KR20090089819A - 노광 장치 - Google Patents

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KR20090089819A KR1020090014086A KR20090014086A KR20090089819A KR 20090089819 A KR20090089819 A KR 20090089819A KR 1020090014086 A KR1020090014086 A KR 1020090014086A KR 20090014086 A KR20090014086 A KR 20090014086A KR 20090089819 A KR20090089819 A KR 20090089819A
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가즈히꼬 미시마
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

노광 장치는 복수의 모듈들 및 제어부를 포함하고, 각각의 모듈은 광원으로부터의 광을 이용하여 원판의 패턴을 기판에 노광하고, 각각의 모듈은, 원판과 기판 상의 각각의 샷 간의 얼라인먼트를 위해 사용되는 얼라인먼트 마크를 갖는 원판 또는 기판의 위치를 검출하도록 구성된 위치 검출 장치를 포함하고, 상기 제어부는, 각각의 모듈에 설정된 상기 위치 검출 장치에 의한 검출 결과의 얼라인먼트 오차에 관한 정보를 갖고, 상기 노광 장치는 모듈들 간의 얼라인먼트 오차의 차이를 저감하도록 구성된 수단을 더 포함한다.
Figure P1020090014086
노광 장치, 얼라인먼트, 오버레이

Description

노광 장치{EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은 노광 장치에 관한 것이다.
마스크 및 레티클과 같은 원판(original)의 패턴을 기판에 노광하도록 구성된 노광 장치가 종래에 알려져 있다. 노광에 있어서 스루풋(throughput)이 중요한 파라미터이다. 원판과 기판 간에 높은 정확도로 얼라인먼트하는 것이 중요하다.
스루풋의 향상을 위하여, 일본특허공개공보("JP") 2007-294583는, 각각이 조명 장치, 원판, 투영 광학계, 및 기판을 포함하는 복수의 노광 유닛 또는 모듈을 포함하고, 원판 공급부를 공통으로 이용하는 노광 장치를 제공한다.
얼라인먼트 정확도를 유지하기 위하여, 한 가지 알려진 방법은 시험 기판(또는 파일럿 웨이퍼)을 노광 및 현상하고, 그 현상된 기판을 검사함으로써 얼라인먼트 오차를 보정하는 데 이용되는 보정값을 취득하고, 그 보정값을 노광 장치에 설정한다. 얼라인먼트 오차는 TIS(tool induced shift), WIS(wafer induced shift), 및 TIS-WIS 인터랙션(TIS-WIS interaction)을 포함한다. TIS는 장치(얼라인먼트 광학계 내의 위치 검출 장치)에 기인하는 오차이다. WIS는 웨이퍼 프로세서에 기인하는 오차이다. TIS-WIS 인터랙션은 TIS와 WIS 간의 상호작용에 기인하는 오차 이다. 얼라인먼트 오차의 보정값은, 배율, 회전, 직교도, 및 고차 함수 등의 샷 배열 성분과, 배율, 회전, 스큐(skew), 디스토션(distortion), 및 고차 함수 등의 샷 형상 성분을 포함한다.
JP 2007-294583은, 복수의 모듈이 상이한 원판 패턴을 기판에 노광하는 것을 전제로 하지만, 복수의 모듈이 동일한 원판 패턴을 기판에 노광할 수도 있다. 예를 들면, 각각의 모듈이 동일한 원판 패턴(제1 패턴)을 노광하고, 그 후 다른 동일한 원판 패턴(제2 패턴)을 기판의 다른 층에 노광한다. 그러나, 제1 패턴을 노광한 모듈이 제2 패턴을 노광한 모듈과 상이한 경우, 어떤 기판에 있어서 제1 패턴과 제2 패턴 간에 오버레이(overlay) 정확도가 저하될 수 있다. 이는 이 모듈들 간에 얼라인먼트 오차가 상이하기 때문이다. 이 문제는 기판을 그의 처리 모듈과 대응시킴으로써 해결될 수 있지만, 관리는 복잡해진다. 그러므로, 하나의 기판을 복수의 모듈을 이용해 노광하는 경우에는, 모듈들 간의 얼라인먼트 오차 편차(alignment-error deviations)를 저감할 필요가 있다.
모듈들 간의 얼라인먼트 오차 편차는 얼라인먼트 광학계의 위치 검출 장치, 원판과 기판을 구동하도록 구성된 스테이지, 및 스테이지의 위치를 검출하도록 구성된 간섭계 등에 기인한다. 상술한 바와 같이, TIS는 얼라인먼트 광학계의 위치 검출 장치에 고유하다. 또한, 스테이지에 부착된 간섭계의 바 미러(bar mirror)의 형상 차이는 위치 검출 오차를 초래하고, 결국 얼라인먼트 오차를 초래한다. 더욱이, 원판이나 기판을 대응하는 스테이지에 부착하도록 구성된 척(chuck)의 평면도(flatness)가 상이하면 기판의 변형, 얼라인먼트 마크 및 오버레이 검사에 이용 되는 오버레이 마크의 위치 시프트를 초래하고, 결국 얼라인먼트 오차를 초래한다. 또한, 간섭계 내의 광원의 파장은 대기압, 온도, 및 습도 등의 환경에 따라 변화하기 때문에, 측정 오차가 발생한다. 복수의 스테이지 또는 복수 종류의 스테이지를 제어하는 간섭계는 그러한 환경의 영향을 크게 받는다.
본 발명은 높은 정확도를 갖는 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 노광 장치는, 복수의 모듈 및 제어부를 포함하고, 각각의 모듈은 광원으로부터의 광을 이용하여 원판의 패턴을 기판에 노광한다. 각각의 모듈은 원판과 기판 상의 각각의 샷 간의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 마크를 갖는 원판 또는 기판의 위치를 검출하도록 구성된 위치 검출 장치를 갖는다. 상기 제어부는 각각의 모듈에 설정된 상기 위치 검출 장치에 의한 검출 결과의 얼라인먼트 오차에 관한 정보를 갖는다. 상기 노광 장치는 모듈들 간의 얼라인먼트 오차의 차이를 저감하도록 구성된 수단을 더 포함한다.
광원으로부터의 광을 이용하여 원판의 패턴을 기판에 노광하도록 구성된 본 발명의 다른 측면에 따른 노광 장치는, 각각이 상기 원판 또는 기판을 탑재한 복수의 이동 가능한 스테이지, 상기 복수의 스테이지의 위치를 검출하도록 구성된 복수의 간섭계, 및 상기 복수의 간섭계 각각에 사용되는 광의 파장의 환경에 의한 편차(environmental deviation)를 저감하도록 구성된 수단을 포함한다.
본 발명에 따르면, 높은 정확도를 갖는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징들은 첨부 도면들을 참조하여 실시예들에 대한 다음의 설명으로부터 명백해질 것이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 측면에 따른 노광 장치에 대하여 설명한다. 노광 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 모듈 A 및 B를 갖는 멀티모듈형 노광 장치이다. 각각의 모듈은 광원으로부터의 광을 이용하여 원판의 패턴을 기판에 노광한다. 본 실시예에서는, A 모듈과 B 모듈은 동일한 구조를 갖고, B 모듈의 구성요소를 나타내는 대응 참조 번호에 대시가 붙어있다. 이하의 설명에서는, 달리 명시되지 않는 한, 대시가 없는 참조 번호는 대시가 있는 참조 번호를 총괄한다.
노광 장치(100)는, 하나의 하우징 내에, 각각이 조명 장치, 원판, 투영 광학계, 위치 검출 장치, 및 기판을 포함하는 복수의 모듈들을 수납할 수도 있고, 또는 각각의 모듈이 별개의 하우징에 수납될 수도 있다. 복수의 모듈들이 하나의 하우징에 수납되는 경우, 하나의 제어부가 노광 환경을 제어할 수 있고 모듈들 간에 기판을 이동할 때 기판을 하우징의 외부에 배출할 필요가 없다.
각각의 모듈은 조명 장치(1), 투영 광학계(3), 웨이퍼 구동계, 포커스계, 반송계, 얼라인먼트계, 및 제어부(14)를 포함하고, 스텝앤드스캔(step-and-scan) 방식으로 레티클(2)의 패턴을 웨이퍼(6)에 노광한다. 본 발명은 스텝앤드리피 트(step-and-repeat) 방식의 노광 장치에도 적용가능하다.
조명 장치(1)는 레티클(2)을 조명하고, 광원 및 조명 광학계를 포함한다. 광원은 레이저나 수은 램프를 사용할 수 있다. 조명 광학계는 레티클(2)을 균일하게 조명하도록 구성된 광학계이다.
레티클(2)은 회로 패턴 또는 이미지를 갖고, 도 1에는 생략되어 있고 후술될 도 4에서 63, 63'로 표시된 레티클 스테이지에 의해 지지 및 구동된다. 레티클 스테이지의 위치는 간섭계(9)에 의해 항시 측정된다. 레티클(2)로부터 방사된 회절광은 투영 광학계(3)를 통하여 웨이퍼(6) 상에 투영된다. 동일한 패턴을 갖는 웨이퍼들(6, 6')을 노광하기 위하여, 본 실시예의 레티클들(2, 2')은 동일한 패턴을 갖는다. 레티클(2)과 웨이퍼(6)는 광학적으로 서로 공액(conjugate)의 관계에 있다. 노광 장치(100)의 각각의 모듈은 스캐너로서 기능하기 때문에, 레티클(2)과 웨이퍼를 축소 배율비에 대응하는 속도비로 동시 주사함으로써 레티클 패턴을 웨이퍼(6)에 전사한다.
투영 광학계(3)는 레티클 패턴을 웨이퍼(6)에 반영하는 광을 투영한다. 투영 광학계(3)는 굴절형(dioptric) 광학계, 반사굴절형(catadioptric) 광학계, 또는 반사형(catoptric) 광학계를 사용할 수 있다. 투영 광학계(3)의 웨이퍼(6)에 가장 가까운 최종 광학 소자를 액체에 침잠하여 액침 노광(immersion exposure)을 실현할 수도 있다.
웨이퍼(6)는 다른 실시예에서는 액정 기판으로 대체되고, 피노광 물체를 대표한다. 웨이퍼(6)의 표면에는 포토레지스트가 도포되어 있다. 웨이퍼(6)에는 패 턴이 노광되고, 1회의 노광을 위한 영역을 샷이라고 한다. 웨이퍼(6)는 레티클(2)과 각각의 샷(6a) 간의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 마크(6b)를 갖고 있고, 얼라인먼트 마크(6b)는 오프액시스(off-axis)("OA") 스코프(4)에 의해 측정된다.
도 2는 웨이퍼(6)에 매트릭스 형상으로 배열된 샷들(6a)의 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(6)는 복수의 직사각형 샷들(6a)로 분할되어 있다. 본 실시예는 샷들(6a) 중에서 해칭된 샷들(6a1)을 선택하고, 그 선택된 샷들(6a1)에 대응하는 얼라인먼트 마크만을 웨이퍼 스테이지(8)로 웨이퍼를 구동하면서 얼라인먼트계로 검출하는 글로벌 얼라인먼트 시스템을 채용하고 있다.
도 3은 얼라인먼트 마크(6b)의 일례를 나타내는 평면도이다. 얼라인먼트 마크(6b)는 웨이퍼(6) 상의 각각의 샷(6a) 상에 미리 형성되어 있다. 도 3에 도시된 얼라인먼트 마크(6b)는 싱글 에지 구조를 갖고, 길이 방향으로 30 ㎛의 치수를 가진 6개의 직사각형 마크들이 20 ㎛의 간격으로 배열되어 있다. 폭 방향의 치수(CD: critical dimension)로서 2 ㎛, 4 ㎛, 또는 6 ㎛가 사용된다. 도 3에서는, 그것들이 X 방향으로 배열되어 있지만, 90° 회전된 마크들이 Y 방향으로도 배열되어 있다. 얼라인먼트 마크(6b)는 하나의 마크가 내부 및 외부의 이중 직사각형 구조를 갖는 더블 에지 구조를 채용할 수도 있다.
얼라인먼트 마크(6b)는 웨이퍼(6) 상에 노광될 각각의 샷(6a)의 스크라이브 라인에, 즉 2개의 인접한 샷들(6a) 사이에 형성된다. 글로벌 얼라인먼트 시스템은 선택된 샷들(6a1)에 대응하는 모든 얼라인먼트 마크들(6b)을 검출한다. 그 후 최소 제곱 근사 등의 통계 처리를 행하고, 검출 결과의 전체 경향으로부터 돌출하여 일탈하는 검출 결과들에 제외한 검출 결과에 기초하여 웨이퍼(6)의 위치 시프트, 샷 배열 격자의 웨이퍼 배율, 직교도, 및 축소 배율 등을 산출한다.
웨이퍼 구동계는 웨이퍼(6)를 구동하고, 웨이퍼 스테이지(8) 및 간섭계(9)를 포함한다. 웨이퍼 스테이지(8)는 리니어 모터를 이용하고, XYZ 축들 및 그의 회전 방향들 각각으로 이동 가능하고, 척(도시되지 않음)을 통하여 웨이퍼(6)를 지지 및 구동한다. 웨이퍼 스테이지(8)의 위치는 바 미러(7)를 참조하는 간섭계(9)에 의해 항시 측정된다. 웨이퍼 스테이지(8) 상에는 기준 마크(15)가 형성되어 있다. 레티클 패턴을 웨이퍼(6)에 노광할 때, 글로벌 얼라인먼트 시스템에 의해 산출된 결과에 기초하여 웨이퍼 스테이지(8) 및 레티클 스테이지를 구동한다.
일반적으로, 간섭계의 파장은 환경 요인(기압, 온도, 습도 등을 포함함) 및 간섭계의 광원의 동요에 의해 변화하고, 측정값이 변화한다. 멀티모듈형 노광 장치에서는, 웨이퍼 스테이지용의 간섭계가 각각의 모듈에서 독립적으로 변화할 경우, 얼라인먼트 정확도가 저하된다. 또한, 레티클 스테이지용의 간섭계가 각각의 모듈에서 독립적으로 변화할 경우, 레티클과 웨이퍼 간의 위치 관계가 붕괴할 수 있다. 따라서, 노광 장치(100)는 모든 간섭계에 대하여 공통의 광원을 사용한다. 구체적으로는, 도 1에 도시된 간섭계(9)에 설치되어 있는 위치 검출용의 광원(9a)으로부터의 광을 미러(13) 등을 사용하여 A 모듈과 B 모듈의 웨이퍼 스테이지용(8)의 간섭계와 레티클 스테이지용의 간섭계에 사용한다. 이들 미러(13) 대신에, 광섬유가 이용될 수도 있다.
도 4는 노광 장치(100)에 적용가능한 간섭계의 구성을 나타내는 광로도이다. 도 4에서, 간섭계(9)의 광원(9a)으로부터의 광은 편향 광학계 내의 각각의 하프 미러(64, 64')에 의해 각각의 간섭계의 바 미러들(7, 7', 64, 및 64')로 유도된다. 참조 번호 64, 64'는 레티클 스테이지(63) 용의 간섭계의 바 미러들을 나타낸다. 광은 바 미러 상에서 반사하고, 하프 미러를 투과하여, 간섭계(9)의 검출부들(62wa, 62ra, 62wb, 및 62rb) 중 대응하는 것에 의해 검출되고, 그에 의해 각각의 스테이지의 위치가 검출될 수 있다. 도 4에서는, 모든 간섭계들이 하나의 공통 광원을 갖고 있지만, 웨이퍼 스테이지들(8, 8')만 또는 레티클 스테이지들(63, 63')만이 공통의 광원을 사용할 수도 있다.
공통의 광원을 사용함으로써 모듈들 간에 또는 스테이지들(웨이퍼 스테이지들 및 레티클 스테이지들) 간에 광원의 파장 변화의 영향을 표준화하고, 얼라인먼트 오차의 분산(차분)을 저감할 수 있다. 광원이 공통으로 이용되는 경우, 환경 요인을 측정하도록 구성된 공통의 측정 장치(도시되지 않음)를 설치하고, 그 공통의 측정 장치의 측정 결과를 각각의 모듈의 간섭계의 제어 오차를 보정하는 데 이용할 수 있다. 따라서, 공통의 광원 또는 공통의 환경 측정 장치를 사용함으로써 모듈들 간의 또는 스테이지들 간의 차이를 저감하여, 고도로 정확한 얼라인먼트를 달성할 수 있다. 동일 모듈 내에서 웨이퍼 스테이지와 레티클 스테이지 간의 차이를 저감하기 위하여 상기 방법을 이용함으로써 레티클(2)과 웨이퍼(6) 간의 상대 위치를 정확하게 제어할 수 있다.
포커스계는 투영 광학계(3)에 의해 형성된 이미지의 포커스 위치에 웨이 퍼(6)를 위치결정하기 위하여 웨이퍼면 상의 광축 방향의 위치를 검출한다. 포커스계는 포커스 위치 검출 장치(5)를 포함한다. 보다 상세하게는, 포커스 위치 검출 장치(5)는 웨이퍼 면에 슬릿 패턴을 통과한 광을 비스듬하게 조사하고, 웨이퍼 면에서 반사된 슬릿 패턴을 CCD 등의 이미지 센서를 통하여 촬영하고, 이미지 센서에 의해 얻어진 슬릿 이미지의 위치에 기초하여 웨이퍼(6)의 포커스 위치를 측정한다.
얼라인먼트계는 FRA(Fine Reticle Alignment)계, TTR(Through The Reticle)계, TTL(Through The Lens)계, 및 OA(Off-Axis)계를 포함한다.
FRA계는 얼라인먼트 스코프를 포함하고, 레티클(2) 상에 형성된 레티클 기준 마크(도시되지 않음)와 레티클 스테이지 상에 형성된 레티클 기준 마크(12)를 FRA 스코프(위치 검출 장치)(11)를 통하여 관찰하여 양자를 얼라인먼트시키기 위한 시스템이다. 이들 레티클 기준 마크들은, 조명 장치(1)에 의해 조명되어, FRA 스코프(11)에 의해 동시에 관찰되는 얼라인먼트 마크들이다. 예를 들면, 레티클 기준 마크(도시되지 않음)는 레티클(2)의 투영 광학계(3) 측의 면에 하나의 제1 마크 소자로서 형성되고, 레티클 기준 마크(12) 상에 한 쌍의 제2 마크 소자들이 제공된다. FRA 스코프(11)는 제1 마크 소자가 제2 마크 소자들 사이에 배치되도록 그들의 얼라인먼트를 위해 사용된다.
TTR계는 투영 광학계(3)를 통하여 레티클(2) 상에 형성된 레티클 기준 마크(도시되지 않음)와 웨이퍼 스테이지(8) 상에 형성된 스테이지 기준 마크(15)를 FRA 스코프(11)를 통하여 관찰하여 그들을 얼라인먼트시키기 위한 시스템이다. 레티클 기준 마크(도시되지 않음)는 베이스라인("BL") 마크 또는 캘리브레이션 마크라고도 불린다. BL 마크는 레티클 패턴의 중심에 대응한다. 이들 기준 마크들은 조명 장치(1)에 의해 조명되어, FRA 스코프(11)에 의해 동시에 관찰되는 얼라인먼트 마크들이다. FRA 스코프(11)는 레티클(2) 위쪽으로 이동하도록 구성되고, 레티클(2) 및 투영 광학계(3)를 통하여 레티클(2)과 웨이퍼(6) 쌍방을 관찰하고, 또한 레티클(2)과 웨이퍼(6)의 위치들을 검출하도록 구성된다. FRA계의 스코프와 TTR계의 스코프는 별개로 제공될 수 있다. 예를 들면, BL 마크(도시되지 않음)는 레티클(2)의 투영 광학계(3) 측의 면에 하나의 제3 마크 소자로서 형성되고, 스테이지 기준 마크(15) 상에 하나의 제4 마크 소자가 형성된다. 다음으로, FRA 스코프(11)는 제3 마크 소자가 제2 마크 소자와 겹치도록 그들의 얼라인먼트를 위해 사용된다.
TTL계는 스코프(도시되지 않음) 및 비노광 광을 사용하여 투영 광학계(3)를 통하여 스테이지 기준 마크(15)를 계측한다. 예를 들면, He-Ne 레이저(633 nm의 발진 파장을 가짐)의 비노광 광을 광섬유를 통하여 광학계로 유도하여 투영 광학계(3)를 통하여 웨이퍼(6) 상의 스테이지 기준 마크(15)를 쾰러(Koehler) 조명한다. 스테이지 기준 마크(15)로부터의 반사광은 입사광의 방향과 반대 방향으로 투영 광학계(3)로부터 광학계 내의 이미지 센서에 이미지를 형성한다. 이미지는 이미지 센서에 의해 광전 변환되고, 그 비디오 신호에 각종 화상 처리를 행하여 얼라인먼트 마크를 검출한다.
OA계는 투영 광학계(3)를 개입시키지 않고 OA 스코프(4)를 이용하여 얼라인 먼트 마크를 검출한다. OA 스코프(4)의 광축은 투영 광학계(3)의 광축과 평행이다. OA 스코프(4)는 기준 마크(15)의 표면과 공액으로 배치된 인덱스 마크(도시되지 않음)를 갖는 위치 검출 장치이다. 그것은 간섭계(9)의 측정 결과 및 OA 스코프(4)에 의한 얼라인먼트 마크 계측 결과에 기초하여 웨이퍼(6) 상에 형성된 샷들의 배열 정보를 산출할 수 있다.
이 산출에 앞서, OA 스코프(4)의 계측 중심과 레티클 패턴의 투영된 이미지 중심(노광 중심) 간의 간격인 베이스라인을 구할 필요가 있다. OA 스코프(4)는 웨이퍼(6) 상의 샷(6a) 내의 얼라인먼트 마크(6b)의 계측 중심으로부터의 시프트 량을 검출하고, 이 시프트 량과 베이스라인에 의해 만들어진 거리만큼 웨이퍼(6)가 OA 스코프(4)로부터 이동될 때 해당 샷 영역의 중심이 노광 중심과 얼라인먼트된다. 베이스라인은 시간에 걸쳐서 변화하기 때문에 베이스라인을 정기적으로 계측할 필요가 있다.
샷 상의 복수의 개소에 얼라인먼트 마크를 제공하고, 그것들을 측정함으로써 샷 형상 정보를 취득할 수 있다. 샷 형상 정보에 기초하여 샷 형상을 보정함으로써 보다 정확한 얼라인먼트 및 노광이 가능하게 된다.
이하, 도 5 및 6c를 참조하여 베이스라인의 측정 방법에 대하여 설명한다. 도 5는 레티클(2) 상에 형성된 BL 마크(23)를 나타낸다. 도 6c는 BL 마크(23)의 평면도이다. BL 마크(23)는 X 방향을 계측하기 위해 사용되는 마크 소자(23a) 및 Y 방향을 계측하기 위해 사용되는 마크 소자(23b)를 갖는다. 마크(23a)는 길이 방향(X 방향)으로 개구부 및 차광부의 반복 패턴이고, 마크(23b)는 마크(23a)와 직교 하는 방향으로 개구부를 갖는 마크로서 형성된다. 본 실시예의 BL 마크(23)는 XY 좌표계가 도 6c에 도시된 바와 같이 정의되어 있으므로, XY 방향을 따른 마크 소자들(23a 및 23b)을 사용하지만, 각각의 마크 소자의 방위는 본 실시예에 제한되지 않는다. 예를 들면, BL 마크(23)는 XY 축에 대하여 45° 또는 135°만큼 경사진 계측 마크를 가질 수도 있다. 마크 소자들(23a 및 23b)이 조명 장치(1)에 의해 조명되면, 투영 광학계(3)는 마크 소자들(23a 및 23b)의 투과부(개구부)의 패턴 이미지를 웨이퍼 측의 베스트 포커스 위치에 형성한다.
다음으로, 도 6a 및 6b에 도시된 바와 같이, 기준 마크(15)는 OA 스코프(4)가 검출할 수 있는 위치 계측 마크(21), 및 마크 소자들(23a 및 23b)의 투영 이미지만큼 큰 마크 소자들(22a 및 22b)을 포함한다. 도 6a는 기준 마크(15)의 단면도이고, 도 6B는 기준 마크(15)의 평면도이다. 마크 소자들(22a 및 22b)은 노광 광에 대하여 차광 특성을 갖는 차광체(31) 및 복수의 개구부(32)를 포함한다. 도 6a는 편의상 하나의 개구부만을 도시하고 있다. 개구부(32)를 투과한 광은 기준 마크(15)의 아래에 형성된 광전 변환 소자(30)에 도달한다. 광전 변환 소자(30)는 개구부(32)를 투과한 광의 강도를 측정할 수 있다. 위치 계측 마크(21)는 OA 스코프(4)에 의해 검출된다.
다음으로, 기준 마크(15)를 이용하여 베이스라인을 산출하는 방법에 대하여 설명한다. 우선, 마크 소자들(23a 및 23b)은 노광 광이 투영 광학계(3)를 통과하는 위치에 구동된다. 이하, 마크 소자(23a)에 대하여 설명한다. 이 설명은 마크 소자(23b)에 적용가능하다. 이동된 마크 소자(23a)는 조명 장치(1)에 의해 조명된 다. 투영 광학계(3)는 마크 소자(23a)의 투과부를 지나간 광을 웨이퍼 공간 상의 결상 위치에 마크 패턴 이미지로서 이미지를 형성한다. 웨이퍼 스테이지(8)를 구동함으로써, 마크 패턴 이미지의 대응하는 위치에 동일한 형상을 가진 마크 소자(22a)가 배치된다. 이 상태에서, 기준 마크(15)는 마크 소자(23a)의 결상면(베스트 포커스 면) 상에 배치되고, 마크 소자(22a)를 X 방향으로 구동하면서 광전 변환 소자(30)의 출력값이 모니터된다.
도 7은 마크 소자(22a)의 X 방향의 위치와 광전 변환 소자(30)의 출력값을 플롯(plot)하는 그래프이다. 도 7에서, 횡축은 마크 소자(22a)의 X 방향의 위치를 나타내고, 종축은 광전 변환 소자(30)의 출력값 I를 나타낸다. 마크 소자(23a)와 마크 소자(22a) 간의 상대 위치들이 변화됨에 따라, 광전 변환 소자(30)의 출력값이 변화된다. 이 변화 곡선(25)에서, 마크 소자(23a)가 마크 소자(22a)와 일치하는 위치 X0는 최대 강도를 제공한다. 위치 XO를 산출함으로써 마크 소자(23a)의 투영 광학계(30)에 의한 웨이퍼 공간 측의 투영된 이미지의 위치가 산출될 수 있다. 위치 XO는 변화 곡선(25)에 있어서 소정의 영역에서 중심(gravity) 계산, 함수 근사 등을 통하여 피크 위치가 산출될 때 안정되고 정확하게 취득될 수 있다.
마크 소자들(22a 및 22b)과 마크 소자들(23a 및 23b) 간에 Z 방향으로 겹치는 때의 웨이퍼 스테이지(8)의 위치 X1을 간섭계(9)로부터 취득한다. 또한, OA 스코프(4)의 인덱스 마크와 위치 계측 마크(21) 간에 Z 방향으로 겹치는 때의 웨이퍼(8)의 위치 X2를 간섭계(9)로부터 취득한다. 그에 의해, X1-X2에 의해 베이스라인이 산출될 수 있다.
상기 설명은 투영 이미지의 기준 마크(15)가 베스트 포커스 면에 위치하는 것을 가정하고 있지만, 실제 노광 장치에서 기준 마크(15)는 베스트 포커스 면에 위치하지 않을 수도 있다. 그 경우, 기준 마크(15)를 Z 방향(광축 방향)으로 구동하면서 광전 변환 소자(30)의 출력값을 모니터함으로써 베스트 포커스 면을 검출하고 거기에 기준 마크(15)를 배치할 수 있다. 도 7에서 횡축이 포커스 위치를 나타내고 종축이 출력값 I를 나타낸다고 가정하면, 유사한 처리에 의해 베스트 포커스 면을 산출할 수 있다.
기준 마크(15)가 XY 방향으로는 물론 Z 방향으로 시프트하는 경우, 한 방향의 계측을 통하여 소정의 정확도를 확보한 후에, 다른 방향의 위치를 검출한다. 상기 플로를 교대로 반복함으로써 최종적으로 최적 위치를 산출할 수 있다. 예를 들면, 기준 마크(15)가 Z 방향으로 시프트한 상태에서, 그것을 X 방향으로 구동하여 X 방향의 대략적인 측정 및 대강의 위치를 구한다. 그 후, 그것을 Z 방향으로 베스트 포커스 면을 산출한다. 다음으로, 베스트 포커스 면 상에서 재차 그것을 X 방향으로 구동함으로써 X 방향의 최적 위치를 정확하게 산출할 수 있다. 통상적으로, 이러한 한 쌍의 교대 측정으로 정확한 위치를 구할 수 있다. 상기 예는 처음에 X 방향으로 계측을 개시하지만, 그 계측이 Z 방향으로 개시하더라도 정확한 측정이 가능하다.
장치 및 웨이퍼(6)가 이상적인 상태에 있지 않은 경우, 노광된 웨이퍼(6)는 약간의 얼라인먼트 오차를 갖는다. 통상적으로, 얼라인먼트 오차의 각각의 성분을 분석하고, 노광 장치에 피드백하여 교정하고, 차후의 웨이퍼들(5)의 노광을 위해 이용한다. 얼라인먼트 오차 성분들은 샷 배열 상태에서는 모든 샷들의 시프트 성분, 각각의 샷 배열의 배율, 회전, 및 직교도 등의 일차 성분, 및 아크 형상으로 발생하는 고차 성분을 포함하고, X 및 Y 개별 성분들로서 산출된다. 샷 형상은 샷의 배율 및 회전, 능형 형상(rhomb shape), 및 사다리꼴 형상 등의 매우 다양한 형상 성분들을 포함한다. 특히, 스캐너에서는, 샷의 능형 성분이 발생하기 쉽다. 샷 배열 성분 및 샷 형상 성분은 노광 장치에 피드백되어 보정된다.
반송계는 웨이퍼 스테이지(8)에 웨이퍼(6)를 반송하도록 구성된 하나의 웨이퍼 반송계(40), 및 레티클 스테이지에 레티클을 반송하도록 구성된 하나의 레티클 반송계(50)를 포함한다. 도 8은 웨이퍼 반송계(40)의 블록도이다. 도 9는 레티클 반송계(50)의 블록도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 처음에, 아직 노광되지 않은 복수의 웨이퍼(42)가 웨이퍼 반송계(40)로 레지스트를 도포하는 코터(coater)로부터 공급된다. 공급된 웨이퍼(42)는 순차적으로 웨이퍼 핸드(41)에 의해 각각의 모듈의 웨이퍼 스테이지(8)에 반송된다. 노광된 웨이퍼(6)는 웨이퍼 핸드(41)에 의해 회수되어, 레지스트를 현상하는 현상 장치(도시되지 않음)에 반송된다. 웨이퍼 반송계(40)는 또한 양 모듈 간에 웨이퍼를 반송할 수 있다. 더욱이, 노광 장치(100)는 스테이지 캘리브레이션용 웨이퍼를 수납하도록 구성된 스톡커(stocker)(43)를 더 포함하고, 캘리브레이션용 웨이퍼들(44 내지 46)을 각각의 모듈에 반입하고 각각의 모듈로부터 반출할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 레티클(2)을 보관하고 있는 스톡커로부터 적절히, 제어부(14)의 지시에 따라서, 레티클(2)이 레티클 스테이지로 반송된다. 그때, 레티클(2) 상의 파티클(particle)을 검사하는 파티클 검사기(도시되지 않음)를 통하여 레티클(2)을 레티클 스테이지 상에 배치한다. 도 9에서는, 하나의 레티클 반송계(50)가 양 모듈 간에 이동할 수 있고 각각의 모듈에 레티클(2)을 순차적으로 탑재하지만 레티클 반송계(50)의 개수는 한정되지 않는다. 본 실시예는 모듈들의 개수에 대응하는 개수의 동일한 패턴을 갖는 레티클들(2)을 준비한다. 노광이 종료한 후에, 레티클 반송계(50)에 의해 역순으로 각각의 모듈의 레티클 스테이지로부터 레티클(2)이 회수된다.
제어부(14)는 웨이퍼(6)의 처리 조건을 정의하는 하나의 레시피(recipe)에 의해 노광 장치(100)의 복수의 모듈의 얼라인먼트 계측 동작 및 노광 동작을 일괄적으로 제어한다. 레시피는 각각의 모듈에 대하여 얼라인먼트 오차를 보정하기 위해 사용되는 보정값(오프셋)들을 포함한다. 또한, 얼라인먼트 오차를 보정하는 보정값은 각각의 스테이지에 대하여 설정될 수 있다. 제어부(14)는 후술될 레시피, 및 그 밖의 제어에 필요한 정보를 저장하도록 구성된 메모리(도시되지 않음)를 포함한다. 그러므로, 제어부(14)는 OA 스코프(4)의 계측 결과 및 각각의 모듈에 대하여 설정된 얼라인먼트 오차를 보정하기 위해 사용되는 보정값을 사용하여, 각각의 모듈에 대한 레티클(2)의 얼라인먼트 오차를 보정함으로써 A 및 B 모듈들의 노광을 제어한다.
얼라인먼트 오차는 WIS, TIS, 및 TIS-WIS 인터랙션에 기인한다.
WIS는 웨이퍼 평탄화를 제공하는 화학기계연마("CMP")에 의해 얼라인먼트 마 크가 파괴되는 디싱(dishing) 및 부식(erosion), 및 노광 전에 기판 표면 상의 레지스터의 고르지 않은 도포에 기인한다. 그러나, CMP 조건 및 레지스트 코터 상태가 안정되어 있는 경우, 디싱 및 고르지 않은 도포가 발생할지라도, 복수의 웨이퍼들 간의 차이를 감소시킴으로써 얼라인먼트 오차가 보정될 수 있다.
TIS는 OA 스코프(4) 등의 위치 검출 장치의 수차(특히 코마 및 구면 수차), 및 광학적인 텔레센트리시티(telecentricity) 오차 등의 제조 오차에 기인하기 때문에, 그것은 실제로는 완전히 제거될 수 없다. 즉, 위치 검출 장치는 다소의 잔류 TIS 성분을 갖고 있다.
WIS는 CMP 조건 및 레지스트 도포 조건 등의 노광될 웨이퍼의 종류가 결정되면 일률적으로 보정가능한 성분이고, TIS도 장치가 고정되면 시간에 걸쳐서 변화가 없는 한 보정가능하다. 그러나, TIS-WIS 인터랙션은 WIS와 TIS 간의 상호작용으로 인해 발생하므로 단순히 WIS와 TIS를 보정함으로써 제거될 수 없다.
어떤 프로세스에서 어떤 공통의 WIS를 갖는 복수의 웨이퍼가 상이한 TIS를 갖는 복수의 위치 검출 장치에 의해 검출되어 노광되는 경우, TIS-WIS 인터랙션에 기인하는 얼라인먼트 오차들은 상이할 것이다. 그러므로, 복수의 위치 검출 장치를 갖는 멀티모듈형 노광 장치는 파일럿 웨이퍼를 사용한 일률적인 얼라인먼트 오차의 피드백으로는 고도로 정확한 얼라인먼트를 얻을 수 없다는 점에서 문제가 있다.
또한, 스테이지들 간에 간섭계용의 바 미러의 형상의 차이 및 그의 시간에 걸친 변화로 인해 얼라인먼트 정확도가 저하될 수 있다. 더욱이, 웨이퍼 척의 형 상으로 인해 웨이퍼들 간에 평면도(flatness)가 상이한(웨이퍼의 변형) 결과로, 샷의 위치가 시프트하고 각각의 스테이지가 상이한 얼라인먼트 정확도를 갖는다. 일반적으로, 웨이퍼 상의 얼라인먼트 마크의 위치는 오버레이 검사용의 마크의 위치와 상이하고, 이들 마크들의 위치 시프트는 웨이퍼 변형으로 인해 상이하다.
이하, 도 10 내지 12를 참조하여, 얼라인먼트 오차의 보정 방법(또는 보정값의 설정 방법)을 설명한다. 여기서, 도 10은 웨이퍼(6)의 평면도이다. 도 11은 노광 장치(100)의 얼라인먼트 오차의 보정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
노광 지시에 응답하여(S101), 복수의 웨이퍼(6) 중 적어도 하나의 웨이퍼(6)가 웨이퍼 반송계(40)에 의해 A 모듈에 반송된다(S102). 다음으로, A 모듈의 OA 스코프(4)가 반송된 웨이퍼(6) 상에 형성된 복수의 얼라인먼트 마크(6b)를 계측한다(S103). 제어부(4)는 계측된 얼라인먼트 마크(6b)의 정보에 기초하여 샷의 배열 정보 A(X, Y)를 산출한다(S104). 샷(6a) 내에 복수의 마크가 형성되어 있는 경우, 샷 형상도 산출된다. 다음으로, 제어부(14)는 산출된 샷 배열 정보를 이용하여 노광한다(S105). 여기서, 노광되는 샷들은 이하에서 "A 영역"이라고 불리는 도 10의 사선 영역(60)(60') 내의 것들이다. A 영역의 노광이 종료되면, 웨이퍼(6)는 웨이퍼 반송계(40)에 의해 A 모듈로부터 회수되어, B 모듈로 반송된다(S106).
B 모듈로 반송된 웨이퍼(6) 상의 얼라인먼트 마크들이 계측되고(S107), 샷 배열 정보 B(X, Y)가 산출된다(S108). 얼라인먼트 마크들(6b)이 계측되는 샷들(6a1)은 양 모듈 간에 동일한 샷들이다. 이상적으로는, 샷 배열 정보 B(X, Y)는 샷 배열 정보 A(X, Y)와 동일하지만, 그 값들은 TIS 및 TIS-WIS 인터랙션의 영향으로 인해 상이하다. 샷 배열 정보 B(X, Y)에 기초하여, 이하에서 "B 영역"이라고 불리는 도 10의 백색 영역(61)(61')이 노광된다(S109).
본 실시예는 A 영역 및 B 영역을 도 10에 도시된 바와 같이 다이스(dice) 또는 체크 무늬 패턴처럼 구성한다. 이러한 구성에서, A 영역과 B 영역은 교대로 웨이퍼(6)(기판 표면) 상에 균일하게 위치한다. 그러므로, 후술되는 얼라인먼트 오차를 캔슬하기 위한 보정값을 산출하는 데 있어서, 예를 들면, 노광 영역의 웨이퍼(6) 내의 위치 의존하는 오차 성분의 영향이 저감될 수 있다. 웨이퍼(6) 표면 내의 위치에 의존하는 오차 성분은, 예를 들면, 간섭계(9)에서 웨이퍼 스테이지(8)의 위치를 측정하기 위해 사용되는 바 미러(7)의 표면 형상의 정확도인 것으로 생각할 수 있다. 만일 웨이퍼(6)가 A 영역과 B 영역으로 이분되면, A 영역 상의 얼라인먼트 마크들을 계측할 때의 웨이퍼 스테이지(8)의 위치가 B 영역 상의 얼라인먼트 마크들을 계측할 때의 웨이퍼 스테이지(8)의 위치에서 떨어져 있고, 따라서 간섭계(9)로부터의 광선이 조사되는 바 미러(7)의 위치도 떨어져 있게 된다. 그러므로, 바 미러(7)의 표면 형상에 기인하는 웨이퍼 스테이지 위치의 측정 오차가 얼라인먼트 오차에 추가될 수 있다. 다이스 또는 체크 무늬 패턴은 A 영역과 B 영역을 웨이퍼 표면 상에 균일하게 배치할 수 있고, 이 영향을 감소시킬 수 있다. A 영역과 B 영역의 배열은 도 10에 도시된 다이스 배열에 한정되지 않고, 다양한 배열들을 이용할 수 있다.
B 영역 전체가 노광되면, 웨이퍼(6)는 웨이퍼 반송계(40)에 의해 노광 장치 밖으로 반송되어 현상되고(S110), 오버레이 검사 장치를 사용하여 현상 결과의 오버레이 검사를 행한다(S111). 오버레이 검사 장치는 A 및 B 영역들 각각의 얼라인먼트 오차를 캔슬하는 데 사용되는 보정값 또는 오프셋 값을 산출한다. A(OFS.)는 A 영역에 대한 보정값을 나타내고 B(OFS.)는 B 영역에 대한 보정값을 나타내는 것으로 한다(S112). 이들 값들은 각각의 모듈에 피드백되어 레시피 내에 보존된다. 그 후, 동일한 레시피로 그 보정값들에 기초하여 얼라인먼트가 보정되어 노광이 행해진다.
도 12는 오버레이 검사 장치(70)의 블록도이다. 오버레이 검사 장치(70)는 노광 장치의 얼라인먼트 및 디스토션을 계측하고, 도 12에 도시된 바와 같이, 별개로 형성된 2개의 오버레이 마크들(6c 및 6d)의 상대 위치를 계측하도록 구성된 장치이다. 오버레이 검사 장치(70)는 광원(71)으로 할로겐 램프를 사용하고, 광학 필터들(72 및 73)을 통하여 원하는 파장 대역을 선택한다. 다음으로, 조명 광을 광학 필터(74)에 의해 광학계(75 내지 77)로 유도하여 웨이퍼(6) 상의 오버레이 마크들(6c 및 6d)을 쾰러 조명한다. 웨이퍼(6)에서 반사된 광은 광학계(77 내지 79)에 의해 CCD 카메라 등의 이미지 센서(80)로 유도되어 이미지를 형성한다. 그 이미지를 광전 변환하여 생성된 비디오 신호에 대하여 각종 화상 처리들이 수행되는 경우, 2개의 오버레이 마크들(6c 및 6d)의 상대 위치가 검출된다.
얼라인먼트 오차가 피드백된 후에 나머지 웨이퍼들이 노광된다. 얼라인먼트 오차를 캔슬하기 위해 사용되는 보정값이 피드백되므로, 이후의 웨이퍼들에서는 정확한 얼라인먼트가 가능해진다(S114). A(OFS.)와 B(OFS.)가 상이한 이유는 TIS- WIS 인터랙션의 영향 및 사용되는 레티클의 묘화 오차(drawing error) 때문이다.
이하, 도 13을 참조하여, 현상 장치 또는 오버레이 검사 장치를 사용하지 않는 얼라인먼트 오차의 보정 방법에 대하여 설명한다. 도 13에서 도 11의 대응하는 스텝들(S)과 동일한 스텝들 동일한 참조 번호로 지시하고, 그의 설명을 생략한다. 도 13은 S110 내지 S112 대신에 S201 내지 S205를 갖는 점에서 도 11과 상이하다.
도 11과 유사하게, A 영역이 노광된 후에(S101 내지 S105) 스테이지에 탑재된 상태로 OA 스코프(4)를 이용하여 오버레이 검사(잠상 계측)가 행해진다(S201). 노광된 레지스트의 굴절률은 통상적으로 변화하므로, OA 스코프(4)에 의해 이미지가 관찰될 수 있다. OA 스코프(4)는 웨이퍼(6) 상의 얼라인먼트 마크 및 오버레이 검사용의 오버레이 마크를 계측하도록 구성된 알고리즘을 탑재하고 있다. OA 스코프(4)에 의해 검출된 A 영역의 얼라인먼트 오차의 보정값 A(OFS.)이 산출된다(S202). 그 후, 웨이퍼(6)는 B 모듈에 반송되어, B 영역이 노광된다(S106 내지 S109). 그 후, OA 스코프(4')를 이용하여 유사하게 오버레이 검사(잠상 계측)가 행해지고(S203), OA 스코프(4)에 의해 검출된 B 영역의 얼라인먼트 오차의 보정값 B(OFS.)가 산출된다(S204). 그 후, 웨이퍼(6)는 웨이퍼 반송계(40)에 의해 노광 장치 밖으로 반송되고(S205), 보정값들 A(OFS.) 및 B(OFS.)이 대응하는 모듈들에 피드백된다(S113). 그 보정값은 레시피 내에 보존되고, 동일한 레시피로 그 보정값에 기초하여 얼라인먼트 오차가 보정되어 노광이 행해진다. 보정값이 피드백된 상태에서 나머지 웨이퍼들이 노광되므로, 고도로 정확한 웨이퍼의 얼라인먼트가 가능해진다.
A 모듈의 오버레이 검사를 A 모듈의 OA 스코프(4)로 수행하는 것이 반드시 필요하지는 않다. 즉, A 모듈이 노광을 완료한 후(S105), S201 및 S202를 수행하지 않고 B 모듈이 노광까지의 처리를 수행할 수 있고(S106 내지 S109), 그 후 B 모듈의 OA 스코프(4')를 이용하여 A 및 B 양쪽 영역의 오버레이 검사가 수행될 수도 있다. 이 구성은 오버레이 검사시의 TIS의 영향을 단일화하여, 오차를 저감한다.
상기 방법은 오버레이 검사를 전제로 하는데, 이는 샷 배열 정보 중 시프트 성분 및 회전 성분(직교도는 제외)은 일단 웨이퍼 스테이지(8)로부터 웨이퍼(6)가 분리되면 산출될 수 없기 때문이다. 즉, 시프트 성분 및 회전 성분이 무시될 수 있는 경우 노광 및 오버레이 검사 없이 모듈들 간의 얼라인먼트 오차의 보정값이 산출될 수 있다.
이하, 이 방법에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14에서 도 11의 대응하는 단계들인 단계들은 동일한 참조 번호로 지시하고, 그의 설명을 생략한다. 도 14는 S105, S109 내지 S114 대신에 S301 내지 S304를 갖는 점에서 도 11과 상이하다.
샷 정보 연산 A(X, Y)까지의 처리는 유사하다(S101 내지 S104). 다음으로 노광 없이 B 모듈에 웨이퍼(6)가 반송된다(S106). 샷 정보 연산 B(X, Y)까지 상기와 유사한 처리가 수행되고(S107 내지 S108), B(X, Y)에 기초하여 웨이퍼(6) 전체가 노광된다(S301). 도 14는 도 11에 도시된 부분 노광(S105, S109)을 갖지 않는다. 웨이퍼(6)의 전체 표면의 노광이 종료하면, 웨이퍼(6)는 노광 장치 밖으로 반송되고 필요하다면 현상되고(S302), 오버레이 검사 장치를 이용하여 노광 결과 또 는 현상 결과의 오버레이 검사가 행해진다(S303). 오버레이 검사 장치는 웨이퍼(6) 전체에 대하여 B 모듈의 얼라인먼트 오차를 캔슬하기 위해 사용되는 보정값 또는 오프셋 량을 산출한다. 보정값은 노광 장치(100)에 피드백된다. 이후의 웨이퍼들은 산출된 A(X, Y) 및 B(X, Y)의 값들을 이용하여 노광된다(S304). 즉, A 모듈(제2 모듈)은 얼라인먼트 오차의 보정값과 {B(X, Y) - A(X, Y)}를 이용하여 고도로 정확한 노광을 제공한다. B 모듈(제1 모듈)은 얼라인먼트 오차의 보정값만을 고려할 수 있다. 상기 복수의 방법들에서는, 측정 전에 베이스라인 계측이 필요하다.
이하, 도 15를 참조하여, 얼라인먼트 오차의 보정값(오프셋)에 대하여 설명한다. 상술한 바와 같이, 보정값은 샷 전체의 시프트 성분, 각각의 샷 배열의 배율, 회전 및 직교도 등의 일차 성분, 및 아크 형상으로 발생하는 고차 성분을 포함하고, 이들은 X 및 Y 개별 성분들로서 산출된다. 샷 형상은 배율, 회전, 능형 형상, 및 사다리끌 형상 등의 각종의 샷 성분들을 포함한다. 각각의 성분은 입력, 보존, 및 관리될 수 있다. 보정값은 레시피 내에 보존된다. 도 15는 레시피 구성예를 도시한다. A 모듈 및 B 모듈 각각에 대하여 보정값이 입력, 보존, 및 관리될 수 있다. 일반적으로 얼라인먼트 마크와 오버레이 마크의 위치들은 웨이퍼의 프로세스들(레시피들)에 따라서 상이하기 때문에, 레시피에 보정값을 제공함으로써 고도로 정확한 얼라인먼트가 달성될 수 있다.
앞의 실시예는 실제로 노광되는 웨이퍼(6)를 이용하여 모듈들 간의 얼라인먼트 오차의 보정값을 산출 및 보정한다. 한편, 다른 실시예는 스테이지들 간의 차 이들을 측정 및 보정한다. 이하, 도 8 및 16을 참조하여, 본 실시예에 대하여 설명한다.
도 8에 도시된 웨이퍼 스톡커(43)는 웨이퍼 스테이지(8)의 격자 상태를 인식하기 위해 사용되는 기준 웨이퍼들을 수납하고 있다. 기준 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지의 격자 상태를 인식하기 위해 사용되는 격자 웨이퍼(44), 웨이퍼 스테이지(8)의 포커스 정확도를 인식하기 위해 사용되는 포커스 웨이퍼(45), 및 OA 스코프(4)의 조정 상태를 인식하기 위해 사용되는 조정용 웨이퍼(46)를 포함한다.
도 16a는 격자 웨이퍼(14) 상의 얼라인먼트 마크들 P11 내지 Pnm의 배치를 보여주는 평면도이다. 이상적인 격자의 흑색점 위치들에, OA 스코프(4) 또는 FRA 스코프(11)에 의해 검출될 수 있는 마크들 P11 내지 Pnm이 형성되어 있다. OA 스코프(4)는 흑색점들에 형성된 얼라인먼트 마크들을 순차적으로 계측한다. 이상적인 격자 상태를 갖는 웨이퍼 스테이지는 도 16a에 도시된 형상으로서 계측된다. 그러나, X 방향으로 구동되는 동안에 Y 방향으로 시프트할 경우, 또는 Y 방향으로 구동되는 동안에 X 방향으로 시프트할 경우, 도 16b에 도시된 계측 결과가 얻어진다. 이것은 웨이퍼 스테이지(8) 상의 바 미러의 형상이 직선이 아닌 때문이라고 생각할 수 있다. 도 16b에 도시된 정보에 기초한 보정은 웨이퍼 스테이지를 이상적인 격자 상태로 복귀시킨 상태에서 위치 계측 및 노광을 제공할 수 있다. OA 스코프(4) 및 FRA 스코프(11)가 측정을 위해 이용되는 경우, OA 스코프(4)에서의 바 미러의 형상과 투영 광학계를 통한 바 미러의 형상 양쪽 모두를 얻을 수 있다. 도 16b에 도시된 계측 결과에 기초하여 Fx 및 Fy의 함수로서 보정 테이블을 보관할 수 도 있다. 어느 쪽의 경우이든, 기준으로서의 격자 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 스테이지의 격자 정보를 산출 및 보정할 수 있다.
이하, 도 17을 참조하여, 격자 웨이퍼(44)를 이용하여 실제의 모듈들 간의 차이를 보정하는 방법에 대하여 설명한다. 우선, 검사 개시 지시이 발행된다(S401). 사용자가 검사 개시를 입력할 수도 있고, 또는 장치가 자동으로 검사를 개시할 수도 있다. 후자의 경우, 제1 실시예에서 설명된 방법을 이용하여 제어부(14)가 A(X, Y)와 B(X, Y) 간의 차이가 임계값보다 크다고 판단한 경우 자동 계측이 개시될 수 있다. 검사가 개시되면, 웨이퍼 스톡커(43)에 보관된 격자 웨이퍼(44)가 A 모듈에 반송된다(S402). 격자 웨이퍼(44)는 격자 스톡커(43) 이외의 유닛으로부터 A 모듈에 반송될 수도 있다. OA 스코프(4)는 웨이퍼 스테이지(8) 상에 탑재된 격자 웨이퍼(44) 상의 얼라인먼트 마크를 계측한다(S405).
이 시퀀스에서 격자 웨이퍼(44)는 OA 스코프(4)의 조정 상태를 인식하는 기능도 갖는다. 그러므로, 계측 결과로부터 OA 스코프(4)의 성능을 인식하고(S403), 필요하다면, OA 스코프(4)를 조정한다(S404). 조정은 0A 스코프(4)의 수차 및 텔레센트리시티 등의 TIS 성분에 대하여 행해진다. OA 스코프(4)는 TIS 성분을 조정하는 기구를 갖고, 조정 방법은 특히 한정되지 않는다. 그러나, 격자 웨이퍼(44)가 OA 스코프(4)의 조정 상태를 인식하는 기능을 갖지 않는다면 조정용 웨이퍼(46)가 사용될 수도 있다.
OA 스코프(4)의 조정이 완료된 후, 격자 웨이퍼(44) 상에 형성된 복수의 얼라인먼트 마크들이 계측된다(S405). 이 계측에 기초하여 웨이퍼 스테이지(8)의 격 자 상태 A(X, Y)가 산출된다(S406). 검사가 종료한 후, 웨이퍼(44)는 B 모듈에 반송되고(S407), B 모듈에서 유사한 조정 및 계측이 행해진다(S408 내지 S411). 조정 및 계측이 종료하면, 웨이퍼는 반출되고 획득된 격자 정보 A(X, Y) 및 B(X, Y)는 노광 장치에 보관된다. 다음으로 웨이퍼 스테이지(8)의 구동 오차의 산출이 행해진다(S412). 그 후, 이 구동 오차의 보정값에 기초하여 위치 계측 및 노광이 수행된다. 그 후, 모듈들 간의 격자 상태의 차이가 감소하고 이상적인 격자 상태가 보증될 수 있다.
상기 격자 웨이퍼(44)는 이상적인 격자 상태를 전제로 하지만, 실제의 약간의 오차는 보정가능하다. 예를 들면, S405의 계측시에 웨이퍼를 0°, 90°, 및 180°의 3개의 상태에서 계측함으로써 웨이퍼 자체의 오차 성분이 캔슬될 수 있다. 따라서, 어떤 회전된 위치들에서의 계측을 포함하는 시퀀스는 고도로 정확한 보정을 제공할 수 있다.
조정용 웨이퍼(46)는 OA 스코프(4)의 파장의 1/8에 대응하는 단차를 갖는 마크를 갖고, 계측 신호의 대칭성을 이용하여 OA 스코프의 조정 상태가 판단될 수 있다.
포커스 웨이퍼(45)는 웨이퍼의 정면 및 이면 표면 양쪽 모두에서 고도로 정확한 평면도를 갖는다. 포커스 웨이퍼(45)가 웨이퍼 스테이지에 탑재되고 XY 방향으로 구동되면서 포커스 시스템에 의해 계측되면, 웨이퍼 스테이지(8)의 포커스 오차가 산출될 수 있다.
동작에 있어서, 각각의 모듈은 동일한 레티클 패턴(제1 패턴)을 웨이퍼(6)에 노광하고, 그 후 다른 동일한 레티클 패턴(제2 패턴)을 웨이퍼(6)의 다른 층에 노광할 수 있다. 제1 패턴을 노광한 모듈이 제2 패턴을 노광한 모듈과 다른 경우에도, 모듈들 간의 얼라인먼트 오차가 대략 같을 수 있도록 조정이 행해졌기 때문에 제1 패턴과 제2 패턴 간에 웨이퍼(6)의 오버레이 정확도가 유지된다.
본 실시예는 액침 노광 장치에 적용가능하다. 액침 노광 장치에서는, 비노광시에 액체를 유지하기 위해 더미용 웨이퍼가 필요하고, 더미용 웨이퍼는 웨이퍼 스톡커(43)에 수납될 수 있다.
다음으로 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로 디바이스 및 액정 디스플레이 디바이스 등의 디바이스의 제조 방법에 대하여 설명한다. 여기서는, 반도체 디바이스의 제조 방법을 예로 설명한다.
반도체 디바이스는 웨이퍼에 집적 회로를 만드는 전처리 공정과, 전처리 공정에 의해 웨이퍼 상에 제조된 집적 회로 칩을 제품으로서 완성하는 후처리 공정에 의해 제조된다. 전처리 공정은 상기 노광 장치를 사용하여 감광제가 도포된 웨이퍼 및 유리판 등의 기판을 노광하는 공정과, 그 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 후처리 공정은 어셈블리 공정(다이싱 및 본딩)과, 패키징 공정(봉입)을 포함한다.
본 실시예의 디바이스 제조 방법은 종래보다도 고품질의 디바이스를 제조할 수 있다.
본 실시예는 멀티모듈형 노광 장치에서 실제로 노광될 기판을 복수의 스테이지에 순차적으로 탑재하고, 얼라인먼트계로 그의 위치를 검출하고, 각각의 스테이지에 대하여 얻어진 위치 검출 정보를 이용하여 스테이지들 간의 차이 및 얼라인먼 트계의 위치 검출 장치들 간의 차이를 보정한다. 또한, 적어도 하나의 기판을 복수의 위치 검출 장치에 의해 위치 검출하고, 노광하고, 오버레이 계측하고, 그 계측 결과를 각각의 스테이지에 피드백하여 고도로 정확한 얼라인먼트를 실현한다. 더욱이, 스테이지들 간의 차이를 획득하기 위하여, 조정용의 기준 웨이퍼를 노광 장치 내에 제공하여 노광 장치의 상태를 파악하여, 적절한 계측 및 보정을 행하고, 장치들 간의 차이가 감소된 상태를 유지한다. 또한, 하나의 광원으로부터 출사된 광을 이용한 간섭계의 계측은 환경 요인으로부터 발생된 오차를 단일화한다.
모범적인 실시예들에 대하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 개시된 모범적인 실시예들에 한정되지 않는다는 말할 것도 없다. 다음의 청구항들의 범위는 모든 그러한 변형들 및 등가 구조들 및 기능들을 포함하도록 최광의의 해석이 적용되어야 한다. 예를 들면, 본 실시예는 OA 스코프(4)의 얼라인먼트 오차를 피드백하고 있지만, FRA 스코프(11)의 얼라인먼트 오차가 피드백될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 멀티모듈형 노광 장치의 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 노광 장치의 웨이퍼 상의 샷 배열을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 노광 장치에 사용되는 얼라인먼트 마크의 확대 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 멀티모듈형 노광 장치에 적용가능한 간섭계의 구조를 나타내는 광로도이다.
도 5는 도 1에 도시된 멀티모듈형 노광 장치의 각각의 모듈에 있어서의 베이스라인 계측을 설명하는 광로도이다.
도 6a-6c는 도 5에 도시된 기준 마크의 구조를 나타내는 단면도와 평면도이다.
도 7은 기준 마크로부터 얻어지는 광량 변화를 나타내는 그래프이다.
도 8은 도 1에 도시된 웨이퍼 반송계를 설명하는 블록도이다.
도 9는 도 1에 도시된 레티클 반송계를 설명하는 블록도이다.
도 10은 도 1에 도시된 웨이퍼의 평면도이다.
도 11은 도 1에 도시된 멀티모듈형 노광 장치의 얼라인먼트 오차의 보정 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 12는 오버레이 검사 장치의 블록도이다.
도 13은 도 11에 도시된 흐름도의 변형예로서의 흐름도이다.
도 14는 도 11에 도시된 흐름도의 다른 변형예로서의 흐름도이다.
도 15는 도 1에 도시된 제어계에 사용되는 레시피의 구성예이다.
도 16a 및 16b는 도 8에 도시된 격자 웨이퍼의 평면도이다.
도 17은 도 15에 도시된 격자 웨이퍼를 이용하여 모듈들 간의 차이를 보정하는 방법을 설명하는 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 조명 장치
2: 레티클
3: 투영 광학계
4: 스코프
5: 검출 장치
6: 웨이퍼

Claims (13)

  1. 복수의 모듈들 및 제어부를 포함하고, 각각의 모듈은 광원으로부터의 광을 이용하여 원판의 패턴을 기판에 노광하는 노광 장치로서,
    각각의 모듈은, 원판과 기판 상의 각각의 샷 간의 얼라인먼트를 위해 사용되는 얼라인먼트 마크를 갖는 원판 또는 기판의 위치를 검출하도록 구성된 위치 검출 장치를 포함하고,
    상기 제어부는, 각각의 모듈에 설정된 상기 위치 검출 장치에 의한 검출 결과의 얼라인먼트 오차에 관한 정보를 갖고,
    상기 노광 장치는 모듈들 간의 얼라인먼트 오차의 차이를 저감하도록 구성된 수단을 더 포함하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수단은 상기 얼라인먼트 오차를 보정하기 위해 사용되는 보정값을 각각의 모듈에 대하여 설정하는 노광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 보정값은 각각의 모듈에서 상기 원판 또는 기판을 구동하도록 구성된 각각의 스테이지에 대하여 설정되는 노광 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    각각의 모듈은, 상기 원판의 패턴의 이미지를 투영하도록 구성된 투영 광학계를 더 포함하고,
    상기 얼라인먼트 오차는, 각각의 모듈의 위치 검출 장치에 의한 상기 기판 상의 상기 얼라인먼트 마크의 검출 결과에 기초하여, 하나의 기판 상의 상이한 영역들이 상기 복수의 모듈들에 의해 노광되고, 현상되고, 현상 결과가 오버레이 검사 장치(overlay inspector)에 의해 계측되는 결과로서 얻어지는 노광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    각각의 모듈은, 상기 원판의 패턴의 이미지를 투영하도록 구성된 투영 광학계를 더 포함하고,
    상기 얼라인먼트 오차는, 각각의 모듈의 위치 검출 장치에 의한 상기 기판 상의 상기 얼라인먼트 마크의 검출 결과에 기초하여, 하나의 기판 상의 상이한 영역들이 상기 복수의 모듈들에 의해 노광되고, 현상되고, 각각의 모듈의 위치 검출 장치가 대응하는 영역 상의 잠상을 계측하는 결과로서 얻어지는 노광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    각각의 모듈은, 상기 원판의 패턴의 이미지를 투영하도록 구성된 투영 광학계를 더 포함하고,
    상기 얼라인먼트 오차는, 각각의 모듈의 위치 검출 장치에 의한 상기 기판 상의 상기 얼라인먼트 마크의 검출 결과에 기초하여, 하나의 기판 상의 상이한 영역들이 상기 복수의 모듈들에 의해 노광되고, 현상되고, 상기 복수의 모듈들의 위치 검출 장치들 중 하나가 대응하는 영역 상의 잠상을 계측하는 결과로서 얻어지는 노광 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 모듈들에 의해 노광되는 하나의 기판 상의 상기 상이한 영역들은 다이스(dice) 패턴처럼 배치되어 있는 노광 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    각각의 모듈은, 상기 원판의 패턴의 이미지를 투영하도록 구성된 투영 광학계를 더 포함하고,
    각각의 모듈의 위치 검출 장치는 상기 기판 상의 동일한 얼라인먼트 마크를 검출하고, 상기 기판은 제1 모듈에 의해 노광되고, 오버레이 검사 장치가 노광 결과를 계측하고,
    상기 제1 모듈의 얼라인먼트 오차의 보정값은 상기 오버레이 검사 장치에 의한 계측 결과로부터 얻어지고, 상기 제1 모듈과는 다른 제2 모듈의 얼라인먼트 오차는, 상기 제1 모듈의 얼라인먼트 오차가 보정되기 전에, 상기 제1 모듈의 위치 검출 장치와 상기 제2 모듈의 위치 검출 장치 간의 검출 결과의 차에 기초하여 설정된 양인 노광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 위치 검출 장치는 상기 얼라인먼트 마크를 관찰하도록 구성된 얼라인먼트 스코프를 포함하고, 상기 수단은 상기 얼라인먼트 스코프의 상태를 조정하는 노광 장치.
  10. 광원으로부터의 광을 이용하여 원판의 패턴을 기판에 노광하도록 구성된 노광 장치로서,
    각각이 상기 원판 또는 기판을 탑재한 복수의 이동가능한 스테이지;
    상기 복수의 스테이지의 위치들을 검출하도록 구성된 복수의 간섭계; 및
    상기 복수의 간섭계 각각에 사용되는 광의 파장의 환경에 의한 편차(environmental deviation)를 저감하도록 구성된 수단
    을 포함하는 노광 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 수단은 상기 복수의 간섭계 사이에서 위치 검출용의 광원을 공통으로 사용하는 노광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    복수의 모듈을 더 포함하고, 각각의 모듈은 광원으로부터의 광을 이용하여 원판의 패턴을 기판에 노광하도록 구성되고, 상기 복수의 스테이지 중 적어도 하나와 상기 복수의 간섭계 중 적어도 하나를 포함하는 노광 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 노광 장치를 이용하여 기판을 노광하는 단계; 및
    상기 노광된 기판을 현상하는 단계
    를 포함하는 디바이스 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190026576A (ko) * 2017-09-04 2019-03-13 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009038558A1 (de) * 2009-08-24 2011-03-10 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Emulation eines fotolithographischen Prozesses und Maskeninspektionsmikroskop zur Durchführung des Verfahrens
JP2011258922A (ja) * 2010-06-04 2011-12-22 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR101383916B1 (ko) 2011-12-22 2014-04-09 주식회사 아라온테크 멀티 노광장치
DE102012205096B3 (de) 2012-03-29 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator
JP2015032800A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品製造方法
US9536697B2 (en) * 2015-05-19 2017-01-03 Hermes Microvision Inc. System and method for calibrating charge-regulating module
CN107290943B (zh) * 2016-03-31 2019-01-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 同轴掩模对准装置、光刻设备及对准方法
CN107357127B (zh) * 2017-08-17 2021-11-16 深圳市乐视环球科技有限公司 一种自动调整的立体投影装备及校正方法
JP6616368B2 (ja) * 2017-09-14 2019-12-04 ファナック株式会社 レーザ加工前に光学系の汚染レベルに応じて加工条件を補正するレーザ加工装置
JP6861693B2 (ja) * 2018-12-06 2021-04-21 キヤノン株式会社 形成方法、システム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、およびプログラム
JP2021149000A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 キオクシア株式会社 露光方法、露光装置、及び半導体装置の製造方法
JP7089607B2 (ja) * 2021-02-05 2022-06-22 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332490A (ja) * 2000-03-14 2001-11-30 Nikon Corp 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
DE10212344A1 (de) * 2002-03-15 2003-10-09 Kleo Halbleitertechnik Gmbh Vorrichtung zum Belichten von Substratmaterialien
JP2004022655A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Canon Inc 半導体露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法
WO2006019166A1 (ja) * 2004-08-19 2006-02-23 Nikon Corporation アライメント情報表示方法とそのプログラム、アライメント方法、露光方法、デバイス製造方法、表示システム、表示装置、プログラム及び測定／検査装置
JP2006287119A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Canon Inc 露光システム及び露光方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190026576A (ko) * 2017-09-04 2019-03-13 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법
KR20220092844A (ko) * 2017-09-04 2022-07-04 캐논 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법

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Publication number Publication date
JP2009200105A (ja) 2009-09-03
US20090214962A1 (en) 2009-08-27
TW201005447A (en) 2010-02-01

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