JP7089607B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
本発明に係る第1実施形態の形成システム100(形成装置)について説明する。本実施形態の形成システム100は、複数のリソグラフィ装置を用いて、基板上の1つの層(同一層)における互いに異なる位置にパターンをそれぞれ形成する、いわゆるMMG(Multi Model on Glass)技術を実行するシステムである。リソグラフィ装置としては、例えば、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。
次に、形成システム100(第1露光装置10、第2露光装置20)による基板上への第1パターンP1、第2パターンP2、およびマークAMの形成について説明する。図3は、形成システム100によって基板上に形成された第1パターンP1、第2パターンP2、およびマークAMを示す図である。
複数の装置(第1露光装置10、第2露光装置20)を有する形成システム100では、上述した第1指標TPおよび第2指標CSがそれぞれ許容範囲(所望の範囲)に収まるように、基板上にパターンを形成することが求められる。従来の方法では、第1露光装置10および第2露光装置20のそれぞれにおいて、基板上に形成されたマークAMの位置を計測し、その計測結果に基づいてパターン(第1パターンP1、第2パターンP2)を基板上に形成していた。しかしながら、マーク形成部12によるマークAMの形成精度は不十分であり、基板上の目標位置座標(設計位置)にマークAMが形成されないことがある。そのため、マークAMの位置の計測結果に基づいて基板上にパターンを形成すると、以下の従来例に示すように、マークAMの形成精度に応じて、基板上にパターンを精度よく形成することが困難になりうる。
図4は、従来例1に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。従来例1では、図4(a)に示すように、3個のマークAM1~AM3が、目標位置座標TAMから一方向にシフトして基板上に形成された例を示している。この場合において、第1露光装置10では、マークAM1~AM3の位置の計測結果に基づいて、マークAM1~AM3と第1パターンP1とが目標位置関係(例えば、設計データでの位置関係)になるように、第1パターンP1を形成する(図4(b))。また、第2露光装置20では、マークAM1~AM3の位置の計測結果に基づいて、マークAM1~AM3と第2パターンP2とが目標位置関係になるように、第2パターンP2を形成する(図4(c))。この例では、マークAM1~AM3の目標位置座標TAMからのシフトに依存して、第1パターンP1および第2パターンP2が目標位置座標TP1、TP2からシフトして基板上に形成されることとなる。つまり、この例では、パターン全体の寸法としての第1指標TPは許容範囲に収めることができるが、パターン全体の位置としての第2指標CSを許容範囲に収めることができなくなる。
図5は、従来例2に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。従来例2では、図5(a)に示すように、+Y方向側のマークAM1~AM2が、目標位置座標TAMから+Y方向にシフトして基板上に形成され、-Y方向側のマークAM3が、目標位置座標TAMから-Y方向にシフトして基板上に形成された例を示している。この場合において、第1露光装置10では、マークAM1~AM3の位置の計測結果に基づいて、マークAM1~AM3と第1パターンP1とが目標位置関係になるように第1パターンP1を形成する(図5(b))。また、第2露光装置20では、マークAM1~AM3の位置の計測結果に基づいて、マークAM1~AM3と第2パターンP2とが目標位置関係になるように、第2パターンP2を形成する(図5(c))。この例では、マークAM1~AM3の目標位置座標TAMからのシフトに依存して、第1パターンP1および第2パターンP2が、その±Y方向の倍率が変更されて基板上に形成されることとなる。つまり、この例では、パターン全体の位置としての第2指標CSを許容範囲に収めることができるが、パターン全体の寸法としての第1指標を許容範囲に収めることができなくなる。
図6は、従来例3に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。従来例3では、図6(a)に示すように、3個のマークAM1~AM3が、目標位置座標TAMから一方向にシフトして基板上に形成された例を示している。この場合において、第1露光装置10では、マークAM1~AM3の位置の計測結果を用いずに、第1パターンP1を形成すべき目標位置座標を示す情報(設計データ)に基づいて、第1露光装置10の座標系のもとで第1パターンP1を形成する(図6(b))。一方、第2露光装置20では、マークAM1~AM3の位置の計測結果に基づいて、マークAM1~AM3と第2パターンP2とが目標位置関係になるように、第2パターンP2を形成する(図6(c))。この例では、第1パターンP1は、マークAM1~AM3のシフトに依存せずに基板上に形成されるが、第2パターンP2は、マークAM1~AM3のシフトに依存し、目標位置座標TP1からシフトして基板上に形成されることとなる。つまり、この例では、第1パターンP1と第2パターンP2との位置関係が目標位置関係からズレてしまい、パターン全体の寸法としての第1指標TP、およびパターン全体の位置としての第2指標CSを許容範囲に収めることができなくなる。
本実施形態では、上述した従来のパターン形成での課題を解決するため、第1パターンP1および第2パターンP2の双方とも、目標位置座標を示す情報(例えば設計データ)に基づいて、各露光装置の座標系のもとで基板上に形成される。具体的には、第1露光装置10は、第1パターンP1を形成すべき目標位置座標を示す情報に基づいて、第1露光装置10の座標系における目標位置座標で基板上に第1パターンP1を形成する。同様に、第2露光装置20は、第2パターンP2を形成すべき目標位置座標を示す情報に基づいて、第2露光装置20の座標系における目標位置座標で基板上に第2パターンP2を形成する。
S12では、マークAMを形成すべき目標位置座標を示す情報(例えば設計データ)に基づいて、第1露光装置10の座標系のもとで、第1露光装置10のマーク形成部12により基板上にマークAMを形成する(マーク形成工程)。即ち、第1露光装置10の座標系における当該目標位置座標にマークAMを形成する。ここで、上述したように、マーク形成部12によるマークAMの形成精度は不十分であるため、マークAMは、目標位置座標に形成されず、目標位置座標からシフトした位置に形成されうる。本実施形態では、3個のマークAMが基板上に形成され、当該3個のマークAMには、X方向のシフト成分(配列ずれ成分の一例)とY方向の倍率成分(形状変化成分の一例)とを含む形成誤差が生じているものとする。
CV=C2-C1
=(CM2+CMX)-(CM1+CMX)
=CM2-CM1 ・・・(1)
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像(加工)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
Claims (2)
- 基板上の層に第1パターンの潜像を形成するリソグラフィ装置であり、前記第1パターンの潜像が形成される領域とは異なる前記層の領域に、前記リソグラフィ装置とは別のリソグラフィ装置によって第2パターンの潜像が形成される前に、前記第1パターンの潜像を形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板上にマークを形成するマーク形成部と、
前記マークの位置を計測する計測部と、
前記第1パターンの潜像を形成する形成部と、
前記計測部で得られた前記マークの位置を示す情報を前記別のリソグラフィ装置に出力する制御部と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記形成部は、前記計測部で得られた前記マークの位置を示す情報を用いずに、前記第1パターンの潜像を前記基板上に形成する、ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
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