JP2004363590A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】照射システムと、パターン化手段と、基板テーブルと、投影システムと、検出器と、制御器とから構成される。露光及び位置合わせモジュール15は、検出器ユニット16と露光ユニット17から構成され、基板が露光及び位置合わせモジュールの真下で走査されるとき、検出器ユニット16が基板10上の位置合わせ標識を検査する。基板10のそれぞれの部分に関して検査器ユニット16によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット17に伝達可能であり、基板が露光ユニット17の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。
【選択図】図2a
Description
放射の投影ビームを供給するための照射システムと、
投影ビームの断面にパターンを与える役割を果たすパターン化手段と、
基板を支持するための基板テーブルと、
パターン化したビームを基板の標的部分の上に投影するための投影システムと、
投影システムがパターン化したビームを基板上に投影するための位置に基板がある間に、基板を検査するための検出器と、
検出器からの情報に応答して、基板上に投影されたパターンの基板に対する位置、基板上に投影されたパターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整するための制御器とを備え、
検出器が基板の複数の部分を基板の全幅にわたって同時に検査するための複数のセンサを有し、さらにパターン化手段及び投影システムが基板の全幅を露光するように配置され、それによって本装置に対する基板の1回の通過で基板を検査しかつ露光することができる、リソグラフィ装置が提供される。
放射の投影ビームを供給するための照射システムと、
投影ビームの断面にパターンを与える役割を果たすパターン化手段と、
基板を支持するための基板テーブルと、
パターン化したビームを基板の標的部分の上に投影するための投影システムと、
投影システムがパターン化したビームを基板上に投影するための位置に基板がある間に、基板の部分を検査するための検出器と、
検出器からの情報に応答して、基板上に投影されたパターンの基板に対する位置、基板上に投影されたパターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整するための制御器とを備え、
検出器が、先行する処理工程によって作成された、基板上に形成されているデバイスの機能形状構成を検査する、リソグラフィ装置が提供される。
放射の投影ビームを供給するための照射システムと、
投影ビームの断面にパターンを与える役割を果たすパターン化手段と、
基板を支持するための基板テーブルと、
パターン化したビームを基板の標的部分の上に投影するための投影システムと、
投影システムがパターン化したビームを基板上に投影するための位置に基板がある間に、基板の部分を検査するための検出器とを備え、
検出器からの情報に応答して基板上に投影されたパターンの倍率を調整するための制御器をさらに備える、リソグラフィ装置が提供される。
基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射の投影ビームを供給する工程と、
投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターン化手段を使用する工程と、
放射のパターン化したビームを基板の標的部分上に投影する工程と、
投影システムがパターン化したビームを基板上に投影するための位置に基板がある間に、基板の部分を検査するために検出器を使用する工程と、
検出器からの情報に応答して、基板上に投影されたパターンの基板に対する位置、基板上に投影されたパターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整する工程とを含み、
検出器が基板の複数の部分を基板の全幅にわたって同時に検査するための複数のセンサを有し、さらにパターン化手段及び投影システムが基板の全幅を露光するように配置され、さらに
本装置に対する基板の1回の通過において、基板を検査しかつ基板上にパターンを露光する工程をさらに含む、方法が提供される。
基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射の投影ビームを供給する工程と、
投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターン化手段を使用する工程と、
放射のパターン化したビームを基板の標的部分上に投影する工程と、
−影システムがパターン化したビームを基板上に投影するための位置に基板がある間に、基板の部分を検査するために検出器を使用する工程と、
検出器からの情報に応答して、基板上に投影されたパターンの基板に対する位置、基板上に投影されたパターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整する工程とを含み、
検出器が、先行する処理工程によって作成された、基板上に形成されているデバイスの機能形状構成を検査する、方法が提供される。
基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射の投影ビームを供給する工程と、
投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターン化手段を使用する工程と、
放射のパターン化したビームを基板の標的部分上に投影する工程と、
投影システムがパターン化したビームを基板上に投影するための位置に基板がある間に、基板の部分を検査するために検出器を使用する工程と、
検出器からの情報に応答して、基板上に投影されたパターンの倍率を調整する工程とを含む方法が提供される。
プログラマブル・ミラー・アレイ。これは、粘弾性制御層及び反射表面を有するマトリックス駆動可能表面を備える。このような装置の背後にある基本原理は、(例えば、)反射表面のアドレス指定領域が、入射光を回折光として反射するのに対して、非アドレス指定領域は入射光を非回折光として反射するというものである。適切な空間フィルタを使用すると、前記の非回折光を反射ビームから取り除き、回折光のみを基板に達するように残すことが可能であり、このような方式では、ビームがマトリックス駆動可能表面のアドレス指定パターンにしたがってパターン化される。別法として、フィルタが回折光を取り除いて非回折光を基板に達するように残すことも可能であることが理解されよう。回折光学MEMS装置のアレイを対応する方式で使用することも可能である。それぞれの回折光学MEMS装置は、入射光を回折光として反射する格子を形成するために相互に対して変形可能な複数の反射リボンから構成される。プログラマブル・ミラー・アレイの別法による他の一実施例は微小ミラーのマトリックス配置を用いるものであり、それぞれの微小ミラーを、適切な局部電界の印加によって又は圧電駆動手段の使用によって、軸回りに個々に傾斜させることができる。この場合も、アドレス指定ミラーが入射する放射ビームを非アドレス指定ミラーとは異なる方向に反射するように、ミラーをマトリックス駆動可能であり、このような方式では、反射ビームをマトリックス駆動可能ミラーのアドレス指定パターンにしたがってパターン化する。必要なマトリックス駆動は適切な電子的手段を使用して実行可能である。以上に説明した両状況では、個別制御可能要素アレイが、1つ又は複数のプログラマブル・ミラー・アレイを含むことができる。本明細書で言及されるミラー・アレイに関するさらなる情報は、例えば、参照により本明細書に援用される米国特許第5,296,891号及び同第5,523,193号、並びにPCT特許出願国際公開第98/38597号及び同第98/33096号から収集可能である。
プログラマブルLCDアレイ。このような構造の一実施例が、参照により本明細書に援用される米国特許第5,229,872号に見られる。
放射(例えば、紫外線放射)の投影ビームPBを供給するための照射システム(照射器)IL。
投影ビームにパターンを与えるための個別制御可能要素アレイPPM(例えば、プログラマブル・ミラー・アレイ)。一般に個別制御可能要素アレイの位置を要素PLに対して固定するが、このアレイは、その代わりに、アレイを要素PLに対して正確に位置決めするための位置決め手段に連結可能である。
基板(例えば、レジストが塗布されているウェハ)Wを支持し、かつ基板を要素PLに対して正確に位置決めするための位置決め手段PWに連結された基板テーブル(例えば、ウェハ・テーブル)WT。
個別制御可能要素アレイPPMによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの標的部分C(例えば、1つ又は複数のダイを含む)の上に描画するための投影システム(「レンズ」)PL。この投影システムは個別制御可能要素アレイを基板上に描画可能である。別法として、投影システムは2次放射源を描画することも可能であり、その放射源のために個別制御可能要素アレイの要素がシャッタとしての役目をする。投影システムはまた、例えば、2次放射源を形成しかつ微小スポットを基板上に描画するために、微小レンズ・アレイ(MLAとして知られる)又はフレネル・レンズ・アレイなどの合焦要素のアレイを含むことができる。
1.ステップ方式。個別制御可能要素アレイがパターン全体を投影ビームに与えるが、この投影ビームは1回の試み(すなわち、単一の静的露光)で標的部分Cの上に投影される。次いで、異なる標的部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動する。ステップ方式では、露光範囲の最大サイズが単一静的露光で描画される標的部分Cのサイズを限定する。
2.走査方式。投影ビームPBに個別制御可能要素アレイ上を走査させるように、個別制御可能要素アレイは、速度vで所与の方向(いわゆる「走査方向」、例えば、Y方向)に移動可能であり、同時に並行して、基板テーブルWTを速度V=Mv(MはレンズPLの倍率)で同方向又は逆方向に移動させる。走査方式では、露光範囲の最大サイズが単一動的露光における標的部分の幅(非走査方向における)を限定するのに対して、走査の移動長さが標的部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.パルス方式。個別制御可能要素アレイを基本的に静止状態に保ち、パルス放射源を使用してパターン全体を基板の標的部分Cの上に投影する。投影ビームPBに基板Wを横切る線を走査させるように、基板テーブルWTを基本的に一定の速度で移動させる。個別制御可能要素アレイ上のパターンは、必要に応じて放射システムのパルスとパルスの合間に更新され、これらのパルスは、連続的な標的部分Cを基板上の必要な箇所に露光するようにタイミングを合わせる。したがって、投影ビームは、基板の細い帯ごとに露光してパターン全体を露光するために基板W上を横切って走査することができる。この過程は、線を1本1本露光して基板全体を露光し終えるまで反復される。
4.連続走査方式。実質的に一定の放射源を使用し、また投影ビームが基板を横切って走査しかつそれを露光するときに個別制御可能要素アレイ上のパターンを更新する以外は、パルス方式と基本的に同じである。
Claims (19)
- リソグラフィ装置であって、
放射の投影ビームを供給するための照射システムと、
前記投影ビームの断面にパターンを与える役割を果たすパターン化手段と、
基板を支持するための基板テーブルと、
前記パターン化したビームを前記基板の標的部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムが前記パターン化したビームを前記基板上に投影するための位置に前記基板がある間に、前記基板を検査するための検出器と、
前記検出器からの情報に応答して、前記基板上に投影された前記パターンの前記基板に対する位置、前記基板上に投影された前記パターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整するための制御器とを備え、
前記検出器が前記基板の複数の部分を前記基板の全幅にわたって同時に検査するための複数のセンサを有し、さらに前記パターン化手段及び前記投影システムが前記基板の全幅を露光するように配置され、それによって前記装置に対する前記基板の1回の通過で前記基板を検査しかつ露光することができる、リソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
放射の投影ビームを供給するための照射システムと、
前記投影ビームの断面にパターンを与える役割を果たすパターン化手段と、
基板を支持するための基板テーブルと、
前記パターン化したビームを前記基板の標的部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムが前記パターン化したビームを前記基板上に投影するための位置に前記基板がある間に、前記基板の部分を検査するための検出器と、
前記検出器からの情報に応答して、前記基板上に投影された前記パターンの前記基板に対する位置、前記基板上に投影された前記パターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整するための制御器とを備え、
前記検出器が、先行する処理工程によって作成された、前記基板上に形成されているデバイスの機能形状構成を検査する、リソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
放射の投影ビームを供給するための照射システムと、
前記投影ビームの断面にパターンを与える役割を果たすパターン化手段と、
基板を支持するための基板テーブルと、
前記パターン化したビームを前記基板の標的部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムが前記パターン化したビームを前記基板上に投影するための位置に前記基板がある間に、前記基板の部分を検査するための検出器とを備え、
前記検出器からの情報に応答して、前記基板上に投影された前記パターンの倍率を調整するための制御器をさらに備える、リソグラフィ装置。 - 前記検出器が、前記基板の前記部分を検査する工程から、1つ又は複数の方向における前記検出器に対する前記基板の前記部分の位置及び/又は配向の少なくとも1つと、標準尺に対する前記基板の前記部分の膨張/収縮とを測定する、請求項1、2、又は3に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記投影システムに対する前記検出器の位置が実質的に固定されかつ知られている、請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記投影システムに対する前記検出器の位置を監視するための位置センサをさらに備える、請求項1から5のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記基板の異なる領域を連続的に露光するために、前記投影システム及び前記検出器に対して前記基板を移動させる位置決め手段をさらに備え、
前記所与の領域が露光される前に、前記検出器が前記基板の前記領域を検査するように配置されている、請求項1から6のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記基板が、一連の複数の露光を通じて又は露光時に、前記投影システム及び前記検出器に対して前記基板を実質的に一定の速度で移動するように構成されている、請求項1から7のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記投影システム及び/又は前記パターン化手段及び/又は前記基板の少なくとも1つを物理的に移動させることによって、かつ前記露光のタイミングを調整することによって、前記基板上に投影されたパターンの位置を調整する、請求項1から8のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記パターン化手段が個別制御可能要素アレイを含む、請求項1から9のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記基板上に投影されたパターンの位置が、パターンを前記個別制御可能要素アレイ上に設定するタイミングの調整及び前記個別制御可能要素アレイ上に設定されている前記パターンの位置の電子的調整の少なくとも1つによって調整される、請求項10に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記基板上に投影されたパターンの倍率が、前記個別制御可能要素アレイ上に設定された前記パターンを電子的に調整することによって調整される、請求項10に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記パターン化手段が、相互に離間して設定された複数の個別制御可能要素アレイを含み、さらに
前記個別制御可能要素アレイの少なくとも1つのアレイに対応して、前記制御器が、前記基板上に投影された前記パターンの位置、前記基板上に投影された前記パターンの倍率、及び前記最適焦点像平面の少なくとも1つを別個に調整することができる、請求項1から12のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記検出器が、相互に離間して設定された、前記基板の複数の部分を同時に検査するための複数のセンサを有する、請求項1から13のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記検出器が前記基板上の位置合わせ標識を検査する、請求項1から14のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記検出器が、先行する処理工程によって作成された、前記基板上に形成されているデバイスの形状構成を検査する、請求項1から15のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
- デバイスを製造する方法であって、
基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射の投影ビームを供給する工程と、
前記投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターン化手段を使用する工程と、
前記放射のパターン化したビームを前記基板の標的部分上に投影する工程と、
前記投影システムが前記パターン化したビームを前記基板上に投影するための位置に前記基板がある間に、前記基板の部分を検査するために検出器を使用する工程と、
前記検出器からの情報に応答して、前記基板上に投影された前記パターンの前記基板に対する位置、前記基板上に投影された前記パターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整する工程とを含み、
前記検出器が前記基板の複数の部分を前記基板の全幅にわたって同時に検査するための複数のセンサを有し、さらに前記パターン化手段及び前記投影システムが前記基板の全幅を露光するように配置され、さらに
前記装置に対する前記基板の1回の通過で、前記基板を検査しかつ前記基板上にパターンを露光する工程をさらに含む、方法。 - デバイスを製造する方法であって、
基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射の投影ビームを供給する工程と、
前記投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターン化手段を使用する工程と、
前記放射のパターン化したビームを前記基板の標的部分上に投影する工程と、
前記投影システムが前記パターン化したビームを前記基板上に投影するための位置に前記基板がある間に、前記基板の部分を検査するために検出器を使用する工程と、
前記検出器からの情報に応答して、前記基板上に投影された前記パターンの前記基板に対する位置、前記基板上に投影された前記パターンの倍率、及び最適焦点像平面の少なくとも1つを調整する工程とを含み、
前記検出器が、先行する処理工程によって作成された、前記基板上に形成されているデバイスの機能形状構成を検査する、方法。 - デバイスを製造する方法であって、
基板を提供する工程と、
照射システムを使用して放射の投影ビームを供給する工程と、
前記投影ビームの断面にパターンを与えるためにパターン化手段を使用する工程と、
前記放射のパターン化したビームを前記基板の標的部分上に投影する工程と、
前記投影システムが前記パターン化したビームを前記基板上に投影するための位置に前記基板がある間に、前記基板の部分を検査するために検出器を使用する工程と、
前記検出器からの情報に応答して、基板上に投影されたパターンの倍率を調整する工程とを含む方法。
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