JPH08130181A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH08130181A
JPH08130181A JP6289154A JP28915494A JPH08130181A JP H08130181 A JPH08130181 A JP H08130181A JP 6289154 A JP6289154 A JP 6289154A JP 28915494 A JP28915494 A JP 28915494A JP H08130181 A JPH08130181 A JP H08130181A
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optical system
projection optical
mask
reference mark
exposure apparatus
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JP6289154A
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Manabu Toguchi
学 戸口
Kei Nara
圭 奈良
Masakazu Murakami
雅一 村上
Nobutaka Fujimori
信孝 藤森
Toshio Matsuura
敏男 松浦
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、投影露光装置において、簡単な構成
で、投影光学系の結像特性を最適な状態に容易に補正し
得るようにする。 【構成】マスクテーブル(10)及び基板テーブル(1
3)上のほぼ共役な位置関係にある所定位置に第1及び
第2の基準マーク(11及び14)をそれぞれ配し、照
明光学系(8)からの光束(9)で第1の基準マーク
(11)を照明することにより投影光学系(12)を介
して第2の基準マーク(14)上に投影した第1の基準
マーク(11)の像の第2の基準マーク(14)に対す
る位置ずれを位置ずれ検出手段(15)で検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置に関し、例
えば液晶表示基板を製造するための感光基板に大面積の
パターンを投影するものに適用し得る。
【0002】
【従来の技術】従来、投影式露光装置では、投影光学系
の結像特性をキヤリブレーシヨンするには、計測用パタ
ーンを予め定められた複数の位置に描いたマスク等の像
を感光基板上に露光する。次に、その像の位置を計測し
て得た理想位置からの位置ずれ量に基づいて投影光学系
の結像特性を変更(調整)していた。
【0003】また図13で示すように、投影光学系を介
してパターンの位置を計測する方式(いわゆるTTL方
式)を用いた場合には、露光用の照明光源1から発する
光束をフアイバ2等で基板テーブル3まで引き回し、基
板テーブル3から投影光学系4に入射する。投影光学系
4を透過した光束は、マスク5のパターン部分を透過し
て受光器6に入射する。受光器6が検出した光強度と基
板テーブル3の位置とに基づいて位置ずれ量を検出し、
この位置ずれ量に基づいて投影光学系の結像特性を変更
していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の計測
用パターンを描いたマスク等を用いて露光、現像及び計
測してキヤリブレーシヨンする方法では、露光、現像及
び計測にかかる労力と時間が大きく煩雑であると共に、
計測手段をも考慮する必要があるという問題があつた。
一方、TTL方式でキヤリブレーシヨンする方法では、
露光用の照明光束をフアイバ2等で引き回すことによ
り、照明回りや基板テーブル3の周辺の機構が複雑にな
るという欠点があつた。
【0005】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、簡単な構成で、投影光学系の結像特性を最適な状態
に容易に補正し得る投影露光装置を提案しようとするも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、一実施例を示す図1に対応付けて説明すると、請求
項1に記載の走査型露光装置では、照明光学系(8)か
らの光束(9)でマスクを照明し、該マスクの像を投影
光学系(12)を介して感光基板上に投影する投影露光
装置において、マスクを保持すると共に、投影光学系
(12)に対して所定の位置に配置されたマスクテーブ
ル(10)と、感光基板を保持すると共に、投影光学系
(12)に対して所定の位置に配置された基板テーブル
(13)と、マスクテーブル(10)上に配置された第
1の基準マーク(11)と、投影光学系(12)に対し
て第1の基準マーク(11)とほぼ共役な、かつマスク
及び感光基板の面内方向に対して第1の基準マーク(1
1)と所定の位置関係にある基板テーブル(13)上の
位置に配置された第2の基準マーク(14)と、照明光
学系(8)からの光束(9)を第1の基準マーク(1
1)に照射し、投影光学系(12)を介して第2の基準
マーク(14)上に第1の基準マーク(11)を投影し
た際の、第1の基準マーク(11)と第2の基準マーク
(14)との位置ずれを検出する位置ずれ検出手段(1
5)と、位置ずれに基づいて投影光学系(12)の結像
特性を補正する補正手段(20及び21)とを設けるよ
うにする。
【0007】請求項2に記載の走査型露光装置では、第
1及び第2の基準マーク(11及び14)は、光束
(9)を透過するスリツト状の開口であり、位置ずれ検
出手段(15)は、第2の基準マーク(14)を透過し
た光束(9)の光強度を検出する光電検出器である。請
求項3に記載の走査型露光装置では、投影露光装置は、
位置ずれ検出手段(15)による検出結果(S3)に基
づいて、マスクと感光基板とを位置決めする。
【0008】請求項4に記載の走査型露光装置では、第
1及び第2の基準マーク(11及び14)は、投影光学
系(12)に対して少なくとも2組配されている。請求
項5に記載の走査型露光装置では、投影光学系(12)
は複数配置され、照明されたマスクの複数の領域の像を
独立して複数の投影光学系(12)のそれぞれを介して
投影する。
【0009】
【作用】請求項1に記載の走査型露光装置では、マスク
テーブル(10)及び基板テーブル(13)上のほぼ共
役な位置関係にある所定位置に第1及び第2の基準マー
ク(11及び14)をそれぞれ配し、照明光学系(8)
からの光束(9)で第1の基準マーク(11)を照明す
ることにより投影光学系(12)を介して第2の基準マ
ーク(14)上に投影した第1の基準マーク(11)の
像の第2の基準マーク(14)に対する位置ずれを位置
ずれ検出手段(15)で検出することにより、簡単な構
成で、投影光学系(12)の結像特性を最適な状態に容
易に補正し得る。
【0010】請求項2に記載の走査型露光装置では、第
2の基準マーク(14)に結像する像の光強度がピーク
のときのマスクテーブル(10)の位置を検出して位置
ずれを検出し得る。請求項3に記載の走査型露光装置で
は、位置決めの際、投影光学系(12)だけで調整が不
足するずれ成分をマスクと感光基板とで調整し得る。
【0011】請求項4に記載の走査型露光装置では、投
影光学系(12)のX及びY方向の位置ずれに加えて、
光軸回りの回転位置のずれ等を補正すると共に、第1及
び第2の基準マーク(11及び14)の組数を多くする
に従つて補正の精度を向上させ得る。請求項5に記載の
走査型露光装置では、複数の投影光学系(12)のそれ
ぞれが投影するマスクの像を合成して大型の感光基板に
同時に露光すると共に、このときそれぞれのマスクの像
を投影する投影光学系(12)の結像特性を独立して調
整し得る。
【0012】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0013】図1において、7は全体として投影露光装
置を示し、液晶表示基板を製造するための大型の感光基
板に投影光学系のイメージフイールドより大きなマスク
上のパターンを露光する。照明光学系8からの光束9は
不図示のマスク上に照射される。照明されたマスクの像
は、投影光学系12(例えば5つ)のそれぞれを介して
不図示の感光基板上に投影される。この投影光学系には
図のY方向に沿つて一列に、かつ、隣合う光学系どうし
がX方向に変位して配置されており、感光基板上での投
影像もこの配列に対応した配列となつている。また、マ
スクと感光基板とを投影光学系12に対して同期して走
査することにより、マスクの全面を感光基板上に投影す
る。一方、露光用の照明光学系8から射出された複数の
光束9は、パターンを形成したマスク(図示せず)を保
持するマスクテーブル10上の所定位置に配された複数
のスリツトマーク11に照射される。
【0014】図2に示すように、このスリツトマーク1
1は光透過性の長方形のスリツト状開口であり、透明部
材上に蒸着したクロム層に形成されている。図1に示す
ように、複数のスリツトマーク11をそれぞれ透過した
複数の光束9は、5つの投影光学系12にそれぞれ入射
する。光束9は投影光学系12を介して、感光基板(図
示せず)を保持する基板テーブル13上の所定位置に配
された複数のスリツトマーク14にそれぞれ照射され
る。図3に示すように、このスリツトマーク14はスリ
ツトマーク11に対応した十字形のスリツト状開口であ
り、透明部材上に形成されている。図1に示すように、
このスリツトマーク14を透過した光束9は、基板テー
ブル13内のスリツトマーク14直下に配された受光器
15に入射し、受光器15内の光電変換素子(図示せ
ず)で光電変換される。
【0015】マスクテーブル10には、図1に示すX、
Y方向に駆動させる駆動系16及び17が配されてい
る。さらにマスクテーブル10には、マスクテーブル1
0の移動量を検出する、例えば干渉計等でなる位置検出
装置18及び19が配置されている。
【0016】位置検出装置18及び19が出力する信号
S1及びS2と、受光器15が出力する信号S3とは、
信号処理部20に入力される。信号処理部20は、この
信号S1〜S3を処理してスリツトマーク11及び14
の位置ずれを検出する。信号処理部20が出力する位置
ずれの信号S4は、制御部21に入力される。制御部2
1は、位置ずれの信号S4に基づいて制御信号S5を投
影光学系12に送出し、投影光学系12の結像特性を調
整する。
【0017】図4に示すように、スリツトマーク11及
び14は対の関係になつていると共に、投影光学系12
を介して、共役の関係であり結像面となつている。スリ
ツトマーク11は、その高さがマスクのパターン面の位
置と一致するように形成されている。スリツトマーク1
4は、その高さが感光基板の表面位置と一致するように
形成されている。
【0018】以上の構成において、投影光学系12の結
像特性を最適化する際には、複数の投影光学系12のそ
れぞれについて、2ヶ所以上の位置ずれ量を検出できる
ように、マスク側、プレート側にスリツトマーク11、
14を1つの投影光学系12当り2組以上配置すると共
に、次の手順で投影光学系12の特性を計測する。
【0019】すなわち、スリツトマーク11を、投影光
学系12を介してスリツトマーク14に投影する。この
とき、マスクテーブル10は、X及びY方向に移動させ
ることができる。次に、スリツトマーク11の像でスリ
ツトマーク14を走査する。
【0020】これにより、信号処理部20は、位置検出
装置18及び19から得られる位置情報と、受光器15
で検出する光強度とを与えられて、図5に示すように、
マスクテーブル10の位置に対して、スリツトマーク1
1及び14のX及びY方向の位置が一致したとき、光強
度が山形状のピークを形成する特性曲線を得る。信号処
理部20は、この特性曲線に基づいて、投影光学系12
を介したときのスリツトマーク11及び14の位置ずれ
量を算出する。図6に示すように、このずれ量はX方向
においてはΔX、Y方向においてはΔYとして算出され
る。
【0021】信号処理部20は、1つの投影光学系12
当り2点以上の位置ずれ量を検出する。制御部21は、
この2点の位置ずれ量に基づいて、投影光学系12の結
像特性の補正に必要な補正データを算出する。同様にし
て、制御部21は、それぞれの投影光学系12の結像特
性の補正に必要な補正データを算出すると、それぞれの
投影光学系12の結像特性を補正する。
【0022】これにより、複数の投影光学系12のそれ
ぞれの結像特性が最適化されて、複数の投影光学系12
による投影像を感光基板上で連続して均一に投影できる
ようになる。
【0023】以上の構成によれば、マスクテーブル10
及び基板テーブル13上のほぼ共役な位置関係にある所
定位置にスリツトマーク11及び14をそれぞれ配し、
照明光学系8からの光束9でスリツトマーク11を照明
することにより、投影光学系12を介してスリツトマー
ク14上に投影したスリツトマーク11の像のスリツト
マーク14に対する位置ずれを受光器15で検出するこ
とにより、簡単な構成で、投影光学系12の結像特性を
最適な状態に容易に補正できる。
【0024】なお上述の実施例においては、スリツトマ
ーク11が光束9を通す長方形のスリツト状開口でなる
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マスク
側のスリツトマークが光透過部とクロム層とを反転して
形成されたものであつても良い。この場合にも上述と同
様の効果を得ることができる。この場合、図7に示すよ
うに、マスクテーブル10の位置に対して、スリツトマ
ーク11及び14の位置が一致したとき、光強度が谷形
状のボトムを形成する特性曲線が得られる。このボトム
の位置に基づいて位置ずれ量を算出することができる。
【0025】また上述の実施例においては、1組のスリ
ツトマーク11及び14当たり1つの受光器15を配す
る場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図8
に示す投影露光装置22のように、複数組のスリツトマ
ーク11及び14に対して共用する1つの受光器15を
配するようにしても良い。この場合受光器15は、複数
組のスリツトマーク11及び14に対して、検査順に相
対的に移動される。
【0026】さらに上述の実施例においては、5つの投
影光学系12を配する場合について述べたが、本発明は
これに限らず、任意の数の投影光学系を配する場合にも
適用できる。
【0027】すなわち、例えば図9に示すように、投影
露光装置23は、投影光学系24を1つだけ配されてい
る。マスクテーブル25及び基板テーブル26には、投
影光学系24に入射する複数の光束9と同数組のスリツ
トマーク11及び14がそれぞれ配されている。
【0028】さらに上述の実施例においては、複数の対
になるスリツトマークを配し、マスク側のスリツトマー
ク11のスリツト像でプレート側のスリツトマーク14
を走査して位置ずれを検出場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、基板テーブル13にもX及びY方向
に大きく移動するXYテーブル及び位置検出装置を配置
すると共に、基板テーブル側にスリツトマーク14と受
光部15とを1つのみ配する場合にも適用できる。この
場合には、基板テーブル側のXYテーブルを駆動して所
定の検出位置に基板テーブル13を移動させ、この後、
マスク側のスリツトマーク11のスリツト像でスリツト
マーク14を微小距離だけ走査して位置ずれ量を検出す
る。
【0029】さらに上述の実施例においては、マスクテ
ーブル10側のスリツトマーク11が1本の長方形のス
リツトでなる場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、スリツトマーク11に代えて、図10に示すよう
に、マスクテーブル側のスリツトマーク27が複数本
(ここでは3本)の長方形のスリツトでなるようにして
も良い。この場合には、スリツトが開口でなるか否かに
応じて図11に示すように、光強度が山形状のピークを
3つ形成する特性曲線、又は図12に示すように、光強
度が谷形状のピークを3つ形成する特性曲線が得られ、
スリツト本数による平均化が期待できる。
【0030】さらに上述の実施例においては、液晶表示
装置を製造するための感光基板に露光する露光装置7に
本発明を適用した場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えばプラズマデイスプレイを製造するため
の感光基板に露光する露光装置等、任意の露光対象に露
光する露光装置に広く適用できる。
【0031】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、請求項1
に記載の走査型露光装置では、マスクテーブル及び基板
テーブル上のほぼ共役な位置関係にある所定位置に第1
及び第2の基準マークをそれぞれ配し、照明光学系から
の光束で第1の基準マークを照明することにより、投影
光学系を介して第2の基準マーク上に投影した第1の基
準マークの像の第2の基準マークに対する位置ずれを位
置ずれ検出手段で検出することにより、簡単な構成で、
投影光学系の結像特性を最適な状態に容易に補正し得る
投影露光装置を実現できる。
【0032】請求項2に記載の走査型露光装置では、第
2の基準マークに結像する像の光強度がピークのときの
マスクテーブルの位置を検出して位置ずれを検出し得る
投影露光装置を実現できる。請求項3に記載の走査型露
光装置では、位置決めの際、投影光学系だけで調整が不
足するずれ成分をマスクと感光基板とで調整し得る投影
露光装置を実現できる。
【0033】請求項4に記載の走査型露光装置では、投
影光学系のX及びY方向の位置ずれに加えて、光軸回り
の回転位置のずれ等を補正すると共に、第1及び第2の
基準マークの組数を多くするに従つて補正の精度を向上
させ得る投影露光装置を実現できる。請求項5に記載の
走査型露光装置では、複数の投影光学系のそれぞれが投
影するマスクの像を合成して大型の感光基板に同時に露
光すると共に、このときそれぞれのマスクの像を投影す
る投影光学系の結像特性を独立して調整し得る投影露光
装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による投影露光装置の一実施例を示す全
体構成図である。
【図2】マスクテーブル側のスリツトマークの形状を示
す平面図である。
【図3】基板テーブル側のスリツトマークの形状を示す
平面図である。
【図4】マスクテーブル側のスリツトマークと基板テー
ブル側のスリツトマークとの位置関係がほぼ共役な位置
に配されていることを示す断面図である。
【図5】図3及び図4のスリツトマークを使用したと
き、受光器が受光する光強度の特性を示す特性曲線図で
ある。
【図6】マスクテーブル側のスリツトマークと基板テー
ブル側のスリツトマークとの位置ずれ量を示す略線図で
ある。
【図7】他の実施例による反転したスリツトマークをマ
スクテーブル側に使用したときの光強度の特性を示す特
性曲線図である。
【図8】他の実施例による投影露光装置を示す全体構成
図である。
【図9】他の実施例による投影露光装置を示す全体構成
図である。
【図10】他の実施例によるマスクテーブル側のスリツ
トマークを示す平面図である。
【図11】他の実施例によるスリツトマークをマスクテ
ーブル側に使用したときの光強度の特性を示す特性曲線
図である。
【図12】他の実施例によるスリツトマークをマスクテ
ーブル側に使用したときの光強度の特性を示す特性曲線
図である。
【図13】従来の露光装置を示す全体構成図である。
【符号の説明】
1、8……照明光学系、2……フアイバ、3、13、2
6……基板テーブル、4、12、24……投影光学系、
5……マスク、6、15……受光器、7、22、23…
…投影露光装置、9……光束、10、25……マスクテ
ーブル、11、14、27……スリツトマーク、16、
17……駆動系、、18、19……位置検出装置、20
……信号処理部、21……制御部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 9/02 H H01L 21/30 525 X (72)発明者 藤森 信孝 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号株式 会社ニコン内 (72)発明者 松浦 敏男 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号株式 会社ニコン内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】照明光学系からの光束でマスクを照明し、
    該マスクの像を投影光学系を介して感光基板上に投影す
    る投影露光装置において、 前記マスクを保持すると共に、前記投影光学系に対して
    所定の位置に配置されたマスクテーブルと、 前記感光基板を保持すると共に、前記投影光学系に対し
    て所定の位置に配置された基板テーブルと、 前記マスクテーブル上に配置された第1の基準マーク
    と、 前記投影光学系に対して前記第1の基準マークとほぼ共
    役な、かつ前記マスク及び前記感光基板の面内方向に対
    して前記第1の基準マークと所定の位置関係にある前記
    基板テーブル上の位置に配置された第2の基準マーク
    と、 前記照明光学系からの光束を前記第1の基準マークに照
    射し、前記投影光学系を介して前記第2の基準マーク上
    に前記第1の基準マークを投影した際の、前記第1の基
    準マークと第2の基準マークとの位置ずれを検出する位
    置ずれ検出手段と、 前記位置ずれに基づいて前記投影光学系の結像特性を補
    正する補正手段とを具えることを特徴とする投影露光装
    置。
  2. 【請求項2】前記第1及び第2の基準マークは、前記光
    束を透過するスリツト状の開口であり、前記位置ずれ検
    出手段は、前記第2の基準マークを透過した光束の光強
    度を検出する光電検出器であることを特徴とする請求項
    1に記載の投影露光装置。
  3. 【請求項3】前記投影露光装置は、前記位置ずれ検出手
    段による検出結果に基づいて、前記マスクと前記感光基
    板とを位置決めすることを特徴とする請求項1に記載の
    投影露光装置。
  4. 【請求項4】前記第1及び第2の基準マークは、前記投
    影光学系に対して少なくとも2組配されていることを特
    徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
  5. 【請求項5】前記投影光学系は複数配置され、照明され
    た前記マスクの複数の領域の像を独立して前記複数の投
    影光学系のそれぞれを介して投影することを特徴とする
    請求項1に記載の投影露光装置。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP4029130B2 (ja) * 1997-06-03 2008-01-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2000047390A (ja) * 1998-05-22 2000-02-18 Nikon Corp 露光装置およびその製造方法
US6545971B1 (en) * 1999-01-27 2003-04-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Information recording/reproducing system for recording/reproducing information in three-dimensional recording medium of a light passing-through type
KR100471018B1 (ko) * 2000-11-28 2005-03-08 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 두 개의 대상물 간의 갭 조절장치 및 조절방법
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7313725B2 (en) * 2003-07-29 2007-12-25 Gateway Inc. Replacement restoration disk drive and method
US7256865B2 (en) * 2003-10-24 2007-08-14 Asml Holding N.V. Methods and apparatuses for applying wafer-alignment marks
JPWO2009001835A1 (ja) * 2007-06-26 2010-08-26 株式会社ニコン 光学特性の計測方法、光学特性の調整方法、露光装置、露光方法及び露光装置の製造方法
US8023102B2 (en) * 2008-04-18 2011-09-20 International Business Machines Corporation Test method for determining reticle transmission stability
KR101202319B1 (ko) * 2010-07-26 2012-11-16 삼성전자주식회사 노광 장치 및 그 제어 방법
JP5760293B2 (ja) * 2011-03-02 2015-08-05 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
US9395636B2 (en) * 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
KR101780089B1 (ko) 2011-04-22 2017-09-19 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 부분 반사 위치 마크를 갖는 기판을 사용한 리소그래피 시스템에서의 위치 결정
JP5932023B2 (ja) 2011-05-13 2016-06-08 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
CN103969958B (zh) * 2013-01-25 2016-03-30 上海微电子装备有限公司 一种多曝光视场拼接系统和方法
KR102151254B1 (ko) * 2013-08-19 2020-09-03 삼성디스플레이 주식회사 노광장치 및 그 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US33836A (en) * 1861-12-03 Improvement in revolving fire-arms
US4629313A (en) * 1982-10-22 1986-12-16 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus
US5168306A (en) * 1989-04-04 1992-12-01 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US5414514A (en) * 1993-06-01 1995-05-09 Massachusetts Institute Of Technology On-axis interferometric alignment of plates using the spatial phase of interference patterns
JP3564735B2 (ja) * 1994-06-16 2004-09-15 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
US5617211A (en) * 1994-08-16 1997-04-01 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH08130180A (ja) * 1994-10-28 1996-05-21 Nikon Corp 露光方法

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