JP4896092B2 - 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
基準パターンから一連の較正スペクトルを計算し、各スペクトルが基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算されるステップと、
共通セットのスペクトル成分、および各々が計算された1つのスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を取得するために、選択された数のスペクトルポイントについて、計算された各較正スペクトルのスペクトル分析を行うステップと、
放射ビームをターゲットパターンに向けることによって生成されるターゲットスペクトルを測定するステップと、
測定されたターゲットスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、計算された較正スペクトルのスペクトル分析によって得られた共通セットのスペクトル成分を使用して測定されたターゲットスペクトルのスペクトル分析を行うステップと、
第1セットの重み係数の表現と、第2セットの重み係数の表現とを比較するステップと、
比較を利用してターゲットパターンの構造パラメータの値を導出するステップと、を含む方法が提供される。
基準パターンから一連の較正スペクトルを計算し、各スペクトルが基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算される計算システムと、
共通セットのスペクトル成分、および各々が計算された1つのスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を取得するために、選択された数のスペクトルポイントについて、計算された各較正スペクトルのスペクトル分析を行う第1の分析システムと、
放射ビームを基板上のターゲットパターンに向け、かつスペクトルを測定する測定システムと、
測定されたスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、計算された較正スペクトルのスペクトル分析によって得られた共通セットのスペクトル成分を使用して測定されたスペクトルのスペクトル分析を行う第2の分析システムと、
第1セットの重み係数の表現と、第2セットの重み係数の表現とを比較する比較装置と、
比較装置の出力を利用してリソグラフィプロセスのパラメータの値を導出する導出装置と、を備える検査装置が提供される。
基準パターンから一連の較正スペクトルを計算し、各スペクトルが基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算されるステップと、
共通セットのスペクトル成分、および各々が計算された1つのスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を取得するために、選択された数のスペクトルポイントについて、計算された各較正スペクトルのスペクトル分析を行うステップと、
ターゲットから測定されたスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、計算された較正スペクトルのスペクトル分析によって得られた共通セットのスペクトル成分を使用して測定されたスペクトルのスペクトル分析を行うステップと、
第1セットの重み係数の表現と、第2セットの重み係数の表現とを比較するステップと、
比較を利用してターゲットパターンの構造パラメータの値を導出するステップと、を含むコンピュータプログラムが提供される。
−放射ビームB(例えば紫外光放射または極端紫光放射)をコンディショニングするように構成された照射システム(イルミネータ)ILと、
−パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、あるパラメータに基づいてパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに連結された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
−基板(例えばレジストコートウエーハ)Wを保持するように構成され、あるパラメータに基づいて基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに連結された基板テーブル(例えばウエーハテーブル)WTと、
−パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズ系)PLと、を備えている。
[0054] 記載する第1の実施形態では、測定されるスペクトルの構造パラメータの値を特定するために反復探索法が使用される。図4に示す概要に示されるように、セットアップ手順では、選択された1セットのサンプリングポイントで1セットのモデル化されたスペクトルの主成分が決定され、測定手順では、測定されたスペクトルの構造パラメータの値を特定するため、反復手順のベースとして主成分の係数が使用される。
[0067] 本発明の第2、および第3の実施形態によって、統計データの縮小がライブラリセットアップ手順と組み合わされる。例えばターゲットの線の幅などの選択された1つまたは複数のプロファイルパラメータの異なる値のメッシュに基づくモデルを使用して、ライブラリに記憶されるべきスペクトルが計算される。計算されたスペクトルは、主成分分析を使用して1セットの主成分を導出するために使用される。スキャトロメータを使用するスペクトルの特定の用途では、記憶されたスペクトルのセット内の各スペクトルを所望の精度で描写するために、限定された主成分のセットで十分である。典型的には、ライブラリ内の各スペクトルは、例えば第1の実施形態の場合のように、計算されたスペクトルを分析することにより発見された最初の10から20の主成分の線形結合によって描写可能であり、各主成分はそれぞれの係数で重み付けされる。その理由は、限定された数のプロファイルパラメータだけがスペクトルの計算の変化の一因になるからである。主成分の線形結合の係数はライブラリ内のスペクトルごとに異なる。主成分は各ライブラリごとに特有であり、異なるプロファイルまたは異なるプロファイルパラメータのセットに基づいてライブラリごとに再決定されなければならない。
[0075] 以下に記載する本発明の第3の実施形態は、ライブラリ探索法と反復探索法との組み合わせを使用する。追加のスペクトルを極めて効率的に計算するために、ライブラリセットアップ手順で使用される統計データの縮小を利用してもよい。これらの追加のスペクトルは、パラメータ値のより稠密なメッシュを生成するために使用できる。
Claims (15)
- 基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスでターゲットパターンの構造パラメータを決定する方法であって、
基準パターンから複数のスペクトルを計算するステップであって、各スペクトルが前記基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算されるステップと、
測定されるターゲットスペクトルに関連するように選択された複数のデータポイントで、前記計算された複数のスペクトルにスペクトル分析を適用することによって、1つの計算されたスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を計算し、前記計算された複数のスペクトルからスペクトルの主成分を導出するステップと、
放射ビームを前記ターゲットパターンに向けることによって生成されるターゲットスペクトルを測定するステップと、
前記測定されたターゲットスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、前記スペクトル分析によって得られた前記スペクトルの主成分を使用して前記測定されたターゲットスペクトルのスペクトル分析を行うステップと、
前記第1セットの重み係数の表現と、前記第2セットの重み係数の表現とを比較するステップと、
前記比較を利用して前記ターゲットパターンの前記構造パラメータの値を導出するステップと、
を含む、方法。 - 前記スペクトルの主成分と前記複数の第1セットの重み係数とがライブラリに記憶され、前記記憶された第1セットの重み係数が前記第2セットの重み係数と比較される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2セットの重み係数との比較のために第1セットの重み係数が、補間法を用いて計算される、請求項2に記載の方法。
- 前記比較を利用して前記ターゲットパターンの前記構造パラメータの値を導出した後、前記ターゲットパターンの前記構造パラメータのさらなる値が反復プロセスを使用して導出される、請求項2に記載の方法。
- 前記第1セットの重み係数の表現がモデル化されたスペクトルである請求項1から4いずれか1項に記載の方法。
- 前記スペクトルの主成分と前記第1セットの重み係数のうちの1つとが、複数の異なるパラメータ値を使用して前記第1セットの重み係数と前記第2セットの重み係数とを比較する反復探索法のベースとして使用される、請求項1から5いずれか1項に記載の方法。
- 前記ターゲットパターンの前記構造パラメータがスキャトロメトリパラメータである、請求項1から6いずれか1項に記載の方法。
- 前記スペクトルが厳密結合波分析を使用して計算される、請求項1から7いずれか1項に記載の方法。
- 前記スペクトル分析が主成分分析である、請求項1から8いずれか1項に記載の方法。
- 基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスのパラメータの値を決定する検査装置であって、
基準パターンから複数のスペクトルを計算し、各スペクトルが前記基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算される計算システムと、
測定されるターゲットスペクトルに関連するように選択された複数のデータポイントで、前記計算された複数のスペクトルにスペクトル分析を適用することによって、1つの計算されたスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を計算し、前記計算された複数のスペクトルからスペクトル主成分を導出する第1の分析システムと、
放射ビームを基板上のターゲットパターンに向け、かつ前記スペクトルを測定する測定システムと、
前記測定されたスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、前記スペクトル分析によって得られた前記スペクトルの主成分を使用して前記測定されたスペクトルのスペクトル分析を行う第2の分析システムと、
前記第1セットの重み係数の表現と、前記第2セットの重み係数の表現とを比較する比較装置と、
前記比較装置の出力を利用して前記リソグラフィプロセスの前記パラメータの前記値を導出する導出装置と、
を備える、検査装置。 - 前記スペクトルの主成分の表現と、計算された各々のスペクトルを表す関連する重み係数とを記憶するように配置されたメモリを備え、前記比較装置が前記記憶された表現と前記第2セットの重み係数の前記表現とを比較するように配置された請求項10に記載の検査装置。
- 前記第1セットの重み係数と前記第2セットの重み係数とを比較するために複数の異なるパラメータ値を使用する反復探索法のベースとして、前記第1セットの重み係数の1つを使用するように配置された反復装置を備える、請求項10または11に記載の検査装置。
- パターンを照射する照射光学システムと、
基板上にパターンの画像を投影する投影光学システムと、
基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスのパラメータの値を決定する検査装置と、を備え、前記検査装置が、
基準パターンから複数のスペクトルを計算し、各スペクトルが前記基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算される計算システムと、
測定されるターゲットスペクトルに関連するように選択された複数のデータポイントで、前記計算された複数のスペクトルにスペクトル分析を適用することによって、1つの計算されたスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を計算し、前記計算された複数のスペクトルからスペクトル主成分を導出する第1の分析システムと、
放射ビームを基板上のターゲットパターンに向け、かつ前記スペクトルを測定する測定システムと、
前記測定されたスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、前記スペクトル分析によって得られた前記スペクトルの主成分を使用して前記測定されたスペクトルのスペクトル分析を行う第2の分析システムと、
前記第1セットの重み係数の表現と、前記第2セットの重み係数の表現とを比較する比較装置と、
前記比較装置の出力を利用して前記リソグラフィプロセスの前記パラメータの前記値を導出する導出装置と、
を備える、リソグラフィ装置。 - 基板を放射線感応層でコーティングするコータと、
前記コータによってコーティングされた基板の前記放射線感応層上に画像を露光するリソグラフィ装置と、
前記リソグラフィ装置によって露光された画像を現像するデベロッパーと、
基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスのパラメータの値を決定する検査装置と、
を備え、前記検査装置が、
基準パターンから複数のスペクトルを計算し、各スペクトルが前記基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算される計算システムと、
測定されるターゲットスペクトルに関連するように選択された複数のデータポイントで、前記計算された複数のスペクトルにスペクトル分析を適用することによって、1つの計算されたスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を計算し、前記計算された複数のスペクトルからスペクトル主成分を導出する第1の分析システムと、
放射ビームを基板上のターゲットパターンに向け、かつ前記スペクトルを測定する測定システムと、
前記測定されたスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、前記スペクトル分析によって得られた前記スペクトルの主成分を使用して前記測定されたスペクトルのスペクトル分析を行う第2の分析システムと、
前記第1セットの重み係数の表現と、前記第2セットの重み係数の表現とを比較する比較装置と、
前記比較装置の出力を利用して前記リソグラフィプロセスの前記パラメータの前記値を導出する導出装置と、
を備える、リソグラフィセル。 - 基板上にデバイス層を製造するために使用されるリソグラフィプロセスでターゲットパターンの構造パラメータを決定する方法を実行するためのコンピュータプログラムであって、前記方法が、
基準パターンから複数のスペクトルを計算し、各スペクトルが前記基準パターンの構造パラメータの異なる既知の値を用いて計算されるステップと、
測定されるターゲットスペクトルに関連するように選択された複数のデータポイントで、前記計算された複数のスペクトルにスペクトル分析を適用することによって、1つの計算されたスペクトルを表す複数の第1セットの重み係数を計算し、前記計算された複数のスペクトルからスペクトル主成分を導出するステップと、
ターゲットから測定されたスペクトルを表す第2セットの重み係数を取得するために、前記スペクトル分析によって得られた前記スペクトルの主成分を使用して前記測定されたスペクトルのスペクトル分析を行うステップと、
前記第1セットの重み係数の表現と、前記第2セットの重み係数の表現とを比較するステップと、
前記比較を利用して前記ターゲットパターンの前記構造パラメータの値を導出するステップと、
を含む、コンピュータプログラム。
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Families Citing this family (28)
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---|---|---|---|---|
US7444198B2 (en) * | 2006-12-15 | 2008-10-28 | Applied Materials, Inc. | Determining physical property of substrate |
US7952708B2 (en) | 2007-04-02 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | High throughput measurement system |
NL1036098A1 (nl) * | 2007-11-08 | 2009-05-11 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus lithographic, processing cell and device manufacturing method. |
NL2003497A (en) * | 2008-09-23 | 2010-03-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic system, lithographic method and device manufacturing method. |
NL2004094A (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
NL2006024A (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for estimating model parameters of and controlling a lithographic apparatus. |
NL2006700A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, computer program products for implementing such methods & apparatus. |
JP2012098181A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 検出装置及び検出方法 |
JP5751986B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2015-07-22 | キヤノン株式会社 | 画像生成装置 |
US9442063B2 (en) | 2011-06-27 | 2016-09-13 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of composition for thin films |
TWI641921B (zh) * | 2011-08-01 | 2018-11-21 | 諾發測量儀器股份有限公司 | 用以檢驗圖案化結構量測的監測系統及方法 |
US20130110477A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-02 | Stilian Pandev | Process variation-based model optimization for metrology |
US10255385B2 (en) | 2012-03-28 | 2019-04-09 | Kla-Tencor Corporation | Model optimization approach based on spectral sensitivity |
US10386729B2 (en) | 2013-06-03 | 2019-08-20 | Kla-Tencor Corporation | Dynamic removal of correlation of highly correlated parameters for optical metrology |
US10935893B2 (en) * | 2013-08-11 | 2021-03-02 | Kla-Tencor Corporation | Differential methods and apparatus for metrology of semiconductor targets |
KR102124111B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2020-06-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 산업 공정과 관련된 진단 정보를 얻는 방법 및 장치 |
WO2015073647A1 (en) | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Brooks Automation, Inc. | Sealed robot drive |
US9671218B2 (en) * | 2014-12-22 | 2017-06-06 | National Chung Shan Institute Of Science And Technology | Device and method of quick subpixel absolute positioning |
US10365225B1 (en) * | 2015-03-04 | 2019-07-30 | Kla-Tencor Corporation | Multi-location metrology |
KR102145256B1 (ko) * | 2015-04-10 | 2020-08-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 |
NL2017300A (en) | 2015-08-27 | 2017-03-01 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method |
US20170256465A1 (en) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
EP3582007A1 (en) * | 2018-06-15 | 2019-12-18 | ASML Netherlands B.V. | Determining significant relationships between parameters describing operation of an apparatus |
US11092892B2 (en) * | 2018-07-30 | 2021-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Substrate measuring device and a method of using the same |
CN111446179B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-11-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶圆测试方法及装置 |
CN113295090A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-08-24 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 一种用于比对光谱的方法和装置 |
EP4328670A1 (en) | 2022-08-23 | 2024-02-28 | ASML Netherlands B.V. | Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device |
WO2023232478A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5703692A (en) | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
US5880838A (en) | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
US5963329A (en) | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US6689519B2 (en) | 2000-05-04 | 2004-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for lithography process control |
JP2004507719A (ja) * | 2000-08-10 | 2004-03-11 | サーマ−ウェーブ・インコーポレイテッド | 回折微細構造の光学的測定のためのデータベース補間方法 |
US6753961B1 (en) | 2000-09-18 | 2004-06-22 | Therma-Wave, Inc. | Spectroscopic ellipsometer without rotating components |
IL138552A (en) | 2000-09-19 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Measurement of transverse displacement by optical method |
IL139368A (en) * | 2000-10-30 | 2006-12-10 | Nova Measuring Instr Ltd | Process control for microlithography |
US6768983B1 (en) | 2000-11-28 | 2004-07-27 | Timbre Technologies, Inc. | System and method for real-time library generation of grating profiles |
US6515744B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-02-04 | Therma-Wave, Inc. | Small spot ellipsometer |
WO2002065545A2 (en) | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Sensys Instruments Corporation | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US6699624B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-03-02 | Timbre Technologies, Inc. | Grating test patterns and methods for overlay metrology |
WO2002070985A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Accent Optical Technologies, Inc. | Line profile asymmetry measurement using scatterometry |
US6804014B1 (en) * | 2001-07-02 | 2004-10-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for determining contact opening dimensions using scatterometry |
US6704661B1 (en) | 2001-07-16 | 2004-03-09 | Therma-Wave, Inc. | Real time analysis of periodic structures on semiconductors |
US6785638B2 (en) | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
US7061615B1 (en) | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
TW569368B (en) * | 2001-11-14 | 2004-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Substrate inspecting apparatus, coating and developing apparatus, and substrate inspecting method |
US6608690B2 (en) | 2001-12-04 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Optical profilometry of additional-material deviations in a periodic grating |
US6772084B2 (en) | 2002-01-31 | 2004-08-03 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using periodic gratings |
US6813034B2 (en) | 2002-02-05 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US6609086B1 (en) | 2002-02-12 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Profile refinement for integrated circuit metrology |
US7061627B2 (en) | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
US6721691B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-04-13 | Timbre Technologies, Inc. | Metrology hardware specification using a hardware simulator |
DE10224162A1 (de) * | 2002-05-31 | 2003-12-18 | Advanced Micro Devices Inc | Streuungsmesser mit einem internen Kalibriersystem |
US6928628B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7046376B2 (en) | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
US6919964B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-07-19 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology analysis using a finite difference method |
US7148959B2 (en) | 2002-11-01 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Test pattern, inspection method, and device manufacturing method |
US7068363B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7061623B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-06-13 | Spectel Research Corporation | Interferometric back focal plane scatterometry with Koehler illumination |
DE102004004857A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-08-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Charakterisieren einer regelmäßigen Struktur |
US20050185174A1 (en) | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data |
US8773657B2 (en) * | 2004-02-23 | 2014-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US20060109463A1 (en) | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
US7453577B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample |
US7443486B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for predicting a critical dimension of a feature imaged by a lithographic apparatus |
KR101302244B1 (ko) | 2005-07-01 | 2013-09-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 및 시스템 |
US7713889B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-05-11 | Nikon Corporation | Substrate processing method, photomask manufacturing method, photomask, and device manufacturing method |
US8294907B2 (en) * | 2006-10-13 | 2012-10-23 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
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