JP6918926B2 - 装置マークのインシチュプリンティングを含む計測方法及び対応する装置 - Google Patents

装置マークのインシチュプリンティングを含む計測方法及び対応する装置 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１６年９月８日に出願された米国仮特許出願第６２／３８５，０９５号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0002] 本記載は、計測システム及び計測方法に関する。計測システムはリソグラフィ装置の一部を形成し得る。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用するように構成された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）や他のデバイスの製造に使用することができる。その場合、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このような場合、パターニングデバイス（例えばマスク）は、デバイスの個々の層に対応するパターン（「設計レイアウト」）を含むか又は提供してよく、このパターンを基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（「レジスト」）層への結像により行われる。一般に、単一の基板は、リソグラフィ装置によって一度に１つのターゲット部分ずつパターンが連続的に転写される隣接する複数のターゲット部分を含む。リソグラフィ装置の１つのタイプでは、パターンは１つのターゲット部分上に一度で転写され、このような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれている。一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる別の装置では、投影ビームがパターニングデバイス上を所与の基準方向（「スキャン」方向）にスキャンする一方、基板をこの基準方向と平行又は逆平行に同期的に移動させる。パターニングデバイス上のパターンの異なる部分が漸次１つのターゲット部分に転写される。一般に、リソグラフィ装置は拡大係数Ｍ（一般に１より小さい）を有するため、基板が移動する速度Ｆは、ビームがパターニングデバイスをスキャンする速度の係数Ｍ倍になる。
[0004] パターンをパターニングデバイスから基板に転写する前に、基板はプライミング、レジストコーティング及びソフトベークなどの様々な手順を経ることができる。露光後、基板はポストベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク及び転写されたパターンの計測／検査などの他の手順を経ることができる。この一連の手順は、例えば、ＩＣなどのデバイスの個々の層を製造する基礎として使用される。次に、基板はエッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学機械的研磨などの、そのすべてがデバイスの個々の層を完成させることを目的とする様々なプロセスを経ることができる。デバイスにいくつかの層が必要な場合は、手順全体、又はその変形手順が各層に対して反復される。最終的に、デバイスは基板上の各ターゲット部分内に存在する。これらのデバイスは、次にダイシング又はソーイングなどの技術によって互いに分離され、その結果、個々のデバイスを担体に取り付けたり、ピンに接続したりすることができる。

[0005] 上述のように、リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイスの製造の中心的工程であり、基板上に形成されるパターンが、マイクロプロセッサ、メモリチップなどのデバイスの機能素子を画定する。フラットパネルディスプレイ、マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ：micro electro mechanical system）及びその他のデバイスの形成にも同様のリソグラフィ技術が使用される。
[0006] リソグラフィプロセス（すなわち、一般にレジストの現像やエッチングなどの１つ以上の関連処理工程を含み得る、リソグラフィ露光を伴うデバイス又は他の構造を現像するプロセス）において、例えばプロセスの制御及び検証のために計測を行うことが望ましいことが多い。このような計測を行うための様々なツール、例えば構造間のアライメントを計測するためのアライメントセンサシステム、トポグラフィ測定システム（フォーカス／レベリングシステム）、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）を測定するためにしばしば用いられる走査電子顕微鏡、及び／又はマークを使用してオーバーレイ（すなわち基板の２つの層のアライメント精度）、パターンの露光に用いるフォーカス、パターンの露光に用いるドーズ量、ＣＤなどの様々なパラメータを測定するための専用ツールが知られている。
[0007] ある実施形態では、少なくとも一部が装置内にある間に、装置により保持される基板から分離した構造上に装置マークをプリントすること、及び装置内でセンサシステムを使用して装置マークを計測することを含む方法が提供される。
[0008] ある実施形態では、構造と、マークを計測するように構成されたセンサシステムと、少なくとも一部が装置内にある間に、装置により保持される基板から分離した構造上に装置マークのプリントを行わせ、装置内でセンサシステムを使用して装置マークの計測を行わせるように構成された制御システムとを備える装置が提供される。
[0009] ある実施形態では、本明細書に記載の方法の実行をプロセッサシステムに行わせるための機械可読命令を含む非一時的コンピュータプログラムが提供される。
[0010] ある実施形態では、ハードウェアプロセッサシステムと、機械可読命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体とを備え、実行されるとき、機械可読命令が本明細書に記載の方法の実行をプロセッサシステムに行わせるシステムが提供される。
[0011] 異なる態様及び特徴が組み合わされてよい。所与の態様の特徴が１つ以上の他の態様又は特徴と組み合わされてよい。本明細書では、本発明の実施形態の特徴及び／又は利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。本発明は本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。こうした実施形態は、本明細書では単に例示的な目的で提示されている。当業者には、本明細書に含まれる教示に基づいて追加の実施形態が明らかとなろう。

[0012] 実施形態は、単なる例として添付の概略的図面を参照してこれから説明される。
[0013] ある実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0014] 図１Ａの基板Ｗの平面図を示す。 [0015] 図１Ａのリソグラフィ装置により使用され得るパターニングデバイスの平面図を示す。 [0016] リソグラフィックセル又はクラスタのある実施形態を概略的に示す。 [0017] 例示的なアライメント計測システムを概略的に示す。 [0018] 装置アライメントマークのための装置構造のある実施形態を概略的に示す。 [0019] 装置内で装置アライメントマークをインシチュプリントする実施形態を概略的に示す。
[0020] 図１Ａは、特定の実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、
放射（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）のビームＰＢを調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
フレームＭＦと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持する支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
少なくとも１つが基板（例えばレジストコートウェーハ）を保持するように構成された２つのテーブルＷＴ１、ＷＴ２（この例では各テーブルはそれぞれ基板Ｗ１、Ｗ２を保持するように構成されている）と、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＰＢに付与されたパターンを、２つのテーブルＷＴ１、ＷＴ２の少なくとも１つにより保持された基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に結像するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬと、を備える。
[0021] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、適宜、例えば露光放射の使用、あるいは浸漬液の使用又は真空の使用などの他の要因に対する、屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折系を含む、様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0022] 本明細書で使用される「照明システム」という用語は、放射ビームを誘導し、整形し、又は制御する屈折、反射、及び反射屈折光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよく、そのようなコンポーネントも以下においては集合的に又は単独で「レンズ」とも呼ばれることがある。
[0023] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械式クランプ、真空、又は他のクランプ技術、例えば真空条件下での静電クランプを使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0024] 本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成する等のため、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるものとする。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しない場合があることに留意するべきである。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路等のターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0025] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーのマトリクス構成を使用し、ミラーの各々は、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾けることができる。このようにして、反射ビームがパターニングされる。
[0026] リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、基板が比較的高い屈折率を有する液体、例えば水などに液浸されるタイプであってもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。
[0027] フレームＭＦは、振動などの外部影響から実質的に絶縁された振動絶縁フレームである。例えば、フレームＭＦは、地面上のベースフレーム（図示せず）によって１つ以上の音響減衰マウント（図示せず）を介して支持されてよく、それにより、ベースフレームの振動からフレームＭＦが絶縁される。１つ以上の音響減衰マウントは、ベースフレーム及び／又は絶縁フレームＭＦそれ自体によって導入される振動を絶縁するように能動的に制御されてよい。
[0028] 図１Ａに示されるデュアルステージリソグラフィ装置において、アライメントシステムＡＳ及びトポグラフィ測定システムＴＭＳが左側に設けられ、投影システムＰＬが右側に設けられている。投影システムＰＬ、アライメントシステムＡＳ、及びトポグラフィ測定システムＴＭＳは、絶縁フレームＭＦに接続されている。トポグラフィ測定システムＴＭＳは、基板Ｗの表面のトポグラフィを測定するのに使用される。
[0029] デュアルステージリソグラフィ装置の異なる実施形態では、アライメントシステムＡＳ及び／又はトポグラフィ測定システムＴＭＳは、投影システムＰＬに隣接して右側に、左側位置と投影システムＰＬの位置の間に、又は投影システムＰＬの反対側に設けられる。ある実施形態では、アライメントシステムＡＳ及び／又はトポグラフィ測定システムＴＭＳを右側に又は右側寄りに設けることは、第１のテーブルＷＴ１が基板を保持するように構成され、第２のテーブルＷＴ１が基板を保持するようには構成されず、むしろ１つ以上の測定デバイス、１つ以上のクリーニングデバイス、又はこれらの組み合わせを固定する場合に有利な場合がある。
[0030] 支持構造ＭＴは、第１の位置決めデバイスＰＭを介してフレームＭＦに移動可能に取り付けられる。第１の位置決めデバイスＰＭは、パターニングデバイスＭＡを移動させ、これをフレームＭＦ（及びフレームＭＦに接続された投影システムＰＬ）に対して正確に位置決めするために使用されてよい。
[0031] テーブルＷＴ１、ＷＴ２は、それぞれ第１及び第２の位置決めデバイスＰＷ１、ＰＷ２を介してフレームＭＦに移動可能に取り付けられる。第１及び第２の位置決めデバイスＰＷ１、ＰＷ２は、それぞれテーブルＷＴ１、ＷＴ２を移動させ、フレームＭＦ（及びフレームＭＦに接続された投影システムＰＬ、アライメントシステムＡＳ、及びトポグラフィ測定システムＴＭＳ）に対して、テーブルＷＴ１、ＷＴ２を正確に位置決めする（例えば基板Ｗ１及び／又は基板Ｗ２を位置決めする）ために使用されてよい。支持構造ＭＴ及びテーブルＷＴ１、ＷＴ２はオブジェクトテーブルと総称されてよい。第１及び第２の位置決めデバイスＰＷ１、ＰＷ２は、それぞれ放射ビームがテーブルＷＴ１、ＷＴ２（例えばテーブル上に保持された基板Ｗ１、Ｗ２）をスキャンするようにスキャン経路に沿ってテーブルＷＴ１、ＷＴ２を放射ビームに対して移動させるように動作可能なスキャン機構と見なすことができる。上記のように、ある実施形態では、テーブルＷＴ１、ＷＴ２の一方は、基板を保持しなくてもよく、それに代えて、例えば他方のテーブルＷＴ１、ＷＴ２上の基板の露光又はアンロードと並行した、例えば計測、洗浄のために使用されてよい。
[0032] よって、図１Ａに示されるリソグラフィ装置は、２つのテーブルＷＴ１、ＷＴ２を有するタイプであり、デュアルステージ装置と呼ばれることもある。こうした「マルチステージ」機械においては、２つのテーブルＷＴ１、ＷＴ２は併用され、一方のテーブルが露光に使用されている間に他方のテーブルで準備段階が実行される。
[0033] 図１Ａでは、テーブルＷＴ１は左側に配置され、テーブルＷＴ２は右側に配置されている。この構成において、テーブルＷＴ１は、そこに保持された基板Ｗ１の露光に先行してアライメントシステムＡＳ及びトポグラフィ測定システムＴＭＳ（詳細は後述される）を使用して基板Ｗ１に関して各種の準備段階を実行するために使用することができる。同時に、テーブルＷＴ２は、テーブルＷＴ２により保持された別の基板Ｗ２の露光に使用することができる。テーブルＷＴ２により保持された基板Ｗ２が露光され、テーブルＷＴ１により保持された基板Ｗ１に関する準備段階が実行されると、２つのテーブルＷＴ１、ＷＴ２の交換が行われる。続いて、テーブルＷＴ１により保持された基板Ｗ１が放射に露光され、テーブルＷＴ２により保持され先に放射に露光された基板Ｗ２が新たな基板と交換され、その新たな基板に関して各種の準備段階が実行される。したがって、この実施形態では、２つのテーブルＷＴ１、ＷＴ２の各々は、図１Ａの右側又は左側のいずれかに配置することができる。
[0034] 異なる実施形態では、テーブルＷＴ１は、基板を保持するようには構成されていないテーブルであってよい。任意選択的に、テーブルＷＴ１に関連する計測は左側で行われてよい。次にテーブルＷＴ１は、投影システムＰＬの真下の位置に移動できると同時に、テーブルＷＴ２は投影システムＰＬの真下から（例えばテーブルＷＴ１と反対の側に）離れる。次にテーブルＷＴ１は、投影システムＰＬにおける動作（例えば計測、洗浄など）を行うために使用されてよい。一方、基板がテーブルＷＴ２から除去されてよく、次にテーブルＷＴ２は、投影システムＰＬの真下に戻ると同時にテーブルＷＴ１は（例えば左側に）離れる。
[0035] 図１Ｂは、図１Ａの２つの基板Ｗ１、Ｗ２のいずれかを表しうる基板Ｗの平面図を示す。以下では、特に明記しない限り、リソグラフィ装置の左側及び右側にあるいずれの基板も基板Ｗという。図１Ｃは、パターニングデバイスアライメントマーク（ボックスＭ１、Ｍ２として概略的に示す）を備えたパターニングデバイスＭＡの平面図を示す。
[0036] 図示されるように、本装置は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。代替的に、本装置は、（例えば、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイを用いる）反射型であってもよい。
[0037] イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと受け渡される。他の場合において、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源は本装置の一体部分であってもよい。イルミネータＩＬは放射システムと呼ばれてよい。代替的に、放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要な場合はビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと総称されてもよい。
[0038] イルミネータＩＬは、ビームの強度分布を変更することができる。イルミネータは、イルミネータＩＬの瞳面における環状領域内で強度分布が非ゼロとなるように放射ビームの半径範囲を制限するように構成されてよい。付加的又は代替的に、イルミネータＩＬは、瞳面における複数の等間隔のセクタにおいて強度分布が非ゼロとなるように瞳面におけるビームの分布を制限するように動作可能であってもよい。イルミネータＩＬの瞳面における放射ビームの強度分布は、照明モードと呼ばれることもある。
[0039] イルミネータＩＬは、ビームの強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＭを備えてよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。イルミネータＩＬは、イルミネータの瞳面におけるビームの角度分布を変化させるように動作可能であってもよい。例えば、イルミネータＩＬは、強度分布が非ゼロである瞳面におけるセクタの数及び角度範囲を変更するように動作可能であってよい。イルミネータの瞳面におけるビームの強度分布を調整することによって、様々な照明モードを実現することができる。例えば、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の半径範囲及び角度範囲を制限することによって、強度分布は、例えば双極、四極又は六極分布など公知の多極分布を有することができる。所望の照明モードは、その照明モードをイルミネータＩＬに提供する光学系を挿入することによって得ることができる。
[0040] イルミネータＩＬは、ビームの偏光を変更するように動作可能であってよく、アジャスタＡＭを使用して偏光を調整するように動作可能であってよい。イルミネータＩＬの瞳面を横切る放射ビームの偏光状態は、偏光モードと呼ばれることがある。様々な偏光モードを使用することによって、より大きいコントラストを基板Ｗ上に形成される像に実現することができる。放射ビームは非偏光であってもよい。代替的に、イルミネータＩＬは、放射ビームを直線偏光させるように構成されてもよい。放射ビームの偏光方向は、イルミネータＩＬの瞳面にわたって変化してよい、すなわち、イルミネータＩＬの瞳面の領域によって放射の偏光方向が異なってよい。放射の偏光状態は、照明モードに依存して選択されてよい。
[0041] また、イルミネータＩＬは一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備える。イルミネータＩＬは、その断面が所望の均一性及び強度分布を有する調節された放射ビームＰＢを供給する。
[0042] 調節された放射ビームＰＢの形状及び（空間）強度分布は、イルミネータＩＬの光学系によって定められる。スキャンモードでは、調節された放射ビームＰＢは、パターニングデバイスＭＡ上に概ね矩形の放射の帯を形成するようなものであってよい。放射の帯は、露光スリット（又はスリット）と呼ばれることがある。スリットは、長い方の寸法（スリットの長さと呼ばれることがある）と、短い方の寸法（スリットの幅と呼ばれることがある）とを有することができる。スリットの幅はスキャン方向（図１のｙ方向）に対応し、スリットの長さは非スキャン方向（図１のｘ方向）に対応してよい。スキャンモードでは、スリットの長さは、単一動的露光において露光可能なターゲット部分Ｃの非スキャン方向の範囲を制限する。対照的に、単一動的露光において露光可能なターゲット部分Ｃのスキャン方向の範囲は、スキャン動作の長さによって決定される。
[0043] 「スリット」、「露光スリット」、又は「放射の帯」との用語は、リソグラフィ装置の光軸に垂直な平面においてイルミネータＩＬによって生成される放射の帯を指すために同じ意味で使用することができる。この平面は、パターニングデバイスＭＡ又は基板Ｗのいずれかに、又はその近傍にあってよい。「スリットプロファイル」、「放射ビームのプロファイル」、「強度プロファイル」、及び「プロファイル」との用語は、スリットの、特にスキャン方向における（空間）強度分布の形状を指すために同じ意味で使用することができる。
[0044] ある実施形態において、イルミネータＩＬは、２つのマスキングブレイド（図１ＡにＢとして概略的に示される）を備える。２つのマスキングブレイドの各々は、スリットの長さに概ね平行であり、２つのマスキングブレイドは、スリットの両側に配置されている。各マスキングブレイドは、放射ビームＰＢの経路に配置されない後退位置と、放射ビームＰＢを遮断する挿入位置の間で独立に移動可能である。マスキングブレイドはイルミネータＩＬのフィールド面に配置されている。したがって、マスキングブレイドを放射ビームの経路へと移動させることによって、放射ビームＰＢのプロファイルは鋭く切り取られ、その結果、スキャン方向の放射ビームＰＢのフィールドの範囲を制限することができる。マスキングブレイドは、露光領域のどの部分が放射を受けるのかを制御するために使用することができる。
[0045] パターニングデバイスＭＡもリソグラフィ装置のフィールド面に配置される。一実施形態において、マスキングブレイドは、マスキングブレイドとパターニングデバイスＭＡがともに実質的に同じ平面に位置するようにパターニングデバイスＭＡに隣接して配置されてよい。代替的に、マスキングブレイドは、各々がリソグラフィ装置の異なるフィールド面に位置するようにパターニングデバイスＭＡから離れていてもよく、適切なフォーカス光学系（図示せず）がマスキングブレイドとパターニングデバイスＭＡの間に設けられてもよい。
[0046] イルミネータＩＬは、強度アジャスタＩＡ（図１Ａに概略的に示される）を備える。強度アジャスタＩＡは、これから説明するように、放射ビームの対向する側で放射ビームを減衰するように動作可能である。強度アジャスタＩＡは、対で配置された複数の可動フィンガーを備え、各対はスリットの各側に１つのフィンガーを備える（すなわち、フィンガーの各対はｙ方向に離れている）。フィンガーの対は、スリットの長さに沿って配置されている（すなわちｘ方向に延在する）。各可動フィンガーは、スキャン方向（ｙ方向）に独立に移動可能である。すなわち、フィンガーは、スリットの長さに垂直な方向に移動可能である。使用の際、各可動フィンガーはスキャン方向に独立に移動可能である。例えば、各可動フィンガーは、少なくとも放射ビームの経路に配置されない後退位置と、放射ビームを部分的に遮断する挿入位置の間で移動可能であってよい。フィンガーを移動させることによって、スリットの形状及び／又は強度分布を調整することができる。
[0047] フィールドは、フィンガーが放射ビームＰＢを鋭く切り取らないように、フィンガーの周辺部にあってよい。フィンガーの対は、スリットの長さに沿って放射ビームＰＢの異なる減衰レベルを与えるように使用されてよい。フィンガーは、例えば、スリットの幅方向の放射ビームＰＢの強度プロファイルの積分がスリットの長さに沿って実質的に一定であることを保証するために使用されてよい。
[0048] イルミネータＩＬを出射した放射ビームＰＢは、支持構造ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡを横切った後、ビームＰＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを合焦する投影システムＰＬを通過する。第２の位置決めデバイスＰＷ２と位置センサＩＦ（例えば干渉デバイス）により、例えばビームＰＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように、テーブルＷＴ２をフレームＭＦに対して正確に移動することができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１Ａには明示されていない）は、例えばマスクライブラリの機械検索の後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡをフレームＭＦに対して正確に位置決めするために使用することができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴ１、ＷＴ２の移動は、位置決めデバイスＰＭ、ＰＷ１、及びＰＷ２の一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現される。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされてよい。
[0049] 投影システムＰＬは、ある縮小係数を放射ビームＰＢに適用して、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャより小さいフィーチャを有する像を形成することができる。例えば、４の縮小係数が適用されてよい。
[0050] スキャンモードにおいて、第１の位置決めデバイスＰＭは、イルミネータＩＬによって調節された放射ビームＰＢに対してスキャン経路に沿って支持構造ＭＴを移動させるように動作可能である。ある実施形態では、支持構造ＭＴは、スキャン方向に一定のスキャン速度ｖＭＴで直線的に移動する。上記のように、スリットは、その幅がスキャン方向（図１のｙ方向に一致する）に延びるように配向されている。スリットによって照明されるパターニングデバイスＭＡ上の各点はどの時点でも、基板Ｗの平面における１つの共役点に投影システムＰＬによって結像される。支持構造ＭＴがスキャン方向に移動すると、パターニングデバイスＭＡ上のパターンはスリットの幅にわたって支持構造ＭＴと同じ速度で移動する。特に、パターニングデバイスＭＡ上の各点は、スキャン方向に速度ｖＭＴでスリットの幅にわたって移動する。この支持構造ＭＴの移動の結果、パターニングデバイスＭＡの各点に対応する基板Ｗの平面における共役点は、テーブルＷＴ２の平面においてスリットに対して移動する。
[0051] パターニングデバイスＭＡの像を基板Ｗ上に形成するために、テーブルＷＴ２は、パターニングデバイスＭＡの各点の基板Ｗの平面における共役点が基板Ｗに対して静止した状態で移動する。投影システムＰＬに対するテーブルＷＴ２の速度（大きさと方向の両方）は、投影システムＰＬの（スキャン方向における）縮小及び像反転特性によって決定される。特に、投影システムＰＬの特性が、基板Ｗの平面に形成されるパターニングデバイスＭＡの像がスキャン方向に反転するような場合、テーブルＷＴ２は、支持構造ＭＴと反対の方向に移動されるべきである。すなわち、テーブルＷＴ２の移動は、支持構造ＭＴの移動と逆平行であるべきである。また、投影システムＰＬが放射ビームＰＢに縮小係数αを適用する場合は、与えられた時間に各共役点が進む距離は、パターニングデバイス上の対応点が進む距離よりα倍小さくなる。したがって、テーブルＷＴ２の速度の大きさ｜ｖＷＴ｜は、｜ｖＭＴ｜／αとなるべきである。
[0052] ターゲット部分Ｃの露光中、イルミネータＩＬのマスキングブレイドは、放射ビームＰＢのスリットの幅を制御するように使用することができ、これによりパターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗそれぞれの平面における露光領域の範囲が制限される。すなわち、イルミネータのマスキングブレイドはリソグラフィ装置のフィールド絞りとしての役割を果たす。
[0053] スキャンモードを使用すると、リソグラフィ装置は、実質的に固定された領域を含む基板Ｗのターゲット部分Ｃを放射に露光するように動作可能である。例えば、ターゲット部分Ｃは、１つ又は複数のダイの一部を含んでよい。
[0054] １つの基板は複数の工程で放射に露光され、各工程はターゲット部分Ｃの露光の後に基板Ｗの移動を含んでよい。第１のターゲット部分Ｃの露光後に、リソグラフィ装置は、別のターゲット部分Ｃを放射に露光できるように投影システムＰＬに対して基板Ｗを移動させるように動作可能であってよい。例えば、基板Ｗ上の２つの異なるターゲット部分Ｃの露光の間に、テーブルＷＴ２は、次のターゲット部分を露光領域でスキャンできる状態になるように位置決めするべく基板Ｗを移動させるように動作可能であってよい。
[0055] 図示された装置は、ビームＰＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持しながら実質的に静止状態に保たれ、テーブルＷＴ２が移動又はスキャンされる別のモードで使用されてもよい。このモードでは、一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、テーブルＷＴ２が移動するごとに、又はスキャン中の連続放射パルスの合間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0056] 上記の使用モードの組み合わせ及び／又は変形例や、完全に異なる使用モードが使用されてもよい。
[0057] 図２に示すように、リソグラフィ装置ＬＡは、リソセル又はリソクラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィセルＬＣの一部を形成し、リソグラフィセルＬＣは、基板上で１つ以上の露光前及び露光後プロセスを行うための装置も備える。従来、これらの装置には、レジスト層を堆積させるための１つ以上のスピンコータＳＣ、露光済みレジストを現像するための１つ以上のデベロッパＤＥ、１つ以上の冷却プレートＣＨ及び１つ以上のベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ又はロボットＲＯは、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り上げ、それを様々なプロセスデバイス間で移動させ、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢへと送り出す。これらのデバイスは、しばしばトラックと総称され、トラック制御ユニットＴＣＵによる制御を受ける。トラック制御ユニットＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳによって制御され、監視制御システムＳＣＳはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置をも制御する。このようにして、スループット及び処理効率が最大となるように様々な装置を動作させることができる。
[0058] リソグラフィ装置によって露光される基板が正しく一貫して露光されるように、アライメント、後続の層間のオーバーレイエラー、ライン厚み、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）などの１つ以上の特性を測定するために基板を検査することが望ましい。エラーが検出された場合、基板の（又は１つ以上の後続の基板の）露光を調整することができる。
[0059] 以下の説明は、アライメント計測に使用されるマーク及びアライメントセンサシステムの較正のためのマークの使用に焦点を合わせる。ただし、本開示はそれほど限定されたものではなく、他の応用例を含んでもよい。例えばマークは、様々な種類の計測、又はフォーカス／レベリング、センサ診断などといった様々な種類の較正若しくは検査に使用されてよい。
[0060] リソグラフィプロセスを制御して、基板上にデバイスフィーチャを正確に配置するために、アライメントマークが一般的に基板上に設けられ、リソグラフィ装置は、基板上のマークの位置を正確に測定することができる１つ以上のアライメントセンサを含む。これらのアライメントセンサは、事実上、位置測定装置である。異なる時期及び異なる製造業者からの、異なるタイプのマーク及び異なるタイプのアライメントセンサが知られている。リソグラフィ装置において使用可能なセンサのタイプは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第６，９６１，１１６号に記載されているような自己参照型干渉計に基づくものである。一般的にマークは、Ｘ位置及びＹ位置を取得するために別々に計測される。しかしながら、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２００９／１９５７６８号に記載された技法を使用して、組み合わされたＸ及びＹ測定を実行することができる。
[0061] 図３は、アライメントマークを計測する（例えば（図１ＢにボックスＰ１、Ｐ２で概略的に示された）基板Ｗ上に設けられたアライメントマークの位置を測定する）のに使用されるアライメントセンサＡＳの高度に概略的なブロック図である。照明源２２０により１つ以上の波長の放射ビーム２２２が供給され、放射ビーム２２２はスポットミラー２２３により、対物レンズ２２４を通過して、マーク２０２などの例えば基板Ｗ上に位置するマークへ方向転換される。マーク２０２によって散乱した放射２０４は、対物レンズ２２４により取り上げられ、情報担持ビーム２２６にコリメートされる。この情報担持ビーム２２６は、センサの基準点に対するマーク２０２の位置を測定するのに使用される。この基準点は、格子２０６又は自己参照干渉計における「中性線」であってよい。検出器２３０は、結果として生じる信号２４０を検出する。この時点では、スポットミラー２２３は便宜的にゼロ次ストップとして働き、これにより情報担持ビーム２２６はマーク２０２からの高次の回折放射のみを含む。これは「暗視野」測定と称されることが多い。ある実施形態では、センサグリッド２３０における個別のセンサからの強度信号２４０は処理ユニットＰＵに供給され、処理ユニットＰＵからマーク２０２のＸ及びＹ位置の値が出力される。ある実施形態では、検出器２３０は単一のフォトダイオードであってよく、格子２０６はその上に結像された像と同じピッチを有してよい。格子２０６によって透過される放射の量は、アライメント格子が特定の方向にスキャンされるのにつれて変動する。したがって、異なる方向における位置（例えばＸ及び／又はＹ）は、１つ以上の適切に設計されたマーク２０２を使用し、１つ以上の方向にスキャンして決定することができる。
[0062] 典型的なアライメントセンサシステムは、光学系、光学アセンブリ、レーザ源モジュール、並びに検出／処理ハードウェア及びソフトウェアの複合構成から構成される。よって、センサシステムは、システム性能を維持するために定期的に較正（例えば基板ごとの較正、基板ロットごとの較正など）が行われる。そして、アライメントセンサシステムは定期的に再較正され、アライメントセンサシステムに生じるドリフトが低減又は除去される。
[0063] このような較正の一例は、装置のアライメントセンサシステムのドリフトによって引き起こされるアライメントオフセットを低減又は除去するのに用いられるマーク式の較正プロセスである。上記のように、アライメントセンサシステムは一般に、基板をパターニングデバイスなどの装置内の１つ以上の他のオブジェクトと適切に位置合わせできるように、基板テーブル上にある間の基板の位置を、基板上の１つ以上のアライメントマーク（本明細書では基板アライメントマークと呼ぶ）を計測することによって決定するのに使用される。これを容易にするために、装置（例えば基板テーブル）の構造上に設けられ、基板上に位置しない１つ以上のマーク（例えば１つ以上のアライメントマーク）（装置マーク、及び基板テーブルとの関連で基板テーブルマークと本明細書中で呼ばれる）が、装置のアライメントセンサシステムを使用して計測可能である。
[0064] より具体的には、装置マーク（例えば基板テーブルマーク）が較正プロセスの一部として計測され、基板アライメントマークを使用して測定された基板の決定されたアライメント位置が基板テーブルによる位置決めのために正確に知られるようになる。このような較正の特定の例が、アライメントセンサシステムのオーダー間インラインシフト（ｉＳＢＯ：in-line shift between order）較正である。オーダー間インラインシフト（ｉＳＢＯ）較正は、基板テーブルアライメントマークを計測して、その回折次数を解析し、アライメントセンサシステムの動作中に経時的に生じるあらゆるドリフトを評価することを含む。
[0065] ある実施形態では、オーダー間インラインシフト（ｉＳＢＯ）較正は、基板が基板テーブルにロードされ、メトロロジの準備が行われるたびに実行される。ある実施形態では、オーダー間インラインシフト（ｉＳＢＯ）較正のための特定の基板テーブルマークは、基板テーブルに永久的に取り付けられた特定のキャリアプレート上に位置する。この基板テーブルマークの計測から得られる情報は、通常のドリフトによって引き起こされるアライメントセンサシステムのオフセットを較正するのに使用される。
[0066] 基板上で使用される基板アライメントマークの種類が、基板のそのようなアライメントマークの計測値が装置マークの計測値と異なってドリフトするように、アライメントセンサシステムを使用して計測した装置の装置マークと十分異なる可能性があることが判明している。例えば、基板アライメントマークと装置マークは、形状、使用する周期構造、サイズなどといった様々な点で異なる可能性がある。したがって、装置マーク（例えば基板テーブルマーク）は、あらゆる種類の基板アライメントマークのドリフト挙動を適切に模倣するわけではない。したがって、このような装置を使用したドリフト補正は、装置マークがその装置マークと異なる種類の基板アライメントマークの計測と組み合わせて使用される場合に不正確な計測結果をもたらす可能性がある。例えば、基板テーブルマークが基板上の基板アライメントマークのドリフト挙動を適切に模倣しない場合は、例えば１〜３ｎｍのアライメントオフセットが生じ、その後に同程度のオーバーレイオフセットが生じる可能性がある。これは、デバイスパターンを用いて基板を適切に露光することが許されるオーバーレイバジェットを上回る可能性がある。したがって、アライメントセンサシステムの較正プロセスで使用でき、基板アライメントマークのドリフト挙動を適切に模倣できる装置マークを提供することが望ましい。
[0067] さらに、リソグラフィ装置のユーザは、例えばアライメントレシピの最適化を促進するために基板アライメントマークの種類を追加及び／又は変更することができる。例えば、ユーザのデバイスパターン露光プロセスに最適化され、これらの１つ以上の異なる種類の基板アライメントマークをアライメント計測のために基板上で使用できるという理由により、様々な異なる種類のサブセグメント化基板アライメントマークを生成することができる。ただし、アライメント計測システムを使用して計測された装置マークは、これらの１つ以上の新しい基板アライメントマークの種類のドリフト挙動を適切に模倣しない可能性がある。したがって、較正プロセスにおいて様々な異なるアライメントマークの種類に適応できることが望ましい。つまり、すべてではないが、これらの異なる基板アライメントマークの種類の多くのアライメントセンサシステムを適切に較正し、経時的かつ比較的容易にこれらの異なる基板アライメントマークの種類に適応できることが望ましい。
[0068] より一般的に、例えば較正、診断などのために、例えばアライメントマークの形態を変化させることを考慮するシステムを提供することが望ましい。
[0069] したがって、１つ以上の追加の又は新しいマークの種類（例えば基板テーブルマーク）を装置内の構造（例えば基板テーブル）上に設けることができる柔軟で比較的手っ取り早い方法が提供される。このような１つ以上のマークの種類を追加できることによって、計測、較正、診断などのプロセスが、アライメントセンサシステムなどのセンサシステムの性能を維持することを助けるために、１つ以上の異なるマークを支持することができる。
[0070] 図４を参照すると、ある実施形態では、構造４００がリソグラフィ装置などの装置内の装置構造（例えば基板テーブルＷＴ又はその他の可動テーブル）の一部であるか、又は装置構造上に設けられる。ある実施形態では、構造４００はプレートである。ある実施形態では、構造４００は、装置構造（例えば基板テーブルＷＴ又はその他の可動テーブル）に取り付け可能な装置構造（例えば基板テーブルＷＴ又はその他の可動テーブル）の別の部品である。ある実施形態では、構造４００は取り外し可能、すなわち交換可能である。ある実施形態では、構造４００は装置構造（例えば基板テーブルＷＴ又はその他の可動テーブル）の固定部であり、これによって、装置構造（例えば基板テーブルＷＴ又はその他の可動テーブル）から分離可能／取り外し可能な構造４００と装置構造の間の位置で起こり得るドリフトを除去することができる。
[0071] ある実施形態では、構造４００は、これにプリントされたパターンを有することができるように設計される。ある実施形態では、構造４００はその上面にコーティングを備える。ある実施形態では、コーティングは、Ｌｉｐｏｃｅｒコーティングなどの疎液性コーティングを含む。ある実施形態では、コーティングはフォトレジストを含む。ある実施形態では、構造４００は、１つ以上のマークを担持する装置構造（例えば基板テーブルＷＴ）上の任意の他の構造に付加される。
[0072] 図５を参照すると、ある実施形態において、（例えば基板テーブルマーク５００、５１０の形態の）装置マーク５００、５１０が構造４００上（例えば内）にプリントされる。ある実施形態では、装置マーク５００、５１０は、装置においてインシチュで構造４００上に直接結像される。ある実施形態では、装置のパターニングデバイスＭを使用して、リソグラフィ装置の投影システムを使用して所望の装置マーク５００、５１０を構造４００上に結像する。
[0073] ある実施形態では、装置マーク５００、５１０のプリントを可能にするために（例えば装置の）制御システムが設けられる。つまり、制御システムは、装置の様々なコンポーネントに本明細書に記載の装置マーク５００、５１０をプリントする方法を実行させることができる。
[0074] ある実施形態では、装置マーク５００、５１０は１つ以上の周期構造を備える。ある実施形態では、装置マーク５００、５１０は、フィーチャが第１の方向に延在する第１の周期構造と、フィーチャが第１の方向と直交する（例えば垂直な）第２の方向に延在する第２の周期構造とを備える。２つの異なる方向に延在する４つの周期構造を備える装置マーク５００、５１０が示されているが、装置マーク５００、５１０はこのように構成される必要はない。
[0075] そしてある実施形態において、構造４００は、十分な品質の装置マーク５００、５１０が構造４００上に直接プリントされるように設計される。ある実施形態では、装置マーク５００、５１０は、（望ましくは構造４００をアブレートした後に追加の処理工程を必要としない）放射ビームを使用したアブレーションによって生成される。ある実施形態では、装置マーク５００、５１０は、構造４００上のコーティング（例えばＬｉｐｏｃｅｒコーティングなどの疎液性コーティング）にアブレートされる。
[0076] ある実施形態では、構造４００は、基板テーブルＷＴに取り付けられたときに空白である可能性がある、すなわち既存の装置マーク５００、５１０を有しない。取り付け後に１つ以上の装置マーク５００、５１０が構造４００上にプリントされる。例えば、装置マーク５００や装置マーク５１０などの複数の装置マークをプリントすることができる。したがって、基板上の１つ以上のアライメントマークのアライメントセンサシステムのドリフト挙動に一致する又はこのドリフト挙動を模倣する１つ以上の異なる種類の装置マークを設けることができる。
[0077] ある実施形態では、構造４００は、基板テーブルＷＴへの取り付け前に１つ以上の装置マーク５００、５１０を有することができる、すなわち構造４００は装置マーク５００を有する。取り付け後に１つ以上の装置マーク５１０が構造４００上にプリントされる。この実施形態では、１つ以上の装置マークを、基板テーブルＷＴなどの装置構造上にあらかじめ取り付けることができる。あらかじめ取り付けられた１つ以上の装置マークは、一般の基板アライメントマークと同一であるか又は類似していてよい。そして取り付け後に、１つ以上の別の種類の装置マークを構造４００上にプリントすることができる。
[0078] ある実施形態では、複数の装置マークが構造４００を横断するように設けられる。つまり、図４に示すように、構造４００は、複数の装置マークが構造４００を横断するように設けられるくらい十分な自由空間を有する。ある実施形態では、装置マークを構造４００上の既存の装置マークを覆うようにプリントすることができる。どんな場合でも、構造４００は、もう１つの異なる又は新しい装置マークの種類を構造４００の耐用期間にわたり構造４００上にプリントできるように設計される。したがって、構造４００は、アライメントプロセスでの使用に十分な耐用期間、装置マークを保持するであろう。ある実施形態では、装置マークは構造４００上に永久的にプリントされる。ある実施形態では、ベースラインプロセスを使用して装置マークの完全性を追跡することができる。つまり、装置マークの計測のパラメータ（例えば検出性）が経時的に追跡されて、装置マークが劣化したかどうかが判断される。計測のパラメータに関連する閾値を超えた又は満たした場合、補正工程（例えば装置マークの再プリント、装置マークの削除、計測設定の調整など）を行うことができる。
[0079] ある実施形態では、装置マーク５００、５１０は基板アライメントマークと同じ種類である。ある実施形態では、装置マーク５００、５１０は、基板アライメントマークと同じではないが、基板アライメントマークのドリフト挙動を模倣する。
[0080] 上記のように、ある実施形態では、インシチュプリンティングはリソグラフィ装置のパターニングデバイス及び投影システムを使用して実行される。追加又は代替的な実施形態では、インシチュプリンティングは、リソグラフィ装置内の１つ以上の他の装置を使用して実行される。例えば、アライメント計測システム、レベルセンシングシステム、又はその他の放射投影計測装置を使用することができる。ある実施形態では、システムは構造４００上にマークを書き込むこと以外の（例えば計測）機能を有する。ある実施形態では、システムは、例えばソフトウェア更新により再構成される、マークの書き込みを実行するリソグラフィ装置の既存のシステムである。これらのシステムの１つ以上は、例えばこのようなシステムのビームの経路中にマスク又は他のデバイスを設けることによって、パターンを書き込むためのビームと構造４００の表面の適切な相対移動などによってマークのプリントを可能にするように適切に構成することができる。さらに、ある実施形態では、このようなシステムのビームパワーは、マークを構造４００上にプリントするために増大することができる、及び／又は構造４００は、このようなシステムの既存のビームに敏感であってよい。ある実施形態では、図１に概略的に示す専用デバイス６００をリソグラフィ装置内に設けて構造４００上にマークをプリントすることができる。例えばデバイス６００は、（例えばアブレーションにより）マークをプリントすべく構造４００に投影されるパターン付与されたビームを形成するために、パターニングデバイス（本明細書に記載のものと類似の種類で、プログラマブルパターニングデバイスが望ましい）に放射を供給する放射出力（例えばレーザ）を有することができる。ある実施形態では、デバイス６００は、リソグラフィ装置内に固定する（例えば永久的に取り付ける）ことができる、又は（例えば保守期間中に）リソグラフィ装置内に取り外し可能に供給することができる。さらに、デバイス６００は図１の特定のフレーム上に示されているが、テーブルＷＴ自体を含むリソグラフィ装置の別の部分上にあってもよい。
[0081] したがって、ある実施形態では、（例えば較正に使用される）１つ以上の装置マーク５００、５１０の構造４００（例えばキャリアプレート）への（例えば結像による）インシチュプリンティングが提供される。インシチュプリンティングによって、費用及び／又は時間がかかる基板テーブルの交換を行うことなく、異なる装置マークの使用を可能にする柔軟性が与えられる。さらに、装置マークを比較的速くプリントすることによって、新しいアライメント機能の開発時間及び／又は導入費用を削減することができる。
[0082] 追加的又は代替的な実施形態において、構造４００を、構造４００を有する装置構造（例えば基板テーブルＷＴ又はその他の可動テーブル）を外部ハウジングの一面から少なくとも部分的に外へ、又は一面に隣接する（例えば１メートル以内）ように移動させることによって、装置（例えばリソグラフィ装置）の外部ハウジングの一面から少なくとも部分的に外にある、又は一面に隣接する（例えば１メートル以内）サービス位置に移動させる。ある実施形態では、構造４００及び構造４００を有する装置構造は、サービス位置で装置（例えばリソグラフィ装置）に取り付けられる。構造４００がサービス位置にあるとき、マークはデバイス６００と類似したデバイス６１０を使用してプリントすることができる。ある実施形態では、デバイス６１０は、装置ハウジングに隣接して配置された、又は装置に取り付けられた保持固定具に取り付けることができる。ある実施形態では、デバイス６１０は、構造４００又は構造４００を有する装置構造上に設ける（例えば基板テーブルＷＴ上に配置する）ことができる。ある実施形態では、デバイス６１０は移動可能である。マークがプリントされると、構造４００及び構造４００を有する装置構造は、装置内の計測位置に戻る。この実施形態は、マークが構造４００上にプリントされるとき、構造４００の少なくとも一部及び／又は構造４００を有する装置構造の少なくとも一部が装置の外部ハウジング内にまだある場合、及び／又は構造４００及び構造４００を有する装置構造がまだ装置に取り付けられている場合にインシチュプリンティングと見なすことができる。
[0083] ある実施形態では、装置内の構造（例えば基板テーブルＷＴ）に取り外し可能に取り付けられた構造４１０が提供される。ある実施形態では、構造４１０は、例えば吸引クランプ、静電クランプ、又はその他のクランプ装置、ボルト若しくはネジなどによって装置構造に取り付けられる。ある実施形態では、構造４１０は、装置構造（例えば基板テーブルＷＴ）に取り付けられる前に１つ以上の装置マークを備える。構造４１０が複数の装置マーク５００、５１０を示す一方、構造４１０は単一の装置マーク５００、５１０のみを有する可能性がある。
[0084] そして、取り外し可能な構造４１０を有することによって、１つ以上の異なる装置マークを有する異なる構造４１０を設けることができ、異なる種類の装置マークを装置構造上に設けることができる。そして、ある実施形態では、各々が１つ以上の異なる装置マークを有する複数の構造４１０を提供することができる。ある実施形態では、構造４１０は、装置構造から（例えば、概して装置の外側へ）取り外された場合に異なる装置マークを用いてプリントすることができる。ある実施形態では、構造４１０は、構造４００に加えて、又は構造４００に代わるものとして設けられる。

[0085] 本明細書中の説明は、アライメントマーク及びアライメントセンサシステムの較正に焦点を合わせているが、本明細書における開示は異なるマークに適用することもできる。例えばマークを使用して、フォーカス／レベリングシステムなどの、アライメントセンサシステムと異なるセンサシステムの診断や較正などを行うことができる。
[0086] 本明細書では、例えば回折次数に由来する強度から周期構造の位置を測定する、回折ベースのメトロロジに関連して実施形態が記載されている。しかしながら、本明細書中の実施形態は、必要に応じた適切な変更とともに、例えばターゲットの高品質画像を用いることから位置を測定する、像ベースのメトロロジに適用されてもよい。通常、これらのターゲットは、周期構造又は「ボックス」（ボックス・イン・ボックス（ＢｉＢ））である。
[0087] ある実施形態では、少なくとも一部が装置内にある間に、装置により保持される基板から分離した構造上に装置マークをプリントすること、及びセンサシステムを使用して装置内で装置マークを計測することを含む方法が提供される。
[0088] ある実施形態では、構造は、基板を保持するように構成された基板テーブルの一部であるか、又は基板テーブル上に位置する。ある実施形態では、センサシステムはアライメントセンサシステムである。ある実施形態では、方法はさらに、装置マークを使用してセンサシステムを較正することを含む。ある実施形態では、装置マークをプリントすることは、装置のシステムからの放射ビームを使用することを含む。ある実施形態では、装置マークをプリントすることは、装置マークを有する構造の表面をアブレートすることを含む。ある実施形態では、装置マークをプリントすることは、パターニングデバイスによりパターンがパターン付与されたビームを構造に投影して、装置マークをプリントすることを含む。ある実施形態では、構造は表面コーティングを有するプレートを備える。ある実施形態では、装置マークは基板のアライメントマークと同じ種類である。ある実施形態では、装置マークは基板のアライメントマークと同じ種類ではないが、基板のアライメントマークのセンサシステムのドリフト挙動を模倣する。
[0089] ある実施形態では、構造と、マークを計測するように構成されたセンサシステムと、少なくとも一部が装置内にある間に、装置により保持される基板から分離した構造上に装置マークのプリントを行わせ、装置内でセンサシステムを使用して装置マークの計測を行わせるように構成された制御システムと、を備える装置が提供される。
[0090] ある実施形態では、装置はさらに、基板を保持するように構成された基板テーブルを備え、構造は基板テーブルの一部であるか、又は基板テーブル上に位置する。ある実施形態では、センサシステムはアライメントセンサシステムである。ある実施形態では、制御システムはさらに、装置マークを使用してセンサシステムの較正を行わせるように構成される。ある実施形態では、装置はさらに、放射ビームを投影するように構成された放射システムを備え、制御システムは、装置の放射システムからの放射ビームを使用することによって装置マークのプリントを行わせるように構成される。ある実施形態では、制御システムは、装置マークを有する構造の表面をアブレートすることによって装置マークのプリントを行わせるように構成される。ある実施形態では、制御システムは、パターニングデバイスによりパターンがパターン付与されたビームを構造に投影して、装置マークをプリントすることによって、装置マークのプリントを行わせるように構成される。ある実施形態では、構造は表面コーティングを有するプレートを備える。ある実施形態では、装置マークは基板のアライメントマークと同じ種類である。ある実施形態では、装置マークは基板のアライメントマークと同じ種類ではないが、基板のアライメントマークのセンサシステムのドリフト挙動を模倣する。ある実施形態では、装置は、放射ビームで基板を露光するように構成されたリソグラフィ装置である。
[0091] これまでメトロロジ及び光リソグラフィとの関連で実施形態の使用に特に言及してきたが、実施形態は文脈によってはその他の応用、例えばインプリントリソグラフィで使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に生成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層内に刻印されてよく、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを印加することでレジストは硬化する。レジストが硬化した後、レジストにパターンを残したまま、パターニングデバイスがレジストから取り外される。実施形態はマスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（又は他の基板）やマスク（又は他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを計測又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。
[0092] ある実施形態では、ハードウェア、ソフトウェア、又はこれらの組み合わせを備える制御システムが（例えばリソグラフィ装置内に）設けられ、本明細書に記載の方法の１つ以上の工程を実行する。
[0093] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0094] 本明細書で用いる「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射とともに、イオンビームや電子ビームといった粒子ビームを包含する。ある実施形態では、露光用の「放射」及び「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射、極端紫外線（ＥＵＶ）放射、又はイオンビームや電子ビームといった粒子ビームであってよい。ある実施形態では、メトロロジ用の「放射」及び「ビーム」は、可視光、近赤外放射、又はＵＶ放射であってよい。「ＥＵＶ放射」という用語は、４〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含するものと見なすことができる。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの４〜１０ｎｍの範囲内の波長を有し得る。
[0095] 「レンズ」という用語は、文脈上許されれば、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型及び静電型の光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントの任意の一つ又はその組み合わせを指す場合がある。照明光学系、光学部品及び検出光学部品は、放射ビームを誘導、整形、又は制御するための、屈折型、反射型、及び反射屈折型の光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントを包含し得る。
[0096] 実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はこれらの任意の組み合わせとして具現化されてもよい。プロセッサＰＲは、実行されたとき検出器１８からの信号出力に復号シーケンスを適用するプロセッサ可読命令を記憶するメモリに接続されていてもよい。実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読取かつ実行され得るコンピュータ可読媒体に記憶された命令として具現化されてもよい。コンピュータ可読媒体は、機械（例えば計算装置）により読取可能な形式で情報を記憶又は伝送するいかなる機構も含んでよい。例えば、コンピュータ可読媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリ装置、電気的、光学的、音響的又はその他の形式の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）及びその他を含んでよい。また、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、ある動作を実行するものとして本明細書に記述される場合がある。しかしながら、これらの記述は単に便宜上のものであり、これらの動作は実際には、そのファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する計算装置、プロセッサ、コントローラ、又は他の装置により得られるものと理解されたい。
[0097] 特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、そのような適合及び変更は、本明細書に提示される教示及び案内に基づき、開示される実施形態の同等物の意味及び範囲内に入ることが意図される。本明細書における表現又は用語は限定でなく例示による記載のためのものであるので、本明細書の表現又は用語は、当業者によって教示及び案内の観点から解釈されるべきであることは理解されよう。
[0098] 本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
[0099] したがって、特定の実施形態を上述したが、本発明は説明した以外の方法で実施してもよいことが理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、説明した本発明に修正を加えることができることは当業者には明らかであろう。

Claims (15)

  1. 基板テーブルとアライメントセンサシステムとを備える装置において、前記基板テーブルにより保持される基板から分離した構造上に、前記基板テーブルが少なくとも部分的に前記装置内にある間に装置マークをプリントすることと、
    前記アライメントセンサシステムを使用して前記基板テーブル内で前記装置マークを計測することと、を含み、
    前記装置マークをプリントすることが、前記装置マークを有する前記構造の表面をアブレートすることを含む、方法。
  2. 前記構造は、前記基板テーブルの一部であるか、又は、前記基板テーブル上に位置する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記アライメントセンサシステムを、前記装置マークを使用して較正することをさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記装置マークをプリントすることは、前記基板テーブルを含むシステムからの放射ビームを使用することを含む、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
  5. 前記装置マークをプリントすることは、パターニングデバイスによりパターンがパターン付与されたビームを前記構造に投影して前記装置マークをプリントすることを含む、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
  6. 前記構造は、表面コーティングを有するプレートを備える、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
  7. 前記装置マークは、前記基板の前記アライメントマークのセンサシステムのドリフト挙動を模倣する、請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
  8. 請求項１から７の何れか一項に記載の方法の実行をプロセッサシステムに行わせるための機械可読命令を含む、非一時的コンピュータプログラム。
  9. 構造と、マークを計測するように構成されたアライメントセンサシステムと、基板テーブルと、を備える装置であって、
    前記基板テーブルにより保持される基板から分離した前記構造上に、前記基板テーブルが少なくとも部分的に前記装置内にある間に装置マークのプリントを行わせ、前記基板テーブル内で前記アライメントセンサシステムを使用して前記装置マークの計測を行わせるように構成された制御システムを備え、
    前記制御システムは、前記装置マークを有する前記構造の表面をアブレートすることによって、前記装置マークの前記プリントを行わせるように構成される、装置。
  10. 前記構造は、前記基板テーブルの一部であるか、又は前記基板テーブル上に位置する、請求項９に記載の装置。
  11. 前記制御システムはさらに、前記装置マークを使用して前記アライメントセンサシステムの較正を行わせるように構成される、請求項９又は１０に記載の装置。
  12. 放射ビームを投影するように構成された放射システムをさらに備え、
    前記制御システムは、前記放射システムからの放射ビームを使用することによって前記装置マークの前記プリントを行わせるように構成される、請求項９から１１の何れか一項に記載の装置。
  13. 前記制御システムは、パターニングデバイスによりパターンがパターン付与されたビームを前記構造に投影して前記装置マークをプリントすることによって、前記装置マークの前記プリントを行わせるように構成される、請求項９から１２の何れか一項に記載の装置。
  14. 前記構造は、表面コーティングを有するプレートを備える、請求項９から１３の何れか一項に記載の装置。
  15. ハードウェアプロセッサシステムと、機械可読命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体と、を備え、
    実行されるとき、前記機械可読命令が、請求項１から７の何れか一項に記載の方法の実行を前記プロセッサシステムに行わせる、システム。
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