TWI641903B - 用於量測之裝置、系統、非暫時性電腦程式產品以及方法 - Google Patents

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Abstract

一種方法，其包括：在一結構至少部分地在一裝置內時將一裝置標記印刷至該結構上，該結構與待由該裝置固持之一基板分離；及使用該裝置內之一感測器系統來量測該裝置標記。

Description

用於量測之裝置、系統、非暫時性電腦程式產品以及方法
本描述係關於一種量測系統及方法。該量測系統可形成微影裝置之部分。
微影裝置為經組態以將所要圖案施加至基板上、通常施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)及其他器件之製造中。在彼情況下，圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。在此狀況下，圖案化器件(例如光罩)可含有或提供對應於器件(「設計佈局」)之個別層之圖案，且可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由藉由諸如經由圖案化器件上之圖案輻照目標部分之方法而成像至提供於基板上之輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案係由微影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作晶圓步進器(wafer stepper)。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基 板。圖案化器件上之圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影裝置將具有放大因數M(通常<1)，故基板被移動之速度F將為光束掃描圖案化器件之速度的因數M倍。
在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製造例如IC之器件之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘，等。
如所提及，微影為IC及其他器件之製造中的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定器件之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。
在微影程序(亦即，顯影器件或其他結構之程序，其涉及微影曝光，其通常可包括諸如抗蝕劑顯影、蝕刻等之一或多個關聯處理步驟)中，需要頻繁地進行量測，例如以用於程序控制及驗證。用於進行此類量測之各種工具係已知的，包括用以量測結構之間的對準之對準感測器系統、構形量測系統(聚焦/位階量測系統)、常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及/或使用標記以量測各種參數之特殊化工具，該等參數諸如疊對(亦即，基板之兩個層之對準準確度)、用以曝光圖案之焦點、用以曝光圖案之劑量、CD等。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：在一結構至少部分地在一裝置內時將一裝置標記印刷至該結構上，該結構與待由該裝置固持之一基板分離；及使用該裝置內之一感測器系統來量測該裝置標記。
在一實施例中，提供一種裝置，其包含：一結構；一感測器系統，其經組態以量測一標記；及一控制系統，其經組態以：使得在該結構至少部分地在該裝置內時將一裝置標記印刷至該結構上，該結構與待由該裝置固持之一基板分離；且使得使用該裝置內之該感測器系統來量測該裝置標記。
在一實施例中，提供一種非暫時性電腦程式產品，其包含用於致使一處理器系統執行本文中所描述之一方法的機器可讀指令。
在一實施例中，提供一種系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統執行如本文中所描述之一方法。
可將不同態樣及特徵組合在一起。可將給定態樣之特徵與一或多個其他態樣或特徵組合。本文中參看隨附圖式詳細地描述本發明之實施例之特徵及/或優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
202‧‧‧標記
204‧‧‧輻射
206‧‧‧光柵
220‧‧‧照明源
222‧‧‧輻射光束
223‧‧‧光點鏡面
224‧‧‧物鏡
226‧‧‧資訊攜載光束
230‧‧‧偵測器/感測器柵格
240‧‧‧強度信號
400‧‧‧結構
410‧‧‧結構
500‧‧‧裝置標記/基板台標記
510‧‧‧裝置標記/基板台標記
600‧‧‧器件
610‧‧‧器件
AM‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準系統/對準感測器
B‧‧‧遮蔽葉片
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
IA‧‧‧強度調整器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MF‧‧‧隔離框架
MT‧‧‧支撐結構/物件台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PL‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一定位器件
PR‧‧‧處理器
PW1‧‧‧第一定位器件
PW2‧‧‧第二定位器件
PU‧‧‧處理單元
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
TMS‧‧‧構形量測系統
W‧‧‧基板
W1‧‧‧基板
W2‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
WT1‧‧‧台/物件台
WT2‧‧‧台/物件台
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述實施例，在該等圖式中： 圖1A示意性地描繪根據一實施例之微影裝置；圖1B展示圖1A之基板W的平面圖；圖1C展示可由圖1A之微影裝置使用之圖案化器件的平面圖；圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之一實施例；圖3示意性地描繪實例對準量測系統；圖4示意性地描繪用於裝置對準標記之裝置結構之實施例；及圖5示意性地描繪裝置內之裝置對準標記之原位印刷的實施例。
圖1A示意性地描繪根據一特定實施例之微影裝置。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束PB(例如UV輻射或DUV輻射)；-框架MF；-支撐結構(例如光罩台)MT，其用以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA；-兩個台WT1、WT2，其中至少一者經組態以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)。在此實例中，每一台經組態以分別固持基板W1、W2；及-投影系統(例如折射投影透鏡)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至由兩個台WT1、WT2中的至少一者固持之基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於例如所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤流體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語 「投影系統」同義。
本文中所使用之術語「照明系統」可涵蓋用於導向、塑形或控制輻射光束的各種類型之光學組件，包括折射、反射及反射折射光學組件，且此等組件亦可在下文被集體地或單一地稱作「透鏡」。
支撐結構MT固持圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動，且可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中產生圖案的器件。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射；以此方式，反射光束經圖案化。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板浸潤於具有相對高折射率之 液體(例如水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸潤技術在此項技術中被已知用於增大投影系統之數值孔徑。
框架MF為與諸如振動之外部影響實質上隔離的振動隔離框架。舉例而言，框架MF可由接地端上之基座框架(圖中未繪示)經由一或多個聲學阻尼安裝台(圖中未繪示)而支撐，以便將框架MF與基座框架之振動隔離。該一或多個聲學阻尼安裝台可經主動地控制以隔離由基座框架及/或由隔離框架MF自身引入之振動。
在圖1A中所描繪之雙載物台微影裝置中，在左邊提供對準系統AS及構形量測系統TMS且在右邊提供投影系統PL。投影系統PL、對準系統AS及構形量測系統TMS連接至隔離框架MF。構形量測系統TMS用以量測基板W之表面之構形。
在雙載物台微影裝置之不同實施例中，對準系統AS及/或構形量測系統TMS在右邊被提供為鄰近於投影系統PL或在左邊位置與投影系統PL之位置之間或在投影系統PL之相對側上。在一實施例中，使對準系統AS及/或構形量測系統TMS處於或朝向右邊可為有利的，其中第一台WT1經組態以固持基板且第二台WT2並非經組態來固持基板，而是固持於一或多個量測器件或一或多個清潔器件或其組合上。
支撐結構MT經由第一定位器件PM可移動地安裝至框架MF。第一定位器件PM可用以移動圖案化器件MA，且相對於框架MF(及連接至框架MF之投影系統PL)來準確地定位該圖案化器件MA。
台WT1、WT2分別經由第一定位器件PW1及第二定位器件PW2可移動地安裝至框架MF。第一基板定位器件PW1及第二基板定位器件PW2可用以相對於框架MF(及連接至框架MF之投影系統PL、對準系統AS及構 形量測系統TMS)來分別移動台WT1、WT2且準確地定位該等台WT1、WT2(例如定位基板W1及/或基板W2)。支撐結構MT及台WT1、WT2可被集體地稱作物件台。第一定位器件PW1及第二定位器件PW2可各自被認為一掃描機構，其可操作以沿著掃描路徑相對於輻射光束來移動台WT1、WT2，使得輻射光束橫越台WT1、WT2(例如固持於台上之基板W1、W2)進行掃描。如上文所提及，在一實施例中，台WT1、WT2中之一者可不固持基板且可替代地與另一台WT1、WT2上之基板之例如曝光或卸載並行地用於例如量測、清潔等。
因此，圖1A中所展示之微影裝置屬於具有兩個台WT1、WT2之類型，其可被稱作雙載物台裝置。在此類「多載物台」機器中，並行地使用兩個台WT1、WT2，其中在該等台中之一者上進行預備步驟同時將另一台用於曝光。
在圖1A中，台WT1安置於左邊且台WT2安置於右邊。在此組態中，台WT1可用以在由其固持之基板W1之曝光之前使用對準系統AS及構形量測系統TMS(如下文將更充分地所描述)來進行關於彼基板W1之各種預備步驟。同時地，台WT2可用於由台WT2固持之另一基板W2之曝光。一旦已曝光由台WT2固持之基板W2且已進行關於由台WT1固持之基板W1之預備步驟，就將該兩個台WT1、WT2交換位置。隨後，將由台WT1固持之基板W1曝光至輻射，且用新基板替換先前已曝光至輻射的由台WT2固持之基板W2，且關於該新基板執行各種預備步驟。因此，在此實施例中，兩個台WT1、WT2中之每一者可安置於圖1A之左邊或右邊。
在一不同實施例中，台WT1可為並未經組態來固持基板的台。視情況，可在左邊進行與台WT1相關聯之量測。可接著將台WT1移動至投影 系統PL下方之位置，而將台WT2移動遠離投影系統PL下方(例如移動至與台WT1相對之側)。台WT1可接著用以在投影系統PL處採取行動(例如量測、清潔等)。同時，可自台WT2移除基板且接著將台WT2移動回至投影系統PL下方，而將台WT1移開(例如朝向左邊移動)。
圖1B展示可表示圖1A之兩個基板W1、W2中之任一者之基板W的平面圖。在下文中，除非另有陳述，否則微影裝置之左邊及右邊的基板(若存在)將被稱作基板W。圖1C展示圖案化器件MA之平面圖，圖案化器件MA具備圖案化器件對準標記(被示意性地描繪為方框M1、M2)。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如使用透射光罩)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影裝置可為單獨實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為裝置之整體部分。照明器IL可被稱作輻射系統。替代地，源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被集體地稱作輻射系統。
照明器IL可變更光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍，使得在照明器IL之光瞳平面中之環形區內的強度分佈為非零。另外或替代地，照明器IL亦可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈，使得在光瞳平面中之複數個同等間隔之區段中的強度分佈為非零。輻射光束在照明器IL之光瞳平面中之強度分佈可被稱作照明模式。
照明器IL可包含經組態以調整光束之強度分佈之調整器AM。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。照明器IL亦可操作以使光束在照明器之光瞳平面中之角度分佈變化。舉例而言，照明器IL可操作以變更強度分佈為非零所處的光瞳平面中之區段的數目及角範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中之強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的徑向範圍及角範圍，該強度分佈可具有諸如例如偶極、四極或六極分佈之多極分佈，如此項技術中所知。可藉由將提供彼照明模式之光學件插入至照明器IL中而獲得所要照明模式。
照明器IL可操作以變更光束之偏振且可操作以使用調整器AM來調整偏振。橫越照明器IL之光瞳平面之輻射光束的偏振狀態可被稱作偏振模式。使用不同偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。替代地，照明器IL可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可橫越照明器IL之光瞳平面而變化，亦即，輻射之偏振方向可在照明器IL之光瞳平面中之不同區中不同。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。
另外，照明器IL通常包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL提供在橫截面中具有所要均一性及強度分佈的經調節輻射光束PB。
經調節輻射光束PB之形狀及(空間)強度分佈係由照明器IL之光學件界定。在掃描模式中，經調節輻射光束PB可使得其在圖案化器件MA上形成一般矩形輻射帶。輻射帶可被稱作曝光隙縫(或隙縫)。隙縫可具有較長 尺寸(其可被稱作隙縫之長度)及較短尺寸(其可被稱作隙縫之寬度)。隙縫之寬度可對應於掃描方向(圖1中之y方向)，且隙縫之長度可對應於非掃描方向(圖1中之x方向)。在掃描模式中，隙縫之長度限制可在單次動態曝光中曝光之目標部分C在非掃描方向上之範圍。與此對比，可在單次動態曝光中曝光之目標部分C在掃描方向上之範圍係由掃描運動之長度判定。
術語「隙縫」、「曝光隙縫」或「輻射帶」可被互換地使用以係指由照明器IL在垂直於微影裝置之光軸之平面中產生的輻射帶。此平面可處於或接近於圖案化器件MA或基板W。術語「隙縫剖面」、「輻射光束之剖面」、「強度剖面」及「剖面」可被互換地使用以係指尤其在掃描方向上的隙縫之(空間)強度分佈之形狀。
在一實施例中，照明器IL包含兩個遮蔽葉片(在圖1A中示意性地展示為B)。該兩個遮蔽葉片中之每一者一般平行於隙縫之長度，該兩個遮蔽葉片安置於隙縫之相對側上。每一遮蔽葉片可在以下兩個位置之間獨立地移動：縮回位置，其中遮蔽葉片未安置於輻射光束PB之路徑中；及插入位置，其中遮蔽葉片阻擋輻射光束PB。遮蔽葉片安置於照明器IL之場平面中。因此，藉由將遮蔽葉片移動至輻射光束之路徑中，可急劇地截斷輻射光束PB之剖面，因此在掃描方向上限制輻射光束PB之場之範圍。遮蔽葉片可用以控制曝光區域之哪些部分接收輻射。
圖案化器件MA亦安置於微影裝置之場平面中。在一項實施例中，遮蔽葉片可鄰近於圖案化器件MA而安置，使得遮蔽葉片及圖案化器件MA兩者處於實質上同一平面中。替代地，遮蔽葉片可與圖案化器件MA分離，使得其各自處於微影裝置之不同場平面中，且可在遮蔽葉片與圖案化器件MA之間提供合適聚焦光學件(圖中未繪示)。
照明器IL包含強度調整器IA(圖1A中示意性地所展示)。強度調整器IA可操作以在輻射光束之對置側上衰減輻射光束，如現在所描述。強度調整器IA包含成對地配置之複數個可移動指形件，每一對在隙縫之每一側上包含一個指形件(亦即，每一對指形件係在y方向上分離)。該等對指形件係沿著隙縫之長度而配置(亦即，在x方向上延伸)。每一可移動指形件可在掃描方向(y方向)上獨立地移動。亦即，指形件可在垂直於隙縫之長度的方向上移動。在使用中，每一可移動指形件可在掃描方向上獨立地移動。舉例而言，每一可移動指形件可在至少以下兩個位置之間移動：縮回位置，其中可移動指形件未安置於輻射光束之路徑中；及插入位置，其中可移動指形件部分地阻擋輻射光束。藉由移動指形件，可調整隙縫之形狀及/或強度分佈。
場可處於指形件之半影中使得指形件並不急劇地截止輻射光束PB。該等對指形件可用以沿著隙縫之長度應用輻射光束PB的不同程度之衰減。舉例而言，指形件可用以確保橫越隙縫之寬度的輻射光束PB之強度剖面之積分沿隙縫之長度實質上恆定。
射出照明器IL之輻射光束PB入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束PB傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW2及位置感測器IF(例如干涉器件)，可相對於框架MF準確地移動台WT2，例如以便使不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1A中被明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於框架MF來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉形成定位器件PM、 PW1及PW2之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT及WT1、WT2之移動。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。
投影系統PL可將縮減因數應用於輻射光束PB，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4。
在掃描模式中，第一定位器件PM可操作以相對於已由照明器IL沿著掃描路徑調節之輻射光束PB來移動支撐結構MT。在一實施例中，支撐結構MT以恆定掃描速度vMT在掃描方向上線性地移動。如上文所描述，隙縫經定向使得其寬度在掃描方向(其與圖1之y方向重合)上延伸。在任何情況下，將藉由投影系統PL而使由隙縫照明之圖案化器件MA上的每一點成像至在基板W之平面中的單一共軛點上。隨著支撐結構MT在掃描方向上移動，圖案化器件MA上之圖案以與支撐結構MT之速度相同的速度橫越隙縫之寬度而移動。詳言之，圖案化器件MA上之每一點以速度v MT 在掃描方向上橫越隙縫之寬度而移動。由於此支撐結構MT之運動，對應於圖案化器件MA上之每一點的基板W之平面中之共軛點將在台WT2之平面中相對於隙縫而移動。
為了在基板W上形成圖案化器件MA之影像，移動台WT2，使得圖案化器件MA上之每一點在基板W之平面中之共軛點保持相對於基板W靜止。台WT2相對於投影系統PL之速度(量值及方向兩者)係由投影系統PL之縮小率及影像反向特性(在掃描方向上)判定。詳言之，若投影系統PL之特性係使得形成於基板W之平面中的圖案化器件MA之影像在掃描方向上反轉，則應在與支撐結構MT相對之方向上移動台WT2。亦即，台WT2之運動應反平行於支撐結構MT之運動。另外，若投影系統PL將縮減因數α 應用於輻射光束PB，則由每一共軛點在給定時間段中行進之距離將比由圖案化器件上之對應點行進之距離小α倍。因此，台WT2之速度之量值|v WT |應為|v MT |/α。
在目標部分C之曝光期間，照明器IL之遮蔽葉片可用以控制輻射光束PB之隙縫之寬度，其繼而分別限制圖案化器件MA及基板W之平面中的曝光區之範圍。亦即，照明器之遮蔽葉片充當用於微影裝置之場光闌。
在使用掃描模式之情況下，微影裝置可操作以將具有實質上固定面積之基板W之目標部分C曝光至輻射。舉例而言，目標部分C可包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒。
可在複數個步驟中將單一基板曝光至輻射，每一步驟涉及目標部分C之曝光，接著是基板W之移動。在第一目標部分C之曝光之後，微影裝置可操作以相對於投影系統PL來移動基板W，使得另一目標部分C可曝光至輻射。舉例而言，在基板W上之兩個不同目標部分C之曝光之間，台WT2可操作以移動基板W以便定位下一個目標部分，使得其準備好經由曝光區進行掃描。
所描繪裝置可用於另一模式中，其中在將被賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描台WT2。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在台WT2之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC(有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或微影叢集(lithocluster))之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行一或多個曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序器件之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測基板以量測一或多個屬性，諸如對準、後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。若偵測到誤差，則可對該基板(或一或多個後續基板)之曝光進行調整。
下文中之描述將集中於用於對準量測之標記及用於校準對準感測器系統的標記之使用。但本發明不限於此且可具有其他應用。舉例而言，標記可用於不同種類之量測或不同種類之校準或測試，諸如聚焦/位階量測、感測器診斷學等。
為了控制微影程序以將器件特徵準確地置放於基板上，通常在基板上提供對準標記，且微影裝置包括一或多個對準感測器，藉由該一或多個對準感測器，可準確地量測基板上之標記的位置。此等對準感測器實際上為位置量測裝置。不同類型之標記及不同類型之對準感測器係自不同時間 及不同製造商為吾人所知。可用於微影裝置中之感測器之類型係基於如全文係以引用方式併入本文中之美國專利第6,961,116號中所描述的自參考干涉計。通常，分離地量測標記以獲得X位置及Y位置。然而，可使用全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2009/195768號中所描述之技術來執行經組合X量測及Y量測。
圖3係用以量測對準標記(例如，量測提供於基板W上之對準標記(由圖1B中之方框P1、P2示意性地所描繪)之位置)之對準感測器AS的高度示意性方塊圖。照明源220提供具有一或多個波長之輻射光束222，該輻射光束係由光點鏡面223通過物鏡224轉向至位於例如基板W上之標記(諸如標記202)上。由標記202散射之輻射204係由物鏡224拾取且被準直成資訊攜載光束226。此資訊攜載光束226用以量測標記202相對於感測器之參考點之部位。此參考點可為光柵206或自參考干涉計中之「中性線」。偵測器230偵測所得信號240。光點鏡面223此時方便地充當零階擋板，使得資訊攜載光束226僅包含來自標記202之高階繞射輻射。此常常被稱作「暗場」量測。在一實施例中，來自感測器柵格230中之個別感測器之強度信號240經提供至處理單元PU，自該處理單元PU輸出標記202之X位置及Y位置之值。在一實施例中，偵測器230可為單一光電二極體，且光柵206可具有與成像至其上之影像相同的間距。由光柵206透射之輻射之量隨著在特定方向上掃描對準光柵而變化。因此，可使用一或多個經適當設計標記202來判定在不同方向(例如X及/或Y)上之位置且在一或多個方向上進行掃描。
典型對準感測器系統係由光學件、光學總成、雷射源模組以及偵測/處理硬體及軟體之複雜配置組成。因此，週期性地，感測器系統經校準以 維持系統效能(例如每基板經校準、每基板批次經校準等)。因此，週期性地再校準對準感測器系統以縮減或消除發生於該對準感測器系統中之漂移。
此校準之實例為用以縮減或消除由裝置之對準感測器系統中之漂移造成的對準偏移之標記類型校準程序。如上文所論述，對準感測器系統通常用以在基板處於基板台上時藉由量測基板上之一或多個對準標記(在本文中被稱作基板對準標記)來判定該基板之位置，使得可將基板與裝置內之諸如圖案化器件之一或多個其他物件適當地對準。為了促進此對準，提供於裝置中之結構(例如基板台)上且不位於基板上的一或多個標記(例如一或多個對準標記)(在本文中被稱作裝置標記且在基板台之內容背景中，被稱作基板台標記)可使用該裝置之對準感測器系統來量測。
更具體言之，量測裝置標記(例如基板台標記)作為校準程序之部分，以幫助確保使用基板對準標記來量測之基板之經判定對準位置係準確地已知，從而達成由基板台定位之目的。此校準之特定實例為用於對準感測器系統之階間在線移位(in-line shift between order；iSBO)校準。階間在線移位(iSBO)校準涉及量測基板台對準標記以分析其繞射階且評估其在對準感測器系統之操作期間隨著時間推移出現的任何漂移。
在一實施例中，每當將基板裝載至基板台上且準備進行度量衡時，就執行階間在線移位(iSBO)校準。在一實施例中，用於階間在線移位(iSBO)校準之特定基板台標記位於永久性地安裝於基板台上之特定載板上。自此基板台標記之量測導出之資訊用以校準由正常漂移造成的對準感測器系統中之偏移。
已發現，用於基板上之基板對準標記之類型可充分不同於裝置中之 使用對準感測器系統來量測的裝置標記，使得對基板之此對準標記之量測以與對裝置標記之量測不同之方式進行漂移。舉例而言，基板對準標記及裝置標記可以各種方式不同，諸如在形狀、所用週期性結構、大小等方面不同。因此，裝置標記(例如基板台標記)並未適當地模仿關於所有類型之基板對準標記之漂移行為。因此，當結合對與此裝置標記不同類型之基板對準標記之量測而使用彼裝置標記時，使用該裝置標記之漂移校正可導致不正確的量測結果。舉例而言，若基板台標記並未適當模仿基板上之基板對準標記之漂移行為，則可發生對準之例如1至3奈米偏移，其中疊對之後續偏移具有相似量值。此可超過運用器件圖案適當地曝光基板所准許之疊對預算。因此，需要提供可在對準感測器系統之校準程序中使用的可適當地模仿基板對準標記之漂移行為之裝置標記。
此外，微影裝置之使用者可添加及/或改變基板對準標記類型以例如促進對準配方最佳化。舉例而言，可產生各種不同類型之子分段基板對準標記，此係因為其針對使用者之器件圖案曝光程序而最佳化，且可將彼等一或多個不同類型之基板對準標記用於基板上以用於對準量測。但使用對準量測系統來量測之裝置標記可並未適當地模仿彼等一或多個新基板對準標記類型之漂移行為。因此，需要能夠適應於校準程序中之各種不同對準標記類型。亦即，需要能夠針對此等不同基板對準標記類型中之許多者(若非全部)來適當地校準對準感測器系統，且隨著時間推移且相對容易地適應於彼等不同的基板對準標記類型。
更一般而言，需要提供例如考量變化之對準標記形式以用於例如校準、診斷學等之系統。
因此，提供允許將一或多個額外或新類型之標記(例如基板台標記)提 供於裝置內之結構(例如基板台)上之靈活性且相對快速方式。藉由能夠添加此等一或多個標記類型，量測、校準、診斷等程序可支援一或多個不同標記以便幫助維持諸如對準感測器系統之感測器系統之效能。
參看圖4，在一實施例中，結構400為諸如微影裝置之裝置內之裝置結構(例如基板台WT或其他可移動台)的部分，或提供於該裝置結構上。在一實施例中，結構400係一板。在一實施例中，結構400為裝置結構(例如基板台WT或其他可移動台)之單獨片件，其可附加至裝置結構(例如基板台WT或其他可移動台)。在一實施例中，結構400可拆卸且因此可替換。在一實施例中，結構400為裝置結構(例如基板台WT或其他可移動台)之固定部分；此可幫助消除可自裝置結構(例如基板台WT或其他可移動台)分離/可自裝置結構拆卸的結構400與裝置結構之間的位置之可能漂移。
在一實施例中，結構400經設計為能夠具有印刷於其中之圖案。在一實施例中，結構400包含其上部表面上之塗層。在一實施例中，塗層包含疏液性塗層，諸如Lipocer塗層。在一實施例中，塗層包含光阻。在一實施例中，結構400係裝置結構(例如基板台WT)上之承載一或多個標記之任何其他結構的附加部分。
在一實施例中，參看圖5，裝置標記500、510(例如呈基板台標記500、510形式)印刷至結構400上(例如印刷至結構400中)。在一實施例中，裝置標記500、510在原位直接成像至裝置中之結構400上。在一實施例中，裝置之圖案化器件MA用以使用微影裝置之投影系統將所要裝置標記500、510成像於結構400上。
在一實施例中，提供(例如裝置之)控制系統以使能夠印刷裝置標記 500、510。亦即，控制系統可致使裝置之各種組件執行印刷如本文中所描述之裝置標記500、510之方法。
在一實施例中，裝置標記500、510包含一或多個週期性結構。在一實施例中，裝置標記500、510包含具有在第一方向上延伸之特徵之第一週期性結構，及具有在橫向於第一方向之第二方向(例如垂直)上延伸之特徵中第二週期性結構。雖然裝置標記500、510被展示為包含在2個不同方向上延伸之4個週期性結構，但裝置標記500、510不需要如此組態。
因此，在一實施例中，結構400經設計為使得具有足夠品質之裝置標記500、510直接印刷至該結構400上。在一實施例中，藉由使用輻射光束進行剝蝕來產生裝置標記500、510(且此理想地將在結構400被剝蝕之後不需要額外處理步驟)。在一實施例中，將裝置標記500、510剝蝕至結構400上之塗層(例如疏液性塗層，諸如Lipocer塗層)中。
在一實施例中，結構400在被安裝於基板台WT上時可為空白的，亦即，其上不具有現有裝置標記500、510。在安裝之後，將一或多個裝置標記500、510印刷於結構400上。舉例而言，可印刷複數個裝置標記，諸如裝置標記500及裝置標記510。因此，可提供一或多個不同類型之裝置標記，該一或多個裝置標記匹配於或模仿基板上之一或多個對準標記之對準感測器系統漂移行為。
在一實施例中，結構400可在安裝於基板台WT上之前具有一或多個裝置標記500、510，亦即，結構400具有裝置標記500。在安裝之後，將一或多個裝置標記510印刷於結構400上。在此實施例中，可將一或多個裝置標記預安裝於諸如基板台WT之裝置結構上。預安裝之一或多個裝置標記可相同於或相似於常見基板對準標記。接著在安裝之後，可將一或多 個其他類型之裝置標記印刷於結構400上。
在一實施例中，橫越結構400提供複數個裝置標記。亦即，如圖4中所展示，結構400具有足夠自由空間以使能夠橫越結構400提供複數個裝置標記。在一實施例中，可將裝置標記印刷於結構400上之現有裝置標記上方。在任何情況下，結構400經設計為使得可遍及結構400之壽命將一或多個不同或新裝置標記類型印刷於結構400上。且因此，結構400將保留裝置標記足夠壽命以用於對準程序中。在一實施例中，將裝置標記永久性地印刷於結構400上。在一實施例中，基線程序可用以追蹤裝置標記之整合性。亦即，隨著時間推移追蹤裝置標記之量測之參數(例如可偵測性)以判定該裝置標記是否已降級。若超越或符合與量測參數相關聯之臨限值，則可採取校正步驟(例如重印裝置標記、清潔裝置標記、調整量測設定等)。
在一實施例中，裝置標記500、510屬於與基板對準標記相同之類型。在一實施例中，裝置標記500、510不同於基板對準標記，但模仿基板對準標記之漂移行為。
如上文所論述，在一實施例中，使用微影裝置之圖案化器件及投影系統來執行原位印刷。在額外或替代實施例中，使用微影裝置內之一或多個其他裝置來執行原位印刷。舉例而言，可使用對準量測系統、位階感測系統或其他輻射投影量測裝置。在一實施例中，系統具有除將標記寫入於結構400上之外的功能(例如量測)。在一實施例中，系統為微影裝置之藉由例如軟件更新而重新組態以執行標記之寫入之現有系統。彼等系統中之一或多者可經適當組態以使能夠例如藉由將光罩或其他器件提供於此系統之光束路徑中、藉由光束與結構400之表面之間的適當相對移動以寫入圖 案等來印刷標記。此外，在一實施例中，可增大此系統之光束功率以用於將標記印刷於結構400上及/或結構400可對此系統之現有光束敏感。在一實施例中，如圖1中示意性地所展示之專用器件600可提供於微影裝置中以將標記印刷於結構400上。舉例而言，器件600可具有輻射輸出(例如雷射)以將輻射提供至圖案化器件(屬於如本文中所描述相似之類型，且理想地為可程式化圖案化器件)，以便形成經圖案化光束以投影於結構400上以便印刷(例如藉由剝蝕)標記。在一實施例中，可將器件600固定至微影裝置中(例如永久性地安裝)或以可拆卸方式供應(例如在維護週期期間)至微影裝置中。另外，雖然器件600被展示為在圖1中之特定框架上，但其可在微影裝置之另一部分上，包括台WT自身上。
因此，在一實施例中，提供一或多個裝置標記500、510(例如用於校準)至結構400(例如載板)上之原位印刷(例如經由成像)。藉由原位印刷，提供靈活性以使能夠使用不同裝置標記，而不會造成基板台之替換成本高及/或耗時。另外，藉由裝置標記之相對快速印刷，可縮減顯影時間及/或引入新對準功能之費用。
在一額外或替代實施例中，藉由以下操作將結構400移動至至少部分地離開或鄰近於(例如在1公尺內)裝置(例如微影裝置)之外部外殼之側的服務位置：將具有結構400之裝置結構(例如基板台WT或其他可移動台)移動至至少部分地離開或鄰近於(例如在1公尺內)外部外殼之側。在一實施例中，結構400及具有該結構400之裝置結構在服務位置處附接至裝置(例如微影裝置)。當結構400處於服務位置時，可使用相似於器件600之器件610來印刷標記。在一實施例中，器件610可附接至鄰近於裝置外殼而置放或附接至裝置的固持夾具。在一實施例中，器件610可被提供於結構 400上或具有結構400之裝置結構上(例如位於基板台WT上)。在一實施例中，器件610可移動。一旦標記經印刷，結構400及具有結構400之裝置結構就被移動回至裝置內之量測位置中。此實施例可被認為當結構400之至少部分及/或具有結構400之裝置結構之至少部分在標記被印刷於結構400上時仍在裝置之外部外殼內時及/或當結構400及具有結構400之裝置結構仍附接至裝置時的原位印刷。
在一實施例中，提供以可拆卸方式附接至裝置中之結構(例如基板台WT)之結構410。在一實施例中，結構410係由例如抽吸夾具、靜電夾具或其他夾持裝置、螺釘或螺桿等附接至裝置結構。在一實施例中，結構410在該結構410安裝於裝置結構(例如基板台WT)上之前具備一或多個裝置標記。雖然結構410展示複數個裝置標記500、510，但結構410可具有僅單一裝置標記500、510。
因此，藉由具有抽取式結構410，可提供具有一或多個不同裝置標記之不同結構410以使能夠將不同種類之裝置標記提供於裝置結構上。因此，在一實施例中，可提供各自具有一或多個不同裝置標記的複數個結構410。在一實施例中，可在自裝置結構移除結構410(例如整體上在裝置外部)時運用不同裝置標記來印刷該結構410。在一實施例中，除了結構400以外亦提供結構410，或作為對結構400之替代而提供結構410。
雖然本文中之論述已集中於對準標記及對準感測器系統之校準，但本文中之揭示內容亦可應用於不同標記。舉例而言，標記可用以診斷、校準等與對準感測器系統不同之感測器系統，諸如聚焦/位階量測系統。
本文中已關於以繞射為基礎之度量衡來描述實施例，該以繞射為基礎之度量衡例如自來自繞射階之強度量測週期性結構之位置。然而，可將 本文中之實施例應用於(在需要時具有適當修改)以影像為基礎之度量衡，該以影像為基礎之度量衡例如根據使用目標之高品質影像來量測位置。通常此等目標係週期性結構或「盒」(盒中盒(BiB))。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：在一結構至少部分地在一裝置內時將一裝置標記印刷至該結構上，該結構與待由該裝置固持之一基板分離；及使用該裝置內之一感測器系統來量測該裝置標記。
在一實施例中，該結構為經組態以固持該基板之一基板台的部分，或位於該基板台上。在一實施例中，該感測器系統係一對準感測器系統。在一實施例中，該方法進一步包含使用該裝置標記來校準該感測器系統。在一實施例中，印刷該裝置標記包含使用來自該裝置之一系統之一輻射光束。在一實施例中，印刷該裝置標記包含運用該裝置標記剝蝕該結構之一表面。在一實施例中，印刷該裝置標記包含將由一圖案化器件經圖案化有一圖案的一光束投影至該結構上以印刷該裝置標記。在一實施例中，該結構包含具有一表面塗層之一板。在一實施例中，該裝置標記之一類型與該基板之一對準標記相同。在一實施例中，該裝置標記之該類型不同於該基板之一對準標記，但模仿該基板之該對準標記之感測器系統漂移行為。
在一實施例中，提供一種裝置，其包含：一結構；一感測器系統，其經組態以量測一標記；及一控制系統，其經組態以：使得在該結構至少部分地在該裝置內時將一裝置標記印刷至該結構上，該結構與待由該裝置固持之一基板分離；且使得使用該裝置內之該感測器系統來量測該裝置標記。
在一實施例中，該裝置進一步包含經組態以固持該基板之一基板台，且其中該結構為該基板台之部分或位於該基板台上。在一實施例中， 該感測器系統係一對準感測器系統。在一實施例中，該控制系統經進一步組態以使得使用該裝置標記來校準該感測器系統。在一實施例中，該裝置進一步包含經組態以投影一輻射光束之一輻射系統，且其中該控制系統經組態以使得藉由使用來自該裝置之該輻射系統之一輻射光束來進行該裝置標記之該印刷。在一實施例中，該控制系統經組態以使得藉由運用該裝置標記剝蝕該結構之一表面來進行該裝置標記之該印刷。在一實施例中，該控制系統經組態以使得藉由將由一圖案化器件經圖案化有一圖案的一光束投影至該結構上以印刷該裝置標記來進行該裝置標記之該印刷。在一實施例中，該結構包含具有一表面塗層之一板。在一實施例中，該裝置標記之一類型與該基板之一對準標記相同。在一實施例中，該裝置標記之該類型不同於該基板之一對準標記，但模仿該基板之該對準標記之感測器系統漂移行為。在一實施例中，該裝置為經組態以運用一輻射光束曝光該基板之一微影裝置。
儘管上文可特定地參考在度量衡及光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部分。
在一實施例中，(例如在微影裝置內)提供包含硬體、軟體或其組合之控制系統以執行本文中所描述之方法之一或多個步驟。
儘管在本文中可特定地參考IC之製造，但應理解，本文中所描述之裝置可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。在一實施例中，用於曝光之「輻射」及「光束」可為紫外線(UV)輻射、極紫外線(EUV)輻射或粒子束，諸如離子束或電子束。在一實施例中，用於度量衡之「輻射」及「光束」可為可見光、近紅外線輻射或UV輻射。術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在4奈米至20奈米之範圍內(例如在13奈米至14奈米之範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10奈米之波長，例如在4奈米至10奈米之範圍內(諸如6.7奈米或6.8奈米)之波長。
術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。照明 光學件、光學件及偵測光學件可涵蓋用於導向、塑形或控制輻射光束的各種類型之光學組件，包括折射光學組件、反射光學組件及反射折射光學組件。
可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施實施例。處理器PR可連接至儲存處理器可讀指令之記憶體，該等處理器可讀指令在經執行時將把解碼序列應用至自偵測器18輸出之信號。實施例亦可被實施為儲存於電腦可讀媒體上之指令，該等指令可由一個或多個處理器讀取及執行。電腦可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，電腦可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電信號、光信號、聲信號或其他形式之傳播信號(例如載波、紅外線信號、數位信號等)，及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之計算器件引起。
對特定實施例之前述描述揭露本發明之實施例之一般性質使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於例如描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應由上文所描述之例示性實施例中之任一者 限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
因此，雖然上文已描述特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上之描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (18)

  1. 一種量測方法，其包含：在一結構至少部分地在一裝置內時將一裝置標記印刷至該結構上，該結構與待由該裝置固持之一基板分離；及使用該裝置內之一感測器系統來量測該裝置標記，其中印刷該裝置標記包含使用來自該裝置之一系統之一輻射光束。
  2. 如請求項1之方法，其中該結構為經組態以固持該基板之一基板台的部分，或位於該基板台上。
  3. 如請求項1或請求項2之方法，其中該感測器系統係一對準感測器系統。
  4. 如請求項1或請求項2之方法，其進一步包含使用該裝置標記來校準該感測器系統。
  5. 如請求項1或請求項2之方法，其中印刷該裝置標記包含：運用該裝置標記剝蝕該結構之一表面。
  6. 如請求項1或請求項2之方法，其中印刷該裝置標記包含：將由一圖案化器件經圖案化有一圖案的一光束投影至該結構上以印刷該裝置標記。
  7. 如請求項1或請求項2之方法，其中該結構包含具有一表面塗層之一板。
  8. 如請求項1或請求項2之方法，其中該裝置標記之一類型與該基板之一對準標記相同。
  9. 如請求項1或請求項2之方法，其中該裝置標記之該類型不同於該基板之一對準標記，但模仿該基板之該對準標記之感測器系統漂移行為。
  10. 一種量測裝置，其包含：一結構；一感測器系統，其經組態以量測一標記；一輻射系統，其經組態以投影一輻射光束；及一控制系統，其經組態以：藉由使用來自該輻射系統之一輻射光束使得在該結構至少部分地在該裝置內時將一裝置標記印刷至該結構上，該結構與待由該裝置固持之一基板分離；且使得使用該裝置內之該感測器系統來量測該裝置標記。
  11. 如請求項10之裝置，其進一步包含經組態以固持該基板之一基板台，且其中該結構為該基板台之部分或位於該基板台上。
  12. 如請求項10或請求項11之裝置，其中該感測器系統係一對準感測器 系統。
  13. 如請求項10或請求項11之裝置，其中該控制系統經進一步組態以使得使用該裝置標記來校準該感測器系統。
  14. 如請求項10或請求項11之裝置，其中該控制系統經組態以使得藉由運用該裝置標記剝蝕該結構之一表面來進行該裝置標記之該印刷。
  15. 如請求項10或請求項11之裝置，其中該控制系統經組態以使得藉由將由一圖案化器件經圖案化有一圖案的一光束投影至該結構上以印刷該裝置標記來進行該裝置標記之該印刷。
  16. 如請求項10或請求項11之裝置，其中該結構包含具有一表面塗層之一板。
  17. 一種非暫時性電腦程式產品，其包含用於致使一處理器系統執行一如請求項1至9中任一項之方法之機器可讀指令。
  18. 一種量測系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統執行一如請求項1至9中任一項之方法。
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