CN108700834B - 照射系统和量测系统 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于量测装置的照射系统和一种包括这种照射系统的量测装置。照射系统包括照射源；以及线性可变滤波器装置，被配置为对来自上述照射源的辐射束进行滤波并且包括一个或多个线性可变滤波器。照射系统可操作用于在辐射束被线性可变滤波器装置滤波之后进行对辐射束的波长特性的选择性控制。

Description

照射系统和量测系统

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月7日提交的EP申请16158994.0的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及可用于例如通过光刻技术进行的器件制造中的光刻方法和装置、以及使用光刻技术的制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是一种将所需要的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻装置可以用于集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可以使用图案形成装置(替代地称为掩模或掩模版)来生成要在IC的单独层上形成的电路图案。这个图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或几个裸片)上。图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含相继被图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中，经常需要对所产生的结构进行测量，例如，用于工艺控制和验证。用于进行这样的测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜、以及用于测量套刻精度(器件中的两个层的对准的准确度的量度)的专用工具。可以根据两个层之间的未对准程度来描述套刻精度，例如，对1nm的测量套刻精度的引用可以描述两个层未对准1nm的情况。

最近，已经开发出各种形式的散射仪用于在光刻领域中使用。这些装置将辐射束引导到目标上，并且测量散射辐射的一个或多个性质(例如，根据波长变化的单个反射角处的强度；根据反射角变化的一个或多个波长处的强度；或者根据反射角变化的偏振)以获得“光谱”，由此可以确定目标的感兴趣性质。感兴趣性质可以通过各种技术来确定：例如，通过诸如严格耦合波分析或有限元方法等迭代方法重建目标；库搜索；以及主成分分析。

当执行这种暗场散射测量时，不同层中的不同目标可以对不同波长测量辐射表现出不同的行为。因此，测量辐射应当单独调谐到目标和/或层。量测装置可以被配置为允许从均匀地分布在整个光谱之上的几个(通常约7到10个)离散波长(其范围可以从400到900nm)中进行波长选择。在波长选择方面的更大的灵活性是所期望的。

发明内容

本发明的第一方面提供了一种用于量测装置的照射系统，其包括：照射源；以及线性可变滤波器装置，被配置为对来自上述照射源的辐射束进行滤波并且包括一个或多个线性可变滤波器；其中上述照射系统可操作用于在辐射束被上述线性可变滤波器装置滤波之后进行对辐射束的波长特性的选择性控制。

本发明还提供了一种用于测量光刻工艺的参数的量测装置，该量测装置包括第一方面的照射系统。

下面参考附图详细描述本发明的其他特征和优点、以及本发明的各种实施例的结构和操作。应当注意，本发明不限于本文所述的具体实施例。这样的实施例仅出于说明性目的而在本文中呈现。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是很清楚的。

附图说明

现在将仅通过示例的方式参考附图描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘了光刻装置以及形成半导体器件的生产设施的其他装置；

图2包括(a)用于使用第一对照射孔测量目标的暗场散射仪的示意图，(b)用于给定照射方向的目标光栅的衍射光谱的细节；

图3示出了可用于本发明的实施例的(a)-(c)三种替代的可旋转地安装的滤波器元件设计；

图4示出了根据本发明的第一实施例的照射系统；

图5示出了根据本发明的第二实施例的照射系统；

图6示出了根据本发明的第三实施例的照射系统；以及

图7示出了根据本发明的第四实施例的照射系统。

具体实施方式

在详细描述本发明的实施例之前，提供其中可以实现本发明的实施例的示例环境是有益的。

图1在200处示出了作为实现大批量光刻制造工艺的工业设施的一部分的光刻装置LA。在本示例中，制造工艺适用于在诸如半导体晶片等衬底上制造半导体产品(集成电路)。技术人员将理解，可以通过在该工艺的变型中处理不同类型的衬底来制造多种产品。使用半导体产品的生产纯粹作为在今天具有重大商业意义的示例。

在光刻装置(或简称“光刻工具”200)内，测量站MEA在202处示出，并且曝光站EXP在204处示出。控制单元LACU在206处示出。在这个示例中，每个衬底访问测量站和曝光站以施加图案。在光学光刻装置中，例如，使用投影系统来使用经调节的辐射和投影系统将产品图案从图案形成装置MA转移到衬底上。这是通过在辐射敏感抗蚀剂材料层中形成图案的图像来完成的。

本文中使用的术语“投影系统”应当广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、磁、电磁和静电光学系统、或其任何组合，其适合于所使用的曝光辐射或其他因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用。图案形成装置MA可以是掩模或掩模版，其将图案赋予由图案形成装置透射或反射的辐射束。公知的操作模式包括步进模式和扫描模式。众所周知，投影系统可以以各种方式与衬底和图案形成装置的支撑和定位系统协作，以将期望的图案施加到衬底上的很多目标部分。可以使用可编程图案形成装置代替具有固定图案的掩模版。例如，辐射可以包括深紫外(DUV)或极紫外(EUV)波段中的电磁辐射。本公开还适用于其他类型的光刻工艺，例如压印光刻和直接写入光刻，例如通过电子束。

光刻装置控制单元LACU控制各种致动器和传感器的所有移动和测量，以接纳衬底W和掩模版MA并且实现图案化操作。LACU还包括信号处理和数据处理能力，以实现与设备操作相关的所需计算。在实践中，控制单元LACU将被实现为很多子单元的系统，每个子单元处理装置内的子系统或部件的实时数据获取、处理和控制。

在曝光站EXP处将图案施加到衬底之前，在测量站MEA处处理衬底，使得可以执行各种预备步骤。预备步骤可以包括使用水平传感器绘制衬底的表面高度，并且使用对准传感器测量衬底上的对准标记的位置。对准标记名义上布置成规则的栅格图案。然而，由于产生标记的不准确性以及由于在整个处理过程中发生的衬底变形，标记偏离理想栅格。因此，除了测量衬底的位置和取向之外，如果装置要以非常高的准确度在正确的位置打印产品特征，则实际上对准传感器必须详细测量衬底区域上的很多标记的位置。设备可以是所谓的双台型，其具有两个衬底台，每个衬底台具有由控制单元LACU控制的定位系统。当在一个衬底台上的一个衬底在曝光站EXP处曝光时，另一衬底可以在测量站MEA处被加载到另一衬底台上，从而可以执行各种预备步骤。因此，对准标记的测量非常耗时，并且提供两个衬底台能够显著提高装置的吞吐量。如果位置传感器IF在衬底台处于测量站和曝光站处时不能测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处跟踪衬底台的位置。光刻装置LA例如可以是所谓的双台型，其具有两个衬底台和两个站：曝光站和测量站，在这两个站之间可以交换衬底台。

在生产设施内，装置200形成“光刻单元”或“光刻簇”的一部分，其还包含涂覆装置208，用于将光敏抗蚀剂和其他涂层施加到衬底W上以便由装置200进行图案化。在装置200的输出侧，提供烘烤装置210和显影装置212用于将曝光的图案显影成物理抗蚀剂图案。在所有这些装置之间，衬底处理系统负责支撑衬底并且将它们从一件装置转移到下一件装置。通常统称为轨道的这些装置在轨道控制单元的控制之下，轨道控制单元本身由监督控制系统SCS控制，监督控制系统SCS也经由光刻装置控制单元LACU控制光刻装置。因此，可以操作不同的装置以最大化吞吐量和处理效率。监督控制系统SCS接收选配方案信息R，选配方案信息R非常详细地提供要执行以创建每个图案化衬底的步骤的定义。

一旦已经在光刻单元中施加并且显影图案，将图案化的衬底220转移到其他处理装置，诸如在222、224、226处示出的。各种处理步骤通过典型的生产设施中的各种装置来实现。为了举例，这个实施例中的装置222是蚀刻站，并且装置224执行蚀刻后退火步骤。另外的物理和/或化学处理步骤应用于其他装置226等。可能需要很多类型的操作来制造真实的装置，诸如材料的沉积、表面材料特性的改性(氧化、掺杂、离子注入等)、化学机械抛光(CMP)等。实际上，装置226可以表示在一个或多个装置中执行的一系列不同处理步骤。

众所周知，半导体器件的制造涉及这种处理的很多次重复，以在衬底上逐层地构建具有适当材料和图案的器件结构。因此，到达光刻簇的衬底230可以是新制备的衬底，或者可以是先前已在该簇中或在另一装置中完全处理过的衬底。类似地，取决于所需要的处理，可以返回离开装置226上的衬底232，以用于相同光刻簇中的后续图案化操作，它们可以用于不同簇中的图案化操作，或者它们可以是要发送用于切割和封装的成品。

产品结构的每层需要不同的一组处理步骤，并且在每层处使用的装置226的类型可以完全不同。此外，即使在装置226要应用的处理步骤名义上相同的情况下，在大型设施中，也可能存在若干假定相同的机器并行工作以在不同衬底上执行步骤226。这些机器之间的设置或故障的微小差异可能表示它们以不同的方式影响不同的衬底。甚至每层相对共用的步骤(诸如蚀刻(装置222))也可以通过若干名义上相同但并行工作以最大化生产量的蚀刻装置来实现。此外，在实践中，根据待蚀刻材料的细节以及诸如例如各向异性蚀刻等特殊要求，不同的层需要不同的蚀刻工艺，例如化学蚀刻、等离子体蚀刻。

如前所述，先前和/或后续处理可以在其他光刻装置中执行，并且甚至可以在不同类型的光刻装置中执行。例如，器件制造工艺中对诸如分辨率和套刻精度等参数要求非常高的一些层可以在比要求较低的其他层更先进的光刻工具中执行。因此，一些层可以在浸没型光刻工具中曝光，而其他层则在“干式”工具中曝光。一些层可以在工作在DUV波长的工具中曝光，而其他层则使用EUV波长辐射曝光。

为了使由光刻装置曝光的衬底正确且一致地曝光，期望检查经曝光的衬底以测量诸如后续层之间的套刻精度误差、线厚度、临界尺寸(CD)等性质。因此，光刻单元LC所在的制造设施还可以包括一个或多个量测系统。量测系统可以包括独立的量测装置MET 240和/或集成的量测装置IM 207。独立的量测装置MET 240接收已经在光刻单元中处理的用于执行离线测量的一些或全部衬底W。集成的量测装置IM 207执行在线测量并且被集成到轨道中，以在曝光之后立即接收和测量一些或所有衬底W。量测结果直接或间接地提供给监督控制系统(SCS)238。如果检测到误差，则可以对后续衬底的曝光进行调节，尤其是在量测可以很快并且足够快地完成、使得相同批次的其他衬底仍然待曝光的情况下。

现代光刻生产设施中的量测装置的常见示例是散射仪，例如角度分辨散射仪或光谱散射仪，并且其通常可以应用以在装置222中的蚀刻之前在220处测量经显影的衬底的性质。使用独立的量测装置240和/或集成的量测装置207，例如可以确定诸如套刻精度或临界尺寸(CD)等重要性能参数不满足经显影的抗蚀剂的特定准确度要求。在蚀刻步骤之前，存在剥离经显影的抗蚀剂并且通过光刻簇再处理衬底220的机会。同样众所周知，来自装置240的量测结果242可以用于通过监督控制系统SCS和/或控制单元LACU 206随时间进行小的调节，来维持光刻簇中的图案化操作的准确性能，从而最小化产品超出规格和需要重新加工的风险。当然，可以应用量测装置240和/或其他量测装置(未示出)来测量经处理的衬底232、234和传入的衬底230的性质。

量测装置如图2(a)所示。独立的量测装置240和/或集成的量测装置207可以包括这样的量测装置、或者任何其他合适的量测装置。目标T和用于照射目标的衍射测量辐射线在图2(b)中更详细地示出。所示的量测装置是被称为暗场量测装置的类型。量测装置可以是独立设备或者结合在光刻装置LA中，例如，在测量站或光刻单元LC处。在整个装置中具有若干分支的光轴由虚线O表示。在该装置中，由光源11(例如，氙灯)发出的光通过包括透镜12、14和物镜16的光学系统经由分束器15被引导到衬底W上。这些透镜以4F布置的双重顺序布置。可以使用不同的透镜布置，只要它仍然将衬底图像提供到检测器上，并且同时允许访问中间光瞳平面以进行空间频率滤波。因此，可以通过在呈现衬底平面(这里称为(共轭)光瞳平面)的空间光谱的平面中定义空间强度分布，来选择辐射在衬底上入射的角度范围。特别地，这可以通过在作为物镜光瞳平面的背投影图像的平面中在透镜12和14之间插入合适形式的孔板13来完成。在所示的示例中，孔板13具有不同的形式，标记为13N和13S，以允许选择不同的照射模式。本示例中的照射系统形成离轴照射模式。在第一照射模式中，孔板13N从仅为了描述的目的而指定为“北”的方向提供离轴。在第二照射模式中，孔板13S用于提供类似的照射，但是从标记为“南”的相反的方向。通过使用不同的孔可以实现其他照射模式。光瞳平面的其余部分理想地是暗的，因为在期望的照射模式之外的任何不必要的光将干扰期望的测量信号。

如图2(b)所示，放置目标T，使得衬底W垂直于物镜16的光轴O。衬底W可以由支撑件(未示出)支撑。从偏离轴O的角度照射在目标T上的测量辐射射线X产生零阶射线(实线0)和两个一阶射线(点划线+1和双点划线-1)。应当记住，对于过填充的小目标，这些射线只是覆盖衬底的包括量测目标T和其他特征的区域的很多并行射线之一。由于板13中的孔具有有限的宽度(需要允许有用的光量，所以入射射线I实际上将占据一定角度范围，并且衍射射线0和+1/-1将稍微扩散开。根据小目标的点扩散函数，每个阶+1和-1将在一定角度范围内进一步扩散，而不是如图所示的单个理想射线。注意，目标的光栅间距和照射角度可以被设计或调节，以使得进入物镜的一阶射线与中心光轴紧密对准。图2(a)和2(b)所示的射线略微偏离轴线，纯粹是为了使得它们能够更容易在图中区分开。

由衬底W上的目标T衍射的至少0和+1阶由物镜16收集，并且被再次引导通过分束器15。返回图2(a)，通过指定被标记为北(N)和南(S)的径向相对的孔，示出了第一和第二照射模式两者。当测量辐射的入射射线I来自光轴的北侧时，即，当使用孔板13N施加第一照射模式时，标记为+1(N)的+1衍射射线进入物镜16。相反，当使用孔板13S施加第二照射模式时，-1衍射射线(标记为-1(S))是进入透镜16的射线。

第二分束器17将衍射光束分成两个测量分支。在第一测量分支中，光学系统18使用第零阶和第一阶衍射光束在第一传感器19(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标的衍射光谱(光瞳平面图像)。每个衍射阶撞击传感器上的不同点，因此图像处理可以比较和对比各个阶。由传感器19捕获的光瞳平面图像可以用于聚焦量测装置和/或归一化第一阶光束的强度测量值。光瞳平面图像还可以用于很多测量目的，诸如重建。

在第二测量分支中，光学系统20、22在传感器23(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标T的图像。在第二测量分支中，孔径光阑21设置在与光瞳平面共轭的平面中。孔径光阑21用于阻挡零阶衍射光束，使得形成在传感器23上的目标的图像仅由-1或+1一阶光束形成。由传感器19和23捕获的图像被输出到处理器PU，处理器PU处理图像，其功能将取决于正在执行的特定测量类型。注意，术语“图像”在这里在广义上使用。如果仅存在-1和+1阶中的一个，则将不形成光栅线的图像。

图2中所示的特定形式的孔板13和场光阑21纯粹是示例。在本发明的另一实施例中，使用目标的在轴照射，并且使用具有离轴孔径的孔径光阑基本上仅将一个第一阶衍射光传递到传感器。在其他实施例中，代替第一阶光束或除了第一阶光束之外，可以在测量中使用第二、第三和更高阶光束(图2中未示出)。

为了使测量辐射适合于这些不同类型的测量，孔板13可以包括围绕盘形成的多个孔图案，盘旋转以将期望的图案带入适当位置。注意，孔板13N或13S仅可以用于测量定向在一个方向上(X或Y取决于设置)的光栅。为了测量正交光栅，可以实现目标旋转90°和270°。在上面提到的先前公开的申请中描述了装置的这些以及很多其他变型和应用的使用。

量测装置可以允许选择测量辐射的波长。可以对来自源11的测量辐射进行滤波，使得可以执行特定测量。可以针对每个完整的衬底测量调节一次波长。最佳波长可以是依赖于层的。通常，量测装置包括少量(可能在约7至10个的区域内)的离散滤波器以对测量辐射进行滤波，从而使得能够仅从相同数目的可能波长中选择波长。这可能会限制性能。另外，离散波长之间的电流切换时间很长，并且因此针对每次总的衬底测量只能调节一次。

因此，建议用一个或多个线性可变滤波器(LVF)代替离散滤波器。LVF是具有沿着滤波器在一个(或多个)方向上随着位置基本上线性地变化的光谱性质的滤波器。通过相对于辐射束移动滤波器(通过物理移动滤波器、光束或两者)使得光束穿过滤波器的位置发生变化，滤波后的光束波长可以在很宽的波长范围内线性地变化(例如，在400nm到900nm之间)。输出辐射束可以是用于在诸如图2(a)所示的量测装置中使用的测量辐射束。

LVF的最简单实现是单个可调谐带通滤波器，其中输出波长简单地通过滤波器上的空间位置来选择。在实施例中，LVF可以包括这样的单个可调谐带通滤波器。然而，可以通过组合两个边缘通过的LVF(一个是长波通过的LVF和一个是短波通过的LVF)来设计更灵活的滤波器，以创建可调谐的通带。通过将两个滤波器一起移动，可以连续地调节中心波长，并且通过相对于彼此移动滤波器，还可以调谐组合滤波器的带宽。因此，在其他实施例中，LVF可以包括串联的短波通过的滤波器和长波通过的滤波器两者，从而提供可以在大的中心波长带(例如，在400nm到900nm之间)和/或不同的通带上连续调谐的带通滤波器。

LVF的使用解决了有限波长部分选择的问题。然而，典型的LVF很重且很大。因此，在单个衬底的测量期间切换波长是困难的。这样，在改进的实施例中，提出了很多能够实现快速波长切换的提议。通过使用低惯性机械设计实现相对快速的波长选择(例如，可能比使用现有LVF设计的离散滤波器或布置的当前布置快50倍)，可以在单个目标上执行具有不同波长的测量辐射的多次测量。这提供了通过使用不同测量的结果来优化每个目标的测量和/或获得增加的测量稳健性(例如，相对于工艺变化)的机会。例如，通过组合多个波长的测量(例如，通过使用盲源分离技术)可以获得更好的不对称校正。波长切换可以足够快，使得可以在与当前执行单次测量的相同的时间窗口中在单个目标上执行多次测量。这可以提高准确度(例如，在测量和/或重建中)和/或机器吞吐量，例如，提高2倍。

在一个实施例中，线性可变滤波器可以安装到可旋转地安装的滤波器元件上，诸如轮或玻璃载体。图3示出了三个这样的实施例。在图3(a)中，LVF 310安装到轮320。在图3(b)中，LVF 310涂覆到可旋转地安装的透明(例如，玻璃)载体330上。在图3(c)中，LVF 310安装或涂覆到小直径轮340上，使得它包括或覆盖轮340的大部分。在这个示例中，LVF可以被切成片并且以重叠方式施加到轮340。在这些示例中的每个中，可旋转地安装的滤波器元件320、330、340能够旋转，使得(例如，固定的)辐射束350被LVF 310的不同部分滤波，这取决于可旋转地安装的滤波器元件320、330、340的角位置。当然，这些仅是示例，并且包括LVF的可旋转地安装的滤波器元件可以采用任何数目的不同形式。

在包括具有LVF的可旋转地安装的滤波器元件的任何实施例中，实际上可以有串联的两个这样的可旋转地安装的滤波器元件：一个是短波长通过的LVF而另一个是长波长通过的LVF，从而提供带通滤波器。两个可旋转地安装的滤波器元件优选地具有单独可控制的角位置，使得通带和中心波长是可选择的。然而，其他实施例也是可能的，其中两个可旋转地安装的滤波器元件不具有单独可控制的角位置，并且因此仅中心波长是可选择的。

其他实施例可以包括跨LVF扫描辐射束。如前所述，LVF可以包括单个带通滤波器或成对LVF：串联的短波长通过的LVF和长波长通过的LVF。在后一种情况下，LVF中的一个、两个或没有一个可以是可移动。因此，对中心波长的主要(快速)控制将通过跨LVF扫描辐射束来实现，而在两个LVF都是可移动的实施例中，对中心波长的附加可选控制可以包括一起移动两个LVF。提供两个LVF的相对移动使得通过仅相对于LVF中的另一个移动LVF中的一个，通带是可调谐的。可以使光束以多种方式跨LVF扫描，包括例如使用可移动光学器件(诸如可移动(例如，倾斜)的反射镜)引导光束。

图4示出了具有倾斜反射镜的这种布置。它包括照射源400(即，多波长源，例如白光或包括连续波长光谱的多波长光源)、输入透镜410、第一倾斜反射镜420、短波长通过的LVF 430、长波长通过的LVF 440、光学系统450、第二倾斜反射镜460和输出透镜470。根据倾斜反射镜的取向，辐射束穿过短波长通过的LVF 430和长波长通过的LVF 440的不同部分。在所示的示例中，光束被示出为遵循第一路径480和第二路径480'，每个路径是倾斜反射镜420、460的不同位置的结果。以这种方式，可以快速地控制已滤波的辐射的中心波长。当然，可以以其他方式引导光束，包括例如可移动(例如，可倾斜地安装)的透射光学器件。

图5示出了替代的光束扫描装置，其包括电活性光学器件520(例如，包括电活性液体的电活性透镜，诸如向列型液晶或电润湿原理)，使得输出光束方向580、580'随着施加到电活性光学器件520的信号而变化。还示出了如关于图4所描述的那样操作的短波长通过的LVF430和长波长通过的LVF 440以及输入透镜510。

在这样的扫描光束实施例中，短波长通过的LVF 430和长波长通过的LVF 440中的一个或两个可以是单独可移动的，以进行(尽管更慢)对通带的控制。然而，对中心波长的快速控制是在执行衬底的多次测量时最相关的。

其他实施例可以包括在两个或更多个光学路径之间切换，每个光学路径包括至少一个LVF，并且优选地包括成对LVF(包括如所描述的短波长通过的LVF和长波长通过的LVF)。一个、一些或所有路径中的一个或两个LVF可以是可移动的，以进行在一个、一些或每个路径中的通带选择和/或中心波长选择。在路径之间切换允许在两个(或更多个，取决于路径的数目)预先选择的通带和/或中心波长之间进行非常快速的选择。

图6示出了第一路径切换实施例，其包括具有第一对LVF 430、440的第一路径605和具有第二对LVF 430'、440'的第二路径615。在输入透镜610之后，存在串联的偏振器625、可变推迟器635(例如，电活性光学器件，诸如包括(例如，向列型)液晶或压电弹性调制器的电活性光学器件)和偏振敏感分束器645。通过控制可变推迟器635，可以控制光束偏振，从而实现第一路径605和第二路径615之间的选择性。还示出了用于每个路径的聚焦光学器件655、655'、输出分束器665和输出透镜670。

图7示出了第二路径切换实施例。基本原理与图6中所示的相同。然而，路径切换通过可以快速地切换进出输入光束路径的可移动的光学器件745、765(例如，这里所示的反射镜或透镜)来实现。以这种方式，光束可以选择性地沿第二路径715转向，或者不转向使得它遵循第一路径705。可以容易地设想其他布置，诸如具有多于两个路径的实施例，或者用于可移动光学器件的不同布置。

本文中描述的提议提供了连续可变波长选择，其中可以简单地调节每个中心波长(以及可选地调节通带)。这为优化特定层(性能)提供了机会或提供了增加的重建准确度(CD)。实施例可以在不同的中心波长之间提供非常快的切换时间(切换时间在0.010s的范围内)，以实现吞吐量增加或单个目标准确度改善(重建)。此外，可以组合套刻精度、焦点和CD测量。此外，线性可变滤波器可以减少或去除均匀的滤色器，从而节省资金。由于滤波器大而均匀，因此当前的轮子很大，并且因此移动缓慢。本文中描述的实施例实现了紧凑的设计和更快的移动时间。

尽管上面已经在光学光刻的上下文中具体参考了本发明的实施例的使用，但是应当理解，本发明可以用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不是仅限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的形貌限定在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压入被提供给衬底的抗蚀剂层中，然后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化抗蚀剂。在抗蚀剂固化后，将图案形成装置移出抗蚀剂，在其中留下图案。

本文中使用的术语“辐射”和“光束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，波长为或约为365、355、248、193、157或126nm)和极紫外(EUV)辐射(例如，波长在5至20nm的范围内)、以及粒子束，诸如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，使得在不脱离本发明的一般构思的情况下，其他人可以通过应用本领域技术范围内的知识容易地修改这样的具体实施例和/或使其适应各种应用，而无需过多的实验。因此，基于本文中给出的教导和指导，这样的适应和修改旨在落入所公开实施例的等同物的含义和范围内。应当理解，本文中的措辞或术语是出于说明的目的而非限制性的目的，使得本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员根据教导和指导来解释。

本发明的广度和范围不应当受任何上述示例性实施例的限制，而应当仅根据所附权利要求及其等同物来限定。

Claims (17)

1.一种用于量测装置的照射系统，包括：

照射源；

线性可变滤波器装置，被配置为对来自所述照射源的辐射束进行滤波并且包括一个或多个线性可变滤波器，所述线性可变滤波器装置包括串联的至少一对成对线性可变滤波器，所述至少一对成对线性可变滤波器中的每对成对线性可变滤波器包括一起提供带通线性可变滤波器的短波长通过的线性可变滤波器和长波长路径线性可变滤波器；以及

光束引导光学器件，被配置为受选择性地控制以控制所述辐射束沿着至少第一路径和第二路径行进，其中所述第一路径和第二路径分别穿过所述短波长通过的线性可变滤波器和所述长波长路径线性可变滤波器的不同部分，或者分别穿过两个不同的成对线性可变滤波器，从而在所述辐射束被所述线性可变滤波器装置滤波之后进行对所述辐射束的波长特性控制。

2.根据权利要求1所述的照射系统，其中所述短波长通过的线性可变滤波器和所述长波长路径线性可变滤波器被配置用于所述短波长通过的线性可变滤波器与所述长波长路径线性可变滤波器之间的相对移动，以进行对所述带通线性可变滤波器的通带的选择。

3.根据权利要求1或2所述的照射系统，其中所述辐射束的所述波长特性包括所述带通线性可变滤波器的通带的中心波长。

4.根据权利要求3所述的照射系统，其中所述短波长通过的线性可变滤波器和所述长波长路径线性可变滤波器被配置用于一起移动，以进行对所述中心波长的选择。

5.根据权利要求1、2和4中任一项所述的照射系统，被配置为使得所述选择性地控制包括对所述辐射束在所述一个或多个线性可变滤波器上的空间位置的控制。

6.根据权利要求5所述的照射系统，其中所述选择性地控制是通过提供所述辐射束与所述一个或多个线性可变滤波器之间的可控相对移动来实现的。

7.根据权利要求6所述的照射系统，包括一个或多个可旋转地安装的滤波器元件，其中所述一个或多个线性可变滤波器中的每个滤波器设置在所述一个或多个可旋转地安装的滤波器元件中的一个滤波器元件上，并且所述照射系统可操作使得对波长特性的所述选择性控制是通过对所述可旋转地安装的滤波器元件的角位置的控制来实现的。

8.根据权利要求1所述的照射系统，其中所述光束引导光学器件是可控制的，以选择性地将所述辐射束引导到所述线性可变滤波器装置的所述一个或多个线性可变滤波器上的不同空间位置。

9.根据权利要求1所述的照射系统，其中所述光束引导光学器件是可控制的，以沿着替代的预定路径选择性地引导所述辐射束，每个路径包括所述线性可变滤波器装置中的不同线性可变滤波器。

10.根据权利要求8或9所述的照射系统，其中所述光束引导光学器件包括一个或多个可倾斜的反射镜。

11.根据权利要求8或9所述的照射系统，其中所述光束引导光学器件包括一个或多个电活性光学器件。

12.根据权利要求11所述的照射系统，还包括偏振敏感分束器，使得对所述一个或多个电活性光学器件的控制控制所述辐射束的偏振，并且因此控制所述辐射束离开所述偏振敏感分束器的方向。

13.根据权利要求1、2、4、6-9和12中任一项所述的照射系统，其中所述线性可变滤波器装置的一个或多个线性可变滤波器还相对于所述辐射束选择性地可移动。

14.一种用于测量光刻工艺的参数的量测装置，所述量测装置包括根据权利要求1-13中任一项所述的照射系统。

15.根据权利要求14所述的量测装置，包括：

用于衬底的支撑件，所述衬底上具有多个目标；以及

用于利用测量辐射来测量每个目标的光学系统，其中所述测量辐射包括在被所述线性可变滤波器装置滤波之后的所述辐射束。

16.根据权利要求15所述的量测装置，可操作用于在单个衬底上执行不同测量之间改变所述辐射束的所述波长特性。

17.根据权利要求15所述的量测装置，可操作用于在单个量测目标上执行不同测量之间改变所述辐射束的所述波长特性。

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