KR20100091919A - 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법 - Google Patents

검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100091919A
KR20100091919A KR1020100012423A KR20100012423A KR20100091919A KR 20100091919 A KR20100091919 A KR 20100091919A KR 1020100012423 A KR1020100012423 A KR 1020100012423A KR 20100012423 A KR20100012423 A KR 20100012423A KR 20100091919 A KR20100091919 A KR 20100091919A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radiation
substrate
illuminated
illumination profile
illumination
Prior art date
Application number
KR1020100012423A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101129332B1 (ko
Inventor
휴고 아우구스티누스 요제프 크라머
안토이네 가스톤 마리에 키에르스
헨리쿠스 페트루스 마리아 펠레만스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20100091919A publication Critical patent/KR20100091919A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101129332B1 publication Critical patent/KR101129332B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/18—Generating the spectrum; Monochromators using diffraction elements, e.g. grating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
    • G01J3/4412—Scattering spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4788—Diffraction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

각도 분해 스펙트로메트리를 위해, 4 개의 사분원들을 갖는 조명 프로파일을 갖는 방사선 빔이 사용된다. 제 1 및 제 3 사분원들이 조명되는 반면, 제 2 및 제 4 사분원들은 조명되지 않는다. 따라서, 결과적인 퓨필 평면은 4 개의 사분원들로 분리되며, 0차 회절 패턴만이 제 1 및 제 3 사분원들에 나타나고, 1차 회절 패턴만이 제 2 및 제 4 사분원들에 나타난다.

Description

검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법{INSPECTION APPARATUS, LITHOGRAPHIC APPARATUS, LITHOGRAPHIC PROCESSING CELL AND INSPECTION METHOD}
본 발명은, 예를 들어 디바이스 제조 시 리소그래피 기술들에 의해 이용가능한 검사 방법들, 및 리소그래피 기술들을 이용한 디바이스 제조 방법들에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 공정을 모니터링하기 위해서는, 패터닝된 기판의 파라미터들, 예를 들어 기판 내에 또는 기판 상에 형성된 연속한 층들 간의 오버레이 오차를 측정할 필요가 있다. 리소그래피 공정들에서 형성된 미시적 구조체(microscopic structure)들의 측정을 행하기 위해, 주사 전자 현미경(SEM) 또는 다양한 전문화된 툴(specialized tool)의 사용을 포함한, 다양한 기술들이 존재한다. 전문화된 검사 툴의 일 형태는, 방사선 빔이 기판 표면 상의 타겟부 상으로 지향되고 산란되거나 반사된 빔의 속성들이 측정되는 스캐터로미터이다. 상기 빔의 속성들을, 상기 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란되기 전후와 비교함으로써, 기판의 속성들이 결정될 수 있다. 이는, 예를 들어 상기 반사된 빔들을, 알려진 기판 속성들과 연계된 기존 측정치들의 라이브러리에 저장된 데이터와 비교함으로써 행해질 수 있다. 두 가지 주요 타입의 스캐터로미터가 알려져 있다. 분광 스캐터로미터(spectroscopic scatterometer)는 광대역 방사선 빔을 기판 상으로 지향시키고, 특정한 좁은 각도 범위 안으로 산란된 방사선의 스펙트럼(파장의 함수로서 세기)을 측정한다. 각도 분해 스캐터로미터(angularly resolved scatterometer)는 단색(monochromatic) 방사선 빔을 사용하며, 각도의 함수로서 산란된 방사선의 세기를 측정한다.
각도 분해 스펙트로메트리(angular resolved spectrometry)에서는, 기판 상의 주기적인 마크가 다양한 각도에서 동시에 조명된다. 이 마크에 의해 회절된 광은 상기 마크의 특정한 특성들을 측정하는데 사용된다. 마크의 주기가 충분히 길면, 회절된 광은 더 높은 회절 차수를 포함할 것이다. 하지만, 도 5를 참조하여 나타낸 바와 같이, 1차 회절 차수의 일부분은 흔히 0차 회절 차수의 일부분과 혼합된다. 이러한 회절 차수의 중첩은 일반적으로 마크 특성의 덜 강건한 재구성(less robust reconstruction)을 유도한다. 상이한 회절 차수를 분리시키기 위해 각도 조명이 사용될 수 있으며, 이는 도 6에 나타낸 바와 같이 분리된 0차 및 1차 회절 패턴들을 유도한다. 하지만, 각도 조명이 회절된 광에 관한 정보를 덜 제공하기 때문에, 이러한 각도 조명의 사용은 측정된 마크 특성 오차를 유발할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 예를 들어, 각도 조명에서는, 마스크 특성을 측정하는데 있어서 귀중한 정보를 포함할 수 있는 수직 입사(normal incidence) 근처에 광 빔이 존재하지 않는다.
1차 및 0차 회절 차수를 분리시킴과 동시에, 모든 가능한 입사 각도 및 방위 각도(azimuthal angle)로 기판을 조명하는 기판 조명 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판의 속성을 측정하도록 구성된 검사 장치가 제공된다. 상기 장치는 방사선 빔을 제공하도록 구성된 조명 시스템; 상기 방사선을 상기 기판 상으로 투영하도록 구성된 방사선 투영기; 높은 개구수(numerical aperture) 렌즈; 및 검출기를 포함한다. 상기 검출기는 기판 표면으로부터 반사된 방사선 빔을 검출하도록 구성되며, 0차 및 1차 회절 차수를 별도로 검출한다. 상기 방사선 투영기에 의해 투영된 방사선 빔의 결과적인 조명 프로파일은, 상기 방사선 빔의 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않으며, 상기 방사선 투영기의 광축을 통과하도록 되어 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 패턴을 조명하도록 구성된 조명 광학 시스템; 상기 패턴의 이미지를 기판 상으로 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템; 및 앞서 언급된 검사 장치를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 방사선 감응층으로 기판들을 코팅하도록 구성된 코팅기(coater); 상기 코팅기에 의해 코팅된 상기 기판들의 방사선 감응층 상으로 이미지들을 노광시키도록 구성된 리소그래피 장치; 상기 리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지들을 현상하도록 구성된 현상기(developer); 및 앞서 언급된 검사 장치를 포함하는 리소그래피 셀이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판의 속성을 측정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 타겟을 노광하는 단계; 상기 기판 상의 상기 타겟 상으로 방사선의 빔을 투영하는 단계; 상기 기판에 의해 반사된 상기 방사선을 검출하는 단계; 및 상기 반사된 방사선으로부터 상기 속성을 결정하는 단계를 포함하고, 방사선 투영기에 의해 투영된 상기 방사선 빔의 조명 프로파일은, 상기 방사선 빔의 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않으며, 상기 방사선 투영기의 광축을 통과하도록 되어 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판의 속성을 측정하도록 구성된 검사 장치가 제공되고, 상기 장치는: 방사선 빔을 제공하도록 구성된 조명 시스템; 상기 방사선 빔을 상기 기판 상으로 투영하도록 구성된 방사선 투영기; 높은 개구수 렌즈; 및 상기 기판의 표면으로부터 반사된 상기 방사선 빔을 검출하고, 0차 및 1차 회절 차수들을 별도로 검출하도록 구성된 검출기를 포함하고, 상기 방사선 투영기에 의해 투영된 상기 방사선 빔의 조명 프로파일은, 상기 방사선 빔의 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않으며, 상기 방사선 투영기의 광축을 통과하도록 되어 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 패턴을 조명하도록 구성된 조명 광학 시스템; 상기 패턴의 이미지를 기판 상으로 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템; 및 상기 기판의 표면으로부터 반사된 방사선 빔을 검출하고, 0차 및 1차 회절 차수들을 별도로 검출하도록 구성된 검출기를 갖는 검사 장치를 포함하며, 상기 반사된 방사선 빔의 조명 프로파일은, 그 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않고, 상기 투영 광학 시스템의 광축을 통과하도록 되어 있는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 방사선 감응층으로 기판들을 코팅하도록 구성된 코팅기; 상기 코팅기에 의해 코팅된 상기 기판들의 방사선 감응층 상으로 이미지들을 노광시키도록 구성된 리소그래피 장치; 상기 리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지들을 현상하도록 구성된 현상기; 및 상기 기판의 표면으로부터 반사된 방사선 빔을 검출하고, 0차 및 1차 회절 차수들을 별도로 검출하도록 구성된 검출기를 갖는 검사 장치를 포함하고, 상기 반사된 방사선 빔의 조명 프로파일은, 그 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않고, 상기 투영 광학 시스템의 광축을 통과하도록 되어 있는 리소그래피 셀이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 기판의 속성을 측정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은: 타겟을 노광하는 단계; 투영 광학 시스템을 이용하여, 상기 기판 상의 상기 타겟 상으로 방사선 빔을 투영하는 단계; 상기 기판에 의해 반사된 방사선을 검출하고, 0차 회절 차수 및 고차 회절 차수를 별도로 검출하는 단계; 및 상기 별도로 검출된 0차 회절 차수 및 고차 회절 차수를 이용하여 마크의 적어도 1 이상의 특성을 재구성하는 단계를 포함한다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다.
도 1은 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 리소그래피 셀 또는 클러스터를 도시하는 도면;
도 3은 제 1 스캐터로미터를 도시하는 도면;
도 4는 제 2 스캐터로미터를 도시하는 도면;
도 5는 종래의 조명을 이용한 퓨필 평면을 도시하는 도면;
도 6은 각도 조명을 이용한 퓨필 평면을 도시하는 도면;
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 프로파일을 도시하는 도면;
도 7b는 도 7a에 도시된 조명 프로파일을 이용한 퓨필 평면을 도시하는 도면;
도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 조명 프로파일을 도시하는 도면;
도 8b는 도 8a에 도시된 조명 프로파일을 이용한 퓨필 평면을 도시하는 도면;
도 9a는 대안적인 조명 프로파일을 도시하는 도면; 및
도 9b는 도 9a에 도시된 조명 프로파일을 이용한 퓨필 평면을 도시하는 도면이다.
도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1 이상의 다이를 포함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 2-D 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 때때로 리소셀(lithocell) 또는 클러스터라고도 칭하는 리소그래피 셀(LC)의 일부분을 형성하며, 이는 기판 상에 전-(pre-) 및 후-노광(post-exposure) 공정들을 수행하는 장치를 포함한다. 통상적으로, 이들은 레지스트 층들을 증착(예를 들어, 코팅)시키는 스핀 코팅기(spin coater: SC), 노광된 레지스트를 현상하는 현상기(DE), 칠 플레이트(chill plate: CH) 및 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)은 입력/출력 포트들(I/O1, I/O2)로부터 기판들을 집어올리고, 상기 기판들을 상이한 공정 장치 사이로 이동시킨 후, 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay: LB)로 전달한다. 흔히, 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 디바이스들은 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어하는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋(throughput)과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.
리소그래피 장치에 의해 노광된 기판들이 정확하고 일관성 있게 노광되기 위해서는, 노광된 기판들을 검사하여, 후속 층들 간의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 속성들을 측정하는 것이 바람직하다. 오차들이 검출되면, 특히 동일한 뱃치(batch)의 다른 기판들이 노광될 수 있도록 검사가 바로, 충분히 신속하게 행해질 수 있다면, 후속 기판들의 노광에 대해 조정이 행해질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판들은 벗겨질 수 있으며(strip) - 수율을 개선하기 위해 - 재작업되거나 폐기될 수 있음에 따라, 결함이 있다고 판단된 기판들 상에 노광을 수행하지 않는다. 기판의 몇몇 타겟부들만이 결함이 있는 경우, 양호한 타겟부들 상에만 추가 노광이 수행될 수 있다.
기판들의 속성을 결정하고, 특히 상이한 기판들 또는 동일한 기판의 상이한 층들의 속성들이 층에서 층으로 어떻게 변하는지를 결정하기 위해, 검사 장치가 사용된다. 검사 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC) 안으로 통합될 수 있거나, 독립형 디바이스(stand alone device)일 수 있다. 가장 신속한 측정을 가능하게 하기 위하여, 검사 장치는 노광 직후에 노광된 레지스트 층의 속성들을 측정하는 것이 바람직하다. 하지만, 레지스트의 잠상(latent image)은 매우 낮은 콘트라스트(contrast)를 가지며(방사선에 노출된 레지스트 부분들과 방사선에 노출되지 않은 레지스트 부분들 사이에는 매우 작은 굴절률 차이만이 존재함), 모든 검사 장치들이 잠상의 유용한 측정을 행하기에 충분한 민감도를 갖는 것은 아니다. 그러므로, 후-노광 베이크(PEB) 단계 이후에 측정들이 행해질 수 있으며, 이는 통상적으로 노광된 기판들 상에 수행된 제 1 단계로, 레지스트의 노광된 부분들과 노광되지 않은 부분들 사이의 콘트라스트를 증가시킨다. 이 단계에서, 레지스트의 이미지는 반-잠상(semi-latent)이라고 칭해질 수 있다. 또한, - 레지스트의 노광된 부분들 또는 노광되지 않은 부분들이 제거된 시점에 - 또는 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 행할 수도 있다. 후자의 가능성은 결함 기판들의 재작업에 대한 가능성을 제한하지만, 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.
도 3은 본 발명에 사용될 수 있는 스캐터로미터(SM1)를 도시한다. 이는 기판(W) 상으로 방사선을 투영하는 광대역 (흰광) 방사선 투영기(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 정반사된(specular reflected) 방사선의 스펙트럼(10)(파장의 함수로서 세기)을 검출(예를 들어, 측정)하는 스펙터로미터 검출기(4)로 전달된다. 이 데이터로부터, 검출된 스펙트럼을 발생시킨 구조 또는 프로파일은 처리 유닛(PU)에 의해, 예를 들어 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비-선형 회귀(non-linear regression)에 의해, 또는 도 3의 아래에 도시된 시뮬레이션된 스펙트럼의 라이브러리와의 비교에 의해 재구성될 수 있다. 일반적으로, 재구성을 위해서 구조체의 일반적인 형태가 알려지며, 스캐터로메트리 데이터로부터 결정될 구조체의 소수의 파라미터들만을 제외하고는, 구조체가 만들어진 공정의 정보로부터 몇몇 파라미터들이 가정된다. 이러한 스캐터로미터는 수직 입사 스캐터로미터 또는 사선 입사 스캐터로미터로서 구성될 수 있다.
본 발명과 함께 사용될 수 있는 또 다른 스캐터로미터(SM2)가 도 4에 도시된다. 이 디바이스에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 통해 간섭성 필터(13) 및 편광기(17)를 통해 포커스되고, 부분 반사 표면(16)에 의해 반사되며, 바람직하게는 0.9 이상, 더 바람직하게는 0.95 이상의 높은 개구수(NA)를 갖는 현미경 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상으로 포커스된다. 침지 스캐터로미터는 개구수가 1 이상인 렌즈들을 가질 수 있다. 그 후, 반사된 방사선은 부분 반사 표면(16)을 통해 검출기(18) 안으로 투과되어, 산란 스펙트럼을 검출하게 된다. 검출기는 후방-투영된(back-projected) 퓨필 평면(11)에 위치될 수 있으며, 이는 렌즈 시스템(15)의 초점 길이에 있다. 하지만, 그 대신에 퓨필 평면은 보조 광학기(도시되지 않음)로 검출기 상에 재-이미징(re-image)될 수 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 방사 위치(radial position)가 입사각을 한정하고 각도 위치가 방사선의 방위각을 한정하는 평면이다. 검출기는 기판 타겟(30)의 2-차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2-차원 검출기인 것이 바람직하다. 검출기(18)는, 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서들의 어레이일 수 있으며, 예를 들어 프레임당 40 밀리초(ms)의 집적화 시간(integration time)을 이용할 수 있다.
예를 들어, 입사 방사선의 세기를 측정하기 위해, 때로는 기준 빔이 사용된다. 이를 행하기 위하여, 방사선 빔이 빔 스플리터(16) 상에 입사될 때, 그 일부분이 기분 빔으로서 빔 스플리터를 통해 기준 거울(14)로 투과된다. 그 후, 기준 빔은 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상으로 투영된다.
이를테면 405 내지 790 nm 범위의 또는 200 내지 300 nm와 같이 훨씬 더 낮은 범위의 해당(of interest) 파장을 선택하기 위해 한 세트의 간섭성 필터들(13)이 이용가능하다. 간섭성 필터는 한 세트의 상이한 필터들을 포함하기보다는 조정가능할 수 있다. 간섭성 필터들 대신에 격자가 사용될 수도 있을 것이다.
검출기(18)는 단일 파장(또는 좁은 파장 범위)에서 산란된 광의 세기를 측정할 수 있으며, 상기 세기는 다수의 파장들에서 서로 분리되거나 파장 범위에 걸쳐 통합된다. 나아가, 검출기는 횡-자기(transverse magnetic) 광 및 횡-전기-편광된 광, 및/또는 횡-자기 광 및 횡-전기-편광된 광 사이의 위상차를 별도로 측정할 수 있다.
광대역 광 소스(즉, 넓은 범위의 광 주파수 또는 파장, 및 이에 따른 컬러를 갖는 광 소스)를 이용하는 것이 가능하며, 이는 큰 에텐듀(etendue)를 제공하여, 다수의 파장들의 혼합을 허용한다. 광대역 내 복수의 파장들은 각각 δλ의 대역폭과 2δλ(즉, 대역폭의 두 배) 이상의 간격을 갖는 것이 바람직하다. 방사선의 몇몇 "소스"들은 섬유 다발(fiber bundle)을 이용하여 분리된, 연장된 방사선 소스의 상이한 부분들일 수 있다. 이러한 방식으로, 각도 분해된 산란 스펙트럼이 파수의 파장들에서 병렬로 측정될 수 있다. 2-D 스펙트럼보다 더 많은 정보를 포함하는 3-D 스펙트럼(파장 및 2 개의 상이한 각도들)이 측정될 수 있다. 이는 더 많은 정보가 측정되게 하며, 이는 메트롤로지 처리 강건성을 증대시킨다. 이는 배경기술로서 본 명세서에서 인용 참조 되는 EP 1,628,164A에 더 자세히 개시되어 있다.
기판(W) 상의 타겟(30)은 격자일 수 있으며, 이는 현상 후, 바아(bar)들이 실선(solid) 레지스트 라인들로 형성되도록 프린트된다. 대안적으로, 바아들은 기판 안으로 에칭될 수 있다. 이 패턴은 리소그래피 투영 장치, 특히 투영 시스템(PL)에서 색수차(chromatic aberration) 및 조명 대칭에 민감하며, 이러한 수차들의 존재는 그 자체로 프린트된 격자의 변동을 나타낼 것이다. 이에 따라, 프린트된 격자들의 스캐터로메트리 데이터는 격자들을 재구성하는데 사용된다. 선폭 및 형상과 같은 격자의 파라미터들은 프린팅 단계 및/또는 다른 스캐터로메트리 공정들의 정보로부터 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 프로세스에 입력될 수 있다.
본 발명에 따르면, 각도 분해된 스펙트로메트리 동안에 기판을 조명하는 방사선 빔은 가상선을 갖는다. 조명된 조명 프로파일 내의 어느 지점(또는 영역)에 대해, 조명되지 않은 가상선의 반대쪽 상에 대응하는 지점(또는 영역)이 존재한다. 이와 유사하게, 조명되지 않은 조명 프로파일 내의 어느 지점에 대해, 조명된 가상선의 반대쪽 상에 대응하는 지점이 존재한다. 이를 행하는 가장 간단한 방식은 도 7a에 도시된 바와 같이 조명 프로파일의 절반을 조명하는 것이다. 조명될 마크의 대칭 라인은 조명 프로파일의 대칭 평면과 매칭되어야 하고 이에 대해 평행해야 한다. 결과적인 퓨필 평면은 도 7b에 도시되어 있다. 알 수 있는 바와 같이, 1차 회절 패턴이 퓨필 평면의 절반에 도시되며, 0차 회로 패턴이 다른 절반에 도시된다. 그러므로, 회절 패턴들은 각도 조명 프로파일의 사용과 관련하여 어떠한 단점도 갖지 않고 분리된다. 이러한 방식으로, 0차 회절 차수의 정보를 제거하지 않고 1차로부터 추가 정보가 사용된다. 그 후, 본 발명의 방법을 이용하여 별도로 측정된 0차 및 1차 회절 차수를 이용하여, 마크의 특성이 재구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예가 도 8에 도시된다. 이 실시예에서, 도 8a에 도시된 조명 프로파일은 4 개의 사분원으로 분리되는데, 제 1 사분원과 제 3 사분원이 조명되며 제 2 사분원과 제 4 사분원은 조명되지 않는다. 사분원들은 크기가 동일한 것이 바람직하다. 따라서, 이 실시예에서는 2 개의 가상선들이 존재한다. 이러한 타입의 조명 프로파일은 조명 프로파일의 가상선들에 대해 평행하게 정렬된 적어도 2 이상의 대칭 정도를 갖는 마크들과 연계하여 사용된다. 결과적인 퓨필 평면은 도 8b에 도시된다.
도 8a는 조명된 4 개의 사분원들 중 2 개를 갖는 조명 파일을 도시하지만, 사분원들 중 하나만을 조명할 필요가 있으며, 이러한 조명 프로파일은 도 9a에 도시된다. 결과적인 퓨필 평면은 도 9b에 도시된다. 이러한 조명 프로파일은, 예를 들어 콘택 어퍼처(contact aperture)들의 어레이의 조명에 특히 유용하다. 하지만, 제 2 사분원을 조명하면, 센서 비대칭의 영향이 감소된다. 더욱이, 이는 측정된 마크 특성의 재현성을 개선하는데 도움을 주는 더 많은 측정 포토들을 제공한다.
본 발명은 0차 및 1차 회절 패턴들과 관련하여 설명되었지만, 1차 및 2차, 그리고 2차 및 3차 회절 패턴들에도 동일한 원리가 적용될 수 있다. 조명 프로파일은, 예를 들어 조명된 소정 사분원들만을 갖는 조명 프로파일을 이용하여 회절 패턴들이 분리되도록 배치될 수 있다.
측정된 각도 분해 스펙트럼은 마크 특성의 재구성에 둘 모두가 사용되는 분리된 0차 및 1차 회절 차수 정보를 포함한다. 재구성 방법들은, 예를 들어 실시간 회귀 방법, 라이브러리 또는 이들 2 개의 조합에 의존할 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (27)

  1. 기판의 속성을 측정하도록 구성된 검사 장치에 있어서,
    방사선의 빔을 제공하도록 구성된 조명 시스템;
    상기 방사선을 상기 기판 상으로 투영하도록 구성된 방사선 투영기;
    높은 개구수(numerical aperture) 렌즈;
    상기 기판의 표면으로부터 반사된 상기 방사선 빔을 검출하고, 0차 회절 차수 및 고차(higher) 회절 차수를 별도로 검출하도록 구성된 검출기를 포함하고,
    상기 방사선 투영기에 의해 투영된 상기 방사선 빔의 조명 프로파일은 마크의 적어도 1 이상의 특성이 상기 별도로 검출된 0차 회절 차수 및 고차 회절 차수를 이용하여 재구성될 수 있도록 되어 있는 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고차 회절 차수는 1차 회절 차수인 검사 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 방사선 빔은 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않으며, 상기 방사선 투영기의 광축을 통과하는 검사 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은, 상기 조명 프로파일의 전체 또는 일부분에 걸쳐, 조명된 상기 가상선의 제 1 측면 상의 부분들이 조명되지 않은 상기 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖고, 조명되지 않은 상기 가상선의 상기 제 1 측면 상의 상기 부분들의 전체 또는 일부분이 조명된 상기 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖도록 되어 있는 검사 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명 시스템은 방사선 프로파일을 갖도록 상기 방사선 빔을 구성하는 검사 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은 제 1 가상선에 수직인 제 2 가상선을 갖고;
    상기 조명 프로파일의 전체 또는 일부분에 걸쳐, 조명된 상기 제 2 가상선의 제 1 측면 상의 부분들은 조명되지 않은 상기 제 2 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖고, 조명되지 않은 상기 제 2 가상선의 상기 제 1 측면 상의 상기 부분들 중 전체 또는 일부분은 조명된 상기 제 2 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖는 검사 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은 4 개의 동일한 사분원들을 갖고, 1 개의 사분원이 조명되며, 다른 3 개의 사분원들은 조명되지 않는 검사 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은 4 개의 동일한 사분원들을 갖고, 인접하지 않은 2 개의 사분원들이 조명되며, 인접하지 않은 다른 2 개의 사분원들은 조명되지 않는 검사 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    기판을 더 포함하고, 상기 기판은 대칭선을 갖는 마크를 가지며, 상기 조명 프로파일의 가상선은 상기 마크의 대칭선에 대해 평행한 검사 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구수는 상기 1차 회절 차수가 검출된 상기 퓨필 평면에서 영역들에 대응하는 상기 방사선의 부분들을 차단하도록 구성된 검사 장치.
  11. 리소그래피 장치에 있어서,
    패턴을 조명하도록 구성된 조명 광학 시스템;
    상기 패턴의 이미지를 기판 상으로 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템; 및
    제 1 항에 따른 검사 장치를 포함하는 리소그래피 장치.
  12. 리소그래피 셀에 있어서,
    방사선 감응층으로 기판들을 코팅하도록 구성된 코팅기(coater);
    상기 코팅기에 의해 코팅된 상기 기판들의 방사선 감응층 상으로 이미지들을 노광시키도록 구성된 리소그래피 장치;
    상기 리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지들을 현상하도록 구성된 현상기(developer); 및
    제 1 항에 따른 검사 장치를 포함하는 리소그래피 셀.
  13. 기판의 속성을 측정하는 방법에 있어서,
    타겟을 노광하는 단계;
    상기 기판 상의 상기 타겟 상으로 방사선의 빔을 투영하는 단계;
    상기 기판에 의해 반사된 상기 방사선을 검출하는 단계; 및
    상기 반사된 방사선으로부터 상기 속성을 결정하는 단계를 포함하고,
    방사선 투영기에 의해 투영된 상기 방사선 빔의 조명 프로파일은, 상기 방사선 빔의 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않으며, 상기 방사선 투영기의 광축을 통과하도록 되어 있는 기판의 속성을 측정하는 방법.
  14. 기판의 속성을 측정하도록 구성된 검사 장치에 있어서,
    방사선 빔을 제공하도록 구성된 조명 시스템;
    상기 방사선 빔을 상기 기판 상으로 투영하도록 구성된 방사선 투영기;
    높은 개구수 렌즈; 및
    상기 기판의 표면으로부터 반사된 상기 방사선 빔을 검출하고, 0차 및 1차 회절 차수들을 별도로 검출하도록 구성된 검출기를 포함하고,
    상기 방사선 투영기에 의해 투영된 상기 방사선 빔의 조명 프로파일은, 상기 방사선 빔의 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않으며, 상기 방사선 투영기의 광축을 통과하도록 되어 있는 검사 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은, 상기 조명 프로파일의 전체 또는 일부분에 걸쳐, 조명된 상기 가상선의 제 1 측면 상의 부분들이 조명되지 않은 상기 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖고, 조명되지 않은 상기 가상선의 상기 제 1 측면 상의 부분들이 조명된 상기 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖도록 되어 있는 검사 장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 시스템은 방사선 프로파일을 갖도록 상기 방사선 빔을 구성하는 검사 장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은 제 1 가상선에 수직인 제 2 가상선을 갖고;
    상기 조명 프로파일의 전체 또는 일부분에 걸쳐, 조명된 상기 제 2 가상선의 제 1 측면 상의 부분들은 조명되지 않은 상기 제 2 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖고, 조명되지 않은 상기 제 2 가상선의 상기 제 1 측면 상의 부분들은 조명된 상기 제 2 가상선의 다른 측면 상에서 대칭적으로 반대인 대응하는 부분들을 갖는 검사 장치.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은 4 개의 사분원들을 갖고, 1 개의 사분원이 조명되며, 다른 사분원들은 조명되지 않는 검사 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 4 개의 사분원들은 크기가 동일한 검사 장치.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 프로파일은 4 개의 사분원들을 갖고, 인접하지 않은 2 개의 사분원들이 조명되며, 인접하지 않은 다른 2 개의 사분원들은 조명되지 않는 검사 장치.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 4 개의 사분원들은 크기가 동일한 검사 장치.
  22. 제 12 항에 있어서,
    기판을 더 포함하고, 상기 기판은 대칭선을 갖는 마크를 가지며, 상기 조명 프로파일의 가상선은 상기 마크의 대칭선에 대해 평행한 검사 장치.
  23. 제 12 항에 있어서,
    상기 개구수는 상기 1차 회절 차수가 검출된 상기 퓨필 평면에서 영역들에 대응하는 상기 방사선 빔의 부분들을 차단하도록 구성된 검사 장치.
  24. 리소그래피 장치에 있어서,
    패턴을 조명하도록 구성된 조명 광학 시스템;
    상기 패턴의 이미지를 기판 상으로 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템; 및
    상기 기판의 표면으로부터 반사된 방사선 빔을 검출하고, 0차 및 1차 회절 차수들을 별도로 검출하도록 구성된 검출기를 갖는 검사 장치를 포함하며,
    상기 반사된 방사선 빔의 조명 프로파일은, 그 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않고, 상기 투영 광학 시스템의 광축을 통과하도록 되어 있는 리소그래피 장치.
  25. 리소그래피 셀에 있어서,
    방사선 감응층으로 기판들을 코팅하도록 구성된 코팅기;
    상기 코팅기에 의해 코팅된 상기 기판들의 방사선 감응층 상으로 이미지들을 노광시키도록 구성된 리소그래피 장치;
    상기 리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지들을 현상하도록 구성된 현상기; 및
    상기 기판의 표면으로부터 반사된 방사선 빔을 검출하고, 0차 및 1차 회절 차수들을 별도로 검출하도록 구성된 검출기를 갖는 검사 장치를 포함하고,
    상기 반사된 방사선 빔의 조명 프로파일은, 그 세기 분포가 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않고, 상기 투영 광학 시스템의 광축을 통과하도록 되어 있는 리소그래피 셀.
  26. 기판의 속성을 측정하는 방법에 있어서,
    타겟을 노광하는 단계;
    투영 광학 시스템을 이용하여, 상기 기판 상의 상기 타겟 상으로 방사선 빔을 투영하는 단계;
    상기 기판에 의해 반사된 방사선을 검출하고, 0차 회절 차수 및 고차 회절 차수를 별도로 검출하는 단계; 및
    상기 별도로 검출된 0차 회절 차수 및 고차 회절 차수를 이용하여 마크의 적어도 1 이상의 특성을 재구성하는 단계를 포함하는 기판의 속성을 측정하는 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 방사선 빔은 퓨필 평면에서 가상선에 대해 대칭적이지 않으며, 상기 투영 광학 시스템의 광축을 통과하는 기판의 속성을 측정하는 방법.
KR1020100012423A 2009-02-11 2010-02-10 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법 KR101129332B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15166509P 2009-02-11 2009-02-11
US61/151,665 2009-02-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100091919A true KR20100091919A (ko) 2010-08-19
KR101129332B1 KR101129332B1 (ko) 2012-03-26

Family

ID=42097393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100012423A KR101129332B1 (ko) 2009-02-11 2010-02-10 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법

Country Status (9)

Country Link
US (2) US8705007B2 (ko)
EP (1) EP2219078B1 (ko)
JP (2) JP2010192894A (ko)
KR (1) KR101129332B1 (ko)
CN (1) CN101819384B (ko)
IL (1) IL203445A (ko)
NL (1) NL2004094A (ko)
SG (1) SG164325A1 (ko)
TW (1) TWI428705B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180039743A (ko) * 2015-09-09 2018-04-18 케이엘에이-텐코 코포레이션 보조 전자기장의 도입에 기초한 1차 스캐터로메트리 오버레이의 새로운 접근법
US10132763B2 (en) 2012-07-23 2018-11-20 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
KR20200041380A (ko) * 2017-09-28 2020-04-21 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 계측 방법 및 디바이스

Families Citing this family (234)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
CN102498441B (zh) 2009-07-31 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元
NL2006935A (en) * 2010-06-28 2011-12-29 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method.
NL2007127A (en) 2010-08-06 2012-02-07 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method, lithographic apparatus and lithographic processing cell.
NL2007425A (en) 2010-11-12 2012-05-15 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
US9140998B2 (en) 2010-11-12 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US9223227B2 (en) * 2011-02-11 2015-12-29 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL2008110A (en) * 2011-02-18 2012-08-21 Asml Netherlands Bv Measuring method, measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2008317A (en) 2011-03-24 2012-09-25 Asml Netherlands Bv Substrate and patterning device for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
NL2009001A (en) 2011-07-08 2013-01-09 Asml Netherlands Bv Methods and patterning devices for measuring phase aberration.
NL2008936A (en) 2011-07-28 2013-01-29 Asml Netherlands Bv Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method.
EP2579100A3 (en) 2011-10-03 2017-12-06 ASML Holding N.V. Inspection apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP5873212B2 (ja) * 2012-04-12 2016-03-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 位置測定方法、位置測定装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法並びに光学要素
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
JP5992103B2 (ja) * 2012-07-30 2016-09-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 位置測定装置、位置測定方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP2704177B1 (en) * 2012-09-04 2014-11-26 Fei Company Method of investigating and correcting aberrations in a charged-particle lens system
NL2011816A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
CN104919372A (zh) 2012-11-30 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 用于确定结构的光刻品质的光刻方法和设备
DE102013204442A1 (de) 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optischer Wellenleiter zur Führung von Beleuchtungslicht
US9719920B2 (en) 2013-07-18 2017-08-01 Kla-Tencor Corporation Scatterometry system and method for generating non-overlapping and non-truncated diffraction images
US9958791B2 (en) 2013-10-30 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method
US10036962B2 (en) 2013-12-13 2018-07-31 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and methods, lithographic system and device manufacturing method
WO2015090838A1 (en) 2013-12-19 2015-06-25 Asml Netherlands B.V. Inspection methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method
US10331043B2 (en) 2014-02-21 2019-06-25 Asml Netherlands B.V. Optimization of target arrangement and associated target
SG11201609566VA (en) 2014-06-02 2016-12-29 Asml Netherlands Bv Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method
WO2016000914A1 (en) 2014-06-30 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method
KR101948912B1 (ko) 2014-07-09 2019-02-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치, 검사 방법 및 디바이스 제조 방법
NL2015160A (en) 2014-07-28 2016-07-07 Asml Netherlands Bv Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method.
WO2016030205A1 (en) 2014-08-28 2016-03-03 Vrije Universiteit Amsterdam Inspection apparatus, inspection method and manufacturing method
US10948421B2 (en) 2014-08-28 2021-03-16 Asml Netherlands B.V. Laser-driven photon source and inspection apparatus including such a laser-driven photon source
WO2016030227A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a distance between two objects, inspection apparatus and method
CN107077079B (zh) 2014-09-01 2018-12-14 Asml荷兰有限公司 测量目标结构的属性的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法
WO2016045945A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and device manufacturing method
WO2016050453A1 (en) 2014-10-03 2016-04-07 Asml Netherlands B.V. Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arragnement
WO2016096524A1 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2016121A (en) 2015-02-06 2016-09-29 Asml Netherlands Bv A method and apparatus for improving measurement accuracy
JP6602388B6 (ja) * 2015-03-25 2020-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法、メトロロジ装置、及びデバイス製造装置
WO2016156360A1 (en) 2015-04-03 2016-10-06 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus for measuring properties of a target structure
NL2016864A (en) 2015-06-12 2016-12-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus, patterning device and manufacturing method
NL2016925A (en) 2015-06-18 2016-12-22 Asml Netherlands Bv Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2017016839A1 (en) 2015-07-24 2017-02-02 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus and manufacturing method
NL2017300A (en) 2015-08-27 2017-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method
WO2017083325A1 (en) * 2015-11-11 2017-05-18 The Curators Of The University Of Missouri Multichannel ultra-sensitive optical spectroscopic detection
KR102128523B1 (ko) 2015-12-03 2020-07-01 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 위치 측정 방법, 리소그래피 장치, 리소 셀 및 디바이스 제조 방법
WO2017102428A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arrangement
WO2017108395A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
NL2017844A (en) 2015-12-22 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Focus control arrangement and method
WO2017114672A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Metrology by reconstruction
WO2017140528A1 (en) 2016-02-19 2017-08-24 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein
CN108700829B (zh) 2016-02-26 2021-05-18 Asml荷兰有限公司 测量结构的方法、检查设备、光刻系统、器件制造方法
US10546790B2 (en) 2016-03-01 2020-01-28 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
US11022896B2 (en) 2016-03-11 2021-06-01 Asml Netherlands B.V. Mark position determination method
WO2017178285A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Asml Netherlands B.V. Method for adjusting actuation of a lithographic apparatus
CN109073568B (zh) 2016-04-29 2022-01-11 Asml荷兰有限公司 用于确定结构的特性的方法和装置、器件制造方法
WO2018001747A1 (en) 2016-07-01 2018-01-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system for a lithographic or inspection apparatus
CN113552779A (zh) 2016-07-15 2021-10-26 Asml荷兰有限公司 用于量测目标场的设计的方法和设备
JP6716779B2 (ja) 2016-07-21 2020-07-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ターゲットの測定方法、基板、計測装置およびリソグラフィ装置
US11243470B2 (en) * 2016-09-12 2022-02-08 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for deriving corrections, method and apparatus for determining a property of a structure, device manufacturing method
KR102323045B1 (ko) 2016-09-12 2021-11-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체의 속성 결정 방법, 검사 장치 및 디바이스 제조 방법
EP3309616A1 (en) 2016-10-14 2018-04-18 ASML Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system
DE102016221243A1 (de) * 2016-10-27 2017-11-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
EP3321737A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system
EP3333633A1 (en) 2016-12-09 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus
EP3336605A1 (en) 2016-12-15 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336606A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a characteristic of illumination from a metrology apparatus
EP3336607A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a property of a substrate, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3343294A1 (en) 2016-12-30 2018-07-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus
EP3361315A1 (en) 2017-02-09 2018-08-15 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus and method of inspecting structures
US11016396B2 (en) 2017-05-04 2021-05-25 Asml Holding N.V Method, substrate and apparatus to measure performance of optical metrology
EP3401733A1 (en) 2017-05-08 2018-11-14 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
JP2020519928A (ja) 2017-05-08 2020-07-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、及びデバイス製造方法
WO2018215177A1 (en) 2017-05-24 2018-11-29 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of interest, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US11092902B2 (en) 2017-06-21 2021-08-17 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for detecting substrate surface variations
EP3422102A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3422103A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter of a process
US10663633B2 (en) * 2017-06-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Aperture design and methods thereof
WO2019015995A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Asml Netherlands B.V. METHODS AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A CHARACTERISTIC MANUFACTURED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
EP3432072A1 (en) 2017-07-18 2019-01-23 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for measurement of a parameter of a feature fabricated on a semiconductor substrate
EP3441820A1 (en) 2017-08-11 2019-02-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for determining the position of a spot of radiation and inspection apparatus
EP3444674A1 (en) 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3447580A1 (en) 2017-08-21 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2019038054A1 (en) 2017-08-23 2019-02-28 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF A PATTERN TRANSFER PROCESS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP3451061A1 (en) 2017-09-04 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a manufacturing process
EP3454124A1 (en) 2017-09-07 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Method to determine a patterning process parameter
IL273110B2 (en) 2017-09-11 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Patterning methods and devices and devices for measuring focus performance of a lithographic device, method of device manufacture
EP3454127A1 (en) 2017-09-11 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3457212A1 (en) 2017-09-18 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Method of controlling a patterning process, device manufacturing method
EP3470924A1 (en) 2017-10-11 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing the position and/or size of a measurement illumination spot relative to a target on a substrate, and associated apparatus
EP3477391A1 (en) 2017-10-26 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest, method of cleaning a signal containing information about a parameter of interest
CN111279268B (zh) 2017-10-26 2022-04-01 Asml荷兰有限公司 确定所关注的参数的值的方法、清除包含关于所关注的参数的信息的信号的方法
EP3477392A1 (en) 2017-10-31 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method
WO2019086221A1 (en) 2017-10-31 2019-05-09 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method
EP3489756A1 (en) 2017-11-23 2019-05-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3492985A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets
WO2019110211A1 (en) 2017-12-04 2019-06-13 Asml Netherlands B.V. Measurement method, patterning device and device manufacturing method
EP3492984A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method
EP3495888A1 (en) 2017-12-06 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3495889A1 (en) 2017-12-07 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
CN111480113A (zh) 2017-12-12 2020-07-31 Asml荷兰有限公司 用于确定与表膜相关的状态的设备和方法
EP3499311A1 (en) 2017-12-14 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated aparatuses
CN111512238B (zh) 2017-12-28 2024-01-30 Asml荷兰有限公司 从设备部件中移除污染物颗粒的设备和方法
WO2019129485A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method and device for determining adjustments to sensitivity parameters
WO2019129468A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method of processing data, method of obtaining calibration data
JP6818702B2 (ja) * 2018-01-15 2021-01-20 株式会社東芝 光学検査装置及び光学検査方法
CN111615667A (zh) 2018-01-17 2020-09-01 Asml荷兰有限公司 测量目标的方法和量测设备
EP3514628A1 (en) 2018-01-18 2019-07-24 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a target, and metrology apparatus
EP3521929A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of determining an optimal focus height for a metrology apparatus
EP3521930A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a metrology process
EP3528047A1 (en) 2018-02-14 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques
EP3547029A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
EP3547031A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
EP3547030A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
WO2019185230A1 (en) 2018-03-29 2019-10-03 Asml Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
EP3557327A1 (en) 2018-04-18 2019-10-23 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
KR20210013605A (ko) 2018-06-19 2021-02-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 장치 및 연계된 장치를 제어하는 방법
EP3584637A1 (en) 2018-06-19 2019-12-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
EP3588190A1 (en) 2018-06-25 2020-01-01 ASML Netherlands B.V. Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses
EP3611570A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3623869A1 (en) 2018-09-14 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Method for measuring a parameter of a structure formed using a lithographic process
WO2020057900A1 (en) 2018-09-19 2020-03-26 Asml Netherlands B.V. Metrology sensor for position metrology
US10996570B2 (en) 2018-10-08 2021-05-04 Asml Netherlands B.V. Metrology method, patterning device, apparatus and computer program
EP3637187A1 (en) 2018-10-12 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus
EP3647871A1 (en) 2018-10-31 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Method of determing a value of a parameter of interest of a patterning process, device manufacturing method
EP3654103A1 (en) 2018-11-14 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for obtaining training data for training a model of a semicondcutor manufacturing process
EP3657256A1 (en) 2018-11-20 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3657257A1 (en) 2018-11-26 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Method for of measuring a focus parameter relating to a structure formed using a lithographic process
CN113168119B (zh) 2018-12-04 2024-05-14 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻过程的参数的目标
CN113196177B (zh) 2018-12-20 2024-04-30 Asml荷兰有限公司 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法
EP3715951A1 (en) 2019-03-28 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
WO2020141050A1 (en) 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
US11733615B2 (en) 2019-01-03 2023-08-22 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
US20220146946A1 (en) 2019-03-22 2022-05-12 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3764164A1 (en) 2019-07-11 2021-01-13 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
JP7288974B2 (ja) 2019-04-04 2023-06-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィプロセスのサブフィールド制御および関連する装置
EP3734366A1 (en) 2019-05-03 2020-11-04 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
WO2020224882A1 (en) 2019-05-06 2020-11-12 Asml Netherlands B.V. Dark field microscope
WO2021001102A1 (en) 2019-07-02 2021-01-07 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP3767391A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
US20220244649A1 (en) 2019-07-04 2022-08-04 Asml Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
US20220283516A1 (en) * 2019-08-29 2022-09-08 Asml Holding N.V. On chip sensor for wafer overlay measurement
CN114341739A (zh) 2019-08-30 2022-04-12 Asml控股股份有限公司 计量系统和方法
EP3792693A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3798729A1 (en) 2019-09-26 2021-03-31 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method
US20240118629A1 (en) 2019-10-17 2024-04-11 Asml Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
EP3809203A1 (en) 2019-10-17 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
KR20220065872A (ko) 2019-11-01 2022-05-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 리소그래피 장치
KR20220079662A (ko) 2019-11-11 2022-06-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 시스템을 위한 교정 방법
US11762305B2 (en) 2019-12-05 2023-09-19 Asml Netherlands B.V. Alignment method
CN114830039A (zh) 2019-12-12 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 对准方法以及相关对准和光刻设备
CN114868084A (zh) 2019-12-16 2022-08-05 Asml荷兰有限公司 量测方法和相关联的量测和光刻设备
CN114830043A (zh) 2019-12-17 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 暗场数字全息显微镜和相关联的量测方法
EP3839635A1 (en) 2019-12-17 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
WO2021130315A1 (en) 2019-12-24 2021-07-01 Asml Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
IL279727A (en) 2019-12-24 2021-06-30 Asml Netherlands Bv Method of determining information about pattern procedure, method of error reduction in measurement data, metrology process calibration method, method of selecting metrology targets
WO2021151565A1 (en) 2020-01-28 2021-08-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP4104018B1 (en) 2020-02-12 2023-10-25 ASML Netherlands B.V. Computer-implemented method for controlling a manufacturing process
EP3869271A1 (en) 2020-02-20 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3879342A1 (en) 2020-03-10 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses
WO2021175521A1 (en) 2020-03-02 2021-09-10 Asml Netherlands B.V. Method for inferring a local uniformity metric
EP3882701A1 (en) 2020-03-19 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
CN115244467A (zh) 2020-03-03 2022-10-25 Asml荷兰有限公司 用于控制制造过程的方法和相关联的设备
EP3876036A1 (en) 2020-03-04 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Vibration isolation system and associated applications in lithography
CN115552221A (zh) 2020-05-07 2022-12-30 Asml荷兰有限公司 包括目标布置的衬底和相关联的至少一个图案形成装置、光刻方法和量测方法
WO2021239334A1 (en) 2020-05-26 2021-12-02 Asml Netherlands B.V. Method for optimizing a sampling scheme and associated apparatuses
US20230236515A1 (en) 2020-06-09 2023-07-27 Asml Netherlands B.V. A target for measuring a parameter of a lithographic process
WO2021249711A1 (en) 2020-06-10 2021-12-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method, metrology apparatus and lithographic apparatus
US20230259042A1 (en) 2020-06-24 2023-08-17 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
KR20230035034A (ko) 2020-07-06 2023-03-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 조명 장치 및 연관된 계측 및 리소그래피 장치
US11164307B1 (en) * 2020-07-21 2021-11-02 Kla Corporation Misregistration metrology by using fringe Moiré and optical Moiré effects
WO2022017705A1 (en) 2020-07-22 2022-01-27 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3945367A1 (en) 2020-07-31 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
WO2022022949A1 (en) 2020-07-28 2022-02-03 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3964892A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope
CN116209958A (zh) 2020-09-28 2023-06-02 Asml荷兰有限公司 目标结构以及相关联的方法和设备
EP4002015A1 (en) 2020-11-16 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
KR20230104889A (ko) 2020-11-17 2023-07-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 시스템 및 리소그래피 시스템
EP4252073A1 (en) 2020-11-24 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Method of determining mark structure for overlay fingerprints
US20240012342A1 (en) 2020-11-27 2024-01-11 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
JP2023551776A (ja) 2020-12-08 2023-12-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジの方法及び関連装置
EP4016186A1 (en) 2020-12-18 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus
KR20230121053A (ko) 2020-12-21 2023-08-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 공정을 모니터링하는 방법
EP4030236A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
EP4020084A1 (en) 2020-12-22 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP4030237A1 (en) 2021-01-19 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4036646A1 (en) 2021-01-29 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Metrology methods and appratuses
EP4040233A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 ASML Netherlands B.V. A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and appratuses
EP4063971A1 (en) 2021-03-22 2022-09-28 ASML Netherlands B.V. Digital holographic microscope and associated metrology method
KR20230159438A (ko) 2021-03-22 2023-11-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디지털 홀로그래픽 현미경 및 연관된 계측 방법
EP4071553A1 (en) 2021-04-07 2022-10-12 ASML Netherlands B.V. Method of determining at least a target layout and associated metrology apparatus
JP2024514054A (ja) 2021-04-19 2024-03-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジツール較正方法及び関連するメトロロジツール
EP4080284A1 (en) 2021-04-19 2022-10-26 ASML Netherlands B.V. Metrology tool calibration method and associated metrology tool
JP2024519281A (ja) 2021-05-04 2024-05-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 計測装置およびリソグラフィ装置
EP4086703A1 (en) 2021-05-06 2022-11-09 ASML Netherlands B.V. Method for determining a stochastic metric relating to a lithographic process
IL308126A (en) 2021-05-06 2023-12-01 Asml Netherlands Bv A method for determining a stochastic index related to a lithographic process
KR20240016967A (ko) 2021-05-31 2024-02-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 연관된 메트롤로지 툴
EP4187321A1 (en) 2021-11-24 2023-05-31 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
EP4113210A1 (en) 2021-07-01 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses
WO2023285322A1 (en) 2021-07-16 2023-01-19 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
WO2023011905A1 (en) 2021-08-02 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in metrology systems
WO2023012338A1 (en) 2021-08-06 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Metrology target, patterning device and metrology method
WO2023020856A1 (en) 2021-08-18 2023-02-23 Universiteit Van Amsterdam Metrology method and apparatus
WO2023036526A1 (en) 2021-09-07 2023-03-16 Asml Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
EP4191337A1 (en) 2021-12-01 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
CN117999517A (zh) 2021-09-08 2024-05-07 Asml荷兰有限公司 量测方法以及相关联的量测和光刻设备
CN117980829A (zh) 2021-09-22 2024-05-03 Asml荷兰有限公司 源选择模块以及相关联的量测和光刻设备
EP4155822A1 (en) 2021-09-28 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4163687A1 (en) 2021-10-06 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Fiber alignment monitoring tool and associated fiber alignment method
EP4167031A1 (en) 2021-10-18 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. Method of determining a measurement recipe in a metrology method
EP4170429A1 (en) 2021-10-19 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Out-of-band leakage correction method and metrology apparatus
EP4174577A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter distribution
EP4191338A1 (en) 2021-12-03 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. Metrology calibration method
EP4202550A1 (en) 2021-12-22 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method
EP4224254A1 (en) 2022-02-04 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4224255A1 (en) 2022-02-08 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP4246231A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses
WO2023174648A1 (en) 2022-03-18 2023-09-21 Stichting Vu Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4246232A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4254068A1 (en) 2022-03-28 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof
EP4279993A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
WO2023208487A1 (en) 2022-04-25 2023-11-02 Asml Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
WO2023222310A1 (en) 2022-05-16 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
EP4279992A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
WO2023222328A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
EP4279994A1 (en) 2022-05-20 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
WO2023232360A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for determining a failure event on a lithography system and associated failure detection module
EP4300193A1 (en) 2022-06-27 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Focus measurment and control in metrology and associated wedge arrangement
EP4303658A1 (en) 2022-07-05 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. Method of correction metrology signal data
WO2024012772A1 (en) 2022-07-14 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Metrology target and associated metrology method
EP4318131A1 (en) 2022-08-01 2024-02-07 ASML Netherlands B.V. Sensor module, illuminator, metrology device and associated metrology method
EP4332678A1 (en) 2022-09-05 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. Holographic metrology apparatus and method
WO2024052057A1 (en) 2022-09-06 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring proper functioning of one or more components of a lithography system
EP4357853A1 (en) 2022-10-17 2024-04-24 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
WO2024083559A1 (en) 2022-10-17 2024-04-25 Asml Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
WO2024115048A1 (en) 2022-12-02 2024-06-06 Asml Netherlands B.V. Method for labeling time series data relating to one or more machines

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5774222A (en) * 1994-10-07 1998-06-30 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected
JP3744966B2 (ja) 1994-10-07 2006-02-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体基板の製造方法
US7804994B2 (en) * 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
SG152898A1 (en) 2002-09-20 2009-06-29 Asml Netherlands Bv Alignment systems and methods for lithographic systems
EP1664894A1 (en) * 2003-09-05 2006-06-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Programmable optical component for spatially controlling the intensity of beam of radiation
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
ATE475862T1 (de) * 2005-02-25 2010-08-15 Nanometrics Inc Vorrichtung und verfahren zur verbesserten critical-dimension-scatterometrie
US7570358B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-04 Asml Netherlands Bv Angularly resolved scatterometer, inspection method, lithographic apparatus, lithographic processing cell device manufacturing method and alignment sensor
US7460237B1 (en) 2007-08-02 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL1036857A1 (nl) * 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
CN102498441B (zh) * 2009-07-31 2015-09-16 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元
NL2007088A (en) * 2010-07-19 2012-01-23 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining an overlay error.
NL2007127A (en) * 2010-08-06 2012-02-07 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method, lithographic apparatus and lithographic processing cell.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10132763B2 (en) 2012-07-23 2018-11-20 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
KR20180039743A (ko) * 2015-09-09 2018-04-18 케이엘에이-텐코 코포레이션 보조 전자기장의 도입에 기초한 1차 스캐터로메트리 오버레이의 새로운 접근법
KR20200041380A (ko) * 2017-09-28 2020-04-21 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 계측 방법 및 디바이스

Also Published As

Publication number Publication date
NL2004094A (en) 2010-08-12
CN101819384A (zh) 2010-09-01
EP2219078B1 (en) 2017-11-15
TWI428705B (zh) 2014-03-01
SG164325A1 (en) 2010-09-29
TW201044116A (en) 2010-12-16
CN101819384B (zh) 2013-04-17
KR101129332B1 (ko) 2012-03-26
US20100201963A1 (en) 2010-08-12
IL203445A (en) 2017-07-31
US9128065B2 (en) 2015-09-08
JP2010192894A (ja) 2010-09-02
JP2013034013A (ja) 2013-02-14
EP2219078A1 (en) 2010-08-18
US8705007B2 (en) 2014-04-22
US20140211185A1 (en) 2014-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101129332B1 (ko) 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법
US10591283B2 (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
KR101685041B1 (ko) 기판의 모델을 평가하는 방법, 검사 장치 및 리소그래피 장치
US8111398B2 (en) Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
US9529278B2 (en) Inspection apparatus to detect a target located within a pattern for lithography
US7724370B2 (en) Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
US7605907B2 (en) Method of forming a substrate for use in calibrating a metrology tool, calibration substrate and metrology tool calibration method
US8994921B2 (en) Scatterometer and lithographic apparatus
US20090073448A1 (en) Method of measuring the overlay error, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
US20110028004A1 (en) Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method
US20110102774A1 (en) Focus Sensor, Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus and Control System

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150306

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160311

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170303

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 7