JPWO2009150901A1 - 露光装置および露光方法 - Google Patents

Abstract

基板がその面内において不均一に変形した場合あっても、各光学系が露光する領域の位置合わせを精度良く行うことができる露光装置および露光方法を提供すること。露光対象物である基板５に露光を行うことができるステップ＆スキャン方式の走査型露光装置１であって、前記基板５の表面に形成されるアライメントマーク５２を検出可能な複数のマーク検出系２０と、それぞれ所定の投影領域Ｆ１〜Ｆ７に光エネルギを照射できる複数の投影光学系１５と、を備え、前記マーク検出系２０は、隣り合う前記投影光学系１５どうしの間および前記複数の投影光学系１５の両端に配設される。

Description

本発明は、露光装置および露光方法に関するものであり、特に好適には、液晶表示パネル用の基板などフォトリソグラフィ法を用いて製造するプロセスにおいて用いられる露光装置および露光方法に関するものである。

一般的な液晶表示パネルは、一対の基板を有し、これらの基板が所定の微小な間隔をおいて略平行に対向するように配設される。そしてこれらの基板の間に液晶が充填されるという構成を有する。これらの一対の基板の一方には、液晶に所定の電圧を印加できる絵素電極、この絵素電極を駆動するスイッチング素子（例えば薄膜トランジスタ）、信号線や走査線などの各種配線といった、所定の要素が所定の順序で積層して形成される。また、一対の基板の他方には、ブラックマトリックス、所定の色の着色層、共通電極などの所定の要素が、所定の順序で積層するように形成される。

これらの薄膜トランジスタ、信号線や走査線などの各種配線、ブラックマトリックス、着色層などの要素には、フォトリソグラフィ法を用いて形成されるものがある。フォトリソグラフィ法には、所定のパターンの透光部と遮光部とが形成されたフォトマスクを通じて、基板の表面に塗布されたフォトレジスト材料に光エネルギ（露光光）を照射するプロセスが含まれる。

フォトリソグラフィ法で使用される露光装置は、フォトマスクを支持するマスクステージと、感光性材料が塗布された基板を支持する基板ステージと、所定のレンズなどを有する投影光学系と、を有する。そしてマスクステージと基板ステージを移動させながら、フォトマスクに形成されるパターンを、レンズなどを有する投影光学系を介して、基板表面に塗布された感光性材料に投影（転写）することができる。

このような露光装置には、マスクステージと基板ステージとが同期的に走査しながら、フォトマスクのパターンを連続的に基板の表面に塗布された感光性材料に投影（転写）する走査型の露光装置が知られている。走査型の露光装置には、複数の投影光学系を有し、これら複数の投影光学系が走査方向と直交する方向に直列的に配列されるとともに、各投影光学系の投影領域の端部（継部）どうしが重複するように配設される、いわゆるマルチレンズ方式の走査型の露光装置がある。マルチレンズ方式の走査型の露光装置によれば、良好な結像特性を維持しつつ、投影レンズを大型化せずに大きな露光領域を得ることができる。

露光装置を用いて露光を行う際には、基板表面にすでに形成されている所定のパターンに対して、次に形成するパターンを精度良く重ね合わせる必要がある。このため、基板を高精度に位置合わせ（アライメント）する。一般的には、基板に形成されるアライメントマークを用いて位置合わせが行われる。例えば、基板の被露光領域の外部に形成されるアライメントマークに基づいて露光位置の位置合わせを行う。また、アライメントマークの位置から露光領域の変形量を算出する。そして算出した変形量に基づいて、基板表面の感光性材料に投影するパターンの伸縮、回転やシフトなどを行う。このような構成によれば、基板が熱などによって変形した場合であっても、変形量が制御範囲内であれば基板の変形に追従して露光を行うことができる。

ところで、このような露光装置においては、次のような問題点が発生するおそれがある。マザーガラスが大型化すると、マザーガラスの温度の面内分布が不均一となり、この結果、マザーガラスの熱膨張による変形量が、面内において不均一となることがある。このような場合には、被露光領域の外形の位置合わせおよび外形の変形量の算出のみでは、変形量の不均一に追従することができず、露光の位置の精度が低下するおそれがある。

特に、変形量の面内分布が不均一となると、例えば、ある特定の光学系は精度良く露光できるが、他の特定の光学系は精度良く露光できないという場合が生じうる。そうすると、本来であれば露光対象領域の全域にわたって連続的に形成されるべきパターンが、各光学系が露光する領域の境界で不連続となることがある。その結果、完成した表示パネルを用いて画像の表示を行うと、画面上に筋状のムラが現れることがある。このような筋状のムラの発生は、表示パネルの表示品位を低下させることになるから、できる限り防止または抑制することが好ましい。しかしながら、液晶表示パネルの製造工程においては、近年のマザーガラスの大型化に伴い、このような問題が発生しやすい状況になっている。

特開２００７−３０４５４６号公報

上記実情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、基板がその面内において不均一に変形した場合あっても、各光学系が露光する領域の位置合わせを精度良く行うことができる露光装置および露光方法を提供することである。

前記課題を解決するため、本発明は、露光対象物である基板に露光を行うことができるステップ＆スキャン方式の走査型露光装置であって、前記基板の表面に形成されるアライメントマークを検出可能な複数のマーク検出系と、それぞれ所定の投影領域に光エネルギを照射できる複数の投影光学系と、を備え、前記マーク検出系は、隣り合う前記投影光学系どうしの間および前記複数の投影光学系の両端に配設されることを要旨とするものである。

前記露光対象物に設定されるある一の投影領域と該一の投影領域に隣接する他の一の投影領域に露光を行う際に、前記ある一の投影領域と他の一の投影領域との間に設けられるアライメントマークを共用して前記ある一の投影領域と前記他の一の投影領域の位置決めを行うことが好ましい。

本発明は、前記露光対象物に設定されるある一の投影領域と該一の投影領域に隣接する他の一の投影領域に露光を行う際に、前記ある一の投影領域と他の一の投影領域との間に設けられるアライメントマークを共用して前記ある一の投影領域と前記他の一の投影領域の位置決めを行うことを要旨とするものである。

本発明によれば、各投影光学系が露光する投影領域ごとに、当該投影領域の位置、寸法、形状、傾き、縮尺などを調整することができる。したがって、このような構成によれば、露光対象物である基板が変形したとしても、高い精度で露光を行うことができる。特に各投影光学系が露光する投影領域ごとに露光位置などを調整できるから、基板がその面内において不均一に変形したとしても、投影領域ごとに変形に追従して露光を行うことができる。

また、隣り合う投影領域は、それらの間に形成されるアライメントマークを共用することができる。したがって、アライメントマークを検出するマーク検出系の数は、（投影光学系の数＋１）でよいから、マーク検出系の数の増加を抑制または防止することができる。

本発明の実施形態にかかる露光装置の概略構成を、模式的に示した図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図である。 複数の投影光学系により光エネルギ（露光光）が投影される投影領域の形状、各投影光学系により光エネルギ（露光光）が投影される投影領域の互いの位置関係およびマーク検出系が撮像する位置と投影領域の位置関係を、模式的に示した平面図である。 露光対象物である基板の構成、露光対象となる領域、各投影光学系により光エネルギが照射される投影領域およびマーク検出系が撮像する位置（換言すると、マーク検出系により検出されるアライメントマークの位置）を、模式的に示した平面図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置１の概略構成を、模式的に示した図である。それぞれ、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は正面図である。本発明の実施形態にかかる露光装置１は、いわゆるマルチレンズスキャン方式の露光装置である。すなわち、本発明の実施形態にかかる露光装置１は、露光対象物である基板５に光エネルギ（露光光）を照射できる複数の投影光学系１５を備える。そして、基板５（具体的には、表面に感光性材料が塗布された基板）を走査しつつ、各投影光学系１５が基板５（の表面の感光性材料）に露光を行うことができる。

図１に示すように、本発明の実施形態にかかる露光装置１は、照明ユニット１１と、所定の数の複数の照明系モジュール１２と、フォトマスク１３と、マスクステージ１４と、マスクステージ駆動部１７と、所定の数の複数の投影光学系１５と、所定の数の複数のアライメントマーク検出系２０と、基板ステージ１６と、基板ステージ駆動部１８と、制御ユニット１９とを備える。

照明ユニット１１は、マスクステージ１４に支持されているフォトマスク１３に、光エネルギ（露光光）を照射することができる。この照明ユニット１１には、従来一般の構成を有するレンズスキャン方式の露光装置の照明ユニットと同じ構成のものが適用できる。したがって、照明ユニット１１の詳細な説明は省略する。構成の一例を簡単に説明すると、この照明ユニット１１は、光源と、集光鏡と、ダイクロイックミラーと、波長選択フィルタと、ライトガイドと、その他所定の部材とを備える。光源は所定の波長の光エネルギ（露光光）を射出することができる。この光源には、超高圧水銀ランプなどが適用できる。集光鏡は、光源から射出された光エネルギ（露光光）を集光することができる。ダイクロイックミラーは、集光鏡が集光した光エネルギ（露光光）のうち、露光に必要な波長の光エネルギ（露光光）を反射し、他の波長の光エネルギ（露光光）を透過する。波長選択フィルタは、ダイクロイックミラーが反射した光エネルギ（露光光）のうち、さらに露光に必要な波長の光エネルギ（露光光）を透過させることができる。ライトガイドは、波長選択フィルタを透過した光エネルギ（露光光）を、所定の複数の数に分岐する。

各照明系モジュール１２は、照明ユニット１１のライトガイドにより分岐された光エネルギ（露光光）のそれぞれの照射を受け、それぞれフォトマスク１３の表面に光エネルギを照射する。これらの照明系モジュール１２には、従来一般のステップ＆スキャン方式の露光装置の照明系モジュールと同じ構成のものが適用できる。たとえば、各照明系モジュール１２は、照明シャッタ、リレーレンズ、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ、コンデンサレンズなどを備える。照明シャッタは、光エネルギ（露光光）の光路に対して進退自在に配設されており、光路に配置されたときには光エネルギ（露光光）を遮断し、光路から退避したときには、光エネルギ（露光光）を通過させる。これにより、光エネルギ（露光光）の通過と遮断を切り替えることができる。これら複数の照明系モジュール１２のそれぞれから射出した光は、それぞれフォトマスク１３の異なる領域を照明する。

フォトマスク１３は、石英ガラスなどからなる板状の光学部材であり、光エネルギ（露光光）を透過可能な透光部と、光エネルギ（露光光）を遮断する遮光部とが形成される。これらの透光部と遮光部とは、それぞれ所定のパターンに形成される。これらの透光部と遮光部のパターンが、露光対象物である基板５の表面（に塗布される感光性材料）に投影（転写）される。

マスクステージ１４は、フォトマスク１３を支持することができるステージである。このマスクステージ１４は、所定の方向に走査露光を行うことができるように、所定の走査方向Ａに移動可能である。また、走査方向Ａに略直角の方向にも移動可能である。さらにこのマスクステージ１４は、上下方向にも微動可能であるとともに、上下方向を回転軸とする回転方向にも微動可能である。マスクステージ駆動部１７は、マスクステージ１４を前記各方向に移動・微動させるためのモータなどを有する。このマスクステージ駆動部１７は、制御ユニット１９により制御される。このマスクステージ１４およびマスクステージ駆動部１７には、従来一般のステップ＆スキャン方式の露光装置におけるマスクステージおよびマスクステージ駆動部と同じ構成のものが適用できる。したがって、詳細な説明は省略する。

投影光学系１５は、フォトマスク１３に形成される透光部および遮光部のパターンを、露光対象物である基板５の表面に結像させ、これにより、基板５の表面に塗布される感光性材料に、フォトマスク１３の透光部および遮光部のパターンを投影（転写）することができる。この投影光学系１５には、従来一般のレンズスキャン方式の露光装置における投影光学系と同じ構成のものが適用できる。したがって、詳細な説明は省略する。簡単に説明すると、投影光学系１５は、たとえば光エネルギ（露光光）の結像特性（結像位置、拡大・縮小、回転、変形など）を調整するレンズシフタ、投影像Ｅ（「投影像」とは、一つの投影光学系により露光される写像をいうものとする）を設定する視野絞り、光エネルギ（露光光）を基板の表面に結像させる対物レンズ、その他所定の光学素子などを備えている。そして、これらレンズシフタ、視野絞り、対物レンズ、その他所定の光学素子などは、鏡筒の内部に配設される。

レンズシフタは、光エネルギ（露光光）の光路上に配設される光学素子である。このレンズシフタの姿勢を調整することによって、光エネルギ（露光光）の光路を調整することができる。そして、光エネルギ（露光光）の光路を調整することによって、露光対象物である基板５の表面に結像される投影像Ｅのシフト（位置、変位）、スケーリング（拡大、縮小）、ローテーション（回転）、変形などの調整を行うことができる。

これらの複数の投影光学系１５は、フォトマスク１３および露光対象物である基板５の走査方向Ａに略直角な方向に沿って、略千鳥状に配設されている。図２は、複数の投影光学系１５により光エネルギ（露光光）が投影される投影像Ｅの形状、各投影光学系１５により光エネルギ（露光光）が投影される投影像Ｅの互いの位置関係およびマーク検出系２０が撮像する位置と各投影像Ｅの位置関係を、模式的に示した平面図である。図２に示すように、一つの投影光学系１５により光エネルギ（露光光）が投影される投影像Ｅは、略台形になるように設定される。そして、各投影光学系１５により光エネルギ（露光光）が投影される投影像Ｅが、走査方向Ａに略直角な方向に沿って、略千鳥状に並ぶように設定される。

さらに、光エネルギ（露光光）が投影される各投影像Ｅは、隣り合う領域の端部（台形の斜辺にあたる領域。継部）どうしが、走査方向Ａに略直角な方向に沿って、互いに重なり合うように設定される。このように設定されることにより、走査方向Ａに沿って走査露光したときに、継部と、継部でない領域とで、露光量を略等しくすることができる。また、各投影光学系１５による光エネルギ（露光光）が投影される投影像Ｅのそれぞれが重なり合う領域（継部）を設ける設定とすることにより、隣り合う領域間における光学収差の変化や露光量の変化を滑らかにすることができる。

図１に戻って説明すると、基板ステージ１６は、露光対象物である基板５（表面に感光性材料が塗布された基板）を支持することができる。たとえば基板ホルダ（図略）によって露光対象物である基板５を基板ステージ１６上に支持することができる。この基板ステージ１６は、マスクステージ１４と同様に、所定の走査方向Ａに走査露光を行うことができるように、所定の走査方向Ａに移動可能である。また、走査方向Ａに直角な方向にも移動可能である。

基板ステージ駆動部１８は、前記のように基板５を移動させることができる。この基板ステージ駆動部１８は、基板ステージ１６を駆動できるモータなどを有する。この基板ステージ駆動部１８は、制御ユニット１９によって制御される。

マスクステージ駆動部１７および基板ステージ駆動部１８は、制御ユニット１９により、それぞれ独立して制御される。このため、マスクステージ１４および基板ステージ１６は、それぞれマスクステージ駆動部１７と基板ステージ駆動部１８による駆動のもとに、独立して移動可能である。制御ユニット１９は、マスクステージ１４および基板ステージ１６の位置をモニタリングしながら、マスクステージ駆動部１７および基板ステージ駆動部１８を制御する。これにより、フォトマスク１３と露光対象物である基板５とを、照明ユニット１１および投影光学系１５に対して、任意の速度で所定の方向に同期的に移動させることができる。

このように、本発明の実施形態にかかる露光装置１は、照明ユニット１１および投影光学系１５に対して、フォトマスク１３（を支持するマスクステージ１４）および露光対象物である基板５（を支持する基板ステージ１６）を走査方向Ａに同期的に移動させることができる。そして、フォトマスク１３に光エネルギ（露光光）を照射し、フォトマスク１３に形成される透光部および遮光部のパターンを、投影光学系１５を通じて基板５の表面（に塗布される感光性材料）に投影（転写）することができる。

本発明の実施形態にかかる露光装置１は、（投影光学系１５の数＋１）個のマーク検出系２０を備える。そしてこれらのマーク検出系２０は、投影光学系１５の配列方向に沿って、隣り合う投影光学系１５の間と、両端の投影光学系１５の外側とに、略直列に配列される。すなわち図２に示すように、各投影光学系１５の投影像Ｅどうしの継部（の走査方向Ａに沿った延長線上）に位置する所定の領域と、走査方向Ａに略直角な方向の両端の投影像Ｅの外側に位置する所定の領域とを撮像できるように設定される。

そして、各マーク検出系２０により撮像できる領域は、走査方向Ａに略直角な方向に直列的に配設される。なお、図２においては、千鳥状に配列する投影像Ｅの外側の領域を撮像する設定を示したが、各投影像Ｅに挟まれる領域を撮像する構成であってもよい。また、マーク検出系２０が撮像する領域が、直列的に（一列に）配列するように設定される構成を示したが、必ずしも直列的に配列する領域を撮像する構成でなくともよい。要は、投影像Ｅどうしの継部（の走査方向Ａに沿った延長線上）にある所定の領域を撮像できる構成であればよい。

これらの各マーク検出系２０は、基板５に形成されるアライメントマーク５２に対向できるように配設される。そして各マーク検出系２０は、基板５に形成されるアライメントマーク５２を検出できる。

本発明の実施形態にかかる露光装置１の各マーク検出系２０には、従来一般のレンズスキャン方式の露光装置におけるマーク検出系と同じ構成のものが適用できる。したがって、詳細な説明は省略する。たとえばマーク検出系２０は、アライメント用の光源と、撮像手段とを備える。アライメント用の光源には、所定の波長の検出光を射出することができるハロゲンランプなどが適用できる。撮像手段には、公知の各種ＣＣＤカメラなどが適用できる。撮像手段は、撮像した画像データを制御ユニット１９に伝送し、制御ユニット１９は、この画像データに基づいて画像処理を行い、撮像したアライメントマーク５２の位置情報を算出する。

図３は、露光対象物である基板５の構成、露光対象となる領域、各投影光学系１５により光エネルギが照射される投影領域Ｆ（「投影領域」とは、一つの投影光学系１５により光エネルギが照射される領域をいうものとする）およびマーク検出系２０が撮像する位置（換言すると、マーク検出系２０により検出されるアライメントマーク５２の位置）を、模式的に示した平面図である。なお、露光対象となる領域５３は、全体として複数の投影領域Ｆからなる。なお、図３においては、一つの露光対象となる領域が七つの投影領域Ｆ（Ｆ_１〜Ｆ_７）を有する構成を示す。そして隣り合う投影領域Ｆは、一部が重なり合っている。この重なり合っている部分が継部である。

図３に示すように、各投影領域Ｆ_１〜Ｆ_７は、走査方向Ａに細長い帯状の領域である。そして複数（本実施形態においては７つ）の投影領域Ｆ_１〜Ｆ_７が、走査方向Ａに直角の方向に並んでいる。ここで、隣り合う投影領域Ｆ_１〜Ｆ_７どうしは、互いに一部が重なり合っている（この重なり合っている部分が継部である）。

露光対象物である基板５（表面に感光性材料が塗布された基板５）には、露光の際の位置合わせなどに用いられる複数のアライメントマーク５２が形成される。具体的には図３に示すように、露光対象となる領域５３の外側であって、各投影領域Ｆ_１〜Ｆ_７の四隅近傍に形成される。換言すると、露光対象となる領域５３の外側であって、隣り合う投影領域Ｆ_１〜Ｆ_７どうしの継部の略延長線上と、両端の投影領域Ｆ_１、Ｆ_７の露光対象となる領域外側の辺（走査方向Ａに平行な辺）の延長線上とに形成される。したがって、全体として、露光対象となる領域５３の走査方向Ａ両端外側に、それぞれ、（投影領域Ｆ_１〜Ｆ_７の数＋１）このアライメントマーク５２（５２ａ〜５２ｈ、５２ｉ〜５２ｐ）が形成される。そしてこれらのアライメントマーク５２（５２ａ〜５２ｈ、５２ｉ〜５２ｐ）は、走査方向Ａに略直角な方向に沿って、直列的に配列される。なお、各アライメントマーク５２の形状としては、略Ｘ字状の形状のマークが好適に適用できるが、このほかの形状、たとえば円形状のマークや略方形のマークであってもよい。

このような構成によれば、たとえば投影領域Ｆ_１は、その四隅外側に形成される四個のアライメントマーク５２ａ、５２ｂ、５２ｉ、５２ｊにより、位置決めおよび投影領域Ｆ_１の形状の算出を行うことができる。同様に、投影領域Ｆ_２は、その四隅外側に形成される四個のアライメントマーク５２ｂ、５２ｃ、５２ｊ、５２ｋにより、位置決めおよび投影領域Ｆ_２の形状の算出を行うことができる。

このように、互いに隣り合う投影領域Ｆどうしは、その間に形成されるアライメントマークを共用することができる。たとえば、投影領域Ｆ_１と投影領域Ｆ_２は、アライメントマーク５２ｂ、５２ｊを共用できる。また、投影領域Ｆ_２と投影領域Ｆ_３は、アライメントマーク５２ｃ、５２ｋを共用できる。このため、投影領域Ｆごとに、露光の位置合わせおよび投影領域Ｆの形状の算出などを行うことができる。この際、アライメントマークを共用できるから、マーク検出系２０の数の増加を抑制することができる。したがって、たとえば基板の温度分布の不均一に起因する変形量の不均一が生じたとしても、各投影領域Ｆごとに位置決めおよび変形量の算出を行うことができる。このため、撮像手段の数の増加を抑制しつつ、露光の位置決め精度の向上を図ることができる。

次に、アライメント処理および露光処理の動作の一例について説明する。

制御ユニット１９は基板ステージ１６を移動させ、各マーク検出系２０を、露光対象となる領域５３の走査方向Ａの一端側に形成されている各アライメントマーク５２（５２ａ〜５２ｈ）に対向させる。本発明の実施形態においては、マーク検出系２０の配設間隔に基づいて基板に形成されるアライメントマーク５２の間隔が設定されている。したがって、基板５を所定の位置に移動させると、各マーク検出系２０は、それぞれ同時に所定のアライメントマーク５２（５２ａ〜５２ｈ）に対向する。そしてマーク検出系２０は、それぞれ所定のアライメントマーク５２（５２ａ〜５２ｈ）を検出する。

次いで、制御ユニット１９は、基板ステージ１６を走査方向Ａに移動させ、露光対象となる領域５３の走査方向Ａの他端に形成されているアライメントマーク５２（５２ｈ〜５２ｎ）に対向させる。そして各マーク検出系２０は、それぞれ同時に所定のアライメントマーク５２（５２ｉ〜５２ｐ）を検出する。

このようにして制御ユニット１９は、各投影領域Ｆ（Ｆ_１〜Ｆ_７）のそれぞれについて、各投影領域Ｆの四隅外側に形成される４つのアライメントマーク５２を検出する。そして各アライメントマーク５２の位置情報を算出し、算出したアライメントマーク５２の位置情報に基づいて、各投影領域Ｆ（Ｆ_１〜Ｆ_７）の寸法、形状を算出する。さらにこの算出結果に基づいて、各投影光学系１５が投影するパターンのシフト量、スケーリング量、回転量などの補正データを算出する。

次に、制御ユニット１９は、算出した補正パラメータに基づいて、各投影光学系１５の像特性を補正し、投影領域Ｆ（Ｆ_１〜Ｆ_７）に対して露光する。具体的には、マスクステージ１４と基板ステージ１６を同期的に走査方向Ａに移動させつつ、各投影光学系１５がそれぞれ所定の投影領域Ｆ（Ｆ_１〜Ｆ_７）に対して露光を行う。

すなわち、制御ユニット１９は、投影光学系１５と露光対象となる領域５３の走査方向Ａの一端部とが対向するように基板ステージ１６を移動させる。同時に制御ユニット１９はマスクステージ１４も露光対象となる領域５３の走査方向Ａの一端部に移動させ、基板５に対してフォトマスク１３の位置合わせを行う。そして、フォトマスク１３と露光対象物である基板５とを投影光学系１５に対して走査方向Ａに同期的に移動しつつ、フォトマスク１３と照明ユニット１１（照明系モジュール１２）で照射することにより、投影領域Ｆに対して露光処理が行われる。ここで、あらかじめ求めておいた補正パラメータに基づいて、レンズシフタの姿勢を調整しつつ、走査露光が行われる。

このような構成によれば、たとえば基板の温度分布の不均一に起因する変形量の不均一が生じたとしても、投影領域Ｆごとに位置決めおよび変形量の算出を行うことができる。このため、露光の位置決め精度の向上を図ることができる。

なお、上記実施形態における露光装置は、互いに隣接する複数の投影光学系を有する、所謂マルチレンズスキャン型露光装置であるが、投影光学系が１つである走査型露光装置ついても、本発明を適用することができる。更には、走査型露光装置に限らず、一括型露光装置（所謂ステッパ）について本発明を適用することももちろん可能である。

Claims (3)

1. 露光対象物である基板に露光を行うことができるステップ＆スキャン方式の露光装置であって、前記基板の表面に形成されるアライメントマークを検出可能な複数のマーク検出系と、それぞれ所定の投影領域に光エネルギを照射できる複数の投影光学系と、を備え、前記マーク検出系は、隣り合う前記投影光学系どうしの間および前記複数の投影光学系の両端に配設されることを特徴とする露光装置。
2. 前記露光対象物に設定されるある一の投影領域と該一の投影領域に隣接する他の一の投影領域に露光を行う際に、前記ある一の投影領域と他の一の投影領域との間に設けられるアライメントマークを共用して前記ある一の投影領域と前記他の一の投影領域の位置決めを行うことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記露光対象物に設定されるある一の投影領域と該一の投影領域に隣接する他の一の投影領域に露光を行う際に、前記ある一の投影領域と他の一の投影領域との間に設けられるアライメントマークを共用して前記ある一の投影領域と前記他の一の投影領域の位置決めを行うことを特徴とする露光方法。

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