KR20090013733A - 검사 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

리소그래피 공정에서의 타겟 패턴의 구조체 파라미터를 결정하는 방법에서, 기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들이 계산된다. 각각의 계산된 스펙트럼들에 대해 스펙트럼 분석이 수행되며, 스펙트럼 성분들 및 연계된 가중치가 도출되고 라이브러리 내에 저장되거나, 반복 탐색 방법의 기초로서 사용된다. 타겟 패턴으로부터 스펙트럼이 측정되고, 측정된 스펙트럼의 스펙트럼 분석이 수행된다. 주 성분들의 도출된 가중 인자들은 구조체 파라미터를 결정하기 위해 측정된 스펙트럼의 가중 인자들과 비교된다.

Description

검사 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 디바이스 제조 방법{INSPECTION METHOD AND APPARATUS, LITHOGRAPHIC APPARATUS, LITHOGRAPHIC PROCESSING CELL AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 예를 들어 리소그래피 기술에 의한 디바이스의 제조시에 이용가능한 검사 방법 및 리소그래피 기술을 이용하여 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟 부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 공정을 모니터링(monitor)하기 위해, 통상적으로 패터닝된 기판의 1 이상의 파라미터, 예를 들어 기판 내에 또는 기판 상에 형성된 연속층들 간의 오버레이 오차가 측정된다. 리소그래피 공정시 형성된 미세한 구조체들의 측정을 수행하기 위해, 스캐닝 전자 현미경 및 다양한 특수 툴들을 포함한 다양한 기술들이 존재한다. 특수 검사 툴의 한가지 형태는, 기판의 표면 상의 타겟부 상으로 방사선 빔이 지향되고 분산(scatter)되거나 반사된 빔의 1 이상의 특성이 측정되는 스케터로미터(scatterometer)이다. 상기 빔이 기판에 의해 반사되거나 분산된 전후에 상기 빔의 1 이상의 특성을 비교함으로써, 기판의 1 이상의 특성이 결정될 수 있다. 이는, 예를 들어 반사된 빔을 기판의 모델을 이용하여 계산된 이론적인 반사 빔과 비교하고, 측정되고 계산된 반사 빔들 간의 최적 피트(best fit)를 제공하는 모델을 탐색함으로써 수행될 수 있다. 전형적으로, 파라미터화된 일반적 모델이 사용되며, 최적 매칭이 얻어질 때까지 모델의 파라미터들, 예를 들어 기판 패턴의 폭, 높이 및 측벽 각도가 변한다. 스케터로미터의 2 가지 주 형태가 알려져 있다. 분광 스케터로미터(spectroscopic scatterometer)는 기판 상으로 광대역 방사선 빔 을 지향하고, 특정한 좁은 각도 범위(particular narrow angular range)로 분산되는 방사선의 스펙트럼(파장의 함수로서 세기)을 측정한다. 각도 분해된 스케터로미터(angularly resolved scatterometer)는 단색 방사선 빔(monochromatic radiation beam)을 사용하고, 각도의 함수로서 분산된 방사선의 세기[또는 엘립소미터 구성(ellipsometric configuration)의 경우, 위상 차 및 세기 비]를 측정한다. 대안적으로, 상이한 파장들의 측정 신호들은 개별적으로 측정되고 분석 단계에서 조합될 수 있다. 동일한 기판으로부터 1 이상의 스펙트럼을 생성하기 위해, 편광 방사선(polarized radiation)이 사용될 수 있다.
기판의 1 이상의 파라미터를 결정하기 위해, 전형적으로 기판의 모델로부터 생성되는 이론적인 스펙트럼과 파장(분광 스케터로미터) 또는 각도(각도 분해된 스케터로미터)의 함수로서 반사된 빔에 의해 생성되는 측정된 스펙트럼 사이에서 최적 매칭이 발견된다. 최적 매칭을 발견하기 위해, 기본적으로 2 가지 방법이 존재하며, 이는 조합될 수 있다. 제 1 방법은 반복 탐색 방법(iterative search method)이며, 이 경우 모델 파라미터들의 제 1 세트가 제 1 스펙트럼을 계산하는데 사용되고, 측정된 스펙트럼과 비교된다. 그 후, 모델 파라미터들의 제 2 세트가 선택되고, 제 2 스펙트럼이 계산되며, 제 2 스펙트럼은 측정된 스펙트럼과 비교된다. 이 단계들은 최적 매칭 스펙트럼을 제공하는 파라미터들의 세트를 발견하기 위해 반복된다. 전형적으로, 비교로부터의 정보는 파라미터들의 후속 세트의 선택을 이끄는데 사용된다. 이 방법은 반복 탐색 기술로서 알려져 있다. 최적 매칭을 제공하는 파라미터들의 세트를 갖는 모델이 측정된 기판의 최적 설명인 것으로 간주된다.
제 2 방법은 스펙트럼들의 라이브러리(library)를 구성하는 것으로, 각각의 스펙트럼은 모델 파라미터들의 특정한 세트에 대응한다. 전형적으로, 모델 파라미터들의 세트들은 기판 특성들의 모든 또는 거의 모든 가능한 변동들을 덮도록 선택된다. 측정된 스펙트럼은 라이브러리 내의 스펙트럼들에 비교된다. 반복 탐색 방법과 유사하게, 최적 매칭을 제공하는 스펙트럼에 대응하는 파라미터들의 세트를 갖는 모델이 측정된 기판의 최적 설명인 것으로 간주된다. 이 라이브러리 탐색 기술에서 파라미터들의 최적 세트를 더 정확히 결정하기 위해, 보간 기술(interpolation technique)들이 사용될 수 있다.
두 방법들에서, 저장된 스펙트럼들과 측정된 스펙트럼 간에 정확한 매칭을 가능하게 하기 위해, 계산되는 스펙트럼 내에서 충분한 데이터 지점들(파장들 및/또는 각도들), 전형적으로 각각의 스펙트럼에 대해 80 내지 800의 데이터 지점들 또는 그 이상이 사용되어야 한다. 반복 방법을 이용하면, 각각의 파라미터 값에 대한 각각의 반복이 80 이상의 데이터 지점들에서의 계산을 수반할 것이다. 여기에 올바른 프로파일 파라미터들을 얻는데 필요한 반복들의 개수가 곱해진다. 따라서, 전형적으로 300 이상의 계산들이 요구될 수 있다. 실제로, 이는 처리의 정확성과 속력 사이에서 절충하게 한다. 라이브러리 접근법에서는, 정확성과 라이브러리를 셋업(set up)하는데 필요한 시간 사이에서 유사한 절충이 존재한다.
예를 들어, 측정된 스펙트럼들이 계산된 스펙트럼들과 비교되는 리소그래피 공정의 1 이상의 공정 파라미터를 결정하는 방법을 제공하는 것이 바람직하며, 이때 스펙트럼들의 계산은 대응하는 정확성의 감소 없이 더 효율적으로 수행된다.
본 발명의 제 1 실시형태에 따르면, 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정에서의 타겟 패턴의 구조체 파라미터(structure parameter)를 결정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은:
기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하는 단계- 각각의 스펙트럼들은 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
스펙트럼 성분(spectral component)들의 공통 세트 및 가중 인자(weighting factor)들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계- 가중 인자들의 각각의 제 1 세트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
타겟 패턴 상으로 방사선 빔을 지향함으로써 생성된 타겟 스펙트럼을 측정하는 단계;
측정된 타겟 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 스펙트럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 측정된 타겟 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계;
가중 인자들의 제 1 세트의 표현(representation)과 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하는 단계; 및
타겟 패턴의 구조체 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해 상기 비교를 이용하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정의 파라미터 값을 결정하도록 구성된 검사 장치가 제공되고, 상기 장치는:
기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하도록 배치된 계산 시스템- 각각의 스펙트럼들은 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 가중 인자들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 1 분석 시스템- 가중 인자들의 각각의 제 1 세트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
기판 상의 타겟 패턴 상으로 방사선 빔을 지향하고, 스펙트럼을 측정하도록 배치된 측정 시스템;
측정된 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 스펙트럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 측정된 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 2 분석 시스템;
가중 인자들의 제 1 세트의 표현과 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하도록 배치된 비교 장치; 및
리소그래피 공정의 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해 비교 장치의 출력을 이용하도록 배치된 도출 장치(derivation arrangement)를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정에서의 타겟 패턴의 구조체 파라미터를 결정하는 방법을 구현하는 컴퓨터 프로그램이 제공되고, 상기 방법은:
기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하는 단계- 각각의 스펙트럼들은 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 가중 인자들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계- 가중 인자들의 각각의 제 1 세트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
측정된 타겟 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 스펙트럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 타겟으로부터 측정된 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계;
가중 인자들의 제 1 세트의 표현과 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하는 단계; 및
타겟 패턴의 구조체 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해 상기 비교를 이용하는 단계를 포함한다.
도 1a는 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예 시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 지지 구조체)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블 및/또는 지지 구조체가 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 및/또는 지지 구조체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 및/또는 지지 구조체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1a를 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO) 와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 2-D 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1a에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터 닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 때때로 리소셀(lithocell) 또는 리소클러스터(lithocluster)라고도 칭하는 리소그래피 셀(LC)의 일부분을 형성하며, 이는 기판 상에 1 이상의 전노광(pre-exposure) 및 후노광(post-exposure) 공정들을 수행하는 장치를 포함한다. 통상적으로, 이들은 레지스트 층들을 증착시키는 1 이상의 스핀 코터(spin coater: SC), 노광된 레지스트를 현상하는 1 이상의 디벨로퍼(developer: DE), 1 이상의 칠 플레이트(chill plate: CH) 및 1 이상의 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)은 입력/출력 포트들(I/O1, I/O2)로부터 기판들을 집어올리고, 상기 기판들을 상이한 공정 디바이스들 사이로 이동시키며, 상기 기판들을 리소그래피 장치 의 로딩 베이(loading bay: LB)로 전달한다. 흔히, 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 디바이스들은 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어하는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.
리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 올바르고 일관성있게(consistently) 노광되기 위해서는, 후속한 층들 간의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 1 이상의 특성들을 측정하도록 노광된 기판을 검사하는 것이 바람직하다. 오차가 검출되는 경우, 특히 검사가 동일한 뱃치(batch)의 다른 기판이 여전히 노광되도록 충분히 빠르게 행해질 수 있는 경우, 1 이상의 후속한 기판들의 노광에 대해 조정이 수행될 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판은 벗겨져서(strip), (산출량을 개선하도록) 재가공(rework)되거나 결점이 있다고 알려진 기판 상에 노광을 수행하는 것을 회피하도록 버려질 수 있다. 기판의 몇몇 타겟부들에만 결점이 있는 경우, 양호한 타겟부들 상에만 또 다른 노광이 수행될 수 있다. 또 다른 가능성은 오차를 보상하도록 후속 공정 단계의 세팅을 순응시키는 것으로, 예를 들어 리소그래피 공정 단계로부터 발생한 기판-대-기판 CD 변동을 보상하기 위해 트림 에칭 단계(trim etch step)의 시간이 조정될 수 있다.
검사 장치는 기판의 1 이상의 특성을 결정하는데 사용되며, 특히 상이한 기판들 또는 동일한 기판의 상이한 층들의 1 이상의 특성이 층에서 층으로 및/또는 기판에 걸쳐 어떻게 변하는지를 결정하는데 사용된다. 검사 장치는 리소그래피 장 치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합될 수 있으며, 또는 독립형 디바이스(stand-alone device)일 수 있다. 가장 신속한 측정들을 가능하게 하기 위해, 검사 장치는 노광 직후에 노광된 레지스트 층에서 1 이상의 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 하지만, 레지스트 내의 잠상(latent image)은 매우 낮은 콘트라스트(contrast)를 갖고 - 방사선에 노광된 레지스트의 부분과 노광되지 않은 레지스트의 부분 간의 굴절률에 있어서 매우 작은 차이만 존재하고 - 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정들을 수행하기에 충분한 감도를 갖는 것은 아니다. 그러므로, 측정들은 통상적으로 노광된 기판 상에서 수행되는 제 1 단계이고, 레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 콘트라스트를 증가시키는 후노광 베이크 단계(PEB) 이후에 수행될 수 있다. 이 단계에서, 레지스트 내의 이미지는 반-잠재(semi-latent)라고 칭해질 수 있다. 또한, 현상된 레지스트 이미지의 측정들을 수행하는 것이 가능하고 - 이때, 레지스트의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분 중 하나는 제거되었음 -, 또는 에칭과 같은 패턴 전사 단계 이후에 수행하는 것이 가능하다. 후자의 가능성은 결점이 있는 기판의 재가공에 대한 가능성을 제한하지만, 예를 들어 공정 제어를 위해 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스케터로미터(SM1)를 도시한다. 그것은 기판(6) 상으로 방사선을 투영하는 광대역(백색 광) 방사선 투영기(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 정반사된 방사선(specular reflected radiation)의 스펙트럼(10)을 측정(즉, 파장의 함수로서 세기의 측정)하는 분광계 검출기(spectrometer detector: 4)로 통과된다. 이 데이터로부터, 검출된 스펙트럼에 의해 생성된 프로 파일 또는 구조체는, 예를 들어 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비-선형 회귀(non-linear regression)에 의해, 또는 도 2의 저부에 나타낸 바와 같은 시뮬레이션된 스펙트럼들의 라이브러리와 비교함으로써, 처리 유닛(PU)에 의해 재구성될 수 있다. 일반적으로, 재구성을 위해 상기 구조체의 일반적인 형태가 공지되며, 상기 구조체가 만들어진 공정의 정보(knowledge)로부터 몇몇 파라미터들이 가정되어, 스케터로메트리 데이터로부터 결정될 구조체의 몇몇 파라미터들만이 남게 된다. 이러한 스케터로미터는 수직-입사 스케터로미터 또는 경사-입사 스케터로미터로서 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 스케터로미터(SM2)가 도 3에 도시된다. 이 디바이스에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)를 이용하여 간섭 필터(interference filter: 13) 및 편광기(17)를 통해 포커스되고, 부분 반사면(partially reflective surface: 16)에 의해 반사되며, 바람직하게는 0.9 이상 또는 0.95 이상인 높은 개구수(NA)를 갖는 현미경 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상으로 포커스된다. 침지 스케터로미터는, 심지어 개구수가 1이 넘는 렌즈를 구비할 수도 있다. 그 후, 반사된 방사선은 산란 스펙트럼(scatter spectrum)이 검출되게 하기 위해서, 부분 반사면(16)을 통해 검출기(18)로 전달된다. 검출기는 렌즈(15)의 초점 길이에 존재하는 역 투영(back-projected)된 퓨필 평면(11) 내에 위치될 수 있지만, 퓨필 평면은 그 대신에 보조 광학기(도시되지 않음)를 이용하여 검출기(18) 상에 재-이미징(re-image)될 수도 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 방사 위치(radial position)가 입사각을 정의하고 각도 위치가 방사선의 방위각(azimuth angle)을 정의하는 평면이다. 검출기는 기판 타겟의 2-차원 각도 산란 스펙트럼(즉, 산란각의 함수로서 세기의 측정)이 측정될 수 있도록 2-차원 검출기인 것이 바람직하다. 검출기(18)는, 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서들의 어레이일 수 있으며, 예를 들어 프레임당 40 밀리초(millisecond)의 통합 시간(integration time)을 가질 수 있다.
예를 들어, 입사 방사선의 세기를 측정하기 위해 기준 빔이 흔히 사용된다. 이를 위해, 방사선 빔이 부분 반사면(16) 상에 입사하는 경우, 그 일부분이 상기 표면을 통해 기준 빔으로서 기준 거울(14)을 향하여 전달된다. 그 후, 기준 빔은 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상으로 투영된다.
가령 405 내지 790 nm의 범위, 또는 200 내지 300 nm와 같이 훨씬 낮은 범위에 해당하는 파장을 선택하기 위해, 1 이상의 간섭 필터(13)가 이용될 수 있다. 간섭 필터(들)는 상이한 필터들의 일 세트를 포함하기보다는 튜닝가능(tunable)할 수 있다. 1 이상의 간섭 필터들 대신에, 또는 그에 추가하여 격자가 사용될 수도 있다.
검출기(18)는 단파장(또는 협파장 범위)에서의 산란 방사선(scattered radiation)의 세기, 다수 파장들에서의 별도 세기, 또는 파장 범위에 걸쳐 통합된 세기를 측정할 수 있다. 또한, 검출기는 횡자기(transverse magnetic: TM)-편광 및 횡전기(transverse electric: TE)-편광 방사선의 세기, 및/또는 횡자기-편광 및 횡전기-편광 방사선 간의 위상차를 별도로 측정할 수 있다.
광대역 방사선 소스(2)(즉, 방사선 주파수들 또는 파장들 - 및 이에 따른 컬 러들의 광범위한 방사선 소스)를 이용할 수 있으며, 이는 넓은 너비(etendue)를 제공하여 다수 파장들의 혼합(mixing)을 허용한다. 광대역에서의 복수의 파장들은, δλ의 대역폭 및 2δλ(즉, 파장 대역폭의 두 배) 이상의 간격을 각각 갖는 것이 바람직하다. 방사선의 수 개의 "소스"들은, 예를 들어 섬유 다발(fiber bundle)을 이용하여 분할(split)되었던 연장된 방사선 소스의 상이한 부분들일 수 있다. 이러한 방식으로, 각도 분해된 산란 스펙트럼들(angle resolved scatter spectra)이 다수 파장들에서 병렬로(in parallel) 측정될 수 있다. 2-D 스펙트럼보다 더 많은 정보를 포함하는 3-D 스펙트럼(파장 및 2 개의 상이한 각도들)이 측정될 수 있다. 이는 메트롤로지 프로세스 견고성(metrology process robustness)을 증가시키는 더 많은 정보가 측정되게 한다. 이는 U.S. 특허 출원 공개공보 US 2006-0066855호에서 더 상세히 설명되며, 이는 그 전문이 본 명세서에서 인용참조된다.
앞서 설명된 여하한의 스케터로미터들에서, 기판(W) 상의 타겟은 현상 이후에 바아(bar)들이 실선의 레지스트 라인들로 형성되도록 프린트되는 격자일 수 있다. 대안적으로, 상기 바아들은 기판 안으로 에칭될 수 있다. 타겟 패턴은 리소그래피 투영 장치 내의 색수차(chromatic aberration), 포커스, 도즈, 오버레이 등과 같은 파라미터에 민감하게 선택되어, 관련 파라미터의 변동이 프린트된 타겟의 변동으로서 나타날 것이다. 예를 들어, 타겟 패턴은 리소그래피 투영 장치, 특히 투영 시스템(PL) 내의 색수차에 민감할 수 있으며, 이러한 수차들의 존재 및 조명 대칭성은 프린트된 타겟 패턴의 변동에 수차들을 나타낼 것이다. 따라서, 프린트된 타겟 패턴의 스케터로메트리 데이터가 상기 타겟 패턴을 재구성하는데 사용된다. 프린팅 단계 및/또는 다른 스케터로메트리 공정들의 정보로부터, 라인 폭 및 형상과 같은 타겟 패턴의 파라미터들이 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 공정에 입력될 수 있다.
제 1 실시예
설명될 제 1 실시예에서는, 측정된 스펙트럼의 구조체 파라미터들의 값들을 확인하기 위해 반복 탐색 방법이 사용된다. 도 4에 나타낸 개요(overview)에서 도시된 바와 같이, 셋업 절차에서 샘플링 지점들의 선택된 세트에서의 모델링된 스펙트럼들의 일 세트의 주 성분들이 결정되고, 측정 절차에서 측정된 스펙트럼의 구조체 파라미터들의 값들을 확인하기 위해 반복 절차의 기초로서 주 성분 계수들이 사용된다.
또한, 이제 도 5를 참조하면, 셋업 절차가 더 상세히 도시된다. 단계 S51에서, 모델링될 스펙트럼의 기초를 형성하기 위해 다수의 프로파일 파라미터들이 선택된다. 이러한 파라미터들의 예시들은 아래 놓인 층들의 두께와 함께 타겟의 라인 폭, 라인 높이, 측벽 각도, 및 도 2에 나타낸 방사선 빔(2)과 상호작용하는 재료들의 광학 상수(optical constant)들이다. 또한, 성긴 메시(coarse mesh) 파라미터 공간을 형성하는 각각의 파라미터의 값들이 선택된다. 상기 값들은 규칙적인 메시를 형성할 수 있지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 방법이 규칙적인 메시의 형성에 제한되지는 않는다.
이제 단계 S52를 참조하면, RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)와 같은 회절 모델링 알고리즘(diffraction modeling algorithm)을 이용하여 성긴 메시 파라미터 공간에 기초한 스펙트럼들의 일 세트가 계산된다. 이 알고리즘은 사용되는 재료들의 광학 특성들의 정보를 사용하며, 이는 값들이 추정된다는 것을 의미할 수 있다. 스펙트럼들을 정확히 설명하기 위해, 상이한 스펙트럼 각도들 또는 파장들에 대응하는 전형적으로 80 내지 800 개의 데이터 지점들이 각각의 스펙트럼을 설명하는데 사용된다.
단계 S53을 참조하면, 그 후 후속한 반복 절차에서 고려되는 데이터량을 감소시키기 위해 스펙트럼 분석, 바람직하게는 주 성분 분석(Principal Component Analysis)이 사용된다. 이 통계적 기술은 단계 S52에서 생성되는 계산된 스펙트럼들의 변동들에 기초하여 결정되는 스펙트럼 기초 함수들을 사용한다. 상기 기술은 세트 내의 모든 스펙트럼들이 다수의 주 성분들의 합으로서 설명될 수 있다는 원리에 의지하며, 각각의 주 성분들은 각각의 스펙트럼에 대해 주 성분 계수인 특정 가중 인자를 갖는다. 사용될 수 있는 다른 스펙트럼 분석 기술들로는 스펙트럼 스케터로미터에 대해 푸리에 분석(Fourier analysis), 또는 각도 분해된 스케터로미터에 대해 제르니케 함수들에서의 분석(breakdown in Zernike functions)을 포함한다. 주 성분 분석은 성분들에 대한 이전 가정들이 구성되지 않고, 각각의 적용에 대해 통계적 관련성의 하향 순으로 성분들이 결정된다는 장점을 갖는다. 결과적으로, 전체 스펙트럼들의 세트는 단지 제한된 수의 성분들만으로 정확하게 설명될 수 있다. 또 다른 대안예는 제한된 수의 계수들과 세트 내의 스펙트럼들 간의 관계를 결정하기 위해 뉴럴 네트워크(neural network) 기술을 이용하는 것이다.
이제 도 6을 참조하면, 기판의 스케터로메트리 스펙트럼을 측정하고, 셋업 절차에서 도출된 주 성분들을 이용하여 모델링된 스펙트럼들에 기초한 반복 절차를 이용하여 측정된 스펙트럼의 구조체 파라미터들의 값들을 확인하는 측정 절차가 도시된다.
단계 S61에서, 파장들 또는 각도들의 범위에 걸쳐 측정되는 전체 스펙트럼을 생성하기 위해, 앞서 도 2에 나타낸 기판 상으로 방사선 빔이 지향된다.
단계 S62에서, 측정된 스펙트럼의 주 성분 계수들을 도출하기 위해, 앞서 설명된 셋업 절차에서 도출된 것과 동일한 주 성분들을 이용한 주 성분 분석이 사용된다.
단계 S63에서, 셋업 절차에서 도출된 주 성분들에 기초하는 주 성분 계수들의 일 세트에 기초한 계산된 스펙트럼들과 측정된 스펙트럼의 주 성분 계수들 사이에서 비교가 수행된다. 그 후, 이는 성긴 메시 파라미터들에 기초한 측정된 스펙트럼의 도출된 프로파일 파라미터들의 제 1 세트를 생성한다.
단계 S64에서, 계수들의 모델링된 값들을 갖는 스펙트럼당 5 내지 20 개의 데이터 지점들을 이용하여 탐색을 개선(refine)하기 위해 파라미터 값들 간의 반복이 사용된다. 이 단계의 출력은 세밀한 메시의 계수들을 계산하고 각각의 세밀한 메시 값에 대한 비교를 수행할 필요없이, 측정된 스펙트럼에 대해 더 정확한 프로파일 파라미터들을 정의하는 것이다. 주 성분 분석의 사용은, 또 다른 처리로부터 그 스펙트럼들을 배제하도록 "범위 외의" 스펙트럼들을 검출하기 위해 저장된 계수들과 측정된 스펙트럼들에 대한 계수들의 값들 간의 차이들이 모니터링될 수 있다 는 장점을 갖는다.
계산된 스펙트럼과 측정된 스펙트럼 간의 최적 매칭을 제공하는 프로파일 파라미터들을 결정하기 위해 반복 방법이 사용되는 경우, 스펙트럼 내의 여하한의 지점들에서의 스펙트럼 값들과 이 계수들 간에 선형 관계가 존재하기 때문에, 셋업 절차에서 스팬(span)된 스펙트럼-공간에 속하는 스펙트럼을 설명하기 위해 단지 제한된 수의 계수들만이 요구된다. 그러므로, 프로파일 파라미터 값들의 각 세트에 대해, 스펙트럼의 동일한 제한된 수의 지점들만을 계산하고, 계수들을 결정하기 위해 스펙트럼들과 주 성분들 간의 선형 관계의 역을 사용하는 것이 충분하다. 그 후, 계수들 및 주 성분들은 선택된 프로파일 파라미터 값들에 대한 전체 스펙트럼을 재구성하는데 사용될 수 있다. 따라서, 주 성분들의 사용은 측정된 스펙트럼의 가장 관련된 스펙트럼 지점들만을 선택하고, 스펙트럼의 다른 덜 관련된 부분들의 쓸모있는 정보를 버릴 필요없이, 모델 계산들 내의 스펙트럼 지점들의 개수를 전형적으로 20까지 감소시킨다.
또한, 이제 도 7을 참조하면, 계산된 스펙트럼들이 본질적으로 잡음이 없다는 사실로 인해, 그것들이 제한된 수의 주 성분들에 의해 매우 정확히 설명될 수 있다. 사용될 그 주 성분들이 결정되었으면, 각각의 계산된 스펙트럼을 나타내는데 사용될 주 성분 계수들을 결정하기 위해 스펙트럼 각도 또는 파장의 모든 값들에 대한 전체 스펙트럼들을 계산할 필요가 없다. 그 대신에, 다수의 스펙트럼 각도들 또는 파장들을 선택하는 것이 충분하다. 여하한의 지점에서의 스펙트럼의 값이 제한된 수의 성분들의 선형 조합에 의해 매우 정확하게 설명될 수 있다는 것은 이미 언급되었다. 선택된 지점들의 개수가 적어도 성분들의 개수와 같은 경우, 그 선형 관계의 (의사) 역[(pseudo) inverse]이 계산될 수 있다. 사용될 이 데이터 지점들의 개수 및 위치는 피보팅(pivoting) 기술을 이용하여 최적화될 수 있다. 20 내지 40 개의 데이터 지점들에서의 스펙트럼 값들의 계산은 세트 내의 각 스펙트럼에 대한 20 개의 주 성분들의 주 성분 계수들을 결정하기에 충분할 수 있다.
도 8은 사용되는 주 성분들의 개수의 함수로서 전체 모델 스펙트럼들과 각각의 계산된 스펙트럼들 사이에서 생성되는 오차를 나타낸다. 스펙트럼이 20 개 이상의 주 성분들에 기초하는 이 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 전체 모델을 이용한 340 개의 계산된 스펙트럼들과 제한된 수의 주 성분들에 기초한 모델 간의 잔여 오차는 만족스러운 레벨로 감소된다.
제 1 실시예에서 주 성분 계수들에 기초하여 반복 프로세스가 수행되는 동안, 반복 절차는 상기 계수들에 기초하여 계산되는 스펙트럼들 상에서 일어날 수 있다는 것을 이해할 것이다.
제 2 실시예
본 발명의 제 2 및 제 3 실시예들에 따르면, 통계적 데이터 감소는 라이브러리 셋업 절차와 조합된다. 라이브러리 내에 저장될 스펙트럼들은 1 이상의 선택된 프로파일 파라미터들, 예를 들어 타겟의 라인 폭의 상이한 값들의 메시에 기초한 모델을 이용하여 계산된다. 계산된 스펙트럼들은 주 성분 분석을 이용하여 주 성분들의 세트를 도출하는데 사용된다. 스케터로메트리 스펙트럼들의 특정 적용에서, 주 성분들의 제한된 세트는 원하는 정확성으로 저장된 스펙트럼들의 세트 내의 각 스펙트럼을 설명하는데 충분하다. 전형적으로, 라이브러리 내의 각 스펙트럼은 예를 들어 제 1 실시예에서와 같이 계산된 스펙트럼들을 분석함으로써 발견되는 10 내지 20 개의 제 1 주 성분들의 선형 조합에 의해 설명될 수 있으며, 각각의 주 성분은 각각의 계수에 의해 가중된다. 이는, 단지 제한된 수의 프로파일 파라미터들만이 스펙트럼들의 계산의 변화들에 기여한다는 사실로 인한 것이다. 주 성분들의 선형 조합의 계수들은 라이브러리 내의 각각의 스펙트럼에 대해 다르다. 주 성분들은 각각의 라이브러리에 대해 특정하며, 상이한 프로파일 또는 프로파일 파라미터들의 상이한 세트에 기초하여 라이브러리에 대해 재결정되어야 한다.
도 9에 나타낸 방법의 개요에서 나타낸 제 2 실시예에서, 계산된 스펙트럼들로부터 도출된 주 성분들의 주 성분 계수들이 라이브러리 내에 저장된다. 계수들은 측정된 스펙트럼의 동일한 주 성분들의 주 성분 계수와 비교된다. 이전 구성에서와 같이 스펙트럼당 전형적으로 80 내지 수천 개의 세기 값들을 갖는 전체 스펙트럼들을 저장하는 대신에, 계산된 스펙트럼당 동일한 수의 계수들과 함께, 예를 들어 전체로서 라이브러리에 대해 제 1 실시예에 관하여 앞서 설명된 바와 같이 10 내지 20 개의 주 성분들의 세트를 저장하는 것이 충분하다.
도 10에 예시된 라이브러리 셋업 절차에서, 단계 S1001, 단계 S1002 및 단계 S1003은 도 5에 나타낸 셋업 절차의 단계 S51, 단계 S52 및 단계 S53과 동일하다. 하지만, 단계 S1004에서 세트 내의 각각의 특정 스펙트럼에 대해 연계된 주 성분 계수들과 함께 세트 내의 모든 스펙트럼들을 정의하는데 사용될 각각의 주 성분들 의 표시(indication)가 라이브러리 내에 각각의 스펙트럼들에 대해 저장된다.
도 11에 예시된 측정 절차에서, 단계 S1101 및 단계 1102는 도 6에 나타낸 측정 절차의 단계 S61 및 단계 S62와 동일하다. 하지만, 단계 1103에서 가장 가까운 매칭을 도출하여 측정된 스펙트럼에 대해 선택된 파라미터들의 값들을 도출하기 위해, 라이브러리 내에 저장된 주 성분 계수들 사이에서 탐색이 수행된다.
필요에 따라 단계 S1104에서, 인접한 프로파일 파라미터 값들을 갖는 메시 지점들 사이에서의 라이브러리 내의 계수들의 보간에 의해 파라미터들의 더 가까운 평가가 얻어질 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 계산된 스펙트럼들은 제한된 수의 주 성분들에 의해 매우 정확하게 설명될 수 있다. 사용될 그 주 성분들이 결정되었으면, 스펙트럼 값들이 계산되어야 할 다수의 스펙트럼 각도들 또는 파장들을 선택하는 것이 충분하다. 선택된 지점들의 개수가 적어도 성분들의 개수와 같은 경우, 주 성분 계수들은 선형 관계, 계수들과 이 지점들에서의 스펙트럼 값들 간의 관계의 (의사) 역을 이용하여 계산될 수 있다. 사용될 이 데이터 지점들의 개수 및 위치는 피보팅 기술을 이용하여 최적화될 수 있다. 20 내지 40 개의 데이터 지점들에서의 스펙트럼 값들의 계산은 세트 내의 각 스펙트럼에 대한 20 개의 주 성분들의 주 성분 계수들을 결정하기에 충분할 수 있다.
상기 계수들을 결정하는데 단지 제한된 수의 스펙트럼 지점들만이 사용되는 방법이 도 12에 도시된 바와 같이 세밀한 메시 상의 라이브러리를 효율적으로 생성하는데 사용될 수 있다. 먼저 단계 S1201에서, 앞서 설명된 성긴 메시를 이용하여 라이브러리가 구성된다. 그 후, 단계 S1202에서 주 성분들이 결정된다. 다음 단계 S1203은 또 다른 계산들에서 사용될 제한된 수의 스펙트럼 지점들을 결정한다. 다음 단계 S1204는 매우 세밀한 메시의 라이브러리를 생성하기 위해 추가 메시 지점들 상의 주 성분 계수들을 계산한다.
주 성분들 및 계수들의 형태의 라이브러리의 저장 크기는 전체 스펙트럼들이 저장되는 경우보다 상당히 작다는 것을 이해할 것이다. 또한, 라이브러리 내의 탐색이 더 빠르게 실행될 수 있다. 주 성분들의 특정한 특성들을 이용하여, 또 다른 최적화가 가능하다.
제 3 실시예
설명될 본 발명의 제 3 실시예는 라이브러리 탐색 방법 및 반복 탐색 방법의 조합을 사용한다. 라이브러리 셋업 절차에서 사용된 통계적 데이터 감소는 추가 스펙트럼들을 더 효율적으로 계산하는데 사용될 수 있다. 이 추가 스펙트럼들은 파라미터 값들의 더 촘촘한 메시를 생성하는데 사용될 수 있다.
제 3 실시예의 라이브러리 셋업 절차를 예시하는 도 13을 참조하면, 단계들 1301 내지 S1303은 제 2 실시예에 관한 도 10의 단계들 S1001 내지 S1003과 동일하다. 이 특정 예시에서, 라이브러리 내에 저장된 데이터는 실제 저장된 모델링된 스펙트럼들이다. 하지만, 후속한 반복 절차 동안 프로파일 파라미터들의 정확성이 도달될 수 있기 때문에, 예를 들어 더 작은 라이브러리 크기를 유도하는 5 개의 스펙트럼 성분들에 대한 계수들에 기초한 스펙트럼들을 계산하고 저장할 필요가 있다. 따라서, 단계 S1304에서 지점들을 선택하고 스펙트럼 값들과 그 지점들에서의 주 성분 계수들 간의 관계를 결정함으로써 라이브러리 크기가 감소된다. 따라서, 라이브러리는 그 선택된 지점들에서의 주 성분 계수들과 상기 값들 간의 관계만을 포함한다.
또한, 이제 도 14를 참조하면, 측정된 스펙트럼으로부터 도출된 주 성분 계수들이 저장된 주 성분 계수들과 비교되는 제 2 실시예의 측정 절차와 대조적으로, 단계 S1401에서 측정되는 실제 측정된 스펙트럼은 단계 S1402에서 모델링된 스펙트럼들의 주 성분 분석의 사용에 의해 얻어졌던 라이브러리 내에 저장된 모델링된 스펙트럼들과 비교된다. 이 절차는, 단계 S1403에서 세밀한 기초 상에서 측정된 스펙트럼의 프로파일 값들을 얻기 위해 단지 주 성분 분석 계수들을 결정하는 선택된 지점들에서의 스펙트럼 값들을 이용하여 단계 S1402에서 도출된 파라미터 값들에 기초한 반복 탐색 프로세스를 수행할 수 있음에 따라, 라이브러리 셋업 절차에서의 추가 스펙트럼들의 더 효율적인 생성의 목적을 여전히 달성된다.
조합된 라이브러리 탐색 방법 및 반복 탐색 방법의 이 예시에서, 모델링된 스펙트럼들의 데이터 표현이 라이브러리 내에 저장되는 한편, 대안적으로 또는 추가적으로 도출된 주 성분들의 데이터 표현이 제 2 실시예에서와 같이 저장될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디 스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 1 이상의 실시예들의 1 이상의 실시형태들이 적절한 1 이상의 다른 실시예의 1 이상의 실시형태들과 조합되거나 대체될 수 있다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1a는 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 1b는 리소그래피 셀 또는 클러스터를 도시하는 도면;
도 2는 제 1 스케터로미터를 도시하는 도면;
도 3은 제 2 스케터로미터를 도시하는 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 개요(overview)를 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 셋업 절차를 도시하는 도면;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 측정 절차를 도시하는 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 스펙트럼 내에서의 20 개의 계산 지점들의 선택을 도시하는 도면;
도 8은 주 성분들의 개수와, 계산된 스펙트럼들 및 주 성분들에 의해 설명된 스펙트럼들 간의 상대 오차 간의 관계를 도시하는 도면;
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 개요를 도시하는 도면;
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 모델링된 스펙트럼들을 나타내는 데이터를 생성하는데 사용되는 라이브러리 셋업 절차를 도시하는 도면;
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 측정된 스펙트럼에 대한 프로파일 파라미터들을 정의하는데 사용되는 측정 절차를 도시하는 도면;
도 12는 성긴 메시 상에서 측정된 라이브러리로부터 세밀한 메시 상의 라이브러리의 형성을 도시하는 도면;
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 모델링된 스펙트럼들을 나타내는 데이터를 생성하는데 사용되는 라이브러리 셋업 절차를 도시하는 도면; 및
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 측정된 스펙트럼에 대한 프로파일 파라미터들을 정의하는데 사용되는 측정 절차를 도시하는 도면이다.

Claims (16)

  1. 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정에서의 타겟 패턴의 구조체 파라미터(structure parameter)를 결정하는 방법에 있어서:
    기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하는 단계- 각각의 스펙트럼들은 상기 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
    스펙트럼 성분(spectral component)들의 공통 세트 및 가중 인자(weighting factor)들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 상기 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계- 가중 인자들의 각각의 제 1 세트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
    상기 타겟 패턴 상으로 방사선 빔을 지향함으로써 생성된 타겟 스펙트럼을 측정하는 단계;
    상기 측정된 타겟 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 상기 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 상기 스펙트럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 상기 측정된 타겟 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계;
    상기 가중 인자들의 제 1 세트의 표현(representation)과 상기 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하는 단계; 및
    상기 타겟 패턴의 구조체 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해 상기 비교를 이용하는 단계를 포함하여 이루어지는 구조체 파라미터 결정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 가중 인자들의 복수의 제 1 세트들은 라이브러리(library) 내에 저장되고, 상기 저장된 가중 인자들의 제 1 세트는 상기 가중 인자들의 제 2 세트와 비교되는 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가중 인자들의 제 2 세트와의 비교를 위한 가중 인자들의 또 다른 제 1 세트들이 보간(interpolation)을 이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 타겟 패턴의 구조체 파라미터에 대한 값을 도출하도록 상기 비교를 이용한 이후에, 상기 타겟 패턴의 구조체 파라미터의 또 다른 값들이 반복 프로세스(iterative process)를 이용하여 도출되는 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가중 인자들의 제 1 세트 및 상기 가중 인자들의 제 2 세트의 표현들은 각각 모델링된 스펙트럼들인 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 상기 가중 인자들의 제 1 세트들 중 하나는, 상기 가중 인자들의 제 1 세트와 상기 가중 인자들의 제 2 세트를 비교하도록 복수의 상이한 파라미터 값들을 이용하여 반복 탐색 방법의 기초로서 사용되는 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 패턴의 구조체 파라미터는 스케터로메트리 파라미터(scatterometry parameter)인 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캘리브레이션 스펙트럼들은 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)를이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스펙트럼 분석은 주 성분 분석(Principal Component Analysis)인 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 캘리브레이션 스펙트럼들은 상기 스펙트럼들의 대칭에 의해 결정된 제한된 수의 지점들에 걸쳐 계산되는 것을 특징으로 하는 구조체 파라미터 결정 방법.
  11. 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정의 파라미터 값을 결정하도록 구성된 검사 장치에 있어서:
    기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하도록 배치된 계산 시스템- 각각의 스펙트럼들은 상기 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
    스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 가중 인자들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 상기 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 1 분석 시스템- 가중 인자들의 각각의 제 1 세트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
    상기 기판 상의 타겟 패턴 상으로 방사선 빔을 지향하고, 상기 스펙트럼을 측정하도록 배치된 측정 시스템;
    상기 측정된 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 상기 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 상기 스펙트 럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 상기 측정된 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 2 분석 시스템;
    상기 가중 인자들의 제 1 세트의 표현과 상기 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하도록 배치된 비교 장치; 및
    상기 리소그래피 공정의 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해, 상기 비교 장치의 출력을 이용하도록 배치된 도출 장치(derivation arrangement)를 포함하여 이루어지는 검사 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    각각의 계산된 스펙트럼들을 나타내는 상기 스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 연계된 가중 인자들의 표현을 저장하도록 배치된 메모리를 포함하고, 상기 비교 장치는 상기 저장된 표현과 상기 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 가중 인자들의 제 1 세트와 상기 가중 인자들의 제 2 세트를 비교하도록 복수의 상이한 파라미터 값들을 이용하여 반복 탐색 방법의 기초로서 상기 가중 인자들의 제 1 세트들 중 하나를 사용하도록 배치된 반복 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.
  14. 리소그래피 장치에 있어서:
    패턴을 조명하도록 배치된 조명 광학 시스템;
    기판 상에 패턴의 이미지를 투영하도록 배치된 투영 광학 시스템; 및
    상기 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정의 파라미터 값을 결정하도록 구성된 검사 장치를 포함하고, 상기 장치는:
    기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하도록 배치된 계산 시스템- 각각의 스펙트럼들은 상기 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
    스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 가중 인자들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 상기 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 1 분석 시스템- 가중 인자들의 각각의 제 1 세트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
    상기 기판 상의 타겟 패턴 상으로 방사선 빔을 지향하고, 상기 스펙트럼을 측정하도록 배치된 측정 시스템;
    상기 측정된 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 상기 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 상기 스펙트럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 상기 측정된 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 2 분석 시스템;
    상기 가중 인자들의 제 1 세트의 표현과 상기 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하도록 배치된 비교 장치; 및
    상기 리소그래피 공정의 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해, 상기 비교 장치의 출력을 이용하도록 배치된 도출 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 리소그래피 셀에 있어서:
    기판을 방사선 감응재 층으로 코팅하도록 배치된 코터(coater);
    상기 코터에 의해 코팅된 상기 기판의 방사선 감응재 층 상에 이미지를 노광하도록 배치된 리소그래피 장치;
    상기 리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지를 현상하도록 배치된 디벨로퍼(developer); 및
    상기 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정의 파라미터 값을 결정하도록 구성된 검사 장치를 포함하고, 상기 장치는:
    기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하도록 배치된 계산 시스템- 각각의 스펙트럼들은 상기 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
    스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 가중 인자들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 상기 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 1 분석 시스템- 가중 인자들의 각각의 제 1 세트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
    상기 기판 상의 타겟 패턴 상으로 방사선 빔을 지향하고, 상기 스펙트 럼을 측정하도록 배치된 측정 시스템;
    상기 측정된 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 상기 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 상기 스펙트럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 상기 측정된 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하도록 배치된 제 2 분석 시스템;
    상기 가중 인자들의 제 1 세트의 표현과 상기 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하도록 배치된 비교 장치; 및
    상기 리소그래피 공정의 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해, 상기 비교 장치의 출력을 이용하도록 배치된 도출 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 셀.
  16. 기판 상에 디바이스 층을 제조하는데 사용되는 리소그래피 공정에서의 타겟 패턴의 구조체 파라미터를 결정하는 방법을 구현하는 컴퓨터 프로그램에 있어서,
    상기 방법은:
    기준 패턴으로부터 일련의 캘리브레이션 스펙트럼들을 계산하는 단계- 각각의 스펙트럼들은 상기 기준 패턴의 구조체 파라미터의 상이한 알려진 값을 이용하여 계산됨 -;
    스펙트럼 성분들의 공통 세트 및 가중 인자들의 복수의 제 1 세트들을 얻기 위해, 상기 스펙트럼들의 선택된 수의 지점들에 대해 각각의 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계- 가중 인자들의 각각의 제 1 세 트는 하나의 계산된 스펙트럼을 나타냄 -;
    상기 측정된 스펙트럼을 나타내는 가중 인자들의 제 2 세트를 얻기 위해, 상기 계산된 캘리브레이션 스펙트럼들의 스펙트럼 분석으로부터 얻어진 스펙트럼 성분들의 공통 세트를 이용하여 타겟으로부터 측정된 스펙트럼에 대한 스펙트럼 분석을 수행하는 단계;
    상기 가중 인자들의 제 1 세트의 표현과 상기 가중 인자들의 제 2 세트의 표현을 비교하는 단계; 및
    상기 타겟 패턴의 구조체 파라미터에 대한 값을 도출하기 위해 상기 비교를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램.
KR1020080075692A 2007-08-02 2008-08-01 검사 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀및 디바이스 제조 방법 KR100985179B1 (ko)

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