CN117980829A - 源选择模块以及相关联的量测和光刻设备 - Google Patents

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Abstract

本发明披露一种用于对宽带照射束进行光谱整形以获得经光谱整形的照射束的源选择模块。所述源选择模块包括：束分散元件，所述束分散元件用于分散所述宽带照射束；光栅光阀模块，所述光栅光阀模块用于在所述宽带照射束被分散之后对所述宽带照射束进行空间调制；以及束组合元件，所述束组合元件用于重组经空间调制的宽带照射束以获得输出源束。

Description

源选择模块以及相关联的量测和光刻设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年9月22日递交的欧洲专利申请号21198171.7的优先权，并且该欧洲专利申请的全部内容通过引用而被合并入文中。
技术领域
本发明涉及例如可以用于由光刻技术制造器件的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。更特别地，本发明涉及量测传感器和具有这种量测传感器的光刻设备，并且更特别地，又涉及用于这些量测传感器的照射布置。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。这种图案可以被转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括被相继图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常被称为“场”。
在复杂器件的制造中，通常执行许多光刻图案化步骤，由此依次在衬底上的不同层中形成功能性特征。因此，光刻设备的性能的关键方面能够相对于(通过相同设备或不同光刻设备)置于先前层中的特征恰当且准确地放置所施加的图案。为了这种目的，所述衬底设置有一组或更多组对准标记。每个标记为稍后可以使用位置传感器(通常是光学位置传感器)来测量其位置的结构。光刻设备包括一个或更多个对准传感器，可以通过所述传感器准确地测量衬底上的标记的位置。不同类型的标记和不同类型的对准传感器来自不同制造商和同一制造商的不同产品是众所周知的。
在其它应用中，量测传感器用于测量衬底上的曝光结构(或在抗蚀剂中和/或在蚀刻之后)。快速且非侵入性形式的专用检查工具为散射仪，其中，将辐射束引导至衬底的表面上的目标上，并且测量散射束或反射束的性质。已知散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中所描述的类型的角分辨散射仪。除了通过重构进行特征形状的测量以外，也可以使用这样的设备来测量基于衍射的重叠，如公开专利申请US2006066855A1中所描述的。使用衍射阶的暗场成像进行的基于衍射的重叠量测使得能够对较小目标进行重叠测量。可以在国际专利申请WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到暗场成像量测的示例，这些国际专利申请的文件由此以全文引用的方式并入。已公开的专利公开US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已描述所述技术的进一步开发。这些目标可以小于照射斑且可以由晶片上的产品结构环绕。可以使用复合光栅目标来在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也以引用方式并入本文中。
在一些量测应用中，诸如在一些散射仪或对准传感器中，量测目标中的缺陷可能引起在源自所述目标的测量值中的依赖于波长/偏振的即波长/偏振相关的变化。如此，有时通过使用多个不同波长和/或偏振(或更通常地，多个不同的照射条件)执行相同测量来实现对这种变化的校正和/或减轻。将会期望改善对用于这些量测应用的照射的光谱分量的切换和选择。
发明内容
在第一方面中，本发明提供一种用于对宽带照射束进行光谱整形以获得经光谱整形的照射束的源选择模块，包括：束分散元件，所述束分散元件用于分散所述宽带照射束；光栅光阀模块，所述光栅光阀模块用于在所述宽带照射束被分散之后对所述宽带照射束进行空间调制；以及束组合元件，所述束组合元件用于重组经空间调制的宽带照射束以获得输出源束。
也披露了一种量测设备和一种光刻设备，所述光刻设备包括能够操作以执行所述第一方面的所述方法的量测装置。
将根据对下文所描述的示例的考虑来理解本发明的以上和其它方面。
附图说明
现将仅借助于示例参考随附附图来描述本发明的实施例，附图中：
·图1描绘光刻设备；
·图2示意性地图示图1的设备中的测量和曝光过程；
·图3是根据本发明的实施例的能够调适的即可调式对准传感器的示意性图示；
·图4包括(a)用于使用第一对照射孔来测量目标的暗场散射仪的示意图、(b)给定照射方向的目标光栅的衍射光谱的细节；
·图5是光栅光阀的示意性图示，其图示在(a)俯视图、(b)
呈第一配置的端视图以及(c)呈第二配置的端视图中的基本操作；
·图6是根据本发明的第一实施例的包括光栅光阀的照射布置的示意性图示；
·图7是根据本发明的第二实施例的包括光栅光阀的照射布置的示意性图示；
·图8是如图6中所图示的照射布置的操作原理的示意性图示，其示出：(a)输入光谱；(b)入射到光栅光阀上的辐射的俯视图；(c)入射到光栅光阀上的辐射的端视图；以及(d)得到的输出光谱；以及
·图9是根据本发明的第二实施例的包括光栅光阀的照射布置的示意性图示。
具体实施方式
在详细地描述本发明的实施例之前，呈现可以用于实施本发明的实施例的示例环境是具指导性的。
图1示意性地描绘光刻设备LA。所述设备包括：照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，所述图案形成装置支撑件或支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且连接至被配置成根据某些参数而准确地定位图案形成装置的第一定位器PM；两个衬底台(例如晶片台)WTa和WTb，这两个衬底台各自构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且各自连接至被配置成根据某些参数而准确地定位衬底的第二定位器PW；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。参考系RF连接各种部件，并且用作用于设置和测量图案形成装置和衬底的位置以及图案形成装置和衬底上的特征的位置的参考。
照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。
图案形成装置支撑件MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计和其它条件(诸如，图案形成装置是否被保持在真空环境中)的方式来保持图案形成装置。图案形成装置支撑件可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术以保持图案形成装置。图案形成装置支撑件MT可以是例如框架或台，其可以根据需要而是固定或可移动的。图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于期望的位置。
本文中所使用的术语“图案形成装置”应广义地解释为是指可以用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应注意，例如，如果被赋予至辐射束的图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则所述图案可以不确切地对应于衬底的目标部分中的期望的图案。通常，赋予至辐射束的图案将对应于目标部分中产生的装置(诸如，集成电路)中的特定功能层。
如这里描绘的，设备属于透射类型(例如，采用透射型图案形成装置)。替代地，设备可以属于反射类型(例如，采用如上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或采用反射型掩模)。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。可以认为本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用都与更上位的术语“图案形成装置”同义。术语“图案形成装置”也可以解释为是指以数字形式储存用于控制这样的可编程图案形成装置的图案信息的装置。
本文中所使用的术语“投影系统”应广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。本文中对术语“投影透镜”的任何使用均可以被视为与更上位的术语“投影系统”同义。
光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如，掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中是众所周知的用于增加投影系统的数值孔径。
在操作中，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源是准分子激光器时，源和光刻设备可以是分立的实体。在这样的情况下，不认为源形成光刻设备的部分，并且辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD而从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如，在源是汞灯时，源可以是光刻设备的组成部分。源SO和照射器IL连同束传递系统BD在必要时可以被称为辐射系统。
照射器IL可以例如包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
辐射束B入射到被保持在图案形成装置支撑件MT上的图案形成装置MA上，并且由所述图案形成装置图案化。在已横穿图案形成装置(例如，掩模)MA之后，辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器、2D编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底台WTa或WTb，例如以便使不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器(其未在图1中明确地描绘的)可以用于例如在从掩模库机械获取之后或在扫描期间相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。
可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。虽然如所图示的衬底对准标记占据专用目标部分，但所述标记可以位于目标部分之间的空间中(这些标记被称为划线对准标记)。类似地，在图案形成装置(例如，掩模)MA上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。小对准标记也可以在装置特征当中被包括在管芯内，在这种情况下，期望使标记物尽可能地小且无需与邻接特征不同的任何成像或过程条件。下文进一步描述检测对准标记的对准系统。
可以在多种模式下使用所描绘的设备。在扫描模式中，在将被赋予至辐射束的图案投影至上目标部分C时，同步地扫描图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大大小限制单次动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定目标部分的高度(在扫描方向上)。如在本领域中是众所周知的，其它类型的光刻设备和操作模式是可能的。例如，步进模式是已知的。在所谓的“无掩模”光刻中，使可编程图案形成装置保持静止，但具有改变的图案，并且移动或扫描衬底台WT。
也可以使用关于上文所描述的使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。
光刻设备LA属于所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa、WTb以及两个站--曝光站EXP和测量站MEA--在所述两个站之间可交换所述衬底台。在曝光站处曝光一个衬底台上的一个衬底的同时，可以在测量站处将另一衬底装载至另一衬底台上，并且可以进行各种预备步骤。这种实现设备的生产量的相当巨大增加。所述预备步骤可以包括使用水平传感器LS来映射衬底的表面高度轮廓，和使用对准传感器AS来测量衬底上的对准标记的位置。如果位置传感器IF不能够在衬底台处于测量站以及处于曝光站时测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处追踪衬底台相对于参考系或参考框架RF的位置。代替所示出的双平台布置，其它布置是已知且可用的。例如，提供有衬底台和测量台的其它光刻设备是已知的。这些衬底台和测量台在执行预备测量时对接在一起，并且接着在衬底台经历曝光时不对接。
图2图示用于在图1的双平台设备中的衬底W上曝光目标部分(例如，管芯)的步骤。测量站MEA处所执行的步骤是在虚线框内的左手侧，而右手侧示出曝光站EXP处执行的步骤。有时，衬底台WTa、WTb中的一个将位于曝光站处，而另一个位于测量站处，如上文所描述的。为了这种描述的目的，假定衬底W已经装载至曝光站中。在步骤200处，通过图中未示出的机构将新衬底W'装载至设备。并行地处理这种两个衬底以便增加光刻设备的生产量。
首先参考新装载的衬底W'，这种衬底可以是先前未被处理的衬底，其通过新抗蚀剂而制备以在设备中第一次曝光。然而，通常，所描述的光刻过程将仅是一系列曝光和处理步骤的步骤，使得衬底W'已通过这种设备和/或其它光刻设备若干次，并且也可以经历后续过程。尤其对于改善重叠性能的问题，任务是确保将新图案确切地施加在已经经受图案化和处理的一个或更多个循环的衬底上的正确位置中。这些处理步骤逐渐地在衬底中引入变形，所述变形必须被测量和校正所述变形以实现令人满意的重叠性能。
可以在其它光刻设备中执行先前和/或后续图案化步骤(如刚才提及的)，并且甚至可以在不同类型的光刻设备中执行先前和/或后续图案化步骤。例如，器件制造过程中的在诸如分辨率和重叠等参数方面要求非常高的一些层相比于要求较不高的其它层可以在更先进的光刻工具中来执行。因此，一些层可以曝光于浸没类型光刻工具中，而其它层曝光于“干式”工具中。一些层可以曝光于在DUV波长下工作的工具中，而其它层是使用EUV波长辐射来曝光。
在202处，使用衬底标记P1等和图像传感器(未示出)的对准测量用于测量和记录衬底相对于衬底台WTa/WTb的对准。另外，将使用对准传感器AS来测量横跨衬底W'的若干对准标记。在一个实施例中，这些测量是用于建立“晶片栅格”，所述晶片栅格非常准确地映射横跨衬底的标记的分布，包括相对于名义矩形栅格的任何变形。
在步骤204处，也使用水平传感器LS来测量相对于X-Y位置的晶片高度(Z)图。常规地，高度图仅用于实现所曝光的图案的准确聚焦。其可以另外用于其它目的。
当装载衬底W'时，接收选配方案数据206，所述选配方案数据定义待执行的曝光，并且也定义晶片和先前在衬底W'上制得和待在衬底W'上制得的图案的性质。将在202、204处制得的晶片位置、晶片栅格和高度图的测量添加至这些选配方案数据，使得可以将选配方案和测量数据208的完整集合传递至曝光站EXP。对准数据的测量例如包括以与作为光刻过程的产品的产品图案成固定或名义固定关系而形成的对准目标的X位置和Y位置。恰好在曝光之前获得的这些对准数据用于产生对准模型，所述对准模型具有将模型拟合至数据的参数。这些参数和对准模型将在曝光操作期间用于校正当前光刻步骤中所施加的图案的位置。在使用中的模型内插所测量的位置之间的位置偏差。常规对准模型可以包括四个、五个或六个参数，所述参数一起以不同尺寸定义“理想”栅格的平移、旋转和缩放。使用更多参数的进阶模型是已知的。
在210处，调换晶片W'与晶片W，使得所测量的衬底W'变为衬底W而进入曝光站EXP。在图1的示例设备中，通过在设备内交换支撑件WTa和WTb来执行这种调换，使得衬底W、W'保持准确地夹持且定位在那些支撑件上，以保留衬底台与衬底自身之间的相对对准。因此，一旦已调换所述台，则为了利用用于衬底W(以前为W')的测量信息202、204以控制曝光步骤，就必需确定投影系统PS与衬底台WTb(以前为WTa)之间的相对部位。在步骤212处，使用掩模对准标记M1、M2来执行掩模版对准。在步骤214、216、218中，将扫描运动和辐射脉冲依次施加在横跨衬底W的不同的目标部位处，以便完成一定数目个图案的曝光。
通过在执行曝光步骤时使用测量站处所获得的对准数据和高度图，使这些图案相对于期望的位置，并且具体地，相对于先前放置于同一衬底上的特征准确地对准。在步骤220处，从设备卸载现标记为W"的经曝光的衬底，以根据所曝光的图案使其经历蚀刻或其它过程。
本领域技术人员将知晓以上描述为真实制造情形的一个示例中所涉及的多个非常详细步骤的简化概略图。例如，常常将存在使用相同或不同标记的粗略和精细测量的分开的阶段，而不是在单个遍次中测量对准。可以在高度测量之前或之后执行或交错执行粗略和/或精细对准测量步骤。
在复杂器件的制造中，通常执行许多光刻图案化步骤，由此依次在衬底上的不同层中形成功能性特征。因此，光刻设备的性能的关键方面是能够相对于放置于先前层中(通过同一设备或不同光刻设备)的特征正确且准确地放置所施加的图案。为此目的，衬底设置有一组或更多组标记。每个标记为稍后可以使用位置传感器(通常是光学位置传感器)来测量其位置的结构。位置传感器可以被称为“对准传感器”，并且标记可以被称为“对准标记”。
光刻设备可以包括可用于准确地测量设置在衬底上的对准标记的位置的一个或更多个(例如，多个)对准传感器。对准(或位置)传感器可以使用诸如衍射和干涉等光学现象以从形成在衬底上的对准标记获得位置信息。用于当前光刻设备中的对准传感器的示例基于如US6961116中所描述的自参考干涉仪。已开发出位置传感器的各种增强和修改，例如US2015261097A1中所公开的。所有这些公开的内容是以引用方式并入本文中。
标记或对准标记可以包括形成在设置在衬底上的层上或层中或(直接)形成在衬底中的一系列栅条。所述栅条可以规则地隔开且用作光栅线，使得标记可以被视为具有众所周知的空间周期(节距)的衍射光栅。依赖于这些光栅线的方向，标记可以设计成允许沿X轴或沿Y轴(其经定向成大致垂直于X轴)测量位置。包括以相对于X轴和Y轴两者成+45度和/或-45度布置的栅条的标记允许使用如以引用的方式并入的US2009/195768A中所描述的技术进行组合的X和Y测量。
对准传感器利用辐射斑以光学方式扫描每个标记以获得周期性变化信号，诸如正弦波。分析这种信号的相位以确定标记的位置，并且因此确定衬底相对于对准传感器的位置，对准传感器又相对于光刻设备的参考系固定。可以提供与不同(粗略和精细)标记尺寸相关的所谓的粗略和精细标记，使得对准传感器可区分周期性信号的不同循环，以及在循环内的精确位置(相位)。也可以为此目的来使用不同节距的标记。
测量标记的位置也可以提供关于其上例如以晶片栅格形式设置有标记的衬底的变形的信息。衬底的变形可以通过例如将衬底静电夹持至衬底台和/或当衬底曝光于辐射时加热衬底而出现。
图3是已知对准传感器AS的实施例的示意性框图。辐射源RSO提供具有一个或更多个波长的辐射束RB，所述辐射束由转向光学器件转向至标记(诸如位于衬底W上的标记AM)上，而作为照射斑SP。在该示例中，转向光学器件包括斑反射镜SM和物镜OL。从而照射标记AM的照射斑SP的直径可略小于标记自身的宽度。
由标记AM衍射的辐射准直(在该示例中经由物镜OL)成携载信息的束IB。术语“衍射”旨在包括来自标记的零阶衍射(其可以被称为反射)。例如属于上文提及的US6961116中所公开的类型的自参考干涉仪SRI使束IB与其自身发生干涉，之后束由光电探测器PD接收。可以包括额外的光学器件(图中未示出)以在由辐射源RSO产生多于一个波长的情况下提供单独的束。光电探测器可以是单个元件，或其根据需要可以包括多个像素。光电探测器可以包括传感器阵列。
在该示例中包括斑反射镜SM的转向光学器件也可以用于阻挡从标记反射的零阶辐射，使得携载信息的束IB仅包括来自标记AM的较高阶衍射辐射(这对于测量不是必需的，但改善信噪比)。
将强度信号SI供应给处理单元PU。通过对在块SRI中进行的光学处理与在单元PU中进行的计算处理进行组合，输出衬底相对于参考系的X位置和Y位置的值。
所图示的类型的单个测量仅将标记的位置固定在对应于所述标记的一个节距的某一范围内。结合该测量来使用较粗略测量技术，以识别正弦波的哪个周期为包括所标记的位置的周期。在不同波长下重复较粗略和/或较精细水平的同一过程，以用于提高准确度和/或用于稳固地检测标记，而无关于制成标记的材料和标记设置在其上方和/或下方的材料。下文公开执行和处理这样的多波长测量中的改善。
图4(a)中示出量测设备。图4(b)中更详细地图示目标T和用于照射所述目标的测量辐射的衍射射线。所图示的量测设备属于称为暗场量测设备的类型。在这样的所描绘的量测设备仅是示例性的，以提供对暗场量测的解释。量测设备可以是单独的装置，或并入于例如测量站处的光刻设备LA中或光刻单元LC中。贯穿设备具有若干分支的光轴由点线O表示。在这样的设备中，由源11(例如，氙气灯)发射的光通过包括透镜12、14和物镜16的光学系统经由分束器15而引导至衬底W上。这些透镜被布置成4F布置的双重序列。可以使用不同透镜布置，只要所述透镜布置仍将衬底图像提供至检测器上，并且同时允许存取中间光瞳平面以用于空间频率滤波。因此，可以通过在呈现衬底平面的空间光谱的平面(在该称为(共轭)光瞳平面)中定义空间强度分布来选择辐射入射到衬底上的角度范围。具体地，可以通过在为物镜光瞳平面的背向投影图像的平面中在透镜12与14之间插入适合的形式的孔板13来进行这种选择。在所图示的示例中，孔板13具有不同的形式(标注为13N和13S)，从而允许选择不同的照射模式。本示例中的照射系统形成离轴照射模式。在第一照射模式下，孔板13N从仅是了描述起见而指定为“北”的方向提供离轴。在第二照射模式下，孔板13S用于提供类似但来自标注为“南”的相反方向的照射。通过使用不同的孔，其它照射模式是可能的。光瞳平面的其余部分期望地为暗的，这是因为期望的照射模式之外的任何不必要的光将干扰期望的测量信号。
如图4(b)中示出的，目标T在衬底W垂直于物镜16的光轴O的情况下被放置。衬底W可以由支撑件(图中未示出)支撑。与轴O成角度而照射到目标T上的测量辐射射线I引起一个零阶射线(实线0)和两个一阶射线(点划线+1和双点划线-1)。应记住，在利用过填充的小目标的情况下，这些射线仅是覆盖包括量测目标T和其它特征的衬底区域的许多平行射线中的一条射线。由于板13中的孔具有有限宽度(接收有用量的光所必要的)，因此入射射线I实际上将占据一角度范围，并且衍射射线0和+1/-1将稍微散开。根据小目标的点扩散函数，每个阶+1和-1将在角度范围上进一步散布，而不是如所示出的单条理想射线。应注意，目标的光栅节距和照射角度可以被设计或调整成使得进入物镜的一阶射线与中心光轴紧密地对准。图4(a)和图3(b)中所图示的射线示出为稍微离轴，以仅地使其能够在图中更容易地被区分。
由衬底W上的目标T衍射的至少0阶和1阶由物镜16收集，并且经由分束器15引导回来。返回至图4(a)，通过指明标注为北(N)和南(S)的直径相对孔而图示第一照射模式和第二照射模式两者。当测量辐射的入射射线I是来自光轴的北侧时，即当使用孔板13N来应用第一照射模式时，标注为+1(N)的+1衍射射线进入物镜16。相比之下，当使用孔板13S应用第二照射模式时，-1衍射射线(标注为1(S))是进入透镜16的衍射射线。
第二分束器17将衍射束划分成两个测量分支。在第一测量分支中，光学系统18使用零阶衍射束和一阶衍射束在第一传感器19(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标的衍射光谱(光瞳平面图像)。每个衍射阶射中传感器上的不同点，使得图像处理可以比较和对比若干阶。由传感器19捕获的光瞳平面图像可以用于聚焦量测设备和/或归一化一阶束的强度测量。光瞳平面图像也可以用于诸如重构的许多测量目的。
在第二测量分支中，光学系统20、22在传感器23(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标T的图像。在第二测量分支中，在与光瞳平面共轭的平面中提供孔径光阑21。孔径光阑21用于阻挡零阶衍射束，使得形成在传感器23上的目标的图像仅由-1或+1阶束形成。由传感器19和23捕获的图像被输出至处理图像的处理器PU，所述处理器PU的功能将依赖于正执行的测量的特定类型。应注意，在广义上使用术语“图像”。因而，如果仅存在-1和+1阶中的一个，则将不形成光栅线的图像。
图4中示出的孔板13和场光阑21的特定形式仅是示例。在本发明的另一实施例中，使用目标的同轴照射，并且使用具有离轴孔的孔径光阑来将大致仅一个一阶衍射光传递至传感器。在其它示例中，可以使用二象限孔。这可以使得能够同时检测正阶和负阶，如上文提及的US2010201963A1中所描述的。如上文提及的US2011102753A1所描述的，在检测分支中具有光楔(分段棱镜或其它合适的元件)的实施例可以用于分离所述阶以用于在单个图像中空间成像。在又一其它实施例中，代替一阶束或除了一阶束以外，在测量中也可以使用2阶、3阶和更高阶束(图4中未示出)。在又一其它实施例中，可以使用分段棱镜代替孔径光阑21，使得能够在图像传感器23上的空间分离部位处同时捕获+1和-1阶。
为了使测量辐射可以适应于这些不同类型的测量，孔板13可以包括围绕圆盘而形成的一定数目个孔图案，所述圆盘旋转以使期望的图案处于适当的位置。应注意，孔板13N或13S可以仅用于测量在一个方向(依赖于设置的X或Y)上定向的光栅。为了测量正交光栅，可能实施达90°和270°的目标旋转。
可以用于本文中所公开的概念的量测应用的光源可以基于中空芯部光纤，诸如中空芯部光子晶体光纤(HC-PCF)。光纤的中空芯部可以被用作用于加宽输入辐射的加宽介质的气体填充。这种光纤和气体布置可以用于产生超连续谱辐射源。光纤的辐射输入可以是电磁辐射，例如在红外光谱、可见光谱、UV光谱和极UV光谱中的一个或更多个中的辐射。输出辐射可以由宽带辐射组成或包括宽带辐射，所述宽带辐射在本文中可以被称为白光。这仅是可以用于本文中所公开的方法和设备中的宽带光源技术的一个示例，并且替代地使用其它合适的技术。
量测传感器包括：主要针对曝光前量测或对准而设计的那些传感器，诸如图3中所图示的对准传感器；和主要针对曝光后量测(例如，重叠、CD和/或焦距监测)而设计的那些传感器，诸如图4中所图示的量测设备。在任一情况下，常常期望控制所述照射光谱，例如以在不同波长(颜色)和/或波前轮廓之间切换照射。更特别地，对所述照射光谱的控制可以包括对所述照射光谱的以下方面中的一个或更多个方面的控制：
·色带的可调中心频率；
·色带的可调透射率；
·色带的可调带宽；
·同时打开/关闭多个色带。
多种方法当前被用于控制所述照射光谱。一种这样的方法包括使用声光可调滤波器(AOTF)。然而，使用AOTF具有多个缺点，包括：
·带外抑制不足以用于一些应用；
·带宽控制的有限灵活性；
·如果色带间隔开成很接近于彼此，则在色带之间存在串扰。
一种用于光谱成形或光谱整形的已知方法包括使用空间光调制装置，诸如数字微镜装置(DMD)。已知使用这些装置的布置，其提供色带的可调中心频率和带宽和对多个带的同时切换。然而，这些装置中无一个能够实现所有这种情形且也提供每色带的可调透射。
另一种方法，例如在图4的设备中得到应用，包括使用根据需要将不同彩色滤波器即滤色器旋转至束路径中的多个色轮。然而，这些色轮的切换速度比期望的速度更慢，并且其在上文所列的照射光谱的控制的方面中的任一个中提供非常少灵活性或没有灵活性。
提出使用诸如由Silicon Light Machines(即SLM)下手的光栅光阀(GLV)技术的源选择模块。GLV是微机电系统(MEMS)技术。图5图示其原理。图5是来自(a)上方和(b)、(c)末端的GLV像素或部件500的示意性图示。所述GLV部件包括两种类型的交替GLV反射带：通常与公共电极一起接地的静态或偏置带510、和由电子驱动器通道所驱动的从动或主动带520。GLV模块可以包括被布置呈阵列的任何数目个这些GLV部件500。主动带和偏置带除它们被驱动的方式之外可以是基本上相同的。当没有电压被施加至所述主动带520时，它们与所述偏置带共面，即图5(b)中图示的配置。在这样的配置中，GLV基本上充当反射镜，且其中，入射光被镜面反射。当将电压施加至所述主动带520时，如图5(c)中所图示的，它们相对于所述偏置带510偏转，从而建立方形井状衍射光栅。在这样的状态下，入射光被衍射成固定衍射角。反射光相对于衍射光的比率可以通过控制所述主动带520上的电压而连续地变化，该电压控制它们的偏转的量值。如此，可以用模拟方式从零(即全镜面反射)至所有入射光(即零镜面反射)来控制由所述GLV衍射的光的量。
提议使用GLV模块以提供每色带的可调透射率，并且因此允许较佳的光谱成形或光谱整形以及光谱控制。所述GLV模块可以在零阶模式中使用，使得衍射辐射被阻挡/倾倒，并且零阶辐射被提供至量测工具。这具有保持集光率的优点。
图6是根据基本实施例的源选择模块的示意性图示。宽带或多颜色辐射源SO提供宽带或多颜色辐射。分散元件DE(其可以是任何合适的束分散元件，例如，棱镜或光栅)被用于分散所述宽带辐射。光栅光阀模块GLV被用于调制经分散辐射的光谱。经调制辐射接着使用束组合器CO(其可以是任何合适的束组合元件，例如棱镜或光栅)而被重组。组合束可以接着被量测工具MET用作源照射。
图7是图6的实施例的改进的示意性图示，其中，分散束被双重传递(或多次传递)至GLV模块上。所述布置在其它方面类似于图6的配置。在由所述GLV模块进行的第一次调制之后，分散束被反射镜M往回反射至所述GLV模块，在所述GLV模块中所述分散束被第二次调制。将分散束双重传递至所述GLV上的优势在于透射辐射与阻挡辐射之间的比率被改善。
图8是从构思上解释图6的布置如何工作的示意性图示。图8(a)是示出描述来自宽带辐射源SO的分散宽带辐射的示例性输入光谱IP的强度I相对于波长λ的关系的绘图。在此示例中，宽带辐射包括具有相等强度的五个色带λ1至λ5。当然，这仅是说明性示例且在输入光谱中可以存在更多或更少个色带，所述输入光谱可以是在波长范围内连续的、和/或在颜色之间可以存在一定强度变化。类似地，所述GLV模块能够操作以选择性地衰减相较于在此处所示出的五个波长带更多或更少的波长带。
图8(b)示出GLV模块的相应部分上的这些色带中的每个色带(示出为俯视GLV带)。虽然每个色带可以入射到相应的多个GLV部件上(即，多个GLV部件被用于控制每个颜色)，但说明性附图示出每GLV部件的色带。由GLV表面所限定即定义的平面(例如，由静态带定义的平面)包括系统的光谱分散像平面。
图8(c)在构思上图示了GLV如何被用于调制所述输入光谱IS。在所示出的特定示例中，颜色λ1和λ5入射到的GLV模块部分是全反射的(即，不存在被施加到所述主动带520的电压、并且因此不存在所述主动带520的位移，使得它们与静态带510共面)。箭头Rλ1、Rλ5的宽度表示所反射的颜色λ1、λ5的光的量。虚线Dλ1、Dλ5表示由GLV衍射成较高(非零)衍射阶的可忽略光或零光。对于颜色λ2、λ3、λ4，所述主动带520相对于形成具有相应的不同衍射效率的衍射光栅的静态带510而位移不同的量。再次，箭头Rλ2、Rλ3、Rλ4的宽度表示所反射的颜色λ2、λ3和λ4的光的量，并且标注为Dλ2、Dλ3、Dλ4的块的大小表示被GLV衍射成较高(非零)衍射阶的颜色λ2、λ3和λ4的光的量。所有衍射光Dλ2、Dλ3、Dλ4(和Dλ1、Dλ5，如果不是完全为零)受光阑ST或更高阶块阻挡，使得仅反射辐射Rλ1、Rλ2、Rλ3、Rλ4、Rλ5透射或传输至所述量测装置。
光阑ST可以位于系统的光瞳平面中。所述GLV模块针对除零阶之外的所有阶引发分散，从而使零阶不受影响(例如，零阶集光率没有增加)。这种高阶分散在光阑ST处产生不同束位置，从而允许阻挡所述束位置。由于所述零阶不受影响，则输出束将保持(接近)高斯/单模束。这对于对准应用(即，用于对准传感器中)是尤其期望的，这是因为这些对准应用通常需要高斯或单模束。
图8(d)是强度I相对于波长λ的关系的绘图，其示出基于图8(c)中所图示的GLV模块的配置的所得到的输出光谱OP。如可见的，每个光谱分量λ1、λ2、λ3、λ4、λ5具有与所述颜色的GLV模块的相应部分的GLV配置对应的强度I。以这种方式，每个光谱分量的强度可以在最小与最大透射率之间连续地变化。例如，最小透射率可以小于10％、小于5％、小于3％、小于2％、小于1％、小于0.5％或小于0.1％。例如，最大透射率可以大于90％、大于95％、大于97％、大于98％、大于99％、大于99.5％或大于99.9％。以这种方式，可能配置特定光谱轮廓以用于任何测量，从而改善测量准确度。
可以使用本文中所披露的构思实现进一步改善。例如，可以使用本文中所披露的源选择模块来延长源寿命。一些宽带源(诸如上文所描述的中空芯部光纤源)倾向于随时间推移失去仅一些光谱分量的强度，从而使所述源作为整体不可用。通过使用基于GLV的源选择模块，可以监测来自所述源的输出光谱，并且调整一个或更多个光谱分量以补偿任何光谱分量随时间推移的强度变化。这使得可能增加源服务动作(诸如源的替换或修复)之间的间隔。
一些脉冲驱动的照射源(诸如，基于中空芯部的源)的另一问题在于，脉冲间噪声可能是显著的即相当大的。提出了本文中所披露的构思可以被用于减轻这种脉动间噪声。例如，可以测量(例如，使用光谱仪、滤色光电二极管或其它合适的装置)所述输出光谱(例如，每颜色的强度和/或功率谱密度PSD)且在包括多个脉冲的合适的时间周期内被平均化或积分。基于光谱测量，可以在运行中(实时)调整所述GLV模块以最小化强度波动，从而在实时反馈回路中控制所述输出光谱。例如，测量(例如，对准标记扫描)可以包括第一测量周期或扫描周期(例如，全部测量周期的前50％至90％)，在所述第一测量周期或扫描周期中，所述GLV模块呈第一配置(例如，呈正常配置)且并行地测量所述输出光谱。在第二测量周期或扫描周期(即，全部测量周期的剩余部分)中，可以控制所述GLV模块以校正期望的光谱分量(例如，根据测量选配方案待用于所述测量的光谱分量)的强度。如此，如果确定在所述第一测量周期期间存在过多蓝色(或其它光谱分量)光，则可以控制所述GLV模块以在所述第二测量周期期间减少蓝色波长。这可以显著地减小强度变化。
图9是比图6和图7的图示更详细的示意性图示，并且进一步合并了用于刚描述的可选改善的元件。宽带源SO发射宽带辐射。由透镜L1和L2所表示的透镜系统提供对其中定位有束转向和束位置反馈模块BS/BPF的光瞳平面的访问。这可以被用于控制反馈回路中的束位置。分散元件DE(例如，光栅或棱镜)也在光瞳平面中。透镜L2和L3定义了第一光谱分散像平面(或场平面)，而透镜L4将分散辐射聚焦于第二光谱分散像平面处的GLV模块GLV上。来自GLV的反射(零阶)辐射由透镜L5捕获，且其中，透镜L5和L6提供对其中定位有光阑ST的光瞳平面的访问。光阑ST阻挡来自GLV模块的任何衍射阶(图中未示出)，而同时基本上没有衰减地传递所述零阶衍射。透镜L6和L7限定了第三光谱分散像平面SDIP，而透镜L7和L8提供对所述束组合器CO所位于的光瞳平面的访问。同样位于透镜L7与L8之间的可以是束诊断模块BD，所述束诊断模块能够操作以测量输出光谱(例如，每光谱分量的强度/PSD)。处理单元PU可以控制所述GLV模块，并且进一步可以被连接至所述束诊断模块BD以实现如已描述的反馈控制。最终，透镜L8将输出束聚焦至量测装置MET中，例如聚焦至合适的光纤中，诸如用于将辐射输送至量测装置MET的单模光纤。
可以了解，分散照射可以按照由图7所图示的方式双重传递(或多次传递)至图9中所图示的实施例中的GLV模块。
在实施例中，所述源选择模块(例如，已描述的源选择模块中的任一个)可以包括多带通滤色器元件，诸如固定多带通滤色器元件。这种多带通滤色器元件可以位于例如所述源选择模块的输出端处(例如，在图6、图7和图8中的束组合器与量测装置之间)。这种滤波器可以被用于以良好受控的方式来定义色带的数目、它们的中心波长以及它们的带宽，且其中，所述GLV模块能够控制每色带的透射。以这种方式，多个色带的中心波长和带宽由光学路径中的(非常)良好控制的固定元件定义，尽管与不具有这种多频带滤波器元件的基于GLV的源选择模块相比将存在减小的灵活性。与仅使用固定多带通滤色器(不具有GLV模块)的常规选择模块相比，此实施例提供选择一个或更多个频带以及随时间推移控制所述频带的灵活性。
可以使用以下方面进一步描述实施例：
1.一种用于对宽带照射束进行光谱整形以获得经光谱整形的照射束的源选择模块，包括：
束分散元件，所述束分散元件用于分散所述宽带照射束；
光栅光阀模块，所述光栅光阀模块用于在所述宽带照射束被分散之后对所述宽带照射束进行空间调制；以及
束组合元件，所述束组合元件用于重组经空间调制的宽带照射束以获得输出源束。
2.根据方面1所述的源选择模块，其中，对所述光栅光阀模块的控制控制经光谱整形的照射束的每光谱分量的透射率。
3.根据方面1或2所述的源选择模块，所述源选择模块被配置使得来自所述光栅光阀模块的镜面反射辐射被包括在所述输出源束内，并且由所述光栅光阀模块衍射的任何辐射不被包括在所述输出源束内。
4.根据方面3所述的源选择模块，包括能够操作以阻挡由所述光栅光阀模块衍射的所有所述辐射且透射所述镜面反射辐射的光阑。
5.根据方面4所述的源选择模块，其中，所述光阑被定位在介于所述光栅光阀模块与所述束组合元件之间的光瞳平面中。
6.根据任一前述方面的源选择模块，其中，所述源选择模块包括能够操作以将经分散的宽带照射束成像至所述光栅光阀模块上的至少一个成像光学器件。
7.根据任一前述方面的源选择模块，其中，所述光栅光阀模块能够被配置成使得经分散的所述宽带照射束的每个光谱分量的强度是能够被单独控制的。
8.根据方面7所述的源选择模块，其中，对每个光谱分量的强度的所述单独控制包括在最小强度与最大强度之间的连续模拟控制。
9.根据任一前述方面的源选择模块，包括能够操作以至少控制所述光栅光阀模块的处理单元。
10.根据方面9所述的源选择模块，还包括能够操作以测量所述输出源束的输出光谱的一个或更多个参数的束诊断模块。
11.根据方面10所述的源选择模块，其中，所述束诊断模块能够操作以在一时间周期内测量所述输出光谱；并且所述处理单元能够操作以经由对所述光栅光阀模块的控制来调整经分散的宽带照射束的一个或更多个光谱分量，以补偿任何一个或更多个光谱分量在所述时间周期内的强度改变。
12.根据方面10或11所述的源选择模块，其中，所述束诊断模块能够操作以在测量周期的第一部分内测量所述输出光谱；并且
基于所测量的输出光谱，所述处理单元能够操作以经由对所述光栅光阀模块的控制来调整经分散的宽带照射束的一个或更多个光谱分量，以最小化在所述测量周期的第二部分内由源噪声造成的强度波动。
13.根据方面12所述的源选择模块，其中，所述处理单元能够操作以在测量期间实时地调整所述一个或更多个光谱分量。
14.根据方面12或13所述的源选择模块，其中，所述处理单元能够操作以平均化一个或更多个光谱分量在所述第一测量周期内的测量参数。
15.根据方面11至14中任一项所述的源选择模块，其中，所述测量输出光谱包括测量每光谱分量的强度和/或测量功率谱密度。
16.根据方面10至15中任一项所述的源选择模块，其中，所述束诊断模块包括光谱仪或滤色光电二极管。
17.根据任一前述方面的源选择模块，包括束引导装置，所述束引导装置能够操作以在所述光栅光阀模块上传递经分散的所述宽带照射束两次或更多次，其中，经分散的所述宽带照射束在每次传递时被调制。
18.根据任一前述方面的源选择模块，包括用于提供所述输入照射的照射源。
19.根据方面18所述的源选择模块，其中，所述照射源包括低集光率照射源。
20.根据方面18或19所述的源选择模块，其中，所述照射源包括用于限制加宽介质的中空芯部光纤、和能够操作以提供用于激励所述加宽介质的激励辐射的激励辐射源。
21.根据任一前述方面的源选择模块，包括多带通滤色器元件，所述多带通滤色器元件能够操作以定义以下各项中的一项或更多项：被包括在所述输出源束内的光谱分量频带的数目、被包括在所述输出源束内的每个光谱分量频带的中心波长、以及被包括在所述输出源束内的每个光谱分量频带的带宽。
22.一种量测装置，包括根据任一前述方面所述的源选择模块以提供测量照射。
23.根据方面22所述的量测装置，其中，所述量测装置包括散射仪。
24.根据方面23所述的量测装置，包括：
用于衬底的支撑件；
光学系统，所述光学系统用于将所述测量照射引导至所述衬底上的结构；以及
检测器，所述检测器用于检测由所述衬底上的所述结构散射的所述测量辐射。
25.根据方面22所述的量测装置，其中，所述量测装置包括对准传感器。
26.一种光刻设备，包括：
图案形成装置支撑件，所述图案形成装置支撑件用于支撑图案形成装置；
衬底支撑件，所述衬底支撑件用于支撑衬底；以及
根据方面25所述的量测装置，所述量测装置能够操作以执行所述图案形成装置和/或所述衬底支撑件的对准。
除了已论述的优势以外，本文中所披露的所述源选择模块也可以通过增加期望的光谱分量的强度来改善信噪比。例如，典型源当前可以将12种颜色同时提供至所述晶片。必须将每个颜色的强度维持在低于安全阈值，使得所述晶片上的所有12种颜色的组合强度不损坏所述晶片。通过使用本文中所披露的所述源选择模块，可以最小化未使用的光谱分量的强度，这允许显著地提高期望的光谱分量的强度。例如，在安全阈值为50mW(仅仅作为示例)的情况下，在本系统中，每个颜色(假定12种颜色)可以仅具有4mW的最大强度。然而，如果这些颜色中的仅两种颜色待用于测量，则可以使其它颜色衰减至零强度(或接近于此零强度)，并且可以允许两种期望的颜色每个都具有高达25mW的强度(或根据测量的需要以任何比率分布于期望的两种(或多于两种)颜色之间的50mW的组合强度)。
应了解，在整个本发明的文不中，术语颜色是与波长或光谱分量同义地使用的，并且颜色可以包括在可见频带以外的颜色(例如，红外或紫外波长)。
虽然上文已描述本发明的特定实施例，但将了解，可以与所描述的不同的其它方式来实践本发明。
虽然上文可以具体地参考在光学光刻术的情境下对本发明的实施例的使用，但将了解，本发明可以用于其它应用(例如，压印光刻术)中，并且在情境允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定形成在衬底上的图案。可以将图案形成装置的形貌压入被供应给衬底的抗蚀剂层中，在衬底上，抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而固化。在抗蚀剂固化之后，将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。
本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有为或约为365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在1nm至100nm的范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。
在情境允许的情况下，术语“透镜”可以指各种类型的光学部件中的任一种或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电型光学部件。反射部件可能用于在UV和/或EUV范围内操作的设备中。
因此，本发明的广度和范围不应受上述示例性实施例中的任一个限制，而应仅根据以下权利要求及其等效物来限定。

Claims (20)

1.一种用于对宽带照射束进行光谱整形以获得经光谱整形的照射束的源选择模块，包括：
束分散元件，所述束分散元件用于分散所述宽带照射束；
光栅光阀模块，所述光栅光阀模块用于在所述宽带照射束被分散之后对所述宽带照射束进行空间调制；以及
束组合元件，所述束组合元件用于重组经空间调制的宽带照射束以获得输出源束。
2.根据权利要求1所述的源选择模块，其中，对所述光栅光阀模块的控制控制经光谱整形的照射束的每光谱分量的透射率。
3.根据权利要求1或2所述的源选择模块，所述源选择模块被配置使得来自所述光栅光阀模块的镜面反射辐射被包括在所述输出源束内，并且由所述光栅光阀模块衍射的任何辐射不被包括在所述输出源束内。
4.根据权利要求3所述的源选择模块，包括能够操作以阻挡由所述光栅光阀模块衍射的所有所述辐射且透射所述镜面反射辐射的光阑。
5.根据权利要求4所述的源选择模块，其中，所述光阑被定位在介于所述光栅光阀模块与所述束组合元件之间的光瞳平面中。
6.根据任一前述权利要求的源选择模块，其中，所述源选择模块包括能够操作以将经分散的宽带照射束成像至所述光栅光阀模块上的至少一个成像光学器件。
7.根据任一前述权利要求的源选择模块，其中，所述光栅光阀模块能够被配置成使得经分散的所述宽带照射束的每个光谱分量的强度是能够被单独控制的。
8.根据权利要求7所述的源选择模块，其中，对每个光谱分量的强度的所述单独控制包括在最小强度与最大强度之间的连续模拟控制。
9.根据任一前述权利要求的源选择模块，包括能够操作以至少控制所述光栅光阀模块的处理单元。
10.根据权利要求9所述的源选择模块，还包括能够操作以测量所述输出源束的输出光谱的一个或更多个参数的束诊断模块。
11.根据权利要求10所述的源选择模块，其中，所述束诊断模块能够操作以在一时间周期内测量所述输出光谱；并且所述处理单元能够操作以经由对所述光栅光阀模块的控制来调整经分散的宽带照射束的一个或更多个光谱分量，以补偿任何一个或更多个光谱分量在所述时间周期内的强度改变。
12.根据权利要求10或11所述的源选择模块，其中，所述束诊断模块能够操作以在测量周期的第一部分内测量所述输出光谱；并且
基于所测量的输出光谱，所述处理单元能够操作以经由对所述光栅光阀模块的控制来调整经分散的宽带照射束的一个或更多个光谱分量，以最小化在所述测量周期的第二部分内由源噪声造成的强度波动。
13.根据权利要求12所述的源选择模块，其中，所述处理单元能够操作以在测量期间实时地调整所述一个或更多个光谱分量。
14.根据权利要求12或13所述的源选择模块，其中，所述处理单元能够操作以平均化一个或更多个光谱分量在所述第一测量周期内的测量参数。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的源选择模块，其中，所述测量输出光谱包括测量每光谱分量的强度和/或测量功率谱密度。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的源选择模块，其中，所述束诊断模块包括光谱仪或滤色光电二极管。
17.根据任一前述权利要求的源选择模块，包括束引导装置，所述束引导装置能够操作以在所述光栅光阀模块上传递经分散的所述宽带照射束两次或更多次，其中，经分散的所述宽带照射束在每次传递时被调制。
18.根据任一前述权利要求的源选择模块，包括用于提供所述输入照射的照射源。
19.根据权利要求18所述的源选择模块，其中，所述照射源包括低集光率照射源。
20.根据权利要求18或19所述的源选择模块，其中，所述照射源包括用于限制加宽介质的中空芯部光纤、和能够操作以提供用于激励所述加宽介质的激励辐射的激励辐射源。
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