TWI651602B - 評價方法、物品製造方法及評價程式 - Google Patents

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Abstract

一種評價方法，就具有複數個區域的基準基板進行評價，該複數個區域分別具有基準標記，包含：準備程序，準備一倍縮光罩，該倍縮光罩係具有第1區域與配置於前述第1區域的外側的第2區域，供於就重疊誤差進行計測用的第1標記被配置於前述第1區域，供於就基板載台的步進移動誤差進行計測用的第2標記被配置於前述第2區域；標記形成程序，包含曝光程序，在前述基準基板之上形成與前述第1標記對應的第3標記及與前述第2標記對應的第4標記，該曝光程序係使用前述倍縮光罩，經由前述基板載台的步進移動，就前述基準基板的前述複數個區域的各者進行曝光；第1計測程序，就前述基板標記與前述第3標記的重疊誤差進行計測；第2計測程序，檢測形成於前述基準基板的前述第4標記從而就前述基板載台的步進移動誤差進行計測；決定程序，基於前述重疊誤差及前述步進移動誤差而決定前述基準基板的變形量。

Description

評價方法、物品製造方法及評價程式
本發明有關評價方法、物品製造方法及程式。
為了將複數個曝光裝置之間的特性差抑制在既定等級內而進行的校正，係稱為mix and match。mix and match，係可利用基準基板進行。然而，基準基板，係可能帶有為了製作其而選擇之曝光裝置(基準曝光裝置)所帶有的誤差、因處理(例如，蝕刻處理等)而發生的變形。利用帶有變形的基準基板而校正的曝光裝置，係校正為伴隨著該變形下的狀態。此外，於基準曝光裝置發生歷時上的變動時，需要使其他曝光裝置跟從基準曝光裝置的歷時上的變動。此外，將決定作為基準曝光裝置的曝光裝置在之後變更為其他曝光裝置係困難。
所以，為了使用基準曝光裝置、不依存於製程的基準基板等就複數個曝光裝置進行管理，如下方法應為有用：就基準基板的變形進行計測，基於該計測結果而校正複數個曝光裝置。
可為了就基準基板帶有的變形進行計測而使 用絕對測長器，惟絕對測長器高價，製造半導體裝置的製造商很少擁有絕對測長器。因此，若可利用曝光裝置、既存的重疊誤差檢查裝置等而就基準基板的變形進行計測則屬便利。
然而，就基準基板所帶有的複數個標記的位置僅透過曝光裝置或重疊誤差檢查裝置單純進行計測，恐於計測結果中包含基板載台的定位誤差，故無法就基準基板所帶有的變形正確進行計測。
另外，於日本專利特許3427113號公報，係記載用於提升mix and match的發明，在日本專利特開2000-299278號公報中，係雖已記載與在載台控制方面的直進性及旋轉的校正相關的發明，惟此等中並未記載有關就基準基板所帶有的變形進行計測。
本發明，係提供一種技術，有利於為了就基準基板所帶有的變形，在不使用絕對測長器下，以高精度進行計測。
本發明的1個之態樣，係一種評價方法，就具有複數個區域的基準基板進行評價，該複數個區域分別具有基準標記，前述評價方法，係包含：準備程序，準備一倍縮光罩，該倍縮光罩係具有第1區域與配置於前述第1區域的外側的第2區域，供於就重疊誤差進行計測用的第1標記被配置於前述第1區域，供於就基板載台的步進移動誤差進行計測用的第2標記被配置於前述第2區域；標記形成程序，包含曝光程序，在前述基準基板之上形成與前述第1標記對應的第3標記及與前述第2標記對應的第4標記，該曝光程序係使用前述倍縮光罩，經由前述基板載台的步進移動，就前述基準基板的前述複數個區域的各者進行曝光；第1計測程序，就前述基板標記與前述第3標記的重疊誤差進行計測；第2計測程序，檢測形成於前述基準基板的前述第4標記從而就前述基板載台的步進移動誤差進行計測；決定程序，基於前述重疊誤差及前述步進移動誤差而決定前述基準基板的變形量。
[0010] 以下，一面參照附圖一面就本發明透過其例示性的實施方式進行說明。 　　[0011] 於圖9，係示出曝光裝置EX的示意構成。曝光裝置EX，係就倍縮光罩R的圖案區域透過照明系統30進行照明，將該圖案區域透過投影光學系統40投影於基板S從而就基板S進行曝光。在基板S之上係配置感光材，基板S被曝光時，與倍縮光罩R的圖案區域的圖案對應的潛像形成於基板S之上的感光材。具有形成潛像的感光材的基板被顯影處理從而形成物理性的圖案。 　　[0012] 基板S，係被透過基板載台10的基板夾具(未圖示)而保持。基板載台10，係可被透過載台底座70而支撐。基板載台10，係可被透過基板載台驅動機構50而驅動。基板載台10的位置，係可被透過位置計測器60(例如，雷射干涉儀、編碼器)而計測。控制部80，係可基於透過位置計測器60所得的計測結果，就基板載台驅動機構50進行回授控制，而使基板載台10被定位於目標位置。倍縮光罩R，係被透過倍縮光罩載台20的倍縮光罩夾具而保持。曝光裝置EX被構成為掃描曝光裝置的情況下，倍縮光罩載台20係可透過倍縮光罩載台驅動機構(未圖示)，被與基板載台10同步而驅動。 　　[0013] 曝光裝置EX，係可具備離軸觀測器等的觀測器90(計測器)。觀測器90，係例如可包含供於就基板S的標記等進行攝像用的相機及光學系統、就透過相機而攝像的影像進行處理的處理器。該處理器所執行的功能的全部或一部分，係亦可併入於控制部80。觀測器90，係例如可被為了就標記的位置、複數個標記間的相對位置進行計測而使用。亦可利用觀測器90，就重疊誤差進行計測。 　　[0014] 控制部80，係被可構成為就照明系統30、投影光學系統40、基板載台驅動機構50、位置計測器60、觀測器90等進行控制。控制部80，係可執行供於就基準基板的變形量進行評價用的處理。控制部80，係可執行供於就曝光裝置EX的重疊誤差進行評價用的處理。控制部80，係例如可由FPGA(Field Programmable Gate Array的縮寫)等的PLD(Programmable Logic Device的縮寫)、或ASIC(Application Specific Integrated Circuit的縮寫)、或程式82被併入的電腦、或此等全部或一部分的組合而構成。程式82，係例如可儲存於記憶媒體。 　　[0015] 於圖1，係示出本發明的第1實施方式中的基準基板的評價方法的執行順序。在此評價方法，係可使用在以下所說明的基準基板201及倍縮光罩301。於圖2，係例示基準基板201。於圖3，係例示供基準基板201的評價用及供於就作為校正對象的曝光裝置EX的重疊誤差進行評價用的倍縮光罩301。另外，亦可個別準備供基準基板201的評價用的倍縮光罩、供於就作為校正對象的曝光裝置EX的重疊誤差進行評價用的倍縮光罩。 　　[0016] 首先，一面參照圖2一面說明有關基準基板201。基準基板201，係可在材料基板之上塗佈感光材，利用任意的曝光裝置(例如，前述的曝光裝置EX)就該感光材進行曝光，透過顯影裝置就該感光材進行顯影從而形成。基準基板201係可具有複數個區域(照擊區域)SR，各區域SR係可具有1或複數個基準標記202。為了就材料基板之上的感光材進行曝光而使用前述的曝光裝置EX的情況下，係作為基板S在基板載台10之上配置材料基板。並且，可一面透過位置計測器60就基板載台10的位置進行計測，一面透過基板載台驅動機構50定位基板載台10，一面依序就材料基板的複數個區域SR進行曝光。此情況下，在所製作的基準基板201的基準標記202的位置方面，可能包含曝光裝置與EX的投影光學系統40的特性、基板載台10的定位精度、倍縮光罩載台20的定位精度等相應的誤差。 　　[0017] 接著，一面參照圖3一面說明有關倍縮光罩301。倍縮光罩301，係具有第1區域302與配置於第1區域302的外側的第2區域306。在第1區域302，係配置供於就重疊誤差進行計測用的第1標記303。在第2區域306，係作為供於就基板載台10的步進移動誤差進行計測用的第2標記，配置第1部分標記304及第2部分標記305。以下，亦將第1部分標記304及第2部分標記305記載為第2標記304、305。第1區域302，係供於就基準基板201的區域SR進行曝光用的區域，第2區域306，係供於就與被透過第1區域302而曝光的區域SR鄰接的區域SR進行曝光用的區域。步進移動誤差，係在為了就基板S的複數個區域(照擊區域)依序進行曝光而將基板S(基板載台10)基於利用位置計測器60所得的計測結果透過基板載台驅動機構50而予以步進移動之際產生的基板S的定位誤差。第1標記303、第2標記304、305的位置，係被保證為符合公差要求。或者，顯示第1標記303、第2標記304、305的位置的資訊可被與倍縮光罩301一起提供。 　　[0018] 第1標記303，係透過包含曝光程序的光刻程序(後述的標記形成程序)，以與基準基板201的各區域SR的基準標記202一起構成框中框(box-in-box)標記的方式，被作為第3標記而轉印於基準基板201之上。換言之，透過光刻程序，在基準基板201的各區域SR，係形成與第1標記303對應的第3標記。作為第2標記的第1部分標記304、第2部分標記305，係分別透過包含曝光程序的光刻程序(後述的標記形成程序)，被作為第3部分標記、第4部分標記而轉印於基準基板201之上。在以下，係亦將第3部分標記及第4部分標記稱為第4標記。換言之，透過光刻程序，在基準基板201，係形成與第2標記304、305對應的第4標記。另外，透過一次的光刻程序，在基準基板201之上形成與第1標記303對應的第3標記及與第2標記304、305對應的第4標記。 　　[0019] 於此，與第1部分標記304對應的第3部分標記、與第2部分標記305對應的第4部分標記，係構成供於就基板載台10的步進移動誤差進行計測用的box-in-box標記。此外，構成各box-in-box標記的第3部分標記及第4部分標記的個別的潛像，係透過彼此不同的曝光處理(亦即透過多重曝光)而被形成。box-in-box標記，係如所熟知，為在box之中配置box的標記。 　　[0020] 以下，一面參照圖1一面說明本發明的第1實施方式中的基準基板201的評價方法的執行順序。在程序S101(準備程序)，係準備例示於圖3的倍縮光罩301。在程序S102(標記形成程序)，係利用倍縮光罩301及任意的曝光裝置EX，在基準基板201之上，形成與倍縮光罩301的第1標記303對應的第3標記及與倍縮光罩301的第2標記304、305對應的第4標記。藉此，形成供於評價基準基板201用的樣品，亦即形成在基準基板201之上形成第3標記及第4標記下的樣品。程序S102，係包含曝光處理，該曝光處理係使用倍縮光罩301，經由曝光裝置EX的基板載台10的步進移動，就基準基板201的複數個區域SR的各者進行曝光。在曝光處理，係於曝光裝置EX，以在某區域SR被曝光後其他區域SR被定位於投影光學系統40之下的曝光區域的方式使基板載台10步進移動，重複該其他區域SR被曝光的動作直到全部的區域SR被曝光。程序S102，係除可在該曝光處理前包含在基準基板201之上配置感光材(光阻)之程序以外，可在該曝光程序之後包含顯影程序。另外，在程序S101所使用的曝光裝置EX的曝光區域(照擊區域)的形狀，係可預先調整為目標形狀(例如矩形)。 　　[0021] 於圖4，係示出在程序S102之後的基準基板201的4個區域SR。於圖4中，區域401係於1次的曝光中被使用倍縮光罩301而曝光的區域。在被通過倍縮光罩301的第1區域302而曝光的區域SR，係形成以基準標記202、與第1標記303對應的第3標記而構成的box-in-box標記403。基準基板201，係具有被通過倍縮光罩301的第2區域306而多重曝光的區域。在此區域，係以與作為第2標記的其中1個的第1部分標記304對應的第4標記、與作為第2標記的另一個的第2部分標記305對應的第4標記而形成box-in-box標記402。 　　[0022] 在程序S103(第1計測程序)，係透過檢測以基準標記202、與第1標記303對應的第3標記而構成的box-in-box標記403從而就重疊誤差Err403 進行計測。此計測，係例如可將顯影後的基準基板201配置於曝光裝置EX的基板載台10，利用觀測器90而進行，亦可利用供於檢查重疊誤差用的檢查裝置而進行。重疊誤差，係可透過構成1個box-in-box標記403的基準標記202與第3標記的相對位置而表示。 　　[0023] 在程序S104(第2計測程序)，係透過檢測以與第1部分標記304對應的第4標記、與第2部分標記305對應的第4標記而構成的box-in-box標記402從而就步進移動誤差ErrStep 進行計測。此計測，係例如可將顯影後的基準基板配置於曝光裝置EX的基板載台10，利用觀測器90而進行，亦可利用供於檢查重疊誤差用的檢查裝置而進行。程序S103與程序S104，係可並行而執行，亦可在程序S104之後執行程序S103。 　　[0024] 在程序S105，係基於在程序S103所得的重疊誤差與在程序S104所得的步進移動誤差而決定基準基板201的變形量。更具體而言，在程序S105，係可從在程序S103所得的重疊誤差減去在程序S104所得的步進移動誤差從而決定基準基板201的變形量。 　　[0025] 以下，就於程序S104求出步進移動誤差ErrStep 的處理更具體進行說明。首先，檢測box-in-box標記402，求出與第1部分標記304對應的第4標記、和與第2部分標記305對應的第4標記的相對位置Err402 。圖5，係從圖4將在鄰接的3個區域401中的被多重曝光的區域的box-in-box標記402抽出者，為了將此等box-in-box標記402互相區別，附加501～506。 　　[0026] 使基於box-in-box標記501而檢測出的X軸方向、Y軸方向的偏差量為(xx1、xy1)。同樣，使基於box-in-box標記502而檢測出的X軸方向、Y軸方向的偏差量為(xx2、xy2)。同樣，使基於box-in-box標記503而檢測出的X軸方向、Y軸方向的偏差量為(xx3、xy3)。同樣，使基於box-in-box標記504而檢測出的X軸方向、Y軸方向的偏差量為(yx1、yy1)。同樣，使基於box-in-box標記505而檢測出的X軸方向、Y軸方向的偏差量為(yx2、yy2)。同樣，使基於box-in-box標記506而檢測出的X軸方向、Y軸方向的偏差量為(yx3、yy3)。 　　[0027] 為了將3個區域401互相區別，使該等區域401為區域i、j，k。使區域i的X軸方向的位置誤差、Y軸方向的位置誤差、姿勢誤差為(ESxi 、ESyi 、ESθi )。同樣，使區域j的X軸方向的位置誤差、Y軸方向的位置誤差、姿勢誤差為(ESxj 、ESyj 、ESθj )。同樣，使區域k的X軸方向的位置誤差、Y軸方向的位置誤差、姿勢誤差為(ESxk 、ESyk 、ESθk )。此外，使因倍縮光罩301的投影影像的變形、基板載台10的計測誤差等而產生的誤差為Δxx1 、Δxx2 、Δxx3 、Δxy1 、Δxy2 、Δxy3 、Δyx1 、Δyx2 、Δyx3 、Δyy1 、Δyy2 、Δyy3 。此外，使就標記進行計測時的不規則的誤差為εxx1 (i、j)、εxx2 (i、j)、εxx3 (i、j)、εxy1 (i、j)、εxy2 (i、j)、εxy3 (i、j)、εyx1 (i、j)、εyx2 (i、j)、εyx3 (i、j)、εyy1 (i、j)、εyy2 (i、j)、εyy3 (i、j)。於此定義下，成立(1)～(12)式的關係。 　　[0028][0029] (1)～(6)式係按與X方向重疊的部分、(7)～(12)式係按與Y方向重疊的部分而成立，故與X方向重疊的部分的個數為Nx、與Y方向重疊的部分的個數為Ny時，可得到3(Nx＋Ny)個的聯立方程式。再者，若不將全部的區域401的位置誤差與姿勢誤差(ESxi 、ESyi 、ESθi )的平均值定為一定值則無法求解，故加入皆使總和為零的3個方程式(13)～(15)。 　　[0030]再者，以於(ESxi ESyi 、ESθi )不含倍縮光罩301的投影影像的變形、基板載台10的計測誤差等的方式，加入4個方程式(16)～(19)式。 　　[0031]於此，Xi 與Yi ，係顯示在基準基板201的各區域401之中心的座標位置，為被以全部的區域401的總和成為零的方式進行調整下的向量的要素。 　　[0032] 根據以上，構成3(Nx＋Ny)＋7個聯立方程式。 　　[0033] 另一方面，區域401的個數為Ns個的情況下，在聯立方程式的未知數，係各區域401的(ESxi 、ESyi 、ESθi )、Δxx1 、Δxx2 、Δxx3 、Δxy1 、Δxy2 、Δxy3 、Δyx1 、Δyx2 、Δyx3 、Δyy1 、Δyy2 、Δyy3 。因此，未知數係共存在3Ns＋12個。 　　[0034] εxx1(i 、 j) 、εxx2(i 、 j) 、εxx3(i 、 j) 、εxy1(i 、 j) 、εxy2(i 、 j) 、εxy3(i 、 j) 、εyx1(i 、 j) 、εyx2(i 、 j) 、εyx3(i 、 j) 、εyy1(i 、 j) 、εyy2(i 、 j) 、εyy3(i 、 j) ，係假定為由期待值零、分散相等的機率分布所成的變數。透過最小平方法求出各區域401的(ESxi 、ESyi 、ESθi )，使其為步進移動誤差ErrStep 。 　　[0035] 以下，就在程序S105基於重疊誤差Err403 與步進移動誤差ErrStep (亦即，(ESxi 、ESyi 、ESθi ))而決定基準基板201的變形量Distwafer 的處理更具體進行說明。於此，使在基準基板201的區域i之中心座標為(Xi 、Yi )、使區域i內的box-in-box標記l(座標＝(xil 、yil ))的偏差量為(Exil 、Eyil )。此外，使在座標(xil 、yil )的基準基板201的變形量Distwafer 為(Dxil 、Dyil )。於此定義下，(Dxil 、Dyil )係以(20)、(21)式而賦予。 　　[0036]所求的基準基板201的變形量Distwafer ，係可直接以表格形式保存按標記座標的值，亦可保存為將在複數個標記座標的值以多項式而近似的係數，亦能以其他形式而保存。 　　[0037] 在如上述的基準基板的評價方法的演算，係可透過電腦而實施。該電腦的功能，係例如亦可被併入於曝光裝置EX的控制部80。於圖10(a)，係示意性示出透過電腦1100所為的演算。電腦1100，係依併入於其的評價程式1102而執行演算。於圖10(b)，係例示電腦1100基於以曝光裝置EX或檢查裝置就經由圖1的程序S101、S102所形成的樣品進行計測後的計測結果而獲得基準基板201的變形量Distwafer 的順序。 　　[0038] 以下，一面參照圖10(b)一面說明利用電腦1100所為的基準基板201的變形量Distwafer 的評價方法。在程序S1001，電腦1100係取得以曝光裝置EX或檢查裝置就經由圖1的程序S101、S102所形成的樣品進行計測後的計測結果，更具體而言取得與box-in-box標記403、402的各者相關的計測結果。此計測結果，係包含box-in-box標記403的計測結果(第1資訊)、box-in-box標記402的計測結果(第2資訊)。第1資訊，係包含顯示基準標記202和與第1標記303對應的第3標記的相對位置的資訊。第2資訊，係包含顯示與第1部分標記304對應的第3部分標記和與第2部分標記305對應的第4部分標記的相對位置的資訊。 　　[0039] 程序S103’(第1程序)，係相當於在圖1的程序S103中的演算處理。在程序S103’(第1程序)，電腦1100係基於基準標記202、第1資訊而求出重疊誤差Err403 。程序S104’(第2程序)，係相當於在圖1的程序S104中的演算處理。在程序S104’，電腦1100係基於第2資訊而求出步進移動誤差ErrStep 。 　　[0040] 程序S105’(第3程序)，係相當於在圖1中的程序S105。在程序S105’(第3程序)，電腦1100係基於在程序S103’所得的重疊誤差與在程序S104’所得的步進移動誤差而決定基準基板201的變形量。更具體而言，在程序S105’，係從在程序S103’所得的重疊誤差減去在程序S104’所得的步進移動誤差從而決定基準基板201的變形量Distwafer 。 　　[0041] 於圖6，係示出本發明的第2實施方式中的評價方法及物品製造方法的執行順序。第2實施方式，係在透過第1實施方式的實施而獲得基準基板201的變形量Distwafer 後實施。在第2實施方式，係相對於作為第1實施方式中的作為評價對象的基準基板201在公差內具有同一性的第2基準基板，被為了就作為校正對象(mix and match的對象)的曝光裝置EX進行評價而使用。第2基準基板，係相對於例示於圖2的基準基板201在公差內具有同一性，故構造方面係具有與基準基板201相同的構造。 　　[0042] 在程序S501(第2標記形成程序)，係利用作為校正對象的曝光裝置EX，在第2基準基板之上，形成第5標記。藉此，形成供於就作為校正對象的曝光裝置EX進行評價用的樣品。在程序S501，係可使用例示於圖3的倍縮光罩301，亦即可使用與供於就基準基板201進行評價用的倍縮光罩301相同的倍縮光罩。其中，於程序S501，亦可使用與倍縮光罩301係不同的倍縮光罩。於程序S501，使用倍縮光罩301的情況下，亦可第2標記304、305被以第2標記304、305不會轉印於第2基準基板的方式透過未圖示的遮光片而遮光。使用倍縮光罩301的情況下，於程序S501所形成的第5標記，係透過倍縮光罩301的第1標記303的轉印而形成的標記。 　　[0043] 程序S501，係包含曝光處理，該曝光處理係使用倍縮光罩301等的倍縮光罩，經由曝光裝置EX的基板載台10的步進移動，就第2基準基板的複數個照擊區域(SR)的各者進行曝光。在此曝光處理，係於作為校正對象的曝光裝置EX，以在某區域(SR)被曝光後其他區域(SR)被定位於投影光學系統40之下的曝光區域的方式使基板載台10步進移動，該其他照擊區域被曝光。並且，如此的動作，係重複直到全部的照擊區域被曝光。程序S501，係除可在該曝光處理前包含在第2基準基板之上配置感光材(光阻)之程序以外，可在該曝光程序之後包含顯影程序。 　　[0044] 於圖7，係示出程序S501之後的第2基準基板的4個照擊區域701。在各照擊區域，係透過第2基準基板的基準標記202、使用倍縮光罩301而形成的第5標記而形成box-in-box標記702。 　　[0045] 在程序S502(第3計測程序)，係透過檢測box-in-box標記702，從而就相對於基準標記202的第5標記的偏差量Err702 進行計測。此計測，係例如可將顯影後的第2基準基板配置於作為校正對象的曝光裝置EX的基板載台10，利用觀測器90而進行，亦可利用供於檢查重疊誤差用的檢查裝置而進行。偏差量，係可透過構成1個box-in-box標記702的基準標記202、和使用倍縮光罩301而形成的第5標記的相對位置而表示。 　　[0046] 在程序S503(校正量決定程序)，係就偏差量Err702 基於在第1實施方式的程序S105(評價程序)所決定的基準基板201的變形量Distwafer 進行校正從而決定作為校正對象的曝光裝置EX的校正量Compmm 。例如，使照擊區域i之中心座標為(Xi 、Yi )、使照擊區域i內的box-in-box標記l(座標＝(xil 、yil ))的偏差量Err702 為(E’xil 、E’yil )。此外，使在座標(xil 、yil )的基準基板201的變形量Distwafer 為(Dxil 、Dyil )。此外，使在座標(xil 、yil )的作為校正對象的曝光裝置EX的校正量Compmm 為(Cxil 、Cyil )。於此定義下，(Cxil 、Cyil )係以(22)、(23)式而賦予。 　　[0047][0048] 所求的Compmm ，係可直接以表格形式保存按標記座標的值，亦可保存為將在複數個標記座標的值以多項式而近似的係數，亦能以其他形式而保存。 　　[0049] 在程序S504(曝光程序)，係基於在程序S503所決定的校正量Compmm 而校正作為校正對象的曝光裝置EX，利用所校正的曝光裝置EX、製造用的倍縮光罩，製造用基板被曝光。校正量Compmm ，係例如可為供於控制投影光學系統40的特性用的校正量、供於控制基板載台10用的校正量等。 　　[0050] 於圖8，係示出本發明的第3實施方式中的評價方法及物品製造方法的執行順序。第3實施方式，係在透過第1實施方式的實施而獲得基準基板201的變形量Distwafer 後實施。在第3實施方式，係相對於作為第1實施方式中的作為評價對象的基準基板201在公差內具有同一性的第2基準基板，被為了就作為校正對象(mix and match的對象)的曝光裝置EX進行評價而使用。第2基準基板，係相對於例示於圖2的基準基板201在公差內具有同一性，故構造方面係具有與基準基板201相同的構造。 　　[0051] 程序S801(第2標記形成程序)，係於作為校正對象的曝光裝置EX，在相對於基準基板201在公差內具有同一性的第2基準基板形成第5標記。藉此，形成供於就作為校正對象的曝光裝置EX進行評價用的樣品。在程序S801，係可使用例示於圖3的倍縮光罩301，亦即可使用與供於就基準基板201進行評價用的倍縮光罩301相同的倍縮光罩。其中，於程序S801，亦可使用與倍縮光罩301係不同的倍縮光罩。於程序S801，使用倍縮光罩301的情況下，亦可第2標記304、305被以第2標記304、305不會轉印於第2基準基板的方式透過未圖示的遮光片而遮光。使用倍縮光罩301的情況下，於程序S801所形成的第5標記，係透過倍縮光罩301的第1標記303的轉印而形成的標記。 　　[0052] 程序S801係包含曝光處理，該曝光處理係使用倍縮光罩301等的倍縮光罩，經由曝光裝置EX的基板載台10的步進移動，就第2基準基板的複數個照擊區域(SR)的各者進行曝光。在此曝光處理，係於作為校正對象的曝光裝置EX，就某照擊區域(SR)進行曝光後，以其他照擊區域(SR)被定位於投影光學系統40之下的曝光區域的方式使基板載台10步進移動，該其他照擊區域被曝光。如此的動作，係重複直到全部的照擊區域被曝光。程序S801，係除可在該曝光處理前包含在第2基準基板之上配置感光材(光阻)之程序以外，可在該曝光程序之後包含顯影程序。在程序S801，係就作為校正對象的曝光裝置EX的控制參數值進行調整，而使帶有與在第1實施方式的程序S105(評價程序)所決定的基準基板201的變形量Distwafer 相應的變形的圖案區域被轉印於第2基準基板。控制參數值，係例如可為供於控制投影光學系統40的特性用的控制參數值、供於控制基板載台10用的控制參數值等。 　　[0053] 在程序S802(第3計測程序)，係透過檢測在程序S801所形成的樣品的box-in-box標記，從而就相對於基準標記202的第5標記的偏差量進行計測。此計測，係例如可將顯影後的第2基準基板配置於作為校正對象的曝光裝置EX的基板載台10，利用觀測器90而進行，亦可利用供於檢查重疊誤差用的檢查裝置而進行。偏差量，係可透過構成1個box-in-box標記的基準標記202、和使用倍縮光罩301而形成的第5標記的相對位置而表示。 　　[0054] 在程序S803(校正量決定程序)，係就在程序S802所計測的偏差量基於在第1實施方式的程序S105(評價程序)所決定的基準基板201的變形量Distwafer 進行校正從而決定作為校正對象的曝光裝置EX的校正量Compmm 。在程序S804(曝光程序)，係基於在程序S803所決定的校正量Compmm 而校正作為校正對象的曝光裝置EX，製造用基板被利用所校正的曝光裝置EX、製造用的倍縮光罩而曝光。校正量Compmm ，係例如可為供於控制投影光學系統40的特性用的校正量、供於控制基板載台10用的校正量等。 　　[0055] 以下，說明適用第2或第3實施方式下的物品製造方法。物品，係例如可為半導體裝置或顯示裝置等。半導體裝置，係經過於晶圓製作積體電路的前程序、使在前程序所製作的晶圓上的積體電路晶片完成為產品的後程序從而被製造。前程序，係包含使用前述的曝光裝置就塗佈感光劑下的晶圓(基板)進行曝光的程序、就晶圓進行顯影的程序。後程序，係包含配裝程序(切割、接合)、封裝程序(封入)。液晶顯示裝置，係經過形成透明電極的程序從而被製造。形成透明電極的程序，係包含在蒸鍍透明導電膜下的玻璃基板塗佈感光劑的程序、使用前述的曝光裝置就塗佈感光劑下的玻璃基板進行曝光的程序、就玻璃基板進行顯影的程序。依本實施方式的裝置製造方法時，可製造比歷來高品質的裝置。 　　[0056] 以上，雖說明有關本發明的優選實施方式，惟本發明不限定於此等實施方式，在其要旨的範圍內可進行各種的變形及變更。 　　[0057] (其他實施例) 　　本發明，係亦可將實現上述的實施方式的1個以上的功能的程式，透過網路或記憶媒體而供應至系統或裝置，以該系統或裝置的電腦中的1個以上的處理器將程式讀出並執行的處理加以實現。此外，亦可透過實現1個以上的功能的電路(例如，ASIC)而實現。
[0058]
10‧‧‧基板載台
20‧‧‧倍縮光罩載台
30‧‧‧照明系統
40‧‧‧投影光學系統
50‧‧‧基板載台驅動機構
60‧‧‧位置計測器
70‧‧‧載台底座
80‧‧‧控制部
82‧‧‧程式
90‧‧‧範圍
201‧‧‧基準基板
202‧‧‧基準標記
301‧‧‧倍縮光罩
302‧‧‧第1區域
303‧‧‧第1標記
304‧‧‧第1部分標記
305‧‧‧第2部分標記
306‧‧‧第2區域
401‧‧‧區域
402‧‧‧box-in-box標記
403‧‧‧box-in-box標記
501‧‧‧box-in-box標記
502‧‧‧box-in-box標記
503‧‧‧box-in-box標記
701‧‧‧照擊區域
702‧‧‧box-in-box標記
EX‧‧‧曝光裝置
R‧‧‧倍縮光罩
SR‧‧‧照擊區域
[0009] 　　[圖1]就本發明的第1實施方式中的基準基板的評價方法的執行順序進行繪示的圖。 　　[圖2]例示基準基板的圖。 　　[圖3]例示倍縮光罩的圖。 　　[圖4]就在基準基板之上形成供於評價基準基板用的標記的狀態進行例示的圖。 　　[圖5]就圖4的一部分的標記進行繪示的圖。 　　[圖6]就本發明的第2實施方式中的評價方法及物品製造方法的執行順序進行繪示的圖。 　　[圖7]就在第2基準基板之上形成供於評價曝光裝置用的標記的狀態進行例示的圖。 　　[圖8]就本發明的第3實施方式中的評價方法及物品製造方法的執行順序進行繪示的圖。 　　[圖9]就曝光裝置的示意構成進行繪示的圖。 　　[圖10]就電腦的構成及透過電腦而執行的評價方法進行繪示的圖。

Claims (10)

  1. 一種評價方法，其係就具有複數個區域的基準基板進行評價者，前述複數個區域分別具有基準標記，包含：準備程序，準備一倍縮光罩，前述倍縮光罩係具有第1區域與配置於前述第1區域的外側的第2區域，供於就重疊誤差進行計測用的第1標記被配置於前述第1區域，供於就基板載台的步進移動誤差進行計測用的第2標記被配置於前述第2區域；標記形成程序，包含曝光程序，在前述基準基板之上形成與前述第1標記對應的第3標記及與前述第2標記對應的第4標記，前述曝光程序係使用前述倍縮光罩，經由前述基板載台的步進移動，就前述基準基板的前述複數個區域的各者進行曝光；第1計測程序，就前述基板標記與前述第3標記的重疊誤差進行計測；第2計測程序，檢測形成於前述基準基板的前述第4標記從而就前述基板載台的步進移動誤差進行計測；決定程序，基於前述重疊誤差及前述步進移動誤差而決定前述基準基板的變形量。
  2. 如請求項1之評價方法，其中，前述第1計測程序及前述第2計測程序，係利用執行前述曝光程序的曝光裝置而 實施。
  3. 如請求項1之評價方法，其中，前述第1計測程序及前述第2計測程序，係利用供於檢查重疊誤差用的檢查裝置而實施。
  4. 如請求項1之評價方法，其中，在前述決定程序，係從前述重疊誤差減去前述步進移動誤差從而求出前述變形量。
  5. 如請求項1之評價方法，其中，前述第2標記係包含第1部分標記、第2部分標記，前述第4標記係包含與前述第1部分標記對應的第3部分標記、與前述第2部分標記對應的第4部分標記，透過對於在前述基準基板的彼此鄰接的區域進行的前述曝光程序從而彼此重疊而形成前述第3部分標記及前述第4部分標記。
  6. 如請求項1之評價方法，其包含：第2標記形成程序，包含第2曝光程序，於前述第2基準基板形成第5標記，前述第2曝光程序係於作為校正對象的曝光裝置，就相對於前述基準基板在公差內具有同一性的第2基準基板進行曝光；第3計測程序，就前述第2基準基板的基準標記與形成 於前述第2基準基板的前述第5標記的偏差量進行計測；校正量決定程序，基於在前述決定程序所決定的前述基準基板的變形量就在前述第3計測程序所得的前述偏差量進行校正從而求得校正量。
  7. 如請求項1之評價方法，其包含：第2標記形成程序，包含第2曝光程序，於前述第2基準基板形成第5標記，前述第2曝光程序係於作為校正對象的曝光裝置，就相對於前述基準基板在公差內具有同一性的第2基準基板進行曝光；第3計測程序，就前述第2基準基板的基準標記與形成於前述第2基準基板的前述第5標記的偏差量進行計測；其中，在前述曝光程序，係調整前述作為校正對象的曝光裝置的控制參數值，使帶有與在前述決定程序所決定的前述基準基板的變形量對應的變形的圖案區域被轉印於前述第2基準基板。
  8. 一種物品製造方法，包含：校正量決定程序，透過如請求項6的評價方法而決定前述作為校正對象的曝光裝置的校正量；曝光程序，基於前述校正量而校正前述作為校正對象的曝光裝置，利用經校正的前述曝光裝置而處理基板；其中，從經過前述曝光程序後的前述基板製造物品。
  9. 一種物品製造方法，包含：評價程序，透過如請求項7的評價方法而決定前述偏差量；曝光程序，基於前述偏差量而校正前述作為校正對象的曝光裝置，利用經校正的前述曝光裝置而處理基板；其中，從經過前述曝光程序後的前述基板製造物品。
  10. 一種評價程式，其係使電腦執行供於就具有複數個區域的基準基板進行評價用的處理者，前述複數個區域分別具有基準標記，前述評價程式包含：取得程序，取得與經過光刻程序的前述基準基板相關的計測結果，前述光刻程序包含使用曝光裝置及倍縮光罩下的曝光程序；決定程序，基於前述計測結果而決定前述基準基板的變形量；其中，前述倍縮光罩，係具有第1區域與配置於前述第1區域的外側的第2區域，供於就重疊誤差進行計測用的第1標記被配置於前述第1區域，供於就基板載台的步進移動誤差進行計測用的第2標記配置於前述第2區域，前述曝光程序，係經由前述基板載台的步進移動而就前述基準基板的前述複數個區域的各者進行曝光的處理，透過前述光刻程序，在前述基準基板之上形成與前述第1 標記對應的第3標記及與前述第2標記對應的第4標記，前述計測結果，係包含與前述基板標記及前述第3標記相關的第1資訊、與前述第4標記相關的第2資訊，前述決定程序，係包含：第1程序，基於前述第1資訊而求出前述基板標記與前述第3標記的重疊誤差；第2程序，基於前述第2資訊而求出前述基板載台的步進移動誤差；第3程序，基於前述重疊誤差及前述步進移動誤差而求出前述基準基板的變形量。
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