JP5288808B2 - 測定方法、検査装置およびリソグラフィ装置 - Google Patents
測定方法、検査装置およびリソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5288808B2 JP5288808B2 JP2008005272A JP2008005272A JP5288808B2 JP 5288808 B2 JP5288808 B2 JP 5288808B2 JP 2008005272 A JP2008005272 A JP 2008005272A JP 2008005272 A JP2008005272 A JP 2008005272A JP 5288808 B2 JP5288808 B2 JP 5288808B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- radiation
- targets
- reflected
- overlay error
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 15
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 117
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 103
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 29
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
[0019] 放射ビームB(例えばUV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0020] パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
[0021] 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0022] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを備える)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PLとを備える。
フィールド間:Mx、My、Rx、Ry
フィールド内:Tx、Ty、Mx、My、Rx、Ry
ここで、Mは倍率、Rは回転、Tは変位である。
フィールド間:Mx、My、Rx、Ry
フィールド内:Tx、Ty、Mx、My、Rx、Ry、K。
したがって、N個のフィールドに対するパラメータの総数は7N+4となり、8回の測定(すなわち、8個のターゲット)の測定だけでよい。dX1が位置X、Yにいて測定されたオーバーレイエラーである場合、
dX1=TxMxX1−RxY1である。
上式中、
Claims (16)
- 基板におけるオーバーレイエラーを測定する方法であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射ビームを投影するステップと、
前記基板上の前記複数のターゲットの各々から反射された放射をスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記反射された放射から前記オーバーレイエラーの程度を検出および算出するステップと
を含み、
前記オーバーレイエラーは、変位を表すパラメータTx,Ty、倍率を表すパラメータMx,My、回転を表すパラメータRx,Ry、及び非対称性に対するオーバーレイエラーの比率を表しかつ一定であると仮定したパラメータK、を使用することによって算出される、方法。 - 前記測定され反射された放射が、前記基板上の8つのターゲットから反射される、請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲットの各々が2D格子であり、前記測定され反射された放射が前記基板上の4つのターゲットから反射される、請求項1に記載の方法。
- 前記ビームが線形的に偏光される、請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。
- 前記測定され反射された放射が、8つのターゲット、A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8から反射され、前記オーバーレイエラーが以下の式、
を解くことによって算出され、
ここで式中、上付き文字fは基板に対するフィールド基準を表し、dは2つのそれぞれの層における重なり合う2つのターゲットA間のバイアス距離を表し、X、Yはそれぞれの直交する位置を表す、請求項1,2または4のいずれかに記載の方法。 - 各ターゲットが重畳された複数の格子を含む、請求項1,2,4または5のいずれかに記載の方法。
- パターニングされた放射ビームを基板上に投影して前記基板を露光するステップを含み、前記露光するステップが請求項1乃至6のいずれかに記載の方法によって決定されたオーバーレイエラーに基づく、基板の製造方法。
- 基板の特性を測定するように構成された検査装置であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射を投影するように構成された放射投影装置と、
前記ターゲットの各々から反射された放射を検出するように構成された検出器と、
前記ターゲットの非対称性に由来するオーバーレイエラーが前記複数のターゲットに関して一定であると仮定して、前記複数のターゲットから反射された前記放射に基づいて前記オーバーレイエラーを算出するように構成されたデータ操作ユニットと
を備え、
前記オーバーレイエラーは、変位を表すパラメータTx,Ty、倍率を表すパラメータMx,My、回転を表すパラメータRx,Ry、及び非対称性に対するオーバーレイエラーの比率を表しかつ一定であると仮定したパラメータK、を使用することによって算出される、検査装置。 - 前記検出され反射された放射が、前記基板上の8つのターゲットから反射される、請求項8に記載の装置。
- 前記ターゲットの各々が2D格子であり、前記検出され反射された放射が前記基板上の4つのターゲットから反射される、請求項8に記載の装置。
- 前記放射が線形的に偏光される、請求項8乃至10のいずれかに記載の装置。
- 前記検出され反射された放射が、8つのターゲット、A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8から反射され、前記オーバーレイエラーが以下の式、
を解くことによって算出され、
ここで式中、上付き文字fは基板に対するフィールド基準を表し、dは2つのそれぞれの層における重なり合う2つのターゲットA間のバイアス距離を表し、X、Yはそれぞれの直交する位置を表す、請求項8,9または11のいずれかに記載の装置。 - 各ターゲットが重畳された複数の格子を含む、請求項8,9,11または12のいずれかに記載の装置。
- 放射ビームを調整するように構成された照明支持体と、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成することのできるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
基板上の複数の位置にある複数のターゲットの各々から反射された放射を検出するように構成された検出器、および、前記ターゲットの非対称性に由来するオーバーレイエラーが前記複数のターゲットに関して一定であると仮定して、前記複数のターゲットから反射された前記放射に基づいて前記オーバーレイエラーを算出するように構成されたデータ操作ユニットを含む、基板の特性を測定するように構成された検査装置と
を備え、
前記オーバーレイエラーは、変位を表すパラメータTx,Ty、倍率を表すパラメータMx,My、回転を表すパラメータRx,Ry、及び非対称性に対するオーバーレイエラーの比率を表しかつ一定であると仮定したパラメータK、を使用することによって算出される、リソグラフィ装置。 - 基板におけるオーバーレイエラーを測定する方法であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射ビームを投影するステップと、
前記基板上の前記複数のターゲットの各々から反射された放射をスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記反射された放射から前記オーバーレイエラーの程度を検出および算出するステップと
を含み、
前記オーバーレイエラーは、変位を表すパラメータTx,Ty、倍率を表すパラメータMx,My、回転を表すパラメータRx,Ry、及び非対称性に対するオーバーレイエラーの比率を表しかつ一定であると仮定したパラメータK、を使用することによって算出される、方法。 - 基板の特性を測定するように構成された検査装置であって、
前記基板上の複数の位置にある複数のターゲット上に放射を投影するように構成された放射投影装置と、
前記ターゲットの各々から反射された放射を検出するように構成された検出器と、
あるパラメータに由来するオーバーレイエラーが前記複数の位置に関して一定であると仮定して、前記複数のターゲットから反射された前記放射に基づいて前記オーバーレイエラーを算出するように構成されたデータ操作ユニットと
を備え、
前記オーバーレイエラーは、変位を表すパラメータTx,Ty、倍率を表すパラメータMx,My、回転を表すパラメータRx,Ry、及び非対称性に対するオーバーレイエラーの比率を表しかつ一定であると仮定したパラメータK、を使用することによって算出される、検査装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/656,004 US7619737B2 (en) | 2007-01-22 | 2007-01-22 | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
US11/656,004 | 2007-01-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177567A JP2008177567A (ja) | 2008-07-31 |
JP5288808B2 true JP5288808B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=39640854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008005272A Active JP5288808B2 (ja) | 2007-01-22 | 2008-01-15 | 測定方法、検査装置およびリソグラフィ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7619737B2 (ja) |
JP (1) | JP5288808B2 (ja) |
KR (1) | KR100930654B1 (ja) |
CN (1) | CN101231472B (ja) |
IL (1) | IL188767A (ja) |
TW (1) | TWI360640B (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102265220B (zh) * | 2008-12-30 | 2014-03-12 | Asml荷兰有限公司 | 确定特性的方法 |
US8502955B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a characteristic |
GB2481950B (en) * | 2009-04-14 | 2017-08-23 | Rigaku Denki Co Ltd | Surface microstructure measurement method, surface microstructure measurement data analysis method and surface microstructure measurement system. |
NL2004542A (en) * | 2009-05-11 | 2010-11-15 | Asml Netherlands Bv | Method of determining overlay error and a device manufacturing method. |
KR101257453B1 (ko) | 2009-05-12 | 2013-04-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피에 사용하는 검사 방법 |
JP2013500597A (ja) * | 2009-07-30 | 2013-01-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ用の検査方法 |
EP2392970A3 (en) * | 2010-02-19 | 2017-08-23 | ASML Netherlands BV | Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus |
RU2443998C1 (ru) * | 2010-07-14 | 2012-02-27 | Вадим Викторович Бунин | Способ измерения размеров анизотропных по форме суспендированных частиц |
JP6008851B2 (ja) | 2010-07-19 | 2016-10-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバレイ誤差を決定する方法及び装置 |
CN102929111B (zh) * | 2011-08-10 | 2016-01-20 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种显影后的光刻胶层的对准检测方法 |
NL2009294A (en) * | 2011-08-30 | 2013-03-04 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for determining an overlay error. |
CN104471484B (zh) | 2012-07-05 | 2018-02-06 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻术的量测 |
JP6169176B2 (ja) | 2012-07-23 | 2017-07-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
US9418819B2 (en) | 2013-09-06 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Asymmetrical detector design and methodology |
US9772561B2 (en) | 2015-02-13 | 2017-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor manufacturing method and tool |
CN107771271B (zh) | 2015-04-21 | 2020-11-06 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、计算机程序及光刻系统 |
CN108292108B (zh) * | 2015-11-27 | 2020-06-26 | Asml荷兰有限公司 | 计量目标、方法和设备、计算机程序和光刻系统 |
EP3575874A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
EP3702840A1 (en) * | 2019-03-01 | 2020-09-02 | ASML Netherlands B.V. | Alignment method and associated metrology device |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3617046B2 (ja) * | 1995-05-29 | 2005-02-02 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
US5703692A (en) * | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
US5880838A (en) * | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
US5963329A (en) * | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
US6429943B1 (en) * | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US6689519B2 (en) * | 2000-05-04 | 2004-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for lithography process control |
US6753961B1 (en) * | 2000-09-18 | 2004-06-22 | Therma-Wave, Inc. | Spectroscopic ellipsometer without rotating components |
IL138552A (en) * | 2000-09-19 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Measurement of transverse displacement by optical method |
US6768983B1 (en) * | 2000-11-28 | 2004-07-27 | Timbre Technologies, Inc. | System and method for real-time library generation of grating profiles |
JP2002184684A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Fujitsu Ltd | 縮小投影露光装置の位置合わせ方法 |
US6515744B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-02-04 | Therma-Wave, Inc. | Small spot ellipsometer |
WO2002065545A2 (en) | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Sensys Instruments Corporation | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US6699624B2 (en) * | 2001-02-27 | 2004-03-02 | Timbre Technologies, Inc. | Grating test patterns and methods for overlay metrology |
KR100536646B1 (ko) * | 2001-03-02 | 2005-12-14 | 액센트 옵티칼 테크놀로지스 인코포레이티드 | 산란 측정법을 이용한 라인 프로파일 비대칭 측정 |
US20020192577A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Bernard Fay | Automated overlay metrology system |
US6704661B1 (en) * | 2001-07-16 | 2004-03-09 | Therma-Wave, Inc. | Real time analysis of periodic structures on semiconductors |
US6785638B2 (en) * | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
US7061615B1 (en) * | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
US6608690B2 (en) * | 2001-12-04 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Optical profilometry of additional-material deviations in a periodic grating |
US6772084B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-08-03 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using periodic gratings |
US6813034B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US7061627B2 (en) * | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
US6721691B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-04-13 | Timbre Technologies, Inc. | Metrology hardware specification using a hardware simulator |
US6928628B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7046376B2 (en) * | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
US6919964B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-07-19 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology analysis using a finite difference method |
DE60314484T2 (de) * | 2002-11-01 | 2008-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Untersuchungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
JP4235459B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2009-03-11 | キヤノン株式会社 | アライメント方法及び装置並びに露光装置 |
US7068363B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7061623B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-06-13 | Spectel Research Corporation | Interferometric back focal plane scatterometry with Koehler illumination |
JP2005209886A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムにおける基板処理の管理方法及び基板処理システム |
JP4734261B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-07-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 連続変化するオフセットマークと、オーバレイ決定方法 |
US20050185174A1 (en) | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data |
US7791727B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7379184B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Nanometrics Incorporated | Overlay measurement target |
JP4449697B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2010-04-14 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ検査システム |
US7629697B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Marker structure and method for controlling alignment of layers of a multi-layered substrate |
US7042552B1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Alignment strategy optimization method |
US20060109463A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
US7453577B2 (en) * | 2004-12-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample |
US7315384B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method of inspection |
US7277172B2 (en) * | 2005-06-06 | 2007-10-02 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Measuring overlay and profile asymmetry using symmetric and anti-symmetric scatterometry signals |
JP4745735B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 画像入力装置及びその制御方法 |
-
2007
- 2007-01-22 US US11/656,004 patent/US7619737B2/en active Active
-
2008
- 2008-01-14 IL IL188767A patent/IL188767A/en active IP Right Grant
- 2008-01-15 JP JP2008005272A patent/JP5288808B2/ja active Active
- 2008-01-21 TW TW097102228A patent/TWI360640B/zh active
- 2008-01-22 KR KR1020080006579A patent/KR100930654B1/ko active IP Right Grant
- 2008-01-22 CN CN2008100051188A patent/CN101231472B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101231472B (zh) | 2010-11-17 |
US20080174753A1 (en) | 2008-07-24 |
IL188767A0 (en) | 2008-11-03 |
TW200840988A (en) | 2008-10-16 |
US7619737B2 (en) | 2009-11-17 |
IL188767A (en) | 2011-04-28 |
KR100930654B1 (ko) | 2009-12-09 |
KR20080069136A (ko) | 2008-07-25 |
TWI360640B (en) | 2012-03-21 |
CN101231472A (zh) | 2008-07-30 |
JP2008177567A (ja) | 2008-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5288808B2 (ja) | 測定方法、検査装置およびリソグラフィ装置 | |
KR101129332B1 (ko) | 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법 | |
TWI405046B (zh) | 評估模型之方法,檢查裝置及微影裝置 | |
KR100919000B1 (ko) | 검사 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀및 디바이스 제조방법 | |
JP4787232B2 (ja) | 測定方法、検査装置、およびリソグラフィ装置 | |
JP5016579B2 (ja) | モデルの自由及び固定パラメータの選択を支援する方法、特性を測定する方法、デバイス製造方法、分光計及びリソグラフィ装置 | |
JP4672704B2 (ja) | 基板のオーバーレイ誤差を測定する方法、基板製造方法、および検査装置 | |
JP4812712B2 (ja) | 基板の特性を測定する方法及びデバイス測定方法 | |
JP4980264B2 (ja) | 検査方法、デバイス製造方法、検査装置、基板、マスク、リソグラフィ装置、及びリソグラフィセル | |
JP4965376B2 (ja) | 基板、検査装置、検査方法、リソグラフィ装置、およびリソグラフィセル | |
TWI528016B (zh) | 量測疊對誤差的方法及器件製造方法 | |
JP5284481B2 (ja) | スキャトロメータおよびリソグラフィ装置 | |
JP2012515431A (ja) | 検査方法、検査システム、基板、およびマスク | |
JP2009002931A (ja) | 計測ツールのキャリブレーションに使用する基板を形成する方法、キャリブレーション基板および計測ツールをキャリブレーションする方法 | |
JP4875685B2 (ja) | ターゲットパターンのパラメータを割り出す方法、ライブラリを生成する方法、検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィセル、及びコンピュータプログラム | |
JP2008139303A (ja) | 検査方法、検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、およびデバイス製造方法 | |
KR20110015624A (ko) | 리소그래피용 검사 장치 | |
JP2009081436A (ja) | オーバレイエラーの測定方法、検査装置及びリソグラフィ装置 | |
US20110028004A1 (en) | Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method | |
JP5525547B2 (ja) | 特性を求める方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5288808 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |