JP2000047390A - 露光装置およびその製造方法 - Google Patents
露光装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000047390A JP2000047390A JP11126897A JP12689799A JP2000047390A JP 2000047390 A JP2000047390 A JP 2000047390A JP 11126897 A JP11126897 A JP 11126897A JP 12689799 A JP12689799 A JP 12689799A JP 2000047390 A JP2000047390 A JP 2000047390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- projection optical
- mask
- substrate
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的大きなサイズの基板に露光を行うに際
して、マスクの自重による撓みなどのマスクの変位によ
らず、高精度で露光を行うことができ、しかも投影光学
系ユニットの検査装置の小型化を図り、調整時間の短
縮、低コスト化を図ることができる露光装置および露光
装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 マスク１に形成されたパターンを感光性
基板３の表面に投影露光するように、複数の投影光学系
モジュール２ａが配置された投影光学系ユニット２を有
する露光装置であって、マスク１の自重による撓み変位
による位置ズレΔＹおよび焦点間距離Ｚ１などに合わせ
て、各投影光学系モジュール２ａが個別に調整または設
計してある。
して、マスクの自重による撓みなどのマスクの変位によ
らず、高精度で露光を行うことができ、しかも投影光学
系ユニットの検査装置の小型化を図り、調整時間の短
縮、低コスト化を図ることができる露光装置および露光
装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 マスク１に形成されたパターンを感光性
基板３の表面に投影露光するように、複数の投影光学系
モジュール２ａが配置された投影光学系ユニット２を有
する露光装置であって、マスク１の自重による撓み変位
による位置ズレΔＹおよび焦点間距離Ｚ１などに合わせ
て、各投影光学系モジュール２ａが個別に調整または設
計してある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の投影光学系
モジュールが配置された投影光学系ユニットを有する露
光装置およびその製造方法に係り、さらに詳しくは、た
とえば液晶基板などのように比較的大型の基板上に露光
を行うための露光装置およびその製造方法に関する。
モジュールが配置された投影光学系ユニットを有する露
光装置およびその製造方法に係り、さらに詳しくは、た
とえば液晶基板などのように比較的大型の基板上に露光
を行うための露光装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワープロ、パーソナルコンピュー
タ、テレビなどの表示装置として、液晶表示パネルが多
用されている。この液晶表示パネルを製造するために
は、ガラス基板上に、透明導電膜やアモルファスシリコ
ン膜などをフォトリソグラフィにより所望のパターンに
加工して成膜する必要がある。
タ、テレビなどの表示装置として、液晶表示パネルが多
用されている。この液晶表示パネルを製造するために
は、ガラス基板上に、透明導電膜やアモルファスシリコ
ン膜などをフォトリソグラフィにより所望のパターンに
加工して成膜する必要がある。
【０００３】このフォトリソグラフィのための装置とし
て、マスク上に形成された原画パターンを、投影光学系
を介してガラス基板上のレジスト膜に投影して露光を行
うステップ・アンド・リピート型の露光装置が用いられ
ている。
て、マスク上に形成された原画パターンを、投影光学系
を介してガラス基板上のレジスト膜に投影して露光を行
うステップ・アンド・リピート型の露光装置が用いられ
ている。
【０００４】ところが、最近、液晶表示装置の大画面化
が望まれており、それに伴い、ガラス基板とマスクとの
大型化及び露光装置における露光領域の拡大が望まれて
いる。露光領域を拡大する方法として最も単純な方法
は、投影光学系を大きくすることである。
が望まれており、それに伴い、ガラス基板とマスクとの
大型化及び露光装置における露光領域の拡大が望まれて
いる。露光領域を拡大する方法として最も単純な方法
は、投影光学系を大きくすることである。
【０００５】しかしながら、投影光学系の大型化を図る
ためには、大型の光学素子を非常に高精度に製作する必
要があり、製作コストの増大と装置の大型化とを招くお
それがある。現状においても、露光装置の大型化により
輸送が困難になってきており、露光装置の小型化が望ま
れている。また、投影光学系が大型になると、収差も増
大し好ましくない。
ためには、大型の光学素子を非常に高精度に製作する必
要があり、製作コストの増大と装置の大型化とを招くお
それがある。現状においても、露光装置の大型化により
輸送が困難になってきており、露光装置の小型化が望ま
れている。また、投影光学系が大型になると、収差も増
大し好ましくない。
【０００６】そこで、特開平７−１８３２１２号公報に
示すように、複数の投影光学系モジュールから成る投影
光学系ユニットを用い、しかも照明光学系と投影光学系
ユニットとを固定し、マスクおよび基板を同期移動させ
ながら等倍露光を行うマルチレンズ投影光学系の走査型
露光装置が提案されている。この露光装置では、各投影
光学系モジュールにより基板の表面に形成される露光パ
ターン（たとえば矩形パターン）を、マスクおよび基板
を同期移動させることで、基板の表面で移動させ、結果
として、基板の全面の露光を行う。このようなマルチレ
ンズ投影光学系の走査型露光装置によれば、マスクおよ
び基板の大きさに比較してそれ程大きくない投影光学系
ユニットを用いて、比較的大画面の領域に対する露光が
可能となる。
示すように、複数の投影光学系モジュールから成る投影
光学系ユニットを用い、しかも照明光学系と投影光学系
ユニットとを固定し、マスクおよび基板を同期移動させ
ながら等倍露光を行うマルチレンズ投影光学系の走査型
露光装置が提案されている。この露光装置では、各投影
光学系モジュールにより基板の表面に形成される露光パ
ターン（たとえば矩形パターン）を、マスクおよび基板
を同期移動させることで、基板の表面で移動させ、結果
として、基板の全面の露光を行う。このようなマルチレ
ンズ投影光学系の走査型露光装置によれば、マスクおよ
び基板の大きさに比較してそれ程大きくない投影光学系
ユニットを用いて、比較的大画面の領域に対する露光が
可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のこの
種の露光装置では、複数の投影光学系モジュールから成
る投影光学系ユニットの全体を一つの投影光学系として
取り扱っていた。このため、複数の投影光学系モジュー
ルを一つのユニットとして組み立てた後で、そのユニッ
トを検査装置で検査し、その後、露光装置に搭載してい
た。検査装置では、検査用マスクとして、少なくともス
キャン方向と略直角な方向には、実際に使用するマスク
と同程度に大きなマスクを使用し、投影光学系ユニット
を検査して調整していた。そのため、投影光学系ユニッ
トの調整に時間がかかると共に、検査装置が大型にな
り、コスト高となっていた。
種の露光装置では、複数の投影光学系モジュールから成
る投影光学系ユニットの全体を一つの投影光学系として
取り扱っていた。このため、複数の投影光学系モジュー
ルを一つのユニットとして組み立てた後で、そのユニッ
トを検査装置で検査し、その後、露光装置に搭載してい
た。検査装置では、検査用マスクとして、少なくともス
キャン方向と略直角な方向には、実際に使用するマスク
と同程度に大きなマスクを使用し、投影光学系ユニット
を検査して調整していた。そのため、投影光学系ユニッ
トの調整に時間がかかると共に、検査装置が大型にな
り、コスト高となっていた。
【０００８】また、基板の大型化と共に、マスクも大型
にする必要があり、マスクの自重による撓みが問題とな
っている。 従来では、複数の投影光学系モジュール
は、全て一括して同様に調整されているのに対し、マス
クの撓み量は、マスクの中心部で大きく、両側部で小さ
くなる。たとえば５００ｍｍ×６５０ｍｍ程度の大型の
基板に対して露光を行うためのマスクは、最大で４０μ
ｍ程度撓むことになる。このため、従来の装置では、中
心に位置する投影光学系モジュールにより基板の表面に
形成される露光パターンの形状を正確に合わせたとする
と、両側に位置する投影光学系モジュールにより基板の
表面に形成される露光パターンの形状が歪むおそれがあ
った。
にする必要があり、マスクの自重による撓みが問題とな
っている。 従来では、複数の投影光学系モジュール
は、全て一括して同様に調整されているのに対し、マス
クの撓み量は、マスクの中心部で大きく、両側部で小さ
くなる。たとえば５００ｍｍ×６５０ｍｍ程度の大型の
基板に対して露光を行うためのマスクは、最大で４０μ
ｍ程度撓むことになる。このため、従来の装置では、中
心に位置する投影光学系モジュールにより基板の表面に
形成される露光パターンの形状を正確に合わせたとする
と、両側に位置する投影光学系モジュールにより基板の
表面に形成される露光パターンの形状が歪むおそれがあ
った。
【０００９】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、比較的大きなサイズの基板に露光を行うに際して、
マスクの自重による撓みなどのマスクの変位によらず、
高精度で露光を行うことができ、しかも投影光学系ユニ
ットの検査装置の小型化を図り、調整時間の短縮、低コ
スト化を図ることができる露光装置および露光装置の製
造方法を提供することを目的とする。
れ、比較的大きなサイズの基板に露光を行うに際して、
マスクの自重による撓みなどのマスクの変位によらず、
高精度で露光を行うことができ、しかも投影光学系ユニ
ットの検査装置の小型化を図り、調整時間の短縮、低コ
スト化を図ることができる露光装置および露光装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に
対応つけて説明するが、本発明の各構成要件は、これら
部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものでは
ない。
では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に
対応つけて説明するが、本発明の各構成要件は、これら
部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものでは
ない。
【００１１】本発明に係る露光装置（１０）は、マスク
（１）に形成されたパターンを感光性基板（３）の表面
に投影露光するように、複数の投影光学系モジュール
（２ａ）が配置された投影光学系ユニット（２）を有す
る露光装置（１０）であって、前記マスク（１）の変位
に合わせて、各投影光学系モジュール（２ａ）が個別に
調整または設計してあることを特徴とする（請求項１に
対応）。
（１）に形成されたパターンを感光性基板（３）の表面
に投影露光するように、複数の投影光学系モジュール
（２ａ）が配置された投影光学系ユニット（２）を有す
る露光装置（１０）であって、前記マスク（１）の変位
に合わせて、各投影光学系モジュール（２ａ）が個別に
調整または設計してあることを特徴とする（請求項１に
対応）。
【００１２】前記マスク（１）の変位としては、たとえ
ばマスク（１）の自重による撓み変位である（請求項２
に対応）。前記マスク（１）と感光性基板（３）とは相
対的に移動可能に保持してあり、これらマスク（１）と
感光性基板（３）とを、前記投影光学系ユニット（２）
を挟んでスキャン移動させ、マスク（１）に形成された
パターンを走査しつつ、前記感光性基板（３）の表面に
投影露光処理を行うように構成してあることが好ましい
（請求項３に対応）。前記マスク（１）と感光性基板
（３）とのスキャン移動方向と略直角な方向に、スキャ
ン移動の中心線（Ｓ１）を挟んで線対称に、複数の投影
光学系モジュール（２ａ）が配置してあり、線対称位置
の関係にある投影光学系モジュール（２ａ）の相互が、
略同一に調整または設計してあることが好ましい（請求
項４に対応）。
ばマスク（１）の自重による撓み変位である（請求項２
に対応）。前記マスク（１）と感光性基板（３）とは相
対的に移動可能に保持してあり、これらマスク（１）と
感光性基板（３）とを、前記投影光学系ユニット（２）
を挟んでスキャン移動させ、マスク（１）に形成された
パターンを走査しつつ、前記感光性基板（３）の表面に
投影露光処理を行うように構成してあることが好ましい
（請求項３に対応）。前記マスク（１）と感光性基板
（３）とのスキャン移動方向と略直角な方向に、スキャ
ン移動の中心線（Ｓ１）を挟んで線対称に、複数の投影
光学系モジュール（２ａ）が配置してあり、線対称位置
の関係にある投影光学系モジュール（２ａ）の相互が、
略同一に調整または設計してあることが好ましい（請求
項４に対応）。
【００１３】本発明に係る露光装置（１０）の製造方法
は、マスク（１）に形成されたパターンを感光性基板
（３）の表面に投影露光するように、複数の投影光学系
モジュール（２ａ）が配置された投影光学系ユニット
（２）を有する露光装置（１０）を製造する方法におい
て、前記マスク（１）の変位に合わせて、各投影光学系
モジュール（２ａ）を個別に調整または設計することを
特徴とする（請求項５に対応）。
は、マスク（１）に形成されたパターンを感光性基板
（３）の表面に投影露光するように、複数の投影光学系
モジュール（２ａ）が配置された投影光学系ユニット
（２）を有する露光装置（１０）を製造する方法におい
て、前記マスク（１）の変位に合わせて、各投影光学系
モジュール（２ａ）を個別に調整または設計することを
特徴とする（請求項５に対応）。
【００１４】各投影光学系モジュール（２ａ）を個別に
調整するとは、本発明では特に限定されないが、各投影
光学系モジュール（２ａ）を構成するレンズのチルト角
度、レンズ間の間隔、レンズの回転角度（光軸まわりの
回転）、レンズの偏心などを調整することにより、変位
したマスク（１）に形成してあるパターンが感光性基板
（３）の上にジャストフォーカス位置で露光が行えるよ
うにすることである。また、各投影光学系モジュール
（２ａ）を個別に設計するとは、各投影光学系モジュー
ル（２ａ）を構成するレンズの種類、チルト角度、レン
ズ間の間隔、レンズの厚さ、レンズ面曲率などを各投影
光学系モジュール（２ａ）毎に別々に設計することによ
り、変位したマスク（１）に形成してあるパターンが感
光性基板（３）の上にジャストフォーカス位置で露光が
行えるようにすることである。
調整するとは、本発明では特に限定されないが、各投影
光学系モジュール（２ａ）を構成するレンズのチルト角
度、レンズ間の間隔、レンズの回転角度（光軸まわりの
回転）、レンズの偏心などを調整することにより、変位
したマスク（１）に形成してあるパターンが感光性基板
（３）の上にジャストフォーカス位置で露光が行えるよ
うにすることである。また、各投影光学系モジュール
（２ａ）を個別に設計するとは、各投影光学系モジュー
ル（２ａ）を構成するレンズの種類、チルト角度、レン
ズ間の間隔、レンズの厚さ、レンズ面曲率などを各投影
光学系モジュール（２ａ）毎に別々に設計することによ
り、変位したマスク（１）に形成してあるパターンが感
光性基板（３）の上にジャストフォーカス位置で露光が
行えるようにすることである。
【００１５】本発明に係る露光装置（１０）では、比較
的大きなサイズの感光性基板（３）に露光を行うに際し
て、マスク（１）の自重による撓みなどのマスク（１）
の変位を予めシュミレーションし、マスク（１）の変位
に基づく位置ズレ量および焦点間距離などの変化の値を
事前に予測する。そして、それらの変化の値と投影光学
系ユニット（２）の各投影光学系モジュール（２ａ）の
配置とを考慮し、各投影光学系モジュール（２ａ）を個
別に調整する。その後、調整済みの各投影光学系モジュ
ール（２ａ）を、投影光学系ユニット（２）に組み込
む。
的大きなサイズの感光性基板（３）に露光を行うに際し
て、マスク（１）の自重による撓みなどのマスク（１）
の変位を予めシュミレーションし、マスク（１）の変位
に基づく位置ズレ量および焦点間距離などの変化の値を
事前に予測する。そして、それらの変化の値と投影光学
系ユニット（２）の各投影光学系モジュール（２ａ）の
配置とを考慮し、各投影光学系モジュール（２ａ）を個
別に調整する。その後、調整済みの各投影光学系モジュ
ール（２ａ）を、投影光学系ユニット（２）に組み込
む。
【００１６】このため、本発明では、比較的大きなサイ
ズの感光性基板（３）に露光を行うに際して、マスク
（１）の自重による撓みなどのマスク（１）の変位によ
らず、高精度で露光を行うことができる。また、従来と
異なり、投影光学系ユニット（２）の全体を検査するの
ではなく、各投影光学系モジュール（２ａ）を個別に検
査して調整するため、検査装置の小型化を図り、調整時
間の短縮、低コスト化を図ることができる。
ズの感光性基板（３）に露光を行うに際して、マスク
（１）の自重による撓みなどのマスク（１）の変位によ
らず、高精度で露光を行うことができる。また、従来と
異なり、投影光学系ユニット（２）の全体を検査するの
ではなく、各投影光学系モジュール（２ａ）を個別に検
査して調整するため、検査装置の小型化を図り、調整時
間の短縮、低コスト化を図ることができる。
【００１７】本発明に係る露光装置（１０）の製造方法
では、比較的大きなサイズの感光性基板（３）に露光を
行うに際して、マスク（１）の自重による撓みなどのマ
スク（１）の変位を予めシュミレーションし、マスク
（１）の変位に基づく位置ズレ量および焦点間距離など
の変化の値を事前に予測する。そして、それらの変化の
値と投影光学系ユニット（２）の各投影光学系モジュー
ル（２ａ）の配置とを考慮し、各投影光学系モジュール
（２ａ）を個別に調整または設計し、投影光学系ユニッ
ト（２）に組み込む。
では、比較的大きなサイズの感光性基板（３）に露光を
行うに際して、マスク（１）の自重による撓みなどのマ
スク（１）の変位を予めシュミレーションし、マスク
（１）の変位に基づく位置ズレ量および焦点間距離など
の変化の値を事前に予測する。そして、それらの変化の
値と投影光学系ユニット（２）の各投影光学系モジュー
ル（２ａ）の配置とを考慮し、各投影光学系モジュール
（２ａ）を個別に調整または設計し、投影光学系ユニッ
ト（２）に組み込む。
【００１８】このため、本発明では、比較的大きなサイ
ズの感光性基板（３）に露光を行うに際して、マスク
（１）の自重による撓みなどのマスク（１）の変位によ
らず、高精度で露光を行うことができる。また、従来と
異なり、マスク（１）の自重による撓みなどのマスク
（１）の変位に合わせて、各投影光学系モジュール（２
ａ）が個別に調整または設計してあるため、検査装置の
小型化を図り、調整時間の短縮、低コスト化を図ること
ができる。
ズの感光性基板（３）に露光を行うに際して、マスク
（１）の自重による撓みなどのマスク（１）の変位によ
らず、高精度で露光を行うことができる。また、従来と
異なり、マスク（１）の自重による撓みなどのマスク
（１）の変位に合わせて、各投影光学系モジュール（２
ａ）が個別に調整または設計してあるため、検査装置の
小型化を図り、調整時間の短縮、低コスト化を図ること
ができる。
【００１９】なお、本発明において、マスク（１）と
は、レチクルを含む概念で用いる。また、本発明におい
て、露光装置（１０）の光源としては、特に限定され
ず、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦ
エキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）、Ｆ２ レーザ（１５７ｎｍ）、または
ＹＡＧレーザなどの高調波なども含む。
は、レチクルを含む概念で用いる。また、本発明におい
て、露光装置（１０）の光源としては、特に限定され
ず、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦ
エキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）、Ｆ２ レーザ（１５７ｎｍ）、または
ＹＡＧレーザなどの高調波なども含む。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。
形態に基づき説明する。
【００２１】第１実施形態 図１に示すように、本実施形態に係る走査型露光装置１
０は、照明光学系ユニット４と、マスク１を保持するマ
スクステージ（図示省略）と、投影光学系ユニット２
と、基板３を保持する基板ステージ６とを有する。基板
３としては、特に限定されないが、本実施形態では、液
晶表示装置（ＬＣＤ）を製造するためのガラス基板が用
いられる。本実施形態では、比較的大画面のＬＣＤを製
造するために、縦が５００ｍｍ以上、横が６５０ｍｍ以
上のガラス基板が用いられる。この基板３の表面には、
ポリシリコン薄膜、絶縁膜、透明導電膜などの各種の機
能薄膜が積層される。これらの機能薄膜をそれぞれ所定
パターンにエッチング加工するために、各機能薄膜をエ
ッチング加工する前段階において、各薄膜の上にレジス
ト膜などの感光性薄膜が成膜され、基板３は感光性基板
となり、本実施形態に係る走査型露光装置１０により露
光処理が行われる。
０は、照明光学系ユニット４と、マスク１を保持するマ
スクステージ（図示省略）と、投影光学系ユニット２
と、基板３を保持する基板ステージ６とを有する。基板
３としては、特に限定されないが、本実施形態では、液
晶表示装置（ＬＣＤ）を製造するためのガラス基板が用
いられる。本実施形態では、比較的大画面のＬＣＤを製
造するために、縦が５００ｍｍ以上、横が６５０ｍｍ以
上のガラス基板が用いられる。この基板３の表面には、
ポリシリコン薄膜、絶縁膜、透明導電膜などの各種の機
能薄膜が積層される。これらの機能薄膜をそれぞれ所定
パターンにエッチング加工するために、各機能薄膜をエ
ッチング加工する前段階において、各薄膜の上にレジス
ト膜などの感光性薄膜が成膜され、基板３は感光性基板
となり、本実施形態に係る走査型露光装置１０により露
光処理が行われる。
【００２２】本実施形態に係る走査型露光装置１０で
は、照明光学系ユニット４および投影光学系ユニット２
に対して、マスク１および基板３が、図１および２に示
すように、スキャン方向Ｘに同期して移動するようにな
っている。本実施形態では、スキャン方向Ｘに略直交す
る方向をＹ方向とし、これらＸ方向およびＹ方向に共に
略直交する方向をＺ方向とする。
は、照明光学系ユニット４および投影光学系ユニット２
に対して、マスク１および基板３が、図１および２に示
すように、スキャン方向Ｘに同期して移動するようにな
っている。本実施形態では、スキャン方向Ｘに略直交す
る方向をＹ方向とし、これらＸ方向およびＹ方向に共に
略直交する方向をＺ方向とする。
【００２３】基板３を保持する基板ステージ６は、スキ
ャン方向駆動装置８によりＸ方向に駆動されるようにな
っており、その移動量は、たとえばレーザ干渉計などの
位置測定装置９により高精度に検出され、基板ステージ
６の正確な位置制御が行われる。基板ステージ６には、
基板ステージ６をＹ方向に微小移動させるＹ方向駆動装
置１２も装着してあり、マスク１と基板３とのＹ方向位
置合わせを正確に行えるようにしてある。なお、マスク
１に比べて基板３が大きい場合（言い換えれば、マスク
１のパターンを基板３に複数露光する場合）は、基板ス
テージ６のＹ方向の駆動量が大きくなる。
ャン方向駆動装置８によりＸ方向に駆動されるようにな
っており、その移動量は、たとえばレーザ干渉計などの
位置測定装置９により高精度に検出され、基板ステージ
６の正確な位置制御が行われる。基板ステージ６には、
基板ステージ６をＹ方向に微小移動させるＹ方向駆動装
置１２も装着してあり、マスク１と基板３とのＹ方向位
置合わせを正確に行えるようにしてある。なお、マスク
１に比べて基板３が大きい場合（言い換えれば、マスク
１のパターンを基板３に複数露光する場合）は、基板ス
テージ６のＹ方向の駆動量が大きくなる。
【００２４】マスク１を保持するマスクステージ（図示
せず）にも、基板ステージ６と同様に、スキャン方向駆
動装置、Ｙ方向駆動装置および位置測定装置が具備して
ある。マスク１と基板３との位置合わせは、マスク１に
形成してあるアライメントマークＭ１を検出するアライ
メントセンサ１４と、基板３に形成してあるアライメン
トマークＭ２を検出するアライメントセンサ１６とによ
り行う。これらアライメントセンサ１４および１６とし
ては、特に限定されないが、アライメントマークＭ１お
よびＭ２にレーザ光を照射し、その回折光を検出するこ
とにより、これらアライメントマークＭ１およびＭ２の
位置を検出するものが例示される。
せず）にも、基板ステージ６と同様に、スキャン方向駆
動装置、Ｙ方向駆動装置および位置測定装置が具備して
ある。マスク１と基板３との位置合わせは、マスク１に
形成してあるアライメントマークＭ１を検出するアライ
メントセンサ１４と、基板３に形成してあるアライメン
トマークＭ２を検出するアライメントセンサ１６とによ
り行う。これらアライメントセンサ１４および１６とし
ては、特に限定されないが、アライメントマークＭ１お
よびＭ２にレーザ光を照射し、その回折光を検出するこ
とにより、これらアライメントマークＭ１およびＭ２の
位置を検出するものが例示される。
【００２５】本実施形態の照明光学系ユニット４は、た
とえば図１に示すように、Ｙ方向に沿って二列に配置さ
れ、Ｘ方向には相互に互い違いに配置された複数（本実
施形態では５つ）の矩形照明領域１１をマスク１の上に
形成するために適した構造を有する。すなわち、本実施
形態の照明光学系ユニット４は、複数の光出射モジュー
ル１８を有し、各光出射モジュール１８からは、たとえ
ばｇ線（４３６ｎｍ）あるいはｉ線（３６５ｎｍ）など
の露光用照明光を供給するようになっている。各光出射
モジュール１８は、それぞれ単一の光源、または単一の
光源から導かれた二次光源を有し、内蔵するコンデンサ
レンズを介して、矩形状の開口部を有する視野絞りを均
一に照明する。視野絞りを介した露光用照明光は、ミラ
ー２０によって光路が９０度偏向され、マスク１の表面
に到達し、視野絞りの矩形開口部の像である複数の矩形
照明領域１１を形成する。
とえば図１に示すように、Ｙ方向に沿って二列に配置さ
れ、Ｘ方向には相互に互い違いに配置された複数（本実
施形態では５つ）の矩形照明領域１１をマスク１の上に
形成するために適した構造を有する。すなわち、本実施
形態の照明光学系ユニット４は、複数の光出射モジュー
ル１８を有し、各光出射モジュール１８からは、たとえ
ばｇ線（４３６ｎｍ）あるいはｉ線（３６５ｎｍ）など
の露光用照明光を供給するようになっている。各光出射
モジュール１８は、それぞれ単一の光源、または単一の
光源から導かれた二次光源を有し、内蔵するコンデンサ
レンズを介して、矩形状の開口部を有する視野絞りを均
一に照明する。視野絞りを介した露光用照明光は、ミラ
ー２０によって光路が９０度偏向され、マスク１の表面
に到達し、視野絞りの矩形開口部の像である複数の矩形
照明領域１１を形成する。
【００２６】なお、各照明領域の形状は、矩形状に限定
されないが、可能な限り、後述する投影光学系の視野の
形状に相似な形であることが好ましい。さらに、マスク
１上のＹ方向に沿って二列に所定ピッチで互い違いに配
置された照明領域１１の数は、５つに限定されず、４つ
以下または６つ以上であっても良い。これらの照明領域
１１の数は、基板上を照明する露光領域の数に対応する
が、本実施形態においては、説明の容易化のために、照
明領域１１の数は５つとする。
されないが、可能な限り、後述する投影光学系の視野の
形状に相似な形であることが好ましい。さらに、マスク
１上のＹ方向に沿って二列に所定ピッチで互い違いに配
置された照明領域１１の数は、５つに限定されず、４つ
以下または６つ以上であっても良い。これらの照明領域
１１の数は、基板上を照明する露光領域の数に対応する
が、本実施形態においては、説明の容易化のために、照
明領域１１の数は５つとする。
【００２７】次に、図１および２に示す投影光学系ユニ
ット２について説明する。投影光学系ユニット２は、鋳
造品などで構成してある比較的高い剛性を持つ保持ベー
ス２ｂを有する。この保持ベース２ｂには、照明光学系
ユニット４により形成される照明領域１１の数に対応し
た数（５つ）の投影光学系モジュール２ａが装着してあ
る。各投影光学系モジュール２ａは、本実施形態では、
等倍かつ正立正像の光学系である。
ット２について説明する。投影光学系ユニット２は、鋳
造品などで構成してある比較的高い剛性を持つ保持ベー
ス２ｂを有する。この保持ベース２ｂには、照明光学系
ユニット４により形成される照明領域１１の数に対応し
た数（５つ）の投影光学系モジュール２ａが装着してあ
る。各投影光学系モジュール２ａは、本実施形態では、
等倍かつ正立正像の光学系である。
【００２８】各投影光学系モジュール２ａは、全て同じ
構造を有し、マスク１に対して照明された各照明領域１
１に対応するマスク上のパターンを、各露光領域２１毎
に基板３の表面に結像させて投影露光を行う光学系であ
り、その具体的な構造は、特に限定されない。投影光学
系ユニット２の各投影光学系モジュール２ａは、各投影
光学系モジュール２ａ内の視野絞りによって規定される
矩形形状の視野領域を有し、これらの視野領域の像は、
基板３に等倍の正立像として形成され、基板３上で、図
３に示すように、互い違いに配置された二列の露光領域
２１となる。すなわち、基板３上には、投影光学系ユニ
ット２に配置された各投影光学系モジュール２ａによっ
て、Ｙ方向に沿って二列に互い違いに配列された５つの
矩形の露光領域２１が形成される。基板３の上に形成さ
れる各露光領域２１のＹ方向端部は、隣接する露光領域
２１の間で、Ｘ方向には所定ピッチで離れており、Ｙ方
向には、相互に一致または重複するようになっている。
構造を有し、マスク１に対して照明された各照明領域１
１に対応するマスク上のパターンを、各露光領域２１毎
に基板３の表面に結像させて投影露光を行う光学系であ
り、その具体的な構造は、特に限定されない。投影光学
系ユニット２の各投影光学系モジュール２ａは、各投影
光学系モジュール２ａ内の視野絞りによって規定される
矩形形状の視野領域を有し、これらの視野領域の像は、
基板３に等倍の正立像として形成され、基板３上で、図
３に示すように、互い違いに配置された二列の露光領域
２１となる。すなわち、基板３上には、投影光学系ユニ
ット２に配置された各投影光学系モジュール２ａによっ
て、Ｙ方向に沿って二列に互い違いに配列された５つの
矩形の露光領域２１が形成される。基板３の上に形成さ
れる各露光領域２１のＹ方向端部は、隣接する露光領域
２１の間で、Ｘ方向には所定ピッチで離れており、Ｙ方
向には、相互に一致または重複するようになっている。
【００２９】図１および２に示すマスク１および基板３
がスキャン方向Ｘに同期して移動しない状態では、図１
に示す照明光学系ユニット４および投影光学系ユニット
２により形成される露光領域２１は、図３に示すよう
に、基板３のＸ方向の一部の領域のみである。しかし、
マスク１および基板３がスキャン方向Ｘに同期して移動
することにより、図４に示すように、各露光領域２１が
基板３の表面で相対的にスキャン方向Ｘに移動し、基板
３の全面を露光することができる。なお、図１中の制御
装置１００は、走査型露光装置１０全体を制御するもの
であり、各ユニットに接続されている。
がスキャン方向Ｘに同期して移動しない状態では、図１
に示す照明光学系ユニット４および投影光学系ユニット
２により形成される露光領域２１は、図３に示すよう
に、基板３のＸ方向の一部の領域のみである。しかし、
マスク１および基板３がスキャン方向Ｘに同期して移動
することにより、図４に示すように、各露光領域２１が
基板３の表面で相対的にスキャン方向Ｘに移動し、基板
３の全面を露光することができる。なお、図１中の制御
装置１００は、走査型露光装置１０全体を制御するもの
であり、各ユニットに接続されている。
【００３０】このようなスキャン型露光装置において、
図５に示すように、マスク１が、その自重により撓み変
形して変位する。その結果、マスク１および基板３のＹ
方向のスキャン中心線Ｓ１からのマスク１に沿った距離
Ｙ１の位置と、基板３に沿った距離Ｙ１の位置とのＹ方
向位置に位置ズレΔＹが生じる。基板３が大きく、必然
的にマスク１が大きい場合には、そのΔＹが露光に及ぼ
す影響が大きくなる。また、マスク１の撓み変位による
焦点間距離Ｚ１の変化も無視できなくなる。
図５に示すように、マスク１が、その自重により撓み変
形して変位する。その結果、マスク１および基板３のＹ
方向のスキャン中心線Ｓ１からのマスク１に沿った距離
Ｙ１の位置と、基板３に沿った距離Ｙ１の位置とのＹ方
向位置に位置ズレΔＹが生じる。基板３が大きく、必然
的にマスク１が大きい場合には、そのΔＹが露光に及ぼ
す影響が大きくなる。また、マスク１の撓み変位による
焦点間距離Ｚ１の変化も無視できなくなる。
【００３１】そこで本実施形態では、各投影光学系モジ
ュール２ａの光学中心軸に対応するズレ量ΔＹと、焦点
間距離Ｚ１とを、マスク１の自重による撓み変位を考慮
してシュミレーションにより予め求めておく。そして、
投影光学系ユニット２の検査に際しては、図２に示す各
投影光学系モジュール２ａを保持ベース２ｂに装着する
前に、各投影光学系モジュール２ａ毎に、図６に示す検
査装置３０を用いて個別に調整する。
ュール２ａの光学中心軸に対応するズレ量ΔＹと、焦点
間距離Ｚ１とを、マスク１の自重による撓み変位を考慮
してシュミレーションにより予め求めておく。そして、
投影光学系ユニット２の検査に際しては、図２に示す各
投影光学系モジュール２ａを保持ベース２ｂに装着する
前に、各投影光学系モジュール２ａ毎に、図６に示す検
査装置３０を用いて個別に調整する。
【００３２】図６に示す検査装置３０は、投影光学系モ
ジュール２ａを仮保持する仮保持ベース（図示省略）
と、検査用マスク５を保持する検査用マスクステージ
（図示省略）と、検査用基板７を保持する検査用基板ホ
ルダ（図示省略）とを有する。検査用マスク５を保持す
る検査用マスクステージは、６自由度に移動可能になっ
ている。
ジュール２ａを仮保持する仮保持ベース（図示省略）
と、検査用マスク５を保持する検査用マスクステージ
（図示省略）と、検査用基板７を保持する検査用基板ホ
ルダ（図示省略）とを有する。検査用マスク５を保持す
る検査用マスクステージは、６自由度に移動可能になっ
ている。
【００３３】この検査装置３０を用いて各投影光学系モ
ジュール２ａを調整するには、まず、投影光学系モジュ
ール２ａを仮保持ベースに仮保持する。その後、検査用
マスク５の中心５ａを、検査用マスクステージにより、
各投影光学系モジュール２ａに対応したＹ方向位置ズレ
量ΔＹおよび焦点間距離Ｚ１となるように、前記シュミ
レーション結果に基づき移動させる。その状態で、検査
用マスク５の中心５ａの像が、検査用基板７の中心に対
して結像するように、各投影光学系モジュール２ａを構
成するレンズのチルト角度、レンズ間の間隔などを調整
する。
ジュール２ａを調整するには、まず、投影光学系モジュ
ール２ａを仮保持ベースに仮保持する。その後、検査用
マスク５の中心５ａを、検査用マスクステージにより、
各投影光学系モジュール２ａに対応したＹ方向位置ズレ
量ΔＹおよび焦点間距離Ｚ１となるように、前記シュミ
レーション結果に基づき移動させる。その状態で、検査
用マスク５の中心５ａの像が、検査用基板７の中心に対
して結像するように、各投影光学系モジュール２ａを構
成するレンズのチルト角度、レンズ間の間隔などを調整
する。
【００３４】本実施形態では、図２に示す保持ベース２
ｂに取り付けるべき全ての投影光学系モジュール２ａに
対して、図６に示す検査装置３０を用いて、個別に調整
した後、これらの投影光学系モジュール２ａを図２に示
す保持ベース２ｂに取り付け、投影光学系ユニット２を
組み立てる。なお、保持ベース２ｂは、複数の投影光学
系モジュール２ａが装着されても、露光に際して問題と
なる撓み変形などが生じない程度に高剛性であることが
必要である。また、検査に際しては、検査用仮保持ベー
スを用いることなく、実際の保持ベース２ｂで代用して
も良い。
ｂに取り付けるべき全ての投影光学系モジュール２ａに
対して、図６に示す検査装置３０を用いて、個別に調整
した後、これらの投影光学系モジュール２ａを図２に示
す保持ベース２ｂに取り付け、投影光学系ユニット２を
組み立てる。なお、保持ベース２ｂは、複数の投影光学
系モジュール２ａが装着されても、露光に際して問題と
なる撓み変形などが生じない程度に高剛性であることが
必要である。また、検査に際しては、検査用仮保持ベー
スを用いることなく、実際の保持ベース２ｂで代用して
も良い。
【００３５】本実施形態に係る露光装置１０およびその
製造方法では、比較的大きなサイズの基板３に露光を行
うに際して、マスク１の自重による撓みによるマスク１
の変位を予めシュミレーションし、マスク１の変位に基
づく位置ズレ量ΔＹおよび焦点間距離Ｚ１などの変化の
値を事前に予測する。そして、それらの変化の値と投影
光学系ユニット２の保持ベース２ｂに対する各投影光学
系モジュール２ａの配置とを考慮し、検査装置３０を用
いて、各投影光学系モジュール２ａを個別に調整する。
その後、調整済みの各投影光学系モジュール２ａを、保
持ベース２ｂに組み込み、投影光学系ユニット２を組み
立てる。
製造方法では、比較的大きなサイズの基板３に露光を行
うに際して、マスク１の自重による撓みによるマスク１
の変位を予めシュミレーションし、マスク１の変位に基
づく位置ズレ量ΔＹおよび焦点間距離Ｚ１などの変化の
値を事前に予測する。そして、それらの変化の値と投影
光学系ユニット２の保持ベース２ｂに対する各投影光学
系モジュール２ａの配置とを考慮し、検査装置３０を用
いて、各投影光学系モジュール２ａを個別に調整する。
その後、調整済みの各投影光学系モジュール２ａを、保
持ベース２ｂに組み込み、投影光学系ユニット２を組み
立てる。
【００３６】このため、本実施形態では、比較的大きな
サイズの基板３に露光を行うに際して、マスク１の自重
による撓みなどのマスクの変位によらず、高精度で露光
を行うことができる。また、従来と異なり、投影光学系
ユニット２の全体を検査するのではなく、各投影光学系
モジュール２ａを個別に検査して調整するため、検査装
置３０の小型化を図り、調整時間の短縮、低コスト化を
図ることができる。
サイズの基板３に露光を行うに際して、マスク１の自重
による撓みなどのマスクの変位によらず、高精度で露光
を行うことができる。また、従来と異なり、投影光学系
ユニット２の全体を検査するのではなく、各投影光学系
モジュール２ａを個別に検査して調整するため、検査装
置３０の小型化を図り、調整時間の短縮、低コスト化を
図ることができる。
【００３７】また、投影光学系ユニット２に装着された
複数の投影光学系モジュール２ａのうちの一つの投影光
学系モジュールに不具合が生じた場合には、本実施形態
では、該当する投影光学系モジュール２ａのみを交換す
れば良く、投影光学系モジュール２ａの交換が容易であ
る。
複数の投影光学系モジュール２ａのうちの一つの投影光
学系モジュールに不具合が生じた場合には、本実施形態
では、該当する投影光学系モジュール２ａのみを交換す
れば良く、投影光学系モジュール２ａの交換が容易であ
る。
【００３８】さらに、本実施形態では、従来と異なり、
投影光学系ユニット２の全体を調整することなく、投影
光学系モジュール２ａ毎に調整するため、検査装置３０
の汎用化が可能となり、さらに大型の基板３に対応した
露光装置１０を開発する場合でも、検査装置３０を変更
する必要がない。すなわち、大型の基板に対応した走査
型露光装置１０を開発するために、投影光学系モジュー
ル２ａの数を追加する場合でも、検査装置を新たに準備
することなく、走査型露光装置１０の大型化を容易に行
うことができる。
投影光学系ユニット２の全体を調整することなく、投影
光学系モジュール２ａ毎に調整するため、検査装置３０
の汎用化が可能となり、さらに大型の基板３に対応した
露光装置１０を開発する場合でも、検査装置３０を変更
する必要がない。すなわち、大型の基板に対応した走査
型露光装置１０を開発するために、投影光学系モジュー
ル２ａの数を追加する場合でも、検査装置を新たに準備
することなく、走査型露光装置１０の大型化を容易に行
うことができる。
【００３９】第２実施形態 前記第１実施形態では、図２に示す保持ベース２ｂに取
り付けられる全ての投影光学系モジュール２ａとして、
光学系の基本的な設計が全て同じものを用い、各投影光
学系モジュール２ａ毎に、図６に示す検査装置３０によ
り個別に調整している。これに対して、本実施形態で
は、図５に示すマスク１の自重による撓み変位を予めシ
ュミレーションし、そのシュミレーション結果に基づ
き、保持ベース２ｂに装着される位置に応じて、各投影
光学系モジュール２ａ毎に、基本的な光学系を、個別仕
様で別々に設計してある。
り付けられる全ての投影光学系モジュール２ａとして、
光学系の基本的な設計が全て同じものを用い、各投影光
学系モジュール２ａ毎に、図６に示す検査装置３０によ
り個別に調整している。これに対して、本実施形態で
は、図５に示すマスク１の自重による撓み変位を予めシ
ュミレーションし、そのシュミレーション結果に基づ
き、保持ベース２ｂに装着される位置に応じて、各投影
光学系モジュール２ａ毎に、基本的な光学系を、個別仕
様で別々に設計してある。
【００４０】本実施形態に係る露光装置およびその製造
方法では、前記第１実施形態に係る露光装置およびその
製造方法の作用効果に付加して、次に示す作用効果を奏
する。すなわち、本実施形態では、各投影光学系モジュ
ール２ａを構成する光学系が、保持ベース２ｂに取り付
けられる位置に合わせて個別仕様に設計してあるため、
図６に示す検査装置３０を用いる検査時間を短縮するこ
とができる。
方法では、前記第１実施形態に係る露光装置およびその
製造方法の作用効果に付加して、次に示す作用効果を奏
する。すなわち、本実施形態では、各投影光学系モジュ
ール２ａを構成する光学系が、保持ベース２ｂに取り付
けられる位置に合わせて個別仕様に設計してあるため、
図６に示す検査装置３０を用いる検査時間を短縮するこ
とができる。
【００４１】第３実施形態 前記第１実施形態および第２実施形態では、保持ベース
２ｂに対して取り付けられる全ての投影光学系モジュー
ル２ａに対して、個別に調整または設計が行われてい
る。これに対して、本実施形態では、マスク１と基板３
とのスキャン移動方向Ｘと略直角な方向Ｙに、スキャン
移動の中心線Ｓ１（図５に示す）を挟んで線対称位置の
関係にある投影光学系モジュール２ａの相互が、略同一
に調整または設計してある。マスク１の中心線とスキャ
ン移動の中心線Ｓ１とが一致するとすれば、マスク１は
スキャン移動の中心線Ｓ１に対して線対称に撓み変形す
ることから、線対称位置の関係にある投影光学系モジュ
ール２ａに対するマスク１の位置ズレ量ΔＹと焦点間距
離Ｚ１とは、略同一と考えられる。
２ｂに対して取り付けられる全ての投影光学系モジュー
ル２ａに対して、個別に調整または設計が行われてい
る。これに対して、本実施形態では、マスク１と基板３
とのスキャン移動方向Ｘと略直角な方向Ｙに、スキャン
移動の中心線Ｓ１（図５に示す）を挟んで線対称位置の
関係にある投影光学系モジュール２ａの相互が、略同一
に調整または設計してある。マスク１の中心線とスキャ
ン移動の中心線Ｓ１とが一致するとすれば、マスク１は
スキャン移動の中心線Ｓ１に対して線対称に撓み変形す
ることから、線対称位置の関係にある投影光学系モジュ
ール２ａに対するマスク１の位置ズレ量ΔＹと焦点間距
離Ｚ１とは、略同一と考えられる。
【００４２】本実施形態に係る露光装置およびその製造
方法では、前記第１および第２実施形態に係る露光装置
およびその製造方法の作用効果に付加して、次に示す作
用効果を奏する。すなわち、本実施形態では、保持ベー
ス２ｂに対して取り付けられる全ての投影光学系モジュ
ール２ａを個別に調整または設計する必要がないので、
その調整または設計の手間を削減することができる。
方法では、前記第１および第２実施形態に係る露光装置
およびその製造方法の作用効果に付加して、次に示す作
用効果を奏する。すなわち、本実施形態では、保持ベー
ス２ｂに対して取り付けられる全ての投影光学系モジュ
ール２ａを個別に調整または設計する必要がないので、
その調整または設計の手間を削減することができる。
【００４３】その他の実施形態 なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるもので
はなく、本発明の範囲内で種々に改変することができ
る。マスク１の材質が石英の場合と低膨張ガラスの場合
とでは、同じ大きさのマスク１でもたわみ量が異なって
しまう。同様に、大きさや厚みが異なるマスク１を使用
する場合にもマスク１のたわみ量が異なってしまう。こ
のような場合には、マスク１に関する情報（材質、大き
さ等）を入力し、この情報に基づいて各投影モジュール
２内の焦点調整レンズを調節すればいい。なお、マスク
１に関する情報は、マスク１に形成されたバーコードか
ら読み込んでもいいし、マニュアル入力してもいい。
はなく、本発明の範囲内で種々に改変することができ
る。マスク１の材質が石英の場合と低膨張ガラスの場合
とでは、同じ大きさのマスク１でもたわみ量が異なって
しまう。同様に、大きさや厚みが異なるマスク１を使用
する場合にもマスク１のたわみ量が異なってしまう。こ
のような場合には、マスク１に関する情報（材質、大き
さ等）を入力し、この情報に基づいて各投影モジュール
２内の焦点調整レンズを調節すればいい。なお、マスク
１に関する情報は、マスク１に形成されたバーコードか
ら読み込んでもいいし、マニュアル入力してもいい。
【００４４】たとえば、各投影光学系モジュール２ａに
より形成される露光領域は、必ずしも矩形の露光領域２
１とする必要はなく、図７に示すように、台形の露光領
域２１ａと成るように、各投影光学系モジュール２ａを
設計しても良い。図７に示すように、Ｙ方向に沿って、
二列の台形の露光領域２１ａとし、隣接する各台形の露
光領域２１ａの側辺が、スキャン方向Ｘに所定ピッチで
離れ、且つスキャン方向Ｘから見て重複させる位置関係
としてある。このような位置関係の露光領域２１ａを各
投影光学系モジュール２ａにより形成することで、各露
光領域２１ａの継ぎ目部に位置するパターンを、基板３
の表面に、断線することなく、良好なパターンで露光す
ることが可能となる。
より形成される露光領域は、必ずしも矩形の露光領域２
１とする必要はなく、図７に示すように、台形の露光領
域２１ａと成るように、各投影光学系モジュール２ａを
設計しても良い。図７に示すように、Ｙ方向に沿って、
二列の台形の露光領域２１ａとし、隣接する各台形の露
光領域２１ａの側辺が、スキャン方向Ｘに所定ピッチで
離れ、且つスキャン方向Ｘから見て重複させる位置関係
としてある。このような位置関係の露光領域２１ａを各
投影光学系モジュール２ａにより形成することで、各露
光領域２１ａの継ぎ目部に位置するパターンを、基板３
の表面に、断線することなく、良好なパターンで露光す
ることが可能となる。
【００４５】また、上記第１〜第３実施形態では、投影
光学系ユニット２の各投影光学系モジュール２ａは、等
倍かつ正立正像の光学系であるが、本発明では、必ずし
も等倍である必要はなく、縮小光学系や拡大光学系であ
ってもよく、また、倒立像の光学系であっても良い。複
数のレンズから構成される照明光学系ユニット４、焦点
調節レンズを含む投影光学系ユニットを露光装置本体に
組み込み光学調整をするとともに、多数の機械部品から
なるマスクステージや基板ステージ６を走査型露光装置
１０本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調
整（電気調整、動作確認等）をすることにより本実施例
の走査型露光装置１０を製造することができる。なお、
走査型露光装置１０の製造は温度およびクリーン度等が
管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
光学系ユニット２の各投影光学系モジュール２ａは、等
倍かつ正立正像の光学系であるが、本発明では、必ずし
も等倍である必要はなく、縮小光学系や拡大光学系であ
ってもよく、また、倒立像の光学系であっても良い。複
数のレンズから構成される照明光学系ユニット４、焦点
調節レンズを含む投影光学系ユニットを露光装置本体に
組み込み光学調整をするとともに、多数の機械部品から
なるマスクステージや基板ステージ６を走査型露光装置
１０本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調
整（電気調整、動作確認等）をすることにより本実施例
の走査型露光装置１０を製造することができる。なお、
走査型露光装置１０の製造は温度およびクリーン度等が
管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００４６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
露光装置およびその製造方法では、比較的大きなサイズ
の感光性基板に露光を行うに際して、マスクの自重によ
る撓みなどのマスクの変位によらず、高精度で露光を行
うことができる。また、従来と異なり、投影光学系ユニ
ットの全体を検査するのではなく、各投影光学系モジュ
ールを個別に検査して調整するため、検査装置の小型化
を図り、調整時間の短縮、低コスト化を図ることができ
る。
露光装置およびその製造方法では、比較的大きなサイズ
の感光性基板に露光を行うに際して、マスクの自重によ
る撓みなどのマスクの変位によらず、高精度で露光を行
うことができる。また、従来と異なり、投影光学系ユニ
ットの全体を検査するのではなく、各投影光学系モジュ
ールを個別に検査して調整するため、検査装置の小型化
を図り、調整時間の短縮、低コスト化を図ることができ
る。
【００４７】また、投影光学系ユニットに装着された複
数の投影光学系モジュールのうちの一つの投影光学系モ
ジュールに不具合が生じた場合には、本発明では、該当
する投影光学系モジュールのみを交換すれば良く、投影
光学系モジュールの交換が容易である。
数の投影光学系モジュールのうちの一つの投影光学系モ
ジュールに不具合が生じた場合には、本発明では、該当
する投影光学系モジュールのみを交換すれば良く、投影
光学系モジュールの交換が容易である。
【００４８】さらに、本発明では、従来と異なり、投影
光学系ユニットの全体を調整することなく、投影光学系
モジュール毎に調整するため、検査装置の汎用化が可能
となり、さらに大型の感光性基板に対応した露光装置を
開発する場合でも、検査装置を変更する必要がない。す
なわち、大型の感光性基板に対応した露光装置を開発す
るために、投影光学系モジュールの数を追加する場合で
も、検査装置を新たに準備することなく、露光装置の大
型化を容易に行うことができる。
光学系ユニットの全体を調整することなく、投影光学系
モジュール毎に調整するため、検査装置の汎用化が可能
となり、さらに大型の感光性基板に対応した露光装置を
開発する場合でも、検査装置を変更する必要がない。す
なわち、大型の感光性基板に対応した露光装置を開発す
るために、投影光学系モジュールの数を追加する場合で
も、検査装置を新たに準備することなく、露光装置の大
型化を容易に行うことができる。
【図１】 図１は本発明の１実施形態に係る露光装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】 図２は図１に示す露光装置の要部分解斜視図
である。
である。
【図３】 図３は基板の表面に形成される露光領域の位
置関係を示す平面図である。
置関係を示す平面図である。
【図４】 図４は基板の表面に形成される露光領域のス
キャン移動を示す平面図である。
キャン移動を示す平面図である。
【図５】 図５はマスクの撓みと投影光学系モジュール
との関係を示す概略図である。
との関係を示す概略図である。
【図６】 図６は検査装置の概略図である。
【図７】 図７は本発明の他の実施形態に係る露光装置
の投影光学系ユニットにより形成される露光領域の位置
関係を示す平面図である。
の投影光学系ユニットにより形成される露光領域の位置
関係を示す平面図である。
１… マスク ２… 投影光学系ユニット ２ａ… 投影光学系モジュール ３… 基板（感光性基板） ４… 照明光学系ユニット ５… 検査用マスク ６… 基板ステージ ７… 検査用基板 １０… 走査型露光装置 ２１，２１ａ… 露光領域 ３０… 検査装置
Claims (5)
- 【請求項１】 マスクに形成されたパターンを感光性基
板の表面に投影露光するように、複数の投影光学系モジ
ュールが配置された投影光学系ユニットを有する露光装
置であって、 前記マスクの変位に合わせて、各投影光学系モジュール
が個別に調整または設計してあることを特徴とする露光
装置。 - 【請求項２】 前記マスクの変位が、マスクの自重によ
る撓み変位である請求項１に記載の露光装置 - 【請求項３】 前記マスクと感光性基板とは相対的に移
動可能に保持してあり、これらマスクと感光性基板と
を、前記投影光学系ユニットを挟んでスキャン移動さ
せ、マスクに形成されたパターンを走査しつつ、前記感
光性基板の表面に投影露光処理を行うように構成してあ
る請求項１または２に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記マスクと感光性基板とのスキャン移
動方向と略直角な方向に、スキャン移動の中心線を挟ん
で線対称に、複数の投影光学系モジュールが配置してあ
り、線対称位置の関係にある投影光学系モジュールの相
互が、略同一に調整または設計してある請求項３に記載
の露光装置。 - 【請求項５】 マスクに形成されたパターンを感光性基
板の表面に投影露光するように、複数の投影光学系モジ
ュールが配置された投影光学系ユニットを有する露光装
置を製造する方法において、 前記マスクの変位に合わせて、各投影光学系モジュール
を個別に調整または設計することを特徴とする露光装置
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126897A JP2000047390A (ja) | 1998-05-22 | 1999-05-07 | 露光装置およびその製造方法 |
| US09/316,768 US6195153B1 (en) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | Scanning type exposure device having individually adjustable optical modules and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-140918 | 1998-05-22 | ||
| JP14091898 | 1998-05-22 | ||
| JP11126897A JP2000047390A (ja) | 1998-05-22 | 1999-05-07 | 露光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000047390A true JP2000047390A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=26462988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126897A Pending JP2000047390A (ja) | 1998-05-22 | 1999-05-07 | 露光装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6195153B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000047390A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166815A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Nikon Corp | 投影光学装置、露光方法及び装置、フォトマスク、並びにデバイス及びフォトマスクの製造方法 |
| KR101391310B1 (ko) | 2012-01-31 | 2014-05-02 | 나노전광 주식회사 | 다중 스테이지 정렬을 이용한 노광장치 |
| EP3029522A1 (en) | 2014-12-01 | 2016-06-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | A pellicle frame and a pellicle |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW396395B (en) * | 1998-01-07 | 2000-07-01 | Nikon Corp | Exposure method and scanning-type aligner |
| JP3652329B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2005-05-25 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置、走査露光方法、デバイス製造方法およびデバイス |
| KR100575230B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2006-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노광 장치를 이용한 노광 방법 |
| US20050099615A1 (en) * | 2003-06-03 | 2005-05-12 | Fusao Ishii | System for fabricating electronic modules on substrates having arbitrary and unexpected dimensional changes |
| US20050105071A1 (en) * | 2003-06-03 | 2005-05-19 | Fusao Ishii | Methods for patterning substrates having arbitrary and unexpected dimensional changes |
| DE102004013886A1 (de) | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem |
| WO2006104127A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Nikon Corporation | 露光装置、露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
| KR100729263B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-06-15 | 삼성전자주식회사 | 기판 노광 장치 |
| US20070127002A1 (en) * | 2005-11-09 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US7782442B2 (en) * | 2005-12-06 | 2010-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method |
| US8654307B2 (en) * | 2006-03-20 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus, method of manufacturing micro-apparatus, mask, projection optical apparatus, and method of manufacturing mask |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130711A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Nikon Corp | 投影光学装置、露光方法、および回路製造方法 |
| JPH0786139A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH07183212A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
| JPH07273000A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH0855782A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH0883744A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH08330218A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH09139340A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | Nikon Corp | 位置ずれ補正方法 |
| JPH09230412A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH09293676A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459577A (en) * | 1992-06-01 | 1995-10-17 | Nikon Corporation | Method of and apparatus for measuring pattern positions |
| KR100363922B1 (ko) * | 1993-12-06 | 2003-08-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및노광방법 |
| US5617211A (en) * | 1994-08-16 | 1997-04-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JPH08130181A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH09129546A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Nikon Corp | 両面露光装置及び両面露光方法 |
| US5999244A (en) * | 1995-11-07 | 1999-12-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus, method for correcting positional discrepancy of projected image, and method for determining image formation characteristic of projection optical system |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11126897A patent/JP2000047390A/ja active Pending
- 1999-05-21 US US09/316,768 patent/US6195153B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130711A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Nikon Corp | 投影光学装置、露光方法、および回路製造方法 |
| JPH0786139A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH07183212A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
| JPH07273000A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH0855782A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH0883744A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH08330218A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH09139340A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | Nikon Corp | 位置ずれ補正方法 |
| JPH09230412A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH09293676A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166815A (ja) * | 2007-01-04 | 2008-07-17 | Nikon Corp | 投影光学装置、露光方法及び装置、フォトマスク、並びにデバイス及びフォトマスクの製造方法 |
| KR101391310B1 (ko) | 2012-01-31 | 2014-05-02 | 나노전광 주식회사 | 다중 스테이지 정렬을 이용한 노광장치 |
| EP3029522A1 (en) | 2014-12-01 | 2016-06-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | A pellicle frame and a pellicle |
| KR20160065741A (ko) | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 프레임 및 이것을 사용한 펠리클 |
| US9766538B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-09-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and a pellicle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6195153B1 (en) | 2001-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100536781B1 (ko) | 포토마스크의 제조방법과 장치 및 디바이스의 제조방법 | |
| JP4816460B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、露光システム及び露光方法 | |
| KR20010075605A (ko) | 노광방법 및 노광장치 | |
| JP2000012453A (ja) | 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法 | |
| US20100290020A1 (en) | Optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, and method for producing device | |
| JP2007052214A (ja) | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JP2008263194A (ja) | 露光装置、露光方法、および電子デバイス製造方法 | |
| US20090257033A1 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device | |
| US8343693B2 (en) | Focus test mask, focus measurement method, exposure method and exposure apparatus | |
| JP2000047390A (ja) | 露光装置およびその製造方法 | |
| JP2007108559A (ja) | 走査型露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JPH11194479A (ja) | フォトマスクの製造方法及び装置 | |
| JP2001296667A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置並びにマスク | |
| JP2002258487A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| US6654099B2 (en) | Scanning exposure apparatus, scanning exposure method and mask | |
| JP6727554B2 (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
| JPH02310912A (ja) | 露光方法及びその装置 | |
| WO2016159200A1 (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 | |
| JP2001305745A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 | |
| JP5699419B2 (ja) | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 | |
| KR20050092434A (ko) | 노광 장치 | |
| JPH11233424A (ja) | 投影光学装置、収差測定方法、及び投影方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JPH11135420A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2008089941A (ja) | マスク、露光方法及び表示素子の製造方法 | |
| JP5007538B2 (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090126 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090217 |