザ光の周波数を異なる複数の周波数に分ける光周波
数シフタと、光周波数シフタによって分けられた複数の
周波数から成るレーザ光を検査対象のパターンに向けて
集光する光学手段と、光学手段を介して検査対象のパタ
ーンへ照射された複数の周波数から成るレーザ光の反射
光を受光する光検出部と、光検出部で受光した反射光に
基づき検査対象のパターンの位置を解析する解析手段と
を備えている。また、このようなパターン検査装置を用
いた露光装置でもある。
【００１８】このような本発明では、レーザ光源から出
射されるレーザ光を光周波数シフタによって周波数の異
なる複数のレーザ光に分け、各周波数のレーザ光を光学
手段によって集光し、検査対象のパターンへ照射する。
そして、この各レーザ光の反射光を光検出部で検出す
る。このように、周波数の異なる複数のレーザ光を光学
手段で集光して検査対象のパターンへ照射すれば、光学
手段による焦点位置が各レーザ光の周波数によって異な
るようになり、これらの反射光を解析することで、検査
対象のパターンに段差があってもその段差に応じた画像
からパターンの位置を正確に検出できるようになる。
射されるレーザ光を光周波数シフタによって周波数の異
なる複数のレーザ光に分け、各周波数のレーザ光を光学
手段によって集光し、検査対象のパターンへ照射する。
そして、この各レーザ光の反射光を光検出部で検出す
る。このように、周波数の異なる複数のレーザ光を光学
手段で集光して検査対象のパターンへ照射すれば、光学
手段による焦点位置が各レーザ光の周波数によって異な
るようになり、これらの反射光を解析することで、検査
対象のパターンに段差があってもその段差に応じた画像
からパターンの位置を正確に検出できるようになる。
【００１９】また、本発明は、レーザ光源から出射され
るレーザ光を周波数の異なる複数のレーザ光に分ける工
程と、周波数の異なる複数のレーザ光を検査対象のパタ
ーンに向けて集光し、照射する工程と、検査対象のパタ
ーンで反射した各周波数から成るレーザ光の各反射光を
受光して、その各反射光に基づく画像から検査対象のパ
ターンの位置を解析する工程とを備えるパターン検査方
法でもある。また、このようなパターン検査方法を用い
たり、このパターン検査方法で解析したパターンに基づ
き露光を繰り返す電子装置の製造方法でもある。
るレーザ光を周波数の異なる複数のレーザ光に分ける工
程と、周波数の異なる複数のレーザ光を検査対象のパタ
ーンに向けて集光し、照射する工程と、検査対象のパタ
ーンで反射した各周波数から成るレーザ光の各反射光を
受光して、その各反射光に基づく画像から検査対象のパ
ターンの位置を解析する工程とを備えるパターン検査方
法でもある。また、このようなパターン検査方法を用い
たり、このパターン検査方法で解析したパターンに基づ
き露光を繰り返す電子装置の製造方法でもある。
【００２０】このような本発明では、所定周波数のレー
ザ光を周波数の異なる複数のレーザ光に分けて、各周波
数のレーザ光を検査対象のパターンへ集光して照射す
る。これにより、各レーザ光の焦点位置が周波数によっ
て異なるようになり、これらの反射光を解析すること
で、検査対象のパターンに段差があってもその段差に応
じた画像からパターンの位置を正確に検出できるように
なる。
ザ光を周波数の異なる複数のレーザ光に分けて、各周波
数のレーザ光を検査対象のパターンへ集光して照射す
る。これにより、各レーザ光の焦点位置が周波数によっ
て異なるようになり、これらの反射光を解析すること
で、検査対象のパターンに段差があってもその段差に応
じた画像からパターンの位置を正確に検出できるように
なる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は、本実施形態に係るパターン
検査装置の一例である重ね合わせ精度測定装置の構成を
説明する概略図である。
基づいて説明する。図１は、本実施形態に係るパターン
検査装置の一例である重ね合わせ精度測定装置の構成を
説明する概略図である。
【００２２】すなわち、この重ね合わせ精度測定装置
は、主として、走査型共焦点顕微鏡部Ａ、解析処理部
Ｂ、Ｘ方向およびＹ方向への移動を高精度に制御するこ
とができる半導体ウェハ搭載用のステージ部Ｃとから構
成される。
は、主として、走査型共焦点顕微鏡部Ａ、解析処理部
Ｂ、Ｘ方向およびＹ方向への移動を高精度に制御するこ
とができる半導体ウェハ搭載用のステージ部Ｃとから構
成される。
【００２３】走査型共焦点顕微鏡部Ａは、レーザ光源部
１（遠紫外線レーザ、可視光レーザ）、レーザ光の周波
数をシフトさせる光周波数シフタ部２、レーザビームを
走査するレーザ走査部３、光検出部４、カメラ部５、対
物レンズ８、共焦点ピンホール９等で構成される。この
ような走査型共焦点顕微鏡部Ａに、解析処理部Ｂである
解析部６およびステージ部Ｃである半導体ウェハ搭載用
のＸ／Ｙ／Ｚステージ７を備えている。
１（遠紫外線レーザ、可視光レーザ）、レーザ光の周波
数をシフトさせる光周波数シフタ部２、レーザビームを
走査するレーザ走査部３、光検出部４、カメラ部５、対
物レンズ８、共焦点ピンホール９等で構成される。この
ような走査型共焦点顕微鏡部Ａに、解析処理部Ｂである
解析部６およびステージ部Ｃである半導体ウェハ搭載用
のＸ／Ｙ／Ｚステージ７を備えている。
【００２４】この重ね合わせ精度測定装置では、例え
ば、積層膜構造を有する半導体ウェハ（被検査物）ＨＷ
を半導体ウェハ搭載用のＸ／Ｙ／Ｚステージ部７に搭載
し、その半導体ウェハＨＷに、光周波数シフタ部２で周
波数がシフトしたレーザ光をレーザ走査部３で走査し対
物レンズ８を介して半導体ウェハＨＷに照射する。
ば、積層膜構造を有する半導体ウェハ（被検査物）ＨＷ
を半導体ウェハ搭載用のＸ／Ｙ／Ｚステージ部７に搭載
し、その半導体ウェハＨＷに、光周波数シフタ部２で周
波数がシフトしたレーザ光をレーザ走査部３で走査し対
物レンズ８を介して半導体ウェハＨＷに照射する。
【００２５】そして、この半導体ウェハＨＷから反射し
たレーザ光（検出光）を、対物レンズ８を介して光周波
数シフタ部２で周波数がシフトした光（参照光）と共に
共焦点ピンホール９を経て光検出部４で受け、この出力
を測定手投としての解析部６で解析する。これにより、
積層膜構造を形成する各パターンの重ね合わせ精度を測
定できるようになっている。
たレーザ光（検出光）を、対物レンズ８を介して光周波
数シフタ部２で周波数がシフトした光（参照光）と共に
共焦点ピンホール９を経て光検出部４で受け、この出力
を測定手投としての解析部６で解析する。これにより、
積層膜構造を形成する各パターンの重ね合わせ精度を測
定できるようになっている。
【００２６】レーザ光源部１は、可視光帯域の可視レー
ザ光を出力する可視レーザ光源１ａと、比較的波長の短
い遠紫外線帯域の遠紫外線レーザ光を出力する遠紫外線
レーザ光源１ｂとを備えており、可視レーザ光と遠紫外
線レーザ光とを、検査対象物の種類、検査用途等に応じ
て選択して放射できる機構を有している。
ザ光を出力する可視レーザ光源１ａと、比較的波長の短
い遠紫外線帯域の遠紫外線レーザ光を出力する遠紫外線
レーザ光源１ｂとを備えており、可視レーザ光と遠紫外
線レーザ光とを、検査対象物の種類、検査用途等に応じ
て選択して放射できる機構を有している。
【００２７】そして、レーザ光源部１及びレーザ光源部
１から出力されたレーザ光の光路には、ビームスプリッ
タＢｓが配置され、可視レーザ光源１ａから出力された
可視レーザ光は、ビームスプリッタＢｓ１,Ｂｓ２,Ｂｓ
３で反射してレーザ光源部１外の所定の光路に出力さ
れ、一括光として対物レンズ８に入射される。一方、遠
紫外線レーザ光源１ｂから出力された遠紫外線レーザ光
は、ビームスプリッタＢｓ，Ｂｓ３を透過してレーザ光
源部１外の所定の光路に出力され、光周波数シフタ部２
に入射される。
１から出力されたレーザ光の光路には、ビームスプリッ
タＢｓが配置され、可視レーザ光源１ａから出力された
可視レーザ光は、ビームスプリッタＢｓ１,Ｂｓ２,Ｂｓ
３で反射してレーザ光源部１外の所定の光路に出力さ
れ、一括光として対物レンズ８に入射される。一方、遠
紫外線レーザ光源１ｂから出力された遠紫外線レーザ光
は、ビームスプリッタＢｓ，Ｂｓ３を透過してレーザ光
源部１外の所定の光路に出力され、光周波数シフタ部２
に入射される。
【００２８】レーザ走査部３は、例えば、ガルバノミラ
ーまたは超音波光偏向素子を備えた構成となっている
（図示せず）。
ーまたは超音波光偏向素子を備えた構成となっている
（図示せず）。
【００２９】光周波数シフタ部２は、レーザ光源部１か
ら出射されたレーザ光（遠紫外線レーザ光）を２つに分
けた後、各光を別々の音響光学変調器（Acousto-OpticM
odulator:AOM）ＡＯＭ０、ＡＯＭ１、ＡＯＭ２、ＡＯＭ
３に入射させ、異なる超音波周波数を加えることで、Ａ
ＯＭからの出射光はＡＯＭへの入射光と異なる光周波数
のレーザ光が得られる。
ら出射されたレーザ光（遠紫外線レーザ光）を２つに分
けた後、各光を別々の音響光学変調器（Acousto-OpticM
odulator:AOM）ＡＯＭ０、ＡＯＭ１、ＡＯＭ２、ＡＯＭ
３に入射させ、異なる超音波周波数を加えることで、Ａ
ＯＭからの出射光はＡＯＭへの入射光と異なる光周波数
のレーザ光が得られる。
【００３０】本実施形態では、このＡＯＭ１、ＡＯＭ
２、ＡＯＭ３で得られたレーザ光をレーザ走査部３で走
査し、対物レンズ８を介して半導体ウェハＨＷに照射す
る。そして、上記半導体ウェハＨＷから反射したレーザ
光（検出光）を、対物レンズを介して光周波数シフタ部
２のＡＯＭ０で周波数がシフトした光（参照光）と重ね
合わせて、光のうなり（光の強度が差の周波数で時間的
に変化する現象）を共焦点ピンホール９を経て光検出部
４で受け、この出力を測定手段としての解析部６で解析
する。
２、ＡＯＭ３で得られたレーザ光をレーザ走査部３で走
査し、対物レンズ８を介して半導体ウェハＨＷに照射す
る。そして、上記半導体ウェハＨＷから反射したレーザ
光（検出光）を、対物レンズを介して光周波数シフタ部
２のＡＯＭ０で周波数がシフトした光（参照光）と重ね
合わせて、光のうなり（光の強度が差の周波数で時間的
に変化する現象）を共焦点ピンホール９を経て光検出部
４で受け、この出力を測定手段としての解析部６で解析
する。
【００３１】カメラ部５は、レーザ光源部１から出射さ
れたレーザ光を直接対物レンズ８に入射した場合の一括
照明画像やランプ等の照明画像を観察するものである。
れたレーザ光を直接対物レンズ８に入射した場合の一括
照明画像やランプ等の照明画像を観察するものである。
【００３２】解析部６は、光検出部４で受光した各周波
数から成るレーザ光の反射光に基づき、画像処理によっ
て重ね合わせによる各パターンの位置ずれ（各パターン
の重なり具合）等を解析するようになっている。
数から成るレーザ光の反射光に基づき、画像処理によっ
て重ね合わせによる各パターンの位置ずれ（各パターン
の重なり具合）等を解析するようになっている。
【００３３】対物レンズ８は、紫外線領域から可視光線
領域までの波長範囲に渡って諸々の収差、特に色収差を
良好に補正したレンズを使用することにより、レンズの
切り替えをなくして、高速、高精度の検査を行えるもの
となっている。このような対物レンズ８としては、例え
ば特開平１１―１６７０６７に開示されているレンズを
用いることができる。
領域までの波長範囲に渡って諸々の収差、特に色収差を
良好に補正したレンズを使用することにより、レンズの
切り替えをなくして、高速、高精度の検査を行えるもの
となっている。このような対物レンズ８としては、例え
ば特開平１１―１６７０６７に開示されているレンズを
用いることができる。
【００３４】次に、上記説明した構成の重ね合わせ精度
測定装置によって、各パターンの重なり具合を検査する
方法について説明する。
測定装置によって、各パターンの重なり具合を検査する
方法について説明する。
【００３５】ここでは、図２に基づき、積層膜構造を有
する半導体デバイスの製造過程において、集積回路プロ
セス、例えば、アルミニウム配線工程での、半導体ウェ
ハＨＷ上のシリコンオキサイドのパターンＳＰ上におけ
るアルミニウムの配線パターンＡＰと、レジストのパタ
ーンＲＰとの重ね合わせによる位置ずれを検査する場合
を例として説明する。なお、以下の説明で図２に示され
ない符号は、特に示さない限り図１を参照するものとす
る。
する半導体デバイスの製造過程において、集積回路プロ
セス、例えば、アルミニウム配線工程での、半導体ウェ
ハＨＷ上のシリコンオキサイドのパターンＳＰ上におけ
るアルミニウムの配線パターンＡＰと、レジストのパタ
ーンＲＰとの重ね合わせによる位置ずれを検査する場合
を例として説明する。なお、以下の説明で図２に示され
ない符号は、特に示さない限り図１を参照するものとす
る。
【００３６】先ず、重ね合わせ精度測定装置のＸ／Ｙ／
Ｚステージ部７上に、半導体ウェハＨＷを搭載する。次
いで、可視レーザ光源１ａからの可視レーザ光を対物レ
ンズ８を介して半導体ウェハＨＷの表面に照射し、カメ
ラ部５に結像された半導体ウエハＨＷの画像に基づいて
ウェハアライメントを行う。その後、重ね合わせによる
位置ずれ測定位置にＸ／Ｙ／Ｚステージ部７を移動させ
る。
Ｚステージ部７上に、半導体ウェハＨＷを搭載する。次
いで、可視レーザ光源１ａからの可視レーザ光を対物レ
ンズ８を介して半導体ウェハＨＷの表面に照射し、カメ
ラ部５に結像された半導体ウエハＨＷの画像に基づいて
ウェハアライメントを行う。その後、重ね合わせによる
位置ずれ測定位置にＸ／Ｙ／Ｚステージ部７を移動させ
る。
【００３７】この状態で、その半導体ウェハＨＷに、光
周波数シフタ部２のＡＯＭ１、ＡＯＭ２、ＡＯＭ３で周
波数がシフトした遠紫外線のレーザ光（周波数ｆ１、ｆ
２、ｆ３）を走査部３で走査し、対物レンズ８を介して
半導体ウェハＨＷに照射する。
周波数シフタ部２のＡＯＭ１、ＡＯＭ２、ＡＯＭ３で周
波数がシフトした遠紫外線のレーザ光（周波数ｆ１、ｆ
２、ｆ３）を走査部３で走査し、対物レンズ８を介して
半導体ウェハＨＷに照射する。
【００３８】対物レンズ８を介して照射された各遠紫外
線レーザ光（周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３）は半導体ウェハ
ＨＷに対して図３のように各々の周波数に応じて異なる
焦点（多重焦点）を持つようになる。
線レーザ光（周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３）は半導体ウェハ
ＨＷに対して図３のように各々の周波数に応じて異なる
焦点（多重焦点）を持つようになる。
【００３９】この各遠紫外線レーザ光の周波数と焦点位
置（焦点深度）との関係は以下の式に基づき決定され
る。
置（焦点深度）との関係は以下の式に基づき決定され
る。
【００４０】ＤＯＦ＝λ／ＮＡ2 …（式１） ここで、ＤＯＦは焦点深度、λは波長、ＮＡは開口数で
ある。 Ｖ＝ｆ×λ …（式２） ここで、Ｖは光速度、ｆは周波数、λは波長である。
ある。 Ｖ＝ｆ×λ …（式２） ここで、Ｖは光速度、ｆは周波数、λは波長である。
【００４１】各周波数と焦点位置（焦点深度）との関係
は、上記（式１）、（式２）から以下に示す（式３）で
表される。 ＤＯＦ＝Ｖ／（ｆ×ＮＡ2） …（式３）
は、上記（式１）、（式２）から以下に示す（式３）で
表される。 ＤＯＦ＝Ｖ／（ｆ×ＮＡ2） …（式３）
【００４２】上記（式３）より、例えば、Ｖ＝３×１０
8ｍ／ｓ、ＮＡ＝０．９、ｆ１＝４×１０15Ｈｚ、ｆ２
＝２×１０15Ｈｚ、ｆ３＝１×１０15Ｈｚであるとする
と、ｆ１での焦点距離ＤＯＦ１≒９２ｎｍ、ｆ２での焦
点距離ＤＯＦ２≒１８５ｎｍ、ｆ３での焦点距離ＤＯＦ
３≒３７０ｎｍとなる。このようにして、レーザ光の周
波数を変えることにより、各レーザ光の焦点位置を変え
ることができる。
8ｍ／ｓ、ＮＡ＝０．９、ｆ１＝４×１０15Ｈｚ、ｆ２
＝２×１０15Ｈｚ、ｆ３＝１×１０15Ｈｚであるとする
と、ｆ１での焦点距離ＤＯＦ１≒９２ｎｍ、ｆ２での焦
点距離ＤＯＦ２≒１８５ｎｍ、ｆ３での焦点距離ＤＯＦ
３≒３７０ｎｍとなる。このようにして、レーザ光の周
波数を変えることにより、各レーザ光の焦点位置を変え
ることができる。
【００４３】次に、半導体ウェハＨＷから反射した遠紫
外線レーザ光（検出光）を対物レンズ８を介して光周波
数シフタ部２のＡＯＭ０で周波数がシフトした光（参照
光）と重ね合わせて、光のうなりを光検出部４で検出す
る。このような光ヘテロダイン検出で検出したｆ１、ｆ
２、ｆ３での焦点位置におけるコントラスト波形は図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のようになる。
外線レーザ光（検出光）を対物レンズ８を介して光周波
数シフタ部２のＡＯＭ０で周波数がシフトした光（参照
光）と重ね合わせて、光のうなりを光検出部４で検出す
る。このような光ヘテロダイン検出で検出したｆ１、ｆ
２、ｆ３での焦点位置におけるコントラスト波形は図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のようになる。
【００４４】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のコントラス
ト波形を解析部６で加工すると図２（ｄ）のようなパタ
ーンの断面構造を反映したコントラスト波形を得ること
ができる。
ト波形を解析部６で加工すると図２（ｄ）のようなパタ
ーンの断面構造を反映したコントラスト波形を得ること
ができる。
【００４５】半導体ウェハＨＷから反射したレーザ光
（周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３）は、各々の焦点位置で半導
体ウェハＨＷの積層膜構造を形成する各パターンの段差
に応じた情報を持つ。したがって、解析部６において、
光検出部４の出力であるコントラスト波形を解析するこ
とで、各パターンの段差のエッジ位置を求めることがで
きる。
（周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３）は、各々の焦点位置で半導
体ウェハＨＷの積層膜構造を形成する各パターンの段差
に応じた情報を持つ。したがって、解析部６において、
光検出部４の出力であるコントラスト波形を解析するこ
とで、各パターンの段差のエッジ位置を求めることがで
きる。
【００４６】こうして、光検出部４からの出力である、
半導体ウェハＨＷ上の各焦点位置におけるコントラスト
波形より、アルミニウムのパターンＡＬを検出し、その
パターンＡＬのエッジ（段差部分）を求める。
半導体ウェハＨＷ上の各焦点位置におけるコントラスト
波形より、アルミニウムのパターンＡＬを検出し、その
パターンＡＬのエッジ（段差部分）を求める。
【００４７】同様に、レジストのパターンＲＰ検出し、
そのパターンＲＰのエッジを求める。そして、求めた各
パターンＡＬ、ＲＰのそれぞれのエッジをもとに、レジ
ストとアルミニウムとの各パターンＡＬ，ＲＰの、重ね
合わせによる位置ずれ量を算出する。
そのパターンＲＰのエッジを求める。そして、求めた各
パターンＡＬ、ＲＰのそれぞれのエッジをもとに、レジ
ストとアルミニウムとの各パターンＡＬ，ＲＰの、重ね
合わせによる位置ずれ量を算出する。
【００４８】この位置ずれ量の算出に関しては、例え
ば、アルミニウムのパターンＡＬのエッジにおける相互
の中心と、レジストのパターンＲＰのエッジ間における
中心との差を求めるなどの方法が考えられる。
ば、アルミニウムのパターンＡＬのエッジにおける相互
の中心と、レジストのパターンＲＰのエッジ間における
中心との差を求めるなどの方法が考えられる。
【００４９】上述の処理を、半導体ウェハＨＷのＹ方向
についても同様に実施することにより、積層膜構造を形
成する各パターンＡＬ、ＲＰの重なり具合を正確に検査
することが可能となる。
についても同様に実施することにより、積層膜構造を形
成する各パターンＡＬ、ＲＰの重なり具合を正確に検査
することが可能となる。
【００５０】上記説明したように、従来の二次元画像の
重ね合わせ精度測定装置では正確に計測できなかった段
差の大きいレジストのパターンとアルミニウムパターン
でも正確に検出できるようになる。すなわち、レーザ走
査型共焦点顕微鏡によって、光学分解能を向上させ、光
ヘテロダイン検出と多重焦点同時検出でリアルタイムな
三次元計測ができ、半導体ウェハ上の積層膜構造を形成
する各パターンのエッジ形状を検出することにより各パ
ターンの重ね合わせ精度を正確に検出することが可能と
なる。
重ね合わせ精度測定装置では正確に計測できなかった段
差の大きいレジストのパターンとアルミニウムパターン
でも正確に検出できるようになる。すなわち、レーザ走
査型共焦点顕微鏡によって、光学分解能を向上させ、光
ヘテロダイン検出と多重焦点同時検出でリアルタイムな
三次元計測ができ、半導体ウェハ上の積層膜構造を形成
する各パターンのエッジ形状を検出することにより各パ
ターンの重ね合わせ精度を正確に検出することが可能と
なる。
【００５１】特に、本実施形態の重ね合わせ精度測定装
置によれば、ＬＳＩなどの微細化が進む半導体デバイス
の製造において、平坦化された積層膜構造の各パターン
の重ね合わせによる位置ずれを容易に検査することが可
能となる。
置によれば、ＬＳＩなどの微細化が進む半導体デバイス
の製造において、平坦化された積層膜構造の各パターン
の重ね合わせによる位置ずれを容易に検査することが可
能となる。
【００５２】また、対物レンズ８として、紫外線領域か
ら可視光線領域までの波長範囲に渡って諸々の収差、特
に色収差を良好に補正したレンズを用いたことで、可視
レーザ光を用いてのアライメントと、紫外光を用いての
パターン検出とを繰り返し行う場合、対物レンズを交換
する必要はない。このため、対物レンズの切り替えによ
る位置ずれ、切り替え部の磨耗を防止し、切り替えるた
めの時間等を省略することができる。特に半導体ウエハ
の大口径化が進んだ場合、1枚の半導体ウエハ上におい
て可視レーザ光を用いたアライメント回数が増加するこ
とが必須である。したがって、対物レンズ８の切り替え
を省略することで、検査工程の大幅な短縮化を達成する
ことが可能となるのである。
ら可視光線領域までの波長範囲に渡って諸々の収差、特
に色収差を良好に補正したレンズを用いたことで、可視
レーザ光を用いてのアライメントと、紫外光を用いての
パターン検出とを繰り返し行う場合、対物レンズを交換
する必要はない。このため、対物レンズの切り替えによ
る位置ずれ、切り替え部の磨耗を防止し、切り替えるた
めの時間等を省略することができる。特に半導体ウエハ
の大口径化が進んだ場合、1枚の半導体ウエハ上におい
て可視レーザ光を用いたアライメント回数が増加するこ
とが必須である。したがって、対物レンズ８の切り替え
を省略することで、検査工程の大幅な短縮化を達成する
ことが可能となるのである。
【００５３】なお、上記実施例においては、光周波数シ
フタとして音響光学変調器（Acousto-OpticModulator:A
OM）を３個用いたが、さらに個数を多くすると重ね合わ
せ精度を向上させることができる。
フタとして音響光学変調器（Acousto-OpticModulator:A
OM）を３個用いたが、さらに個数を多くすると重ね合わ
せ精度を向上させることができる。
【００５４】また、光周波数シフタは音響光学偏向器
（Acousto-OpticDeflector:AOD）や表面弾性波（Surfac
eAcousticWave:SAW）素子による音響光学変調器などを
用いてもよい。
（Acousto-OpticDeflector:AOD）や表面弾性波（Surfac
eAcousticWave:SAW）素子による音響光学変調器などを
用いてもよい。
【００５５】また、アルミニウムの配線工程での、レジ
ストとアルミニウムとの各パターンの重ね合わせによる
位置ずれを検査する場合に限らず、各種工程での様々な
積層膜構造における各種パターンの重ね合わせ精度を検
査する場合に適用できる。
ストとアルミニウムとの各パターンの重ね合わせによる
位置ずれを検査する場合に限らず、各種工程での様々な
積層膜構造における各種パターンの重ね合わせ精度を検
査する場合に適用できる。
【００５６】さらに、上記説明した重ね合わせ精度測定
装置から成るパターン検査装置を露光装置（ステッパ
等）に適用することで、精度の高い重ね合わせによる露
光を行い、半導体装置や各種表示装置等の電子装置を製
造することが可能となる。また、検査対象となるパター
ンは、半導体ウェハＨＷに形成された各種パターンに限
定されず、ガラス基板（液晶表示装置等のディスプレイ
用の基板）や他の材料から成る基板に形成された各種パ
ターンであっても同様である。
装置から成るパターン検査装置を露光装置（ステッパ
等）に適用することで、精度の高い重ね合わせによる露
光を行い、半導体装置や各種表示装置等の電子装置を製
造することが可能となる。また、検査対象となるパター
ンは、半導体ウェハＨＷに形成された各種パターンに限
定されず、ガラス基板（液晶表示装置等のディスプレイ
用の基板）や他の材料から成る基板に形成された各種パ
ターンであっても同様である。
【００５７】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれば
次にような効果がある。すなわち、段差のあるパターン
であっても、その重ね合わせ精度等を正確に検査するこ
とができ、各種パターンを正確かつ短時間に検査して、
製品の歩留まりの低下を抑えることが可能となる。
次にような効果がある。すなわち、段差のあるパターン
であっても、その重ね合わせ精度等を正確に検査するこ
とができ、各種パターンを正確かつ短時間に検査して、
製品の歩留まりの低下を抑えることが可能となる。
【図１】本実施形態に係るパターン検査装置の一例であ
る重ね合わせ精度測定装置の構成を説明する概略図であ
る。
る重ね合わせ精度測定装置の構成を説明する概略図であ
る。
【図２】積層膜構造を有する半導体デバイスの断面とコ
ントラスト波形との関係を示す図である。
ントラスト波形との関係を示す図である。
【図３】各周波数のレーザ光と焦点位置との関係を説明
する模式図である。
する模式図である。
【図４】従来のパターン検査装置を説明する概略図であ
る。
る。
【図５】ＢＯＸマークの形状を説明する概略図である。
【図６】ＢＯＸマークとその反射光像から求められるコ
ントラスト波形との関係を示す図である。
ントラスト波形との関係を示す図である。
【図７】積層膜構造を有する半導体デバイスの断面とコ
ントラスト波形との関係を示す図である。
ントラスト波形との関係を示す図である。
１…レーザ光源部、２…光周波数シフタ部、３…レーザ
走査部、４…光検出部、５…カメラ部、６…解析部、７
…Ｘ／Ｙ／Ｚステージ部、８…対物レンズ
走査部、４…光検出部、５…カメラ部、６…解析部、７
…Ｘ／Ｙ／Ｚステージ部、８…対物レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２５Ｒ Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA07 AA12 AA14 AA54 BB01 CC19 DD03 DD06 DD09 FF01 FF04 GG04 GG23 HH04 HH13 JJ01 JJ09 LL00 LL30 LL57 LL62 MM03 MM16 NN06 PP12 UU01 2H097 BB02 CA17 KA03 KA20 KA28 4M106 AA02 BA05 CA39 DB02 DB08 DB11 DB18 DJ04 5F046 BA04 EA04 EB07 FA05 FA06 FA09 FB08 FB20
Claims (7)
- 【請求項１】 レーザ光源から出射されるレーザ光を周
波数の異なる複数のレーザ光に分ける光周波数シフタ
と、 前記光周波数シフタによって分けられた複数の周波数か
ら成るレーザ光を検査対象のパターンに向けて集光する
光学手段と、 前記光学手段を介して前記検査対象のパターンへ照射さ
れた複数の周波数から成るレーザ光の反射光を受光する
光検出部と、 前記光検出部で受光した反射光に基づき前記検査対象の
パターンの位置を解析する解析手段とを備えることを特
徴とするパターン検査装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のパターン検査装置におい
て、 前記光学手段に対して可視光を出射する可視光源と、 前記検査対象のパターンで反射された反射光からなる画
像を観察するための観察部とを備え、 前記光学手段は、前記光周波数シフタによって分けられ
たレーザ光と共に前記可視光源から出射された可視光を
前記検査対象のパターンに向けて集光可能なものである
ことを特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項３】 レーザ光源から出射されるレーザ光を周
波数の異なる複数のレーザ光に分ける工程と、 前記周波数の異なる複数のレーザ光を検査対象のパター
ンに向けて集光し、照射する工程と、 前記検査対象のパターンで反射した各周波数から成るレ
ーザ光の各反射光を受光して、その各反射光に基づく画
像から検査対象のパターンの位置を解析する工程とを備
えることを特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項４】 レーザ光源から出射されるレーザ光を周
波数の異なる複数のレーザ光に分ける光周波数シフタ
と、 前記光周波数シフタによって分けられた複数の周波数か
ら成るレーザ光を検査対象のパターンに向けて集光する
光学手段と、 前記光学手段を介して前記検査対象のパターンへ照射さ
れた複数の周波数から成るレーザ光の反射光を受光する
光検出部と、 前記光検出部で受光した反射光に基づき前記検査対象の
パターンの位置を解析する解析手段とを備えるパターン
検査装置を用いたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の露光装置において、 前記光学手段に対して可視光を出射する可視光源と、 前記検査対象のパターンで反射された反射光からなる画
像を観察するための観察部とを備え、 前記光学手段は、前記光周波数シフタによって分けられ
たレーザ光と共に前記可視光源から出射された可視光を
前記検査対象のパターンに向けて集光可能なものである
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項６】 レーザ光源から出射されるレーザ光を周
波数の異なる複数のレーザ光に分ける工程と、 前記周波数の異なる複数のレーザ光を検査対象のパター
ンに向けて集光し、照射する工程と、 前記検査対象のパターンで反射した各周波数から成るレ
ーザ光の各反射光を受光して、その各反射光に基づく画
像から検査対象のパターンの位置を解析する工程とを備
えるパターン検査方法を用いたことを特徴とする電子装
置の製造方法。 - 【請求項７】 レーザ光源から出射されるレーザ光を周
波数の異なる複数のレーザ光に分ける工程と、 前記周波数の異なる複数のレーザ光を検査対象のパター
ンに向けて集光し、照射する工程と、 前記検査対象のパターンで反射した各周波数から成るレ
ーザ光の各反射光を受光して、その各反射光に基づく画
像から検査対象のパターンの位置を解析する工程と、 前記解析したパターンの位置に基づき所定の露光を繰り
返す工程とを備えることを電子装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000355192A JP2002202107A (ja) | 2000-10-26 | 2000-11-22 | パターン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに電子装置の製造方法 |
| US09/983,583 US20020067490A1 (en) | 2000-10-26 | 2001-10-25 | Pattern inspecting apparatus, pattern inspecting method, aligner, and method of manufacturing electronic device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000326452 | 2000-10-26 | ||
| JP2000-326452 | 2000-10-26 | ||
| JP2000355192A JP2002202107A (ja) | 2000-10-26 | 2000-11-22 | パターン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002202107A true JP2002202107A (ja) | 2002-07-19 |
Family
ID=26602795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000355192A Pending JP2002202107A (ja) | 2000-10-26 | 2000-11-22 | パターン検査装置、パターン検査方法および露光装置ならびに電子装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020067490A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002202107A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007147475A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式検査装置及びその方法 |
| JP2009288005A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Asml Netherlands Bv | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 |
| WO2013020473A1 (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
| KR101237856B1 (ko) | 2010-11-05 | 2013-02-28 | 한국표준과학연구원 | 광학 나노스코프 장치 및 그 시스템 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI432698B (zh) * | 2006-07-11 | 2014-04-01 | Camtek Ltd | 用於探針標記分析之系統及方法 |
| WO2009091902A1 (en) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | The Salk Institute For Biological Studies | 3d scanning acousto-optic microscope |
| US11994473B2 (en) * | 2021-09-24 | 2024-05-28 | Purdue Research Foundation | Pulse picking apparatuses and methods for nonlinear optical microscopy |
| US11757532B1 (en) * | 2023-04-07 | 2023-09-12 | IntraAction Corp. | Acousto-optic deflector and telecommunication system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153419A (en) * | 1985-04-22 | 1992-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for detecting position of a light source with source position adjusting means |
| US5751403A (en) * | 1994-06-09 | 1998-05-12 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000355192A patent/JP2002202107A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-25 US US09/983,583 patent/US20020067490A1/en not_active Abandoned
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|---|---|---|---|---|
| JP2007147475A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式検査装置及びその方法 |
| JP4723362B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
| JP2009288005A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Asml Netherlands Bv | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 |
| KR101237856B1 (ko) | 2010-11-05 | 2013-02-28 | 한국표준과학연구원 | 광학 나노스코프 장치 및 그 시스템 |
| WO2013020473A1 (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020067490A1 (en) | 2002-06-06 |
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