JP6169176B2 - 検査方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2012年7月23日出願の米国仮出願第61/674,505号、及び2012年11月27日出願の米国仮出願第61/730,474号の利益を主張し、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
の推定値は同等である。
の共分散は同等である。この作業で、例えば、仮定
Claims (19)
- 基板上に形成されたパターンのプロファイルパラメータの値を決定する検査方法であって、
(a)第1のパターンターゲットを備える基板を支持するステップと、
(b)前記第1のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のパターン信号を得るステップと、
(c)第2のパターンターゲットを備える基板を支持するステップと、
(d)前記第2のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のパターン信号を得るステップと、
(e)前記第1のパターン信号と前記第2のパターン信号との差分を用いて差分パターンプロファイルパラメータの値を計算するステップと、を含み、
ステップ(a)で、前記基板が第1のスタックターゲットをさらに備え、ステップ(c)で、前記基板が第2のスタックターゲットをさらに備え、前記方法が、
(b’)前記第1のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のスタック信号を得るステップと、
(d’)前記第2のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のスタック信号を得るステップと、をさらに含み、
ステップ(e)が、前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との差分をさらに使用し、それによって、前記パターンターゲットの下にあるスタック間の変動の影響を低減する、方法。 - 差分パターンプロファイルパラメータの値を算出するステップ(e)が、正規化コスト関数を使用する、請求項1に記載の方法。
- 前記コスト関数が、ベイズ差分コスト関数である、請求項2に記載の方法。
- 差分パターンプロファイルパラメータの値を算出するステップ(e)が、パターンプロファイルパラメータへのパターン信号の依存性に関する所定の情報をさらに使用する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のパターンターゲットを担持する前記基板が、前記第2のパターンターゲットを有する前記基板と同じである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- ステップ(e)が、それらが形成されたときに前記第1及び第2のパターンターゲットの間に導入された差分に関する情報を使用する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- ステップ(e)が、
(e1)前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との前記差分と、スタックパラメータへのスタック信号の依存性に関する所定の情報と、を用いて差分スタックパラメータの値を計算するステップと、
(e2)差分パターンプロファイルパラメータの値を算出する際に差分スタックパラメータの前記計算値を使用するステップと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 差分スタックパラメータの値を計算する前記ステップが、ベイズ差分コスト関数を使用する、請求項7に記載の方法。
- ステップ(e1)で算出された値が、差分パターンプロファイルパラメータの値を算出するステップ(e2)内で一定に保たれる、請求項7又は8に記載の方法。
- 基板パターンのプロファイルパラメータの値を決定する検査装置であって、
基板の支持体と、
前記基板上の1つ以上のパターンターゲットを照明し、散乱放射線を検出して対応するパターン信号を得る光学系と、
前記光学系を用いて第1のパターンターゲットから検出された第1のパターン信号と、前記光学系を用いて第2のパターンターゲットから検出された第2のパターン信号と、の差分を用いて差分パターンプロファイルパラメータの値を計算するプロセッサと、を備え、
前記光学系が、第1のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のスタック信号を得、第2のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のスタック信号を得るように動作可能であり、
前記プロセッサが、さらに、前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との差分を前記計算で使用し、それによって、前記パターンターゲットの下にあるスタック間の変動の影響を低減する、検査装置。
- 前記プロセッサが、パターンプロファイルパラメータへのパターン信号の依存性に関する所定の情報を前記計算でさらに使用する、請求項10に記載の装置。
- 前記プロセッサが、それらが形成されたときに前記第1及び第2のパターンターゲットの間に導入された差分に関する情報を前記計算でさらに使用する、請求項10又は11に記載の装置。
- 前記プロセッサが、前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との差分と、スタックパラメータへのスタック信号の依存性に関する所定の情報と、を用いて差分スタックパラメータの値を計算し、さらに、差分スタックパラメータの値を計算する際に差分スタックパラメータの前記計算値を使用する、請求項10に記載の装置。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法のステップ(e)をプロセッサに実行させるマシン可読命令を含む、コンピュータプログラム。
- パターンを照明する照明光学系と、前記パターン像を基板上に投影する投影光学系と、請求項10〜13のいずれか1項に記載の検査装置と、有するリソグラフィ装置を備え、
前記リソグラフィ装置が、前記パターンを別の基板に印加する際に前記検査装置からの前記測定結果を使用する、
リソグラフィシステム。 - デバイスパターンがリソグラフィプロセスを使用して一連の基板に印加されるデバイス製造方法であって、前記方法が、
請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法を用いて前記基板の少なくとも1つの上に前記デバイスパターンの一部として、又はその脇に形成された少なくとも1つの周期的構造を検査することと、
前記方法の結果に従って、以降の基板のために前記リソグラフィプロセスを制御することと、
を含む、方法。 - コンピュータデバイスによって実行されると、前記コンピュータデバイスに、
(a)第1のパターンターゲットを備える第1の基板を支持するステップと、
(b)前記第1のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のパターン信号を得るステップと、
(c)第2のパターンターゲットを備える第2の基板を支持するステップと、
(d)前記第2のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のパターン信号を得るステップと、
(e)前記第1のパターン信号と前記第2のパターン信号との差分を用いて差分パターンプロファイルパラメータの値を計算するステップと、
を含む動作を実行させるコンピュータ実行可能命令を記憶した、コンピュータ可読記憶デバイスであって、
ステップ(a)で、前記基板が第1のスタックターゲットをさらに備え、ステップ(c)で、前記基板が第2のスタックターゲットをさらに備え、前記動作が、
(b’)前記第1のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のスタック信号を得るステップと、
(d’)前記第2のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のスタック信号を得るステップと、をさらに含み、
ステップ(e)が、前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との差分をさらに使用し、それによって、前記パターンターゲットの下にあるスタック間の変動の影響を低減する、コンピュータ可読記憶デバイス。 - パターンを照明する照明光学系と、
パターン像を基板上に投影する投影光学系と、
基板の支持体と、前記基板上の1つ以上のパターンターゲットを照明し散乱放射線を検出して対応するパターン信号を得る光学系と、前記光学系を用いて第1のパターンターゲットから検出された第1のパターン信号と前記光学系を用いて第2のパターンターゲットから検出された第2のパターン信号との差分を用いて差分パターンプロファイルパラメータの値を計算するプロセッサと、を有する検査装置と、
を備えるリソグラフィ装置を含み、
前記リソグラフィ装置が、前記パターンを別の基板に印加する際に前記検査装置からの測定結果を使用する、リソグラフィシステムであって、
前記検査装置の前記光学系が、第1のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のスタック信号を得、第2のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のスタック信号を得るように動作可能であり、
前記検査装置の前記プロセッサが、さらに、前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との差分を前記計算で使用し、それによって、前記パターンターゲットの下にあるスタック間の変動の影響を低減する、リソグラフィシステム。
- デバイスパターンがリソグラフィプロセスを使用して一連の基板に印加されるデバイス製造方法であって、前記方法が、
(a)第1のパターンターゲットを備える第1の基板を支持するステップと、
(b)第1のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のパターン信号を得るステップと、
(c)第2のパターンターゲットを備える第2の基板を支持するステップと、
(d)第2のパターンターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のパターン信号を得るステップと、
(e)第1のパターン信号と第2のパターン信号との差分を用いて差分パターンプロファイルパラメータの値を計算するステップと、
を備える検査方法を用いて前記基板の少なくとも1つの上に前記デバイスパターンの一部として、又はその脇に形成された少なくとも1つの周期的構造を検査するステップと、
前記検査方法の結果に従って、以降の基板のために前記リソグラフィプロセスを制御するステップと、を含み、
ステップ(a)で、前記基板が第1のスタックターゲットをさらに備え、ステップ(c)で、前記基板が第2のスタックターゲットをさらに備え、前記検査方法が、
(b’)前記第1のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第1のスタック信号を得るステップと、
(d’)前記第2のスタックターゲットを放射線で照明し、散乱放射線を検出して第2のスタック信号を得るステップと、をさらに含み、
ステップ(e)が、前記第1のスタック信号と前記第2のスタック信号との差分をさらに使用し、それによって、前記パターンターゲットの下にあるスタック間の変動の影響を低減する、方法。
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