JP4337149B2 - 位置検出装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は位置検出用パターンの位置を検出する位置検出装置に関し、特に半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、または薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いる露光装置に好適なマスクと感光基板との位置合わせ装置や、該露光装置の重ね合わせ（位置合わせ）精度やステージの送り精度（ステッピング精度）を測定する重ね合わせ測定装置に用いられる位置検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子等のデバイスは、一般に感光材料が塗布されたウエハ（又はガラスプレート等の基板）上に複数層の回路パターンを積み重ねて形成されるため、回路パターンをウエハ上に露光するための投影露光装置には、これから露光するレチクルのパターンと既に回路パターンが形成されているウエハの各ショット領域との位置合わせを行うためのアライメント装置が備えられている。
【０００３】
従来この種のアライメント装置としては、特開平４−６５６０３号公報、特開平４−２７３２４６号公報等で提示されているように、ハロゲンランプ等の光源から射出される波長帯域幅の広い光でウエハ上のアライメントマーク（ウエハマーク）を照明し、その拡大像を撮像素子上に形成し、得られた撮像信号を画像処理してそのウエハマークの位置検出を行うオフ・アクシス方式で、且つ撮像方式のアライメント装置が知られている。撮像方式のアライメント装置の検出系はＦＩＡ（Field Image Alignment)系とも呼ばれている。 この撮像方式のアライメント装置では、広帯域照明であるため、ウエハ上のフォトレジスト層での薄膜干渉の影響が低減される利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の撮像方式のアライメント装置の結像光学系では、加工、組立、調整等の製造工程において、僅かながら収差が残存していた。このように収差が残存していると、撮像面上でのウエハマーク像のコントラストが低下したり、ウエハマーク像に歪が生じるなどして、マーク位置の検出誤差が発生する。近年、回路パターンの線幅の微細化に伴い、益々高精度のアライメントが必要とされるようになり、上記の如き僅少な収差による、アライメント精度の低下も問題となってきている。
【０００５】
そのように残存する収差の内で、特にコマ収差のウエハマーク像の検出に及ぼす影響は大きく、光軸に軸対称なコマ収差や視野全面に均一な偏心コマ収差などの瞳において光軸に非対称な横収差が光学系内に発生していると、撮像面上に投影されるウエハマーク像は、理想結像の場合と比べて位置ずれして計測される。また、ピッチ、デューティ比、段差等のウエハマークの形状が変わった場合や、ウエハマークがデフォーカスした場合に、そのウエハマーク像にコマ収差が存在すると、その像へのコマ収差の影響の度合いが様々に変化し、且つその計測位置のずれ量も様々に変わることになる。
【０００６】
半導体製造工程毎にウエハマークの形状は異なるため、コマ収差が残留した光学系でウエハのアライメント（位置合わせ）を行うと、プロセスオフセットが発生したり、重ね合わせ精度の再現性が悪化する等により、アライメント精度が低下する。
このようなコマ収差を補正するために、本願出願人は特開平8-195336号公報において、対物光学系に後続する光学系においてコマ収差を補正する手法を提案した。しかしながら、当該特開平8-195336号公報にて提案した手法では、補正可能なコマ収差は低次のコマ収差のみであり、高次のコマ収差の補正を行うことは困難である。近年の回路の微細化に伴なって要求される厳しい位置検出精度を満足するためには、上記高次コマ収差が無視できなくなってきている。
【０００７】
そこで、本発明は、低次だけでなく高次のコマ収差を極力抑えることにより、プロセスオフセットが小さく高精度な位置検出装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明にかかる位置検出装置は、位置検出用パターンを照明する照明手段と、照明された前記位置検出用パターンからの光を対物光学系を介して集光する集光手段と、集光手段を介した前記位置検出用パターンからの光を検出する光電検出手段とを有し、該光電検出手段により得られる検出信号に基づいて前記位置検出用パターンの位置を検出するものであって、
前記集光手段中の前記対物光学系は複数の光学素子のみからなり、
前記光の中心波長をλとするとき、前記対物光学系の該複数の光学素子の光学面のそれぞれの研磨面精度から少なくともアス成分を取り除いた後のＲＭＳが０．０１λ以下となるように、前記複数の光学素子が形成される。
【０００９】
上述の構成において、前記集光手段を構成する全ての光学素子は、前記光の中心波長をλとするとき、前記全ての光学素子の光学面のそれぞれの研磨面精度から少なくともアス成分を取り除いた後のＲＭＳがＳ０．０１λ以下となるように、前記複数の光学素子が形成されることが好ましい。
また、前記ＲＭＳは、前記光学面の研磨面精度から前記アス成分及び曲率誤差成分を取り除いた後のＲＭＳであることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の好ましい態様においては、前記集光光学系の瞳における波面収差成分と、光軸からの距離の偶数乗、１乗及び３乗に比例する成分並びにアス成分との残差波面収差成分のＲＭＳが０．０１λ以下である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の原理について説明する。
図１は、本発明の原理を説明するための図である。図１に示す結像光学系は、レンズＬ１、開口絞りＡＳ、及びレンズＬ２で構成されており、物体面上に形成されるマークの像を結像面上に所定の倍率のもとで結像させるものである。なお、図１における物体面には、ピッチがｐのパターンとピッチが２ｐのパターンとが形成されているものとする。 図１の結像光学系においてコマ収差が残存していると、このコマ収差は、結像光学系の瞳面（開口絞りＡＳ位置）において光軸ＡＸに対して回転非対称な波面収差で表される。また、ピッチｐのパターンから発生する±１次光と、ピッチ２ｐのパターンから発生する±１次光とが瞳面において通過する座標が異なるため、ピッチｐのパターンからの±１次光に加わる収差量ΔＷｐとピッチ２ｐのパターンからの±１次光に加わる収差量ΔＷ２ｐとは異なる。従って、ピッチｐのパターンからの±１次光が結像面上に到達する位置と、ピッチ２ｐのパターンからの±１次光が結像面上に到達する位置とは、上記収差量ΔＷｐ，ΔＷ２ｐの違いに応じて異なり、結果として、ピッチｐのパターンの結像位置とピッチ２ｐのパターンの結像位置とが一致しない。これがプロセスオフセットとなる。 なお、図１には低次（参照球面からの位相ずれが光軸からの距離の３乗に比例する成分）のコマ収差が発生している状態を図示したが、高次（参照球面からの位相ずれが光軸からの距離の３乗を超える成分）のコマ収差についても原理は同様であり、低次のコマ収差及び高次のコマ収差が大きいほどプロセスオフセットは大きくなる。
【００１２】
なお、低次の収差成分とは、光学系の瞳上での波面収差ΔＷのうち参照球面からの位相ずれが光軸からの距離Ｄの３乗に比例する成分を指し、例えばツェルニケ(Zernike)の多項式では一般的にＤ³ ｃｏｓ（３θ），（３Ｄ³ −２Ｄｃｏｓθ，（３Ｄ³ −２Ｄ）ｓｉｎθ，Ｄ³ ｓｉｎ（３θ）で表される。 また高次の収差成分とは、光学系の瞳上での波面収差ΔＷを、参照球面からの位相ずれが光軸からの距離Ｄの偶数乗、１乗及び３乗に比例する成分でフィッティングし、そのフィッティング面とΔＷとの残差成分に対応する。なお、参照球面からの位相ずれが光軸からの距離Ｄの１乗に比例する成分は、例えばツェルニケの多項式では、Ｄｃｏｓθ，Ｄｓｉｎθで表される。
【００１３】
このようなコマ収差を初めとする収差（光軸に対称な収差、光軸に非対称な収差）は、設計値、ガラス部品の内部歪み、ガラス部品の面の研磨誤差、ガラス部品をメカ部品に組み込むときに内部や外部に生じる歪み、更には組み立て誤差によって生じる。これらの収差のうち低次のコマ収差は、特開平8-195336号公報などで提案した方法で補正することが可能であるが、この手法では高次のコマ収差補正が困難である。
【００１４】
次に、高次のコマ収差の残存量とプロセスオフセットとの関係について図２を参照して説明する。まず、実際に製造された複数本（図２では４本）の対物レンズを任意に選択して、それらの波面収差を周知の手法で測定する。測定された波面収差を補正可能な低次収差でフィッティングし、残存する波面収差（残差波面収差成分）の平方自乗平均(root mean square, RMS)を高次コマ収差ＲＭＳとする。そして、上記残存する波面収差が結像光学系に存在しているとして、パターンピッチ、デューティなどが異なる複数種類のパターンが理想結像位置からどれくらいずれた位置に結像するのかをシミュレーションし、これらの結像点のばらつきの幅をプロセスオフセットとする。
【００１５】
図２は、横軸を上記高次コマ収差とし縦軸を上記プロセスオフセットとして複数本の対物レンズに関してプロットした図である。この図２からも明らかな通り、高次のコマ収差を低減させれば（低次収差が補正されていることが前提）、プロセスオフセットを小さく抑えることができる。
本願発明者らは、どのようにしたら高次コマ収差を低減させることができるのかについて鋭意研究した結果、結像光学系を構成している光学部品の光学面（レンズであればレンズ面、反射鏡であれば反射面）の研磨誤差が上記高次コマ収差の発生要因として大きいという結論に到達した。
【００１６】
図３は、結像光学系の瞳における収差と、該収差のうちの高次コマ収差との関係とを示すシミュレーション結果である。図３のシミュレーションに際しては、以下の手法で行った。まず、実際に製造された複数本（図３では９本）の対物レンズを任意に選択して、それらの波面収差を周知の手法で測定する。そして、測定された波面収差の平方自乗平均を瞳に生じた収差ＲＭＳとする。次に、測定された波面収差から、光軸対称成分（主に球面収差に対応）、参照球面からの位相ずれが光軸からの距離の３乗に比例する成分、及び傾斜成分（参照球面からの位相ずれが光軸からの距離の１乗に比例する成分に対応）でフィッティングした残りの波面収差（残差波面収差）の平方自乗平均を瞳に生じた高次コマ収差ＲＭＳとする。
【００１７】
図３は、横軸を上記瞳に生じた収差ＲＭＳとし、縦軸を上記瞳に生じた高次コマ収差成分ＲＭＳとして、上記複数本の対物レンズにつきプロットした図である。この図３からも明らかな通り、高次のコマ収差を小さくするためには、研磨面の面誤差に起因して瞳に生じる全体の収差を小さく抑えることが必要なことが分かる。なお、研磨面で光軸に非対称な収差だけでなく対称な収差も抑える必要があるのは、研磨面のみでは光軸に対称な収差も、組み立て誤差により偏心すれば光軸に非対称な収差となるからである。
【００１８】
次に、対物光学系を構成する複数の光学素子のうち、特定の光学素子の光学面に研磨誤差があった場合を想定してシミュレーションを行った。このシミュレーションにおいては、対物光学系のレンズデータにおいて、ある特定の面に研磨誤差として設計値の面形状に偏差を与え、このときに瞳に生じる収差を計算した。次に上記特定の面とは異なる面に対しても同様に収差を計算した。この結果、対物光学系中の様々な位置にあるレンズ面のうちのどのレンズ面であっても、瞳に生じる収差への影響が同程度であることが分かった。従って、高次コマ収差の発生を抑えるためには、対物光学系を構成する各光学素子の光学面の研磨面精度を全ての光学面において所定の値以下にする必要がある。
【００１９】
さて、図４は対物光学系の開口数ごとに、高次のコマ収差の残存量とプロセスオフセットとの関係を示した図である。なお、図４のシミュレーションにおいては、図２・図３と同様に低次の収差を引いた状態でシミュレーションしている。
図４において、点Ａは対物光学系の物体側開口数ＮＡ＝０．２である場合、研磨面精度の平方自乗平均が０．０２λのときを示す。ここで、点Ｂは対物光学系の物体側開口数ＮＡを一定にしつつ研磨面精度の平方自乗平均を０．０１λとした場合を示している。点Ａ、点Ｂの比較により、上述の図２に示したときと同様に対物光学系の開口数が一定である場合には、プロセスオフセットはコマ収差量にほぼ比例して小さくなることが分かる。 また、点Ｃは対物光学系を構成する光学面の研磨面精度の平方自乗平均を０．０１λとしつつ、対物光学系の物体側開口数ＮＡをＮＡ＝０．３に拡大した場合を示しており、点Ｄは対物光学系を構成する光学面の研磨面精度の平方自乗平均を０．０２λとしつつ対物光学系の物体側開口数ＮＡをＮＡ＝０．３に拡大した場合を示している。これより、対物光学系を構成する光学面の研磨面精度の平方自乗平均が０．０２λ程度である場合には、対物光学系の物体側開口数ＮＡを大きくしてもプロセスオフセットの低減にはつながらないが、この研磨面精度の平方自乗平均が０．０１λ以下である場合には、対物光学系の物体側開口数を大きくしてさらにプロセスオフセットの低減を図ることができる。 すなわち、対物光学系の瞳における全体の収差が同じであっても、第一対物レンズの各面の研磨精度がＲＭＳで０．０２λ程度の場合はＮＡを大きくしてもあまり精度は変わらないが、０．０１λ以下程度であればＮＡを大きくしてプロセスオフセットを向上することができる。
【００２０】
これは、研磨面精度が０．０２λ程度の場合、参照球面からの位相ずれが光軸からの距離の３乗に比例する補正可能な収差を補正しても、残存した高次収差のうち瞳の外周部にいくほど位相ずれ（収差）が大きくなるような収差が支配的になっていて、ＮＡを大きくすることによるコマ収差の増加が支配的となり、ＮＡは小さいほうが高精度となるためである。
【００２１】
しかし、図４に示したように、研磨面精度のＲＭＳの平均値が０．０１λ程度となれば、瞳上において残存した収差のうちランダムに分布するような高次の収差が支配的になり、ＮＡを大きくしてもコマ収差の増加はあまりなく、それ以上にＮＡを大きくすることによるプロセスオフセットの減少が大きくなる。
上述した図１〜図４の説明より、対物光学系に後続する光学系により補正することが難しい高次のコマ収差の発生を抑え、更に残存する収差が瞳にランダムに分布するような程度まで高次の収差を抑えるためには、対物光学系の各面の研磨面精度の平方自乗平均の平均値が０．０１λ（λ＝使用中心波長）以下であることが必要であることがわかる。 ただし、研磨誤差において理想曲面からのずれのうち、光軸からの距離の２乗に比例する成分はレンズの曲率誤差成分であり、レンズのパワー（屈折力）誤差となるが、このパワー誤差は補正可能であるためプロセスオフセットの要因とはならない。さらに、アス成分は、レンズ同士を回転させ打ち消し合うことが可能である。なお、アス成分とは、あるメリジオナル面で光軸からの距離Ｄの２乗に比例する研磨誤差成分と、それに直交する面における光軸からの距離Ｄの２乗に比例する研磨誤差成分との差のうち、その差が一番大きくなる成分のことである。
【００２２】
さらに、対物光学系の各面の精度を本発明のようにすれば、全光学系の瞳の波面収差のうち、補正が難しい光軸に関して高次の非対称収差の残存成分をＲＭＳ０．０１λ以下とすることができる。
図５を参照して、瞳の波面収差について説明する。
図５において、瞳の波面収差とは、実光学系を介して光電検出面（結像面）に結像した像点Ｉｐからの球面波を考え、その球面波が瞳に形成する波面Ｗと、無収差の理想光学系での瞳上での理想波面Ｗ0との位相ずれΔＷである。波面収差ΔＷのうち、光軸Ａｘからの距離Ｄの偶数次数で比例する成分（光軸に対称な収差）はプロセスオフセットの要因とはならない。さらに光軸Ａｘからの距離Ｄの１乗に比例する成分（ツェルニケの多項式では一般的にＤｃｏｓθ，Ｄｓｉｎθで表される）も全ての像の位置ずれとなるだけで、プロセスオフセットの要因とはならない。また、光軸Ａｘからの距離Ｄの３乗に比例する成分（ツェルニケ多項式では一般的にＤ³ ｃｏｓ（３θ），（３Ｄ³ −２Ｄｃｏｓθ，（３Ｄ³ −２Ｄ）ｓｉｎθ，Ｄ³ ｓｉｎ（３θ）で表される）は特開平８−１９５３８６号公報に開示されている手法で補正可能な低次のコマ収差である。
【００２３】
従って本発明を適用することにより、全光学系の瞳上での波面収差ΔＷを光軸からの距離Ｄの偶数乗、１乗及び３乗に比例する成分でフィッティングし、そのフィッティング面と波面収差ΔＷとの残差成分ΔＷ’（＝補正が難しい高次のコマ収差）をＲＭＳ０．０１λ以下とすることができる。
なお、上記高次の非対称波面収差ΔＷ’において、アス成分は、集光光学系を構成する複数のレンズの組み上げの際に、これら複数のレンズの回転方向をコントロールして組み上げることにより、Ｘ方向及びＹ方向のフォーカスずれとはなるがプロセスオフセットの要因としないことが可能なため、アス補正後のＲＭＳが０．０１λ以下でもよい。 ここで、アス成分とは、あるメリジオナル面で光軸からの距離Ｄの２乗に比例する波面収差成分（Ｗ１）と、それに直交する面における光軸からの距離Ｄの２乗に比例する波面収差成分（Ｗ２）との差が一番大きくなる成分である。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明する。
図６は、本発明の第１実施例にかかる位置検出装置および該位置検出装置を備えた露光装置の構成を概略的に示す図である。本実施例は、半導体露光装置における感光性基板の位置検出に本発明を適用している。
【００２５】
なお、図６では、露光装置の投影光学系ＰＬの光軸に対して平行にＺ軸が、Ｚ軸に垂直な平面内において図６の紙面に平行な方向にＸ軸が、Ｚ軸に垂直な平面内において図６の紙面に垂直な方向にＹ軸がそれぞれ設定されている。
図示の露光装置は、適当な露光光でマスク（投影原版）としてのレチクルＲを均一に照明するための露光用照明光学系（不図示）を備えている。レチクルＲはレチクルステージ１上においてＸＹ平面とほぼ平行に支持されており、そのパターン領域ＰＡには転写すべき回路パターンが形成されている。
【００２６】
レチクルＲを透過した光は、投影光学系ＰＬを介してウエハＷに達し、ウエハＷ上にはレチクルＲのパターン像が形成される。
なお、ウエハＷは、ウエハホルダ２１を介してＺステージ２２上においてＸＹ平面とほぼ平行に支持されている。Ｚステージ２２は、ステージ制御系２４によって、投影光学系ＰＬの光軸に沿って駆動されるように構成されている。
【００２７】
Ｚステージ２２はさらに、ＸＹステージ２３上に支持されている。ＸＹステージ２３は、同じくステージ制御系２４によって、投影光学系ＰＬの光軸に対して垂直なＸＹ平面内において二次元的に駆動されるように構成されている。
前述したように、露光装置では、投影露光に先立って、レチクルＲ上のパターン領域ＰＡとウエハＷ上の各露光領域とを光学的に位置合わせ（アライメント）する必要がある。そこで、ウエハＷ上に形成された段差パターンからなるアライメントマークすなわちウエハマークＷＭの基準座標系におけるＸ方向位置およびＹ方向位置を検出し、その位置情報に基づいてアライメントが行われる。このように、ウエハマークＷＭの位置を検出してアライメントを行うのに、本発明の位置検出装置が使用される。
【００２８】
なお、ウエハマークＷＭは、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ周期性を有する互いに独立した２つの一次元マークであっても、Ｘ方向およびＹ方向に周期性を有する二次元マークであってもよい。
図６に示す位置検出装置は、波長帯域幅の広い照明光としてアライメント光ＡＬを供給するための光源３を備えている。光源３として、たとえばハロゲンランプのような光源を使用することができる。本実施例では、アライメント光の波長帯域を５００ｎｍ〜８００ｎｍとしている。光源３からのアライメント光ＡＬは、たとえば光ファイバーのようなライトガイド４を介して所定位置まで導かれる。ライトガイド４の射出端から射出されたアライメント光ＡＬは、たとえば円形の開口部を有する照明開口絞り２７を介して制限された後、コンデンサーレンズ２９に入射する。
【００２９】
コンデンサーレンズ２９を介したアライメント光ＡＬは、一旦集光された後、照明視野絞り（不図示）を介して照明リレーレンズ５に入射する。照明リレーレンズ５を介して平行光となったアライメント光ＡＬは、ハーフプリズム６を透過した後、第１対物レンズ７に入射する。第１対物レンズ７で集光されたアライメント光ＡＬは、反射プリズム８の反射面で図中下方に反射された後、ウエハＷ上に形成されたウエハマークＷＭを照明する。 このように、光源３、ライトガイド４、照明開口絞り２７、コンデンサーレンズ２９、照明視野絞り（不図示）、照明リレーレンズ５、ハーフプリズム６、第１対物レンズ７および反射プリズム８は、ウエハマークＷＭに照明光を照射するための照明光学系を構成している。
【００３０】
照明光に対するウエハマークＷＭからの反射光（回折光を含む）は、反射プリズム８および第１対物レンズ７を介して、ハーフプリズム６に入射する。ハーフプリズム６で図中上方に反射された光は、第２対物レンズ１１を介して、指標板１２上にウエハマークＷＭの像を形成する。このマーク像からの光は、リレーレンズ系（１３，１４）およびその光路中において照明開口絞り２７とほぼ共役な位置に配置された結像開口絞り３０を介して、ＸＹ分岐ハーフプリズム１５に入射する。そして、ＸＹ分岐ハーフプリズム１５で反射された光はＹ方向用ＣＣＤ１６に、ＸＹ分岐ハーフプリズム１５を透過した光はＸ方向用ＣＣＤ１７に入射する。
【００３１】
このように、反射プリズム８、第１対物レンズ７、ハーフプリズム６、第２対物レンズ１１、指標板１２、リレーレンズ系（１３，１４）、結像開口絞り３０、およびハーフプリズム１５は、照明光に対するウエハマークＷＭからの反射光に基づいてマーク像を形成するための結像光学系（集光光学系）を構成している。
【００３２】
こうして、Ｙ方向用ＣＣＤ１６およびＸ方向用ＣＣＤ１７の撮像面には、マーク像が指標板１２の指標パターン像とともに形成される。Ｙ方向用ＣＣＤ１６およびＸ方向用ＣＣＤ１７からの出力信号は、信号処理系１８に供給される。さらに、信号処理系１８において信号処理（波形処理）により得られたウエハマークＷＭの位置情報は、主制御系２５に供給される。
【００３３】
主制御系２５は、信号処理系１８からのウエハマークＷＭの位置情報に基づいてウエハＷのＸ方向位置およびＹ方向位置を検出し、検出したウエハＷのＸ方向位置およびＹ方向位置に応じたステージ制御信号をステージ制御系２４に出力する。ステージ制御系２４は、ステージ制御信号にしたがってＸＹステージ２３を適宜駆動し、ウエハＷのアライメントを行う。
【００３４】
このように、Ｙ方向用ＣＣＤ１６、Ｘ方向用ＣＣＤ１７、信号処理系１８、および主制御系２５は、結像光学系を介して形成されたマーク像の位置情報に基づいてウエハＷの位置を検出するための光電検出手段を構成している。
さて、本実施例における第１対物レンズ７は、複数の光学素子（レンズ素子）で構成されており、これら各光学素子の光学面（レンズ面）の研磨面精度は、従来のＲＭＳ≒０．０２λ（λ＝６３３ｎｍ）のときには全光学系の瞳での波面収差のうち光軸に非対称な高次収差がＲＭＳ≒０．０２λ程度残存していたのに比べて、各レンズの研磨面精度の平方自乗平均の値をＲＭＳ≒０．０１λ（λ＝６３３ｎｍ）としたため、補正が難しい瞳上での高次コマ収差の発生が約半分（ＲＭＳ≒０．０１λ）となり、プロセスオフセットの発生も約半分とすることができた。
【００３５】
なお、本実施例においては、低次の収差によるプロセスオフセットの発生を防ぐために、特開平8-195336号に開示される技術も併せて適用している。
さて、図６に示した本実施例のような位置検出装置では、拡大倍率を有する光学系を用いることが一般的である。この場合、第１対物レンズ７の物体側開口数は、倍率のかかった後段のレンズ１１，１３，１４などの物体側開口数よりも大きくなる。図７に示すように、軸上光束のみを考えると、第１対物レンズ７も倍率のかかった後段のレンズ１１（１３，１４）も同程度の研磨面精度が要求される。しかしながら、倍率のかかった後段のレンズ１１（１３，１４）では、図中破線で示すように結像面Ｉ上で像高を持つ光束による有効径の増加が大きい。従って、後段のレンズ１１（１３，１４）では必ずしも有効径全域での研磨面精度がＲＭＳ≒０．０１λ（λ：使用波長の中心波長）を満足する必要はない。言いかえると、集光光学系を構成するレンズのうち、第１対物レンズ７が平均値でＲＭＳ０．０１λを満足していれば、高精度なアライメントが可能となる。
【００３６】
なお、図６の実施例において、例えば瞳空間に置かれたハーフプリズム６等の入射面・射出面の研磨面誤差は、そのまま瞳での収差を発生させる恐れがある。また、第１対物レンズ７に後続する各レンズ（１１，１３，１４）においても第１対物レンズ７と同程度な研磨面誤差が存在するときには、瞳での収差を発生させる恐れがある。さらに、第１対物レンズ７の物体側に配置される反射プリズム８の反射面の研磨面誤差も瞳において収差を発生させる恐れがある。
【００３７】
従って、さらなる高精度の位置検出系を提供するためには、第一対物レンズだけでなく、位置検出系における各レンズ、各平行平面板、各反射面の研磨面精度の平方自乗平均の平均値が０．０１λ以下であることが好ましい。
また、本発明は、面精度や瞳の収差をＲＭＳで表現しているが、最大値と最小値との差（Ｐ−Ｖ、ＰＫ−ＰＫ）、収差係数などで言いかえることができるのは言うまでもない。 なお、上記の研磨面精度は、光学部品全体で要求されるのではなく、光束が通過する有効域内だけでいいことは言うまでもない。
【００３８】
また、落射照明型の位置検出装置の例を示したが、透過型の位置検出装置に本発明を適応することが可能なのは言うまでもない。
なお、図６に示した露光装置の位置検出装置は、例えば本件出願人による特願平8-273227号にて提案されているパターン間寸法測定装置の集光光学系や、同じく本件出願人による特開昭62-32614号公報に開示される重ね合わせ測定装置のアライメント系などに適用することもできる。これらの場合、高精度な寸法測定や高精度な重ね合わせ精度（位置合わせ精度）を測定することができる。また、図５の位置検出装置は、特開平1-187817号公報などに開示される最適露光条件設定装置にも適用することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上の通り本発明によれば、検出するパターンの種類によらず高精度に該パターンの位置を検出することができる位置検出装置を実現できる。また、該位置検出装置を露光装置に適用すれば、微細な線幅に対応することができる。また、該位置検出装置を重ね合わせ測定装置に適用すれば、高精度に重ね合わせ精度を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を説明するための図である。
【図２】シミュレーション結果を示すグラフである。
【図３】シミュレーション結果を示すグラフである。
【図４】シミュレーション結果を示すグラフである。
【図５】本発明の原理を説明するための図である。
【図６】本発明の位置検出装置を露光装置に適用した実施例を示す図である。
【図７】本発明の変形例の原理を説明するための図である。
【符号の説明】
１ レチクルステージ
３ 光源
４ ライトガイド
６ ハーフプリズム
７ 第１対物レンズ
８ 反射プリズム
１１ 第２対物レンズ
１２ 指標板
１５ ＸＹ分岐ハーフプリズム
１６、１７ ＣＣＤ
１８ 信号処理系
２１ ウエハホルダ
２２ Ｚステージ
２３ ＸＹステージ
２４ ステージ制御系
２５ 主制御系
２６ キーボード
２７ 照明開口絞り
３０ 結像開口絞り

Claims (6)

1. 位置検出用パターンを照明する照明手段と、照明された前記位置検出用パターンからの光を対物光学系を介して集光する集光手段と、該集光手段を介した前記位置検出用パターンからの光を検出する光電検出手段とを有し、該光電検出手段により得られる検出信号に基づいて前記位置検出用パターンの位置を検出する位置検出装置において、
   前記集光手段中の前記対物光学系は複数の光学素子のみからなり、
   前記光の中心波長をλとするとき、前記対物光学系の該複数の光学素子の光学面のそれぞれの研磨面精度から少なくともアス成分を取り除いた後のＲＭＳが０．０１λ以下となるように、前記複数の光学素子が形成されることを特徴とする位置検出装置。
2. 前記集光手段を構成する全ての光学素子は、前記光の中心波長をλとするとき、前記全ての光学素子の光学面のそれぞれの研磨面精度から少なくともアス成分を取り除いた後のＲＭＳが０．０１λ以下となるように、形成されることを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
3. 前記ＲＭＳは、前記光学面の研磨面精度から前記アス成分及び曲率誤差成分を取り除いた後のＲＭＳであることを特徴とする請求項１または２記載の位置検出装置。
4. 前記集光光学系の瞳における波面収差成分と、光軸からの距離の偶数乗、１乗及び３乗に比例する成分並びにアス成分との残差波面収差成分のＲＭＳが０．０１λ以下であることを特徴とする請求項１、２または３記載の位置検出装置。
5. 原版上の所定のパターンを感光性材料が塗布された基板へ転写するための露光装置において、
   請求項１、２、３または４記載の位置検出装置を備えたことを特徴とする露光装置。
6. 請求項５記載の露光装置を用いて回路パターンをウエハ上に露光し、複数層の回路パターンを積み重ねて形成することを特徴とするデバイス製造方法。

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