JP7410625B2 - 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 - Google Patents
照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7410625B2 JP7410625B2 JP2021157908A JP2021157908A JP7410625B2 JP 7410625 B2 JP7410625 B2 JP 7410625B2 JP 2021157908 A JP2021157908 A JP 2021157908A JP 2021157908 A JP2021157908 A JP 2021157908A JP 7410625 B2 JP7410625 B2 JP 7410625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- wavelength variable
- section
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 193
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 124
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 287
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8845—Multiple wavelengths of illumination or detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
まず、第1実施形態に係る照明部(照明装置)を有する計測装置について説明する。図1は、第1実施形態に係る計測装置を示す図である。また、以下では、後述の照明光学系362の光軸に平行な方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な平面に沿う方向で互いに垂直な2方向をX軸方向およびY軸方向とする。また、X軸回りの回転方向、Y軸回りの回転方向、Z軸回りの回転方向をそれぞれωX軸方向、ωY方向、ωZ方向とする。
tan(2α)=r/d ・・・(1)
次に、本実施形態に係る照明装置について説明する。ここで言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。図5は、本実施形態に係る照明部401を示す図である。照明部401は、第1実施形態に係る照明部301に相当しており、照明部301とは波長可変部440a及び440bの2つの波長可変部が構成されている点で異なっている。
tan(2α1)=r1/d1 ・・・(2)
tan(2α2)=r2/d2 ・・・(3)
次に、本実施形態に係る照明装置について説明する。ここで言及しない事項は、第1実施形態、及び第2実施形態に従いうる。本実施形態に係る照明部501は、第1実施形態に係る照明部301、第2実施形態に係る照明部401に相当している。照明部501は、波長可変部540a及び540bの2つの波長可変部が構成されている点で照明部301とは異なっている。また、照明部501は、光源561と波長可変部540aとの間に配置されている照明光学系562が、照明する光を異なる2つの位置で集光させる特性を有する点で照明部401とは異なっている。また、波長可変部540aと波長可変部540bの間に照明光学系が配置されていない点で照明部401とは異なっている。
tan(2α3)=r3/d3 ・・・(4)
tan(2α4)=r3/d4 ・・・(5)
本実施形態では、基板処理装置としての露光装置が計測装置(計測部)を有する形態について説明する。ここで言及しない事項は、第1乃至3実施形態に従いうる。図13を参照して、本実施形態に係る露光装置を説明する。露光装置EXAは、半導体素子や液晶表示素子などのデバイスの製造工程であるリソグラフィ工程に用いられ、基板73にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置EXAは、レチクル(原版、マスク)31を介して基板73(ウエハ)を露光して、レチクル31のパターンを基板73に転写する露光処理(基板に対する処理)を行う。
物品として、例えば、デバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)、カラーフィルター、又はハードディスク等の製造方法について説明する。かかる製造方法は、リソグラフィ装置(例えば、露光装置、インプリント装置、描画装置等)を用いてパターンを基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。該処理ステップは、該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (23)
- 光源からの光のスペクトルを変化させて照明する照明装置であって、
照射された光のスペクトルを変化させる波長可変部と、
前記光源からの光を前記波長可変部に照射する光学系と、を有し、
前記光学系により照射された光が入射する前記波長可変部の入射面が前記光学系の光軸に垂直な平面に対して傾斜角θだけ傾くように前記波長可変部が配置され、
前記光軸に沿って進んだ光線が前記入射面で反射して前記光学系の有効範囲の境界を通過する光線になるように前記入射面を傾けたときの前記平面に対する傾斜角をα、前記光学系の有効半径をr、前記光軸に沿った方向における前記光学系と前記波長可変部との距離をdとし、
tan(2α)=r/d、及び
α≦θ≦6α
を満たす、
ことを特徴とする照明装置。 - 前記波長可変部を前記光軸に垂直な軸の方向に移動させる移動部を有し、
前記入射面が前記平面に対して前記軸回りの回転方向に傾くように前記波長可変部が配置される、
ことを特徴とする請求項1に記載の照明装置。 - 前記移動部は、前記光学系からの光の光束径が前記入射面において最も短くなる方向に前記波長可変部を移動させる
ことを特徴とする請求項2に記載の照明装置。 - 前記波長可変部は、前記光学系からの前記光が集光する位置に配置される、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の照明装置。 - 照射された光のスペクトルを変化させる第2波長可変部と、
前記波長可変部からの光を前記第2波長可変部に照射する第2光学系と、を有し、
前記第2光学系からの光が入射する前記第2波長可変部の第2入射面が前記第2光学系の第2光軸に垂直な第2平面に対して傾くように前記第2波長可変部が配置される、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の照明装置。 - 前記第2入射面が前記第2平面に対して傾斜角θ2だけ傾くように前記第2波長可変部が配置されており、
前記第2光軸に沿って進んだ光線が前記第2入射面で反射して前記第2光学系の有効範囲の境界を通過する光線になるように前記第2入射面を傾けたときの前記第2平面に対する傾斜角をα2、前記第2光学系の有効半径をr2、前記第2光軸に沿った方向における前記第2光学系と前記第2波長可変部との距離をd2とすると、
tan(2α2)=r2/d2、及び
α2≦θ2≦6α2
を満たす、
ことを特徴とする請求項5に記載の照明装置。 - 前記第2波長可変部を前記第2光軸に垂直な第2軸の方向に移動させる第2移動部を有し、
前記第2入射面が前記第2平面に対して前記第2軸回りの回転方向に傾くように前記第2波長可変部が配置される、
ことを特徴とする請求項5又は6に記載の照明装置。 - 前記第2移動部は、前記第2光学系からの光の光束径が前記第2入射面において最も短くなる方向に前記第2波長可変部を移動させる
ことを特徴とする請求項7に記載の照明装置。 - 前記第2波長可変部は、前記第2光学系からの前記光が集光する集光位置に配置される、
ことを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の照明装置。 - 光源からの光のスペクトルを変化させて照明する照明装置であって、
照射された光のスペクトルを変化させる第1波長可変部と、
照射された光のスペクトルを変化させる第2波長可変部と、
前記光源からの光を前記第1波長可変部に照射し、前記第1波長可変部を介して前記光源からの光を前記第2波長可変部に照射する光学系と、を有し、
前記光学系により照射された光が入射する前記第1波長可変部の第1入射面が前記光学系の光軸に垂直な平面に対して傾斜角θ 3 だけ傾くように前記第1波長可変部が配置され、
前記光学系により第1波長可変部を介して照射された前記光が入射する前記第2波長可変部の第2入射面が前記平面に対して傾斜角θ 4 だけ傾くように前記第2波長可変部が配置され、
前記光軸に沿って進んだ光線が前記第1入射面で反射して前記光学系の有効範囲の境界を通過する光線になるように前記第1入射面を傾けたときの前記平面に対する傾斜角をα3、前記光学系の有効半径をr3、前記光軸に沿った方向における前記光学系と前記第1波長可変部との距離をd3とすると、
tan(2α3)=r3/d3、及び
α3≦θ3≦6α3
を満たし、
前記光学系の光軸に沿って進んだ光線が前記第2入射面で反射して前記光学系の有効範囲の境界を通過する光線になるように前記第2入射面を傾けたときの前記平面に対する傾斜角をα4、前記光軸に沿った方向における前記光学系と前記第2波長可変部との距離をd4とすると、
tan(2α4)=r3/d4、及び
α4≦θ4≦6α4
を満たす、
ことを特徴とする照明装置。 - 前記第1波長可変部を前記光学系の光軸に垂直な第1軸の方向に移動させる第1移動部を有し、
前記第2波長可変部を前記光学系の光軸に垂直な、前記第1軸の方向とは異なる第2軸の方向に移動させる第2移動部を有し、
前記第1入射面が前記平面に対して前記第1軸回りの回転方向に傾くように前記第1波長可変部が配置される、
前記第2入射面が前記平面に対して前記第2軸回りの回転方向に傾くように前記第2波長可変部が配置される、
ことを特徴とする請求項10に記載の照明装置。 - 前記第1移動部は、前記光学系からの光の光束径が前記第1入射面において最も短くなる方向に前記第1波長可変部を移動させ、
前記第2移動部は、前記第1波長可変部からの光の光束径が前記第2入射面において最も短くなる方向に前記第2波長可変部を移動させ、
ことを特徴とする請求項11に記載の照明装置。 - 前記第1波長可変部は、前記光学系からの前記光が集光する第1集光位置に配置され、
前記第2波長可変部は、前記第1波長可変部からの前記光が集光する第2集光位置に配置される、
ことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載の照明装置。 - 前記第1波長可変部の前記第1入射面が傾けられることにより短波長側へ波長特性が変化した、前記第1波長可変部を透過した光が、前記第2波長可変部を透過することにより長波長側へ波長特性が変化するように前記第2波長可変部の前記第2入射面が傾けられる、
ことを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載の照明装置。 - 前記第1波長可変部の前記第1入射面が傾けられることにより前記第1波長可変部を透過した光において生じた光路長差を小さくするように前記第2波長可変部の前記第2入射面が傾けられる、
ことを特徴とする請求項10乃至14のいずれか1項に記載の照明装置。 - 光源からの光のスペクトルを変化させて照明する照明装置であって、
照射された光のスペクトルを変化させる第1波長可変部と、
前記光源からの光を前記第1波長可変部に照射する第1光学系と、
照射された光のスペクトルを変化させる第2波長可変部と、
前記第1波長可変部からの光を前記第2波長可変部に照射する第2光学系と、を有し、
前記第1光学系により照射された光が入射する前記第1波長可変部の第1入射面が前記第1光学系の第1光軸に垂直な第1平面に対して傾くように前記第1波長可変部が配置され、
前記第2光学系からの光が入射する前記第2波長可変部の第2入射面が前記第2光学系の第2光軸に垂直な第2平面に対して傾くように前記第2波長可変部が配置される、
ことを特徴とする照明装置。 - 光源からの光のスペクトルを変化させて照明する照明装置であって、
照射された光のスペクトルを変化させる第1波長可変部と、
照射された光のスペクトルを変化させる第2波長可変部と、
前記光源からの光を前記第1波長可変部に照射し、前記第1波長可変部を介して前記光源からの光を前記第2波長可変部に照射する光学系と、を有し、
前記光学系により照射された光が入射する前記第1波長可変部の第1入射面が前記光学系の光軸に垂直な平面に対して傾くように前記第1波長可変部が前記光学系からの前記光が集光する第1集光位置に配置され、
前記光学系により第1波長可変部を介して照射された前記光が入射する前記第2波長可変部の第2入射面が前記平面に対して傾くように前記第2波長可変部が前記第1波長可変部からの前記光が集光する第2集光位置に配置される、
ことを特徴とする照明装置。 - パターンの位置を計測する計測装置であって、
請求項1乃至17のいずれか1項に記載の照明装置と、
前記照明装置からの光により照明された前記パターンからの光を検出する検出部と、を有する、
ことを特徴とする計測装置。 - パターンが形成された基板を処理する基板処理装置であって、
請求項18に記載の計測装置を有し、
前記計測装置により計測された前記パターンの位置に基づき位置合わせされた前記基板を処理する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項19に記載の基板処理装置を用いて基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、を有する
ことを特徴とする物品の製造方法。 - パターンの位置を計測する計測装置であって、
光源からの光のスペクトルを変化させて照明する照明装置と、
前記照明装置からの光により照明された前記パターンからの光を検出する検出部と、を有し、
前記照明装置は、
照射された光のスペクトルを変化させる波長可変部と、
前記光源からの光を前記波長可変部に照射する光学系と、を有し、
前記光学系により照射された光が入射する前記波長可変部の入射面が前記光学系の光軸に垂直な平面に対して傾くように前記波長可変部が配置される、
ことを特徴とする計測装置。 - パターンが形成された基板を処理する基板処理装置であって、
パターンの位置を計測する計測装置を有し、
前記計測装置により計測された前記パターンの位置に基づき位置合わせされた前記基板を処理し、
前記計測装置は、
光源からの光のスペクトルを変化させて照明する照明装置と、
前記照明装置からの光により照明された前記パターンからの光を検出する検出部と、を有し、
前記照明装置は、
照射された光のスペクトルを変化させる波長可変部と、
前記光源からの光を前記波長可変部に照射する光学系と、を有し、
前記光学系により照射された光が入射する前記波長可変部の入射面が前記光学系の光軸に垂直な平面に対して傾くように前記波長可変部が配置される、
ことを特徴とする基板処理装置。 - パターンが形成された基板を処理する基板処理装置を用いて基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、を有し、
前記基板処理装置は、
パターンの位置を計測する計測装置を有し、
前記計測装置により計測された前記パターンの位置に基づき位置合わせされた前記基板を処理し、
前記計測装置は、
光源からの光のスペクトルを変化させて照明する照明装置と、
前記照明装置からの光により照明された前記パターンからの光を検出する検出部と、を有し、
前記照明装置は、
照射された光のスペクトルを変化させる波長可変部と、
前記光源からの光を前記波長可変部に照射する光学系と、を有し、
前記光学系により照射された光が入射する前記波長可変部の入射面が前記光学系の光軸に垂直な平面に対して傾くように前記波長可変部が配置される、
ことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021157908A JP7410625B2 (ja) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
TW111134267A TW202314400A (zh) | 2021-09-28 | 2022-09-12 | 照明設備、測量設備、基板處理設備及製造物品的方法 |
KR1020220117564A KR20230045547A (ko) | 2021-09-28 | 2022-09-19 | 조명장치, 계측장치, 기판 처리장치, 및 물품의 제조방법 |
CN202211180258.5A CN115877667A (zh) | 2021-09-28 | 2022-09-26 | 照明装置、测量装置、基板处理装置及制造物品的方法 |
US17/935,720 US11841623B2 (en) | 2021-09-28 | 2022-09-27 | Illumination apparatus, measurement apparatus, substrate processing apparatus, and method for manufacturing article |
US18/488,579 US20240061349A1 (en) | 2021-09-28 | 2023-10-17 | Illumination apparatus, measurement apparatus, substrate processing apparatus, and method for manufacturing article |
JP2023214843A JP2024024663A (ja) | 2021-09-28 | 2023-12-20 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021157908A JP7410625B2 (ja) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023214843A Division JP2024024663A (ja) | 2021-09-28 | 2023-12-20 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023048534A JP2023048534A (ja) | 2023-04-07 |
JP7410625B2 true JP7410625B2 (ja) | 2024-01-10 |
Family
ID=85770061
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021157908A Active JP7410625B2 (ja) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
JP2023214843A Pending JP2024024663A (ja) | 2021-09-28 | 2023-12-20 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023214843A Pending JP2024024663A (ja) | 2021-09-28 | 2023-12-20 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11841623B2 (ja) |
JP (2) | JP7410625B2 (ja) |
KR (1) | KR20230045547A (ja) |
CN (1) | CN115877667A (ja) |
TW (1) | TW202314400A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7410625B2 (ja) * | 2021-09-28 | 2024-01-10 | キヤノン株式会社 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004004055A (ja) | 2002-05-02 | 2004-01-08 | Mitsutoyo Corp | 好適照明設定の判定方法、この判定方法を用いた検査方法、及び画像処理装置 |
WO2009025261A1 (ja) | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Hoya Corporation | マルチビーム走査装置 |
JP2014095594A (ja) | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Yokogawa Electric Corp | 分光装置および分光用光源 |
US20190041329A1 (en) | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Kla-Tencor Corporation | Overlay Metrology Using Multiple Parameter Configurations |
JP2019511000A (ja) | 2016-03-07 | 2019-04-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システムおよびメトロロジシステム |
JP2019528444A (ja) | 2016-08-17 | 2019-10-10 | ケーエルエー コーポレイション | 広帯域光源を基にマルチチャネル可調照明を生成するシステム及び方法 |
JP2019196943A (ja) | 2018-05-08 | 2019-11-14 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置及び物品の製造方法 |
JP2021089303A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | キヤノン株式会社 | 光源装置および画像投射装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7817272B2 (en) * | 2008-06-09 | 2010-10-19 | Aegis Lightwave, Inc. | High-resolution spectrally adjustable filter |
US8059327B1 (en) * | 2010-04-29 | 2011-11-15 | Semrock, Inc. | Variable spectral filter apparatus |
JP5583515B2 (ja) * | 2010-08-11 | 2014-09-03 | オリンパス株式会社 | レーザ顕微鏡用照明装置およびレーザ顕微鏡 |
US9512985B2 (en) * | 2013-02-22 | 2016-12-06 | Kla-Tencor Corporation | Systems for providing illumination in optical metrology |
JP6568041B2 (ja) | 2016-10-25 | 2019-08-28 | 株式会社ブルービジョン | 光源装置及び撮像システム |
EP3667420A1 (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-17 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of a lithographic process, metrology apparatus |
JP7410625B2 (ja) * | 2021-09-28 | 2024-01-10 | キヤノン株式会社 | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 |
-
2021
- 2021-09-28 JP JP2021157908A patent/JP7410625B2/ja active Active
-
2022
- 2022-09-12 TW TW111134267A patent/TW202314400A/zh unknown
- 2022-09-19 KR KR1020220117564A patent/KR20230045547A/ko active Search and Examination
- 2022-09-26 CN CN202211180258.5A patent/CN115877667A/zh active Pending
- 2022-09-27 US US17/935,720 patent/US11841623B2/en active Active
-
2023
- 2023-10-17 US US18/488,579 patent/US20240061349A1/en active Pending
- 2023-12-20 JP JP2023214843A patent/JP2024024663A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004004055A (ja) | 2002-05-02 | 2004-01-08 | Mitsutoyo Corp | 好適照明設定の判定方法、この判定方法を用いた検査方法、及び画像処理装置 |
WO2009025261A1 (ja) | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Hoya Corporation | マルチビーム走査装置 |
JP2014095594A (ja) | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Yokogawa Electric Corp | 分光装置および分光用光源 |
JP2019511000A (ja) | 2016-03-07 | 2019-04-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 照明システムおよびメトロロジシステム |
JP2019528444A (ja) | 2016-08-17 | 2019-10-10 | ケーエルエー コーポレイション | 広帯域光源を基にマルチチャネル可調照明を生成するシステム及び方法 |
US20190041329A1 (en) | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Kla-Tencor Corporation | Overlay Metrology Using Multiple Parameter Configurations |
JP2019196943A (ja) | 2018-05-08 | 2019-11-14 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置及び物品の製造方法 |
JP2021089303A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | キヤノン株式会社 | 光源装置および画像投射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11841623B2 (en) | 2023-12-12 |
JP2023048534A (ja) | 2023-04-07 |
TW202314400A (zh) | 2023-04-01 |
JP2024024663A (ja) | 2024-02-22 |
CN115877667A (zh) | 2023-03-31 |
US20230131615A1 (en) | 2023-04-27 |
KR20230045547A (ko) | 2023-04-04 |
US20240061349A1 (en) | 2024-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI729380B (zh) | 測量設備、曝光設備和製造物品的方法 | |
JP5036429B2 (ja) | 位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法及び調整方法 | |
KR20080065940A (ko) | 위치검출장치 및 노광장치 | |
JP2024024663A (ja) | 照明装置、計測装置、基板処理装置、および物品の製造方法 | |
US20070153294A1 (en) | Measurement method and apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
TW200842520A (en) | Measuring apparatus, projection exposure apparatus having the same, and device manufacturing method | |
JP7114277B2 (ja) | パターン形成装置及び物品の製造方法 | |
US12072175B2 (en) | Measurement apparatus, measurement method, lithography apparatus and article manufacturing method | |
JP2006269669A (ja) | 計測装置及び計測方法、露光装置並びにデバイス製造方法 | |
JPH10189443A (ja) | 位置検出用マーク、マーク検出方法及びその装置並びに露光装置 | |
JP2006012867A (ja) | マーク計測方法及び装置、露光方法及び装置、並びに露光システム | |
JP7238041B2 (ja) | 計測装置、計測方法、基板処理装置、および物品の製造方法 | |
JP6226525B2 (ja) | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 | |
US20230229095A1 (en) | Detection apparatus, detection method, exposure apparatus and article manufacturing method | |
US20230176489A1 (en) | Detecting apparatus, substrate processing apparatus, and article manufacturing method | |
JP2023160136A (ja) | 校正方法、検出系、露光装置、物品の製造方法及びプログラム | |
JP4337149B2 (ja) | 位置検出装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2023184422A (ja) | 計測方法、計測装置、リソグラフィ装置および物品製造方法 | |
JP2022097164A (ja) | 計測装置、露光装置、および物品製造方法 | |
JPH05190420A (ja) | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 | |
US10222293B2 (en) | Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method by detecting a light amount of measuring light | |
JP2004104028A (ja) | 収差測定方法、収差補正方法、位置検出装置、露光装置、及び、デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231121 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20231213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231220 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7410625 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |