JP5638550B2 - リソグラフィ装置及びリソグラフィ投影方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びリソグラフィ投影方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5638550B2 JP5638550B2 JP2012030533A JP2012030533A JP5638550B2 JP 5638550 B2 JP5638550 B2 JP 5638550B2 JP 2012030533 A JP2012030533 A JP 2012030533A JP 2012030533 A JP2012030533 A JP 2012030533A JP 5638550 B2 JP5638550 B2 JP 5638550B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- patterning device
- supports
- lithographic apparatus
- projection system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
を備え、第1の支持体及び第2の支持体が、第1のパターニングデバイス又は第2のパターニングデバイスの少なくともスキャン方向の長さのスキャン距離にわたってスキャン方向に移動可能であり、第1の支持体及び第2の支持体が、第1のパターニングデバイス又は第2のパターニングデバイスの少なくとも第2の方向の幅の距離にわたってスキャン方向と実質的に垂直な第2の方向に移動可能であり、リソグラフィ装置が、第1の支持体及び/又は第2の支持体の第2の方向への移動によって第1の支持体又は第2の支持体を投影システムに選択的に位置合わせするように構築されるリソグラフィ装置が提供される。
1.ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は「基板支持体」がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイス支持体MT又は「マスク支持体」に対する基板テーブルWT又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体MT又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (14)
- リソグラフィ装置であって、
第1のパターニングデバイスを支持する第1の支持体及び第2のパターニングデバイスを支持する第2の支持体であって、該第1のパターニングデバイス及び第2のパターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成
することが可能な、第1及び第2の支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
を備え、
前記第1の支持体及び第2の支持体が、スキャン方向に、前記第1のパターニングデバイス又は第2のパターニングデバイスの少なくとも該スキャン方向の長さのスキャン距離にわたって移動可能であり、
前記第1の支持体及び第2の支持体が、前記スキャン方向と実質的に垂直な第2の方向に、前記第1のパターニングデバイス又は第2のパターニングデバイスの少なくとも該第2の方向の幅の距離にわたって移動可能であり、
前記第1の支持体及び第2の支持体は、前記第2の方向への移動によって前記投影システムに選択的に位置合わせされ、
前記第1及び第2の支持体の一方の前記スキャン方向への移動中、前記第1及び第2の支持体の他方は前記第2の方向に、続いて前記スキャン方向の逆並行方向に、そして前記第2の方向の逆方向に移動する、
リソグラフィ装置。 - 前記第1の支持体を前記第2の方向に移動させる第1のアクチュエータ、第1のアクチュエータのセット、及び/又は第1のアクチュエータ本体と、
前記第2の支持体を前記第2の方向に移動させる第2のアクチュエータ、第2のアクチュエータのセット、及び/又は第2のアクチュエータ本体とを備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 1回の基板テーブルスキャン動作で行又は列に配列された複数のダイを投影する、請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記複数のダイが、前記第1のパターニングデバイスによって与えられたパターンを有する投影ビームと前記第2のパターニングデバイスによって与えられたパターンを有する投影ビームとによって交互に投影される、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1及び第2の支持体の一方のスキャン動作中に、前記第1及び第2の支持体の他方が以前のスキャン動作の終端位置から新たなスキャン動作の開始位置まで移動する、請求項1乃至4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1の支持体及び前記第2の支持体が共通のバランスマスを有する、請求項1乃至5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 各々が別のパターニングデバイスを支持するように構築された別の1つ又は複数の支持体を備え、
前記別の1つ又は複数の支持体が、スキャン方向に、前記別のパターニングデバイスの少なくとも該スキャン方向の長さのスキャン距離にわたって移動可能であり、
前記別の1つ又は複数の支持体が、前記スキャン方向と実質的に垂直な第2の方向に、前記別のパターニングデバイスの少なくとも該第2の方向の幅の距離にわたって移動可能であり、
前記第1の支持体、前記第2の支持体、及び前記別の1つ又は複数の支持体は、前記第2の方向への移動によって選択的に前記投影システムに位置合わせされる、請求項1乃至6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1の支持体、前記第2の支持体、及び前記別の1つ又は複数の支持体は、スキャン動作の開始位置から終端位置までのスキャン動作と、該スキャン動作の該終端位置から該開始位置までの戻り動作とを含む連続的なループ動作をたどり、該戻り動作が前記第2の方向への移動を含む、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1及び/又は第2の支持体にパターニングデバイスをロード及びアンロードするパターニングデバイスローディングデバイスを備え、
前記パターニングデバイスローディングデバイスは、前記第1及び第2の支持体の他方がスキャン動作を実行するために前記投影システムに位置合わせされると、前記第1及び第2の支持体の一方にパターニングデバイスをロード及びアンロードするように位置決めされる、請求項1乃至8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1の支持体、前記第2の支持体、及び場合によっては1つ又は複数の別の支持体のうちの1つ又は複数の支持体の質量が、前記第1の支持体、前記第2の支持体、及び場合によっては前記1つ又は複数の別の支持体のうちの他方のためのバランスマスとして使用される、請求項1乃至9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 第1のパターニングデバイスを支持する第1の支持体と、第2のパターニングデバイスを支持する第2の支持体とを備えるスキャン型リソグラフィ装置を使用するリソグラフィ投影方法であって、
基板テーブル上に支持された基板の行又は列に配列されたダイが投影システムに連続的に位置合わせされるように、前記基板テーブルの基板テーブルスキャン動作を実行するステップと、
前記第1の支持体及び前記第2の支持体を前記投影システムに選択的に位置合わせするステップと、
放射ビームの断面に前記第1のパターニングデバイス又は前記第2のパターニングデバイスのそれぞれのパターンを与えるために、前記基板テーブルスキャン動作中に、前記投影システムに位置合わせされた前記第1又は第2の支持体のスキャン動作を実行するステップと、
前記パターニングされた放射ビームを、前記投影システムに連続的に位置合わせされた前記基板のダイに投影するステップと、を含み、
さらに、前記第1及び第2の支持体の一方のスキャン方向への移動中、前記第1及び第2の支持体の他方を前記スキャン方向と実質的に垂直な第2の方向に、続いて前記スキャン方向の逆並行方向に、そして前記第2方向の逆方向に移動させるステップを含む、方法。 - 前記第1の支持体及び前記第2の支持体を前記投影システムに選択的に位置合わせするステップが、前記第1の支持体及び第2の支持体を、前記第2の方向に、前記第1又は第2の支持体の少なくとも前記第2の方向の幅の第2の距離にわたって移動させるステップを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記第1の支持体及び前記第2の支持体を前記投影システムに選択的に位置合わせするステップが、前記第1の支持体及び前記第2の支持体を前記投影システムに交互に位置合わせするステップを含む、請求項11又は12に記載の方法。
- 前記第1のパターニングデバイス及び前記第2のパターニングデバイスが、実質的に同じパターンで後続のダイを投影する実質的に同じパターンを有し、又は、前記第1のパターニングデバイス及び前記第2のパターニングデバイスが、ダブルパターニングプロセスを実行するために異なるパターンを有する、請求項11乃至13のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161445428P | 2011-02-22 | 2011-02-22 | |
US61/445,428 | 2011-02-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012175106A JP2012175106A (ja) | 2012-09-10 |
JP5638550B2 true JP5638550B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=46658742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012030533A Expired - Fee Related JP5638550B2 (ja) | 2011-02-22 | 2012-02-15 | リソグラフィ装置及びリソグラフィ投影方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9182683B2 (ja) |
JP (1) | JP5638550B2 (ja) |
KR (1) | KR101416842B1 (ja) |
CN (1) | CN102645849B (ja) |
NL (1) | NL2008157A (ja) |
TW (1) | TWI477923B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI800855B (zh) * | 2016-06-20 | 2023-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2009666A (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-23 | Asml Netherlands Bv | Reticle assembly, a lithographic apparatus, the use in a lithographic process, and a method to project two or more image fields in a single scanning movement of a lithographic process. |
JP2015231036A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
JP6555868B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、および物品の製造方法 |
JP6694717B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2020-05-20 | デクセリアルズ株式会社 | 露光装置および露光方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4814830A (en) * | 1985-04-01 | 1989-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Flat panel display device and manufacturing of the same |
JP2503572B2 (ja) * | 1988-03-08 | 1996-06-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US5859690A (en) * | 1996-03-28 | 1999-01-12 | Nikon Corporation | Method of dividing and exposing patterns |
EP0890136B9 (en) * | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10209039A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JP3114681B2 (ja) | 1997-12-16 | 2000-12-04 | 日本電気株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
JP2000021715A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001023896A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
EP1137054B1 (en) | 1999-09-20 | 2006-03-15 | Nikon Corporation | Exposure system comprising a parallel link mechaniam and exposure method |
TWI264617B (en) * | 1999-12-21 | 2006-10-21 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
WO2002069049A2 (en) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Asml Us, Inc. | Simultaneous imaging of two reticles |
TWI295070B (en) * | 2001-12-21 | 2008-03-21 | Asml Netherlands Bv | Semiconductor device manufacturing method,semiconductor device manufactured thereby and lithographic apparatus therefor |
US6777143B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multiple mask step and scan aligner |
KR100466311B1 (ko) | 2002-07-05 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정의 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법 |
JP4410216B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-02-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 2ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US7671970B2 (en) * | 2005-07-13 | 2010-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Stage apparatus with two patterning devices, lithographic apparatus and device manufacturing method skipping an exposure field pitch |
KR20080102390A (ko) * | 2006-02-16 | 2008-11-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
EP1986222A4 (en) * | 2006-02-16 | 2010-09-01 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
KR20080010656A (ko) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리소그래피 장치 |
US8330936B2 (en) * | 2006-09-20 | 2012-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8355113B2 (en) * | 2007-12-17 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
NL1036557A1 (nl) | 2008-03-11 | 2009-09-14 | Asml Netherlands Bv | Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface. |
EP2151717A1 (en) | 2008-08-05 | 2010-02-10 | ASML Holding N.V. | Full wafer width scanning using step and scan system |
JP5151949B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 移動体装置及び移動体駆動方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2011164430A (ja) | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
-
2012
- 2012-01-20 NL NL2008157A patent/NL2008157A/en not_active Application Discontinuation
- 2012-02-13 TW TW101104578A patent/TWI477923B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-02-15 JP JP2012030533A patent/JP5638550B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-17 CN CN201210036738.4A patent/CN102645849B/zh active Active
- 2012-02-21 KR KR1020120017426A patent/KR101416842B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-21 US US13/401,597 patent/US9182683B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI800855B (zh) * | 2016-06-20 | 2023-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201241579A (en) | 2012-10-16 |
CN102645849B (zh) | 2015-05-20 |
KR20120096433A (ko) | 2012-08-30 |
TWI477923B (zh) | 2015-03-21 |
US9182683B2 (en) | 2015-11-10 |
KR101416842B1 (ko) | 2014-07-08 |
JP2012175106A (ja) | 2012-09-10 |
NL2008157A (en) | 2012-08-24 |
US20120212715A1 (en) | 2012-08-23 |
CN102645849A (zh) | 2012-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6580203B2 (ja) | マルチステージシステムおよびリソグラフィ装置 | |
JP4648442B2 (ja) | リソグラフィ機器及び方法 | |
JP4797036B2 (ja) | リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 | |
JP5638550B2 (ja) | リソグラフィ装置及びリソグラフィ投影方法 | |
JP2011097056A (ja) | リソグラフィ方法および装置 | |
JP2007258707A (ja) | リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法 | |
JP5422633B2 (ja) | コントローラ、リソグラフィ装置、オブジェクト位置の制御方法及びデバイス製造方法 | |
JP2004312002A (ja) | Z方向オフセットおよび斜光照明によるマスク対象物シフトのy方向位置補正 | |
JP5600138B2 (ja) | 位置決めデバイス、位置決め方法及びデバイス製造方法 | |
JP5559284B2 (ja) | レチクルアセンブリ、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセスにおけるその使用、およびリソグラフィプロセスの単一スキャン移動において2つ以上のイメージフィールドを投影する方法 | |
KR100554247B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 이에 따라 제조된디바이스 | |
JP5341930B2 (ja) | リソグラフィ装置及びスキャン方法 | |
KR20030076201A (ko) | 디바이스 제조방법, 그 디바이스 및 그를 위한 리소그래피장치 | |
JP2005020012A (ja) | 基板テーブル上に基板を位置決めする方法および装置 | |
JP5006889B2 (ja) | 粗ウェーハ位置合わせ用マーク構造及びこのようなマーク構造の製造方法 | |
JP5350504B2 (ja) | リソグラフィ装置及び方法 | |
JP2005311378A (ja) | デバイス製造方法 | |
JP2017521697A (ja) | リソグラフィ装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130301 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140502 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5638550 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |