JP5016579B2 - モデルの自由及び固定パラメータの選択を支援する方法、特性を測定する方法、デバイス製造方法、分光計及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 61
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 55
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 claims 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/255—Details, e.g. use of specially adapted sources, lighting or optical systems
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F17/00—Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
- G06F17/10—Complex mathematical operations
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Mathematical Optimization (AREA)
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- Computational Mathematics (AREA)
- Algebra (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Claims (20)
- 分光計のモデルの自由及び固定パラメータの選択を支援する方法であって、前記分光計が基板の特性を測定するように構成され、前記モデルが、少なくとも2つのパラメータを有し、前記パラメータが自由パラメータを含み、前記方法が、
前記パラメータの第一セットの値を設定するステップと、
前記モデルを使用して、前記第一セットの値から前記分光計の第一シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
前記自由パラメータとは異なる第二パラメータの値を第一所定量だけ変更して、前記パラメータの第二セットの値を形成するステップと、
前記モデルを使用して、前記第二セットの値から前記分光計の第二シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
第二モデルを使用して、前記第二シミュレーションスペクトルから前記パラメータの第三セットの値を求めるステップと
を含み、
前記第二モデルは、前記第三セットの値が、前記モデルを使用して実質的に前記第二シミュレーションスペクトルを生成し、かつ、前記第三セットのパラメータの値が、前記自由パラメータを除いて前記第一セットのパラメータの値と同じであるように構成され、
さらに、
前記パラメータの前記第三セットの値の前記自由パラメータと、前記第一セットの値の前記自由パラメータとの差を割り出すステップと、
前記差に基づいて、前記モデルの前記自由及び固定パラメータを選択するステップと
を含む、方法。 - 前記選択するステップが、前記モデルの前記自由及び固定パラメータの前記選択のために、前記差を性能指数として使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記選択するステップが、前記パラメータの前記第三セットの値の前記自由パラメータと、前記第一セットの値の前記自由パラメータとの前記差が、第二所定量より大きく異なるかを割り出すことを含み、前記差が前記第二所定量より大きい場合、前記第二パラメータが自由パラメータに指定される、請求項1または2に記載の方法。
- さらに、
前記第三セットの値から前記分光計の第三シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
前記第一シミュレーションスペクトルと前記第三シミュレーションスペクトルを比較して、前記差に基づいて前記自由及び固定パラメータを選択するステップと
を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記選択するステップが、前記自由及び固定パラメータの前記選択のために、前記差を第二性能指数として使用することを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記モデルが複数のパラメータを含み、前記方法がさらに、以前に自由パラメータに指定されていないパラメータ毎に、前記変更ステップ、前記生成ステップ、前記使用ステップ及び前記割り出すステップを繰り返すことを含み、
各繰り返しの間に、以前に自由パラメータに指定されていない異なる第二パラメータの値を、前記変更ステップで変化させる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。 - 前記モデルが複数のパラメータを含み、前記方法がさらに、自由パラメータ毎に前記変更ステップ、前記生成ステップ、前記使用ステップ及び前記割り出すステップを繰り返すことを含み、前記変更ステップの各繰り返しの間に、前記第三セットの値は、自由パラメータを除いて前記第一セットの値と同じであり、前記自由パラメータの値が繰り返し毎に変化する、請求項4に記載の方法。
- 前記第二モデルが前記モデルの逆数である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第二モデルが前記モデルの線形タイプの前記逆数である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一所定量が前記第二パラメータのパーセンテージである、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第二所定量が前記自由パラメータのパーセンテージである、請求項3に記載の方法。
- 前記パラメータの1つが、前記基板の一部を形成する層の厚さである、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記モデルが従属パラメータを備え、前記従属パラメータが、所定の関係によって少なくとも1つの前記自由パラメータに関連する、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 分光計のモデルの自由及び固定パラメータの選択を支援する方法を含む分光計の構成方法であって、前記分光計が前記基板の特性を測定するように構成され、前記モデルが少なくとも2つのパラメータを有し、前記パラメータが自由パラメータを備え、前記方法が、
前記パラメータの第一セットの値を設定するステップと、
前記モデルを使用して、前記第一セットの値から前記分光計の第一シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
前記自由パラメータとは異なる前記第二パラメータの値を第一所定量だけ変更して、前記パラメータの第二セットの値を形成するステップと、
前記モデルを使用して、前記第二セットの値から前記分光計の第二シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
第二モデルを使用して、前記第二シミュレーションスペクトルから前記パラメータの第三セットの値を求めるステップと
を含み、
前記第二モデルは、前記第三セットの値が、前記モデルを使用して実質的に前記第二シミュレーションスペクトルを生成し、かつ、前記第三セットのパラメータの値が、前記自由パラメータを除いて前記第一セットのパラメータの値と同じであるように構成され、
さらに、
前記パラメータの前記第三セットの値の前記自由パラメータと、前記第一セットの値の前記自由パラメータとの差を割り出すステップと、
前記差に基づいて、前記モデルの前記自由及び固定パラメータを選択するステップと
を含む、方法。 - 請求項13により分光計を構成し、反射スペクトルを測定することを含む、基板の特性を測定する方法。
- 基板のパターンを形成するためにリソグラフィ装置を使用し、
以下の方法によって印刷された前記パターンの特性を割り出すことを含み、前記方法が、
前記基板の特性を測定するように構成された分光計のモデルの自由及び固定パラメータの選択を支援することを含み、前記モデルが少なくとも2つのパラメータを有し、前記パラメータが自由パラメータを備え、前記方法は、
前記パラメータの第一セットの値を設定するステップと、
前記モデルを使用して、前記第一セットの値から前記分光計の第一シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
前記自由パラメータとは異なる前記第二パラメータの値を第一所定量だけ変更して、前記パラメータの第二セットの値を形成するステップと、
前記モデルを使用して、前記第二セットの値から前記分光計の第二シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
第二モデルを使用して、前記第二シミュレーションスペクトルから前記パラメータの第三セットの値を求めるステップと
を含み、
前記第二モデルは、前記第三セットの値が、前記モデルを使用して実質的に前記第二シミュレーションスペクトルを生成し、かつ、前記第三セットのパラメータの値が、前記自由パラメータを除いて前記第一セットのパラメータの値と同じであるように構成され、
さらに、
前記パラメータの前記第三セットの値の前記自由パラメータと、前記第一セットの値の前記自由パラメータとの差を割り出すステップと、
前記差に基づいて、前記モデルの前記自由及び固定パラメータを選択するステップと
を含み、
さらに、
前記基板上の前記パターンによって反射されたスペクトルを測定するステップを含む、デバイス製造方法。 - 基板の特性を測定するように構成された分光計であって、前記装置が、
基板に放射を投影するように構成された放射投影装置と、
前記基板から反射された前記放射を検出するように構成された検出器と、
前記分光計のモデルの自由及び固定パラメータの選択を支援するように構成されたデータ処理ユニットと、
を備え、前記パラメータが自由パラメータを備え、前記支援することが、
前記パラメータの第一セットの値を設定するステップと、
前記モデルを使用して、前記第一セットの値から前記分光計の第一シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
前記自由パラメータとは異なる前記第二パラメータの値を第一所定量だけ変更して、前記パラメータの第二セットの値を形成するステップと、
前記モデルを使用して、前記第二セットの値から前記分光計の第二シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
第二モデルを使用して、前記第二シミュレーションスペクトルから前記パラメータの第三セットの値を求めるステップと
を含み、
前記第二モデルは、前記第三セットの値が、前記モデルを使用して実質的に前記第二シミュレーションスペクトルを生成し、かつ、前記第三セットのパラメータの値が、前記自由パラメータを除いて前記第一セットのパラメータの値と同じであるように構成され、
さらに、
前記パラメータの前記第三セットの値の前記自由パラメータと、前記第一セットの値の前記自由パラメータとの差を割り出すステップと、
前記差に基づいて、前記モデルの前記自由及び固定パラメータを選択するステップと
を含む、分光計。 - 前記選択するステップが、前記モデルの前記自由及び固定パラメータの前記選択のために、前記差を性能指数として使用することを含む、請求項17に記載の分光計。
- 前記データ処理ユニットが、前記分光計の前記モデルの自由及び固定パラメータの選択を支援するように構成された機械で実行可能な命令で符号化された読み取り可能媒体を含む、請求項17または18に記載の分光計。
- パターンを照明するように構成された照明システムと、
前記パターンの像を基板に投影するように構成された投影システムと、
前記基板の特性を測定するように構成された角度分解分光計と、
を備え、前記分光計が、
基板に放射を投影するように構成された放射投影装置と、
前記基板から反射された前記放射を検出するように構成された検出器と、
前記分光計のモデルの自由及び固定パラメータの選択を支援するように構成されたデータ処理ユニットと、
を備え、前記パラメータが自由パラメータを備え、前記支援することが、
前記パラメータの第一セットの値を設定するステップと、
前記モデルを使用して、前記第一セットの値から前記分光計の第一シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
前記自由パラメータとは異なる前記第二パラメータの値を第一所定量だけ変更して、前記パラメータの第二セットの値を形成するステップと、
前記モデルを使用して、前記第二セットの値から前記分光計の第二シミュレーションスペクトルを生成するステップと、
第二モデルを使用して、前記第二シミュレーションスペクトルから前記パラメータの第三セットの値を求めるステップと
を含み、
前記第二モデルは、前記第三セットの値が、前記モデルを使用して実質的に前記第二シミュレーションスペクトルを生成し、かつ、前記第三セットのパラメータの値が、前記自由パラメータを除いて前記第一セットのパラメータの値と同じであるように構成され、
さらに、
前記パラメータの前記第三セットの値の前記自由パラメータと、前記第一セットの値の前記自由パラメータとの差を割り出すステップと、
前記差に基づいて、前記モデルの前記自由及び固定パラメータを選択するステップと
を含む、リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US96064507P | 2007-10-09 | 2007-10-09 | |
US60/960,645 | 2007-10-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009145323A JP2009145323A (ja) | 2009-07-02 |
JP5016579B2 true JP5016579B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40524005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008260585A Active JP5016579B2 (ja) | 2007-10-09 | 2008-10-07 | モデルの自由及び固定パラメータの選択を支援する方法、特性を測定する方法、デバイス製造方法、分光計及びリソグラフィ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8868387B2 (ja) |
JP (1) | JP5016579B2 (ja) |
NL (1) | NL1036018A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8666711B2 (en) * | 2006-03-17 | 2014-03-04 | Canberra Industries, Inc. | Radiation analysis system and method |
NL2006322A (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus and associated method and monitoring and control system. |
US8666703B2 (en) | 2010-07-22 | 2014-03-04 | Tokyo Electron Limited | Method for automated determination of an optimally parameterized scatterometry model |
WO2012126718A1 (en) | 2011-03-21 | 2012-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining structure parameters of microstructures |
US20130110477A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-02 | Stilian Pandev | Process variation-based model optimization for metrology |
CN104040309B (zh) | 2011-11-03 | 2019-06-07 | 威利食品有限公司 | 用于最终使用者食品分析的低成本光谱测定系统 |
US20140136164A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Kla -Tencor Corporation | Analytic continuations to the continuum limit in numerical simulations of wafer response |
EP2917849A4 (en) * | 2012-11-12 | 2016-08-17 | Canberra Ind Inc | SYSTEM AND METHOD FOR RADIATION ANALYSIS |
MX361245B (es) | 2013-03-05 | 2018-11-30 | Halliburton Energy Services Inc | Sistema, metodo y producto de programa informatico para fortalecimiento con respecto al entorno y diseño de sistema fotometrico. |
CN105593651B (zh) | 2013-08-02 | 2019-06-07 | 威利食品有限公司 | 光谱测定系统和方法、光谱设备和系统 |
JP2017505901A (ja) | 2014-01-03 | 2017-02-23 | ベリフード, リミテッドVerifood, Ltd. | 分光システム、方法、および用途 |
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WO2016125164A2 (en) | 2015-02-05 | 2016-08-11 | Verifood, Ltd. | Spectrometry system applications |
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-
2008
- 2008-10-06 NL NL1036018A patent/NL1036018A1/nl active Search and Examination
- 2008-10-07 JP JP2008260585A patent/JP5016579B2/ja active Active
- 2008-10-08 US US12/247,371 patent/US8868387B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL1036018A1 (nl) | 2009-04-15 |
US20090094005A1 (en) | 2009-04-09 |
JP2009145323A (ja) | 2009-07-02 |
US8868387B2 (en) | 2014-10-21 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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