KR20080010656A - 리소그래피 장치 - Google Patents

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권기성
조대희
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 종래 기술에 따른 리소그래피 장치는 지나치게 많은 레티클 스테이지의 스텝 및 스캐닝 절차를 포함하여 노광 공정의 수율을 저하시키는 문제를 해결하기 위하여, 레티클 스테이지에 순환 가능한 제 1 및 제 2 레티클을 포함시킴으로써, 레티클 스테이지의 스텝 및 스캐닝 절차를 간소화 시키고 노광 효율을 극대화시키는 발명에 관한 것이다.

Description

리소그래피 장치{LITHOGRAPHIC APPARATUS}
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼의 스텝 및 스캐닝 절차를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 리소그래피 장치를 도시한 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 리소그래피 장치의 레티클 스테이지를 도시한 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 스텝 및 스캐닝 절차를 도시한 개략도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 웨이퍼 20 : 필드 영역
30 : 레티클 스테이지를 이동시키는 경로
100 : 레티클 스테이지 110 : 제거 및 구동 장치
120 : 제 1 레티클 130 : 제 2 레티클
140 : 순환 경로 150 : 프로젝션 렌즈부
160 : 웨이퍼 스테이지 1 65a : 제 1 웨이퍼 흡착플레이트
160b : 제 2 웨이퍼 흡착 플레이트
170 : 웨이퍼
본 발명은 리소그래피 장치에 관한 것으로, 종래 기술에 따른 리소그래피 장치는 지나치게 많은 레티클 스테이지의 스텝 및 스캐닝 절차를 포함하여 노광 공정의 수율을 저하시키는 문제를 해결하기 위하여, 레티클 스테이지에 순환 가능한 제 1 및 제 2 레티클을 포함시킴으로써, 레티클 스테이지의 스텝 및 스캐닝 절차를 간소화 시키고 노광 효율을 극대화시키는 발명에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼의 스텝 및 스캐닝 절차를 도시한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼(10)가 각 필드 영역(20) 별로 구분되어 있으며 노광 공정이 필드 단위로 수행된다. 이때, 노광 장비의 레티클 스테이지(미도시) 및 웨이퍼 스테이지(미도시)를 이동시키면서 노광 공정이 수행되는데, 이 경우 레티클 스테이지를 이동시키는 경로(30)를 최소화하는 것이 중요한다. 그러나, 하나의 레티클로 웨이퍼(10) 전면을 모두 노광하기 위해서는 복잡한 레티클 스테이지 스텝 및 스캐닝 절차를 필요로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 노광 공정은 하나의 레티클을 이용하여 수행되는데, 하나의 레티클을 이용하여 노광 공정을 수행하는 것은 작업 능률을 저하시키고 복잡한 절차를 수행 하여야 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 레티클 스테이지에 순환 가능한 제 1 및 제 2 레티클을 포함시킴으로써, 레티클 스테이지의 스텝 및 스캐닝 절차를 간소화 시키고 노광 효율을 극대화시키는 리소그래피 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이상의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 리소그래피 장치는,
광원부, 레티클 스테이지, 프로젝션 렌즈부 및 웨이퍼 스테이지를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
상기 레티클 스테이지는 동일한 노광 패턴을 포함하는 제 1 및 제 2 레티클을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 레티클이 이동할 수 있는 순환 경로를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 순환 경로는 직선 경로를 포함하고, 상기 레티클 스테이지는 상기 제 1 및 제 2 레티클 중 하나가 노광 중 일 때 노광이 수행되지 않는 레티클을 다음 노광이 수행되는 위치로 순환시키는 제어 장치 및 구동 장치를 더 포함하고, 상기 웨이퍼 스테이지는 제 1 웨이퍼 흡착플레이트 및 제 2 웨이퍼 흡착플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 리소그래피 장치에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 리소그래피 장치를 도시한 개략도이다.
도 2를 참조하면, 리소그래피 장치는 상부에서 부터 먼저 광원부(미도시)가 구비된다. 광원부는 노광 공정에서 사용되는 광원을 직접 조사하는 일루미네이터 탑 모듈(Illuminator Module) 및 이를 고정시키기 위하여 프레임 역할을 하는 일루 미네이터 바텀 모듈(Illuminator Bottom Module)을 포함하고 있다.
다음에는, 광원부의 하부에 레티클이 올려진 레티클 스테이지(100)가 구비되고, 광원부와 레티클 스테이지(100) 사이에는 정렬 블록(미도시)이 구비되어 레티클과 웨이퍼를 정렬시키는 기능을 수행한다.
다음에는, 레티클 스테이지(100) 하부에 광원을 통과시키며 레티클 상에 구비되어 있는 패턴을 축소시켜 웨이퍼에 결상으로 맺어주는 역할을 하는 프로젝션 렌즈부(150)가 구비된다.
그 다음에는, 프로젝션 렌즈부(150)의 하부에 웨이퍼 스테이지(160)가 구비된다.
여기서, 레티클 스테이지(100)는 동일한 노광 패턴을 포함하는 제 1 및 제 2 레티클(120, 130)을 포함하되, 제 1 및 제 2 레티클(120, 130)이 이동할 수 있는 순환 경로(140)를 더 포함한다.
이때, 순환 경로(140)는 직선 경로를 포함하고, 레티클 스테이지를 노광 공정에 따라서 움직일 수 있는 제어 및 구동 장치(110)를 더 포함한다.
아울러, 웨이퍼 스테이지(160)는 제 1 웨이퍼 흡착플레이트(165a) 및 제 2 웨이퍼 흡착플레이트(165b)를 포함한다.
여기서, 2개의 웨이퍼 흡착플레이트(165a, 165b)를 갖는 것은 제 1 웨이퍼 흡착플레이트(165a)에 있는 웨이퍼(170)에 노광 공정을 수행한 후 노광된 웨이퍼(170)를 이송하는 동안 제 2 웨이퍼 흡착플레이트(165b)에 있는 웨이퍼(170)에 곧 바로 노광 공정을 수행할 수 있도록 함으로써, 이송하는 과정에서 발생하는 노 광 대기 시간을 최소화하기 위한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 리소그래피 장치의 레티클 스테이지를 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 레티클 스테이지(100) 내에 동일한 노광 패턴을 포함하는 제 1 및 제 2 레티클(120, 130)이 놓여져 있다. 이때, 제 1 및 제 2 레티클(120, 130)은 웨이퍼의 필드 단위로 노광 공정을 수행할 수 있도록 형성된 레티클 이다.
여기서, 제 1 및 제 2 레티클(120, 130)이 동일한 순환 경로(140)를 따라서, 이동하면서 노광 공정을 수행하게 된다.
따라서 순환 경로(140)는 웨이퍼의 필드 영역을 따라 노광 공정을 수행할 수 있도록 하는 직선 경로를 포함하고 있다. 제 2 레티클(130)에 노광 공정이 수행되고 있는 동안 제 1 레티클(120)이 순환 경로를 따라 이동하고 다음 노광 예정 영역에 위치하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 스텝 및 스캐닝 절차를 도시한 개략도이다.
도 4를 참조하면, 웨이퍼(170) 평면을 기준으로 상하 방향을 'Y'축이라하고 좌우 방향을 'X'축이라 할 때, 먼저 웨이퍼(170)의 에지부에서부터 노광 공정을 수행하되, 'Y'축 방향에 대해서는 상기 제 1 및 제 2 레티클(120, 130)을 순환시키면서 노광 공정을 수행하고, 'X'축 방향에 대해서는 상기 레티클 스테이지(100)를 이동시키면서 수행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 리소그래피 장치는 도 3에서 설명된 제 1 및 제 2 레티클을 노광 공정의 스캐닝 방향을 따라서 순환시키면서 노광 공정을 수 행함으로써, 노광 공정 시간을 단축할 수 있다. 따라서 레티클 스테이지 전체를 이동시키는 스텝 절차도 최소화 시킬 수 있으므로 노광 공정의 효율을 극대화 시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 리소그래피 장치는 레티클 스테이지에 순환 가능한 제 1 및 제 2 레티클을 포함시킴으로써, 레티클 스테이지의 스텝 및 스캐닝 절차를 간소화 시킬 수 있다. 따라서 본 발명은 노광 공정 시간을 단축시키고 효율을 극대화할 수 있는 효과를 제공한다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (4)

  1. 광원부, 레티클 스테이지, 프로젝션 렌즈부 및 웨이퍼 스테이지를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
    상기 레티클 스테이지는 동일한 노광 패턴을 포함하는 제 1 및 제 2 레티클을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 레티클이 이동할 수 있는 순환 경로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 순환 경로는 직선 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지는 상기 제 1 및 제 2 레티클 중 하나가 노광 중 일 때 노광이 수행되지 않는 레티클을 다음 노광이 수행되는 위치로 순환시키는 제어 장치 및 구동 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 스테이지는 제 1 웨이퍼 흡착플레이트 및 제 2 웨이퍼 흡착플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120212715A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic projection method
CN103135360A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 Asml荷兰有限公司 掩模版组件、光刻设备、在光刻过程中的应用及投影两个或更多个像场的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120212715A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic projection method
US9182683B2 (en) * 2011-02-22 2015-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic projection method
CN103135360A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 Asml荷兰有限公司 掩模版组件、光刻设备、在光刻过程中的应用及投影两个或更多个像场的方法
US9140999B2 (en) 2011-11-22 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Reticle assembly, a lithographic apparatus, the use in a lithographic process, and a method to project two or more image fields in a single scanning movement of a lithographic process

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